KR20040012609A - 개별적인 도펀트 층을 포함하는 레이저 열 전달 공여체 - Google Patents

개별적인 도펀트 층을 포함하는 레이저 열 전달 공여체 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 공여체 지지 요소; 상기 공여체 지지 요소 위에 배치되는 것으로, 광에 감응하여 열을 발생시키는 광 흡수층; 상기 호스트 물질 위에 배치되는 도펀트 층을 포함하여, 공여체 소자가 OLED 장치와 전달관계로 배치되고 광 흡수층에 의해 광이 흡수되는 경우, 광 흡수층으로부터 호스트 물질 및 도펀트 물질의 기화전달을 일으키는 열을 생성함으로써 OLED 장치에서 적어도 부분적인 혼합을 유발시키는, OLED 장치의 제조용으로 적합한 공여체 소자에 관한 것이다.

Description

개별적인 도펀트 층을 포함하는 레이저 열 전달 공여체{LASER THERMAL TRANSFER DONOR INCLUDING A SEPARATE DOPANT LAYER}
본 발명은 공여체 소자 및 유기 전기발광(EL) 장치(유기 발광 다이오드(OLED)로도 공지됨)의 제조방법에 관한 것이다.
적색, 녹색 및 청색 화소와 같이 착색된 화소(통상적으로, "RGB 화소"로 지칭됨)의 어레이를 갖는 칼라 또는 풀 칼라 유기 전기발광(EL) 디스플레이(또한, "유기 발광 다이오드 장치", 또는 "OLED 장치"로서 공지됨)에서, 상기 RGB 화소를 제조하기 위해서는 칼라 출력 유기 EL 매질의 정밀한 패턴화가 요구된다. 기본적인 OLED 장치는 공통적으로 애노드, 캐쏘드, 및 상기 애노드와 캐쏘드 사이에 샌드위칭된 유기 EL 매질을 포함한다. 상기 유기 EL 매질은 하나 이상의 유기 박막층으로 이루어질 수 있으며, 이들 층 중 하나가 광 생성 또는 전기발광의 주된 역할을 한다. 이러한 특정한 층은 일반적으로 유기 EL 매질의 발광층으로서 지칭된다. 상기 유기 EL 매질에 존재하는 기타 유기층은 주로 전자 수송 기능을 제공할 수 있으며, (정공-수송을 위한) 정공 수송층 또는 (전자-수송을 위한) 전자 수송층 중 하나로서 지칭된다. 풀 칼라 OLED 디스플레이 패널의 상기 RGB 화소를 형성하는데 있어서, 상기 유기 EL 매질의 발광층 또는 유기 EL 매질 전체의 정밀한 패턴화 방법의 고안이 필요하다.
전형적으로, 전기발광 화소는 미국 특허 제 5,742,129 호에 나타나 있는 바와 같은 섀도우 마스킹 기법에 의해 디스플레이상에 형성시킨다. 이러한 기법이효과적이기는 하지만, 이러한 기법은 몇가지 결점을 가지고 있다. 섀도우 마스킹 기법을 이용하여 고해상도의 화소 크기를 달성하기가 어려웠다. 더욱이, 기판과 섀도우 마스크사이에 정렬의 문제가 있으며, 적절한 위치에 화소를 형성시키는데 상당히 주의해야 한다. 기판 크기를 증가시키는 것이 바람직한 경우, 적절히 위치된 화소를 형성시키기 위하여 섀도우 마스크를 조작하기가 어렵다.
공여체 물질은 본원에서 인용되는 참조문헌 및 미국특허 제 4,772,582 호에 교시되어 있는 바와 같은 이미지의 레이저 열 염료 전달을 목적으로 수년 전부터 공지되어 왔다. 상기 공정에서는 레이저 빔을 사용하여 염료를 가열하여 공여체로부터 수용체로 열적 전달시킴으로써 상이한 칼라를 전달하는 공여체 시이트를 사용한다. 상기 방법은 고품질의 이미지를 위해 사용되나, EL 물질 전달을 교시하고 있지 않다.
고-분해능 OLED 디스플레이의 적절한 패턴화 방법은 그란데(Grande) 등의 미국특허 제 5,851,709 호에 개시되어 있다. 상기 방법은, (1) 대향하는 제 1 및 제 2 표면을 갖는 기판을 제공하는 단계; (2) 상기 기판의 제 1 표면 위에 광 투과성 단열층을 형성하는 단계; (3) 상기 단열층 위에 광 흡수층을 형성하는 단계; (4) 상기 기판에 제 2 표면으로부터 단열층으로 연장시킨 개구부의 어레이를 제공하는 단계; (5) 광 흡수층 상에 형성된 수송가능한 칼라 형성 유기 공여체층을 제공하는 단계; (6) 상기 공여체 기판과 디스플레이 기판을, 상기 기판의 개구부들과 이에 상응하는 장치상의 칼라 화소 사이에 배향된 관계로 정밀하게 정렬시키는 단계; 및 (7) 상기 개구부 위의 광 흡수층에 충분한 열을 발생시키기 위한 방사선 공급원을사용하여 상기 공여체 기판상의 유기층을 디스플레이 기판으로 수송하는 단계를 순서대로 포함한다. 그란데 등이 사용한 접근법의 문제점은 공여체 기판 상의 개구부의 어레이의 패턴화가 필요하다는 것이다. 또다른 문제점은 공여체 기판과 디스플레이 기판 사이에 정밀한 기계적 정렬이 요구된다는 것이다. 또다른 문제점은 공여체 패턴이 고정되며 용이하게 변경될 수 없다는 점이다.
리트만(Littman) 및 탕(Tang) 등의 미국특허 제 5,688,511 호는 패턴화되지 않은 공여체 시트로부터 EL 기판으로의 유기 EL 물질의 패턴 수송을 교시하고 있다. 월크(Wolk) 등의 특허(미국특허 제 6,114,088 호; 제 6,140,009 호; 제 6,214,520 호; 및 제 6,221,553 호)에서는 공여체에서 선택된 일부분을 레이저 빔으로 가열함으로써 EL 장치의 발광층을 공여체 소자로부터 기판으로 수송할 수 있는 방법을 교시하고 있다. 각각의 층은 장치의 기능에 이용되는 조작성 또는 비조작성 층이다.
상기 공정에서, 전기발광 물질을 함유하는 공여체는 방사선에 의해 가열되고 이미 능동 장치의 일부분을 함유할 수 있는 수용체로 전달된다. 이어서, 상기 장치는 추가의 층의 도포에 의해 마무리될 수 있다. 상기 공정은 전자 또는 정공 전도체 호스트 및 도펀트를 함유하는 적당한 공여체를 사용함으로써 칼라를 패턴화시킨다. 최종 발광 장치는 양호한 발광을 수행할 수 있도록 함께 혼합된 도펀트를 포함해야 한다. 둘 이상의 물질을 동시에 공동 기화시키고 일정하게 조절된 비율로 유지하는 것은 어려운 일이다. 또한, 상기 방사선-전달된 장치로부터의 생성된 발광은 개선된 효율을 나타내야 한다.
본 발명의 목적은 공여체의 제조를 위해 도펀트/호스트의 비율을 양호하게 조절하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 본 발명의 사용을 통해 제조된 장치로부터 양호한 칼라 및 효능을 수득하는 것이다.
상기 목적은,
(a) 공여체 지지 요소;
(b) 상기 공여체 지지 요소 위에 배치되는 것으로, 광에 감응하여 열을 발생시키는 광 흡수층;
(c) 상기 광 흡수층 위에 배치되는 호스트 물질; 및
(d) 상기 호스트 물질층 위에 배치되는 도펀트 층을 포함하여,
공여체 소자가 OLED 장치와 전달관계로 배치되고 광 흡수층에 의해 광이 흡수되는 경우, 광 흡수층으로부터 호스트 물질 및 도펀트 물질의 기화전달을 일으키는 열을 생성함으로써 OLED 장치에서 적어도 부분적인 혼합을 유발시키는,
OLED 장치의 제조용으로 적합한 공여체 소자에 의해 달성된다.
레이저 열 OLED 전달을 위한 공여체는, 흡수제/기판 상의 호스트로부터 개별적인 층의 도펀트를 포함하도록 제조된다. 개별적으로 사용되는 경우, 층 자체는 각각 최종 장치에서 비조작성 층이다. 전달시, 도펀트는 활성화시키도록 충분히 혼합되며 단일 조작성층(발광층)에 투명한 효율적인 칼라가 발생되게 한다. 이로 인해, 공여체는 제조를 간편하게 하는 혼합된 층으로서 제조되기 보다는 층들로 제조된다.
공여체 물질은 개별적으로 또한 침착속도와 무관하게 도펀트 및 호스트의 완전한 레이다운(laydown)을 제어할 수 있으므로 보다 용이하고 간편하다.
도 1a는 본 발명에 따라 제조된 공여체 소자의 구조에 대한 하나의 실시양태이다.
도 1b는 본 발명에 따라 제조된 공여체 소자의 구조에 대한 또다른 실시양태이다.
도 2a는 하나의 광 처리 방법에 의한, 공여체로부터 기판으로의 유기 물질의 전달에 대한 횡단면도이다.
도 2b는 또다른 광 처리 방법에 의한, 공여체로부터 기판으로의 유기 물질의 전달에 대한 횡단면도이다.
도 3은 도펀트 물질이 호스트 물질로 혼합되는 방식에 대한 횡단면도이다.
도 4는 예시 OLED 장치의 구조에 대한 횡단면도이다.
도 5는 본 발명에 따라 제조된 기판의 평면도이다.
층 두께와 같은 장치의 특징부의 치수는 주로 1㎛ 이하의 범위이며, 이들 도면은 치수의 정확도 보다는 보기 용이하게 도시된 것이다.
상기 "디스플레이" 또는 "디스플레이 패널"이란 용어는 비디오 이미지 또는 텍스트를 전기적으로 표시할 수 있는 스크린을 지칭하는데 사용된다. 상기 "화소"이란 용어는 다른 영역의 광의 독립적인 방출을 자극할 수 있는 디스플레이의 패널의 영역을 지칭하는 것으로 당해 분야에서 통용되고 있다. 상기 "OLED 장치"란 용어는 화소로서 유기 발광 다이오드를 포함하는 디스플레이 장치로서 당해 분야에서 통용되고 있다. 상기 "다칼라"란 용어는 상이한 영역에서 상이한 색조의 광을 방출시킬 수 있는 디스플레이 패널을 기술하는데 사용된다. 특히, 상이한 칼라의 이미지를 표시할 수 있는 디스플레이 패널을 기술하는데 사용된다. 상기 영역이 반드시 인접해야만 하는 것은 아니다. 상기 "풀 칼라"란 용어는 가시광선 스펙트럼중 적색, 녹색 및 청색 영역의 방출 및 임의의 조합된 색조의 이미지 표시가 가능한 다칼라 디스플레이 패널을 기술하는데 사용된다. 상기 적색, 녹색 및 청색은 세 가지의 주 칼라를 구성하며, 이 세가지 주 칼라를 적절히 혼합하여 다른 모든 칼라를 발생시킬 수 있다. 상기 "색조"란 용어는 가시광선 스펙트럼에서의 광 방출의 강도 프로파일을 지칭하는 것으로서, 상이한 색조는 육안으로 식별가능한 칼라 차이를 나타낸다. 상기 화소 또는 서브화소는 일반적으로 디스플레이 패널에서 어드레싱 가능한 최소 단위를 지칭하는데 사용된다. 단색 디스플레이에서는, 화소또는 서브화소 간의 차이가 없다. 상기 "서브화소"란 용어는 다칼라 디스플레이 패널에 사용되며, 독립적으로 어드레싱되어 특정 칼라를 방출할 수 있는 화소의 임의의 부분을 지칭하는데 사용된다. 예를 들어, 청색 서브화소는 청색광을 방출시키도록 어드레싱될 수 있는 화소의 일부분이다. 풀 칼라 디스플레이에서, 화소는 일반적으로 세가지의 주 칼라 서브화소, 즉 청색, 녹색 및 적색을 포함한다. 상기 "피치"란 용어는 디스플레이 패널에서 2개의 화소 또는 서브화소를 분리시키는 거리를 지칭하는데 사용된다. 따라서, 서브화소 피치는 2개의 서브화소 사이의 분리를 의미한다.
도 1a는 공여체 소자(10)의 하나의 실시양태에 대한 횡단면도이다. 공여체 소자(10)는 최소한 가요성 공여체 지지 요소(14)를 포함하며, 이것(14)은 공여체 소자(10)의 비전달 표면(32)을 포함한다. 공여체 지지 요소(14)는 적어도 하기 요건을 만족시키는 다수의 물질중 임의의 것으로 제조될 수 있다: 공여체 지지 요소(14)는 기판은 한 면이 가압되는 광에서 열로 유도되는 전달 단계 도중, 및 수증기와 같은 휘발성 성분을 제거하도록 고안된 임의의 예비가열 단계 도중, 구조적 완전성을 유지할 수 있어야 한다. 또한, 상기 공여체 소자(14)는 한 표면 상에 유기 공여체 물질의 비교적 얇은 코팅물을 수용할 수 있어야 하며, 코팅된 지지체의 예상 저장 기간 동안 상기 코팅을 열화 없이 유지시킬 수 있어야 한다. 이러한 요건을 만족시키는 지지체 물질로는, 예를 들어 금속박, 지지체 상의 코팅물의 전달성 유기 공여체 물질의 전달을 유발할 것으로 예상되는 지지체 온도값보다 높은 유리전이온도를 나타내는 특정한 플라스틱박, 및 섬유강화된 플라스틱박이 있다. 적당한 지지체 물질의 선택은 공지된 공학적 접근법에 따라 좌우될 수 있으나, 본 발명의 실례에 유용한 공여체 지지체로서 배치되는 경우 선택된 지지체 물질의 특정한 양태는 추가적 사항이 고려되어야 함이 명백할 것이다. 예를 들어, 상기 지지체는 전달성 유기 물질로 예비코팅되기 전에 다단계 세척 및 표면 제조 공정을 필요로 할 수 있다. 지지체 물질이 방사선 투과성 물질인 경우, 방사선 흡수성 물질의 지지체로의 혼입 또는 표면상으로의 혼입은 효과적으로 공여체 지지체를 가열할 수 있으며, 이로써 적당한 플래쉬 램프 또는 적당한 레이저로부터의 레이저 광을 사용하는 경우 지지체로부터 기판으로의 전달성 유기 공여체 물질의 향상된 전달을 제공할 수 있어 유리할 수 있다.
광 흡수층(16)은 공여체 지지 요소(14) 위에 배치된다. 광 흡수층(16)은 공여체 지지 요소(14) 위에 배치되거나, 중간층(intervening layer) 위에 배치될 수 있다. 광 흡수층(16)은 스펙트럼중 예비결정된 부분의 광을 흡수할 수 있으며, 광에 감응하여 열을 발생시킬 수 있다. 광 흡수층(16)은 미국특허 제 5,578,416 호에 기술된 염료와 같은 염료, 탄소와 같은 안료, 니켈, 크롬 및 티탄과 같은 금속일 수 있다.
공여체 소자(10)는 광 흡수층(16) 위에 직접적으로 배치되거나 중간층 위에 배치된 호스트 물질층(18) 중의 호스트 물질을 추가적으로 포함한다. 호스트 물질은 호스트 수송 물질 또는 전자 수송 물질을 포함할 수 있다. OLED 장치에서, 호스트 물질은 도펀트 물질의 희석시키는 작용을 하며, 이로인해 자가-켄칭(self-quenching)을 억제한다. 또한, 호스트는 도펀트의 방출 특성을 개질시켜 상이한색조를 수득할 수 있다.
유용한 정공 수송 물질은 방향족 3차 아민과 같은 화합물을 포함하는 것으로 익히 공지되어 있으며, 상기 방향족 3차 아민은 오직 탄소원자(이중 하나 이상은 방향족 고리의 구성원이다)에만 결합하는 하나 이상의 3가 질소원자를 함유하는 화합물로서 이해되어야 한다. 한 형태에서, 방향족 3차 아민은 모노아릴아민, 디아릴아민, 트리아릴아민 또는 중합체성 아릴아민과 같은 아릴아민일 수 있다. 단량체성 트리아릴아민의 예는 클럽펠(Klupfel) 등의 미국특허 제 3,180,730 호에 예시되어 있다. 하나 이상의 비닐 라디칼로 치환되고/치환되거나 하나 이상의 활성 수소 함유 그룹을 포함하는 다른 적합한 트리아릴아민이 브랜틀레이(Brantley) 등의 미국특허 제 3,567,450 호 및 제 3,658,520 호에 개시되어 있다.
방향족 3급 아민의 보다 바람직한 부류는 미국특허 제 4,720,432 호 및 제 5,061,569 호에 기술된 바와 같이 2개 이상의 방향족 3차 아민 잔기를 포함하는 것들이다. 이러한 화합물은 하기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
상기 식에서,
Q1및 Q2는 독립적으로 선택된 방향족 3차 아민 잔기이고,
G는 탄소-탄소 결합의 아릴렌, 사이클로알킬렌 또는 알킬렌 그룹과 같은 연결 그룹이다.
한 실시양태에서, Q1또는 Q2중 하나 이상은 폴리사이클릭 축합 고리 구조, 예를 들어 나프탈렌을 함유한다. G가 아릴 그룹인 경우, 이는 편의상 페닐렌, 비페닐렌, 또는 나프탈렌 잔기이다.
상기 화학식 1을 만족시키고 2개의 트리아릴아민 잔기를 함유하는 유용한 트리아릴아민의 부류는 하기 화학식 2의 화합물이다:
상기 식에서,
R1및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 아릴 그룹 또는 알킬 그룹이거나, 함께 사이클로알킬 그룹을 완성시키는 원자들이고,
R3및 R4는 각각 독립적으로 아릴 그룹이며, 이는 하기 화학식 3과 같은 디아릴-치환된 아미노 그룹으로 교대로 치환된다:
상기 식에서,
R5및 R6은 독립적으로 선택된 아릴 그룹이다.
한 실시양태에서, R5또는 R6중 하나 이상은 폴리사이클릭 축합 고리 구조, 예를 들어 나프탈렌을 함유한다.
방향족 3차 아민의 또다른 부류는 테트라아릴디아민이다. 바람직한 테트라아릴디아민은 아릴렌 그룹으로 연결된 상기 화학식 3의 디아릴아미노 그룹을 2개 포함한다. 유용한 테트라아릴디아민은 하기 화학식 4의 화합물을 포함한다.
상기 식에서,
각각의 Are는 독립적으로 선택된 아릴렌 그룹, 예를 들어 페닐렌 또는 안트라센 잔기이고,
n은 1 내지 4의 정수이고,
Ar, R7, R8및 R9는 독립적으로 선택된 아릴 그룹이다.
전형적인 실시양태에서, 하나 이상의 Ar, R7, R8및 R9는 폴리사이클릭 축합 고리 구조, 예를 들어 나프탈렌이다.
상기 화학식 1, 화학식 2, 화학식 3 및 화학식 4의 다양한 알킬, 알킬렌, 아릴 및 아릴렌 잔기는 각각 차례대로 치환될 수 있다. 전형적인 치환체는 알킬 그룹, 알콕시 그룹, 아릴 그룹, 아릴옥시 그룹 및 할로겐, 예를 들어 플루오라이드, 클로라이드 및 브로마이드를 포함한다. 다양한 알킬 및 알킬렌 잔기는 전형적으로약 1 내지 6개의 탄소원자를 함유한다. 사이클로알킬 잔기는 3 내지 약 10개의 탄소원자를 함유할 수 있으나, 전형적으로 5, 6 또는 7개의 고리 탄소원자를 함유하며, 그 예는 사이클로펜틸, 사이클로헥실 및 사이클로헵틸 고리 구조를 포함한다. 아릴 및 아릴렌 잔기는 통상적으로 페닐 및 페닐렌 잔기이다.
정공 수송층은 방향족 3차 아민 화합물 단독으로 또는 그의 혼합물로 형성될 수 있다. 특히, 트리아릴아민, 예를 들어 화학식 2를 만족시키는 트리아릴아민을 화학식 4의 테트라아릴디아민과 혼합하여 사용할 수 있다. 트리아릴아민을 테트라아릴디아민과 조합하여 사용하는 경우, 테트라아릴디아민은 트리아릴아민과 전자 주입층 및 수송층 사이에 삽입된 층으로서 위치한다. 유용한 방향족 3차 아민의 예는 다음과 같다:
1,1-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)사이클로헥산,
1,1-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)-4-페닐사이클로헥산,
4,4'-비스(디페닐아미노)쿼드리페닐,
비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)-페닐메탄,
N,N,N-트리(p-톨릴)아민,
4-(디-p-톨릴아미노)-4'-[4(디-p-톨릴아미노)-스티릴]스틸벤,
N,N,N',N'-테트라-p-톨릴-4-4'-디아미노비페닐,
N,N,N',N'-테트라페닐-4-4'-디아미노비페닐,
N-페닐카바졸,
폴리(N-비닐카바졸),
N,N'-디-1-나프탈레닐-N,N'-디페닐-4,4'-디아미노비페닐,
4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐,
4,4"-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-터페닐,
4,4'-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐,
4,4'-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]비페닐,
1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌,
4,4'-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]비페닐,
4,4"-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-터페닐,
4,4'-비스[N-(2-페난트릴)-N-페닐아미노]비페닐,
4,4'-비스[N-(8-플루오란테닐)-N-페닐아미노]비페닐,
4,4'-비스[N-(2-피레닐)-N-페닐아미노]비페닐,
4,4'-비스[N-(2-나프타세닐)-N-페닐아미노]비페닐,
4,4'-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]비페닐,
4,4'-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]비페닐,
2,6-비스(디-p-톨릴아미노)나프탈렌,
2,6-비스[디-(1-나프틸)아미노]나프탈렌,
2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌,
N,N,N',N'-테트라(2-나프틸)-4,4"-디아미노-p-터페닐,
4,4'-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)-페닐]아미노}비페닐,
4,4'-비스[N-페닐-N-(2-피레닐)아미노]비페닐,
2,6-비스[N,N-디(2-나프틸)아민]플루오렌, 및
1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌.
유용한 정공 수송 물질의 또다른 부류는 본원의 유럽특허 제 1 009 041 호에 기술된 폴리사이클릭 방향족 화합물을 포함한다. 또한, 중합체성 정공 수송 물질, 예를 들어 폴리(N-비닐카바졸)(PVK), 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린, 및 PEDOP/PSS로도 지칭되는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌설포네이트)와 같은 공중합체가 사용될 수 있다.
호스트 물질로서 유용한 전자 수송 물질은 8-하이드록시퀴놀린 및 유사한 유도체의 금속 착체(화학식 5)를 포함하고, 이는 전기발광을 보조할 수 있는 유용한 호스트 화합물중 한 부류로 구성되며, 500nm 이상의 파장의 발광, 예를 들어 녹색, 황색, 주황색 및 적색의 발광에 특히 적당하다.
상기 식에서,
M은 금속을 나타내고;
n은 1 내지 3의 정수이고;
Z는 서로 독립적으로 2개 이상의 축합 방향족 고리를 갖는 핵을 완성하는 원자를나타낸다.
전술한 바에 따르면, 상기 금속은 1가, 2가 또는 3가 금속일 수 있다. 상기 금속은, 예를 들어 리튬, 나트륨 또는 칼륨과 같은 알칼리 금속; 마그네슘 또는 칼슘과 같은 알칼리 토금속; 붕소 또는 알루미늄과 같은 토금속일 수 있다. 일반적으로, 유용한 킬레이팅 금속으로 공지된 임의의 1가, 2가 또는 3가 금속이 사용될 수 있다.
Z는 2개 이상의 축합 방향족 고리(상기 고리 중 하나 이상은 아졸 또는 아진 고리이다)를 함유하는 헤테로사이클릭 핵을 완성한다. 지방족 및 방향족 고리를 모두 포함하는 추가의 고리는 경우에 따라 2개의 요구되는 고리와 축합될 수 있다. 기능의 개선을 수반하지 않으면서 분자 벌크가 증가하는 것은 방지하기 위해, 고리 원자의 수를 일반적으로 18 이하로 유지시킨다.
착화된 옥시노이드 화합물로 유용한 예는 다음과 같다:
CO-1: 알루미늄 트리속신[일명, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)]
CO-2: 마그네슘 비스옥신[일명, 비스(8-퀴놀리놀라토)마그네슘(II)]
CO-3: 비스[벤조{f}-8-퀴놀리놀라토]아연(II)
CO-4: 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)-μ-옥소-비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)
CO-5: 인듐 트리속신[일명, 트리스(8-퀴놀리놀라토)인듐]
CO-6: 알루미늄 트리스(5-메틸옥신)[일명, 트리스(5-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)]
CO-7: 리튬 옥신[일명, 8-(퀴놀리놀라토)리튬(I)]
9,10-디-(2-나프틸)안트라센(화학식 6)의 유도체는 전기발광을 보조할 수 있는 유용한 호스트의 한 부류로 구성되며, 400nm 이상의 파장, 예를 들어 청색, 녹색, 황색, 주황색 또는 적색의 파장의 발광에 특히 적당하다.
상기 식에서,
R1, R2, R3, R4, R5및 R6은 각각의 고리상의 하나 이상의 치환체를 나타내고, 치환체는 서로 개별적으로 하기 그룹으로부터 선택된다:
그룹 1: 수소, 탄소수 1 내지 24의 알킬;
그룹 2: 탄소수 5 내지 20의 아릴 또는 치환된 아릴;
그룹 3: 안트라세닐, 피레닐, 또는 페릴레닐의 축합 방향족 고리를 완성시키는데 필요한 탄소수 4 내지 24;
그룹 4: 푸릴, 티에닐, 피리딜, 퀴놀리닐 또는 다른 헤테로사이클릭 시스템의 축합 헤테로방향족 고리를 완성시키는데 필요한 탄소수 5 내지 24의 헤테로아릴 또는 치환된 헤테로아릴;
그룹 5: 탄소수 1 내지 24의 알콕시아미노, 알킬아미노 또는 아릴아미노; 및
그룹 6: 불소, 염소, 브롬 또는 시아노.
벤즈아졸 유도체(화학식 7)는 전기발광을 보조할 수 있는 유용한 호스트의 또다른 부류로 구성되며, 400nm 이상의 파장, 예를 들어 청색, 녹색, 황색, 주황색 또는 적색의 파장의 발광에 특히 적당하다.
상기 식에서,
n은 3 내지 8의 정수이고;
Z는 O, NR 또는 S이고;
R'은 수소; 탄소수 1 내지 24의 알킬, 예를 들어 프로필, t-부틸 및 헵틸 등; 탄소수 5 내지 20의 아릴 또는 헤테로-원자로 치환된 아릴, 예를 들어 페닐 및 나프틸, 푸릴, 티에닐, 피리딜, 퀴놀리닐 및 다른 헤테로사이클릭 시스템; 또는 클로로, 플루오로와 같은 할로; 또는 축합 방향족 고리를 완성하는데 필요한 원자이고;
L은 상기 복수개의 벤즈아졸을 모두 공액 또는 비공액으로 연결하는 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴로 이루어진 연결 단위이다.
유용한 벤즈아졸의 예로는 2,2',2"-(1,3,5-페닐렌)트리스[1-페닐-1H-벤즈이미다졸]을 들 수 있다.
바람직한 형광 도펀트로는 안트라센, 테트라센, 크잔텐, 페릴렌, 루브렌, 쿠마린, 로다민, 퀴나크리돈, 디시아노메틸렌피란 화합물, 티오피란 화합물, 폴리메틴 화합물, 피릴륨 및 티아피릴륨 화합물 및 카보스티릴 화합물의 유도체를 들 수 있다. 유용한 도펀트의 예로는 하기 물질을 들 수 있으나, 이들로써 한정되는 것은 아니다:
다른 유기 발광 물질은 월크 등에 의해 일반양도된 미국특허 제 6,194,119 B1 호 및 이의 참조문헌에 교시된 바와 같은 중합성 물질, 예를 들어 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 디알콕시-폴리페닐렌비닐렌, 폴리-파라-페닐렌 유도체 및 폴리플루오렌 유도체일 수 있다.
다른 실시양태에서, 호스트 물질층(18)은 둘 이상의 호스트 물질을 포함할 수 있다. 다르게는, 호스트 물질층(18) 위에 배치되는 또다른 층에 추가의 호스트 물질이 포함될 수 있다.
공여체 소자(10)는 도펀트 층(20)을 추가적으로 포함하며, 이는 호스트 물질층(18) 위를 덮는 층이고 하나 이상의 도펀트 물질을 포함한다. 도펀트 층(20)은 호스트 물질층(18) 및 중간층 위에 배치되거나 호스트 물질층(18) 위에 직접 배치될 수 있다. 도펀트 층(20)이 호스트 물질층(18) 위에 직접 배치되는 경우, 이들 사이의 계면(21)이 형성된다. 따라서, 공여체 지지 요소(14)는 비전달 표면(32)을 포함하고 도펀트 층(20)은 공여체 소자(10)의 전달 표면(34)을 포함한다. 상기 도펀트 층(20)의 두께는 호스트 물질층(18)의 두께의 0.01 내지 10%인 것이 바람직하다. 상기 호스트 물질층(18)의 두께는 바람직하게는 2.5 내지 100nm, 보다 바람직하게는 10 내지 50nm이다. 일반적으로, 상기 도펀트 물질은 고 형광 염료로부터 선택되나 인광 화합물, 예를 들어 국제 공보 제 WO 98/55561 호, 제 WO 00/18851 호, 제 WO 00/57676 호 및 제 WO 00/70655 호에 기술된 전이금속 착체 또한 유용하다. 도펀트 물질은 호스트 물질에 대해 전형적으로 0.01 내지 10중량%로 코팅된다.
도펀트로서 염료를 선택하는 중요한 관계는 분자의 최고 점유 분자 궤도와 최저 비점유 분자 궤도의 에너지 차에 따라 정의되는 띠간극 전위의 비교이다. 호스트로부터 도펀트 분자로의 효율적인 에너지 전달을 위해서는 도펀트 물질의 띠간극이 호스트 물질의 띠간극보다 작아야 한다. 공지된 호스트 및 발광 분자로는 미국특허 제 4,768,292 호; 제 5,141,671 호; 제 5,150,006 호; 제 5,151,629 호; 제 5,294,870 호; 제 5,405,709 호; 제 5,484,922 호; 제 5,593,788 호; 제 5,645,948 호; 제 5,683,823 호; 제 5,755,999호; 제 5,928,802 호; 제 5,935,720 호; 제 5,935,721 호; 및 제 6,020,078 호에 개시된 화합물이 있으나, 이들로써 한정되는것은 아니다.
도 1b는 공여체 소자(12)의 구조를 나타내는 또다른 실시양태에 대한 횡단면도이다. 본 실시양태에서, 공여체 지지 요소(14)는 우선 스펙트럼의 예비결정된 부분의 방사선을 흡수하여 열을 발생시킬 수 있는 방사선-흡수 패턴화된 층(22)으로 코팅된 다음, 호스트 물질층(18) 및 도펀트 층(20)으로 코팅된다. 이로써, 공여체 지지 요소(14)는 비전달 표면(32)을 포함하고 도펀트 층(20)은 전달 표면(34)을 포함한다. 방사선-흡수 패턴화된 층(22)은, 스펙트럼의 예비결정된 부분의 광을 흡수하고 열을 발생시킬 수 있는 방사선 흡수 물질을 포함한다.
도 2a는 하나의 광 처리 방법에 의한 유기 물질(30)의 공여체 소자(10)로부터 기판(36)의 일부분으로의 기화전달 공정에 대한 횡단면도이다. 본원에서 기화전달은 물질이 간극을 통해 전달되는, 승화, 제거, 기화 또는 기타 방법과 같은 임의의 기작으로서 정의된다. 기판(36)은 공여체로부터 방출 물질을 수용하기 위한 표면을 제공하는 유기 고체, 무기 고체 또는 유기 및 무기 고체의 조합물일 수 있으며, 경질 또는 연질일 수 있다. 전형적인 기판 물질로는 유리, 플라스틱, 금속, 세라믹, 반도체, 금속 옥사이드, 반도체 옥사이드, 반도체 니트라이드 또는 이들의 조합물을 들 수 있다. 기판(36)은 물질의 균일 혼합물, 물질의 조성물 또는 물질의 다층일 수 있다. 기판(36)은 OLED 장치를 제조하는데 통상적으로 사용되는 기판인 OLED 기판(예를 들어, 능동 매트릭스 저온 폴리실리콘 TFT 기판)일 수 있다. 기판(36)은 발광의 연장된 방향에 따라 광 투과성이거나 불투명할 수 있다. 상기 광 투과성 특성은 기판을 통한 EL 발광을 시인하는데 바람직하다. 상기와 같은 경우 투명한 유리 또는 플라스틱이 통상적으로 사용된다. 상기 EL 발광을 상부 전극을 통해 시인하는 경우, 하부 지지체의 투과 특성은 중요하지 않으므로 광 투과성, 광 흡수성 또는 광 반사성이 모두 가능하다. 상기 경우에 사용하기 위한 기판으로는 유리, 플라스틱, 반도체 물질, 세라믹 및 회로판 물질, 또는 OLED 장치(수동 매트릭스 장치 또는 능동 매트릭스 장치중 하나일 수 있다) 형성에 통상적으로 사용되는 임의의 기타 물질을 들 수 있으나, 이들로 한정되는 것은 아니다. 기판(36)은 상기 단계 전에 다른 층들로 코팅될 수 있다.
본 실시양태에서, 공여체 소자(10)는 광 흡수층(16)으로 제조된다. 광 흡수층(16)은 OLED 장치일 수 있는 기판(36)과 전달관계로 배치된다. 전달관계는, 공여체 소자(16)가 기판(36)과 접촉하도록 배치되고 기판(36)으로부터 조절되어 분리되도록 유지되는 것을 의미한다. 본 실시양태에서, 공여체 소자(10)는 기판(36)과 접촉하며 간극(44)은 박막 트랜지스터(40)에 의해 유지되고 올라온 표면 부분(42)이 중간에 삽입된다.
레이저 공급원(49)으로부터의 레이저 광(48)의 패턴은 공여체 소자(10)의 비전달 표면(32)을 조사한다. 레이저 공급원(49)은, 예를 들어 열을 충분히 발생시켜 본원에서 기술된 전달을 수행하기에 충분한 동력의 적외선 레이저일 수 있다. 레이저 광(48)이 광 흡수층(16)에 충돌하면 열(50)이 발생한다. 상기 열은 레이저 광(48)의 가장 가깝게 인접한 유기 물질(30)을 가열한다. 유기 물질(30)은 편의상 단일 층으로서 도시되나, 본원에 기술한 바와 같이 다층 코팅(예를 들어, 호스트 물질층(18) 위에 배치된 도펀트 층(20))일 수 있음을 이해하여야 한다. 본 실시양태에서, 공여체 소자(10) 상에 충돌한 광의 많은 부분은 열로 전환되지만, 이는 단지 공여체 소자(10)에서 선택적으로 조사된 부분에서만 발생할 것이다. 광(48)은 광 흡수층(16)에 의해 흡수되며, 열(50)이 발생된다. 유기 물질(30)중 가열된 부분의 일부 또는 전체가 승화, 기화 또는 제거되며, 패턴화된 전달로 전달된 유기 물질(52)로서 OLED 기판(36)의 수용 표면(46) 상에 침착된다. 따라서, 상기 기화전달은 다양한 유기 물질(30)의 층을 포함하는 도펀트 물질 및 호스트 물질의 영향을 받는다. 호스트 물질 및 도펀트 물질이 광 흡수층(16)으로부터 전달되는 경우, 이들은 적어도 부분적으로 혼합되어 OLED 장치중 전달된 유기 물질(52)이 된다.
도 2b는 또다른 광 처리 방법에 의한, 유기 물질(30)의 공여체 소자(12)로부터 OLED 기판일 수 있는 기판(38)의 부분으로의 전달을 나타내는 횡단면도이다. 본 실시양태에서, 공여체 소자(12)는 패턴화된 층의 광 흡수층(22)으로 제조되었다. 공여체 소자(12)는 기판(38)과 전달관계로 배치되며 간극(54)에 의해 OLED 기판(38)으로부터 이격된다. 플래쉬 광(56)은 비전달 표면(32)을 조사한다. 플래쉬 광(56)이 방사선-흡수 물질(22)에 충돌하는 경우 열(50)이 발생된다. 이는 패턴화된 층의 방사선-흡수층(22)의 가장 가까운 유기 물질(30)을 가열한다. 유기 물질(30)은 편의상 단일층으로 도시되었으나, 본원에 기술한 바와 같이 다층 코팅(예를 들어, 호스트 물질층(18) 위에 배치된 도펀트 층(20))일 수 있음을 이해하여야 할 것이다. 본 실시양태에서, 공여체 소자(12) 상의 광 충돌 부분(즉, 방사선-흡수층(22)에 직접적으로 충돌하는 부분)만이 열로 전환될 것이다. 가열된 유기 물질(30)의 부분중 일부 또는 전체가 승화, 기화 또는 제거되며, 패턴화된 전달로기판(38)의 수용 표면(46) 상의 전달된 유기 물질(52)이 된다.
상기 공정은 공여체 소자(12)와 기판(38)사이의 간극(54)에 감압 분위기를 제공하는 방식으로 수행될 수 있다. 감압 분위기는, 1 torr 이하의 압력이고, 이는 평균 자유 경로(다른 기체성 분자와 충돌하는 사이 기체성 분자가 움직인 평균 거리)가 상기 간극 거리보다 큼을 의미한다. 이는 간극을 가로지르는 물질이 임의의 잔여 기체와 충돌할 가능성이 적음을 의미한다.
도 3은, 기화전달되는 도펀트 물질 및 호스트 물질이 기판 위에 침착될 때, 도펀트 물질이 호스트 물질로 혼합되는 방식에 대한 횡단면도를 나타낸다. 호스트 물질층(18) 및 도펀트 층(20)이 전달되고 기판위에 침착되어, 전달된 호스트 물질층(72), 전달된 도펀트 층(76) 및 혼합층(74)을 형성한다. 혼합층(74)은 도펀트 및 호스트 물질 사이의 계면(21)에서 도펀트 층(20) 및 호스트 물질층(18)로부터 형성된다. 도펀트 물질 및 호스트 물질의 혼합은 부분 혼합 또는 완전 혼합일 수 있다.
도 4는, OLED 장치의 방출 부분의 구조를 나타내는 예에 대한 횡단면도이다. OLED 장치(58)는 기판(36) 위에 형성되며, 애노드 층(60)의 관심 영역에 코팅된다. 전도성 애노드층은 기판 위에 형성되며, EL 발광이 애노드층을 통해 시인되는 경우, 목적하는 방출에 대해 투명하거나 실질적으로 투명해야 한다. 본 발명에 사용되는 통상의 투명 애노드 물질은 인듐-주석 옥사이드 및 주석 옥사이드이나, 알루미늄 또는 주석 도핑된 아연 옥사이드, 마그네슘-인듐 옥사이드, 및 니켈-텅스텐 옥사이드를 포함하나 이들로써 한정되는 것은 아닌 기타 금속 옥사이드가 사용될 수도 있다. 상기 옥사이드 이외에도, 금속 니트라이드, 예를 들어 갈륨 니트라이드, 및 아연 셀레나이트와 같은 금속 셀레나이드, 및 아연 설파이드와 같은 금속 설파이드가 애노드 물질로서 사용될 수 있다. EL 발광이 상부 전극을 통해 시인되는 경우에는, 상기 애노드 물질의 투과 특성이 중요하지 않으므로, 투명, 불투명 또는 반사성의 임의의 전도성 물질이 사용될 수 있다. 상기 용도의 전도체의 예로는 금, 이리듐, 몰리브덴, 팔라듐 및 백금을 들 수 있으나, 이들로써 한정되는 것은 아니다. 전형적인 애노드 물질(투과성 또는 비 투과성)은 4.1eV 이상의 일함수를 갖는다. 목적하는 애노드 물질은 기화, 스퍼터링, 화학적 증착 또는 전기화학적 수단과 같은 임의의 적당한 수단에 의해 침착될 수 있다. 애노드 물질은 익히 공지된 포토리쏘그래프 공정에 의해 패턴화될 수 있다.
OLED 장치(58)는 정공 주입층(62)을 추가적으로 포함할 수 잇다. 반드시 필요한 것은 아니나, 종종 유기 발광 디스플레이에 정공 주입층이 제공되는 것이 유용하다. 상기 정공 주입 물질은 후속 유기층의 성막 특성을 개선시키는 작용을 하며 정공 수송층으로의 정공의 주입을 용이하게 한다. 정공 주입층의 용도로서 적당한 물질은 미국특허 제 4,720,432 호에 기술된 포피린계 화합물 및 미국특허 제 6,208,075 호에 기술된 플라스마-침착된 탄화불소 중합체를 포함하나 이들로써 한정되는 것은 아니다. 유기 EL 장치에 유용한 것으로 보고된 기타 정공 주입 물질은 유럽특허 제 0 891 121 A1 호 및 제 1,029,909 A1 호에 기술되어 있다.
OLED 장치(58)는 정공 수송층(64)을 추가적으로 포함한다. 정공 수송층(64)은 전술한 정공 수송 물질중 임의의 것을 포함할 수 있다. 바람직한 정공 수송 물질은 기화, 스퍼터링, 화학적 증착 또는 전기화학적 수단과 같은 임의의 적당한 수단에 의해 침착될 수 있다. 정공 수송 물질은 익히 공지된 포토리쏘그래프 공정에 의해 패턴화될 수 있다.
OLED 장치(58)는 추가적으로 방출층(66)을 포함하며, 이는 본 발명의 기법에 의해 침착될 수 있다. 유용한 방출 물질은 익히 공지되어 있다. 미국특허 제 4,769,292 호 및 제 5,935,721 호에서 보다 상세히 기술된 바에 따르면, 유기 EL 소자의 광-방출층(LEL)은 발광 또는 형광 물질을 포함하며, 이 영역에서의 전자-정공쌍의 재조합의 결과로서 전기발광이 발생한다. 상기 발광층은 단일 물질을 포함할 수 있으나, 보다 통상적으로는 게스트 화합물, 또는 주로 도펀트로부터 발광이 발생하고 상기 발광이 임의의 칼라일 수 있는 화합물로 도핑된 호스트 물질로 이루어진다. 상기 발광층 내의 호스트 물질은 후술되는 전자 수송 물질, 전술된 정공 수송 물질, 또는 정공-전자 재조합을 보조하는 또다른 물질일 수 있다. 호스트 물질 중에 함유된 도펀트 물질은 전술한 바와 같다.
OLED 장치(58)는 전자 수송층(68)을 추가적으로 포함한다. 목적하는 전자 수송 물질은 기화, 스퍼터링, 화학적 증착 또는 전기화학적 수단과 같은 임의의 적당한 수단에 의해 침착될 수 있다. 전자 수송 물질은 익히 공지된 포토리쏘그래프 공정에 의해 패턴화될 수 있다. 본 발명의 유기 EL 장치용으로 바람직한 전자 수송 물질은 옥신 자체의 킬레이트("8-퀴놀리놀" 또는 "8-하이드록시퀴놀린"으로도 지칭됨)를 포함하는 금속 킬레이트된 옥시노이드 화합물이다. 상기 화합물은 전자의 주입 및 수송을 보조하고 모두 높은 수준의 수행력을 나타내며 박막의 형태로용이하게 제조된다. 고려된 옥시노이드 화합물의 예로는 상기 화학식 7을 만족시키는 화합물을 들 수 있다.
다른 전자-수송 물질의 예로는 미국특허 제 4,356,429 호에 개시된 바와 같은 다양한 부타디엔 유도체 및 미국특허 제 4,539,507 호에 개시된 바와 같은 다양한 헤테로사이클릭 광학 증백제를 들 수 있다. 상기 화학식(I)를 만족하는 벤즈아졸도 또한 유용한 전자-수송 물질이다.
다른 전자 수송 물질은 중합체성 물질, 예를 들어 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 폴리-파라-페닐렌 유도체, 폴리플루오렌 유도체, 폴리티오펜, 폴리아세틸렌 및 기타 전도성 중합체성 유기 물질, 예를 들어 문헌[Handbook of Conductive Molecules and Polymers, Vols. 1-4, H.S. Nalwa, ed., John Wiley and Sons, Chichester(1997)]에 나열된 물질일 수 있다.
OLED 장치(58)는 추가적으로 캐쏘드(70)를 포함한다. 애노드를 통하여 발광하는 경우, 캐쏘드 물질은 거의 특정의 전도성 물질로 이루어질 수 있다. 바람직한 물질은 하부 유기층과 양호하게 접촉하여 낮은 전압에서의 전자 주입을 촉진시키는 양호한 필름-형성 특성, 및 양호한 안정성을 갖는다. 유용한 캐쏘드 물질은 때로는 낮은 일함수(＜3.0 eV)를 갖는 금속 또는 금속 합금을 함유한다. 한가지 바람직한 캐쏘드 물질은 미국특허 제 4,885,221 호에 기술되어 있는 바와 같은, 은의 함량이 1 내지 20% 범위인 Mg:Ag 합금으로 이루어진다. 또 다른 적합한 부류의 캐쏘드 물질은 더 얇은 전도성 물질의 층으로 캡핑된, 낮은 일 함수를 갖는 금속 또는 금속 염의 얇은 층으로 이루어진 이중층을 포함한다. 한가지의 이러한 캐쏘드는 미국특허 제 5,677,572 호에 기술되어 있는 바와 같은, 더 얇은 Al 층에 후속되는 얇은 LiF 층으로 이루어진다. 다른 유용한 캐쏘드 물질의 예로는 미국특허 제 5,059,861 호; 제 5,059,862 호; 및 제 6,140,763 호에 개시된 것들을 들 수 있지만, 이들로써 한정되는 것은 아니다.
캐쏘드를 통해 발광을 시인하는 경우에는 상기 캐쏘드 물질이 투명하거나 거의 투명해야 한다. 이러한 용도에서는, 금속이 얇거나 투명한 전도성 옥사이드, 또는 상기 물질의 조합물을 사용하여야 한다. 광학적으로 투명한 캐쏘드는 미국 특허 제 5,776,623 호에 보다 상세히 기술되어 있다. 캐쏘드 물질은 기화, 스퍼터링 또는 화학적 증착에 의해 침착될 수 있다. 경우에 따라, 패터닝은 익히 공지된 다수의 방법을 통해 달성되며, 상기 방법으로는 미국 특허 제 5,276,380 호 및 유럽 특허 제 0 732 868 호에 개시된 바와 같은 관통-마스크(through-mask) 침착, 인테그랄 섀도우 마스킹(integral shadow masking), 레이저 제거 및 선택적 화학적 증착을 들 수 있으나, 이들로 한정되는 것은 아니다.
도 5는 본 발명에 기술된 방식으로 처리된 기판(82)의 평면도이다(도 2a 및 도 2b 참조). 유기 물질(30)의 예비결정된 부분은 전달 패턴(80)으로 기판으로 전달된다. 전달 패턴(80)은 처리된 기판(82)의 최종 용도에 부합하는 방식으로 형성된다(예를 들어, 전달 패턴(80)은 기판(36) 위에 존재하는 박막의 위치로 전달되는 OLED 광 방출 물질의 것이다). 전달 패턴(80)은 이를 제조하는데 사용되는 방법을 반영한다(예를 들어, 도 2b의 패턴화된 층의 방사선 흡수 물질(22) 또는 도 2a의 레이저 광(48) 조사의 패턴)
본 발명 및 이의 장점은 하기 비교예를 통해 보다 상세히 인지될 수 있다.
공여체 소자 실시예 1
하기 방식으로 본 발명의 요건을 만족시키는 공여체 소자를 구성하였다:
1. 30nm 두께의 크롬의 흡수층을 약 2㎛ 높이, 125㎛ 두께의 부드러운 질감의 폴리이미드 공여체 기판 위에 진공 침착시켰다.
2. 20nm 두께의 2-t-부틸-9,10-비스(2-나프틸)안트라센(TBADN)의 층을 상기 크롬 층 위에 진공 침착시킨 다음, 0.25nm의 테트라-t-부틸-페릴렌(TBP)의 제 2 층을 진공 침착시켰다.
OLED 장치 실시예 1
본 발명의 요건을 만족시키는 OLED 장치를 다음의 방식으로 구성하였다:
1. 투명 유리 기판 위에, 인듐 주석 옥사이드를 사용한 마스크를 통해 40 내지 80nm 두께의 투명 전극을 진공 침착시켰다.
2. 상기 생성된 표면을 플라스마 산소 에칭 처리한 다음, 약 0.1nm 두께의 CFx로 플라스마 침착시켰다.
3. 상기 표면 위에 170nm 두께의 NPB의 정공 수송층을 진공 침착시켰다.
4. 상기 NPB 층의 상부 위에 공여체 소자 실시예 1에서 제조한 공여체 소자를 배치하고, 진공을 사용하여 가장 가까이 접촉되도록 유지시켰다. 공여체 기판의 조직으로 인한 약 1㎛의 작은 간극이 유지되었다. 발광이 요구되는 OLED 기판의 영역에서, 적외선 레이저 빔을 사용하여 폴리이미드 기판에 조사하여 공여체 소자로부터 방출 물질의 전달을 수행하였다. 빔의 크기는 1/e2강도 포인트에 대하여 약 23㎛×80㎛이었다. 빔은 넓은 빔 방향에 대해 평행하게 스캐닝되었다. 드웰 시간(dwell time)은 약 0.68J/㎠의 전력 밀도에서 29㎲이었다.
5. 35nm 두께의 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(ALQ)의 전자 수송층을 방출층 위에 진공 침착시켰다.
6. 20nm의 은 및 200nm의 마그네슘을 진공 침착에 의해 상기 전자 수송층 위에 공동침착시켜 전극을 형성하였다.
공여체 소자 실시예 2
단계 2에서, 20nm의 TBADN 및 0.25nm의 TBP층을 크롬층 위에 진공 공동침착시켜 혼합된 공여체를 형성하는 것을 제외하고, 공여체 소자 실시예 1에서 기술된 방식으로 비교용 공여체 소자를 구성하였다.
OLED 장치 실시예 2
단계 4에서 공여체 소자 실시예 2에서 제조된 공여체 소자를 사용하는 것을 제외하고, OLED 장치 실시예 1에서 기술된 방식으로 비교용 OLED 장치를 구성하였다.
OLED 장치 실시예 3
단계 4를 다음과 같이 수행하는 것을 제외하고, OLED 장치 실시예 1에서 기술된 방식으로 비교용 OLED 장치를 구성하였다.
4. 0.25nm의 TBP 층을 NPB층 위에 진공 침착시킨 다음, 20nm의 TBADN의 제 2층을 침착시켰다.
OLED 장치 실시예 4
단계 4에서, 20nm의 TBADN 및 0.25nm의 TBP층을 상기 NPB층 위에 진공 공동침착시켜 혼합된 층을 형성하는 것을 제외하고, OLED 장치 실시예 3에서 기술된 방식으로 비교용 OLED 장치를 구성하였다.
장치 시험은 상기 구성된 OLED 장치에 일정한 전류를 흐르게 하는 단계 및 광 생성량을 모니터링하는 단계로 구성된다. 블루 도펀트 방출은 TBP로부터 특징적인 3개의 피크를 갖는 방출을 나타내는 방출 스펙트럼을 관찰함으로써 확인되며, 이 때 가장 강한 피크는 약 464nm에 위치한다. TBADN 방출은 456nm(CIE(0.16, 0.12)에서의 단일 피크 방출이다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
실시예 번호 실시예 유형 CIE X CIE Y 20mA/㎠에서의 휘도(cd/㎡) 도펀트 방출 여부
1 본 발명 0.159 0.210 314 O
2 (비교용) 공여체 0.159 0.209 350 O
3 (비교용)이중층 0.163 0.124 252 극히 적음
4 (비교용)혼합층 0.162 0.216 358 O
공여체 소자 실시예 3
단계 2를 다음과 같이 수행하는 것을 제외하고, 공여체 소자 실시예 1에서 기술한 방식으로 본 발명의 요건을 만족시키는 공여체 소자를 구성하였다:
2. 20nm 두께의 ALQ 층을 크롬층 위에 진공 침착시킨 다음, 0.4nm 두께의 4-(디시아노메틸렌)-2-t-부틸-6-(1,1,7,7-테트라메틸줄롤리딜-9-에닐)-4H-피란(DCJTB)의 제 2층을 진공 침착시켰다.
OLED 장치 실시예 5
단계 4에서, 공여체 소자 실시예 3에서 제조한 공여체 소자를 사용하고, 공여체 소자와 OLED 기판 사이의 금속 쉼 스페이서(shim spacer)를 사용하여 75㎛의 간극을 유지하는 것을 제외하고, OLED 장치 실시예 1에서 기술한 방식으로 본 발명의 요건을 만족시키는 OLED 장치를 구성하였다.
공여체 소자 실시예 4
단계 2에서, 20nm의 ALQ 및 0.4nm의 DCJTB를 크롬층 위에 진공 공동침착시켜 혼합된 공여체를 형성하는 것을 제외하고, 공여체 소자 실시예 3에서 기술한 방식으로 비교용 공여체 소자를 구성하였다.
OLED 장치 실시예 6
단계 4에서 공여체 소자 실시예 4에서 제조한 공여체 소자를 사용하는 것을 제외하고, OLED 장치 실시예 5에서 기술한 방식으로 비교용 OLED 장치를 구성하였다.
OLED 장치 실시예 7
단계 4를 다음과 같이 수행하는 것을 제외하고, OLED 장치 실시예 1에서 기술한 방식으로 비교용 OLED 장치를 구성하였다:
4. 0.4nm 두께의 DCJTB의 층을 상기 NPB 층 위에 진공 침착시킨 다음, 20nm두께의 ALQ의 제 2층으로 진공 침착시켰다.
OLED 장치 실시예 8
단계 4에서, 20nm의 ALQ 및 0.4nm의 DCJTB를 NPB 층 위에 진공 공동침착시켜 혼합층을 형성하는 것을제외하고, OLED 장치 실시예 7에서 기술한 방식으로 비교용 OLED 장치를 구성하였다.
장치 시험은 상기 구성된 OLED 장치에 일정한 전류를 흐르게 하는 단계 및 광 생성량을 모니터링하는 단계로 구성된다. 적색 DCJTB 도펀트 방출은 호스트 ALQ 녹색 방출로부터 분리된 피크에 의해 용이하게 확인된다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
실시예 번호 실시예 유형 CIE X CIE Y 20mA/㎠에서의 휘도(cd/㎡) 도펀트 방출 여부
5 본 발명 0.58 0.40 300 O
6 (비교용) 공여체 0.63 0.37 192 O
7 (비교용)이중층 0.42 0.51 157 약간
8 (비교용)혼합층 0.64 0.36 319 O
도펀트가 표준 OLED 장치중 개별적인 층으로서 증착되는 경우에는, 도펀트가 주된 방출 공급원으로서 작용하지 않고 대부분 또는 모든 방출이 호스트로부터 발생함(실시예 3 및 7)을 명백히 알 수 있다. 방출 부위로서 효과적으로 사용되기 위해서는, 도펀트가 호스트로 효율적으로 혼합되어야 한다. 예상치 못하게도, 적층된 공여체는 방사선 전달시 충분히 혼합되어 양호한 칼라 및 효율적인 휘도를 수득하였다. 방사선 전달은 호스트 물질과 혼합된 도펀트를 갖는 공여체와 유사한, 개별적인 층 중의 도펀트를 갖는 공여체로부터 방출층을 전달시키며, 이는 방출층공여체(실시예 2 및 6)로부터의 전달 또는 OLED 장치로 직접 침착된다(실시예 4 및 8).
본 발명을 통해, 도펀트/호스트의 비율을 양호하게 조절한 공여체를 제조하였으며, 상기 공여체를 사용한 OLED 장치에서 양호한 칼라 및 효능을 수득하였다.

Claims (6)

  1. (a) 공여체 지지 요소;
    (b) 상기 공여체 지지 요소 위에 배치되는 것으로, 광에 감응하여 열을 발생시키는 광 흡수층;
    (c) 상기 광 흡수층 위에 배치되는 호스트 물질층; 및
    (d) 상기 호스트 물질층 위에 배치되는 도펀트 층을 포함하여,
    공여체 소자가 OLED 장치와 전달관계로 배치되고 광 흡수층에 의해 광이 흡수되는 경우, 광 흡수층으로부터 호스트 물질 및 도펀트 물질의 기화전달을 일으키는 열을 생성함으로써 OLED 장치에서 적어도 부분적인 혼합을 유발시키는,
    OLED 장치의 제조용으로 적합한 공여체 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    호스트 물질층 또는 또다른 층에 둘 이상의 호스트 물질을 추가적으로 포함하는 공여체 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    도펀트 층이 호스트 물질층 위에 직접 배치되는 공여체 소자.
  4. (a) 공여체 지지 요소;
    (b) 상기 공여체 지지 요소 위에 배치되는 것으로, 광에 대응하여 열을 발생시키는 광 흡수층;
    (c) 상기 광 흡수층 위에 배치되는 하나 이상의 호스트 물질층; 및
    (d) 상기 호스트 물질층 위에 배치되는 도펀트 층을 포함하여,
    공여체 소자가 OLED 장치와 전달관계로 배치되고 광 흡수층에 의해 광이 흡수되는 경우, 광 흡수층으로부터 호스트 물질 및 도펀트 물질의 기화전달을 일으키는 열을 생성함으로써 OLED 장치에서 적어도 부분적인 혼합을 유발시키는,
    OLED 장치의 제조용으로 적합한 공여체 소자.
  5. (a) OLED 기판과 전달관계이고 상기 OLED 기판으로부터 간극에 의해 이격된 공여체 소자를 배치하는 단계; 및
    (b) 도펀트 물질 및 호스트 물질이 각각 상기 기판위에 침착되어 도펀트 물질과 호스트 물질 사이의 계면에서 도펀트 물질이 호스트 물질에 혼합되도록, 충분한 열이 생성되기에 충분한 광을 상기 공여체 소자에 조사하는 단계를 포함하는,
    OLED 장치의 제조공정에서 제 1 항에서 정의된 공여체 소자를 사용하는 방법.
  6. (a) OLED 기판과 전달관계이고 상기 OLED 기판으로부터 간극에 의해 이격된 공여체 소자를 배치하는 단계; 및
    (b) 도펀트 물질 및 호스트 물질이 각각 기판위에 침착되어 도펀트 물질과 호스트 물질 사이의 계면에서 도펀트 물질이 호스트 물질에 혼합되도록, 충분한 열이 생성되기에 충분한 광을 상기 공여체 소자에 조사하는 단계를 포함하는,
    OLED 장치의 제조공정에서 제 4 항에서 정의된 공여체 소자를 사용하는 방법.
KR1020030053606A 2002-08-02 2003-08-02 개별적인 도펀트 층을 포함하는 레이저 열 전달 공여체 및 공여체를 사용하는 방법 KR101004058B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101466232B1 (ko) * 2007-07-06 2014-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치의 제조 방법

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4197447B2 (ja) * 2003-03-31 2008-12-17 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子の製造方法及びその有機電界発光素子
US20050145326A1 (en) * 2004-01-05 2005-07-07 Eastman Kodak Company Method of making an OLED device
US20050181141A1 (en) * 2004-02-18 2005-08-18 Aiden Flanagan Laser-induced explosive vaporization coating method, associated system, and device made by the method
WO2005122158A1 (en) * 2004-06-11 2005-12-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Improved information carrier
JP2006057173A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Tohoku Pioneer Corp 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌパネルの製造方法
KR100721565B1 (ko) 2004-11-17 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 저분자 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
US7268006B2 (en) * 2004-12-30 2007-09-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including a guest material within a layer and a process for forming the same
US7630029B2 (en) * 2005-02-16 2009-12-08 Industrial Technology Research Institute Conductive absorption layer for flexible displays
US7648741B2 (en) * 2005-05-17 2010-01-19 Eastman Kodak Company Forming a patterned metal layer using laser induced thermal transfer method
US7781023B2 (en) * 2005-10-11 2010-08-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of producing an electroluminescent display
US20070080632A1 (en) * 2005-10-11 2007-04-12 Lambright Terry M Electroluminescent display system
JP2009048811A (ja) 2007-08-16 2009-03-05 Sony Corp 転写用基板および有機電界発光素子の製造方法
JP5416987B2 (ja) * 2008-02-29 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
JP5079722B2 (ja) 2008-03-07 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP5317906B2 (ja) * 2009-09-23 2013-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法
EP2731126A1 (en) 2012-11-09 2014-05-14 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method for bonding bare chip dies
US10471538B2 (en) * 2015-07-09 2019-11-12 Orbotech Ltd. Control of lift ejection angle
DE102015119327A1 (de) * 2015-11-10 2017-05-11 Von Ardenne Gmbh Verfahren, Beschichtungsanordnung und Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL250330A (ko) 1959-04-09
US3658520A (en) 1968-02-20 1972-04-25 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing as photoconductors triarylamines substituted by active hydrogen-containing groups
US3567450A (en) 1968-02-20 1971-03-02 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing substituted triarylamine photoconductors
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
DE3518323A1 (de) 1985-05-22 1986-11-27 SEVAR Entsorgungsanlagen GmbH, 8590 Marktredwitz Verfahren und vorrichtung zum trocknen von klaerschlamm
US4885221A (en) 1986-12-06 1989-12-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Electrophotography apparatus and electrophtographic process for developing positive image from positive or negative film
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US4772582A (en) 1987-12-21 1988-09-20 Eastman Kodak Company Spacer bead layer for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
US5059861A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
US5059862A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US5151629A (en) 1991-08-01 1992-09-29 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I)
US5150006A (en) 1991-08-01 1992-09-22 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (II)
US5141671A (en) 1991-08-01 1992-08-25 Eastman Kodak Company Mixed ligand 8-quinolinolato aluminum chelate luminophors
US5294870A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
DE69305262T2 (de) 1992-07-13 1997-04-30 Eastman Kodak Co Einen inneren Übergang aufweisende organisch elektrolumineszierende Vorrichtung mit einer neuen Zusammensetzung
US5405709A (en) 1993-09-13 1995-04-11 Eastman Kodak Company White light emitting internal junction organic electroluminescent device
JP3813217B2 (ja) 1995-03-13 2006-08-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法
JP3401356B2 (ja) 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US5593788A (en) 1996-04-25 1997-01-14 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with high operational stability
US5688551A (en) 1995-11-13 1997-11-18 Eastman Kodak Company Method of forming an organic electroluminescent display panel
US5578416A (en) 1995-11-20 1996-11-26 Eastman Kodak Company Cinnamal-nitrile dyes for laser recording element
US5683823A (en) 1996-01-26 1997-11-04 Eastman Kodak Company White light-emitting organic electroluminescent devices
US5776623A (en) 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Transparent electron-injecting electrode for use in an electroluminescent device
US5677572A (en) 1996-07-29 1997-10-14 Eastman Kodak Company Bilayer electrode on a n-type semiconductor
US5645948A (en) 1996-08-20 1997-07-08 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices
EP0891121B8 (en) 1996-12-28 2013-01-02 Futaba Corporation Organic electroluminescent elements
US5935720A (en) 1997-04-07 1999-08-10 Eastman Kodak Company Red organic electroluminescent devices
US5928802A (en) 1997-05-16 1999-07-27 Eastman Kodak Company Efficient blue organic electroluminescent devices
US5755999A (en) 1997-05-16 1998-05-26 Eastman Kodak Company Blue luminescent materials for organic electroluminescent devices
GB9711237D0 (en) 1997-06-02 1997-07-23 Isis Innovation Organomettallic Complexes
US5937272A (en) * 1997-06-06 1999-08-10 Eastman Kodak Company Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate
US5851709A (en) * 1997-10-31 1998-12-22 Eastman Kodak Company Method for selective transfer of a color organic layer
US5935721A (en) 1998-03-20 1999-08-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable electroluminescent
US6140763A (en) 1998-07-28 2000-10-31 Eastman Kodak Company Interfacial electron-injecting layer formed from a doped cathode for organic light-emitting structure
KR100837029B1 (ko) 1998-09-09 2008-06-10 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전자발광 소자 및 페닐렌디아민 유도체
GB9820805D0 (en) 1998-09-25 1998-11-18 Isis Innovation Divalent lanthanide metal complexes
US6208075B1 (en) 1998-11-05 2001-03-27 Eastman Kodak Company Conductive fluorocarbon polymer and method of making same
US6048573A (en) * 1998-11-13 2000-04-11 Eastman Kodak Company Method of making an organic light-emitting device
US6361886B2 (en) 1998-12-09 2002-03-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved hole transport layer
US6020078A (en) 1998-12-18 2000-02-01 Eastman Kodak Company Green organic electroluminescent devices
US6114088A (en) 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
WO2000041893A1 (en) * 1999-01-15 2000-07-20 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element and process for forming organic electroluminescent devices
JP4619546B2 (ja) 1999-03-23 2011-01-26 ザ ユニバーシティー オブ サザン カリフォルニア 有機ｌｅｄの燐光性ドーパントとしてのシクロメタル化金属錯体
KR100934420B1 (ko) 1999-05-13 2009-12-29 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 전계인광에 기초한 고 효율의 유기 발광장치
SG118110A1 (en) * 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
US6555284B1 (en) * 2001-12-27 2003-04-29 Eastman Kodak Company In situ vacuum method for making OLED devices
US6610455B1 (en) * 2002-01-30 2003-08-26 Eastman Kodak Company Making electroluminscent display devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101466232B1 (ko) * 2007-07-06 2014-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치의 제조 방법

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