KR20040045491A - 탄성 재료용 피드포워드 제어 시스템 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (58)
- 소정의 목표 공급률로 탄성 재료의 공급을 제어하기 위한 피드포워드 제어를 제공하는 공정이며,탄성 재료가 제1 장력(T1) 하에 있을 때, 탄성 재료 상의 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이에서 기계 방향 거리(L1)를 결정하는 단계와,탄성 재료가 제로 장력(T0) 하에 있을 경우, 탄성 재료 상의 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이에서 기계 방향 거리(L0)를 근사하는 단계와,제2 장력(T2) 하에서 탄성 재료를 공급하는 단계와,탄성 재료가 제2 장력 하에 있을 때, 탄성 재료 상의 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 기계 방향 거리(L2)를 측정하는 단계와,소정의 목표 공급률에 일치하도록 소정의 관계식을 따라 탄성 재료의 공급률(Ls)을 조정하는 단계를 포함하는 공정.
- 제1항에 있어서, 제1 장력(T1) 하에서 적어도 한 개의 풀림 장치로부터 탄성 재료를 풀어내는 단계를 더 포함하는 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 탄성 재료가 제1 장력(T1) 하에 있을 때 탄성 재료에 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크를 인가하는 단계를 더 포함하는 공정.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레지스트레이션 마크가 제조 공정 중 탄성 재료에 인가되는 공정.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레지스트레이션 마크가 전환 공정 중 탄성 재료에 인가되는 공정.
- 제5항에 있어서, 상기 전환 공정은 진공 롤을 사용하여 탄성 재료를 공급하는 단계를 포함하는 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 공정은 탄성 재료 조각을 형성하기 위해 목표 절단 길이(Lc)로 탄성 재료의 절단 길이를 제어하는데 사용되는 공정.
- 제7항에 있어서, 상기 탄성 재료 조각을 흡수식 가멘트용 측면 패널로 형성하는 단계를 더 포함하는 공정.
- 제8항의 공정에 의해 형성된 측면 패널을 포함하는 흡수식 가멘트.
- 제7항에 있어서, 조정 계수 K를 사용하여 탄성 재료의 공급율(Ls)을 K > 0일 때, KL2/L0로 조정하는 단계를 더 포함하는 공정.
- 제10항에 있어서, 상기 탄성 재료의 공급률(Ls)은 Ls= LcL2/L0의 관계식에 따라 조정되는 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 장력(T1)의 함수로서 기계방향 거리(L0)와 기계 방향 거리(L1)을 근사하는 단계를 더 포함하는 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 장력(T1)의 함수로서 기계 방향 거리(L0)와, 기계 방향 거리(L1)와, 제2 장력(T2)과, 기계 방향 거리(L2)를 근사하는 단계를 더 포함하는 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 탄성 재료는 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크에 대해 기계 방향으로 레지스터된 그래픽을 포함하는 공정.
- 제14항에 있어서, 상기 그래픽은 제1 레지스트레이션 마크를 포함하는 공정.
- 목표 절단 길이(Lc)로 탄성 재료의 절단 길이를 제어하기 위한 피드포워드 제어를 제공하는 공정이며,전환 장력(T2) 하에서 탄성 재료를 공급하는 단계와,탄성 재료가 전환 장력(T2) 하에 있을 때, 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 기계 방향 거리(L2)를 측정하는 단계와,소정의 목표 절단 길이(Lc)에 일치시키기 위해 기계 방향 거리(L2)를 활용한 소정의 관계식에 따라 탄성 재료의 공급율을 조정하는 단계와,탄성 재료 조각을 형성하기 위해 목표 절단 길이(Lc)와 거의 동일하게 탄성 재료의 길이를 절단하는 단계를 포함하는 공정.
- 제16항에 있어서, 제1 장력(T1) 하에서 적어도 하나의 풀림 장치로부터 탄성 재료를 풀어내는 단계와,탄성 재료가 제1 장력(T1) 하에 있을 때, 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크를 탄성 재료에 인가시키는 단계와,탄성 재료가 제1 장력(T1) 하에 있을 때, 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 기계 방향 거리(L1)를 측정하는 단계를 더 포함하는 공정.
- 제17항에 있어서, 상기 탄성 재료가 제로 장력(T0) 하에 있는 경우 탄성 재료 상의 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 거리로서 상기 제1 장력(T1)의 함수인, 기계 방향 거리(L0)와 기계 방향 거리(L1)를 근사하는 단계를 포함하는 공정.
- 제17항에 있어서, 상기 탄성 재료가 제로 장력(T0) 하에 있는 경우 탄성 재료 상의 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 거리로서 상기 제1 장력(T1)의 함수인, 기계 방향 거리(L0)와, 기계 방향 거리(L1)와, 전환 장력(T2)와, 기계 방향 거리(L2)를 근사하는 단계를 포함하는 공정.
- 제16항에 있어서, 상기 탄성 재료는 공급 롤을 사용하여 공급되는 공정.
- 제20항에 있어서, 상기 목표 절단 길이(Lc)를 제어하기 위해 공급 롤의 속도를 조정하는 단계를 더 포함하는 공정.
- 제21항에 있어서, 상기 공급롤의 속도는 속도공급롤= LcL2/L0의 관계식을 따라 조정되는 공정.
- 제22항에 있어서, 조정 계수 K를 사용하여 탄성 재료의 공급율(Ls)을 K > 0일 때, KL2/L0로 조정하는 단계를 더 포함하는 공정.
- 제20항에 있어서, 상기 기계 방향 거리(L2)는 탄성 재료가 공급 롤에 도달하기 전에 측정되는 공정.
- 제20항에 있어서, 상기 기계 방향 거리(L2)는 탄성 재료가 공급 롤 상에 있을 때 측정되는 공정
- 제16항에 있어서, 상기 공급률은 절단 길이 피드백에 응답하여 더 조정되는 공정.
- 제16항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레지스트레이션 마크가 제조 공정 중 탄성 재료에 인가되는 공정.
- 제16항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레지스트레이션 마크가 전환 공정 중 탄성 재료에 인가되는 공정.
- 제16항에 있어서, 상기 탄성 재료는 제1 레지스트레이션 마크 및 제2 레지스트레이션 마크에 대해 기계 방향으로 레지스터된 그래픽을 포함하는 공정.
- 제29항에 있어서, 상기 그래픽은 제1 레지스트레이션 마크를 포함하는 공정.
- 제16항에 있어서, 상기 탄성 재료 조각을 흡수식 가멘트용 측면 패널로 형성하는 단계를 더 포함하는 공정.
- 제31항의 공정에 의해 형성된 측면 패널을 포함하는 흡수식 가멘트.
- 목표 절단 길이로 탄성 재료의 절단 길이를 제어하기 위한 피드포워드 제어를 제공하는 공정이며,상기 탄성 재료를 공급 롤로 이송하는 단계와,상기 탄성 재료가 제로 장력 하에 있는 경우, 탄성 재료 상의 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 거리를 근사하는 단계와,상기 탄성 재료가 장력 하에 있을 때, 탄성 재료 상의 제1 레지스트레이션마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 거리를 결정하는 단계와,장력 하에서의 상기 거리와 대략적으로 제로 장력 하에서의 거리에 대한 목표 비율과, 장력 하에서의 거리와 대략적으로 제로 장력 하에서의 거리에 대한 실제 비율을 비교하는 단계와,상기 장력 하에서의 거리와 대략적으로 제로 장력 하에서의 거리에 대한 목표 비율과 실제 비율 사이의 임의의 차이에 응답하여 공급 롤의 속도를 조정하는 단계와,탄성 재료 조각을 형성하기 위해, 상기 탄성 재료의 길이를 목표 절단 길이와 거의 동일하게 절단하는 단계를 포함하는 공정.
- 제33항에 있어서, 상기 탄성 재료가 장력 하에 있을 때, 제1 레지스트레이션 마크 및 제2 레지스트레이션 마크를 탄성 재료 상에 인가하는 단계를 더 포함하는 공정.
- 제33항에 있어서, 상기 공급 롤의 속도는 목표 거리와, 탄성 재료가 장력하에 있을 때 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크와의 사이의 거리와, 상기 탄성 재료가 제로 장력 하에 있을 경우 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 근사된 거리의 함수로서 조정되는 공정.
- 제35항에 있어서, 상기 공급 롤의 속도는 절단 길이 피드백의 응답에 따라더 조정되는 공정.
- 제33항에 있어서, 상기 탄성 재료가 장력 하에 있을 때 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 거리는 탄성 재료가 공급 롤 상에 있을 때 측정되는 공정.
- 제33항에 있어서, 상기 탄성 재료는 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크에 대해 기계 방향으로 레지스터된 그래픽을 포함하는 공정.
- 제38항에 있어서, 상기 그래픽은 제1 레지스트레이션 마크를 포함하는 공정.
- 제33항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레지스트레이션 마크가 제조 공정 중 탄성 재료에 인가되는 공정.
- 제33항에 있어서, 상기 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크가 전환 공정 중 탄성 재료에 인가되는 공정.
- 제33항에 있어서, 조정 인자(K)를 사용하여 공급 롤의 속도(Ls)를 KL2/L0로 조정하는 단계를 더 포함하며, 여기서 K > 0이며, L2는 상기 탄성 재료가 장력 하에있을 때 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 거리이며, L0는 탄성 재료가 제로 장력 하에 있을 경우 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 근사 거리인 공정.
- 제42항에 있어서, 상기 공급 롤의 속도(Ls)는 Ls= LcL2/L0의 관계를 따라 조정되며, 여기서 Lc는 목표 절단 길이인 공정.
- 제33항에 있어서, 상기 탄성 재료 조각을 흡수식 가멘트용 측면 패널로 형성하는 단계를 더 포함하는 공정.
- 제44항의 공정에 의해 형성된 측면 패널을 포함하는 흡수식 가멘트.
- 탄성 재료가 전환 공정으로 공급되는 속도를 제어하는 피드포워드 제어를 제공하는 공정이며,상기 탄성 재료를 전환 공정에 제1 공급률로 공급하는 단계와,상기 탄성 재료가 제1 장력 하에 있을 때, 탄성 재료 상의 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 제1 거리를 결정하는 단계와,상기 탄성 재료가 제2 장력 하에 있을 때, 탄성 재료 상의 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 제2 거리를 결정하는 단계와,상기 제1 및 제2 거리 사이의 관계식을 근거로 탄성 재료의 목표 공급률을 결정하는 단계와,상기 제1 공급률이 목표 공급률에 일치되도록 상기 목표 공급률과 제1 공급률 사이의 임의의 차이에 응답하는 탄성 재료의 제1 공급률을 조정하는 단계를 포함하는 공정.
- 제46항에 있어서, 상기 탄성 재료가 제1 장력 하에 있을 때, 탄성 재료에 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크를 인가하는 단계를 더 포함하는 공정.
- 제46항에 있어서, 상기 탄성 재료가 제로 장력 하에 있는 경우, 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 거리를 근사하는 단계를 더 포함하는 공정.
- 제48항에 있어서, 상기 탄성 재료의 공급률은 목표 공급률과, 탄성 재료가 제2 장력 하에 있을 때 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 제2 거리와, 탄성 재료가 제로 장력 하에 있는 경우 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 거리의 함수로서 조정되는 공정.
- 제46항에 있어서, 상기 탄성 재료가 제1 장력 하에 있을 때 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 거리는 탄성 재료가 공급 롤 상에 있을 때 측정되는 공정.
- 제46항에 있어서, 상기 탄성 재료는 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크에 대해 기계 방향으로 레지스터된 그래픽을 포함하는 공정.
- 제51항에 있어서, 상기 그래픽은 제1 레지스트레이션 마크를 포함하는 공정.
- 제46항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레지스트레이션 마크가 제조 공정 중 탄성 재료에 인가되는 공정.
- 제46항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레지스트레이션 마크가 전환 공정 중 탄성 재료에 인가되는 공정.
- 제46항에 있어서, 조정 인자(K)를 사용하여 공급 롤의 속도(Ls)를 KL2/L0로 조정하는 단계를 더 포함하며, 여기서 K > 0이며, L2는 상기 탄성 재료가 장력 하에 있을 때 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 거리이며, L0는 탄성 재료가 제로 장력 하에 있을 경우 제1 레지스트레이션 마크와 제2 레지스트레이션 마크 사이의 근사 거리인 공정.
- 제55항에 있어서, 상기 탄성 재료의 제1 공급률(Ls)은 Ls= LcL2/L0의 관계식을 따라 조정되며, 여기서 Lc는 목표 절단 길이인 공정.
- 제46항에 있어서, 상기 탄성 재료 조각은 흡수식 가멘트용 측면 패널로 형성하는 단계를 더 포함하는 공정.
- 제57항의 공정에 의해 형성된 측면 패널을 포함하는 흡수식 가멘트.
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