KR20040018863A - 이온 주입 장치의 아크 챔버 - Google Patents

이온 주입 장치의 아크 챔버 Download PDF

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Abstract

이온 주입 장치의 아크 챔버가 개시되어 있다. 상기 아크 챔버는 상기 아크 챔버 측면 외부에 필라멘트 및 리플렉터를 아크 챔버와 절연되게 하는 제1, 제2절연 부재를 구비한다. 상기 제1, 제2절연부재는 상기 아크 챔버의 외부에 구비되어 있어, 이온화 과정에서 절연을 방해하는 입자들이 상기 제1, 제2절연부재에 쌓여 도전층을 형성하는 것을 지연할 수 있다. 또한, 상기 아크 챔버의 외부에 구비된 상기 제1, 제2절연부재에 의해 필라멘트 및 리플렉터의 위치가 각각 고정되므로, 상기 아크 챔버의 조립 및 사용 중 충격 등에 의해 상기 필라멘트 및 리플렉터의 위치가 틀어져서 발생하는 아크 챔버와의 단락을 방지할 수 있다.

Description

이온 주입 장치의 아크 챔버{Arc chamber for ion generation device}
본 발명은 이온 주입 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 이온 주입 장치의 아크 챔버에서 발생하는 필라멘트 및 리플렉터와 상기 아크 챔버와의 단락을 방지할 수 있는 아크 챔버에 관한 것이다.
근래에 컴퓨터 등과 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 메모리 반도체 등과 같은 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 메모리인 경우 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 반도체 소자는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 지속적으로 발전되고 있다. 특히 하이 퍼포먼스 디바이스가 요구됨에 따라 그러한 반도체 소자를 제조하는 제조 공정의 중요성은 날로 커지는 실정이다.
반도체 제조 공정 중의 하나인 불순물 주입 공정(doping)은 반도체 결정에 불순물(dopant)을 넣는 공정이다. 주입된 불순물은 웨이퍼 표면의 전도 형태와 저항성을 바꾸어 트랜지스터, 다이오드, 저항 등의 동작부를 구성하게 된다. 불순물 주입 방법에는 열적 확산 방법과 이온 주입 방법 두 가지가 있는데, 열적 확산 방법은 정밀한 형상의 제어가 곤란하다는 단점이 있어 근래의 반도체 장비에는 상기 이온 주입 방법을 이용하는 이온 주입 장치를 주로 채용하고 있다.
상기 이온 주입 장치는 이온화된 불순물을 가속시켜서 마스킹된 웨이퍼의 표면에 불순물을 주입하는 설비이다. 상기 이온 주입 장치는 빔 전류량에 따라 크게 두 종류로 나눌 수 있는데 그 중 하나는 빔 전류량이 0.5mA ~ 2mA 범위에 속하는 중전류 이온 주입 장치이고 나머지 하나는 빔 전류량이 2mA ~ 30mA 범위에 속하는 대전류 이온 주입 장치이다.
상술한 이온 주입 장치는 이온빔을 생성하는 이온 소스부(ion sourcesection)와, 생성된 이온에 필요한 에너지를 부여하는 빔 라인부(beam line section)와, 웨이퍼 가공실의 진공 및 대기 상태를 조절하여 웨이퍼의 로딩 및 언로딩을 제어하는 로드록부(load-lock portion)를 포함하는 엔드 스테이션부(end station section)와, 이온 주입 공정이 완료된 후 이온 주입기 내부에 남아 있는 배기가스를 배출하는 배기 시스템(exhaust system)으로 구성된다.
특히, 이온 소스부 즉, 이온 발생장치는 주입하고자 하는 물질을 이온화시키는 곳이다. 이온 소스부의 종류로서 알져진 것은 아아크방전형, 고주파형, 이중프라즈마트론형, 냉음극형, 스퍼터형 및 페닝형 등이 있으며, 일반적으로 아아크방전형과 냉음극형이 많이 사용된다. 또한, 이온 소스부는 사용되는 물질의 형태에 따라 가스형과 고체형으로 분류되며 가스형이 주로 이용된다.
도 1은 가스를 주입물질로 이용하는 아크방전형 이온 소스부의 아크 챔버(10)의 단면도이다. 아크 챔버(10)는 전자를 방출하는 필라멘트(20), 필라멘트(20)로부터 방출된 열전자의 운동 방향을 역전시키는 리플렉터(reflector,40), 필라멘트(20)와 리플렉터(40)를 아크 전원으로부터 절연하는 절연부재(30), 및 필라멘트(20)와 리플렉터(40)를 각각 고정하는 필라멘트 고정블록(22)와 리플렉터 고정블록(42)로 구성된다.
종래의 아크 챔버(10)는 필라멘트(20) 및 아크 챔버(10)가 절연부재(30)와 전기적으로 절연되어 있다. 절연부재(30)는 질화 붕소(boron nitride), 알루미나(alumina) 같은 고온과 부식성 기체(BF3, SiF4등)에 내성을 갖는 특성을가지는 세라믹 재질로 만들어진다. 그러나 이온화 과정에서 아크 챔버(10)의 내부에는 유입된 가스, 이온화된 가스, 및 열전자들이 혼재되어 있고, 그 일부는 절연 부재(30)의 표면에 쌓이게 된다. 상기와 같은 절연을 방해하는 입자들이 상기 절연부재(30)의 표면에 쌓여 도전층을 형성한다. 절연부재(30)에 형성된 상기 도전층은 그 두께가 얇아도 아크 전원을 단락시키고, 이온빔의 안정도를 저하시켜 상기 이온 주입 장치를 더 이상 사용할 수 없게 만든다. 이런 사용 불능 상태에 도달되면 아크 챔버(10)를 청소하고 필라멘트(20), 절연부재(30), 리플렉터(40)를 교체하거나 수리하여야 한다.
상기와 같이 절연부재(30)에 도전층이 생성되는 문제를 해결하기 위해 도 2와 같이 아크 챔버(10)에 절연 부재(30)를 사용하지 않는 종래의 다른 기술에 따른 이온 주입 장치의 아크 챔버(10)를 생각할 수 있다. 아크 챔버(10)에 절연부재(30)를 사용하지 않는 방법은 절연부재(30)가 존재하지 않으므로 도전층 형성으로 인한 절연 파괴는 발생하지 않는다.
일본공개특허 평12-208091에는 아크 챔버의 일단부에 개구부가 설치되고, 필라멘트가 상기 개구부에 비접촉상태로 유지되고, 필라멘트의 단부는 절연체들을 개재하여 각 전극 서포트들에 접촉함으로써, 아크 챔버내에 발생되는 침전물로 인한 문제를 방지할 수 있는 이온주입장치가 개시되어 있다.
상기와 같은 경우도 필라멘트 고정블록(22)과 리플렉터 고정블록(42)에 의해 필라멘트(20) 및 리플렉터(40)의 위치가 각각 고정된다. 하지만 필라멘트(20) 및 리플렉터(40)의 위치를 보다 견고하게 고정 지지하는 절연부재(30)가 없어서 아크챔버(10)를 사용시 충격 등에 의해 필라멘트(20) 및 리플렉터(40)의 위치가 틀어져 아크 챔버와 단락이 발생하는 문제점이 있다. 또한 필라멘트(20) 및 리플렉터(40)와 아크 챔버(10)의 간극을 통해 아크 챔버(20) 내의 가스 및 이온 빔이 누출되어 이온주입기에 악영향을 미친다.
본 발명은 이와 같은 종래의 절연부재 표면에 발생하는 도전층 생성 현상을 해결하기 위한 것으로, 아크 챔버 내에 배치된 종래의 절연부재의 구조를 변경하여이온화 과정에서 절연부재에 도전층이 형성되는 것을 지연한다. 또한, 상기 아크 챔버의 조립 및 사용 중의 충격 등으로 인하여 필라멘트 및 리플렉터의 위치가 틀어져서 발생하는 상기 아크 챔버와의 단락을 방지할 수 있게 함으로써 필라멘트의 수명을 연장하고, 아크 챔버의 정비 주기를 길게 하여 생산성의 향상을 도모함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 이온 주입 장치의 아크 챔버 단면도이다.
도 2는 종래의 다른 기술에 따른 이온 주입 장치의 아크 챔버 단면도이다.
도 3는 본 발명에 의한 이온 주입 장치의 아크 챔버 단면도이다.
도 4a 및 4b는 본 발명에 따른 제1절연부재의 평면도와 측면도이다.
도 5a 및 5b는 본 발명에 따른 제2절연부재의 평면도와 측면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110: 아크 챔버(arc chamber)112: 제1측벽
114: 제2측벽120: 필라멘트(filament)
122: 필라멘트 고정블록130a: 제1절연부재
130b: 제2절연부재132: 핀
140: 리플렉터(reflector)142: 리플렉터 고정블록
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 이온을 발생시키기 위한 공간을 제공하는 아크 챔버와, 상기 아크 챔버의 제1측벽에 구비되고, 상기 아크 챔버의 내부로 열전자를 방출하기 위한 필라멘트, 및 상기 아크 챔버의 제1측벽의 외부에 구비되고, 상기 아크 챔버와 상기 필라멘트 사이의 절연을 유지하며 상기 필라멘트의 위치를 고정 지지하는 제1절연부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치의 아크 챔버를 제공한다.
절연부재가 상기 아크 챔버의 내부에 구비되어 있는 경우보다 상기 제1절연부재와 같이 아크 챔버의 외부에 구비되어 있는 경우에 상기 제1절연부재의 표면에 절연을 방해하는 입자들이 쌓여 도전층을 형성하는데 소요되는 시간이 연장된다. 한편, 상기 제1절연부재는 상기 필라멘트를 고정 지지하므로 상기 필라멘트의 위치가 틀어져서 생기는 상기 아크 챔버와의 단락을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예를 통해 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명의 이온 주입 장치의 아크 챔버(110)를 나타낸 단면도이다.
도 4a 및 4b는 본 발명에 따른 제1절연부재(130a)의 평면도와 측면도이다.
도 5a 및 5b는 본 발명에 따른 제2절연부재(130b)의 평면도와 측면도이다.
상기 아크 챔버(110)는 하부면에 가스 주입구(미도시)와 상부면에 이온빔 출구(미도시)가 있는 상자 형태이다. BF3, SiF4등의 가스들이 가스 주입구를 통해 상기 아크 챔버(110)로 공급된다. 기화 가능한 금속(안티몬, 비소, 인 등)들은 고온의 가마에서 기화되어 공급되기도 한다.
예를 들어 BF3분자 가스가 상기 아크 챔버(110)의 내부로 공급되면, 상기 아크 챔버(110)에 설치되는 필라멘트(120)에서 방출된 열전자와 상기 BF3분자가 충돌하여10B+,10BF+,10BF3 +,11B+,11BF2 +등과 같은 이온들이 발생한다. 상기 이온들은 이온 빔의 형태로 상기 아크 챔버(110)에 구비되는 이온빔 출구를 통해 질량분석기로 유도되고, 상기 질량분석기에서 상기 이온들 중에서 원하는 이온만을 통과시키게 된다. 상기 질량분석기를 통과한 이온 빔의 가장자리는 엉성한 이온 분포를 가진다. 따라서 상기 이온 빔의 이온 밀도를 높이기 위해 빔의 직경을 정전기 또는 자기장에 의해 작게 만드는 빔 포커스부를 거치게 되고, 상기 이온 빔은 가속관을 지나면서 상기 가속관의 고전압에 의해 가속되어 높은 에너지를 가지게 된다. 상기와 같이 가속된 이온 빔은 이온 편향계에 의해 편향되어 이온 주입실의 내부에 로딩되어 있는 웨이퍼에 주입된다. 이때, 이온 주입 마스크를 통해 상기 이온 빔은 선택적으로 상기 웨이퍼에 주입된다. 상기 이온 주입실의 내부에는 상기 웨이퍼가 놓여지는 플레튼(Platen)과 상기 웨이퍼에 주입되는 이온빔의 경사각을 조절하기 위해 상기 플레튼의 경사각을 조절하는 부재 및 상기 플레튼의 위치를 이동시켜 상기 이온 빔의 포커스를 맞추기 위한 구동 부재를 포함한다. 상기 웨이퍼에 주입되는 이온들은 상기 가속관의 전압에 의해 속도가 제어되고, 패러데이 시스템(Paraday System)에 의해 카운팅된다. 또한 상기 이온 주입 공정은 공기 분자가 이온화되어 주입되는 것을 방지하기 위해 고진공 상태에서 수행된다.
필라멘트(120)는 필라멘트 전원 공급 장치와 연결되어 있고, 상기 전원 공급 장치로부터 전원을 공급받아 열전자를 발생한다. 필라멘트(120)는 필라멘트 고정블록(122)에 의해 위치가 고정되지만 아크 챔버(110)의 제1측벽(112)의 외부에 구비된 제1절연부재(130a)에 의해 위치가 더욱 견고하게 고정되고, 위치가 고정될 때 절연성을 유지하기 위하여 필라멘트(120)와 아크 챔버(110)가 접촉되지 않아야 한다.
리플렉터(140)는 원형 단면의 판재와 상기 판재의 중앙에서 일측으로 원형모양의 지지부가 연장된 형상이며, 필라멘트(120)에서 발생되어 상기 아크 챔버(110)의 제2측벽(114)에 도달한 열전자를 반향시키는 역할을 한다. 리플렉터(140)도 리플렉터 고정블록(142)에 의해 위치가 고정되지만, 아크 챔버(110)의 제2측벽(114)의 외부에 구비된 제2절연부재(130b)에 의해 리플렉터(140)의 위치가 더욱 견고하게 고정된다. 절연성을 유지하기 위하여 리플렉터(140)와 아크 챔버(110)는 접촉되지 않도록 주의하여 설계하여야 한다.
필라멘트(120)와 리플렉터(140)는 각각 아크 챔버(120)의 제1측벽(112)과 제2측벽(114)을 관통하여 배치되는데, 절연을 위하여 제1, 제2측벽들(112,114)에 각각 형성된 제1홀 및 제2홀과 소정의 간극이 유지된다. 이 간극은 필라멘트(120)와 리플렉터(140)가 아크 챔버(120)와 절연성을 유지하도록 충분히 커야하지만, 그 간극이 너무 크면 아크 챔버(120) 내의 가스 및 이온 빔이 누출되어 이온주입기에 악영향을 미친다. 그러므로 절연과 누설의 균형이 이루어지도록 적절하게 그 간극이 설계되어야 한다.
아크 챔버(110)의 조립 및 연결 관계를 설명하면 다음과 같다.
아크 챔버(110)에는 필라멘트(120)가 관통하기 위한 두 개의 제1홀이 형성된 제1측벽(112)이 있다. 제1측벽(112)의 외부에는 바닥 판과, 상기 바닥 판의 가장자리 부위에서 수직 방향으로 돌출된 돌출부로 이루어진 제1절연부재(130a)가 고정 수단인 핀(132)에 고정된다. 이때, 제1절연부재(130a)는 아크 챔버(110)와 완전히 밀착하지 않고 소정 간격 이격되어 핀(132)에 고정된다. 제1절연부재(130a)에도 두 개의 제3홀이 형성되어 있고, 필라멘트(120)는 제1절연부재(130a)에 형성된 상기제3홀과, 아크 챔버(110)의 제1측벽(112)에 형성된 상기 제1홀을 지난다. 필라멘트(120)는 제1절연부재(130a)에 형성된 상기 제3홀을 지나면서 제1절연부재(130a)에 접촉되고, 제1절연부재(130a)에 의해 고정 지지되지만, 아크 챔버(110)의 제1측벽(112)에 형성된 상기 제1홀을 지나면서는 제1측벽(112)과 접촉하지 않고 지난다.
아크 챔버(110)의 제1측벽(112)과 마주보는 제2측벽(114)이 있다. 제2측벽(114)의 외측에도 바닥 판과, 상기 바닥 판의 가장자리 부위에서 수직 방향으로 돌출된 돌출부로 이루어진 제2절연부재(130b)가 고정 수단인 핀(132)으로 고정되어 있다. 제2절연부재(130b)도 아크 챔버(110)와 소정 거리 이격되어 핀(132)에 고정된다. 제2측벽(114)과 제2절연부재(130b)에는 각각 한 개의 제2홀과 제4홀이 형성된다. 원형 단면의 판재와 상기 판재의 중앙에서 일측으로 원형 모양의 지지부가 연장된 형상인 리플렉터(140)에서 상기 원형 모양의 지지부는 제2절연부재(130b)에 형성된 상기 제4홀을 지나면서 제2절연부재(130b)와 접촉되고, 제2절연부재(130b)에 의해 고정 지지되지만, 아크 챔버(110)의 제2측벽(114)에 형성된 제2홀을 지나면서는 제2측벽(114)과 접촉하지 않고 지난다. 리플렉터(140) 조립시에도 아크 챔버(110)와 접촉되지 않도록 주의하여야 한다.
상기 제1, 제2절연부재(130a,130b)를 상기 아크 챔버(110)에 고정하는 수단으로 핀(124)이 도시되었지만 볼트가 고정 수단으로 사용될 수도 있다.
이와 같은 구조의 상기 아크 챔버(110)는, 외부의 전력 공급 장치로부터 전원이 공급되면 필라멘트(120)의 온도가 상승하게 되고 일정 온도에 도달하면 필라멘트(120)로부터 소정의 에너지를 갖는 열전자가 방출된다. 방출된 열전자들은 리플렉터(140) 쪽으로 운동하면서 그 일부는 상기 가스 주입구를 통해 아크 챔버(110) 내부로 유입된 불순물 가스와 충돌을 일으켜 가스 분자를 이온화시키고, 나머지 일부는 리플렉터(140)의 쿨롱력에 의해 운동방향을 반대방향으로 역전시킨다. 리플렉터(140)는 방전 과정에서 방출된 열전자들의 일부가 증착되어 음전하로 대전되므로 위와 같은 열전자 반사가 가능하다. 상기와 같은 운동 방향의 역전에 의해 열전자가 가스분자와 충돌하는 횟수가 많아져서 가스분자의 이온화를 증대시킨다.
상기와 같은 이온화가 진행되면 아크 챔버(110) 내부에는 유입된 가스, 이온화된 가스, 및 열전자들이 혼재하게 되고, 그 일부는 제1, 제2절연부재(130a,130b)의 표면에 쌓이게 된다. 상기와 같은 절연을 방해하는 입자들이 제1, 제2절연부재(130a,130b)에 쌓일 경우 제1, 제2절연부재(130a,130b)에 각각 도전층을 형성한다.
도3에 도시된 바와 같이 제1, 제2절연부재(130a,130b)는 아크 챔버(110)의 제1측벽(112)과 제2측벽(114) 외부에 각각 구비된다. 그리고, 도 4a, 4b 및 도 5a, 5b에서 도시된 바와 같이 상기의 제1절연부재(130a)와 제2절연부재(130b)는 플레이트와, 상기 플레이트의 가장자리 부위에서 수직방향으로 돌출되어진 돌출부로 구성된다. 제1절연부재(130a)와 제2절연부재(130b)는 아크 챔버(110)의 외부에 제1, 제2절연부재(130a,130b)의 상기 돌출부가 각각 아크 챔버(110)와 소정 거리 이격되어 핀(132)으로 고정된다.
도시된 바에 의하면, 제1절연부재(130a)와 제2절연부재(130b)의 플레이트는 사각형 모양으로 도시되어 있다. 하지만 상기 플레이트는 원형이나 그 외의 다양한 모양으로 형성될 수 있다.
상기와 같은 구조에서 절연을 방해하는 입자들이 도전층을 형성하기 위해서는 제1측벽(112)과 제2측벽(114)에 각각 형성된 제1홀과 제2홀을 통과하여 제1, 제2절연부재(130a,130b)의 표면에 각각 쌓여야 한다. 따라서 제1, 제2절연부재(130a,130b)에 절연을 방해하는 입자들이 쌓이는데 걸리는 시간이 늘어나게 된다. 그리고 제1, 제2절연부재(130a,130b)의 표면에 상기의 절연을 방해하는 입자가 쌓일 때 상기 절연을 방해하는 입자들은 공통적으로 질량을 갖는 입자들이어서 중력의 작용만을 고려한다면 제1, 제2절연부재(130a,130b)의 플레이트 가장자리 부위에서 수직방향으로 돌출되어진 돌출부 중 상기 아크 챔버(110)에 제1, 제2절연부재(130a,130b)가 구비되었을 때 아래에 있는 돌출부에 주로 쌓이게 된다.
제1, 제2절연부재(130a,130b)와 아크 챔버(110)가 소정 거리 이격되어 핀(132)으로 고정되어 있어, 상기 절연을 방해하는 입자들이 아래에 있는 돌출부에 쌓일 때 상기 입자들 중 일부가 제1, 제2절연부재(130a,130b)와 아크 챔버(110) 사이의 간격을 통해 빠져나가게 된다. 완전한 도전층을 형성하기 위해서는 제1, 제2절연부재(130a,130b)와 아크 챔버(110)사이의 간격을 통해 드러나 있는 핀(132) 부분과, 아크 챔버(110)와 마주보는 제1, 제2절연부재(130a,130b)의 돌출부에도 상기 절연을 방해하는 입자들이 쌓여야 하다. 그러므로, 제1, 제2절연부재(130a,130b)는 장시간 동안 양질의 절연체로서 기능할 수 있게 된다.
또한, 아크 챔버(100)의 외부에 구비된 제1, 제2절연부재(130a,130b)에 의해 필라멘트(120) 및 리플렉터(140)의 위치를 각각 고정 지지할 수 있으므로, 아크 챔버(110)의 조립 및 사용 중 충격으로 인하여 필라멘트(120) 및 리플렉터(140)의 위치가 틀어져서 발생하는 아크 챔버와의 단락을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이 제1, 제2절연부재를 아크 챔버의 내부가 아닌 외부에 구비하여 이온화 과정 중 가스입자와 같은 절연을 방해하는 입자들이 상기 제1, 제2절연부재에 도전층을 형성하기 위해서는 제1측벽과 제2측벽에 각각 형성된 제1홀과 제2홀을 통과하여 상기 제1, 제2절연부재의 표면에 쌓여야 한다. 상기 제1, 제2절연부재에 도전층이 형성되는 속도를 지연시킬 수 있다. 상기 제1, 제2절연부재에 도전층이 형성되는 속도가 지연되면 아크 챔버와의 단락도 지연된다. 또한, 상기 아크 챔버의 제1측벽 및 제2측벽의 외부에 구비된 상기 제1, 제2절연부재에 의해 상기 필라멘트 및 상기 리플렉터의 위치를 각각 고정할 수 있다. 상기 아크 챔버가 조립되거나, 사용 중에 충격으로 인하여 상기 필라멘트나 상기 리플렉터의 위치가 틀어져서 발생하는 아크 챔버와의 단락을 방지할 수 있다. 상기 필라멘트 및 리플렉터가 아크 챔버와의 단락이 지연되거나 방지되면 필라멘트의 수명을 연장시켜 줄뿐만 아니라 아크 챔버의 정비 주기도 길게 가져갈 수 있으므로 잦은 정비에 따른 손실을 크게 줄일 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 당 업계에서 통상의 지식을 지닌 자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.

Claims (5)

  1. 이온을 발생시키기 위한 공간을 제공하고, 제1측벽에 제1홀이 형성된 아크 챔버;
    상기 제1홀과 소정의 간극을 유지하여 관통하도록 설치되며, 상기 아크 챔버의 내부로 열전자를 방출하기 위한 필라멘트; 및
    상기 아크 챔버의 제1측벽의 외부에 구비되고, 상기 아크 챔버와 상기 필라멘트사이의 절연을 유지하며 상기 필라멘트의 위치를 고정 지지하기 위한 제1절연부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치의 아크 챔버.
  2. 제1항에 있어서, 상기 아크 챔버의 제1측벽과 마주보는 제2측벽에 제2홀이 형성되어 있고, 상기 제2홀과 소정의 간극을 유지하여 관통하도록 설치되며, 입사되는 열전자를 쿨롱력에 의해 반사시키기 위한 리플렉터; 및
    상기 아크 챔버의 제2측벽의 외부에 구비되고, 상기 아크 챔버와 상기 리플렉터사이의 절연을 유지하며 상기 리플렉터의 위치를 고정 지지하기 위한 제2절연부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치의 아크 챔버.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1절연부재 및 제2절연부재가 상기 아크 챔버의 제1측벽 및 제2측벽으로부터 소정 거리 이격되어 고정 수단에 의해 고정되는 것을 특징으로 하는 이온주입장치의 아크 챔버.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1절연부재 및 제2절연부재는,
    플레이트; 및
    상기 플레이트의 가장자리 부위에서 수직방향으로 돌출되어진 돌출부로 구성됨을 특징으로 하는 이온주입장치의 아크 챔버.
  5. 제3항에 있어서, 상기 고정수단은 핀 또는 볼트인 것을 특징으로 하는 이온주입장치의 아크 챔버.
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KR20150075372A (ko) * 2013-12-25 2015-07-03 가부시키가이샤 에스이엔 지지구조 및 이를 이용한 이온발생장치

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