KR20040036360A - 박막 필름 벌크 오코스틱 공진기 및 필터 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 박막 필름 벌크 오코스틱 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator:FBAR, 이하 FBAR이라 칭함) 및 필터에 관한 것으로, 특히 차세대 이동통신 단말기에 적용되는 FBAR 및 필터 제조시 AlN 박막을 과다 식각 및 하부 전극 손실 없이 식각하는데 적당하도록 한 박막 FBAR 및 필터 제조 방법에 관한 것이다. 종래에는 FBAR 소자 제조시 AlN 박막을 습식 또는 건식 식각으로 식각하기 때문에 습식 식각을 이용하는 경우 AlN 박막이 과다 식각되어 하부 전극이 노출되기 쉬우며, 건식 식각을 이용하는 경우에는 하부 전극까지 식각되기 때문에 공정이 난해하고 수율이 낮은 문제가 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판 상에 차례로 하부 전극, 압전 유전체, 박막 금속층을 형성한 후 포토레지스트 패턴을 적용하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴에 따라 노출된 상기 박막 금속층을 제거한 후 상기 포토레지스트 및 박막 금속층으로 이루어진 패턴에 따라 노출된 상기 압전 유전체의 일부를 건식 식각 방법으로 식각하는 단계와; 상기 노출된 압전 유전체의 나머지 부분을 습식 식각 방법으로 식각하는 단계와; 상기 잔류하는 포토레지스트 및 박막 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 박막 필름 벌크 오코스틱 공진기 및 필터 제조 방법을 제공하여 AlN 박막의 과다 식각 및 하부 전극 식각을 방지함으로써 FBAR 및 필터의 공정을 용이하게 하며, 수율을 높이는 효과가 있다.

Description

박막 필름 벌크 오코스틱 공진기 및 필터 제조 방법{MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR AND FILTER}

본 발명은 박막 필름 벌크 오코스틱 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator:FBAR, 이하 FBAR이라 칭함) 및 필터에 관한 것으로, 특히 차세대 이동통신 단말기에 적용되는 FBAR 및 필터 제조시 AlN 박막을 과다 식각 및 하부 전극 손실 없이 식각하는데 적당하도록 한 박막 FBAR 및 필터 제조 방법에 관한 것이다.

휴대 전화를 비롯한 정보통신 단말기에 사용되는 핵심 부품 중 하나인 대역통과 필터(BPF)와 듀플렉서(DPX)는 많은 공중파 중에서 사용자가 원하는 주파수를 추출해 주는 소자로서, 현재 표면 탄성파(SAW) 공진기를 비롯한 유전체 필터를 사용하고 있다. 하지만, 크기 및 고주파 대역 특성의 한계로 인해 점차 FBAR 필터가 정보통신 단말기에 적용될 것이다.

FBAR 필터는 주파수 대역이 넓고 크기가 작으며, 전력 소모 역시 대단히 작기 때문에 정보통신 부품의 소형화와 저전력화에 기여할 것이다.

이러한 FBAR 박막형 공진기의 핵심 구조를 보도록 한다.

도 1은 FBAR 박막형 공진기 소자의 기본 구조로서, 도시되지는 않았지만 기판 상에 형성되는 공진기 소자 부분으로, 하부 전극(1)과 상부 전극(3) 사이에 압전 유전체 물질(2)이 위치하고 있다.

상기 하부 전극(1)은 실리콘(Si) 또는 갈륨비소(GaAs) 기판(미도시) 상에 형성되며, 그 상부에 ZnO, AlN과 같은 압전 유전체 물질(2)이 증착된다. 이후 그 상부에 상부 전극(3)을 형성하고 벌크 오코스틱 파형(Bulk Acoustic Wave)을 유발시켜 공진을 발생시킨다.

도 2는 상기 FBAR 소자를 적용하여 필터를 구성한 후 이를 이동통신 단말기에 적용한 예를 보인것으로, 도시한 바와 같이 송수신 대역 통과 필터들(TxBPF, RxBPF)을 구성하기위해 상기 FBAR 소자들을 직렬 및 병렬로 연결하여 사용하고 있음을 알 수 있다.

이러한 FBAR은 유전체 필터 및 집중정수(LC) 필터의 수백분의 1이하 크기로 초소형화가 가능하고, 탄성파(Surface Acoustic Wave)소자보다 삽입 손실이 대단히 작으며 사용가능 전력또한 크다. 또한, MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)에 내장될 수 있으므로 원칩 RF 필터 구현이 가능하고 고주파 특성이 좋기 때문에 차세대 정보통신 단말기에 적용되고 있다.

FBAR의 특징 중 하나로, 하나의 반도체 기판 상에 수백개의 필터를 동시에 제조할 수 있으므로 가격 역시 저렴하다.

상기 FBAR 소자의 제조에서 가장 난이도 높은 공정 중 하나는 상기 압전 유전체(예를 들어, AlN) 박막을 식각하는 기술이다.

일반적인 압전 유전체 식각 방법으로는 포토레지스트 마스크를 상기 압전 유전체 상에 적용한 후 건식 또는 습식 식각하게 된다.

도 3은 종래의 압전 유전체 식각 방법 중 습식 식각 방법을 도시한 것으로, 포토레지스트 패턴을 적용한 후 인산과 같은 식각물질을 통해 식각한다.

도 3a는 반도체 기판(10) 상에 차례로 하부 전극(11), 압전 유전체(12)를 형성한 후 포토레지트 패턴(PR)을 적용한 것이다. 상기 하부 전극(11)과 반도체 기판(10)과의 절연을 위해 그 사이에 절연층이 형성될 수도 있다.

그 다음, 도 3b와 같이 상기 포토 레지스트 패턴(PR)을 이용하여 습식 식각으로 상기 압전 유전체(12)를 패터닝한다. 상기 압전 유전체(12)는 AlN과 같은 물질로 되어 있으며, 이를 인신과 같은 식각물질로 습식각하는 경우 수직방향보다 수평방향으로의 식각 속도가 10배에서 15배 정도 빠르기 때문에 도시된 바와 같이 과다 식각된다.

이는 도 3c와 같이 상부 전극을 형성하는 경우 하부전극과의 단락을 유발하기 때문에 이러한 종래의 방법은 수율이 좋지 않다.

또한, 포토레지스트 패턴과 상기 압전 유전체의 접합이 좋지 않아 그 접합부가 식각되는 경우 역시 발생한다.

전술한 방법 외에 건식식각의 경우 가스를 이용하는데, 수직 방향의 식각율이 좋기 때문에(수평 방향과 1:1) 포토레지스트 패턴에 따른 식각이 수직으로 이루어지게된다. 하지만, 식각 가스가 하부 패턴까지 식각하기 때문에 선택적인 식각이 쉽지 않은 문제가 있다.

따라서, FBAR 소자를 제조하는데 있어 AlN 박막 식각 공정은 FBAR 필터의 제조 수율을 낮추는 가장 큰 요소 중 하나가 된다.

상기한 바와 같이 종래에는 FBAR 소자 제조시 AlN 박막을 습식 또는 건식 식각으로 식각하기 때문에 습식 식각을 이용하는 경우 AlN 박막이 과다 식각되어 하부 전극이 노출되기 쉬우며, 건식 식각을 이용하는 경우에는 하부 전극까지 식각되기 때문에 공정이 난해하고 수율이 낮은 문제가 있었다.

이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 AlN 박막 상부에 박막 금속층을 형성하여 적용되는 포토레지스트 패턴과 AlN 박막의 접착성을 개선하고 건식 식각과 습식 식각을 교차적용하여 AlN 박막의 과다 식각 및 하부 전극 식각을 방지하도록 한 박막 필름 벌크 오코스틱 공진기 및 필터 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 FBAR 소자의 단면도이다.

도 2는 FBAR을 적용한 필터들을 이동 통신 단말기에 적용한 것이다.

도 3은 종래의 FBAR 소자 제조 공정의 수순도이다

도 4는 본 발명 FBAR 소자 제조 공정의 수순도이다.

도 5는 본 발명 FBAR 소자 제조 공정을 적용한 FBAR 필터 제조 공정 실시예의 수순도이다.

도 6은 본 발명 FBAR 소자 제조 공정을 적용한 FBAR 필터 제조 실시예들이다.

도 7은 본 발명 FBAR 소자 제조 공정을 적용한 FBAR 필터 제조 공정의 다른 실시예의 수순도이다.

도 8은 본 발명 FBAR 소자 제조 공정을 적용한 FBAR 필터 제조 실시예들이다.

도 9는 본 발명 FBAR 소자 제조 공정을 적용한 FBAR 필터의 주파수 조정예들이다.

도 10은 본 발명 FBAR 소자 제조 공정을 적용한 FBAR 필터의 후처리 실시예들이다.

*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***

20: 기판21: 하부 전극

22: 압전 유전체23: 박막 금속층

PR: 포토레지스트

상기와 같은 목적을 달성하기위한 본 발명은 기판 상에 차례로 하부 전극, 압전 유전체, 박막 금속층을 형성한 후 포토레지스트 패턴을 적용하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴에 따라 노출된 상기 박막 금속층을 제거한 후 상기 포토레지스트 및 박막 금속층으로 이루어진 패턴에 따라 노출된 상기 압전 유전체의 일부를 건식 식각 방법으로 식각하는 단계와; 상기 노출된 압전 유전체의 나머지 부분을 습식 식각 방법으로 식각하는 단계와; 상기 잔류하는 포토레지스트 및 박막 금속층을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기 박막 금속층은 Cr또는 Ti와 같이 접착성이 좋은 금속을 이용하여 형성되며, 상기 건식 식각을 통해 식각하는 압전 유전체의 깊이는 하부층이 노출되지 않으며 80% 이상인 것이 바람직하다.

상기와 같이 구성되는 본 발명 박막 FBAR 및 필터 제조 방법의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명 박막 FBAR 및 필터 제조 공정의 수순단면도로서, 이에 도시한 바와 같이 기판(20), 하부 전극(21), AlN 압전 유전체(22)를 형성한 구성물의 상부에 박막 금속층(23)을 증착하고 그 상부에 FBAR 소자들을 분리하기위한 포토레지스트 패턴(PR)을 형성하는 단계(도 4a)와; 상기 포토레지스트 패턴(PR)을 이용하여 노출된 상기 박막 금속층(23)을 식각하여 이후 식각될 상기 AlN 압전 유전체(22)의 일부를 노출시키는 단계(도 4b)와; 상기 포토레지스트(PR) 및 박막 금속층(23)으로 이루어진 패턴에 따라 노출된 상기 AlN압전 유전체(22)의 80% 이상을 건식 식각 방법으로 식각하는 단계(도 4c)와; 상기 노출된 AlN 압전 유전체(22)의 나머지 부분을 습식 식각 방법으로 식각하는 단계(도 4d)와; 상기 포토레지스트(PR) 및 박막 금속층(23)을 제거하는 단계(도 4e)로 이루어진다.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명 박막 FBAR 및 필터 제조 방법을 보다 상세히 설명한다.

먼저, 상기 도 4a에 도시한 바와 같이, 기판(20) 상부에 하부 전극(21), AlN 압전 유전체(22)를 형성한 다음 이후 형성될 포토레지시트 패턴과 상기 AlN 압전 유전체(22)의 접착을 개선하기위해 Cr이나 Ti와 같이 접착력이 좋은 박막 금속층(23)을 형성한 후 그 상부에 포토레지스트 패턴(PR)을 형성한다. 이를 통해이후 사용될 식각공정 중에 상기 포토레지스트 패턴(PR)과 상기 AlN 압전 유전체(22) 사이의 계면으로 식각 가스나 식각액이 흘러들어갈 위험성을 극단적으로 낮출 수 있다.

상기 기판(20)은 일반적인 실리콘(Si) 혹은 갈륨비소(GaAs) 기판일 수 있지만, 유리나 세라믹 같은 저손실 기판을 사용할 수도 있다.

또한, 이후 설명하겠지만, 상기 기판(20)과 하부 전극(21) 사이에는 절연층이 삽입될 수 있으며, 제조하고자 하는 FBAR 필터에 따라 에어갭(Air Gap)이나 맴브레인층이 부가적으로 구성될 수 있다. 이러한 구체적인 실시예들은 이후 본 발명의 실시예들을 설명하면서 언급하도록 한다.

그 다음, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 박막 금속층(23)을 형성된 포토레지스트 패턴(PR)에 따라 식각하여 제거하는 것으로 상기 AlN 압전 유전체(22)의 상부 일부를 노출시킨다.

그 다음, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트(PR) 및 박막 금속층(23)으로 이루어진 패턴에 따라 노출된 상기 AlN 압전 유전체(22)의 80% 이상을 고밀도 플라즈마 건식 식각방법으로 식각한다. 건식 식각 방법은 수직방향 식각율이 좋기 때문에 거의 수직으로 식각되므로 AlN 압전 유전체(22)가 과다 식각되지 않는다. 이때, 상기 하부 전극(22)이 노출되지 않도록 한다.

그 다음, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 건식 식각을 통해 식각된 AlN 압전 유전체(22)의 나머지 부분을 습식 식각 방법으로 식각하여 하부 전극(22)을 식각하지 않으면서 상기 AlN 압전 유전체(22)을 완전하게 식각할 수 있다.

마지막으로, 잔류하는 상기 포토레지스트(PR) 및 박막 금속층(23)을 제거하는 것으로 FBAR 소자들을 개별적으로 구성할 수 있다.

전술한 바와 같이, 본 발명은 수직방향 식각율이 좋은 건식 식각으로 AlN 압전 유전체(22)를 대부분 식각한 후 하부 전극(22)을 드러내며 나머지 AlN 압전 유전체(22)를 제거하기위해 습식 식각을 실행하기 때문에 공정의 난이도가 대단히 쉬워지면서도 결과물의 상태는 기존의 건식 식각 또는 습식 식각만을 이용한 방법에 비해 월등히 우수하게 된다.

이제, 본 발명을 적용하여 다양한 FBAR 필터들을 제조하는 방법들의 실시예들을 도면들과 함께 알아보도록 한다.

도 5a 내지 도 5e는 본 발명 박막 FBAR 및 필터 제조 공정을 이용하여 AlN 박막을 식각하여 구성한 FBAR 필터 제조 공정의 수순 단면도로서 절연층과 에어갭을 적용한 것이다.

도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(30) 상부에 하부 전극과의 절연을 위한 절연층(SiNx, SiO2)(31)을 형성한 후 그 상부에 희생층(32)을 증착한다. 상기 희생층(32)은 실리콘, 폴리 실리콘, PSG, BPSG등을 이용하며 이후 에어갭을 남기며 제거될 것이다.

그 다음, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 희생층(32)을 패터닝한 후 그 상부에 하부 전극(33)을 형성한다.

그 다음, 도 5c에 도시된 바와 같이 상기 하부 전극(33) 상부에 AlN 압전 유전체(34)를 형성한 후 본 발명을 이용하여 상기 AlN 압전 유전체(34)를 패터닝한다. 즉, 도 4에 설명한 공정 수순을 이용하여 상기 AlN 압전 유전체(34)를 깨끗하게 패터닝하면서도 하부 전극(33)의 노출 부분을 손상시키지 않는다.

그 다음, 도 5d에 도시된 바와 같이 상기 형성된 AlN 압전 유전체(34) 패턴 및 하부 구조물의 상부에 상부 전극(35)을 형성한 후 다른 FBAR 소자의 하부 전극(33)과의 연결을 고려하여 패터닝한다.

그 다음, 도 5e에 도시된 바와 같이 상기 FBAR 소자들로 이루어진 필터를 구현하기 위해서 직렬 공진기나 병령 공진기 중 하나를 선택하여 공진기 주파수 차이를 주기 위해 선택된 FBAR 소자의 상부 전극(35) 상에 부가 금속(add metal)(36)을 증착한다. 그 후, 마지막으로 상기 희생층(32)을 습식각으로 제거하여 에어갭(32')을 형성한다.

전술한 방법을 통해 에어갭(32')을 가지며 맴브레인이 없는 공진기와 이를 이용한 필터를 생산할 수 있으며, 이러한 과정에서 AlN 압전 유전체(34)를 본 발명을 통해 패터닝하는 것으로 공정의 용이성과 생산 수율이 향상된다.

상기 도 5b를 다시한번 보도록 한다. 여기서 상기 희생층(32)을 패터닝한 후 그 상부에 하부 전극(33)을 형성하기 전에 실리콘 니트라이드 혹은 ONO(옥사이드/니트라이드/옥사이드)와 같은 맴브레인층을 더 형성할 수 있다. 이후 공정은 도 5c 내지 도 5e와 유사하다.

따라서, 본 발명은 절연층, 에어갭, 맵브레인을 적절히 사용한 필터 제조에 공통적으로 적용될 수 있다.

도 6a와 도 6b는 상기 언급한 필터와 약간 상이하게 구성된 것으로, 도 6a는도 5를 통해 구성한 필터와 거의 유사하지만 기판(40)으로 유리나 세라믹과 같은 저손실 기판을 사용한 것이다.

도 6b는 도 5의 구성에 맴브레인층을 더 적용한 경우이며, 이 경우 역시 기판(50)으로 유리나 세라믹과 같은 저손실 기판을 사용한 것이다. 도시된 AlN 압전 유전체(54) 패턴이 더 넓은 폭을 가지도록 하여 기계적 안정성을 도모할 수도 있다.

상기와 같이 유리 또는 세라믹 기판을 이용하는 경우 절연층 없이 희생층을 직접 형성할 수 있기 때문에 기판의 손실이 거의 없어 필터의 특성을 개선할 수 있다.

도 7a 내지 7e는 전술된 방법들과는 상이하게, 실리콘 기판을 부분적으로 식각한 후 그 식각된 부분에 에어갭이 위치되도록 한 필터 제조 방법을 나타낸 공정 수순도이다.

도 7a에 도시한 바와 같이 기판(60)을 부분적으로 식각한 후 절연층(61)을 증착한다. 상기 식각된 부분은 이후 에어갭이 될 부분으로, 전술한 구성과는 상이하게 기판 내부에 위치하도록 하는 구성을 이루게 된다.

그 다음, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 구조물 상부에 희생층(62)을 형성한 후 이를 화학적 연마하여 기판이 평탄하도록 한다.

이후, 상기 구조물 상부에 하부 전극(63)을 형성한다.

그 다음, 도 7c에 도시한 바와 같이 상기 구조물 상부에 AlN 압전 유전체(64)를 형성한 후 본 발명을 이용하여 상기 AlN 압전 유전체(64)를 패터닝한다. 즉, 여기서도 도 4에 설명한 공정 수순을 이용하여 상기 AlN 압전 유전체(64)를 깨끗하게 패터닝하면서도 하부 전극(63)의 노출 부분을 손상시키지 않는다.

그 다음, 도 7d에 도시된 바와 같이 상기 형성된 AlN 압전 유전체(64) 패턴 및 하부 구조물의 상부에 상부 전극(65)을 형성한 후 다른 FBAR 소자의 하부 전극(63)과의 연결을 고려하여 패터닝한다.

이후, 구성될 필터에 따라 상기 상부 전극(63)의 일부에 부가 금속(66)을 증착하는 것으로 공진기의 주파수를 바꾼다.

마지막으로, 도 7e에 도시된 바와 같이, 상기 희생층(62)을 습식각으로 제거하여 에어갭(62')을 형성한다.

상기 도 7을 통한 구성 역시 하부 전극(63)을 형성 하기 전에 연마된 희생층(62) 및 기판(60) 상부에 맴브레인층을 더 추가할 수 있다.

도 8a는 전술한 바와 같이 기판(70)을 유리나 세라믹으로 사용한 경우이며, 도 8b는 상기 도 7의 구조물을 형성한 후에 FBAR들 간의 상호연결부 취약성을 보완하고자 상기 상부 전극(85)과 하부 전극(81)이 연결되는 부분에 전도성이 좋은 금속물질(87)을 증착하는 실시예이다. 이러한 경우 외에 상호연결부를 필터 외부로 구성할 수도 있다.

도 9는 형성된 공진기의 주파수를 변경하는 방법으로, 부가 금속을 적용하거나 식각하는 것으로 상부 전극의 두께를 조절하는 실시예들을 보인 것이다.

도시된 도 9a의 기본적인 공진기 소자들 중 좌측의 것이 병렬 공진기에 사용되고 우측의 것이 직렬 공진기에 사용되는 것으로 가정한다.

도 9b에 도시된 바와 같이, 상기 좌측의 상부 전극(93)에 부가 금속(AM)을 증착하여 형성하는 방법이 있으며, 이는 전술한 방법들에 기본적으로 적용되는 방법이다.

그 외에 도 9c에 적용된 바와 같이, 상부 전극(93)을 형성하기 전에 부가 금속(AM)을 먼저 형성하는 방법이 있다.

또한, 도 9d에 적용된 바와 같이, 상부 전극(93)을 형성한 후 직렬 공진기를 형성할 우측 소자의 상부 전극(93) 만을 건식 식각으로 식각하여 두께를 조절하는 방법이 있다.

상기와 같은 방법을 통해 공진기의 중심 주파수 간의 주파수 차이가 수MHz에서 수십 MHz가 되도록 한다.

전술한 방법들을 통해 구성한 FBAR 및 필터들은 본 발명의 압전 유전체 식각 방법을 사용하고 있으며, 이미 언급한 방법 외에도 다수의 다른 방법들에도 본 발명이 적용될 수 있다는데 주목할 필요가 있다.

도 10a 내지 10c는 본 발명을 이용하여 형성한 FBAR 소자 및 필터의 공진 주파수가 설계와 상이한 경우 후속 조정(post-tunning)하는 방법을 나타낸 것으로, 도 10a와 같이 미세 쉐도우 마스크(MK)를 이용하여 구성된 FBAR 필터의 상부에 플라즈마 식각 또는 증착을 실시하는 방법과, 도 10b와 같이 구성된 FBAR 필터의 뒷부분을 미세 쉐도우 마스크(MK)를 이용하여 플라즈마 식각 또는 증착을 실시하는 방법과, 도 10c와 같이 구성된 FBAR 필터의 부가 금속부에 플라즈마 식각 또는 증착을 실시하는 방법 등이 있다. 이를 통해 형성된 공진기의 질량(mass)을 변화시켜공진기의 기계적 움직임을 변하게 하여 공진 주파수를 변경된다.

상기한 바와 같이 본 발명은 AlN 박막 상부에 박막 금속층을 형성하여 적용되는 포토레지스트 패턴과 AlN 박막의 접착성을 개선하고 건식 식각과 습식 식각을 교차적용하여 AlN 박막의 과다 식각 및 하부 전극 식각을 방지하도록 하는 AlN 박막의 새로운 식각 방법을 제공함으로써 FBAR 및 FBAR을 이용한 필터의 공정을 용이하게 하며, 수율을 높이는 효과가 있다.

Claims (8)

1. 기판 상에 차례로 하부 전극, 압전 유전체, 박막 금속층을 형성한 후 포토레지스트 패턴을 적용하는 단계와;

   상기 포토레지스트 패턴에 따라 노출된 상기 박막 금속층을 제거한 후 상기 포토레지스트 및 박막 금속층으로 이루어진 패턴에 따라 노출된 상기 압전 유전체의 일부를 건식 식각 방법으로 식각하는 단계와;

   상기 노출된 압전 유전체의 나머지 부분을 습식 식각 방법으로 식각하는 단계와;

   상기 잔류하는 포토레지스트 및 박막 금속층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 필름 벌크 오코스틱 공진기 및 필터 제조 방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 박막 금속층은 Cr또는 Ti를 포함하는 높은 접착성의 금속을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 필름 벌크 오코스틱 공진기 및 필터 제조 방법.
3. 제 1항에 있어서, 상기 건식 식각을 통해 식각하는 압전 유전체의 깊이는 80% 이상이며 하부층이 노출되지 않도록하는 것을 특징으로 하는 박막 필름 벌크 오코스틱 공진기 및 필터 제조 방법.
4. 제 1항에 있어서, 상기 압전 유전체는 AlN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 필름 벌크 오코스틱 공진기 및 필터 제조 방법.
5. 제 1항에 있어서, 상기 하부 전극을 형성하기 전에 상기 기판과 하부 전극 사이에 절연을 위한 절연층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 필름 벌크 오코스틱 공진기 및 필터 제조 방법.
6. 제 1항에 있어서, 상기 하부 전극을 형성하기 전에 희생층을 형성하고 이후 식각하는 것으로 하부 전극 하단에 에어갭을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 필름 벌크 오코스틱 공진기 및 필터 제조 방법.
7. 제 1항에 있어서, 상기 하부 전극을 형성하기 전에 상기 하부 전극과 하단 구조물 사이에 맴브레인층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 필름 벌크 오코스틱 공진기 및 필터 제조 방법.
8. 제 1항에 있어서, 상기 하부 전극을 형성하기 전에 기판의 일부를 식각한 후 식각 부분에 희생층을 형성하고 이후 제거하는 것으로 상기 하부 전극 하단부 기판 상에 에어갭을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 필름 벌크 오코스틱 공진기 및 필터 제조 방법.