KR20060136056A - 이온주입설비의 이온발생장치 - Google Patents
이온주입설비의 이온발생장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060136056A KR20060136056A KR1020050055540A KR20050055540A KR20060136056A KR 20060136056 A KR20060136056 A KR 20060136056A KR 1020050055540 A KR1020050055540 A KR 1020050055540A KR 20050055540 A KR20050055540 A KR 20050055540A KR 20060136056 A KR20060136056 A KR 20060136056A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cathode
- chamber
- filament
- reaction gas
- hot electrons
- Prior art date
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 title claims abstract description 45
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 32
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 claims description 3
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims description 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 이온주입설비의 이온발생장치를 개시한다. 그의 장치는 외부의 오염원으로부터 분리되어 소정의 밀폐된 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 바닥으로 연결되는 튜브를 통해 상기 챔버 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부; 상기 챔버의 일측 내벽에 형성되어 내부로 공급되는 상기 반응가스를 이온상태로 만들기 위해 외부로부터 인가되는 전원전압에 의해 열전자를 방출하는 필라멘트; 및 상기 필라멘트에서 방출되는 상기 열전자를 반사시키기 위해 상기 필라멘트에 대향되는 상기 챔버의 타측 내벽에 형성되고, 상기 열전자의 충돌에 의해 가속된 반응가스 이온의 접촉으로부터 화학작용을 방지하는 비금속 재질의 그라파이트로 형성된 리펠러를 포함함에 의해 상기 리펠러의 부식에 의한 세정주기를 연장시킬 수 있기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.
챔버(chamber), 그라파이트(graphite), 필라멘트(filament), 리펠러(repeller)
Description
도 1은 일반적인 이온주입설비를 나타내는 평면도.
도 2는 종래 기술에 따른 이온주입설비의 이온주입발생장치를 개략적으로 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이온주입설비의 이온발생장치를 나타낸 도면.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
210 : 챔버 220 : 튜브
230 : 필라멘트 240 : 제 1 캐소드
242 : 홀 244 : 절연막
246 : 제 2 캐소드 250 : 리펠러
본 발명은 이온주입설비에 관한 것으로, 상세하게는 웨이퍼에 이온주입되는 도전성 불순물 이온을 생성하는 이온주입설비의 이온발생장치에 관한 것이다.
최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 반도체 장치의 소자 고집적화 경향에 따라 기판에 형성되는 개별 소자의 크기를 줄이면서 한편으로 소자 성능을 극대화시키기 위해 여러 가지 방법이 연구 개발되고 있다. 이러한 방법 중에 CMOS 기술과 같이, 실리콘 기판에 도전성 불순물을 주입하는 이온주입기술이 대두되고 있다. 이온 주입기술은 열확산기술과 함께 반도체기판 중에 불순물 도입을 위한 기본 공정기술이다. 원리적으로는 옛날부터 가능하다고 되고 있던 기술로서, 1960년대에는 이미 트랜지스터등이 이 방법에 의해서 시작되었다. 최근, LSI의 고집적화, 고밀도화에 대응해서 더 정밀한 불순물제어가 요구되고 있다. 더욱이, 양산기술면에서는 재현성의 향상, 처리능력의 향상이 요구되고 있다. 그 중에서 이온주입기술은 더욱 그 중요성이 증가하여 종래 기술에 대체해서 실용화되게 되었다. 또 이 기술에서는 열확산기술로는 불가능 내지는 아주 어려운 저농도 불순물 도입이나 절연막을 통한 도핑 등도 가능하게 되었다.
이와 같은 이온주입기술을 이용한 이온주입공정을 수행하는 이온주입설비는 빔전류량에 따라 크게 두 종류로 나눌 수 있는데 그 중 하나는 빔전류량이 0.5mA ~ 2mA 범위에 속하는 중전류 이온주입설비(medium-current implanter)이고 나머지 하나는 빔전류량이 2mA ~ 30mA 범위에 속하는 대전류 이온주입설비(high-current implanter)이다.
이하, 도면을 참조하여 일반적인 이온주입설비를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 이온주입설비를 나타내는 평면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 이온주입설비는 크게 터미널 모듈(110)과, 가속기(142)와, 엔드 스테이션 모듈(120)을 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 터미널 모듈(110)은 웨이퍼(130)에 이온주입될 도전성 불순물의 이온을 생성하는 이온발생장치(112)와, 상기 이온발생장치(112)에서 생성된 이온을 추출하는 질량 분석기(114)를 포함하여 구성된다.
도 2는 종래 기술에 따른 이온주입설비의 이온주입발생장치를 개략적으로 나타내는 도면으로서, 종래 기술에 따른 이온주입설비의 이온주입발생장치는, 외부의 오염원으로부터 분리되어 소정의 밀폐된 공간을 제공하는 챔버(10)와, 상기 챔버(10)의 바닥으로 연결되는 튜브(20)를 통해 상기 챔버(10) 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부(도시되지 않음)와, 상기 챔버(10)의 일측 내벽에 형성되어 상기 챔버(10)의 내부로 공급되는 상기 반응가스를 이온상태로 만들기 위해 외부로부터 인가되는 전원전압에 의해 열전자를 방출하는 필라멘트(30)와, 상기 필라멘트(30)에 인가되는 상기 전원전압과 동일한 극성의 전원전압을 인가 받아 대전되고, 상기 필라멘트(30)에서 방출되는 열전자를 일방향으로 통과시키는 홀을 구비하며 상기 필라멘트(30)를 상기 반응가스 또는 상기 반응가스의 이온으로부터 보호하기 위해 상기 필라멘트(30) 주위를 감싸도록 형성된 캐소드(40)와, 상기 챔버(10)의 일측에 형성된 상기 필라멘트(30)에 대향하는 상기 챔버(10)의 타측에 형성되어 상기 필라멘트(30)에서 방출된 열전자를 반사시키는 리펠러(50)를 포함하여 이루어진 다. 미설명 부호 '52'는 상기 리펠러(50)외부로 입사되는 열전자를 반사 또는 흡수하는 앤드 캡 리펠러 플레이트이다.
여기서, 상기 필라멘트(30)는 상기 전원전압을 공급받아 고온으로 가열되고 상기 고온에 의해 열전자가 방출된다. 이때, 상기 필라멘트(30) 주위를 둘러싸도록 형성된 상기 캐소드(40)가 상기 필라멘트(30)와 동일 또는 유사한 극성으로 대전되어 상기 열전자를 밀어내는 척력이 유도된다. 따라서, 상기 캐소드(40) 내부에서 존재하는 상기 열전자는 상기 캐소드(40)에 형성된 홀(42)을 통해 배출된다. 예컨대, 상기 캐소드(40)는 상기 전원전압을 인가받아 정전기장을 형성토록 하기 위해 텅스텐과 같은 금속재질로 이루어진다.
또한, 상기 캐소드(40)에 형성된 상기 홀(42)을 통해 배출된 상기 열전자는 상기 챔버(10)에 충만되는 상기 반응 가스와 충돌되어 2차 전자(또는 충돌 전자)를 만든다. 이때, 상기 2차 전자의 발생에 의해 상기 반응 가스는 이온상태로 여기(exciting)된다.
따라서, 종래 기술에 따른 이온주입설비의 이온발생장치는 외부의 전원전압에 의해 고온으로 가열되는 필라멘트(30)에서 방출되는 열전자를 상기 필라멘트(30) 주위를 둘러싸는 캐소드(40)에 형성된 홀(42)에 통과시켜 챔버(10) 내부로 방출시키고, 상기 챔버(10) 내부에 충만된 반응 가스를 이온상태로 여기시켜 반응 가스 이온을 생성토록 할 수 있다.
하지만, 종래 기술에 따른 이온주입설비의 이온발생장치는 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래 기술에 따른 이온주입설비의 이온발생장치는 금속 재질로 이루어진 캐소드(40)가 상기 반응 가스 또는 반응 가스 이온에 쉽게 반응되어 캐소드(40)의 수명이 단축될 수 있기 때문에 생산성이 떨어지는 단점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 캐소드(40)가 반응 가스 또는 반응 가스이온에 반응되지 못하도록 하고 상기 캐소드(40)의 수명을 연장시켜 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 이온주입설비의 이온발생장치를 제공하는 데 있다.
상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 양상(aspect)에 따른 이온주입설비의 이온발생장치는, 외부의 오염원으로부터 분리되어 소정의 밀폐된 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 바닥으로 연결되는 튜브를 통해 상기 챔버 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부; 상기 챔버의 일측 내벽에 형성되어 내부로 공급되는 상기 반응가스를 이온상태로 만들기 위해 외부로부터 인가되는 전원전압에 의해 열전자를 방출하는 필라멘트; 상기 필라멘트에 인가되는 상기 전원전압과 동일한 극성의 전원전압을 인가 받아 대전되고, 상기 필라멘트에서 방출되는 열전자를 일방향으로 통과시키는 홀을 구비하며 상기 필라멘트 주위를 감싸도록 형성된 제 1 캐소드; 및 상기 제 2 캐스드를 상기 반응 가스 또는 상기 반응 가스 이온으로부터 보호하기 위해 상기 캐소드의 외주면을 덮도록 형성된 절연막을 포함함을 특징으로 한다.
여기서, 상기 절연막은 세라믹 재질로 이루어지고, 상기 절연막을 중심으로 상기 캐소드에 대응되는 위치에 형성되어 상기 캐소드와 동일한 극성의 전원전압을 인가받는 제 2 캐소드를 더 포함함이 바람직하다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 이온주입설비의 이온발생장치를 설명하면 다음과 같다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이온주입설비의 이온발생장치를 나타낸 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 이온주입설비의 이온발생장치는, 외부의 오염원으로부터 분리되어 소정의 밀폐된 공간을 제공하는 챔버(210)와, 상기 챔버(210)의 바닥으로 연결되는 튜브(220)를 통해 상기 챔버(210) 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부(도시하지 않음)와, 상기 챔버(210)의 일측 내벽에 형성되어 내부로 공급되는 상기 반응가스를 이온상태로 만들기 위해 외부로부터 인가되는 전원전압에 의해 열전자를 방출하는 필라멘트(230)와, 상기 필라멘트(230)에 대향하는 상기 챔버(210)의 타측에 형성되어 상기 필라멘트(230)에서 방출 되는 열전자를 반사시키는 리펠러와, 상기 필라멘트(230)에 인가되는 상기 전원전압과 동일한 극성의 전원전압을 인가 받아 대전되고, 상기 필라멘트(230)에서 방출되는 열전자를 상기 리펠러의 방향으로 통과시키는 홀(242)을 구비하며 상기 필라멘트(230) 주위를 감싸도록 형성된 제 1 캐소드(240)와, 상기 캐스드를 상기 반응 가스 또는 상기 반응 가스 이온으로부터 보호하기 위해 상기 캐소드(240)의 외주면을 덮도록 형성된 절연막(244)과, 상기 절연막(244)을 중심으로 상기 제 1 캐소드(240)에 대응되도록 형성된 제 2 캐소드(246)를 포함하여 구성된다.
도시되지는 않았지만, 상기 챔버(210)는 상기 반응 가스만이 선택적으로 충만될 수 있도록 진공 펌프와 연통되는 배기 라인을 통해 펌핑되어 진공상태를 유지하고 있다.
여기서, 상기 필라멘트(230)는 상기 전원전압에 의해 고온으로 가열되어 상기 열전자를 방출한다. 예컨대, 상기 필라멘트(230)는 니크롬 또는 텅스텐 중 적어도 어느 하나를 포함하는 합금재질로 형성되어 있고, 상기 챔버(210)의 내벽으로부터 약 수cm정도 돌출되어 약 3mm정도의 지름으로 감겨있다.
또한, 상기 필라멘트(230) 주위를 감싸는 제 1 캐소드(240)는 상기 필라멘트(230)에서 방출되는 열전자가 상기 홀(242)을 통해 상기 리펠러의 방향으로 방출되도록 상기 열전자를 일방향으로 포집시킨다. 이때, 상기 제 1 캐소드(240)는 상기 리펠러의 방향에 대하여 상기 필라멘트(230)의 전면을 감싸도록 형성된다. 또한, 상기 제 1 캐소드(240)는 상기 챔버(210)의 내벽에서 돌출되어 형성된 필라멘트(230)를 커버링하고 상기 챔버(210)의 내벽에 형성된 소켓에 결합될 수 있는 나사 산이 형성되어 있다. 예컨대, 상기 필라멘트(230)에 약 45V정도의 전원전압이 인가되면 상기 제 1 케소드에 약 50V이상의 전원전압이 인가된다. 이때, 상기 전원전압은 음극의 전압으로 이루어진다. 또한, 상기 제 1 캐소드(240)의 지름은 약 5mm 내지 약 7mm정도의 지름을 갖고 텅스텐과 같은 도전성이 우수한 금속재질로 형성되어 있으며, 상기 제 1 캐소드(240)의 중심에서 상기 필라멘트(230)가 독립되어 삽입되도록 설계되어 있다.
또한, 상기 절연막(244)에 의해 상기 제 1 캐소드(240)로부터 소정 간격 이격되어 형성된 제 2 캐소드(246)는 상기 제 1 캐소드(240)의 홀(242)을 통과한 상기 열전자가 상기 제 1 캐소드(240)에 유도된 전기장에 의해 가속되는 과정에서 다시 상기 제 2 캐소드(246)에 유도되는 전기장에 의해 상기 열전자를 감속시키는 역할을 한다. 물론 상기 제 2 캐소드(246)의 홀(242)을 통과한 상기 열전자는 다시 상기 제 2 캐소드(246)에 유도된 전기장에 의해 가속될 수 있다.
이때, 상기 필라멘트(230)에서 상기 제 1 캐소드(240), 절연막(244) 및 제 2 캐소드(246)를 관통하여 상기 리펠러 방향으로 열전자가 방출되는 형성된 홀(242)은 상기 제 1 캐소드(240), 절연막(244) 및 제 2 캐소드(246)에서 동일한 직경으로 형성될 수 있으나, 상기 열전자가 방출되는 방향으로 직경이 순차적으로 증가되거나 줄어들 수도 있다. 바람직하게는 상기 제 1 캐소드(240), 절연막(244) 및 제 2 캐소드(246)에 형성된 각 홀(242)의 직경이 증가되도록 형성하여 상기 열전자의 방출을 용이하게 할 수 있다. 예컨대, 상기 홀(242)은 약 1mm 내외의 직경을 갖도록 형성되어 있다.
그리고, 상기 제 1 캐소드(240)의 외주면에 형성된 절연막(244)은 상기 제 1 캐소드(240)와 제 2 캐소드(246)간을 절연시켜 상기 제 1 캐소드(240)와 제 2 캐소드(246)가 서로 단선되는 것을 방지할 뿐만 아니라, 상기 제 2 캐소드(246)가 존재치 않거나, 상기 제 2 캐소드(246)가 상기 반응 가스 또는 후술되는 반응 가스 이온에 의해 손상될 경우 상기 제 1 캐소드(240)를 상기 반응 가스 또는 상기 반응 가스 이온으로부터 보호할 수 있다. 예컨대, 상기 절연막(244)은 상기 반응 가스 또는 후술되는 반응 가스 이온으로부터 내식성이 우수한 세라믹 재질로 이루어진다.
이때, 제 1 캐소드(240)는 외부에서 인가되는 상기 전원전압에 의해 대전되기 위해서는 도전성이 우수한 텅스텐과 같은 금속 재질로 구성될 수 있으나, 상기 금속 재질은 보론 또는 인과 같은 도전성 불순물의 반응 가스 또는 반응 가스 이온에 의한 반응이 쉽게 이루어짐으로 적어도 상기 제 1 캐소드(240)는 상기 절연막(244)에 의해 보호되어야만 한다.
따라서, 본 발명에 따른 이온주입설비의 이온발생장치는, 제 1 캐소드(240)의 외주면을 덮도록 형성된 절연막(244)을 구비하여 상기 제 1 캐소드(240)가 반응 가스 또는 반응 가스 이온에 반응되지 못하도록 하고 상기 제 1 캐소드(240)의 수명을 연장시킬 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있다.
한편, 상기 제 1 캐소드(240), 절연막(244) 및 제 2 캐소드(246)에 형성된 홀(242)을 통해 방출된 열전자는 상기 챔버(210) 내부에 충만된 상기 반응 가스에 충돌되어 2차 전자를 유발시키고 상기 반응 가스를 이온 상태 즉, 반응 가스 이온 을 생성시킨다.
또한, 상기 열전자의 일부는 상기 챔버(210)의 타측에 형성된 리펠러까지 직진하여 반사된다. 예컨대, 상기 리펠러는 상기 열전자의 충돌에 의해 가속된 반응가스 이온의 접촉으로부터 화학작용을 방지하는 비금속 재질의 그라파이트 재질로 형성된다.
이때, 상기 리펠러와 상기 제 2 캐소드(246) 사이에서 유동되는 상기 반응 가스는 상기 열전자에 의해 반응 가스 이온으로 대전된다. 또한, 상기 리펠러의 후면에는 엔드캡 리펠러 플레이트가 더 형성되어 있다. 상기 반응 가스 이온은 양의 극성을 띄고 있고, 상기 제 2 캐소드(246)는 상기 제 1 캐소드(240)와 마찬가지로 음의 극성으로 대전되어 있기 때문에 서로간에 인력이 작용하여 반응이 쉽게 일어날 수 있다.
따라서, 제 2 캐소드(246)는 상기 절연막(244)의 외부에서 상기 홀(242)을 통해 방출되는 열전자를 가속시키기 위해 도전성이 우수한 금속 재질로 이루어질 수 있으나, 상기 반응 가스 또는 반응 가스 이온에 의한 손상을 최소화시킬 수 있는 비금속 재질로 형성된다. 예컨대, 상기 제 2 캐소드(246)는 비금속 재질의 그라파이트 재질로 형성된다.
결국, 본 발명에 따른 이온주입설비의 이온발생장치는 반응 가스 또는 반응 가스 이온에 노출되는 제 2 캐소드(246)를 내식성이 우수한 비금속 재질로 형성하여 상기 제 2 캐소드(246)가 반응 가스 또는 반응 가스 이온에 반응되지 못하도록 하고 상기 제 2 캐소드(246)의 수명을 연장시킬 수 있기 때문에 생산성을 증대 또 는 극대화할 수 있다.
또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다. 예컨대, 상기 제 1 캐소드(240)를 보호하기 위해 형성된 절연막(244) 및 제 2 캐소드(246)는 상기 반응 가스 또는 반응 가스 이온에 의한 반응을 최소화시킬 수 있는 비금속 재질로 형성되어도 무방하다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 제 1 캐소드의 외주면을 덮도록 형성된 절연막을 구비하여 상기 제 1 캐소드가 반응 가스 또는 반응 가스 이온에 반응되지 못하도록 하고 상기 제 1 캐소드의 수명을 연장시킬 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.
Claims (4)
- 외부의 오염원으로부터 분리되어 소정의 밀폐된 공간을 제공하는 챔버;상기 챔버의 바닥으로 연결되는 튜브를 통해 상기 챔버 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부;상기 챔버의 일측 내벽에 형성되어 내부로 공급되는 상기 반응가스를 이온상태로 만들기 위해 외부로부터 인가되는 전원전압에 의해 열전자를 방출하는 필라멘트;상기 필라멘트에 인가되는 상기 전원전압과 동일한 극성의 전원전압을 인가 받아 대전되고, 상기 필라멘트에서 방출되는 열전자를 일방향으로 통과시키는 홀을 구비하며 상기 필라멘트 주위를 감싸도록 형성된 제 1 캐소드; 및상기 제 1 캐스드를 상기 반응 가스 또는 상기 반응 가스 이온으로부터 보호하기 위해 상기 캐소드의 외주면을 덮도록 형성된 절연막을 포함함을 특징으로 하는 이온주입설비의 이온발생장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연막은 세라믹 재질로 형성함을 특징으로 하는 이온주입설비의 이온발생장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연막을 중심으로 상기 캐소드에 대응되는 위치에 형성되어 상기 캐소드와 동일한 극성의 전원전압을 인가받는 제 2 캐소드를 더 포함함을 특징으로 하는 이온주입설비의 이온발생장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 2 캐소드는 그라파이트 재질로 이루어짐을 특징으로 하는 이온주입설비의 이온발생장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050055540A KR20070000086A (ko) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | 이온주입설비의 이온발생장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050055540A KR20070000086A (ko) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | 이온주입설비의 이온발생장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060136056A true KR20060136056A (ko) | 2007-01-02 |
| KR20070000086A KR20070000086A (ko) | 2007-01-02 |
Family
ID=37868093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050055540A KR20070000086A (ko) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | 이온주입설비의 이온발생장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20070000086A (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009061041A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Chung Cheong Sng Co., Ltd. | System for tracking the vehicles using gis |
| JP2014137901A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置およびイオン注入装置の運転方法 |
-
2005
- 2005-06-27 KR KR1020050055540A patent/KR20070000086A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI449078B (zh) | 用於離子植入之設備、多模式離子源以及用於多種模式中的離子植入之方法 | |
| US7679070B2 (en) | Arc chamber for an ion implantation system | |
| US20100148088A1 (en) | Techniques for providing a multimode ion source | |
| TWI446394B (zh) | 離子源及離子植入系統 | |
| JP4920033B2 (ja) | イオン源におけるカソード及びカウンターカソード配置 | |
| TW201142908A (en) | Techniques for generating uniform ion beam | |
| CN1969365B (zh) | 电荷中和装置 | |
| US10319557B2 (en) | Ion generator and method for using the same | |
| CN100533649C (zh) | 离子源中的阴极和反阴极装置 | |
| EP0911861A1 (en) | Filament for ion implanter plasma shower | |
| JP4401977B2 (ja) | イオン源に用いるフィラメントの作製方法及びイオン源 | |
| KR20060136056A (ko) | 이온주입설비의 이온발생장치 | |
| KR20070000086A (ko) | 이온주입설비의 이온발생장치 | |
| JP2007123270A (ja) | イオン発生装置 | |
| KR20070097661A (ko) | 이온주입설비의 이온발생장치 | |
| KR100819336B1 (ko) | 낮은 전자온도를 갖는 플라즈마 발생 방법 및 그 장치 | |
| KR100559515B1 (ko) | 이온주입장치의 이온소스부 | |
| KR20060110897A (ko) | 이온주입설비의 이온발생장치 | |
| JP4184846B2 (ja) | イオン注入装置用イオン発生装置 | |
| KR100672835B1 (ko) | 이온 임플랜터의 이온 발생 장치 | |
| KR20050063855A (ko) | 이온 발생 장치의 세정 방법 | |
| KR20010083326A (ko) | 이온주입기의 가이드형 필라멘트 시스템 | |
| KR100518529B1 (ko) | 이온 빔 주입 설비의 아크 챔버 | |
| KR20070074199A (ko) | 이온 주입 장치의 플라즈마 플러드 건 | |
| CN117012598A (zh) | 离子源 |