JPH08508615A - 低容量多層伝送線装置を用いる電気回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 伝送線装置２００は、第１誘電性基板２０２上に配置された第１接地面１１８を採用する。第１領域２１３を囲む第１導電層２１０が、第２誘電性基板２０６上に配置され、この基板は第１誘電性基板２０２に実質的に隣接して置かれる。第１領域２１３に対応する領域を囲む第２導電層２１１が、第３誘電性基板２０７上に配置され、この基板は第２誘電性基板２０６に実質的に隣接して置かれる。これにより、本発明による伝送線装置の製造に採用することのできるコイル構造が提供される。

Description

【発明の詳細な説明】 低容量多層伝送線装置を用いる電気回路 発明の分野 本発明は、一般に電気回路に関し、特に低容量伝送線装置を必要とする回路に 関する。 発明の背景 電気伝送線は、ある点から他の点へ電気エネルギおよび信号を伝送するために 用いられる。基本伝送線は、供給源を負荷に接続する。たとえば、送信機をアン テナに、アンテナを受信機に、または制御された方法である点から他の点に信号 を伝えることを必要とする他の任意の用途において接続を行う。その特性インピ ーダンスおよび電気長（electrical length）によって評価することのできる電 気伝送線は、無線周波数（ＲＦ）回路の重要な電気部品である。特に、伝送線は 、インピーダンス整合（impedance matching）、即ち、ある回路の出力インピー ダンスを他の回路の入力インピーダンスに整合するために用いることができる。 さらに、信号波長の関数として通常表現される伝送線の電気長は、伝送線装置の もう１つの重要な特性を表 す。 伝送線装置の特性インピーダンスと電気長の操作は、特定の電気的結果を得る ための周知の技術である。特に、出力インピーダンスＺ_outは、後述される既知 の等式により入力インピーダンスＺ_inに整合することができる。同様に、伝送線 装置の減衰および位相シフトは、伝送線装置の入力ポートと出力ポートとの間の 導体の物理的な長さを変更することにより変えることができる。たとえば、導体 の物理長が信号の公称周波数を４等分したものにほぼ等しい場合は、共振回路と なる。 もちろん、高い周波数では、波長は小さく、伝送線装置は小さいパッケージ内 に比較的短い導体を用いて構築することができる。逆に、印加された信号の公称 周波数が下がると、所望の伝送線特性を得るためには、物理長を必然的に大きく しなければならない。より低い周波数で動作する用途に対応するには、それに応 じて物理長を長くしなければならない。 マイクロストリップ（microstrip）およびストリップ線路導体（stripline co nductor）を含む従来の技術は、従来は伝送線装置を構築することに成功してき た。残念ながら、より低い周波数、たとえば、１ＧＨｚ未満では、このような一 次元の導電性ストリップが配置された基板は、長さの要件が過剰になるために比 較的大きな面積を必要とする。現在の電子装置は寸法が小さいので、必要な電気 部品に割 り当てられる基板空間もそれに応じて小さくなる。そのため、低周波数信号に関 して伝送線装置として機能するマイクロストリップまたはストリップ線路導体を 有する基板を、使用可能な基板空間内に単純に載せることができない。 採用される他の技術は、接地シリンダ内に配置される螺旋構造として説明する ことができる。このような螺旋コイルは当技術では周知のものであるが、これも 携帯用電子装置の製造において低容量低価格が重大な要因になる現在の用途につ いては充分でないことが多い。長さとインピーダンスの仕様が厳密であるために 、螺旋構造の製造は非常にコストがかかる。すなわち、このような装置の構築に おいて製造上の変動、たとえば、導体の直径，巻線の対称性および有効巻回数な どのために、許容値の厳しい伝送線装置に関しては、螺旋構造を使うことが望ま しい解決策とはならない。さらに、伝送線装置を構築する際に必要な機能である 円筒形接地部は、比較的大きな容量または形状係数の悪い回路となってしまい、 現在の多くの用途において適さない。 従って、従来技術の欠点の制約を受けない伝送線装置が必要である。特に、従 来のものよりも実質的に容積の小さい、すなわちより良い形状係数を有する装置 が得られると従来技術に対する改善となる。このような装置で、製造のための対 費用効果が優れており、より低い動作周波数で用いることができる装置があると 、従来の技術による伝送線 装置に対して際立った利点を提供する。 図面の簡単な説明 第１図は、本発明のある実施例による縦型に積層された半円導体を用いる多層 セラミック伝送装置である。 第２図は、本発明の第２実施例による縦型に積層された全円導体を用いる多層 セラミック伝送装置である。 第３図は、本発明の第３実施例による縦型に積層された螺旋状導体を用いる多 層セラミック伝送装置である。 第４図は、本発明の別の実施例による横型に配置されたストリップ導体を用い る多層セラミック伝送装置である。 第５図は、本発明による多層セラミック電力分割／結合装置を示す。 第６図は、縦型に積層された伝送線装置と横型に配置された伝送線装置を採用 して利点を得る多重伝送線装置を示す。 第７図は、本発明による複数の伝送線装置を採用する回路であって、埋込型接 地面を採用して利点を得る回路を示す。 好適な実施例の詳細な説明 多層セラミック処理技術を用いて、伝送線特性を有する 装置を形成することができる。伝送線装置には、第１誘電性基板上に配置された 少なくとも第１の接地面が含まれる。第１および第２導電層が、第１誘電性基板 に実質的に隣接する別の誘電性基板上に配置される。第１および第２導電層は、 それぞれ、それぞれの誘電性基板上の対応する領域を少なくとも部分的に囲む。 導電層と実質的に隣接する接地面とをこのように配列すると、伝送線装置に関し て長い電気長とより制御可能な特性インピーダンスとを必要とする設計が容易に なる。さらに、この配列は、比較的安価な多層技術を有利に採用し、そのために 従来技術の問題に対して低価格で低容量の解決策となる。 第１図ないし第７図に本発明がより詳しく説明される。第１図は、組み立てら れると伝送線特性を有する装置となる多層基板構造１００を示す。すなわち、上 面基板１０２上に配置された信号入力ポート１０１と、底面基板１０４上に配置 された信号出力ポート１０３との間に伝送線装置が形成される。さらに、中間基 板１０６ないし１０８（３個が図示されるが、必要に応じてこれより多くても少 なくてもよい）が、導電性パターンすなわち層１１０ないし１１２のための支持 構造となり、これらの層はそれぞれの誘電性基板１０６ないし１０８の領域を少 なくとも部分的に囲む。図示されないが、導電性パターン１１０ないし１１２は 、各半円の交番端（alternating end）において導電性経路（conductive via） により接続され、連続した導電路 を形成する。別の導電層１１４が底面基板１０４の第１主表面１１６上に配置さ れ、図示されない導電性経路を用いて他の層に接続される。上面基板１０２には 、さらに、伝送線装置の接地面として機能する金属被覆部１１８が含まれる。同 様に、底面基板１０４は、好ましくは、その第２主表面１２０上に配置された第 ２接地面を含み、この第２接地面のシールド性，対称性および境界効果により、 一般にこの第２接地面がより安定な回路パッケージを確実にする。最後に、導電 性経路１２２，１２４は、入力信号および出力信号を上面基板１０２および底面 基板１０４にそれぞれ運ぶために用いられる。このように、多重巻コイルが設け られ、これは１つまたは好ましくは２つの接地面に実質的に隣接して、低容量伝 送線装置が得られる。 好適な実施例においては、誘電性基板１０２，１０４，１０６ないし１０８は 、共燃性金属組成物（co-fireablemetal composition）と共燃することのできる セラミック材料を用いて形成される。さらに、導電層１１０ないし１１２，１１ ４は、たとえばDuPont's Green Tape^(TM)，Systemsなどにより提供される誘電性 基板上に好ましくは配置され、それによって比較的高いコンダクタンス値を有す る導電層を生成する。同様に、導電性経路１２２，１２４は、図示されない中間 基板１０６ないし１０８に形成される経路と同様に、共燃性金属組成を用いるセ ラミック内に空間をおいて配列され、あらかじめ穿設された孔の容積 を少なくとも部分的に満たすことにより作成される。最後に、第１図では導電層 １１０ないし１１２は、半円形の環状構造として図示されるが、用途の要件によ り以下に説明する他の環状構造を採用することができることに留意されたい。さ らに、入力／出力端子はここでは、パッケージの対向面上に図示されるが、同一 面上に容易に配列することもできることを理解されたい。伝送線装置が入力端子 と出力端子との間に電気的に位置してさえいればよい。 第２図は、本発明の別の実施例による多層基板構造２００で、導電層として全 円の環状構造を採用する。すなわち、環状部２１０は、誘電性基板２０６上の領 域２１３を実質的に囲むほぼ完ぺきな円形層によって構成される。同様に、環状 部２１１，２１２は、誘電性基板２０７，２０８上で、実質的に囲まれた領域２ １３に対応する領域をそれぞれ実質的に囲むほぼ完ぺきな円形層によって構成さ れる。このように環状構造２１０ないし２１２を採用することにより、同じ数の セラミック層を用いて、導電層の物理長、すなわち伝送線の電気長を長くする。 もちろん、これによって、従来技術による伝送線設計と比べて、必要とされる誘 電性材料の量も少なくて済み、製造コストも大幅に下がる。 第３図は、螺旋構造を導電層として採用するさらに別の多層基板構造３００を 示す。特に、螺旋導体３１０ないし３１２，３１４が誘電性基板３０６ないし３ ０８，３０４上にそれぞれ配置され、本発明による多層伝送線装置をも たらす。第２図に説明された全円環状構造と同様に、螺旋構造は、このような要 求のある用途に関して物理長、そして電気長を増大するという利点を有する。一 般に、このような用途には、１００ＭＨｚないし３ＧＨｚの周波数範囲で動作す る回路が含まれ、この周波数では、高周波の用途よりも長い導電長を必要とする 。従って、本発明により従来の技術を用いて得られるより実質的に低い周波数で 用いることのできる低容量伝送線装置の製造が可能になる。 第１図ないし第３図は、複数の縦型に隣接する誘電性基板上に縦型に積層され た導電層の利用を示すが、本発明では、さらに、２枚以上の基板の上に横型に配 置された導電層の利用を考える。第４図は、隣接する誘電性基板上に配列された 複数の導電性ストリップを利用して、伝送線特性を有する装置を得る多層基板構 造４００を示す。上記に説明された縦型積層の実施例と同様に、横型に配置され た構造には上面基板４０２と底面基板４０４、ならびに中間の誘電性基板と入力 ／出力信号をやり取りする導電性経路（図示せず）が含まれる。誘電性基板４０ ３には、横型配置導電性ストリップ４０６ないし４０８（３つが図示されるが、 必要に応じてこれより多くても少なくても良い）と、これも図示されないが、誘 電層間に電気信号を伝える導電性経路とが含まれる。導電性ストリップ４１０， ４１１は、誘電性基板４０４の第１主表面４１２上に横型に配置され、導電層４ ０６ないし４０８と共に多重巻コイルを形成する。 多層構造４００には、さらに伝送線装置の接地面として機能する金属被覆部４１ ４が含まれる。同様に、誘電性基板４０４の第２主表面は、伝送線装置の第２接 地面として機能する金属被覆部４１６を好ましくは含む。 第４図は数回だけ巻いたコイルを示すが、誘電性基板４０３，４０４は、必要 な数の巻数（すなわち、電気長を長くするために）を提供するために横型に配置 された多くの導電性ストリップを有することができることに注目されたい。この ようにして多層装置を構築することにより、従来の技術による同等の装置よりも はるかに低い周波数で動作することのできる、プロフィールの低い伝送線装置が 作成される。 第５図は、本発明による電力分割／結合装置（power splitter/combiner）５ ００の分解組立図を示す。上面基板５０２には、１対の伝送線装置４２１，４２ ３からの／への入力／出力信号をテストするための入力／出力端子５０３が含ま れる。同様に、底面基板５０４には、装置と信号をやり取りする出力／入力端子 が含まれる。第１図ないし第３図に関して説明された単コイルの実施例と同様に 、上面基板５０２には伝送線装置の接地面として機能する金属被覆部５０５が含 まれ、底面基板には好ましくは第２接地面５０７が含まれる。好適な実施例にお いては、中間誘電性基板５０６は、一次導電層４２１−１，４２３−１およびノ ード４２５を支持する。分離間隔５０８を大きくす ることにより、あるいは導電性パターンすなわち層４２１−１，４２３−１を微 調整することにより、導電層４２１−１と４２３−１との間の望ましくない結合 を最小限に抑えることができることに注意されたい。底面基板５０４の第１主表 面は、二次導電層４２１−２，４２３−２を支持し、これらの導電層は中間誘電 性基板５０６に実質的に隣接して配置され（さらに図示されない導電性経路を用 いて一次導電層４２１−１，４２３−１に接続され）る。この方法で電力分離／ 結合装置を作成することにより、より容量の小さいパッケージ内により広い範囲 のＺ₀値を得ることができるので、設計上の融通性が大きくなる。 第６図は、本発明により設計された多重伝送線装置６００の分解組立図である 。上面基板６０２と底面基板６０４の第２主表面とは、すでに説明された実施例 と効果上は同じものである。中間基板６０３は、横型配置導体６０６に関しても 縦型積層導体６０８に関しても一次コイル構造を支持するよう図示される。縦型 積層導体６０８は、上記と実質的に同じ方法で作成される。横型配置導体６０６ は、以下の要領で作成される：複数の導電性ストリップ６０６−１が中間誘電体 上に配置される。第２の複数の導電性ストリップ６０６−２が底面基板６０４の 第１主表面上に配列される。導電性ストリップ６０６−２は、導電性経路（図示 せず）により導電性ストリップ６０６−１に接続されると、水平に指向されるコ イルを作成するように配列さ れる。２つの必要な伝送線装置のうち第２の装置をこのように指向することによ り、望ましくない電磁結合という問題を回避することに役立つ。従来の技術によ る回路でよく起こるように、コイルが実質的に互いに平行になると、この電磁結 合が起こる。 第７図は、本発明により構築することのできる位相反転インピーダンス変成回 路の好適な実施例を示す。電気ノード６２１ないし６２４は、導電性経路に電気 的に結合された入力／出力パッドとして上面基板７０２上に示される。これらの 導電性経路は、９枚の基板層を貫通して適切に配置された他の経路と同様に、周 知の方法で信号を層から層に伝えるために用いられる。一般に、回路構造７００ は、１個の３／４波伝送線装置７０７と、３個の１／４波伝送線装置７１５ない し７１７によって構成される。基板７０３上に配置された部分７０７−１と誘電 性基板７０４上に配置されたコイル部７０７−２とを用いて、より長いコイル構 造７０７が実現される。さらに、金属被覆部７１１が基板７１２上に選択的に付 着され、本発明によるコイル構造７０７の埋込接地面として機能する。導電性経 路７１４は、第１コイル部７０７−１から第２コイル部７０７−２に電気信号を 伝えるために用いられる。導電経路７１４を用いて、電気信号は第１コイル部７ ０７−１から第２コイル部７０７−２を通じる。このように、従来の技術で見ら れるコイル間の問題（inter-coil problem）を起こさずに、 ｚ方向（すなわち、高さ方向）で使用できる空間を利用することにより、比較的 長い導体を小さな面積に入れることができる。 ３つの１／４波伝送線装置７１５ないし７１７は、層６，７，８の上に同様に 配置される。特に、基板７１８は、第１コイル部７１５−１，７１６−１，７１ ７−１を支持し、基板７２０は、二次コイル部７１５−２，７１６−２，７１７ −２を支持する。さらに、本発明による１／４波伝送線装置のそれぞれに関して 、第１と第２コイル段との間に埋込接地面７１９が付着される。好適な実施例に おいては、任意の接地面７２１が、誘電性基板７２２（すなわち、底面基板）上 に付着され、上面基板７０２と底面基板７２２との間に配置された伝送線装置の それぞれについて静電容量定格（capacitance rating）を改善する。 上記の方法で、多くの伝送線装置を必要とする複合電気回路を比較的小さな面 積に構築することができ、実質的に容量が小さいパッケージが得られる。このよ うにして、本発明は複数の伝送線装置を採用し、比較的低い周波数で動作するこ とが必要な電気回路に関しても低価格低容量の解決策を確保する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 ０８／１８９，０３０ (32)優先日 1994年１月28日 (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，Ｍ Ｃ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ， ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ)，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，Ｃ Ｎ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＴ， ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＮ，ＭＷ，ＮＬ，ＮＯ，Ｎ Ｚ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＩ，ＳＫ ，ＴＪ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者 ヒュアン，ロン・フォン アメリカ合衆国ニュー・メキシコ州アルバ カーキ、ノース・イースト、ティン・ドラ イブ8216

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．第１誘電性基板上に配置された第１接地面； 第２誘電性基板上の第１領域を少なくとも部分的に囲む第１導電層において、 前記第２誘電性基板が前記第１誘電性基板に実質的に隣接して置かれる第１導電 層； 第３誘電性基板上の第１主表面上の前記第１領域に対応する第２領域を少なく とも部分的に囲む第２導電層において、前記第３誘電性基板が前記第２誘電性基 板に実質的に隣接して置かれる第２導電層； によって構成されることを特徴とする伝送線装置。 ２．第１誘電性基板上に配置される第１接地面； 第２誘電性基板上の第１領域を少なくとも部分的に囲む第１導電層において、 前記第２誘電性基板が前記第１誘電性基板に実質的に隣接して置かれる第１導電 層； 第３誘電性基板上の第１主表面上の前記第１領域に対応する第２領域を少なく とも部分的に囲む第２導電層において、前記第３誘電性基板が前記第２誘電性基 板に実質的に隣接して置かれる第２導電層；および、 前記第３誘電性基板の第２主表面上に配置された第２接地面； によって構成されることを特徴とする伝送線装置。 ３．第１誘電性基板上に配置される第１接地面； 第２誘電性基板上に配置される第１群の導電ストリップ において、前記第２誘電性基板が前記第１誘電性基板に実質的に隣接して置かれ る第１群の導電ストリップ； 第３誘電性基板の第１主表面に配置される第２群の導電ストリップにおいて、 前記第３誘電性基板が前記第２誘電性基板に実質的に隣接して置かれる第２群の 導電ストリップ；および、 前記第１群の導電ストリップを前記第２群の導電ストリップと接続するための 導電手段において、前記第１群の導電ストリップと前記第２群の導電ストリップ を用いて多重巻コイルを形成する導電手段； によって構成される伝送線装置。 ４．入力信号を提供する第１入力手段； 出力信号を提供する第１出力手段；および、 前記第１入力手段と前記第１出力手段との間に実質的に配置される第１伝送線 装置において、前記第１伝送線装置であって： 第１誘電基板上に配置される第１接地面； 第２誘電性基板上の第１領域を少なくとも部分的に囲む第１導電層において 、前記第２誘電性基板が前記第１誘電性基板に実質的に隣接して置かれる第１導 電層；および、 第３誘電性基板上の第１主表面上の前記第１領域に対応する第２領域を少な くとも部分的に囲む第２導電層において、前記第３誘電性基板が前記第２誘電性 基板に実質的に隣接する第２導電層； によって構成される電気回路。 ５．入力信号を提供するための第１入力手段； 出力信号を提供するための第１出力手段；および、 前記第１入力手段と前記第１出力手段との間に実質的に置かれる伝送線回路で あって： 第１誘電性基板上に置かれる第１接地面； 第２誘電性基板上の関連領域をそれぞれ少なくとも部分的に囲む第１群の導 電層において、前記第２誘電性基板が前記第１誘電性基板に実質的に隣接して置 かれる第１群の導電層； 第３誘電性基板の第１主表面上の前記関連領域に対応する領域を少なくとも 部分的に囲む第２群の導電層において、前記第３誘電性基板が前記第２誘電性基 板に実質的に隣接して置かれる第２群の導電層； 前記第３誘電性基板の第２主表面上に置かれる第２接地面であって、それに より伝送線インピーダンス変成装置を作成する第２接地面； によって構成される伝送線回路； によって構成されることを特徴とする電気回路。 ６．第１誘電性基板上に置かれる第１接地面； 第１多重巻コイルにおいて： 第２誘電性基板上に置かれる第１群の導電ストリップであって、前記第２誘 電性基板が前記第１誘電性基板に実質的に隣接して置かれる第１群の導電ストリ ップ； 第３誘電性基板の第１主表面上に置かれる第２群の導電ストリップであって 、前記第３誘電性基板が前記第２誘電性基板に実質的に隣接して置かれる第２群 の導電ストリップ；および、 第２多重巻コイルにおいて： 前記第１群の導電性ストリップに実質的に隣接する第２誘電性基板上に置か れる第１導電性螺旋構造；および、 前記第２群の導電性ストリップに実質的に隣接する第３誘電性基板上に置か れる第２導電性螺旋構造； によって構成される第２多重巻コイル； によって構成されることを特徴とする電気回路。 ７．入力信号を提供するための第１入力手段； 出力信号を提供するための第１出力手段；および、 前記第１入力手段と前記第１出力手段との間に電気的に置かれる第１伝送線回 路であって： 第１誘電性基板上に置かれる第１接地面； 第２誘電性基板上の第１領域を少なくとも部分的に囲む第１導電層において 、前記第２誘電性基板が前記第１誘電性基板に実質的に隣接して置かれる第１導 電層； 第３誘電性基板の第１主表面上の前記第１領域に対応する第２領域を少なく とも部分的に囲む第２群の導電層において、前記第３誘電性基板が前記第２誘電 性基板に実質的に隣接して置かれる第２群の導電層；および、 前記第２誘電性基板と前記第３誘電性基板との間に実 質的に配置される第４基板上に置かれる埋込接地面； によって構成されることを特徴とする電気回路。 ８．入力信号を提供するための第１入力端子； 出力信号を提供するための第１出力端子；および、 前記第１入力端子と前記第１出力端子との間に電気的に置かれる伝送線回路で あって： 第１誘電性基板上に置かれる第１接地面； 第２誘電性基板上の関連領域を少なくとも部分的に囲む第１群の導電層にお いて、前記第２誘電性基板が前記第１誘電性基板に実質的に隣接して置かれる第 １群の導電層； 第３誘電性基板の第１主表面上の前記関連領域に対応する領域を少なくとも 部分的に囲む第２群の導電層において、前記第３誘電性基板が前記第２誘電性基 板に実質的に隣接して置かれる第２群の導電層； 前記第２誘電性基板と前記第３誘電性基板との間に実質的に配置される第４ 基板上に置かれる埋込接地面；および、 前記第３誘電性基板の第２主表面上に置かれる第２接地面であって、それに より伝送線インピーダンス変成装置を作成する第２接地面； によって構成される伝送線回路； によって構成されることを特徴とする電気回路。 ９．入力信号を提供するための第１入力端子； 出力信号を提供するための第１出力端子；および、 前記第１入力端子と前記第１出力端子との間に電気的に置かれる伝送線回路で あって： 第１誘電性基板上に置かれる第１接地面； 第２誘電性基板上の関連領域を少なくとも部分的に囲む第１群の導電層にお いて、前記第２誘電性基板が前記第１誘電性基板に実質的に隣接して置かれる第 １群の導電層； 第３誘電性基板の第１主表面上の前記関連領域に対応する領域を少なくとも 部分的に囲む第２群の導電層において、前記第３誘電性基板が前記第２誘電性基 板に実質的に隣接して置かれる第２群の導電層； によって構成される伝送線回路； 前記第２誘電性基板と前記第３誘電性基板との間に実質的に配置される第４ 基板上に置かれる埋込接地面；および、 前記第３誘電性基板の第２主表面上に置かれる第２接地面であって、それに より伝送線インピーダンス変成装置を作成する第２接地面； 前記第１出力端子と動作するように結合する出力を有する第２伝送線装置； および、 前記電気回路のための入力を提供するために前記第２伝送線装置に動作可能 に結合する第２入力端子であって、それにより電力結合装置を導出する第２入力 端子； によって構成されることを特徴とする電気回路。 １０．前記第２伝送線装置において、前記第２接地面の前記伝送装置の対向側 に置かれる第６誘電性基板上に少なくとも部分的に配置される請求項９記載の電 気回路。