KR20040017429A - 유리기판 식각장비 및 이를 이용한 식각방법 - Google Patents

유리기판 식각장비 및 이를 이용한 식각방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040017429A
KR20040017429A KR1020020049490A KR20020049490A KR20040017429A KR 20040017429 A KR20040017429 A KR 20040017429A KR 1020020049490 A KR1020020049490 A KR 1020020049490A KR 20020049490 A KR20020049490 A KR 20020049490A KR 20040017429 A KR20040017429 A KR 20040017429A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
etching solution
etching
unit
glass substrate
solution
Prior art date
Application number
KR1020020049490A
Other languages
English (en)
Inventor
박성근
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR1020020049490A priority Critical patent/KR20040017429A/ko
Publication of KR20040017429A publication Critical patent/KR20040017429A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B29/00Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins
    • C03B29/04Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins in a continuous way
    • C03B29/06Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins in a continuous way with horizontal displacement of the products
    • C03B29/08Glass sheets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

Abstract

본 발명은 식각용액 온도를 제어하여 액정패널 외면의 식각 두께의 균일도를 확보하고, 제조비용을 줄일 수 있는 유리기판의 식각장비 및 식각방법에 관한 것으로, 식각기; 상기 식각기에 의해 기판을 식각한 후의 식각용액의 불순물을 제거하여 저장하는 식각용액재생부; 증류수와 식각원액을 각각 제공하는 DI공급부 및 식각원액공급부; 상기 DI공급부와 식각원액공급부로부터 DI 및 식각원액을 공급받고 상기 식각용액재생부로부터 정제된 식각용액을 공급받아 식각용액을 믹싱하여 상기 식각기에 공급하는 믹싱부; 상기 믹싱부 내의 용액 온도를 일정하게 유지하는 온도제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

유리기판 식각장비 및 이를 이용한 식각방법{GLASS SUBSTRATE ETCHING APPARATUS AND THE METHOD THEREOF}
본 발명은 유리기판 식각(etching)장비 및 이를 이용한 식각방법에 관한 것으로, 특히 온도 편차에 따른 기판 식각 불균일을 방지할 수 있는 유리기판 식각장비 및 이를 이용한 식각방법에 관한 것이다.
근래에 LCD(Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electroluminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display)등 여러 가지 평판 디스플레이 장치가 연구되고 있으나, 그 중에서도 액정표시소자(LCD)는 여러 가지 단점에도 불구하고 화질이 우수하고 소비전력이 작아 가장 실용화되고 있다.
상기 액정표시소자는 소정간격을 두고 서로 대향되어 있는 하부기판과 상부기판, 및 상기 양 기판사이에 형성된 액정층으로 구성되어 있는데, 상기 상부기판에는 블랙 매트릭스층 및 컬러 필터층이 형성되어 있고, 상기 하부기판에는 일정한 간격으로 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 복수의 게이트 라인과 데이터 라인, 및 상기 화소영역에 형성되어 있는 화소 전극과 박막 트랜지스터가 형성되어 있다.
상기 구조의 액정표시소자는 박막트랜지스터와 화소전극 등을 구비하는 하부기판을 형성하는 공정, 컬러필터등을 구비하는 상부기판을 형성하는 공정, 상기 상부 및 하부 기판을 합착하여 액정패널을 형성하고, 상기 패널을 절단하여 다수의 단위 액정패널로 형성한 다음, 액정 주입 및 봉지하는 공정 등을 거쳐서 제조된다.
이와 같은 액정표시소자는 특히, 휴대용 텔레비젼이나 노트북 컴퓨터 등의 경우 사용자가 휴대할 수 있도록 소형 및 경량이 요구되고 있으나, 그 구조나 현재 기술상 소형 및 경량에는 한계가 있다. 다만, 액정표시소자의 가장 기본적인 구성요소인 유리기판은 액정표시소자의 구성요소 중에 가장 중량이 크고, 그 중량을 줄일 수 있는 여지가 남아 있어 그에 대한 연구가 계속되고 있다.
상기 유리기판의 중량을 줄이기 위해서는 유리기판의 두께를 얇게 하여야 하는데, 액정표시소자의 제조공정 중에 유리기판에 물리적인 힘이 가해지는 경우가 많고, 기판을 가열 및 냉각하는 공정도 많이 거치게 되어 유리의 두께가 얇아지면 유리가 파손되기 쉽다.
따라서, 최근에는 공정 초기에는 두꺼운 유리기판을 사용한 후, 후속 공정에서 유리기판을 얇게 형성하는 방법이 이용되고 있다. 즉, 두꺼운 유리기판에 소자나 컬러필터를 형성하여 상하 유리기판을 제조하고, 양 기판을 합착하여 액정패널을 형성한 후, 상기 액정패널의 외면을 깍아냄으로써 액정표시소자의 두께를 줄이는 것이다.
상기 액정패널의 외면을 깍는 방법으로는 강산의 식각액에 의한 습식식각 방법이 일반적으로 사용된다. 즉, 유리기판을 식각액이 채워진 용기에 담가 이 식각액에 의해 유리기판의 표면을 식각하여 박형화하는 것이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 유리기판 식각장비를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래기술에 따른 유리기판 식각장비의 블록 다이어그램으로, 식각기(1)와, 상기 식각기(1)에 의해 기판을 식각한 후의 식각용액의 불순물을 제거하여 저장하는 식각용액재생부(2)와, DI(탈이온수, Deionized water)를 제공하는 DI공급부(3)와 식각원액공급부(4)와, 상기 DI공급부(3)와 식각원액공급부(4)로부터 DI 및 식각원액을 공급받고 상기 식각용액재생부(2)로부터 정제된 식각용액을 공급받아 상기 식각기(1)에 식각용액을 제공하는 식각용액믹싱부(5)를 포함하여 구성된다.
그리고 상기 식각기(1)로부터 식각된 기판에 잔류하는 식각용액을 DI로 제거하는 세정부(6) 및 상기 세정된 기판을 건조시키는 건조부(7)를 더 포함하여 구성된다.
도 2는 상기 도 1의 블록 다이어그램을 기초로 한 종래기술에 따른 유리기판 식각장비를 도시한 것이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 밀폐된 식각용기(1a)와, 상기 식각용기와 적어도 하나의 관으로 연결되어 질소(N2) 또는 산소(O2)를 공급하는 공급관(1b)이 연결된 식각기(1)와, 일측에 형성된 DI(탈이온수, Deionized water)를 제공하는 DI공급부(3)와, 식각원액공급부(4)와, 상기 DI공급부(3) 및 식각원액공급부(4)로부터 각각 DI 및 식각원액을 공급받고, 상기 식각용액재생부(2)로부터 정제된 식각용액을 제공받아 각각을 믹싱하여 상기 식각기(1)에 식각용액을 제공하는 식각용액믹싱부(5)를 포함하여 구성된다.
도 1의 세정부(6) 및 건조부(7)는 도시하지 않았다.
상기 식각용액재생부(2)에 저장되어 정화된 식각용액은 식각용액믹싱부(5)에 공급되며, 식각용액 화합물을 공급하는 DI공급부(3)와 식각원액공급부(4)로부터 제공된 DI(탈이온수, Deionized water) 및 식각원액과 혼합된다.
그리고 상기 식각용액믹싱부(5)의 일측에는 농도측정장치(5a)가 있어 식각용액믹싱부(5) 내부의 농도를 측정하며, 이미 설정된 식각용액의 기준농도에 도달하면 DI공급부(3) 및 식각원액공급부(4)로부터 공급이 중단된다.
상기 식각용액믹싱부(5)로부터 식각용액이 식각기(1)의 식각용기(1a)로 유입되어 기판이 식각된다.
그러나, 종래의 유리기판의 식각장비는 다음과 같은 문제점이 있다.
상기 식각장비를 이용한 유리기판의 식각방법은 다수의 액정패널이 장착된 카세트(Cassette)를 상기 식각기(1)에 넣어 액정패널의 외면과 식각액의 발열반응에서 발생된 열을 측정함으로써 상기 액정패널의 외면을 균일하게 식각한다.
여기서, 상기 액정패널을 1차 식각한 식각액은 상기 발열반응으로 인해 1 ~ 2℃ 정도 상승되어 식각용액재생부(2)로 흘러들어가 정제된다. 이러한 식각액이 상기 식각용액믹싱부(5)로 공급되면 식각용액믹싱부(5)내의 식각용액 온도가 상승되어 식각기(1)로 공급되게 되는데, 이러한 방식으로 여러 카세트에 장착된 액정패널을 연속하여 식각하게 되면 상기 온도상승으로 인해 식각 시간 및 식각량에 큰 영향을 주게 된다.
이러한 카세트간 액정패널의 식각량 차이로 인하여 액정패널을 다수의 단위 액정패널로 형성하는 절단 공정에 있어서, 셀 절단선의 불균일 발생 가능성이 높아 파손 불량 가능성이 존재하게 된다.
이를 좀더 구체적으로 설명하면, 상기 절단 공정은 유리보다 경도가 높은 다이아몬드 재질의 휠(Wheele)로 셀 절단선을 형성하는 스크라이브(Scribe) 공정과압력을 가하여 절단하는 브레이크(Break) 공정으로 진행된다.
상기 절단 휠은 일정한 압력으로 유리재질의 액정 패널과 밀착되어 회전하면서 일정한 깊이의 홈을 형성하도록 셋팅(Setting)되게 된다.
이때, 상기 카세트간 액정패널의 식각량 차이로 인하여 액정패널의 두께가 상이하게 되더라도, 상기 셋팅된 깊이의 홈이 형성되도록 스크라이브 공정이 진행되게 되는데, 이는 상기 셀 절단선의 불균일을 발생하게 하여 액정 패널에 형성된 홈으로부터 크랙의 전파방향을 정밀하게 제어하기가 어렵다. 이로 인하여 외부의 충격을 통해 크랙이 아랫방향으로 전파되도록 하여 액정 패널을 절삭하는 공정에 있어서 액정패널의 파손 불량을 야기시킬 수 있다.
또한, 종래의 식각방법에 있어서, 상기 식각장비의 식각진행 초기시, 더미 유리기판을 사용하여 식각용액믹싱부의 식각용액 온도를 일정치 상승시킨 다음, 액정패널을 식각하였다. 이는 실제 액정패널 식각공정에서 어느 정도 온도를 상승시킨 식각용액을 사용함으로써 액정패널과 식각용액의 발열반응을 활성화하기 위한 것임과 동시에, 더미 유리기판의 식각 정도를 테스트하여 액정패널에 적용하기 위한 것이다. 이로 인하여, 초기 액정패널 식각시 불필요한 더미 유리기판을 사용함으로 인해 제조비용을 상승시켰다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 식각용액 온도를 제어하여 액정패널 외면의 식각 두께의 균일도를 확보하고, 제조비용을 줄일 수 있는 유리기판의 식각장비 및 식각방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 유리기판 식각장비의 구성블록도.
도 2는 도 1의 유리기판 식각장비의 세부상세도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유리기판의 식각장비에 대한 구성블록도.
도 4는 도 3의 유리기판의 식각장비의 세부구성도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
10 : 식각기20 : 식각용액재생부
30 : DI 공급부 40 : 식각원액공급부
50 : 믹싱부54 : 냉풍기
56 : 열풍기58 : 기체투사기
60 : 배관62 : 밸브
64 : 조인트부100 : 온도제어부
상기 목적 달성을 위한 본 발명의 유리기판의 식각장비는 식각기; 상기 식각기에 의해 기판을 식각한 후의 식각용액의 불순물을 제거하여 저장하는 식각용액재생부; 증류수와 식각원액을 각각 제공하는 DI공급부 및 식각원액공급부; 상기 DI공급부와 식각원액공급부로부터 DI 및 식각원액을 공급받고 상기 식각용액재생부로부터 정제된 식각용액을 공급받아 식각용액을 믹싱하여 상기 식각기에 공급하는 믹싱부; 상기 믹싱부 내의 용액 온도를 일정하게 유지하는 온도제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 식각방법은, 식각기와 식각용액재생부와 증류수를 제공하는 DI공급부와 식각원액을 공급하는 식각원액공급부와 상기 DI공급부와 식각원액공급부로부터 DI 및 식각원액을 공급받고 상기 식각용액재생부로부터 정제된 식각용액을 공급받아 식각용액을 믹싱하는 믹싱부로 이루어진 식각장비에 유리기판을 제공하는 단계; 상기 믹싱부 내의 제 1 식각용액을 가열하여 일정온도로 셋팅하는 단계; 상기 가열된 제 1 식각용액을 상기 식각기내로 공급하여 상기 유리기판을 식각하는 단계; 상기 유리기판을 식각하고 난 후 상기 제 1 식각용액을 정제하는 단계; 상기 제 1 식각용액과 DI 및 식각원액을 상기 믹싱부로 공급하여 제 2 식각용액을 생성하는 단계; 상기 제 2 식각용액을 상기 셋팅된 온도로 맞춰주는 단계; 및 상기 제 2 식각용액을 상기 식각기에 공급하여 상기 유리기판을 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유리기판의 식각장비에 대한 구성블록도이고, 도 4는 도 3의 유리기판의 식각장비의 세부구성도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 식각기(10)와, 상기 식각기(10)에 의해 기판을 식각한 후의 식각용액의 불순물을 제거하여 저장하는 식각용액재생부(20)와, DI(탈이온수, Deionized water)를 제공하는 DI공급부(30)와 식각원액을 제공하는 식각원액공급부(40)와, 상기 DI공급부(30)와 식각원액공급부(40)로부터 DI 및 식각원액을 공급받고 상기 식각용액재생부(20)로부터 정제된 식각용액을 공급받아 상기 식각기(10)로 식각용액을 공급하는 믹싱부(50)와, 상기 믹싱부(50)내의 온도를 일정하게 유지하도록 제어하는 온도제어부(100)를 포함하여 구성된다.
이때, 상기 온도제어부(100)는 냉풍기(54), 열풍기(56) 및 기체투사기(58)를 포함하여 이루어진다.
도 4는 상기 도 3의 구성 블록도를 기초로 한 본 발명에 따른 유리기판 식각장비를 도시한 것이다.
도시된 바와 같이, 밀폐된 식각용기(10a)와, 상기 식각용기(10a)와 적어도 하나의 관으로 연결되어 질소(N2) 또는 산소(O2)를 공급하는 공급관(10b)이 연결된 식각기(10)와, 상기 식각기(10)에 의해 기판을 식각한 후의 식각용액의 불순물을 제거하는 필터와 상기 필터에 의해 정제된 식각용액을 저장하는 저장필터로 구성된 식각용액재생부(20)와, 일측에 형성된 DI(탈이온수, Deionized water)를 제공하는 DI공급부(30)와, 식각원액(예를 들면 HF 용액)을 공급하는 식각원액공급부(40)와,상기 DI공급부(30) 및 식각원액공급부(40)로부터 각각 DI 및 식각원액을 공급받고, 상기 식각용액재생부(20)로부터 정제된 식각용액을 제공받아 각각을 믹싱하는 믹싱부(50) 및 상기 믹싱부(50) 내의 온도를 일정하게 유지하는 온도제어부(100)를 포함하여 구성된다.
상기 온도제어부(100)는 믹싱부(50)에서 믹싱되는 식각용액의 온도를 제어하여 상기 식각기(10)내에 항상 일정한 온도를 갖는 식각용액이 공급되도록 구성된다.
이러한 온도제어부(100)는 상기 믹싱부(50) 내의 식각용액의 온도를 하강시키는 냉풍기(54)와, 상기 믹싱부(50) 내의 식각용액의 온도를 상승시키는 열풍기(56)와, 상기 냉풍기(54)와 열풍기(56)가 상기 믹싱부(50) 내의 식각용액의 온도를 원활히 제어할 수 있도록 하는 기체투사기(58)를 포함하여 이루어진다.
상기 냉풍기(54), 열풍기(56) 및 기체투사기(58)는 배관(60)을 통하여 믹싱부(50)와 연결되어 있다. 상기 배관(60)의 끝단부에는 버블 홀(Bubble Hole, 60a)이 형성되어 있어 믹싱부(50) 내의 식각용액을 상기 버블 홀(60a)을 통하여 식각용액의 온도를 제어하도록 한다.
그리고, 상기 배관(60)은 분리 가능하도록 조인트부(64)가 구비되고, 상기 냉풍기(54), 기체투사기(58) 및 열풍기(56)중 어느 하나를 선택하도록 하는 밸브(62)가 구비된다.
한편, 상기 믹싱부(50)의 일측에는 농도측정장치(50a)가 있어 믹싱부(50) 내부의 농도를 측정한다.
상기 농도측정장치(50a)를 이용하여 HF 등의 식각용액의 농도를 일정하게 하는데, 그 이유는 질소(N2) 또는 산소(O2)의 기포에 의한 버블(Bubble)압과 함께 식각용액의 농도가 식각시간에 영향을 주므로, 농도가 낮은 경우는 식각 시간이 길어지고, 농도가 높은 경우는 급격한 발열 및 화학반응에 의해 유리기판 표면이 불균일한 식각이 발생하여 얼룩이 발생하기 때문이다.
또한 상기 식각기(10)에는 식각용기(10a)에서 식각될 기판과 식각용액 사이에 발열반응으로 생기는 온도변화를 측정하기 위한 온도측정장치(10c)가 더 설치된다.
상기 기판을 균일하게 식각하기 위해서 상기 식각용기(10a)내에는 버블판을 더 구성하여 상기 버블판의 버블홀에 의해 식각용액이 공급되도록 한다.
상기 식각용액은 상기 기판에 포함되어 있는 실리콘 산화물(SiO2)을 제거하는 것으로 상기 유리기판과 HF의 반응은 SiO2+ HF --> SiF4+ 2H2O + E로 표현될 수 있다. 여기서 E는 상기 기판이 식각될 때 발생하는 열을 나타낸다. 상기 기판을 식각할 때에는 열이 발생하게 되며, 상기 반응에서 발생한 열을 측정하면 상기 식각용액의 농도나 식각시간에 관계없이 식각의 정도를 알 수 있다. 따라서 원하는 기판의 두께, 기판의 개수에 따라 반응하는 열의 온도를 계산하여 그 온도에 도달하면 온도측정장치(10c)로부터 감지하여 식각을 멈추게 되어 균일한 두께의 식각된 기판을 얻을 수 있다.
그리고 상기 식각기(10)와, 믹싱부(50) 및 식각용액재생부(20) 사이에는 서로 관으로 연결되어 식각용액을 이동하며, 관 사이에 적어도 하나의 펌프가 형성되기도 하여 식각용액을 이동시킨다.
이하, 도 3 및 도 4에 도시된 유리기판의 식각장비를 이용한 식각방법을 설명하면 다음과 같다.
다수의 액정패널이 장착된 카세트가 상기 식각기(10)에 장착되어 있다.
상기 액정패널은 대면적인 상부 및 하부 유리기판이 합착되어 이루어진 것으로, 상기 상부 및 하부 유리기판은 다수의 액정패널 영역을 구비한다.
상기 하부기판의 각 액정패널 영역에는 어레이 공정에 의해 일정간격을 갖고 일 방향으로 배열된 복수개의 게이트 라인(Gate Line)과 상기 각 게이트 라인에 수직한 방향으로 일정한 간격을 갖고 배열되는 복수개의 데이터 라인(Data Line)과 상기 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 정의된 화소 영역에 각각 형성되는 복수개의 박막 트랜지스터 및 화소 전극들이 형성되어 있다.
그리고, 상기 상부기판의 각 액정패널 영역에는 상기 컬러필터 공정에 의해 상기 화소 영역을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 블랙 매트릭스(Black Matrix)층과 컬러 필터가 형성되어 있고, 기판 전면에 공통전극이 형성되어 있다.
상기 액정패널은 상기 상부 및 하부 기판이 액정 셀 공정을 통하여 이루어진 대면적의 액정패널이다.
상기 액정패널이 식각기(10)에 장착되면, 먼저 열풍기(56)의 밸브(62)를 열어 믹싱부(50)에 공급되어진 DI와 식각원액이 혼합된 식각용액을 미리 셋팅(Setting)된 온도까지 상승시킨다.
다음, 식각기(10)와 믹싱부(50)사이의 펌프(도시하지 않음)를 작동하면 압력에 의해 상기 식각용액이 관을 통해 식각용기(10a)로 공급된다.
이어, 공급관(10b)으로부터 질소(N2)가 주입되어 기포를 발생시키며, 이러한 기포를 촉매작용으로 상기 액정패널과 식각용액을 반응시켜 액정패널의 외면을 식각한다.
이 식각용액은 다시 관을 통해 식각용액재생부(20)에 의해 정제되며, 이렇게 정제된 식각용액은 믹싱부(50)에 공급되게 된다.
이때, 상기 식각용액은 액정패널과의 발열반응으로 인하여 온도가 상승하게 된다. 이러한 온도의 상승은 액정패널의 파손 불량을 야기시킬 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에서는 1차 식각과정이 수행된 식각용액이 믹싱부(50)에 공급되고, DI 공급부(30) 및 식각원액공급부(40)로부터 농도측정장치(50a)에 의해 측정된 양만큼 DI 및 HF 용액이 공급되어 믹싱되면, 냉풍기(54)의 밸브(62)를 열어 상기 버블 홀(60a)을 통하여 상기 1차 식각과정이 수행된 식각용액으로 인한 온도 상승을 미리 셋팅된 온도로 하강시킨다.
이때, 상기 버블 홀(60a)은 상기 HF 용액의 슬러지(sludge)에 의해 막힐 수 있으므로 기체투사기(58)로부터 질소 기체를 상시 공급하여 상기 막힘을 방지한다.
그리고, 배관(60)의 조인트부(64)를 풀어주어 주기적으로 배관의 버블 홀(60a)을 세정(Cleaning)할 수 있다.
상기와 같은 방식으로 연속적으로 다수의 액정패널을 구비한 각각의 카세트를 식각기(10)에 장착하여 식각하면 셋팅된 일정한 온도의 유지로 종래의 온도 편차에 의한 문제점을 방지할 수 있다.
다시 말해서, 카세트 간의 다수의 액정패널이 균일한 두께로 식각 가능하므로, 이후 절단 휠을 이용하여 일정 홈을 내는 스크라이브 공정에서 다수의 액정패널 상에 균일하게 홈을 형성할 수 있어 액정패널에 형성된 홈으로부터 크랙의 전파방향을 제어하기가 용이하다.
상기 식각공정은 기판을 합착하고 액정을 형성한 후 진행할 수도 있으며, 식각공정 후 액정을 형성할 수도 있다.
다음, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 액정패널을 세정부로 로딩한다. 상기 세정부에서는 증류수나 초음파를 이용하여 액정패널의 표면에 붙은 불순물을 제거하는 공정이 진행된다. 그런 다음, 건조부로 이송되어 액정패널을 건조한다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상술한 본 발명의 유리기판 식각장비 및 이를 이용한 식각방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 온도의 편차 없이 셋팅된 일정 온도를 갖는 식각용액을 식각기에 공급함으로써, 절단 공정에서의 안정성을 확보할 수 있다.
둘째, 초기 식각시 식각 용액을 셋팅된 일정 온도까지 상승시킨 다음 식각 공정을 수행함으로써, 종래의 테스트 및 온도 상승의 목적으로 사용되었던 더미 유리기판이 불필요하다. 따라서, 제조비용의 절감을 가져올 수 있다.

Claims (8)

  1. 식각기;
    상기 식각기에 의해 기판을 식각한 후의 식각용액의 불순물을 제거하여 저장하는 식각용액재생부;
    증류수와 식각원액을 각각 제공하는 DI공급부 및 식각원액공급부;
    상기 DI공급부와 식각원액공급부로부터 DI 및 식각원액을 공급받고 상기 식각용액재생부로부터 정제된 식각용액을 공급받아 식각용액을 믹싱하여 상기 식각기에 공급하는 믹싱부;
    상기 믹싱부 내의 용액 온도를 일정하게 유지하는 온도제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판의 식각장비.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 온도제어부는
    상기 믹싱부 내의 식각용액의 온도를 하강시키는 냉풍기와,
    상기 믹싱부 내의 식각용액의 온도를 상승시키는 열풍기를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판의 식각장비.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 냉풍기 및 상기 열풍기는 분리 가능한 배관을 통해 상기 믹싱부와 서로연결됨을 특징으로 하는 유리기판의 식각장비.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 믹싱부에는 버블 홀이 형성되어 있음을 특징으로 하는 유리기판의 식각장비.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 열풍기 및 냉풍기는 상기 버블 홀을 통해 상기 믹싱부의 식각용액의 온도를 제어함을 특징으로 하는 유리기판의 식각장비.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 믹싱부의 상기 버블 홀의 막힘을 억제하기 위해 불활성 기체를 공급하는 기체투사부를 더 포함함을 특징으로 하는 유리기판의 식각장비.
  7. 식각기와 식각용액재생부와 증류수를 제공하는 DI공급부와 식각원액을 공급하는 식각원액공급부와 상기 DI공급부와 식각원액공급부로부터 DI 및 식각원액을 공급받고 상기 식각용액재생부로부터 정제된 식각용액을 공급받아 식각용액을 믹싱하는 믹싱부로 이루어진 식각장비에 유리기판을 제공하는 단계;
    상기 믹싱부 내의 제 1 식각용액을 가열하여 일정온도로 셋팅하는 단계;
    상기 가열된 제 1 식각용액을 상기 식각기내로 공급하여 상기 유리기판을 식각하는 단계;
    상기 유리기판을 식각하고 난 후 상기 제 1 식각용액을 정제하는 단계;
    상기 제 1 식각용액과 DI 및 식각원액을 상기 믹싱부로 공급하여 제 2 식각용액을 생성하는 단계;
    상기 제 2 식각용액을 상기 셋팅된 온도로 맞춰주는 단계; 및
    상기 제 2 식각용액을 상기 식각기에 공급하여 상기 유리기판을 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유리기판의 식각방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제 2 식각용액을 상기 셋팅된 온도로 맞춰주는 단계는 상기 유리기판을 식각하고 난 후의 상기 제 1 식각용액의 상승된 온도만큼 상기 제 2 식각용액의 온도를 하강시키는 단계인 것을 특징으로 하는 유리기판의 식각방법.
KR1020020049490A 2002-08-21 2002-08-21 유리기판 식각장비 및 이를 이용한 식각방법 KR20040017429A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020049490A KR20040017429A (ko) 2002-08-21 2002-08-21 유리기판 식각장비 및 이를 이용한 식각방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020049490A KR20040017429A (ko) 2002-08-21 2002-08-21 유리기판 식각장비 및 이를 이용한 식각방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040017429A true KR20040017429A (ko) 2004-02-27

Family

ID=37322979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020049490A KR20040017429A (ko) 2002-08-21 2002-08-21 유리기판 식각장비 및 이를 이용한 식각방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040017429A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101404236B1 (ko) * 2013-03-13 2014-06-05 박경용 글라스 기판 식각장치 및 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101404236B1 (ko) * 2013-03-13 2014-06-05 박경용 글라스 기판 식각장치 및 방법
WO2014142402A1 (ko) * 2013-03-13 2014-09-18 Pakr Kyung Yong 글라스 기판 식각장치 및 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7361610B2 (en) Method of etching a glass substrate
US8512580B2 (en) Method of fabricating thin liquid crystal display device
JP4363712B2 (ja) ガラス基板の食刻装置
KR100860294B1 (ko) 유리기판 에칭 장치와 상기 에칭 장치에 의하여 제조된유리박판
KR100780256B1 (ko) 표시 패널 제조방법
US20020079055A1 (en) Etching device for glass substrate
US6551443B2 (en) Apparatus for etching glass substrate in fabrication of LCD
US7790052B2 (en) Substrate receiving method
KR20040017429A (ko) 유리기판 식각장비 및 이를 이용한 식각방법
JP4002154B2 (ja) 液晶表示素子の製造方法およびその装置
JPH11279778A (ja) エッチング装置及び半導体装置の製造方法
KR100652041B1 (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100652040B1 (ko) 유리기판 식각장치
KR20030025792A (ko) 박형의 액정표시소자 제조방법
KR20080008729A (ko) 평판 표시 장치의 제조 방법 및 그에 사용되는 외면 박형화장치
KR20080008728A (ko) 평판 표시 장치의 제조 방법 및 그에 사용되는 외면 박형화장치
US7016008B2 (en) Method of fabricating liquid crystal display device having sealant patterns, dummy patterns, and substrate protective patterns
KR100595303B1 (ko) 식각장치용 버블판 및 그를 이용한 식각장치
KR20030010135A (ko) 액정 표시 장치의 제조 방법
KR100606965B1 (ko) 식각장치
KR20030073230A (ko) 식각장치
KR100815905B1 (ko) 식각용 버블판 및 그를 이용한 식각장치
KR20030054012A (ko) 액정표시장치의 유리기판 식각방법
JP2003043938A (ja) 表示パネルの製造方法及びその製造装置
KR100805390B1 (ko) 챔버의 증착 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination