KR20040018261A - 3-레벨 밸런과 그것의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
3-레벨 반도체 밸런(10)이 개시된다. 일실시예에서, 밸런(10)은 기판 위에 놓이는 제 1 나선형 전송 선로(14)를 포함한다. 제 1 전송 선로(14)는 제 1 및 제 2 종단을 갖는다. 제 2 나선형 전송 선로(13)는 제 1 전송 선로(14)와 거의 수직으로 정렬된다. 제 2 전송 선로(13)는 제 1 전송 선로(14)의 제 2 종단에 전기적으로 연결된 제 1 종단을 갖는다. 제 3 나선형 전송 선로(12)는 제 1 및 제 2 전송 선로(14, 13)와 거의 수직으로 정렬된다. 제 3 전송 선로(12)는 제 2 전송 선로(13)의 제 2 종단에 전기적으로 연결된 제 1 종단을 갖는다. 밸런(10)은 다른 RF 회로 구성요소와 동일한 칩에 집적될 수 있으며, 대부분의 종래의 밸런보다 더 높은 주파수에서 사용하는데 적합하다.
Description
결합 전송 선로 요소를 형성하기 위해 꼬임쌍(twisted pairs) 구리선을 이용하는 것은 잘 알려져 있다. 이들 전송 선로 요소는 밸런, 평형 불평형 변성기(balanced and unbalanced transformers)와 전류 및 전압 인버터를 생성하기 위해서 사용될 수 있다. 종래의 전송 선로 요소의 사용에 대한 예는 C.L. Ruthroff, "Some Broad-Band Transformers,"Proceedings of the IRE (Institute for Radio Engineers), vol. 47, 1337-1342쪽 (1959년 8월)에 제시되어 있으며, 이것은 참조에 의해 본 명세서에 통합되어 있다. 이들 전송 선로 요소는 UHF를 통하는 주파수 대역에서 유용한 형태로 일반적으로 발견된다.
RF 전력 증폭기와 저잡음 증폭기와 같은 집적회로에서 그러한 전송 선로 요소의 사용은 바람직하다. 그러나, 종래의 이들 전송 선로 요소와 같은 오프-칩 장치를 휴대전화와 같은 RF 장치내로 결합시키는 것은 크기와 비용 때문에 경쟁력이 있지 못하다. 또한, 종래의 결합 전송 선로 요소는 원하는 주파수 범위에서의 사용에 적합하지 않다.
본 발명은 집적회로에 관한 것이며, 특히 3-레벨 반도체 밸런(balun)과 그것을 생성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 대한 보다 완전한 이해와 추가적인 특징 및 이점을 위해, 첨부된 도면을 참조하면서 이하의 설명이 행해진다.
도 1은 본 발명에 따라 구성된 밸런의 평면도;
도 2는 밸런의 교차 영역에 대한 사시도;
도 3A 내지 3E는 개개의 제조 단계에서의 밸런의 평면도; 및
도 4는 밸런의 등가 회로도이다.
그리하여, 종래 기술의 단점과 결함을 대처하는 결합 전송 선로 요소에 대한 요구가 제기되어 왔다. 특히, RF 집적회로에서 집적에 적합한 저손실 밸런에 대한 요구가 제기되어 왔다.
따라서, 3-레벨 반도체 밸런이 개시된다. 일실시예에서, 상기 밸런은 기판 위에 놓이는 제 1 나선형 전송 선로를 포함한다. 제 1 전송 선로는 제 1 및 제 2 종단(end)을 갖는다. 제 2 나선형 전송 선로는 제 1 전송 선로와 거의 수직으로 정렬된다. 제 2 전송 선로는 제 1 전송 선로의 제 2 종단에 전기적으로 연결된 제 1 종단을 갖는다. 제 3 나선형 전송 선로는 제 1 및 제 2 전송 선로와 거의 수직으로 정렬된다. 제 3 전송 선로는 제 2 전송 선로의 제 2 종단에 전기적으로 연결된 제 1 종단을 갖는다. 일실시예에서, 제 1 평형측 단자(terminal)는 제 1 전송 선로의 제 1 종단에 전기적으로 연결되며, 제 2 평형측 단자는 제 3 전송 선로의 제 1 종단에 전기적으로 연결되며, 불평형측 단자는 제 3 전송 선로의 제 2 종단에 전기적으로 연결된다.
본 발명의 다른 국면에서, 반도체 기판에 밸런을 생성하는 방법이 개시된다. 그 방법은 기판에 제 1 전송 선로를 형성하는 단계, 거의 제 1 전송 선로 위에 놓이는 제 2 전송 선로를 형성하는 단계 - 여기서, 제 2 전송 선로는 제 1 전송 선로의 제 2 종단에 전기적으로 연결된 제 1 종단을 가짐 - , 거의 제 1 및 제 2 전송 선로 위에 놓이는 제 3 전송 선로를 형성하는 단계 - 여기서, 제 3 전송 선로는 제2 전송 선로의 제 2 종단에 전기적으로 연결된 제 1 종단을 가짐 - 를 포함한다.
본 발명의 이점은 밸런이 다른 RF 회로 소자와 함께 동일한 칩 상에 집적될 수 있다는 것이다. 본 발명의 다른 이점은 밸런이 대부분의 종래(비-집적) 밸런보다 더 높은 주파수에서 사용하기에 적합하다는 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예와 그 이점은 도 1 내지 도 4의 도면을 참조함으로써 가장 잘 이해된다. 각 도면의 동일하고 상응하는 부분에 대해 동일한 번호가 사용된다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따라 구성된 밸런(10)의 평면도가 도시된다. 밸런(10)에서, 제 1 전송 선로(12)는 상부 금속화층을 주로 점유한다. 제 2 및 제 3 전송 선로(13 및 14)는 각각 상부 금속화층 아래의 중간 및 하부 금속화층을 각각 주로 점유한다. 상부 및 중간 금속화층은 유전체층(도 1에 도시되지 않음)에 의해 분리되며, 중간 및 하부 금속화층도 마찬가지이다. 각 전송 선로(12, 13,14)는 외측 단자(12a, 13a, 14a)를 갖는다. 각 전송 선로(12, 13, 14)는 외측 단자(12a, 13a, 14a)로부터 내측 단자(12b, 13b, 14b)까지 안쪽으로 나선을 이룬다.
밸런(10)의 전송 선로들은 "브로드사이드-결합(broadside-coupled)"이라 불리는데 왜냐하면 전송 선로들이 거의 수직으로 정렬되어 도체들간의 전송 선로 결합(coupling)을 야기하기 때문이다. 자연적으로, 동일 금속화층 내의 도체 루프간의 에지 결합(edge coupling)과 같은 다른 효과들이 또한 관찰된다. 그러나, 전송 선로(12, 13, 14)의 나선 모양은 전송 선로 결합이 다른 바람직하지 않은 효과들을 압도하게 한다.
밸런(10)의 치수는 각 전송 선로(12, 13, 14)의 전체 길이가 신호 파장의 8분의 1과 거의 동일하거나 작은 것이 바람직하다. 전송 선로 길이의 하한은 디바이스의 특성에 따라 변화하지만, 일반적으로 전송 선로 결합에 의해 결정된다. 일반적으로, 당업자들에게 알려진 바와 같이, 전송 선로들간의 바람직한 "오드(odd) 모드"나 "푸시-풀(push-pull)" 결합이 전송 선로들간의 바람직하지 않은 "이븐(even) 모드"나 "공통 모드" 결합을 압도하는 것이 바람직하다.
하나의 전형적인 실시예에서, 1GHz에서 5GHz까지의 주파수 범위의 신호가 밸런(10)에 의해 전도된다. 이 실시예에서, 각 전송 선로(12, 13, 14)는 15 미크론의 폭과 4 밀리미터의 전체 길이를 가진다. 전송 선로(12)는 약 5.5 미크론의 두께를 가지며, 반면에 전송 선로(13 및 14)는 각각 약 2 미크론의 두께를 가진다. 전송 선로(12, 13, 14)는 1.5 미크론의 두께를 갖는 유전체층(도 1의 예시에서는 투명함)에 의해 분리된다.
내측 단자(12b, 13b, 14b)에서, 각 전송 선로(12, 13, 14)는 각 커넥터(16, 17, 18)에 전기적으로 연결된다. 일실시예에서, 커넥터(16, 17, 18)는 중간 및 하부 금속화층에 존재한다. 커넥터(16, 17, 18)는 아래에서 설명되는 바와 같이, 각 내측 단자(12b, 13b, 14b)와 다른 전기적 단자 사이에서의 전기적 접촉을 확립하기 위해 사용된다.
밸런(10)의 각 루프는 전송 선로(12, 13, 14)가 커넥터(16, 17, 18)를 가로지르는 것을 요구한다. 추가적인 금속화층을 사용하지 않고 이를 이루기 위해, 전송 선로(12)의 브리지 세그먼트(12c 및 12d)는 상부 금속화층의 공간을 각 교차 영역(20)에 있는 전송 선로(12)와 공유한다.
도 2를 참조하면, 교차 영역(20)의 사시도가 도시되어 있다. 전송 선로(12)와 브리지 세그먼트(12c 및 12d)는 상부 금속화층을 점유하며, 커넥터(16, 17, 18)는 중간 및 하부 금속화층을 점유한다. 유전체층(도시되지 않음)은 금속화층들을 분리한다.
밸런(10)을 생성하는 공정은 도 3A 내지 3E에서 예시되며, 이들 도면에서는 개개의 제조 단계에서의 밸런(10)의 평면도가 도시되어 있다. 도 3A를 참조하면, 하부 금속화층(22)의 패턴이 도시되어 있다. 금속화층(22)은 예를 들면 구리나 다른 전도성 물질의 층일 수 있다. 금속화층(22)은 종래의 증착 및 포토리소그래피 기술을 이용해 기판(24)상에 증착되고 전송 선로(14)를 생성하기 위해 에칭된다. 기판(24)은 예를 들면, 비소화 갈륨과 같은 반(半)절연 기판일 수 있다. 커넥터(16, 17, 18)의 하부층은 금속화층(22)으로 형성된다. 도면에 도시된 바와같이, 커넥터(18)의 하부층은 내측 단자(14b)에서 전송 선로(14)와 연속되어 있다.
2개의 접촉 스트립(12e, 13e)이 또한 금속화층(22)에 포함되어 있다. 스트립(12e, 13e)은 전송 선로(12, 13)에 대한 하부 금속화층(22)에서의 전기적 접속을 각각 제공한다. 스트립(12e, 13e)이 그것들의 각 전송 선로에 연결되는 방식이 아래에서 설명된다. 전송 선로(14)의 유사한 연장 스트립(14e)은 접촉 스트립(12e 및 13e)의 근처에 제공된다. 그리하여, 3개의 전송 선로(12, 13, 14) 모두는 하부 금속화층(22)으로부터 접촉될 수 있다. 이들 스트립(12e, 13e, 14e) 모두는 하부 금속화층(22)에서 패터닝되어 있는 다른 와이어링(도시되지 않음)에 연결될 수 있다.
도 3B를 참조하면, 유전체층(26)은 도면에서 점선으로 도시되어 있는 금속화층(22) 위에 증착된다. 유전체층(26)은 예를 들면, 비스벤조시클로부틴(bisbenzocyclobutene: BCB), 규소의 질화물이나 산화물, 또는 다른 절연 물질일 수 있다. 유전체층(26)은 종래의 기술을 이용하여 증착된다. 유전체층(26)은 구멍이나 비아(27)(실선으로 표시됨)를 형성하기 위해 선택적으로 에칭되며, 이들 구멍이나 비아는 아래에서 설명되는 바와 같이 중간 금속화층과의 전기적인 접촉이 확립되도록 한다.
도 3C를 참조하면, 중간 금속화층(30)은 유전체층(26) 위에 형성된다. 금속화층(30)은 예를 들면, 구리나 다른 전도성 물질의 층일 수 있다. 금속화층(30)은 종래의 증착 및 포토리소그래피 기술을 이용하여 유전체층(26)상에 증착되고 전송 선로(13)와 커넥터(16, 17, 18)의 상부층을 생성하기 위해 에칭된다. 도면에 도시된 바와 같이, 커넥터(17)의 상부층은 내측 단자(13b)에서 전송 선로(13)와 연속되어 있다.
금속화층(30) 아래에 있는 유전체층(26)에 있는 비아(27)는 도 3C에 점선으로 도시되어 있다. 이들 비아는 중간 금속화층(30)과 하부 금속화층(22) 사이에서 접촉점을 제공한다. 그리하여, 커넥터(16, 17, 18)는 하부 및 중간 금속화층(22, 30) 모두에 존재한다.
전송 선로(13)의 외측 단자(13a)와 연속되어 있는 연장(extension)(13f)은 다른 비아(27)에 의해 하부 금속화층(22)에 있는 접촉 스트립(13e)에 연결된다. 금속 부분(29)은 하부 금속화층(22)에 있는 접촉 스트립(12e)과 전기적으로 접촉되어 있는 비아(27) 위에 형성된다. 금속 부분(29)은 아래에서 설명되는 바와 같이, 상부 금속화층에 있는 전송 선로(12)와 접촉 스트립(12e) 사이에서 전기적 접속을 제공한다.
유사하게, 금속 부분(31)은 전송 선로(13)로부터 분리되어 형성된다. 이들 금속 부분(31)은 아래에서 설명되는 바와 같이, 하부 금속화층(22)에 있는 전송 선로(14)와 상부 금속화층에 있는 브리지 세그먼트(12c) 사이에서 전기적 접속을 제공한다.
도 3D를 참조하면, 유전체층(32)은 도면에서 점선으로 도시되어 있는 금속화층(30) 위에 증착된다. 유전체층(32)은 전술된 유전체층(26)과 동일한 절연 물질을 이용해 만들어 질 수 있다. 유전체층(32)은 종래의 기술을 이용해서 증착된다. 비아(34)는 종래의 포토리소그래피 기술을 이용해서 유전체층(32 및 26)에 형성된다. 비아(34)는 아래에서 설명되는 바와 같이, 금속화층간의 전기적 접촉을 확립하기 위하여, 도시된 위치에 형성된다.
도 3E를 참조하면, 상부 금속화층(36)은 유전체층(32) 위에 형성된다. 금속화층(36)은 예를 들면, 구리나 다른 전도성 물질의 층일 수 있다. 금속화층(36)은 종래의 증착 및 포토리소그래피 기술을 이용해 유전체층(32)상에 증착되고 전송 선로(12)와 브리지 세그먼트(12c, 12d)를 생성하기 위해 에칭된다. 증착 동안에, 금속화층(36)은 유전체층(32)에 있는 비아(34)를 채우는데, 이로써 중간 금속화층(30)에 대한 전기적 접촉을 확립한다.
구체적으로, 각 브리지 세그먼트(12c)는 중간 금속화층(30)에 있는 금속 부분(31)으로 양쪽 끝에서 전기적으로 연결되며, 이로써 하부 금속화층(22)에 있는 전송 선로(14)에 전기적으로 연결된다. 그러므로 브리지 세그먼트(12c)는 커넥터(16, 17, 18)에 의해 수반되는 간격을 가로질러 전송 선로(14)에 전도 경로을 제공한다.
유사하게, 각 브리지 세그먼트(12d)는 중간 금속화층(30)에 있는 전송 선로(13)로 양쪽 끝에서 전기적으로 연결된다. 그러므로 브리지 세그먼트(12d)는 커넥터(16, 17, 18)에 의해 수반되는 간격을 가로질러 전송 선로(13)에 전도 경로을 제공한다.
외측 단자(12a)에서, 전송 선로(12)는 중간 금속화층(30)에 있는 금속 부분(29)에 전기적으로 연결되며, 이로써 하부 금속화층(22)에 있는 접촉 스트립(12e)에 전기적으로 연결된다. 전술한 바와 같이 접촉 스트립(12e)은 하부금속화층(22)에 패터닝되어 있는 다른 와이어링(도시되지 않음)에 전송 선로(12)를 연결시키는 수단을 제공한다. 내측 단자(12b)에서, 전송 선로(12)는 비아(34)에 의해 커넥터(16)에 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 밸런(10)의 등가 회로도가 도시되어 있다. 도 4에서, 전송 선로(12, 13, 14)는 3개의 평행 인덕터(40, 42, 44)에 의해 표현된다(임의 순서). 밸런(10)의 평형측은 2개의 단자(46, 48)를 가지며, 불평형측은 1개의 단자(50)와 공통 전위(즉, 접지)에 대한 연결을 갖는다.
도 4의 회로도에서, 전송 선로(12, 13, 14)의 전송 선로 결합은 인덕터(40, 42, 44)의 정렬에 반영된다. 그리하여, 각 인덕터의 좌측은 상응하는 전송 선로(12, 13, 14)의 내측 단자를 나타내는 반면, 각 인덕터의 우측은 상응하는 전송 선로의 외측 단자를 나타내거나 그 역일 수 있다. 3개의 인덕터(40, 42, 44) 모두는 동일한 방향을 가져야 하는데, 그리하여 예를 들면 상기 회로도의 좌측이 3개의 모든 전송 선로의 내측 단자를 나타낸다.
도 4에 있는 3개의 인덕터(40, 42, 44)를 전송 선로(12, 13, 14)로 대체하는데는 6가지의 가능한 방법이 있다. 또한, 상기 회로도의 "방향성(handedness)"은 어느쪽(왼쪽 혹은 오른쪽)이 전송 선로(12, 13, 14)의 내측 단자를 나타내느냐를 변경함으로써 변할 수 있다. 이는 밸런(10)을 생성하기 위해 전송 선로(12, 13, 14)를 상호연결하는데 있어서 총 12가지의 가능한 경우를 준다.
밸런(10)을 형성하기 위한 이들 12가지 가능한 상호연결의 경우가 표 A에 도시되어 있다. 상기 표의 각 행은 각각의 상호연결 경우를 나타내며, 각 전송 선로단자가 연결되는 단자(또는 공통 전위)의 참조 번호를 제공한다.
실제 회로 성능에서의 차이가 표 A에 나열된 다양한 상호연결 경우들 중에서 관찰될 수 있다. 주어진 회로 구현에 최적인 상호연결안을 결정하기 위해 실험이 행해질 수 있다.
| 전송 선로 단자 | ||||||
| 경우 | 12a | 13a | 14a | 12b | 13b | 14b |
| 1 | 48 | common | 46 | 50 | 48 | common |
| 2 | 46 | common | 48 | common | 48 | 50 |
| 3 | common | 48 | 46 | 48 | 50 | common |
| 4 | 46 | 48 | common | common | 50 | 48 |
| 5 | common | 46 | 48 | 48 | common | 50 |
| 6 | 48 | 46 | common | 50 | common | 48 |
| 7 | 50 | 48 | common | 48 | common | 46 |
| 8 | common | 48 | 50 | 46 | common | 48 |
| 9 | 48 | 50 | common | common | 48 | 46 |
| 10 | common | 50 | 48 | 46 | 48 | common |
| 11 | 48 | common | 50 | common | 46 | 48 |
| 12 | 50 | common | 48 | 48 | 46 | common |
밸런(10)은 당업자에게 쉽사리 명백한 방식으로 평형 도체에서 불평형 도체로의 천이를 제공한다는 것이 이해될 것이다. 밸런(10)은 예를 들면, 집적 매칭 네트워크를 갖는 RF 푸시-풀 증폭기를 위한 고성능 밸런으로서 사용될 수 있다.
본 발명과 그 장점이 상세히 설명되었음에도 불구하고, 첨부된 청구범위에 의해 정의된 대로의 본 발명의 범위와 사상을 벗어나지 않고서 다양한 변화, 대체, 변경이 가능하다는 것이 이해되어야 한다.
Claims (16)
- 밸런에 있어서,기판;상기 기판 위에 위치하는 제 1 나선형 전송 선로;상기 제 1 전송 선로와 거의 수직으로 정렬되는 제 2 나선형 전송 선로; 및상기 제 1 및 제 2 전송 선로와 거의 수직으로 정렬되는 제 3 나선형 전송 선로를 포함하고,상기 제 1 전송 선로는 제 1 및 제 2 종단을 가지며,상기 제 2 전송 선로는 상기 제 1 전송 선로의 제 2 종단에 전기적으로 연결된 제 1 종단을 가지며,상기 제 3 전송 선로는 상기 제 2 전송 선로의 제 2 종단에 전기적으로 연결된 제 1 종단을 가지는 것을 특징으로 하는 밸런.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전송 선로의 상기 제 1 종단에 전기적으로 연결된 제 1 평형측 단자;상기 제 3 전송 선로의 상기 제 1 종단에 전기적으로 연결된 제 2 평형측 단자; 및상기 제 3 전송 선로의 상기 제 2 종단에 전기적으로 연결된 불평형측 단자를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 밸런.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 전송 선로의 상기 제 2 종단은 공통 전위에 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 밸런.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전송 선로는 거의 상기 제 1 전송 선로 위에 위치하며, 상기 제 3 전송 선로는 거의 상기 제 1 및 제 2 전송 선로 위에 위치하는 것을 특징으로 하는 밸런.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 전송 선로를 분리하는 제 1 절연층; 및상기 제 2 및 제 3 전송 선로를 분리하는 제 2 절연층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 밸런.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1, 2, 3 전송 선로 각각의 상기 제 1 종단은 상기 각각의 전송 선로의 내측 단자를 포함하고,상기 제 1, 2, 3 전송 선로 각각의 상기 제 2 종단은 상기 각각의 전송 선로의 외측 단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 밸런.
- 브로드사이드-결합 전송 선로 요소에 있어서,제 1 나선형 전송 선로와 복수의 커넥터 세그먼트를 갖는 제 1 금속화층;제 2 나선형 전송 선로를 갖는 제 2 금속화층; 및제 3 나선형 전송 선로와 브리지 세그먼트를 갖는 제 3 금속화층을 포함하고,상기 제 1 전송 선로는 제 1 및 제 2 종단을 가지며,상기 커넥터 세그먼트는 상기 제 1 전송 선로의 내부 영역과 상기 제 1 전송 선로의 외부 영역 사이에 각각의 전도 경로를 제공하며,상기 커넥터 세그먼트 중의 제 1 세그먼트는 상기 제 1 전송 선로의 상기 종단 중의 하나에 전기적으로 연결되며,상기 제 1 전송 선로는 상기 커넥터 세그먼트와의 각 교차점에서 간극을 가지며,상기 제 2 전송 선로는 제 1 및 제 2 종단을 가지며,상기 브리지 세그먼트는 상기 제 1 전송 선로에 있는 상기 간극 중의 하나를 연결하고,상기 제 3 전송 선로는 제 1 및 제 2 종단을 가지는 것을 특징으로 하는 브로드사이드-결합 전송 선로 요소.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 2 전송 선로의 상기 제 1 종단은 상기 제 1 전송 선로의 상기 제 2 종단에 전기적으로 연결되고,상기 제 3 전송 선로의 상기 제 1 종단은 상기 제 2 전송 선로의 상기 제 2 종단에 전기적으로 연결되어,상기 브로드사이드-결합 전송 선로 요소가 밸런을 형성하는 것을 특징으로 하는 브로드사이드-결합 전송 선로 요소.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 전송 선로의 상기 제 1 종단에 전기적으로 연결된 제 1 평형측 단자,상기 제 3 전송 선로의 상기 제 1 종단에 전기적으로 연결된 제 2 평형측 단자, 및상기 제 3 전송 선로의 상기 제 2 종단에 전기적으로 연결된 불평형측 단자를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 브로드사이드-결합 전송 선로 요소.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 1 전송 선로의 상기 제 2 종단은 공통 전위에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 브로드사이드-결합 전송 선로 요소.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 2 전송 선로는 거의 상기 제 1 전송 선로 위에 위치하며,상기 제 3 전송 선로는 거의 상기 제 1 및 제 2 전송 선로 위에 위치하는 것을 특징으로 하는 브로드사이드-결합 전송 선로 요소.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 전송 선로를 분리하는 제 1 절연층; 및상기 제 2 및 제 3 전송 선로를 분리하는 제 2 절연층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 브로드사이드-결합 전송 선로 요소.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1, 2, 3 전송 선로 각각의 상기 제 1 종단은 상기 각각의 전송 선로의 내측 단자를 포함하고,상기 제 1, 2, 3 전송 선로 각각의 상기 제 2 종단은 상기 각각의 전송 선로의 외측 단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 브로드사이드-결합 전송 선로 요소.
- 반도체 기판에 밸런을 생성하는 방법에 있어서,상기 기판에 제 1 전송 선로를 형성하는 단계;거의 상기 제 1 전송 선로 위에 위치하는 제 2 전송 선로를 형성하는 단계; 및거의 상기 제 1 및 제 2 전송 선로 위에 위치하는 제 3 전송 선로를 형성하는 단계를 포함하고,상기 제 1 전송 선로는 제 1 및 제 2 종단을 가지며,상기 제 2 전송 선로는 상기 제 1 전송 선로의 상기 제 2 종단에 전기적으로 연결된 제 1 종단을 가지며,상기 제 3 전송 선로는 상기 제 2 전송 선로의 제 2 종단에 전기적으로 연결된 제 1 종단을 가지는 것을 특징으로 하는 밸런 생성 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 2 전송 선로를 형성하기 전에 상기 제 1 전송 선로 위에 유전체층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 밸런 생성 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 3 전송 선로를 형성하기 전에 상기 제 2 전송 선로 위에 유전체층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 밸런 생성 방법.
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