KR20040015717A - 디바이스의 패터닝 - Google Patents
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- H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
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Abstract
Description
Claims (92)
- 적어도 하나의 패터닝된 층을 포함하는 전기 디바이스를 기판 위에 형성하는 방법으로서,상기 층의 물리적인 특성들을 변경하고 상기 층의 패터닝을 야기시키기 위해, 상기 기판 위의 물질을 광빔에 선택적으로 노광시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 패터닝된 층은 유기 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 방법은 상기 기판 위의 상기 제 1 유기 물질층을 광빔에 선택적으로 노광시켜, 상기 빔에 노광된 영역들 내의 상기 제 1 유기 물질층의 용해 파라미터들을 변경하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 물질층의 용해 파라미터들은 상기 물질이 노광 전에는 용해성이었던 용제에서 불용해성이 되도록 변경되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 빔에 노광되지 않은 영역들 내의 상기 제 1 층의 물질을 제거하기 위해 상기 제 1 물질층을 세척하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3 내지 제 5 항 중의 어느 항에 있어서,상기 용해 파라미터들의 변경은 상기 층의 물질의 상 분리 그리고/또는 상기 제 1 층의 물질의 가교 결합을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 및 제 2 항 중의 어느 항에 있어서,상기 방법은 상기 기판 위의 상기 제 1 물질층을 상기 광빔에 선택적으로 노광시켜, 상기 빔에 노광된 영역들 내의 상기 제 1 층의 물질의 표면 자유 에너지를 변경시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 층은 아래의 기판의 표면을 노광시키기 위해 상기 광빔에 노광된 후 국부 영역들 내에서 상기 기판으로부터 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 제 1 층 위에 제 2 유기 물질층을 증착하는 단계를 포함하며,상기 제 2 유기 물질층은 용제 내의 용액으로부터 증착되어, 상기 제 2 물질층의 증착 패턴은 상기 제 1 물질층의 변경된 표면 자유 에너지의 영역들에 의해 영향을 받는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 2 층의 물질이 증착되는 용제는, 상기 제 1 물질층의 변경된 표면 자유 에너지의 영역들 내에서는 상기 제 2 층의 물질의 증착이 억제되도록 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 2 층의 물질이 증착되는 용제는, 상기 광빔에 의해 상기 표면 자유 에너지가 변경되지 않은 상기 제 1 물질층의 영역들 내에서는 상기 제 2 층의 물질의 증착이 억제되도록 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 및 제 2 항 중의 어느 항에 있어서,상기 방법은 상기 기판 위의 상기 제 1 물질층을 상기 광빔에 선택적으로 노광시켜, 상기 빔에 노광된 영역들 내의 상기 제 1 층의 물질을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 1 층의 물질은 상기 광빔에 노광된 영역들 내에서 탈착 그리고/또는증발되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 및 제 2 항 중의 어느 항에 있어서,상기 방법은 상기 기판 위의 상기 제 1 물질층을 반응성 매체에 접촉시키고, 상기 제 1 물질층을 상기 광빔에 선택적으로 노광시켜, 상기 광빔에 노광된 영역들 내의 상기 반응성 매체와 상기 제 1 층의 물질 간의 화학 반응을 촉진시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 반응성 매체는 상기 제 1 층에 포함되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 14 항에 있어서,가스 또는 액체 형태의 상기 반응성 매체를 상기 제 1 층의 표면에 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 14 항 내지 제 16 항 중의 어느 항에 있어서,상기 화학 반응은 상기 광빔에 노광된 영역들 내의 상기 제 1 층의 물질의 용해성 그리고/또는 표면 자유 에너지 그리고/또는 전기적인 특성들을 변경시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 및 제 2 항 중의 어느 항에 있어서,상기 방법은 상기 기판 위의 상기 제 1 물질층을 상기 광빔에 선택적으로 노광시켜, 상기 광빔에 노광된 영역들 내의 상기 제 1 물질층의 체적을 변경시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 선행하는 어느 항에 있어서,상기 빔은 포커싱 빔인 것을 특징으로 하는 방법.
- 선행하는 어느 항에 있어서,상기 빔은 상기 빔에 노광된 영역들 내의 상기 제 1 층의 국부 가열을 야기시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 빔에 노광된 영역 내의 상기 기판의 국부 온도는 상기 빔에 노광되는 동안 350℃를 넘지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 빔에 노광된 영역 내의 상기 기판의 국부 온도는 상기 빔에 노광되는 동안 200℃를 넘지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 빔에 노광된 영역 내의 상기 기판의 국부 온도는 상기 빔에 노광되는 동안 120℃를 넘지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
- 선행하는 어느 항에 있어서,상기 제 1 층의 두께는 1㎛ 보다 작은 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 24 항 중의 어느 항에 있어서,상기 제 1 층은 상기 전기 디바이스의 전도성 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 24 항 중의 어느 항에 있어서,상기 제 1 층은 상기 전기 디바이스의 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 24 항 중의 어느 항에 있어서,상기 제 1 층은 상기 전기 디바이스의 유전층을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 24 항 중의 어느 항에 있어서,상기 제 1 층은 상기 전기 디바이스의 표면 변형층을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 선행하는 어느 항에 있어서,상기 빔은 10㎛ 보다 작은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
- 선행하는 어느 항에 있어서,상기 빔은 1㎛ 보다 작은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
- 선행하는 어느 항에 있어서,상기 빔은 레이저 빔인 것을 특징으로 하는 방법.
- 선행하는 어느 항에 있어서,상기 빔은 적외선 광빔인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 31 항 중의 어느 항에 있어서,상기 빔은 가시광인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 31 항 중의 어느 항에 있어서,상기 빔은 자외선광인 것을 특징으로 하는 방법.
- 선행하는 어느 항에 있어서,상기 선택적인 노광을 수행하고 바람직한 패턴을 정의하기 위해 상기 제 1 층을 가로질러 상기 빔을 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 선행하는 어느 항에 있어서,상기 빔은 편광빔인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 36 항에 있어서,상기 제 1 층을 상기 빔에 노광하게 되면, 상기 제 1 층의 물질은 광정렬되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 37 항에 있어서,상기 제 1 층의 물질의 광정렬은 상기 제 1 층의 패터닝과 동시에 일어나는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 36 항 내지 제 38 항에 있어서,상기 광정렬된 층과 접촉하는 정렬된 분자 구조를 갖는 제 2 유기층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 39 항에 있어서,상기 제 2 유기층은 액정 컨쥬게이션된 폴리머층인 것을 특징으로 하는 방법.
- 선행하는 어느 항에 있어서,상기 제 1 층은 상기 전기 디바이스의 상기 패터닝된 층인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 41 항에 있어서,상기 제 1 층은 상기 전기 디바이스의 활성층인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 8 항 또는 제 12 항 내지 제 42 항 중의 어느 항에 있어서,제 2 유기 물질층의 증착 패턴이 상기 제 1 층의 패터닝에 의해 영향을 받도록 상기 제 1 층 위에 상기 제 2 유기 물질층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 9 항 내지 제 11 항 또는 제 43 항 중의 어느 항에 있어서,상기 제 2 층은 상기 전기 디바이스의 상기 패터닝된 층인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 44 항에 있어서,상기 제 2 층은 상기 전기 디바이스의 활성층인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 8 항 또는 제 12 항 내지 제 42 항 중의 어느 항에 있어서,제 2 기판 위의 물질층을 포커싱 광빔에 노광시켜, 제 1 기판 위에 상기 물질층의 패턴을 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 46 항에 있어서,상기 제 2 기판 위의 상기 물질층은 상기 전기 디바이스의 상기 패터닝된 층인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 47 항에 있어서,상기 제 2 기판 위의 상기 물질층은 상기 전기 디바이스의 활성층인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 47 항에 있어서,상기 물질층은 표면 변형층인 것을 특징으로 하는 방법.
- 선행하는 어느 항에 있어서,상기 전기 디바이스는 전자 스위칭 디바이스인 것을 특징으로 하는 방법.
- 선행하는 어느 항에 있어서,상기 전자 디바이스는 박막 트랜지스터 디바이스인 것을 특징으로 하는 방법.
- 선행하는 어느 항에 있어서,상기 광빔의 일부는 상기 기판 위의 이전에 증착된 패턴에 의해 차단 또는 감쇠되어, 오직 상기 광이 차단 또는 감쇠되는 영역들 내의 상기 기판 위의 층만의 변경을 야기시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 내지 제 51 항 중의 어느 항에 있어서,상기 포커싱 광빔의 일부는 상기 기판 위의 이전에 패터닝된 제 3 층에 의해 차단 또는 감쇠되어, 오직 상기 광이 차단 또는 감쇠되는 영역들 내의 상기 기판 위의 상기 제 1 패터닝된 층만의 변경을 야기시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 51 항 내지 제 53 항 중의 어느 항에 있어서,상기 이전에 증착된 제 3 층은 상기 전자 스위칭 디바이스의 소스 및 드레인 전극들을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 54 항에 있어서,상기 제 1 층은 상기 전자 스위칭 디바이스의 게이트 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 51항 내지 제 54 항중 어느 항에 있어서,상기 제 1층은 표면 변형층인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 56 항에 있어서,상기 표면 변형층에 물질을 부가적으로 증착함으로써, 그러한 부가 물질의 증착이 상기 광빔을 차단 또는 감쇠시키는 영역에 한정되도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 56 항에 있어서,상기 표면 변형층에 물질을 부가적으로 증착함으로써, 그러한 부가 물질의 증착이 상기 광빔을 차단 또는 감쇠시키지 않는 영역에 한정되도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 집적 회로를 정의하는 방법에 있어서,패터닝 광빔에 대해 기판을 이동시킴으로써, 상기 빔에 의해 제 1의 1차원 패턴이 상기 기판에 정의되도록 하는 것을 포함하는 집적 회로 정의 방법.
- 제 59 항에 있어서,상기 제 1의 1차원 패턴은 다른 표면 자유 에너지를 갖는 영역들로 정의되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 60 항에 있어서,상기 제 1의 1차원 패턴과 일치되게 제 2 물질 패턴을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 61 항에 있어서,상기 제 2 물질 패턴은 직접 프린팅 기법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 62 항에 있어서,상기 제 2 물질 패턴은 잉크젯 프린팅으로 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 61 항에 있어서,상기 제 2 물질 패턴은 상기 기판을 상기 제 2 물질의 용액에 담그므로써 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 61 항 내지 제 64 항 중의 어느 항에 있어서,상기 제 2패턴은 실질적으로 상기 제 1의 1차원 패턴보다 더 복합적인 것을 특징으로 하는 방법.
- 집적 회로를 정의하는 방법으로써,위에 한 세트의 회로 피쳐를 갖는 기판을 패터닝 광빔에 대해 이동시킴으로써, 상기 빔에 의해 상기 회로 피쳐를 변형시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 66 항중 어느 항에 있어서,상기 회로 피쳐의 변형은 상기 회로 피쳐들간의 전기 접속들을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 66 항중 어느 항에 있어서,상기 회로 피쳐의 변형은 상기 회로 피쳐들간의 전기 접속들을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 66 항에 있어서,상기 회로 피쳐의 변형은 트랜지스터 소자들의 어레이의 소스 및 드레인 전극들 사이에 채널들을 정의하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 59 항 내지 제 69 항 중의 어느 항에 있어서,상기 빔은 패터닝 헤드에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 70 항에 있어서,상기 패터닝 헤드는 상기 직선에 수직 방향으로 이격되게 복수의 빔을 발생하며, 상기 기판을 상기 빔들로 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 59 항 내지 제 71 항 중의 어느 항에 있어서,상기 이동시에 상기 빔 또는 빔들을 변조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 59 항 내지 제 72 항 중의 어느 항에 있어서,상기 빔 또는 빔들은 포커싱 빔인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 59 항 내지 제 73 항 중의 어느 항에 있어서,상기 빔 또는 빔들은 레이저 빔인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 59 항 내지 제 74 항 중의 어느 항에 있어서,상기 빔 또는 빔들의 폭은 10㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 59 항 내지 제 75 항 중의 어느 항 있어서,상기 빔 또는 빔들의 폭은 1㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 방법.
- 기판과 광학 판독 헤드에서의 피쳐의 상대적 정렬을 결정하는 방법 - 여기서, 상기 기판은 제 1직선과, 상기 제 1직선과 평행하게 이격된 제 2직선과, 상기 제 1직선으로부터 소정각도로 이격된 제 3 직선으로 구성되는 한 세트의 광학적으로 검출가능한 정렬 마크를 지니고, 상기 정렬마크는 상기 피쳐로부터 소정의 오프셋을 가지며 - 으로서,직선 스캐닝 라인으로 상기 기판에 대한 상기 판독 헤드를 스캐닝하여, 상기 제 1라인과 상기 제 2라인 간의 상기 스캐닝 라인을 따르는 거리와 상기 제 1 라인과 상기 제 3라인 간의 상기 스캐닝 라인을 따르는 거리를 결정하는 단계와; 그리고상기 결정된 거리들과 상기 오프셋에 의해, 상기 판독 헤드와 상기 피쳐의 상대적 위치를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 77 항에 있어서,상기 판독 헤드와 상기 피쳐의 상대적 위치를 결정하는 단계는 관계식:에 따라 수행되며, 여기서α는 상기 제 2라인과 상기 제 3라인간의 각도이고.β는 상기 제 2라인과 상기 스캐닝 라인간의 각도이고,△는 상기 제 1라인의 시작점과 상기 제 1라인이 상기 스캐닝 라인과 교차하는 지점간의 상기 제 1라인을 따르는 거리이고,d는 상기 제 1라인과 상기 제 2라인간의 수직 거리이고,s는 임의의 라인이 상기 제 1라인과 수직을 이루며 상기 제 1라인의 시작점을 통과하는 지점에서 상기 제 2라인과 상기 제 3라인간의 수직거리이고,xn및 yn은 n번째 라인이 상기 스캐닝 라인과 교차하는 지점의 데카르트 좌표계이며,상기 정렬 마크로부터의 상기 피쳐의 상기 소정의 오프셋은 상기 시작점으로부터의 상기 피쳐의 오프셋을 표시하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 77 항 또는 제 78 항에 있어서,상기 판독 헤드에는 물질 처리 유닛이 집적된 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 79 항에 있어서,상기 물질 처리 유닛은 증착 유닛과 광빔 발생 유닛 중 하나인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 77 항 내지 제 80 항 중의 어느 항에 있어서,상기 피쳐는 일반적으로 선형 피쳐인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 81 항에 있어서,상기 피쳐는 일반적으로 상기 제 1라인에 수직인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 77 항 내지 제 82 항 중의 어느 항에 있어서,상기 제 1라인, 제 2라인 및 제 3라인은 상기 기판에서의 광학 콘트라스트 변화의 적어도 하나의 선형 구역에 의해 정의되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 대응하는 정렬 마크를 각각 갖는 피쳐들의 어레이를 포함하는 기판에 전자 회로 소자를 제조하는 방법으로서,상기 기판에서의 상기 피쳐들중 적어도 2개에 관하여 국부적 등록단계를 수행하는 단계를 포함하며;각 국부적 등록 단계는 상기 피쳐에 대응하는 정렬 마크를 가로질러 직선으로 판독 헤드를 스캐닝함으로써, 물질 처리 유닛에 대한 상기 각 피쳐의 상대적 위치를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 84 항에 있어서,상기 물질 처리 유닛과 상기 판독 헤드사이에, 고정된 공간 관계가 존재하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 85 항에 있어서,상기 판독 헤드는 상기 물질 처리 유닛과 일체로 된 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 84 항 내지 제 86 항 중의 어느 항에 있어서,상기 각 국부적 등록 단계 다음에, 상기 물질 처리 유닛으로부터의 물질을 상기 기판에 증착하는 물질 증착 단계가 후속되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 84 항 내지 제 87 항 중의 어느 항에 있어서,상기 각 국부적 등록 단계 다음에, 상기 기판상의 물질을 상기 물질 처리 유닛으로 처리하는 단계가 후속되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 87 항 또는 제 88 항에 있어서,상기 물질은 상기 각 정렬 마크로부터 소정 공간 오프셋되어 증착 또는 처리되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 77 항 내지 제 89 항 중의 어느 항에 있어서,상기 기판은 유연한 기판인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 79 항 내지 제 90 항 중의 어느 항에 있어서,상기 물질 처리 유닛은 잉크젯 프린팅 헤드인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 77 항 내지 제 91 항 중의 어느 항에 있어서,상기 정렬 마크는 제 1직선과, 상기 제 1직선과 평행하게 이격된 제 2직선과, 상기 제 1직선으로부터 소정 각도로 이격된 제 3직선으로 구성되고, 상기 정렬 마크는 상기 피쳐로부터 소정의 오프셋을 가지며, 상기 등록 처리는 상기 판독 헤드에 의한 일련의 광학 신호의 검출을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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