KR20040024414A - Ｗｏｒｍ형 다치기록 광기록매체, 다치기록방법 및광기록/재생장치 - Google Patents

Ｗｏｒｍ형 다치기록 광기록매체, 다치기록방법 및광기록/재생장치 Download PDF

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Abstract

특정 범위에서 기록층인 금속막의 유전체화가 기록파워의 세기에 비례하여 일어나는 것을 이용하여 다치 기록을 달성할 수 있는 WORM형 다치기록 광기록매체, 이를 이용한 다치기록방법 및 광기록/재생장치가 개시된다. 정보신호가 기록되는 기판; 상기 기판상에 놓여 상기 기판을 보호하는 보호층; 및 상기 기판과 상기 보호층의 사이에 놓여 있으며, 기록층으로 기능하는 적어도 하나 이상의 금속막과 이와 인접한 적어도 하나 이상의 유전체막을 갖는 다층막;을 포함하며, 상기 금속막은 기록파워에 의하여 상기 유전체막과 반응하여 상기 기록 파워의 세기에 비례하는 크기(extent)로 유전체로 변화됨으로써 결과적으로 상기 금속막 중의 기록 마크의 반사율이 기록전 상태의 반사율값을 포함하여 3개 이상의 값을 가질 수 있는 본 발명의 바람직한 일태양에 따른 WORM형 다치기록 광기록매체를 이용하면 간단한 방법으로 다치기록을 달성할 수 있다.

Description

ＷＯＲＭ형 다치기록 광기록매체, 다치기록방법 및 광기록/재생장치{WORM-type optical recording media capable of accomplishing multiple-level recording, multiple-level recording method, and optical recording/reproducing apparatus}
본 발명은 광기록매체, 다치기록방법 및 광기록/재생장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기록파워의 세기에 따라 반사율값이 달라지도록 하여 다치 기록이가능하도록 함으로써 기록밀도를 크게 할 수 있는 WORM형 다치기록 광기록매체, 이를 이용한 다치기록방법 및 광기록/재생장치에 관한 것이다.
일반적으로, 광디스크는 광을 조사함으로써 기록 또는 재생하는 기록매체로서, 그 기능상 기록되어진 정보를 재생만 가능한 ROM(Read Only Memory) 형태, 소비자가 1회에 한하여 직접 기록하여 여러번 재생가능한 WORM(Write Once Read Many) 형태, 기록/기록소거/재기록이 가능한 RW(Rewritable) 형태로 구분된다.
광기록매체의 기록밀도를 향상시킬 수 있는 방법으로서 다치 기록 방법이 검토되고 있다. RW 형태의 일반적인 상변화 디스크의 경우 2치 기록시 기록막이 비정질일 때와 결정질일 때의 반사율 차이를 이용하여 정보를 판독할 수 있다. 이러한 RW 형태의 상변화 디스크에서는 결정화되는 정도를 조절하거나, 기록마크의 길이를 조절하여 3치 이상의 반사율을 얻음으로써 다치 기록 방식을 구현한다.
그런데, RW 형태의 광기록매체와 달리 1회에 한하여 기록가능한 WORM 형태의 광기록매체의 경우에는 다치 기록에 대한 연구결과가 거의 없는 형편인데, 최근 일본 TDK사가 염료를 기록재료로 한 WORM 형태의 다치 기록용 디스크를 발표한 바 있다(International Symposium on Optical Memory 학회, 2001년). 그러나, 이러한 염료를 이용한 다치 기록용 광기록매체의 경우에는 스핀 코팅에 의해 유기염료를 형성하는 관계로 디프 그루브(deep groove) 기판을 사용해야 하기 때문에 그루브 깊이와 염료층 두께의 최적화가 어려운 문제점이 있다. 즉, 그루브의 깊이가 깊으면 그루브와 랜드의 단면 프로파일에 따라서 일정한 두께로 균일하게 염료층이 형성되기 어렵다는 문제점이 있다. 또한, 특히 고수차형(high numerical aperture type)의 디스크에서는 기판위에 스퍼터링으로 반사층을 형성하고, 스핀 코팅으로 염료층을 형성한 후, 다시 스퍼터링으로 보호층을 형성해야 하기 때문에 프로세스가 매우 복잡한 문제점이 있다. 또한, 염료 재료의 경우 흡수율의 파장 의존성이 매우 크기 때문에 필요한 파장대에 따라 새로운 염료 재료를 개발해야 하는 문제점도 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래의 다치기록을 할 수 있는 광기록매체의 문제점을 해결하기 위하여 기록 파워를 조절하는 간단한 방식으로 기록 마크의 반사율을 여러 수준으로 조절함으로써 다치기록이 가능하고 복잡하지 않은 방법으로 제조가능한 WORM형 다치기록 광기록매체를 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 목적은 상기 WORM형 광기록매체를 이용하여 간단한 방식으로 다치기록을 할 수 있는 다치기록방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 목적은 상기 WORM형 다치기록 광기록매체를 기록 및 재생할 수 있는 광기록매체의 광기록/재생장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 제1 태양에 따른 WORM형 다치기록 광기록매체의 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 WORM형 광기록매체가 다치 기록을 달성할 수 있는 메커니즘을 설명하기 위한 개념도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 제2 태양에 따른 WORM형 다치기록 광기록매체의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 다치기록 광기록 매체의 기록/재생장치의 바람직한 일 구성예이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
정보신호가 기록되는 기판;
상기 기판상에 놓여 상기 기판을 보호하는 보호층; 및
상기 기판과 상기 보호층의 사이에 놓여 있으며, 기록층으로 기능하는 적어도 하나 이상의 금속막과 이와 인접한 적어도 하나 이상의 유전체막을 갖는 다층막;을 포함하며,
상기 금속막은 기록파워에 의하여 상기 유전체막과 반응하여 상기 기록 파워의 세기에 비례하는 크기(extent)로 유전체로 변화됨으로써 결과적으로 상기 금속막 중의 기록 마크의 반사율이 기록전 상태의 반사율값을 포함하여 3개 이상의 값을 가질 수 있는 WORM형 다치기록 광기록매체를 제공한다.
상기 다층막은 하부 유전체막, 기록층으로 작용하는 금속막, 및 상부 유전체막을 포함할 수 있다.
상기 다층막은 복수개의 유전체막, 제1 기록층으로 작용하는 제1 금속막, 분리층 및 제2 기록층으로 작용하는 제2 금속막을 포함할 수 있다.
상기 다층막은 반사층을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 금속막의 금속은 기록파워의 도움으로 산소, 질소, 황, 불소 또는 이들의 혼합물과 반응하여 유전체로 변화될 수 있는 금속 또는 합금인 것이 바람직하다. 상기 금속 또는 합금은 희토류 전이금속 또는 희토류 전이금속의 합금일 수 있다. 상기 희토류 전이금속 또는 희토류 전이금속의 합금은 Tb-Fe-Co합금, Ge-Fe-Co합금, Nd-Fe-Co합금 또는 이들의 혼합물인 것이 바람직하다.
상기 유전체막의 유전체는 금속의 질화물, 산화물, 불화물, 황화물 또는 이들의 혼합물인 것이 바람직한데, 상기 유전체는 황화아연-이산화규소(ZnS-SiO2), 이산화규소(SiO2), 삼산화이알루미늄(Al2O3), 실리콘나이트라이드(Si3N4), 알루미늄나이트라이드(AlN), 황화아연(ZnS), LaSiON, SiAlON, NdSiON 또는 이들의 혼합물인 것이 더욱 바람직하다.
상기 반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu) 또는 이들을 적어도 하나 이상 포함하는 합금으로 이루어진 것이 바람직하다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
청구항 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 광기록매체의 제1 기록 마크상에, 제1 크기의 기록파워를 조사하여 상기 제1 기록 마크 영역의 금속막이 상기 제1 크기에 비례하는 정도로 상기 광기록매체중의 유전체막과 반응하여 유전체로 변화됨으로써 제1 크기의 반사율값을 갖도록 하는 단계; 및
상기 광기록매체의 제2 기록 마크상에 상기 제1 크기와 다른 제2 크기의 기록 파워를 조사하여 상기 제2 기록 마크 영역의 금속막이 상기 제2 크기에 비례하는 정도로 상기 광기록매체중의 유전체막과 반응하여 유전체로 변화됨으로써 제2 크기의 반사율값을 갖도록 하는 단계;를 포함하여,
기록파워가 조사되지 않은 기록마크의 반사율값을 포함하여 기록 마크의 반사율값이 3개의 값을 갖도록 하는 다치기록방법을 제공한다.
상기 기록 파워의 값을 3개 이상의 서로 다른 크기를 갖도록 조절하여 조사하면, 기록파워가 조사되지 않은 기록마크의 반사율값을 포함하여 기록 마크의 반사율값이 4개 이상의 값을 갖도록 할 수도 있다.
상기 또 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
상기 본 발명에 따른 WORM형 다치기록 광기록매체를 수납하기 위한 수납수단;
상기 광기록매체상에 레이저 빔을 조사하기 위한 기록/재생 수단;
상기 레이저 빔의 크기를 제어하기 위한 레이저 빔 제어수단;
상기 광기록매체를 회전시키기 위한 회전수단; 및
상기 광기록매체로부터의 반사광을 검출하여 정보를 재생하는 재생수단을 포함하는 광기록매체의 광기록/재생장치를 제공한다.
이하 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 WORM형 다치기록 광기록매체, 다치기록방법 및 광기록 재생장치에 관하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 제1 태양에 따른 WORM형 다치기록 광기록매체의 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 바람직한 제1 태양에 따른 WORM형 다치기록 광기록매체는 정보신호가 기록된 기판(1) 위에 다층막(10) 및 보호층(6)이 적층된 구조를 갖는다.
도 1에서 적어도 재생광은 기판(1)을 통과하여 조사되므로, 기판(1)은 사용되는 레이저 빔에 대하여 실질적으로 투명한 재질, 예를 들면 투명한 수지 또는 글래스로 이루어진 것이 바람직하다. 이중에서 취급이 용이하고 값이 싼 투명수지가 바람직하다. 예를 들면, 아크릴 수지, 폴리카보네이트, 에폭시수지, 폴리올레핀 등의 투명수지를 들 수 있다. 기판의 형상 및 치수는 특히 한정되지 않지만, 통상적으로 디스크상이며, 그 두께는 0.1 ~ 3mm 정도, 직경은 50 ~ 360mm 정도이다. 기판(1)의 표면에는 트래킹용이나 어드레스용 등을 위하여 그루브(8), 랜드(9) 등 소정의 패턴이 필요에 따라 형성되어 있을 수 있다.
보호층(6)은 내스크래치성이나 내부식성의 향상을 위하여 필요에 따라 형성될 수 있다. 보호층(6)은 여러 유기계의 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 특히, 방사선 경화형 화합물이나 그의 조성물을, 전자선, 자외선 등의 방사선에 의하여 경화시킨 물질로 이루어진 것이 바람직하다. 보호층(6)의 두께는 통상 0.1 ~ 500㎛ 정도인 것이 바람직하다. 보호층(6)은 스핀코팅, 스프레이 코팅, 디핑 등의 통상의 방법에 의하여 형성될 수 있다.
상기 기판(1)과 보호층(6)의 사이에는 다층막(10)이 형성되어 있다. 상기 다층막(10)은 반사층(2), 하부 유전체층(3), 기록층으로서 작용하는 금속막(4), 상부 유전체층(5)을 포함한다.
상기 반사층(2)은 필요에 따라 설치되는데, 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu) 또는 이들을 적어도 하나 이상 포함하는 합금으로 이루어진 것이 바람직하다. 반사층(2)이 형성된 경우에는 반사광량이 많아져서 재생신호가 커지는 이점이 있다.
상기 하부 유전체층(3)은 기판(1)의 열변형을 방지하고, 또한 레이저 빔에 의하여 가열되면, 그 상부에 위치하는 기록층인 금속막(4)과 반응할 수 있는 설퍼, 산소, 불소, 질소 등을 유리시키는 역할을 한다. 상기 하부 유전체막은 각종 유전재료로부터 선택될 수 있는데, 예를 들면 금속의 질화물, 산화물, 불화물, 황화물 또는 이들의 혼합물 등인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 유전체는 황화아연-이산화규소(ZnS-SiO2), 이산화규소(SiO2), 황화아연(ZnS), 삼산화이알루미늄(Al2O3), 실리콘나이트라이드(Si3N4), 알루미늄나이트라이드(AlN), 알루미늄나이트라이드-황화아연-이산화규소(AlN-ZnS-SiO2), LaSiON, SiAlON, NdSiON 또는 이들의 혼합물을 들수 있다.
하부 유전체층(3)의 두께는 특히 한정되지 않지만, 기판의 열변형을 억제할 수 있으며 레이저 빔에 의하여 가열되었을 때 적절한 양의 불소, 설퍼, 질소 등을 유리시킬 수 있도록 결정되면 되는데, 통상적으로 5 ~ 100nm 정도, 더욱 바람직하게는 10 ~ 50nm 정도이다.
이 하부 유전체층(3)은 스퍼터링법, 증착법 등의 기상성장법에 의하여 형성되는 것이 바람직하다.
기록층으로서 작용하는 금속막(4)은 레이저 빔(L)과 같은 기록파워에 의하여 상기 하부 유전체막(3) 및/또는 상부 유전체막(5)과 반응하여 상기 기록 파워의 세기에 비례하는 크기(extent)로 유전체로 변화된다. 따라서, 기록파워의 크기를 2개 이상의 값을 갖도록 조절하여 조사함으로써 상기 금속막(4) 중의 기록 마크의 반사율이 기록전 상태의 반사율값을 포함하여 3개 이상의 값을 가질 수 있다.
기록파워에 의하여 국부적으로 가열되면, 상기 금속막(4)은 산소, 질소, 황, 불소 또는 이들의 혼합물과 반응하여 유전체로 변화될 수 있는 금속 또는 합금으로 이루어진다. 상기 산소, 질소, 황, 불소 등은 역시 기록파워에 의하여 가열된 상기 하부 유전체막(3) 및/또는 상부 유전체막(5)으로부터 유리되어 금속막(4)으로 확산된 것이다. 상기 금속 또는 합금으로는 산소, 질소 등과 잘 반응하기 때문에 희토류 전이금속 또는 희토류 전이금속의 합금이 바람직하게 사용될 수 있으며, 구체적으로는 Tb-Fe-Co합금, Ge-Fe-Co합금, Nd-Fe-Co합금 또는 이들의 혼합물인 것이 바람직하다.
상기 금속막(4)의 두께는 바람직하게는 5 ~ 100nm, 더욱 바람직하게는 10 ~ 50nm이다. 금속막이 지나치게 얇으면 유전체화에 따른 반사율의 변화가 불충분하게 된다. 금속막이 지나치게 두꺼우면 기록 마크의 형성시 금속막의 두께방향으로 산소, 질소, 설퍼 등이 많이 확산되고, 금속막의 두께방향에 수직한 방향으로 확산되는 산소, 질소, 설퍼 등의 비율이 작아져서, 기록층의 신뢰성이 저하될 염려가 있다. 또한 금속막이 너무 두꺼우면 반사율이 너무 낮아질 염려가 있다.
금속막(4)은 스퍼터링법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 스퍼터링 조건은 특히 한정되지 않지만, 예를 들면 복수개의 금속원소로 이루어진 금속막을 형성하는 경우에는 합금 타겟을 이용할 수도 있고, 또는 타겟을 복수개 이용하여 스퍼터링할 수도 있다.
상부 유전체막(5)은 필요에 따라 설치된다. 상부 유전체막(5)은 기록층인 금속막(4)의 반사율을 제어하고, 또한 레이저 빔에 의하여 가열되면, 그 하부에 위치하는 기록층인 금속막(4)과 반응할 수 있는 설퍼, 산소, 불소, 질소 등을 유리시키는 역할을 한다. 상부 유전체막(5)의 구성재료는 특히 한정되지 않으며, 상기한 하부 유전체막(3)과 동일한 유전체 재료로부터 적절하게 선택할 수 있다. 이러한 재료로서는 황화아연-이산화규소(ZnS-SiO2), 이산화규소(SiO2), 황화아연(ZnS), 삼산화이알루미늄(Al2O3), 실리콘나이트라이드(Si3N4), 알루미늄나이트라이드(AlN), 알루미늄나이트라이드-황화아연-이산화규소(AlN-ZnS-SiO2), LaSiON, SiAlON, NdSiON 또는 이들의 혼합물 등을 들 수 있다.
상부 유전체막(5)의 두께는 특히 한정되지 않지만, 통상적으로 10 ~ 300nm 정도, 더욱 바람직하게는 50 ~ 200nm 정도이다.
특히, 본 발명의 바람직한 제1 태양에 따른 광기록매체로서는 금속막(4)으로서 TbFeCo 금속막이, 상하부 유전체막(3,5)으로서는 금속막(4)의 상하부에 각각 ZnS-SiO2막이 모두 형성되어 있는 샌드위치형이 바람직하다.
이어서, 상기한 본 발명에 따른 바람직한 제1 태양에 따른 광기록매체를 예로 들어 다치 기록을 달성하는 메커니즘을 설명한다.
낮은 온도에서는 TbFeCo과 같은 금속막과 ZnS-SiO2막과 같은 유전체막 사이에는 반응이 거의 일어나지 않으므로 투과율이 낮다(즉, 반사율이 높다). 그러나, 기록 파워를 광기록매체에 조사하면, 조사된 영역은 온도가 상승한다. 온도가 상승함에 따라 TbFeCo 금속막과 ZnS-SiO2유전체막 사이에 반응이 일어난다. 이에 의하여, TbFeCo 금속막은 금속의 성질이 거의 없어지면서 유전체로 변화되어 투과율이 최소값으로부터 점차로 증가하게 된다(반사율이 최대값으로부터 점차 낮아진다). 기록 파워의 세기를 증가시키면, 조사된 기록 마크의 온도를 증가시킬 수 있다. 온도가 높은 기록 마크에서는 금속막과 유전체막 사이의 반응이 많이 일어나, 결과적으로 금속막이 유전체로 변화된 정도가 증가된다. 실제 실험의 결과 기록 마크의 온도가 증가할 수록 이에 비례하여 투과율이 증가하는 것을 알 수 있다. 즉, 기록 마크의 온도가 증가할 수록 이에 비례하여 기록마크의 반사율이 저하된다. 이러한 비례관계는 무한정 지속되는 것은 아니고, 금속막 및 유전체막의 조합의 특성에 의존하는 포화온도에서 더 이상의 투과율 증가는 관찰되지 않는다. 즉, 포화온도 이상에서 상기 금속막과 유전체막 사이의 반응이 완결되어 금속막의 투과율이 최대값을 갖게 된다(반사율이 최소값을 갖게 된다). 따라서, 기록 파워를 적절히 조절하면, 금속막의 반사율의 크기를 상기 최소값과 최대값의 사이에서 여러 값으로 조절할 수 있으므로 다치 기록을 할 수 있게 된다.
도 2는 본 발명에 따른 광기록매체가 다치 기록을 달성할 수 있는 메커니즘을 더욱 상세하게 설명하기 위한 개념도이다. 도 2를 참조하면, 기록 파워의 세기(11), 이에 따른 금속막(4)에서의 온도분포(13), 금속막(4)에서 기록파워에 의하여 유전체화된 부분(14), 및 이에 따른 기록 마크에서의 반사율값 분포(15)가 도시되어 있다. 기록 파워(11)는 높게 도시되어 있을 수록 기록파워의 세기가 큰 것을 나타낸다. 기록 마크(15)는 아래 방향으로 깊이 도시된 것일 수록 반사율이 낮은 것을 나타낸다. 도 2를 다시 참조하면, 기록파워가 조사되지 않은 부분(11의 베이스 라인)에서는 금속막(4)의 상태가 그대로 유지되므로 반사율이 높은 것(15의 베이스 라인)을 알 수 있다. 또한, 기록파워(11)의 크기가 증가하면, 이에 비례하여 기록 마크(15)의 반사율이 작아짐을 알 수 있다. 이의 이유는 다음과 같다. 광기록매체의 금속막(4)에 조사되는 기록 파워(11)의 세기가 증가되면, 그 세기에 비례하여 기록층 역할을 하는 금속막의 온도분포(13)의 평균온도도 증가한다. 따라서 기록 파워의 세기가 작게 조사된 부분에서는 금속막(4)의 평균온도도 낮다. 따라서, 금속막(4)과 상하부 유전체막(3, 5) 사이의 반응의 정도도 작아서, 금속막(4)은 유전체(14)로 적게 변화된다. 한편, 기록 파워(11)의 세기가 크게 조사된 부분에서는 금속막(4)의 평균온도도 높아진다. 따라서, 금속막(4)과 상하부 유전체막(3, 5) 사이의 반응의 정도도 커서, 금속막(4)은 유전체(14)로 많이 변화된다. 기록파워의 세기가 중간 정도로 조사된 부분에서는 금속막(4)은 유전체(14)로 중간 정도로 변화된다. 결과적으로, 기록파워의 세기가 작게 조사된 경우, 금속막의 유전체화의 정도가 작으므로 금속막의 기록 마크의 반사율은 크다. 또한, 기록 파워의 세기가 크게 조사된 경우, 금속막의 유전체화의 정도가 크기 때문에 금속막의 기록 마크의 반사율이 작다. 당연히, 기록파워의 세기가 중간정도로 조사된 경우, 기록마크의 반사율이 그 중간값을 갖게 된다. 따라서, 본 발명의 광기록매체에서는, 기록파워의 세기를 특정 구간내에서 조절하면, 금속막과 유전체막의 반응의 정도(extent of reaction)를 여러 값으로 다양하게 조절할 수 있으며, 이에 의하여 금속막의 반사율값이 서로 다른 3개의 값 이상을 갖도록 기록할 수 있게 된다.
도 3은 본 발명의 바람직한 제2 태양에 따른 WORM형 다치기록 광기록매체의 단면도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 바람직한 제2 태양에 따른 WORM형 다치기록 광기록매체는 정보신호가 기록된 기판(10) 위에 복수개의 기록층을 구비한 다층막(50) 및 보호층(37)이 적층된 구조를 갖는다.
상기 다층막(50)은 반사층(21), 제1 유전체막(23), 제1 기록층으로 작용하는 제1 금속막(25), 제2 유전체막(27), 분리층(29), 제3 유전체막(31), 제2 기록층으로 작용하는 제2 금속막(33), 제4 유전체막(35)을 포함한다. 본 발명의 바람직한 제2 태양에 따른 WORM형 다치기록 광기록매체에서, 상기 각각의 금속막(25, 33),유전체막(23, 27, 31, 35)는 바람직한 제1 태양에 따른 WORM형 다치기록 광기록매체에서 설명한 바와 같은 재질 및 막두께가 적용될 수 있다. 상기 분리층(29)은 여러 유기물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 특히, 방사선 경화형 화합물이나 그의 조성물을, 전자선, 자외선 등의 방사선에 의하여 경화시킨 물질로 이루어진 것이 바람직하다. 상기 분리층(29)의 두께는 특히 한정되지 않지만, 통상적으로 5 ~ 100㎛ 정도, 더욱 바람직하게는 10 ~ 50㎛ 정도이다. 분리층(29)의 두께가 너무 얇으면 두개의 기록층의 신호가 서로 간섭을 일으킬 염려가 있으며, 너무 두꺼우면 수차증가에 의해 재생신호의 품질이 떨어질 염려가 있다.
상기 본 발명의 바람직한 제2 태양에 따른 광기록매체는 두개의 기록층을 갖는 것이지만, 3개 이상의 다층 기록층을 갖도록 제조될 수도 있다.
도 4는 본 발명에 따른 다치기록 광기록 매체의 기록/재생장치의 바람직한 일 구성예를 나타낸다. 광기록 매체는 픽업 메커니즘 유니트(65)에 수납되며, LD 콘트롤 박스(61)와 픽업 메커니즘 콘트롤러(63)에 의해 레이저 빔의 제어와 광기록 매체의 회전 등의 제어가 이루어진다. 또한, PC(60)로부터 인풋/아웃풋 신호를 받은 멀티시그널 발생기(67)에 의해 필요한 파형이 픽업 메커니즘 유니트(65)로 전달되며, 이 곳에서 검출된 반사광 신호는 시그널 디텍터(69)로 보내져 신호를 재생하게 된다.
위에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 이는 본 발명의 범위를 한정하기 위한 것이 아니고, 본 발명의 바람직한 실시예를 예시한 것으로 해석되어야 한다. 특히, 당업자라면 보호층에도 정보가 기록될 수 있고, 본 발명의 광기록매체를 접합하여 양면 광기록매체로 할 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 위에서 구체적으로 설명된 실시태양에 의하여 정하여 질 것이 아니라 아래의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 광기록매체는 간단한 방식으로 다치기록을 할 수 있으므로 기록밀도를 크게 증가시킬 수 있다. 또한, 종래의 다치 기록 가능한 광기록매체와 비교할 때 스퍼터링법으로 다층막을 연속적으로 성막할 수 있으므로 제조 프로세스가 간단하고, 기판의 그루브 깊이를 깊게 하지 않아도 되며, 파장의존성이 적은 재료를 용이하게 선택할 수 있는 장점이 있다.

Claims (13)

  1. 정보신호가 기록되는 기판;
    상기 기판상에 놓여 상기 기판을 보호하는 보호층; 및
    상기 기판과 상기 보호층의 사이에 놓여 있으며, 기록층으로 기능하는 적어도 하나 이상의 금속막과 이와 인접한 적어도 하나 이상의 유전체막을 갖는 다층막;을 포함하며,
    상기 금속막은 기록 파워에 의하여 상기 유전체막과 반응하여 상기 기록 파워의 세기에 비례하는 크기(extent)로 유전체로 변화됨으로써 결과적으로 상기 금속막 중의 기록 마크의 반사율이 기록전 상태의 반사율값을 포함하여 3개 이상의 값을 갖는 WORM형 다치기록 광기록매체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다층막은 하부 유전체막, 기록층으로 작용하는 금속막, 및 상부 유전체막을 포함하는 WORM형 다치기록 광기록매체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 다층막은 복수개의 유전체막, 제1 기록층으로 작용하는 제1 금속막, 분리층 및 제2 기록층으로 작용하는 제2 금속막을 포함하는 WORM형 다치기록 광기록매체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 다층막은 반사층을 더 포함하는 WORM형 다치기록 광기록매체.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속막의 금속은 기록파워의 도움으로 산소, 질소, 황, 불소 또는 이들의 혼합물과 반응하여 유전체로 변화될 수 있는 금속 또는 합금인 WORM형 다치기록 광기록매체.
  6. 제5항에 있어서, 상기 금속 또는 합금은 희토류 전이금속 또는 희토류 전이금속의 합금인 WORM형 다치기록 광기록매체.
  7. 제6항에 있어서, 상기 희토류 전이금속 또는 희토류 전이금속의 합금은 Tb-Fe-Co합금, Ge-Fe-Co합금, Nd-Fe-Co합금 또는 이들의 혼합물인 WORM형 다치기록 광기록매체.
  8. 제1항에 있어서, 상기 유전체막의 유전체는 금속의 질화물, 산화물, 불화물, 황화물 또는 이들의 혼합물인 WORM형 다치기록 광기록매체.
  9. 제8항에 있어서, 상기 유전체막의 유전체는 황화아연-이산화규소(ZnS-SiO2), 이산화규소(SiO2), 삼산화이알루미늄(Al2O3), 실리콘나이트라이드(Si3N4), 알루미늄나이트라이드(AlN), 황화아연(ZnS), LaSiON, SiAlON, NdSiON 또는 이들의 혼합물인 WORM형 다치기록 광기록매체.
  10. 제4항에 있어서, 상기 반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu) 또는 이들을 적어도 하나 이상 포함하는 합금으로 이루어진 WORM형 다치기록 광기록매체.
  11. 청구항 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 광기록매체의 제1 기록 마크상에, 제1 크기의 기록파워를 조사하여 상기 제1 기록 마크 영역의 금속막이 상기 제1 크기에 비례하는 정도로 상기 광기록매체중의 유전체막과 반응하여 유전체로 변화됨으로써 제1 크기의 반사율값을 갖도록 하는 단계; 및
    상기 광기록매체의 제2 기록 마크상에 상기 제1 크기와 다른 제2 크기의 기록파워를 조사하여 상기 제2 기록 마크 영역의 금속막이 상기 제2 크기에 비례하는 정도로 상기 광기록매체중의 유전체막과 반응하여 유전체로 변화됨으로써 제2 크기의 반사율값을 갖도록 하는 단계;를 포함하여,
    기록파워가 조사되지 않은 기록마크의 반사율값을 포함하여 기록 마크의 반사율값이 3개의 값을 갖도록 하는 다치기록방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 기록 파워의 값을 3개 이상의 서로 다른 크기를 갖도록 조절하여 조사함으로써 기록파워가 조사되지 않은 기록마크의 반사율값을 포함하여 기록 마크의 반사율값이 4개 이상의 값을 갖도록 하는 다치기록방법.
  13. 청구항 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 광기록매체를 수납하기 위한 수납수단;
    상기 광기록매체상에 레이저 빔을 조사하기 위한 기록/재생 수단;
    상기 레이저 빔의 크기를 제어하기 위한 레이저 빔 제어수단;
    상기 광기록매체를 회전시키기 위한 회전수단; 및
    상기 광기록매체로부터의 반사광을 검출하여 정보를 재생하는 재생수단을 포함하는 광기록매체의 광기록/재생장치.
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