DE102015119327A1

DE102015119327A1 - Verfahren, Beschichtungsanordnung und Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske

Info

Publication number: DE102015119327A1
Application number: DE102015119327.2A
Authority: DE
Inventors: Ruben Seifert
Original assignee: Von Ardenne GmbH
Current assignee: Von Ardenne Asset GmbH and Co KG
Priority date: 2015-11-10
Filing date: 2015-11-10
Publication date: 2017-05-11

Abstract

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Transferieren eines Beschichtungsmaterials (512s) von einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100) auf ein Substrat (102) Folgendes aufweisen: Anordnen eines Beschichtungsmaterials (512s) auf einer ersten Seite (302t) der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100); Bestrahlen einer der ersten Seite (302t) gegenüberliegenden zweiten Seite (302b) der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100) derart, dass ein Verdampfen des Beschichtungsmaterials (512s) von einem ersten Bereich (302a) und einem zweiten Bereich (302b) der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100) bewirkt wird, wobei das Verdampfen des Beschichtungsmaterials (512s) von dem zweiten Bereich (302b) beginnt, nachdem das Beschichtungsmaterial (512s) von dem ersten Bereich (302a) verdampft wurde.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren, eine Beschichtungsanordnung und eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske.
Im Allgemeinen können Werkstoffe oder Substrate, wie plattenförmige Substrate, Glasscheiben, Wafer, Folien oder andere Träger, prozessiert, z.B. bearbeitet oder beschichtet werden. Zum Beschichten eines Substrats mit einem Material kann das Material beispielsweise in die Gasphase überführt (z.B. verdampft und/oder sublimiert) werden, wobei das gasförmige Material anschließend zum einem zu beschichtenden Substrat geführt werden kann, an dem das Material abgelagert (z.B. kondensiert) und eine Schicht bilden kann. Ein Verfahren zum Beschichten eines Substrats ist beispielsweise die Flash Mask Transfer Lithography (FMTL).
Dabei kann ein schichtbildendes Material (Beschichtungsmaterial) von einem Träger mittels eines thermischen Wärmeeintrags verdampft und auf ein gegenüberliegend dazu angeordnetes zu beschichtendes Substrat übertragen werden. Der thermische Wärmeeintrag kann beispielsweise mittels Bestrahlens der Beschichtungsmaske erfolgen, wobei ein Teil des zum Bestrahlen der Beschichtungsmaske verwendeten Lichts von der Beschichtungsmaske absorbiert und in thermische Energie umgewandelt werden kann, zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials von der Beschichtungsmaske. Dabei wird das auf dem Träger angeordnete Beschichtungsmaterial herkömmlicherweise mittels eines Belichtungspulses derart stark erwärmt, dass dieses auf das Substrat transferiert wird.
Mittels FMTL lassen sich thermisch sensible Materialien und/oder feine Muster auf ein Substrat transferieren.
Beispielsweise lässt sich FMTL zum Herstellen von organischen Leuchtioden (OLED) in Display einsetzen.
Der Träger kann ein Muster aufweisen, welches eine räumliche Verteilung definiert, mit dem das Beschichtungsmaterial verdampft wird. Werden Substrat und Träger in körperlichem Kontakt oder in einem anschaulich sehr geringen Abstand zueinander angeordnet, verändert sich die räumliche Verteilung, mit der das Beschichtungsmaterial emittiert wird, nicht. Somit lässt sich das Muster anschaulich auf die Schicht abbilden (transferieren), welche auf dem Substrat abgeschieden wird. Anschaulich wird herkömmlich ein möglichst genaues Abbilden des Musters auf das Substrat angestrebt.
Die Transferdynamik, mit der ein Übertrag des Beschichtungsmaterials auf das Substrat erfolgt, ist von einer Vielzahl von Parametern abhängig, wie z.B. der Art der Belichtung (Pulsdauer, Pulsintensität), der chemischen Zusammensetzung des Materials, der Strukturgröße des Musters, der Beschaffenheit des Substrats, usw., welche einander zu einem komplexen Zusammenspiel überlagern und die Eigenschaften der abgeschiedenen Schicht beeinflussen. Dabei können parasitäre Effekte auftreten, welche die Eigenschaften der Schicht beeinträchtigen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wurde erkannt, dass die Transferdynamik mit zunehmender Schichtdicke, welche abgeschieden wird, zu einem inselförmigen Wachstum tendiert, welches zu mäanderförmigen Gräben in der Schicht und/oder zu Löchern in der Schicht führt. Dies kann bei Ausgleichsschichten (Transportschichten), welche zur Anpassung einer Kavität auf die Farbe einer OLED verwendet werden, zu einem Anstieg des Spannungsabfalls über der Schicht führen, da die elektrischen Eigenschaften der Schicht verändert werden. Alternativ oder zusätzlich kann dies die Effizienz der OLED und deren Lebensdauer verschlechtern, da eine größere Spannung zum Betrieb der OLED benötigt wird, was die Bauteile der OLED stärker belastet.
Ferner wurde gemäß verschiedenen Ausführungsformen erkannt, dass es beim Transfer von dotierten Materialien mittels FMTL, zu einer Entmischung des dotierten Materials kommen kann, d.h. dass sich das Grundmaterial und der Dotant voneinander trennen. Anschaulich wurde erkannt, dass eine Ursache für das Entmischen in den verschiedenen Verdampfung/Sublimation-Temperaturen der Bestandteile (z.B. Moleküle) der Materialien liegen kann, was voneinander verschiedene Laufzeiten der Bestandteile beim Transfer bewirkt, z.B. aufgrund der verschiedenen Massen der Bestandteile. Bei dotierten Emittern in einer OLED kann dies zu einer Verringerung der Effizienz führen, da für eine maximale Effizienz anschaulich eine möglichst homogen dotierte Schicht benötigt wird. Führt die Entmischung zu einer starken lokalen Ansammlung des Dotanten (z.B. bei Emittern), können sich darin gebildete Exzitonen gegenseitig nichtstrahlend auslöschen (auch als Exziton-Exziton-Anihilation bezeichnet), was die Effizienz der OLED noch weiter verringert.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen werden ein Verfahren, eine Beschichtungsanordnung und eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske bereitgestellt, welche anschaulich ein sequentielles Beschichten ermöglichen, d.h. dass das Beschichtungsmaterial in mehreren Teilschritten abgeschieden wird. Damit können die Auswirkungen der parasitären Effekte verringert werden, so dass die FMTL einem breiteren Spektrum an Materialien und/oder damit herstellbaren Produkten zugänglich wird.
Die jeweils in den Teilschritten gebildete Teilschicht ist anschaulich so dünn, dass die Tendenz zum Inselwachstum geringer ist und/oder dass die Bestandteile eines Materials, selbst wenn diese teilweise Entmischen, mittels der mehreren Teilschichten übereinander fein verteilt werden, so dass eine lokale Ansammlung eines Bestandteils vermieden werden kann.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen werden ein Verfahren, eine Beschichtungsanordnung und eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske bereitgestellt, welche es ermöglichen die Teilschichten derart zu überlagern, dass sich der geringe Abstand des Substrats zur Transfermaske weniger nachteilig auf die Muster und/oder auf die Homogenität der Schicht auswirkt.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen werden ein Verfahren, eine Beschichtungsanordnung und eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske bereitgestellt, welche eine größere Toleranz beim Ausrichten der Transfermaske (Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske) zu dem zu beschichtenden Substrat ermöglichen. Damit wird das Beschichten vereinfacht.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Transferieren eines Beschichtungsmaterials von einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske auf ein Substrat Folgendes aufweisen: Anordnen eines Beschichtungsmaterials auf einer ersten Seite der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske; und Bestrahlen einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske derart, dass ein Verdampfen des Beschichtungsmaterials von einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske bewirkt wird, wobei das Verdampfen des Beschichtungsmaterials von dem zweiten Bereich beginnt (zweiter Teilschritt), nachdem das Beschichtungsmaterial von dem ersten Bereich verdampft wurde (erster Teilschritt).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verdampfen des Beschichtungsmaterials mittels nacheinander erfolgender Pulse in einem zeitlichen Abstand voneinander erfolgen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bestrahlen derart erfolgen, dass ein Temperaturunterschied und/oder Temperaturgradient zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich bewirkt wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bestrahlen gepulst erfolgen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bestrahlen des zweiten Bereichs nach dem Bestrahlen des ersten Bereichs erfolgen und/oder mit einer größeren Flächenenergiedichte.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zum Bestrahlen auf die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske übertragene Strahlung in zumindest einem von Folgendem verändert werden: einer räumlichen Energieverteilung; einer zeitlichen Energieverteilung; einer Wellenlänge; einem Spektrum; und/oder einer Polarisation.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: erstes Beschichten eines ersten Flächenabschnitts des Substrats mittels des von dem ersten Bereich verdampften Beschichtungsmaterials (in dem ersten Teilschritt); und zweites Beschichten eines zweiten Flächenabschnitts des Substrats mittels des von dem zweiten Bereich verdampften Beschichtungsmaterials (in dem zweiten Teilschritt), wobei der erste Flächenabschnitt und der zweite Flächenabschnitt einander teilweise überlappen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann mit dem Beschichtungsmaterial ein Substrat beschichtet sein oder werden, welches eine Pixeldefinition-Schicht aufweist. Beispielsweise kann das Substrat ein Display aufweisen und/oder einen transparenten Träger (z.B. aus Glas) aufweisen. Optional kann das Substrat zumindest eine Metallisierung aufweisen, welche die zu beschichtende Oberfläche mit einem Kontaktpad des Substrats elektrisch leitend verbindet. Die zumindest eine Metallisierung kann zumindest eine Elektrode und eine Kathode aufweisen, z.B. pro Pixel.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann mit dem Beschichtungsmaterial ein Substrat beschichtet sein oder werden, wobei das Substrat eine Schicht aufweist, die eine oder mehrere Öffnungen aufweist, welche eine zu beschichtende Oberfläche des Substrats freilegen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: Bilden einer Passivierungsschicht über dem Substrat (z.B. zum Abdecken des Beschichtungsmaterials).
Die Pixeldefinition-Schicht kann ein elektrisch isolierendes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren optional das Bilden der Pixeldefinition-Schicht auf einem transparenten Träger aufweisen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Transferieren eines Beschichtungsmaterials von einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske auf ein Substrat Folgendes aufweisen: Anordnen eines Beschichtungsmaterials auf einem strahlungsabsorbierenden Abschnitt der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske; gepulstes Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske derart, dass das Beschichtungsmaterial (von dem strahlungsabsorbierenden Abschnitt) mittels nacheinander erfolgender (z.B. aufeinanderfolgende) Pulse des gepulsten Bestrahlens von dem strahlungsabsorbierenden Abschnitt verdampft wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das gepulste Bestrahlen mehrere Pulse (Strahlungspulse) aufweisen, von denen zumindest ein Strahlungspuls: eine größere Energie (Bestrahlung-Energie) aufweisen kann (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) als ein diesem vorangehender Strahlungspuls der mehreren Strahlungspulse; und/oder eine kleiner Energie (Bestrahlung-Energie) aufweisen kann Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) als ein diesem nachfolgender Strahlungspuls der mehreren Strahlungspulse.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können zumindest zwei (z.B. aufeinanderfolgende) Pulse des gepulsten Bestrahlens voneinander verschiedene räumliche und/oder zeitliche Energieverteilung (Verteilung der Bestrahlung-Energie) aufweisen (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche). Beispielsweise können diese verschieden voneinander fokussiert, gefiltert und/oder ausgeblendet werden und/oder verschieden voneinander, z.B. mit verschiedenen Pulsdauern, erzeugt und/oder emittiert werden. Je größer die Pulsdauer ist, desto kleiner kann eine Bestrahlung-Leistung (Bestrahlung-Energie pro Zeit) bei konstanter Bestrahlung-Energie sein.
Die zwei (z.B. aufeinanderfolgenden) Pulse können beispielsweise mit einer räumlich verschiedenen und/oder zeitlich verschiedenen Energieverteilung erzeugt werden (Verteilung der Erzeugung-Energie) und/oder mit einer räumlich verschiedenen und/oder zeitlich verschiedenen Energieverteilung auf die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske auftreffen (Verteilung der Bestrahlung-Energie).
Die Energie pro Zeit kann einer Leistung entsprechen, die Energie pro Fläche kann einer Flächenenergiedichte entsprechen und die Energie pro Zeit und pro Fläche kann einer Flächenleistungsdichte entsprechen. Beispielsweise kann die Bestrahlung-Energie kann pro Zeit eine Bestrahlung-Flächenenergiedichte definieren.
Das gepulste Bestrahlen kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen flächig erfolgen, wobei z.B. eine räumliche und/oder zeitliche Energieverteilung moduliert werden kann. Mit anderen Worten können sich die Verteilung der Erzeugung-Energie (Erzeugung-Energieverteilung) und die Verteilung der Bestrahlung-Energie (Bestrahlung-Energieverteilung) voneinander unterscheiden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (z.B. der strahlungsabsorbierende Abschnitt) mittels eines ersten Pulses des gepulsten Bestrahlens derart bestrahlt werden, dass ein Verdampfen des Beschichtungsmaterials von einem ersten Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (z.B. des strahlungsabsorbierenden Abschnitts) bewirkt wird; wobei die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (z.B. der strahlungsabsorbierende Abschnitt) mittels eines zweiten Pulses des gepulsten Bestrahlens derart bestrahlt wird, dass ein Verdampfen des Beschichtungsmaterials von einem zweiten Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (z.B. des strahlungsabsorbierenden Abschnitts) bewirkt wird. Der erste Puls kann vor dem zweiten Puls erzeugt werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der erste Bereich und der zweite Bereich aneinander angrenzen oder einen Abstand voneinander aufweisen, wobei der Abstand kleiner ist, als eine Ausdehnung (parallel zum Abstand) des ersten Bereichs und/oder des zweiten Bereichs.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der erste Puls eine kleinere Energie (Erzeugung-Energie und/oder Bestrahlung-Energie) und/oder eine kleinere Leistung (Erzeugung-Leistung und/oder Bestrahlung-Leistung) aufweisen als der zweite Puls. Die Leistung kann von der Energie pro Zeit definiert sein oder werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der erste Puls eine Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) aufweisen, welche kleiner ist als eine Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials von dem zweiten Bereich (zweite Verdampfungsenergie) und größer ist als eine Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials von dem ersten Bereich (erste Verdampfungsenergie).
Die Verdampfungsenergie kann anschaulich beschreiben, welche Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) Verdampfen des Beschichtungsmaterials bewirkt (z.B. ein vollständiges Verdampfen).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der zweite Puls eine Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) aufweisen, welche größer ist als eine Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials von dem zweiten Bereich (zweite Verdampfungsenergie) und optional größer ist als eine Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials von dem ersten Bereich (erste Verdampfungsenergie).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der erste Bereich mittels des ersten Pulses mit einer ersten Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) bestrahlt werden (z.B. erste Bestrahlung-Flächenenergiedichte) und der zweite Bereich kann mittels des ersten Pulses mit einer zweiten Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) bestrahlt werden (z.B. zweite Bestrahlung-Flächenenergiedichte), wobei die erste Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) größer ist als die zweite Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche). Beispielsweise kann die räumliche Verteilung der Bestrahlung-Energie (z.B. der Bestrahlung-Flächenenergiedichte), mit der mittels des ersten Pulses bestrahlt wird, derart eingerichtet sein oder werden, dass in den ersten Bereich mehr Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) eingetragen wird als in den zweiten Bereich.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der erste Bereich mittels des zweiten Pulses mit einer dritten Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) bestrahlt werden und der zweite Bereich kann mittels des zweiten Pulses mit einer vierten Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) bestrahlt werden, wobei die vierte Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) größer ist als die zweite Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) und/oder als die vierte Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche). Anschaulich kann die räumliche Verteilung der Bestrahlung-Energie (z.B. der Bestrahlung-Flächenenergiedichte), mit der mittels des zweiten Pulses bestrahlt wird, derart eingerichtet sein oder werden, dass in den zweiten Bereich mehr Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) eingetragen wird als in den ersten Bereich oder mehr als mittels des ersten Pulses.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der erste Puls den ersten Bereich mit einer größeren (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) bestrahlen als der zweite Puls und/oder als den zweiten Bereich. Alternativ oder zusätzlich kann der zweite Puls den zweiten Bereich mit einer größeren (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) bestrahlen als der erste Puls und/oder als den ersten Bereich.
Die Bestrahlung-Flächenenergiedichte kann eine auf die Fläche des bestrahlten Bereichs bezogene Bestrahlung-Energie sein, d.h. anschaulich wie viel Strahlungsenergie pro Fläche auf den Bereich übertragen wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann sich zum gepulstem Bestrahlen nacheinander auf die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske übertragene Strahlung in zumindest einem von Folgendem unterscheiden: einer Wellenlänge; einem Spektrum (d.h. eine spektralen Zusammensetzung); einer Polarisation (d.h. eines Polarisationszustandes); und/oder einer übertragenen Energie (z.B. pro Zeit, pro Fläche und/oder deren Verteilung), d.h. beispielsweise einer räumlichen Energieverteilung, einer zeitlichen Energieverteilung, einer Strahlungsleistung pro Fläche (Bestrahlung-Flächenleistungsdichte), einer übertragenen Strahlungsenergie (Bestrahlung-Energie), einer übertragenen Strahlungsenergie pro Fläche (Bestrahlung-Flächenenergiedichte), und/oder einer übertragenen Strahlungsleistung (Bestrahlung-Leistung).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das gepulste Bestrahlen durch eine Bestrahlungsmaske hindurch erfolgen, welche eine zum Bestrahlen (z.B. mittels einer Strahlungsquelle) erzeugte Strahlung moduliert. Mit anderen Worten kann sich die auf die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske übertragene Strahlung von der zum Bestrahlen erzeugten Strahlung unterscheiden, z.B. in zumindest einem von Folgendem: einer Wellenlänge; einem Spektrum; einer Polarisation; und/oder einer übertragenen Energie (z.B. pro Zeit, pro Fläche und/oder deren Verteilung).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren aufweisen: Bewegen einer Bestrahlungsmaske, welche eine zum Bestrahlen (z.B. mittels einer Strahlungsquelle) erzeugte Strahlung moduliert, relativ zu der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske, so dass eine Position (eine Lage und/oder eine Ausrichtung) der Bestrahlungsmaske relativ zu der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske für zumindest zwei Pulse (z.B. aufeinanderfolgende) des gepulsten Bestrahlens unterschiedlich ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Bestrahlungsmaske (beim Durchtritt von Strahlung durch die Bestrahlungsmaske hindurch) zumindest eines von Folgendem modulieren: eine Wellenlänge; ein Spektrum; eine Polarisation; und/oder eine übertragene Energie (z.B. pro Zeit, pro Fläche und/oder deren Verteilung).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen Beschichten eines gemeinsamen Flächenabschnitts mit dem Beschichtungsmaterial, welches mittels nacheinander erfolgender Pulse verdampft wird. Mit anderen Worten können sich mittels des nacheinander Verdampfens gebildete Teilschichten zumindest teilweise überlappen (d.h. teilweise oder vollständig).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske Folgendes aufweisen: einen plattenförmigen Träger, welcher ein transparentes (strahlungstransparentes, auch als strahlungsdurchlässig bezeichnet) Material (auch als Trägermaterial bezeichnet) aufweist oder daraus gebildet ist; eine auf dem Träger angeordnete Absorber-Reflektor-Struktur, welche zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt (d.h. einen oder mehrere strahlungsabsorbierende Abschnitte) und zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt (d.h. einen oder mehrere strahlungsreflektierende Abschnitte) aufweist; eine Modulationsstruktur, welche dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt überlagert ist, so dass dieser zumindest zwei Bereiche aufweist, welche sich in einer thermischen Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) unterscheiden, die beim (z.B. homogenen) Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske zum Verdampfen eines Beschichtungsmaterials in dieses (in das Beschichtungsmaterial) übertragen wird und/oder die von den zwei Bereichen beim Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske aufgenommen wird. Mit anderen Worten können sich die zwei Bereiche in einem thermischen Wärmeeintrag (in das Beschichtungsmaterial) unterscheiden, welcher beim (z.B. homogenen) Bestrahlen (der zwei Bereiche) bewirkt wird. Beispielsweise kann die thermische Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), die beim Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske in das Beschichtungsmaterial übertragen wird, einen Gradienten aufweisen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Absorber-Reflektor-Struktur eine Absorber-Struktur und eine Reflektor-Struktur aufweisen. Die Absorber-Struktur kann den zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt aufweisen oder daraus gebildet sein und die Reflektor-Struktur kann den zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt aufweisen oder daraus gebildet sein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt ein strahlungsabsorbierendes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt eine strahlungsabsorbierende Schichtanordnung, welche mehrere Grenzflächen aufweist, aufweisen oder daraus gebildet sein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der zumindest eine strahlungsreflektierende Abschnitt ein strahlungsreflektierendes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann der zumindest eine strahlungsreflektierende Abschnitt eine strahlungsreflektierende Schichtanordnung, welche mehrere Grenzflächen aufweist, aufweisen oder daraus gebildet sein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt (z.B. zumindest ein lichtabsorbierender Abschnitt) und der zumindest eine strahlungsreflektierende Abschnitt (z.B. zumindest ein lichtreflektierender Abschnitt) in zumindest einer optischen Eigenschaft einen Unterschied voneinander aufweisen, welcher größer ist als ein Unterschied der zwei Bereiche in der optischen Eigenschaft voneinander.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Modulationsstruktur zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: ein strahlungsabsorbierendes Material und/oder ein strahlungsabsorbierender Abschnitt; ein strahlungsreflektierendes Material und/oder ein strahlungsreflektierender Abschnitt; ein strahlungsfilternder Abschnitt und/oder ein strahlungsfilterndes Material, welcher/welches zum Filtern von Strahlung gemäß deren Polarisation, gemäß deren Ausbreitungsrichtung und/oder gemäß deren Wellenlänge (z.B. interferenzfilternd) eingerichtet ist; ein wärmeleitfähiges (thermisch leitfähiges) Material und/oder ein wärmeleitfähiger Abschnitt; und/oder eine wärmeabsorbierendes Material und/oder ein wärmeabsorbierender Abschnitt. Das thermisch leitfähige (wärmeleitfähige) Material und/oder der thermisch leitfähige (wärmeleitfähige) Abschnitt können eine thermische Leitfähigkeit aufweisen, welche größer ist als die des zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts der Absorber-Reflektor-Struktur. Mittels des wärmeleitfähigen Abschnitts (z.B. ein Wärmesenke-Abschnitt) und/oder Material kann ein Teil der absorbierten Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) abtransportiert werden, so dass diese nicht zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials zur Verfügung steht. Somit kann die thermische Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), welche in das Beschichtungsmaterial übertragen wird, bei gleicher Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) moduliert, z.B. reduziert, werden, z.B. mit größerer Pulsdauer. Das thermisch absorbierende (wärmeabsorbierende) Material und/oder der thermisch absorbierende (wärmeabsorbierende) Abschnitt können eine thermische Kapazität (Wärmekapizität) aufweisen, welche größer ist als die des zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts der Absorber-Reflektor-Struktur. Mittels des wärmeabsorbierenden Abschnitts (z.B. ein Wärmereservoir-Abschnitt) und/oder Material kann ein Teil der absorbierten Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) aufgenommen werden, so dass diese nicht zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials zur Verfügung steht. Somit kann die thermische Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), welche in das Beschichtungsmaterial übertragen wird, bei gleicher Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) moduliert, z.B. reduziert, werden, z.B. mit größerer Pulsdauer.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das wärmeleitfähige Material (bzw. der jeweilige Abschnitt), z.B. der Modulationsstruktur, eine größere Wärmeleitfähigkeit aufweisen als das strahlungsabsorbierende Material (bzw. Abschnitt) und/oder als das strahlungsreflektierende Material (bzw. Abschnitt), z.B. der Modulationsstruktur und/oder der Absorber-Reflektor-Struktur. Beispielsweise können sich die zwei Bereiche in ihrer Wärmeleitfähigkeit unterscheiden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das wärmeabsorbierende Material (bzw. der jeweilige Abschnitt), z.B. der Modulationsstruktur, eine größere Wärmekapazität aufweisen als das strahlungsabsorbierende Material (bzw. Abschnitt) und/oder als das strahlungsreflektierende Material (bzw. Abschnitt), z.B. der Modulationsstruktur und/oder der Absorber-Reflektor-Struktur. Beispielsweise können sich die zwei Bereiche in ihrer Wärmekapazität unterscheiden.
Das wärmeabsorbierende Material (bzw. der jeweilige Abschnitt) und/oder das wärmeleitfähige Material (bzw. der jeweilige Abschnitt) der Modulationsstruktur können einen thermisch-Übertragung-Hemmabschnitt der Modulationsstruktur bilden. Der thermisch-Übertragung-Hemmabschnitt kann eingerichtet sein, eine Übertragung der thermischen Energie, die von dem strahlungsabsorbierenden Abschnitt der Absorber-Reflektor-Struktur aufgenommen wird, an das Beschichtungsmaterial zu hemmen.
Als wärmeleitfähig kann eine Wärmeleitfähigkeit größer als ungefähr 10 Watt/Kelvin (W/K) verstanden werden, z.B. größer als ungefähr 50 W/K, z.B. größer als ungefähr 100 W/K, z.B. größer als ungefähr 200 W/K, z.B. größer als ungefähr 300 W/K, z.B. größer als ungefähr 400 W/K.
Beispielsweise kann die Modulationsstruktur z.B. einen Interferenzfilter, einen Wellenlängenfilter (z.B. Farbfilter), und/oder einen Polarisationsfilter aufweisen oder daraus gebildet sein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Modulationsstruktur derart eingerichtet sein, dass sich die zwei Bereiche in zumindest einer der folgenden optischen Eigenschaften und/oder deren spektralen Verteilung unterscheiden: einem Reflexionsgrad; einem Absorptionsgrad; einem Absorptionskoeffizient; einem Remissionsgrad; und/oder einem Transmissionsgrad.
Anschaulich können die zwei Bereiche beispielsweise verschieden starke Absorber aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann der Absorber der zwei Bereiche mittels eines verschieden starken teiltransparenten Reflektors und/oder Filters abgeschirmt sein oder werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Modulationsstruktur derart eingerichtet sein oder werden, dass sich die zwei Bereiche in zumindest einem von Folgendem unterscheiden: einer Ausdehnung der Absorber-Reflektor-Struktur quer zu dem Träger (d.h. eine Dicke); einer chemischen Zusammensetzung der Absorber-Reflektor-Struktur; und/oder einer thermischen Leitfähigkeit der Absorber-Reflektor-Struktur. Beispielsweise kann die Modulationsstruktur einen thermisch leitfähigen Abschnitt aufweisen, welche einen Teil der thermischen Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), welche der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt umwandelt, abtransportiert.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Modulationsstruktur zumindest teilweise in dem Träger angeordnet sein. Beispielsweise kann die Modulationsstruktur mittels einer Schicht und/oder einem Abschnitt in dem Träger bereitgestellt sein oder werden. Beispielsweise kann der Träger den strahlungsfilternden Abschnitt, das strahlungsfilternde Material, den strahlungsreflektierenden Abschnitt und/oder das strahlungsreflektierende Material aufweisen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Modulationsstruktur zumindest teilweise zwischen der Absorber-Reflektor-Struktur und dem Träger angeordnet sein. Beispielsweise kann die Modulationsstruktur eine oder mehrere Schichten aufweisen, welche zwischen der Absorber-Reflektor-Struktur und dem Träger angeordnet sind.
Alternativ oder zusätzlich kann die Modulationsstruktur auf einer der Absorber-Reflektor-Struktur gegenüberliegenden Seite des Trägers angeordnet sein oder werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Modulationsstruktur zum Modulieren einer zum Bestrahlen erzeugten Strahlung in zumindest einem von Folgendem eingerichtet sein: einer Wellenlänge; einem Spektrum; einer Polarisation; und/oder einer Energie (z.B. pro Fläche, pro Zeit und/oder deren Verteilung).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Beschichtungsanordnung Folgendes aufweisen: eine Prozessierkammer mit einem Beschichtungsbereich; eine Transportanordnung, zum Transportieren eines Substrats in dem (z.B. hinein oder heraus) und/oder durch den Beschichtungsbereich; eine Bestrahlungsvorrichtung zum (z.B. gepulsten) Emittieren von Strahlung in Richtung des Beschichtungsbereichs; eine Halterung zum Halten einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske in einem Bestrahlungsbereich (z.B. Belichtungsbereich) zwischen der Strahlungsquelle und dem Beschichtungsbereich; eine Steuerung, welche eingerichtet ist, eine in Bestrahlungsbereich übertragene Strahlung derart zu steuern, dass ein Verdampfen des Beschichtungsmaterials von einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske bewirkt wird, wobei das Verdampfen des Beschichtungsmaterials von dem ersten Bereich beginnt, nachdem das Beschichtungsmaterial von dem zweiten Bereich verdampft wurde.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat in den Beschichtungsbereich hinein gebracht werden, dort (z.B. ruhend) beschichtet werden, und anschließend wieder aus dem Beschichtungsbereich heraus gebracht werden.
Beispielsweise kann die Steuerung derart eingerichtet sein, dass Beschichtungsmaterial mittels nacheinander erfolgender Pulse der gepulst emittierten Strahlung von der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske verdampft wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung eingerichtet zum gepulsten Bestrahlen des Bestrahlungsbereichs mittels der Bestrahlungsvorrichtung sein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Bestrahlungsvorrichtung eine (z.B. mittels einer Positionierungsvorrichtung) beweglich gelagerte Bestrahlungsmaske aufweisen, welche die Strahlung moduliert, wobei die Steuerung eingerichtet ist eine Position (eine Lage und/oder eine Ausrichtung) der Bestrahlungsmaske relativ zu der Halterung zu steuern.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Bestrahlungsmaske zumindest eines von Folgendem aufweisen: eine oder mehrere Linsen; eine Lochmaske; einen Polarisationsfilter; ein optisches Gitter (z.B. eine Beugungsgitter und/oder eine Phasengitter); einen Strahlungsfilter (z.B. einen Polarisationsfilter, einen Interferenzfilter, einen Wellenlängenfilter, einen Kantenfilter, und/oder einen Spektralfilter), z.B. einen optischen Filter; eine Blende; einen Kollimator; und/oder mehrere strahlungsleitende Fasern (z.B. Glasfasern).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung derart eingerichtet sein, dass zumindest zwei Pulse der (z.B. aufeinanderfolgenden) gepulst emittierten Strahlung voneinander verschiedene Energie (z.B. pro Zeit, pro Fläche und/oder deren Verteilung) aufweisen, z.B. räumliche und/oder zeitliche Energieverteilung. Beispielsweise können die zwei Pulse in einer Erzeugung-Leistung und/oder einer Emission-Energie verschieden voneinander sein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung derart eingerichtet sein, das mittels der Bestrahlungsvorrichtung mehrere Strahlungspulse emittiert (z.B. mittels der Strahlungsquelle erzeugt und/oder mittels der Bestrahlungsmaske moduliert) werden, von denen zumindest ein Strahlungspuls: ein Bestrahlen des Bestrahlungsbereichs (z.B. der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske, z.B. der zwei Bereiche der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske) mit einer größeren Energie (pro Fläche und/oder pro Zeit) bewirken kann als ein diesem vorangehender Strahlungspuls der mehreren Strahlungspulse; und/oder ein Bestrahlen des Bestrahlungsbereichs (z.B. der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske, z.B. der zwei Bereiche der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske) mit einer kleineren Energie (pro Fläche und/oder pro Zeit) bewirken kann als ein diesem nachfolgender Strahlungspuls der mehreren Strahlungspulse.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung derart eingerichtet sein, dass der Bestrahlungsbereich mittels eines ersten Pulses der gepulst emittierten Strahlung derart bestrahlt wird, dass ein Verdampfen des Beschichtungsmaterials aus einem ersten Bereich des Bestrahlungsbereichs bewirkt wird; und dass der Bestrahlungsbereich mittels eines zweiten Pulses der gepulst emittierten Strahlung derart bestrahlt wird, dass ein Verdampfen des Beschichtungsmaterials aus einem zweiten Bereich des Bestrahlungsbereichs bewirkt wird (z.B. nachdem das Verdampfen des Beschichtungsmaterials aus dem ersten Bereich bewirkt wurde).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung derart eingerichtet sein, dass der erste Puls eine kleinere Energie aufweist als der zweite Puls.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung derart eingerichtet sein, dass der erste Puls (z.B. in dem Bestrahlungsbereich) eine Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) aufweist, welche kleiner ist als eine Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials von dem zweiten Bereich und größer ist als eine Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials von dem ersten Bereich.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung derart eingerichtet sein, dass der zweite Puls eine Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) aufweist, welche größer ist als eine Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials von dem zweiten Bereich und optional größer ist als eine Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials von dem ersten Bereich.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung derart eingerichtet sein, dass der erste Bereich mittels des ersten Pulses mit einer ersten Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) bestrahlt wird und der zweite Bereich mittels des ersten Pulses mit einer zweiten Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) bestrahlt wird, wobei die erste Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) größer ist als die zweite Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche). Die Energie pro Zeit kann einer Leistung entsprechen, die Energie pro Fläche kann einer Flächenenergiedichte entsprechen und die Energie pro Zeit und pro Fläche kann einer Flächenleistungsdichte entsprechen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung derart eingerichtet sein, dass der erste Bereich mittels des zweiten Pulses mit einer dritten Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) bestrahlt wird und der zweite Bereich mittels des zweiten Pulses mit einer vierten Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) bestrahlt wird, wobei die dritte Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) größer ist als die vierte Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung derart eingerichtet sein, dass der erste Puls den ersten Bereich mit einer größeren Flächenenergiedichte bestrahlt als der zweite Puls und/oder als den zweiten Bereich.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung derart eingerichtet sein, dass der zweite Puls den zweiten Bereich mit einer größeren Flächenenergiedichte bestrahlt als der erste Puls und/oder als den ersten Bereich.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung eingerichtet sein, eine von der Bestrahlungsvorrichtung in dem Bestrahlungsbereich übertragene Energie (z.B. pro Fläche, pro Zeit und/oder deren Verteilung) zu steuern, z.B. derart, dass sich die Strahlung zumindest zweier Pulse in ihrer übertragenen Energie (z.B. pro Fläche, pro Zeit und/oder deren Verteilung) unterscheiden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung derart eingerichtet sein, dass sich in den Bestrahlungsbereich übertragene Strahlung zweier Pulse in zumindest einem von Folgendem unterscheidet: einer Wellenlänge; einem Spektrum; einer Polarisation und/oder einer Energie (z.B. pro Fläche, pro Zeit und/oder deren Verteilung).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die gepulst emittierte Strahlung durch die Bestrahlungsmaske hindurch in den Bestrahlungsbereich emittiert werden, so dass die Strahlung beim Durchtritt durch die Bestrahlungsmaske moduliert wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung ein Bewegen der Bestrahlungsmaske relativ zu der Halterung (bzw. einer darin gehaltenen Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske) derart steuern, dass eine Position der Bestrahlungsmaske relativ zu dem Bestrahlungsbereich für zumindest zwei Pulse (z.B. aufeinanderfolgende) der gepulst emittierten Strahlung unterschiedlich ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung derart eingerichtet sein, dass ein Beschichten in einem gemeinsamen Abschnitt des Beschichtungsbereichs mit dem Beschichtungsmaterial erfolgt, welches mittels nacheinander emittierter Pulse verdampft wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Transferieren eines Beschichtungsmaterials von einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske auf ein Substrat Folgendes aufweisen: Beschichten eines ersten Flächenabschnitts des Substrats indem ein erstes Beschichtungsmaterial von einem ersten Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske verdampft wird; und Beschichten eines zweiten Flächenabschnitts des Substrats indem ein zweites Beschichtungsmaterial von einem zweiten Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske verdampft wird nachdem das erste Beschichtungsmaterial von dem ersten Bereich verdampft wurde, wobei der erste Flächenabschnitt und der zweite Flächenabschnitt einander teilweise überlappen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Transferieren eines Beschichtungsmaterials von einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske auf ein Substrat Folgendes aufweisen: erstes Beschichten eines ersten Flächenabschnitts des Substrats indem Beschichtungsmaterial von einem ersten Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske verdampft wird; und zweites Beschichten eines zweiten Flächenabschnitts des Substrats indem Beschichtungsmaterial von einem zweiten Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske verdampft wird nach dem ersten Beschichten, wobei der erste Flächenabschnitt und der zweite Flächenabschnitt einander teilweise überlappen.
Beispielsweise kann eine mittels des ersten Beschichtens gebildete Teilschicht abgeschieden sein oder werden bevor das zweite Beschichten beginnt. Somit kann erreicht werden, dass gleichzeitig weniger Material in eine gasförmige Phase überführt wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Transferieren eines Beschichtungsmaterials von einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske auf ein Substrat Folgendes aufweisen: Anordnen eines Flächenabschnitts des Substrats in einem Abstand (Beschichtung-Abstand) von einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske; und Beschichten eines Flächenabschnitts des Substrats indem ein Beschichtungsmaterial von einem Bereich (Materialdampfquellbereich) der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske verdampft wird, welcher eine kleinere Fläche als der Flächenabschnitt aufweist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat eine Pixeldefinition-Schicht aufweisen. Beispielsweise kann das Substrat ein Display und/oder einen transparenten Träger (z.B. aus Glas) aufweisen. Optional kann das Substrat eine Metallisierung aufweisen, welche die zu beschichtende Oberfläche mit einem Kontaktpad des Substrats elektrisch leitend verbindet. Die zumindest eine Metallisierung kann zumindest eine Elektrode und eine Kathode aufweisen, z.B. pro Pixel.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat eine Schicht aufweisen, die eine oder mehrere Öffnungen aufweist, welche eine zu beschichtende Oberfläche des Substrats freilegen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: Bilden einer Passivierungsschicht über dem Substrat.
Die Pixeldefinition-Schicht kann ein elektrisch isolierendes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren optional das Bilden der Pixeldefinition-Schicht auf einem transparenten Träger aufweisen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Ausdehnung des Materialdampfquellbereichs in zumindest eine Richtung (z.B. quer zum Abstand) um (z.B. mindestens) den Beschichtung-Abstand kleiner sein als eine dazu parallele Ausdehnung des Flächenabschnitts, z.B. um (z.B. mindestens) den doppelten Beschichtung-Abstand. Alternativ oder zusätzlich kann eine Fläche (und/oder die Ausdehnung) des Materialdampfquellbereichs kleiner sein als ungefähr 90% des Flächenabschnitts (bzw. dessen Ausdehnung), z.B. kleiner als ungefähr 80%, z.B. kleiner als ungefähr 70%, z.B. kleiner als ungefähr 60%, z.B. kleiner als ungefähr 50%, z.B. kleiner als ungefähr 40%, z.B. kleiner als ungefähr 30%. Beispielsweise kann das Ausbreiten des verdampften Beschichtungsmaterials in einem 45° Winkel in den Raum zwischen dem Materialdampfquellbereich und dem Flächenabschnitt hinein erfolgen (Bedampfungskegel), wobei der Flächenabschnitt innerhalb des Bedampfungskegels liegen kann.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Bereich, von dem das Beschichtungsmaterial verdampft wird, eine erste Ausdehnung aufweisen, welche kleiner ist als eine (dazu parallele) zweite Ausdehnung des Flächenabschnitts, welcher beschichtet wird. Beispielsweise können die erste Ausdehnung und die zweite Ausdehnung eine Differenz aufweisen, welche größer ist als der Beschichtung-Abstand, z.B. größer als ungefähr 150% des Beschichtung-Abstands, z.B. in einem Bereich von ungefähr 120% des Beschichtung-Abstand bis ungefähr 200% des Beschichtung-Abstands.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Herstellen einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske Folgendes aufweisen: Anordnen einer Absorber-Reflektor-Struktur auf einem plattenförmigen Träger, welche zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt und zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt aufweist; Erzeugen einer Modulationsstruktur, welche dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt überlagert ist, so dass dieser zumindest zwei Bereiche aufweist, welche sich in einer thermischen Energie unterscheiden, die beim Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske zum Verdampfen eines Beschichtungsmaterials (von dem jeweiligen Bereich) in dieses (d.h. in das Beschichtungsmaterial) übertragen wird und/oder die von den zwei Bereichen beim Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske aufgenommen wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zum Bilden der Modulationsstruktur ein Interferenzverfahren verwendet werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Beschichtungsanordnung Folgendes aufweisen: eine Prozessierkammer mit einem Beschichtungsbereich; eine Transportanordnung, zum Transportieren eines Substrats in dem und/oder durch den Beschichtungsbereich; eine Strahlungsquelle zum Emittieren von Strahlung in Richtung des Beschichtungsbereichs; eine Halterung zum Halten einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske in einem Bestrahlungsbereich zwischen der Bestrahlungsvorrichtung und dem Beschichtungsbereich; eine Positionierungsvorrichtung zum Positionieren einer Bestrahlungsmaske zwischen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske und der Strahlungsquelle, wobei die Positionierungsvorrichtung zum Bewegen der Bestrahlungsmaske relativ zu dem Beschichtungsbereich eingerichtet ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Bestrahlungsmaske eingerichtet sein eine von der Strahlungsquelle emittierte Strahlung zu modulieren, z.B. deren Energie (z.B. pro Fläche, pro Zeit und/oder deren Verteilung).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Steuerung, eingerichtet sein, eine von der Strahlungsquelle bewirkte Energie (z.B. pro Fläche, pro Zeit und/oder deren Verteilung, z.B. zeitlich und/oder räumlich) in dem Bestrahlungsbereich derart zu steuern, dass Beschichtungsmaterial von zumindest zwei Bereichen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske nacheinander verdampft wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Transferieren eines Beschichtungsmaterials von einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske auf ein Substrat Folgendes aufweisen: erstes Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske derart, dass eine in einem ersten Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske bereitgestellte thermische Energie größer ist als eine thermische Energie, welche ein Verdampfen von Beschichtungsmaterial bewirkt, und eine in einem zweiten Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske bereitgestellte thermische Energie kleiner ist als die thermische Energie, welche ein Verdampfen von Beschichtungsmaterial bewirkt; zweites Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske nach dem ersten Bestrahlen derart, dass eine in einem zweiten Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske bereitgestellte thermische Energie größer ist als die thermische Energie, welche ein Verdampfen von Beschichtungsmaterial bewirkt.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein durch Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske bewirktes Verdampfen eines Beschichtungsmaterials, welches auf dem strahlungsabsorbierenden Abschnitt angeordnet ist, von einem ersten Bereich des strahlungsabsorbierenden Abschnitts in einem zeitlichen und/oder räumlichen Abstand von einem zweiten Bereich des strahlungsabsorbierenden Abschnitts erfolgen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Beschichtung-Transfer-Maske Folgendes aufweisen: einen plattenförmigen Träger, welcher ein transparentes Material aufweist oder daraus gebildet ist; eine erste thermisch-Verdampfen-Struktur (Absorber-Reflektor-Struktur), welche auf dem Träger angeordnet und eingerichtet ist, Strahlungsenergie in thermische Energie umzuwandeln zum Verdampfen eines Beschichtungsmaterials von dem Träger mittels der thermischen Energie; eine zweite thermisch-Verdampfen-Struktur (Modulationsstruktur), welche die thermisch-Energie-Charakteristik moduliert, so dass eine durch Bestrahlen des Trägers in einem ersten Bereich bewirkte thermische Energie und/oder Erwärmung größer ist als in einem zweiten Bereich.
Mittels des Bestrahlens kann die Absorber-Reflektor-Struktur in dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt erwärmt werden, so dass thermische Energie in das Beschichtungsmaterial übergeht, und das Beschichtungsmaterial erwärmt. Wird das Beschichtungsmaterial über eine Aggregatszustand-Übergangstemperatur (z.B. eine Verdampfungstemperatur und/oder eine Sublimationstemperatur) erwärmt, kann das Beschichtungsmaterial zumindest teilweise in eine gasförmige Phase übergehen (sublimieren und/oder verdampfen). Die Aggregatszustand-Übergangstemperatur kann von dem innerhalb der Prozessierkammer bereitgestellten Druck definiert sein oder werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Absorber-Reflektor-Struktur eine thermisch-Energie-Charakteristik aufweisen, mit welcher diese Strahlungsenergie in thermische Energie umwandelt und bereitstellt. Die Modulationsstruktur kann die thermisch-Energie-Charakteristik derart modulieren, dass ein durch Bestrahlen der Absorber-Reflektor-Struktur bewirktes Verdampfen eines auf der Absorber-Reflektor-Struktur angeordneten Beschichtungsmaterials von einem ersten Bereich der Absorber-Reflektor-Struktur in einem zeitlichen und/oder räumlichen Abstand von einem zweiten Bereich der Absorber-Reflektor-Struktur erfolgt
Das Beschichtungsmaterial kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen ein kleines organisches Molekül (wie z.B. N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine, Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine, 2,2’,2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)), ein leitfähiges Polymer (wie z.B. Poly(p-phenylen-vinylen), Poly-3,4-ethylendioxythiophen oder Polystyrolsulfonat), einen Farbstoff (wie z. B. Aluminium-tris(8-hydroxychinolin)), ein Metall (wie z.B. Calcium, Aluminium, Barium, Ruthenium, Magnesium, Silber, Indium, Zinn, Kupfer, usw.), ein Metalloxid (wie z.B. Indium-Zinn-Oxid, Magnesiumoxid, Aluminiumoxid, Titanoxid) oder eine Metalllegierung (wie z.B. eine Magnesium-Silber-Legierung) aufweisen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein auf einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske angeordnetes Beschichtungsmaterial mit einer vordefinierten räumlichen Materialverteilung auf ein zu beschichtendes Substrat übertragen werden. Dabei kann die Absorber-Reflektor-Struktur die räumliche Materialverteilung definieren, mit der Beschichtungsmaterial verdampft wird und/oder mit der sich verdampftes Beschichtungsmaterial von der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske weg und in einen Beschichtungsbereich, z.B. zu dem Substrat hin, ausbreitet (in den Beschichtungsbereich strömt). Das Anlagern von Beschichtungsmaterial auf dem Substrat und das Bilden einer Schicht aus dem abgelagerten Beschichtungsmaterial kann von der räumlichen Materialverteilung mit der verdampftes Beschichtungsmaterial zu dem Substrat strömt beeinflusst werden. Dabei können beschichtete Bereiche des Substrats den Bereichen der Absorber-Reflektor-Struktur gegenüberliegen von denen Beschichtungsmaterial verdampft wurde. Anschaulich kann die Geometrie oder die Form der Absorber-Reflektor-Struktur auf eine auf dem Substrat abgeschiedene Schicht abgebildet werden, so dass eine strukturierte Schicht auf dem Substrat abgeschieden werden kann. Die räumliche Materialverteilung kann beispielsweise von der Absorber-Reflektor-Struktur definiert sein oder werden, z.B. von der Form der Absorber-Struktur und/oder von der Form der Reflektor-Struktur.
Um eine strukturierte Schicht abzuscheiden, kann das Beschichtungsmaterial selektiv (oder stellenweise) von der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske verdampft werden, z.B. anschaulich über dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt. Die Reflektor-Struktur kann den thermischen Wärmeeintrag in das Beschichtungsmaterial beeinflussen, z.B. stellenweise verringern, so dass nur ein Teil des Beschichtungsmaterials (auch als Targetmaterial bezeichnet) auf das Substrat übertragen wird. Anschaulich kann die Reflektor-Struktur einen Teil des Beschichtungsmaterials beim Bestrahlen (z.B. Belichten) abschatten, wobei abgeschattetes Beschichtungsmaterial z.B. kaum oder nicht verdampft werden kann.
Die abgebildete Struktur der abgeschiedenen Schicht kann beispielsweise Bestandteile elektronischer Bauteile bilden, wie z.B. Leuchtdioden (oder Pixel eines Displays), Leiterbahnen, Transistoren, Dioden oder Bestandteile optischer Bauteile bilden, wie Linsen oder optische Gitter.
Dabei kann das Bestrahlen der Absorber-Reflektor-Struktur durch den Träger hindurch erfolgen, z.B. durch dessen strahlungstransparentes Material hindurch. Anschaulich kann das Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske rückwärtig (aus der dem Beschichtungsbereich abgewandten Seite der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske) erfolgen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Träger plattenförmig sein.
Das transparente Material, z.B. ein transparentes Trägermaterial, kann beispielsweise ein Oxid (wie z.B. Quarzglas (SiO₂), Titanoxid (TiO₂) oder Saphir (Al₂O₃)), ein Glasgemisch (wie z.B. optisches Glas, Alumo-Silikatglas, Alkali-Silikatglas, Bleiglas, Phosphatglas, Boratglas, Kronglas oder Flintglas), ein transparentes Fluorid (wie z.B. Calciumfluorid (CaF₂) oder Magnesiumfluorid (MgF₂)), ein metallisches Glas (wie z.B. amorphes Metall oder eine amorphe Metalllegierung) oder einen transparenten Kunststoff (wie z.B. Polycarbonat, Polymethylmethacrylat oder Cyclo-Olefin-(Co)polymer) aufweisen. Ein transparentes Material kann ferner ein hochtransparentes Glas oder eine alkalifreies Glas aufweisen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Absorber-Struktur (bzw. der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt) ein strahlungsabsorbierendes Material aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise ein Refraktärmetall (wie Titan, Zirconium, Hafnium, Vanadium, Niob, Tantal, Chrom, Molybdän, Wolfram), ein Oxid (wie ein Refraktärmetalloxid, z.B. Chromoxid (CrO), oder wie Eisenoxid (FeO_x)), ein Nitrid (wie ein Refraktärmetallnitrid, z.B. Chromnitrid (CrN), oder wie Eisennitrid (Fe₄N und/oder Fe₃N_1+x)), ein Refraktärmetalloxinitrid (wie Chromoxynitrid (CrO_xN_y)) oder eine Refraktärmetall-Silizium-Legierung (wie Molybdänsiliziumoxid (MoSiO_x) oder wie Molybdänsiliziumoxinitrid (MoSiO_xN_y)). Optional kann die Absorber-Struktur (bzw. der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt) eine strahlungsabsorbierende Mikrostruktur aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. eine polykristalline Mikrostruktur (die Mehrfachreflektionen der Strahlung innerhalb der Schicht begünstigen kann). Alternativ oder zusätzlich kann die Absorber-Struktur (bzw. der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt) mehrere übereinander angeordnete strahlungsabsorbierende Schichten aufweisen oder daraus gebildet sein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Reflektor-Struktur (bzw. der zumindest eine strahlungsreflektierende Abschnitt) auf dem Träger (z.B. zwischen der Absorber-Struktur und dem Trägermaterial) angeordnet sein oder werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Reflektor-Struktur (bzw. der zumindest eine strahlungsreflektierende Abschnitt) ein strahlungsreflektierendes Material aufweisen oder daraus gebildet sein, wie beispielsweise ein Metall (wie Chrom, Silber, Gold, Aluminium, Titan, Nickel, Zinn, usw.), eine Metalllegierung, Bariumsulfat (BaSO₄) oder einen optischen Kunststoff. Optional kann die Reflektor-Struktur (bzw. der zumindest eine strahlungsreflektierende Abschnitt) mehrere übereinander angeordnete transparente Schichten mit unterschiedlicher Brechzahl (die z.B. einen Interferenzspiegel oder Dichroitische Spiegel bilden) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ein Teil der zum Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske emittierten Strahlung (z.B. Lichts) kann von der Reflektor-Struktur (bzw. dem zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt) reflektiert werden.
Die Reflektor-Struktur (bzw. der zumindest eine strahlungsreflektierende Abschnitt) und/oder das strahlungsreflektierende Material können auf eine zum Bestrahlen verwendete Strahlung (z.B. Licht) mit einem vorgegebenen Wellenlängenbereich abgestimmt sein. Die Reflektor-Struktur (bzw. der zumindest eine strahlungsreflektierende Abschnitt) und/oder das strahlungsreflektierende Material kann einen Reflexionsgrad (eine Reflektivität) für die Strahlung mit einer Wellenlänge in dem vorgegebenen Wellenlängenbereich in einem Bereich von ungefähr 50% bis ungefähr 100% aufweisen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 80% bis ungefähr 100%. Der Reflexionsgrad der Reflektor-Struktur (bzw. der zumindest eine strahlungsreflektierende Abschnitt) und/oder des strahlungsreflektierende Materials kann für Strahlung (z.B. Licht) mit einer Wellenlänge aus dem vorgegebenen Wellenlängenbereich größer sein als ein Reflexionsgrad der Absorber-Struktur (bzw. des zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitts) und/oder des strahlungsabsorbierenden Materials, z.B. mindestens doppelt so groß.
Das Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer Prozessierkammer, z.B. einer Vakuumkammer erfolgen. Die Prozessierkammer kann beispielsweise derart eingerichtet sein, dass während des Beschichtens eines Substrats die Umgebungsbedingungen (die Prozessbedingungen) innerhalb der Prozessierkammer (z.B. Druck, Temperatur, Gaszusammensetzung, usw.) eingestellt oder geregelt werden können. Dazu kann die Prozessierkammer luftdicht, staubdicht oder vakuumdicht eingerichtet sein oder werden, so dass innerhalb der Prozessierkammer eine Gasatmosphäre mit einer vordefinierten Zusammensetzung und/oder einem vordefinierten Druck (z.B. gemäß einem Sollwert) eingestellt oder geregelt werden kann. Beispielsweise kann die Gasatmosphäre in der Prozessierkammer ein Gas oder mehrere verschiedene Gasen mit einem jeweiligen Partialdruck aufweisen. Ferner kann der Druck der Gasatmosphäre innerhalb der Prozessierkammer kleiner sein als ein vordefinierter Grenzwert für den Druck.
Das Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske kann in einem Bestrahlungsbereich der Prozessierkammer erfolgen. Beispielsweise kann sich zum Bestrahlen (z.B. Belichten) der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske mittels einer Strahlungsquelle (z.B. einer Lichtquelle) erzeugte Strahlung (z.B. Licht) mit einer räumlichen Strahlungsverteilung und/oder einer räumlichen Energieverteilung in Richtung des Bestrahlungsbereichs ausbreiten. Der Bestrahlungsbereich kann beispielsweise aufgrund einer zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials benötigten Energie (z.B. pro Zeit, pro Fläche und/oder deren Verteilung) zum Bestrahlen definiert sein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske in dem Bestrahlungsbereich beispielsweise bei jedem Puls mit einer gleichmäßigen Energie (z.B. pro Zeit, pro Fläche und/oder deren Verteilung) bestrahlt werden, z.B. wenn eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske mit einer Modulationsstruktur verwendet wird. Zumindest zwei Pulse des gepulsten Bestrahlens (z.B. aufeinanderfolgende Pulse) können eine voneinander verschiedene Energie (z.B. pro Zeit, pro Fläche und/oder deren Verteilung) aufweisen.
Zum Bestrahlen kann Strahlung (z.B. Licht) mit einer vordefinierten Energie (z.B. pro Zeit, pro Fläche und/oder deren Verteilung) auf eine Oberfläche (z.B. eine strukturierte Oberfläche) der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske in dem Prozessierbereich einwirken. Die vordefinierte Flächenenergiedichte kann beispielsweise größer sein als 0,1 J/cm, z.B. größer als 1 J/cm oder größer als 10 J/cm. Alternativ kann die vordefinierte Flächenenergiedichte in einem Bereich von ungefähr 0,1 J/cm bis ungefähr 10 J/cm liegen.
Die Bestrahlungsvorrichtung kann eine Strahlungsquelle aufweisen, z.B. eine Lichtquelle und/oder eine Teilchenstrahlungsquelle. Die Strahlungsquelle kann zum Erzeugen und Emittieren von Strahlung eingerichtet sein, z.B. elektromagnetischer Strahlung (z.B. Licht) und/oder Teilchenstrahlung (z.B. Elektronenstrahlung).
Die Lichtquelle kann beispielsweise eine oder mehrere Blitzlampen, einen oder mehrere Laser, eine oder mehrere Gasentladungslampen und/oder eine oder mehrere Leuchtdioden aufweisen. Mittels der Strahlungsquelle kann Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem vorgegebenen Wellenlängenbereich erzeugt werden, z.B. aus einem Wellenlängenbereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 1000 nm. Alternativ oder zusätzlich kann eine größere und/oder kleinere Wellenlänge verwendet werden. Beispielsweise kann auch Teilchenstrahlung, z.B. Elektronenstrahlung verwendet werden.
Beispielsweise kann mittels der Lichtquelle monochromatisches Licht (z.B. mittels eines Lasers oder einer Leuchtdiode) oder polychromatisches Licht (z.B. mittels einer Blitzlampe) erzeugt werden. Das von der Lichtquelle erzeugte Licht, kann beispielsweise ultraviolettes (UV) Licht, sichtbares Licht und/oder infrarotes (IR) Licht aufweisen. Der vorgegebene Wellenlängenbereich kann z.B. einen UV-Bereich, einen sichtbaren Bereich und/oder einen IR-Bereich aufweisen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Strahlungsquelle an den wellenlängenabhängigen Transmissionsgrad oder die Transmissionseigenschaften der verwendeten transparenten Materialien (z.B. des Trägers und/oder einer Prozessierkammer) und/oder eine Materialdicke angepasst sein oder werden. Beispielsweise kann die Wellenlänge der erzeugten Strahlung derart gewählt werden, dass die transparenten Materialien für die erzeugte Strahlung durchlässig sind, z.B. mit einem Transmissionsgrad von mehr als ungefähr 70% für Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem vorgegebenen Wellenlängenbereich, z.B. mehr als ungefähr 80%, z.B. z.B. mehr als ungefähr 90%.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der strahlungsreflektierende Abschnitt der Reflektor-Struktur eine strahlungsreflektierende Beschichtung auf dem Trägers aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann der strahlungsreflektierende Abschnitt eine strukturierte Beschichtung, z.B. in Form eines Gitters, Streifen und/oder in Gräben, des Trägers aufweisen oder daraus gebildet sein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Reflektor-Struktur zum Reduzieren von thermischer Energie, welche in das Beschichtungsmaterial übertragen wird, eingerichtet sein. Dazu kann ein Teil der mittels Strahlung übertragenen Energie von der Reflektor-Struktur reflektiert, remittiert oder anderweitig von der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske weg abgeführt werden (z.B. kann die Reflektor-Struktur ein wärmeleitfähiges Material aufweisen oder daraus gebildet sein). Anschaulich kann die Reflektor-Struktur zumindest einen Abschnitt des Beschichtungsmaterials abschatten. Dabei kann in dem zumindest einen über der Reflektor-Struktur angeordneten Abschnitt (abgeschatteter Abschnitt) des Beschichtungsmaterials weniger thermische Energie übertragen werden als in zumindest einen neben der Reflektor-Struktur angeordneten Abschnitt (nicht abgeschatteter Abschnitt) des Beschichtungsmaterials.
Die Absorber-Struktur (bzw. der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt) kann einen Teil des zum Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske emittierten Strahlung absorbieren. Mittels Bestrahlens kann Strahlungsenergie, d.h. mit der Strahlung als Energieträger, auf die Absorber-Struktur (bzw. den zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt) übertragen und von dieser in thermische Energie umgewandelt werden, wobei der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt bestrahlt wird und sich erwärmt. Dazu kann die Absorber-Struktur auf die Wellenlänge oder den Wellenlängenbereich der zum Bestrahlen emittierten oder zum Bestrahlen verwendeten Strahlung abgestimmt sein, so dass mehr Strahlung von der Absorber-Struktur (bzw. dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt) absorbiert als reflektiert werden kann.
Ferner kann die Schichtdicke der Absorber-Struktur (bzw. des zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts) derart eingerichtet sein, dass diese lichtundurchlässig oder im Wesentlichen lichtundurchlässig für Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem vorgegebenen Wellenlängenbereich ist. Beispielsweise kann die Absorber-Struktur (bzw. der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt) einen Transmissionsgrad für Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem vorgegebenen Wellenlängenbereich in einem Bereich von ungefähr 0% bis ungefähr 40% aufweisen, z.B. weniger als ungefähr 20%, z.B. weniger als ungefähr 10%. Ferner kann die Absorber-Struktur (bzw. der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt) einen Reflexionsgrad für Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem vorgegebenen Wellenlängenbereich von weniger als ungefähr 40% aufweisen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 0% bis ungefähr 20%, z.B. von weniger als 10%.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Absorptionsgrad des zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts größer sein als ein Absorptionsgrad des zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitts, z.B. größer als ungefähr 150% des Absorptionsgrads des zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitts, z.B. größer als ungefähr 200%, z.B. größer als ungefähr 500%, z.B. größer als ungefähr 1000%.
Alternativ oder zusätzlich kann ein Reflexionsgrad des zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts kleiner sein als ein Reflexionsgrad des zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitts, z.B. kleiner als ungefähr 50% des Reflexionsgrad des zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitts, z.B. kleiner als ungefähr 25%, z.B. kleiner als ungefähr 10%.
Zum gepulsten Bestrahlen kann die Strahlungsquelle einen oder mehrere Strahlungspulse erzeugen (z.B. einen Lichtblitz). Dabei kann die Strahlungsquelle für eine vordefinierte Zeitspanne Strahlung, d.h. einen Strahlungspuls, emittieren. Die vordefinierte Zeitspanne, bzw. eine Dauer des Strahlungspulses (Pulsdauer), kann beispielsweise kürzer sein als 1 ms, z.B. kürzer als 0,1 ms oder beispielsweise kürzer als 100 µs. Beispielsweise kann die vordefinierte Zeitspanne, bzw. die Pulsdauer, in einem Bereich von ungefähr 10 µs bis ungefähr 10 ms liegen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 100 µs bis ungefähr 1 ms.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Erzeugen der Strahlungspulse des gepulsten Bestrahlens mit einer Wiederholrate von mehr als 0,1 Hz, z.B. mit mehr als 1 Hz erfolgen. Beispielsweise kann das Erzeugen der Strahlungspulse des gepulsten Bestrahlens mit einer Wiederholrate in einem Bereich zwischen ungefähr 10 Hz und ungefähr 0,1 Hz erfolgen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die mindestens eine Bestrahlungsvorrichtung mindestens eine (z.B. mittels einer Steuerung) gepulst betriebene Strahlungsquelle aufweisen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der zumindest eine strahlungsreflektierende Abschnitt derart eingerichtet sein, dass mittels des Bestrahlens ein abgeschatteter Bereich der des Beschichtungsmaterials auf eine Temperatur erwärmt werden kann, die kleiner als die Aggregatszustand-Übergangstemperatur ist, wobei ein nicht abgeschatteter Bereich auf eine Temperatur erwärmt werden kann, die größer als die Aggregatszustand-Übergangstemperatur ist.
Die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske und die Strahlungsquelle können derart relativ zueinander angeordnet werden, dass die emittierte Strahlung das transparente Trägermaterial der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske durchdringt und auf den zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt trifft. Dabei kann die Strahlungsquelle derart eingerichtet sein, dass die mittels der Strahlung übertragene Energie ausreicht, um den zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt derart zu erwärmen, dass ein Teil des auf dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt angeordneten Beschichtungsmaterials (z.B. verdampft und) auf das Substrat übertragen werden kann.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt einen mindestens ungefähr 20% geringeren Reflexionsgrad aufweisen als der zumindest eine strahlungsreflektierende Abschnitt, z.B. mindestens ungefähr 30% geringer, z.B. mindestens ungefähr 40% geringer, z.B. mindestens ungefähr 50% geringer.
Optional kann die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske eine Zwischenschicht (z.B. zur Verbesserung der Wärmeentkopplung) aufweisen, welche z.B. zwischen dem Träger und dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt und/oder zwischen dem Träger und dem zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt angeordnet sein oder werden kann. Die Zwischenschicht kann optional mehrschichtig ausgebildet sein oder werden. Beispielsweise kann die Zwischenschicht eine Entspiegelungsschicht aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Zwischenschicht kann beispielsweise Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Titannitrid und/oder Aluminiumnitrid aufweisen oder daraus gebildet sein.
Optional kann die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske eine Schutzschicht aufweisen, welche den zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt und/oder den zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt abdecken kann (d.h. auf der dem Träger gegenüberliegenden Seite angeordnet sein oder werden kann). Die Schutzschicht kann eingerichtet sein, eine Reaktion und/oder Diffusion zwischen den absorbierenden und reflektierenden Bereichen mit dem Beschichtungsmaterial zu unterdrücken und/oder zu erschweren. Die Schutzschicht kann Siliziumoxid, Siliziumoxinitrid, Siliziumnitrid, Titannitrid, Siliziumcarbid, Wolframcarbid und/oder DLC (Diamond Like Carbon) aufweisen oder daraus gebildet sein.
Optional kann die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske eine Haftvermittlungsschicht aufweisen, welche z.B. zwischen dem Träger und dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt und/oder zwischen dem Träger und dem zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt angeordnet sein oder werden kann. Alternativ oder zusätzlich kann die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske eine Haftvermittlungsschicht aufweisen, welche z.B. zwischen der Schutzschicht und dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt und/oder zwischen der Schutzschicht und dem zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt angeordnet sein oder werden kann. Die Haftvermittlungsschicht kann Siliziumoxid und/oder Titannitrid aufweisen oder daraus gebildet sein.
Zur Herstellung der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske kann eine physikalische Gasphasenabscheidung, eine chemische Gasphasenabscheidung und/oder eine Flüssigphasenabscheidung (z.B. Spin-Coating) verwendet werden. Zur Strukturierung des zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts und/oder des zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitts kann ein Ätzverfahren verwendet werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Übertragen des Beschichtungsmaterials in mehreren (z.B. zwei, drei, vier, fünf, sechs, sieben, acht, neun, zehn, oder mehr als zehn) Teilschritten erfolgen. Beispielsweise kann das Übertragen des Beschichtungsmaterials zumindest das erste Beschichten (erster Teilschritt) und das zweite Beschichten (zweiter Teilschritt) aufweisen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen
1A und 1B jeweils eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
2 eine Beschichtungsanordnung in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
3A, 3B und 3C jeweils eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
4A, 4B und 4C jeweils eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
5 eine Beschichtungscharakteristik in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Diagramm;
6A und 6B jeweils eine Beschichtungscharakteristik in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Diagramm;
7A und 7B jeweils eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
8A und 8B jeweils eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
9 eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
10 eine Beschichtungsanordnung in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
11 eine Beschichtungsanordnung in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
12 eine Beschichtungsanordnung in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
13A, 13B und 13C jeweils eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
14 eine Beschichtungsanordnung in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht;
15 ein Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem schematischen Ablaufdiagram;
16 ein Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem schematischen Ablaufdiagram;
17 ein Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem schematischen Ablaufdiagram; und
18 ein Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem schematischen Ablaufdiagram; und
19 ein Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem schematischen Ablaufdiagram.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wurde anschaulich erkannt, dass beim Transfer geringer Schichtdicken die Bildung von Gräben (anschaulich gehirnartige Strukturen) und/oder Löchern in der Schicht unterdrückt ist oder wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Beschichtungsmaterial, z.B. zum Herstellen eines Farb-Displays (z.B. eines Rot-Grün-Blau-Displays – RGB-Displays), ein Ausgleichsschicht-Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Anschaulich kann das Ausgleichsschicht-Material (z.B. ein Löcher-leitendes Material und/oder ein Elektronen-leidendes Material) bei roten und/oder grünen Pixeln aufgebracht werden, um die Kavität einer Top-Emissions-OLED an die entsprechende Farbe anzupassen. Mit anderen Worten kann die abgeschiedene Schicht (bzw. Teilschicht) ein Ausgleichsschicht-Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann das Beschichtungsmaterial ein Transportschicht-Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Anschaulich kann das Transportschicht-Material zum Bilden einer Transportschicht bei einem roten Pixel verwendet werden. Eine Schichtdicke der Transportschicht kann in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 100 nm liegen. Mit anderen Worten kann die abgeschiedene Schicht (bzw. Teilschicht) ein Transportschicht-Material aufweisen oder daraus gebildet sein.
Wird das gesamte Material der abzuscheidenden Schicht mit einem Mal übertragen (anschaulich blitzt man die abzuscheidenden Schicht auf einmal), erhöht sich die Spannung zum Erreichen einer bestimmten Leuchtdichte der gebildeten OLED erheblich. Überträgt man das Beschichtungsmaterial der Schicht in mehreren (z.B. zwei, drei, vier, fünf, sechs, sieben, acht, neun, zehn, oder mehr als zehn) Teilschritten, von denen in jedem Teilschritt eine Teilschicht (einzelne Subschicht) der Schicht gebildet wird, kann der Spannungsanstieg wesentlich geringer ausfallen. Zumindest zwei Teilschichten der mehreren Teilschichten können eine gleiche Schichtdicke und/oder eine gleiche Materialmenge aufweisen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Beschichtungsmaterial ein dotiertes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das dotierte Material beim Transferieren zur Entmischung tendieren, ohne dass die Effizienz der OLED beeinträchtigt wird. Wenn eine räumliche Verteilung von Dotant und/oder Emitter beim Transferieren zur Inhomogenität tendiert (d.h. diese tendieren dazu, sich voneinander zu trennen) kann die gesamte Schwankung der räumlichen Verteilung reduziert sein oder werden, je mehr Teilschichten pro abzuscheidender Schicht abgeschieden werden, d.h. indem die Gesamtschicht (z.B. eine Mischschicht) hinreichend viele Subschichten aufweist. Jede Teilschicht kann mittels eines Pulses des gepulsten Bestrahlens abgeschieden sein oder werden.
Herkömmlicherweise wird jede zu übertragende Schicht mittels einer eigenen Beschichtungsmaterial-Transfer-Maskes auf ein Substrat übertragen, was technologisch sehr aufwändig und nicht wirtschaftlich ist, da dies die Anzahl der Prozessschritte erhöht.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (mittels der Modulationsstruktur) derart substrukturiert sein oder werden, dass beim FMTL-Prozess immer nur Teile des Beschichtungsmaterials aus einem zu übertragenden Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (z.B. schrittweise) auf ein Substrat übertragen werden. Die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske kann derart oft bestrahlt werden, bis das gesamte Beschichtungsmaterial von dem zu übertragenden Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske auf das Substrat übertragen wurde.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrukturierung mittels eines Interferenzverfahrens erfolgen, so dass selbst bei kleinen Strukturgrößen noch eine hinreichende Substrukturierung zu erreicht werden kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Substrat einen Display-Träger aufweisen oder daraus gebildet sein. Mit anderen Worten kann das Beschichten mittels der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske im Displaybereich, z.B. für Fernseher, eingesetzt werden.
Durch geeignete Wahl der Bestrahlungsvorrichtung (z.B. der Blitzlampen bzw. mittels Vorschaltens einer Bestrahlungsmaske, z.B. einen optischen Filter aufweisend) kann ein Beschichtungsmaterial, welche auf einem (z.B. wellenlängenabhängigen) Absorber der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske angeordnet ist, nacheinander übertragen werden. Beispielsweise kann mittels eines Polarisationsfilters ein polarisierter Blitz erzeugt werden, wobei der Polarisationsfilter zwischen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske und der Strahlungsquelle angeordnet ist.
Alternativ oder zusätzlich kann die Bestrahlungsmaske eine Lochmaske aufweisen oder daraus gebildet sein und zwischen nacheinander erzeugten Pulsen (z.B. Blitzen) verschoben und/oder gedreht sein oder werden. Beispielsweise kann zwischen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske und der Strahlungsquelle eine Lochmaske mit sehr kleinen Öffnungen (z.B. kleiner als eine Strukturgröße, z.B. eine Pixelgröße) angeordnet sein oder werden. In den Fall kann die Strahlungsquelle (z.B. ein Lampenarray) derart eingerichtet sein oder werden, dass dieses parallele Strahlung (z.B. Licht) emittiert. Beim gepulsten Bestrahlen (z.B. Blitzen) können nur die Bereiche der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske bestrahlt werden, über denen sich eine Öffnung der Lochmaske befindet. Die Lochmaske kann nach jedem Puls des gepulsten Bestrahlens verschoben und/oder gedreht sein oder werden. Das Verschieben und/oder Drehen sowie das gepulste Bestrahlen können so oft wiederholt werden, bis das auf dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske angeordnetes Beschichtungsmaterial vollständig abgedampft ist. Alternativ oder zusätzlich kann die Bestrahlungsmaske eine Blende aufweisen oder daraus gebildet sein, welche strahlungsabsorbierendes, strahlungsreflektierendes Material, und/oder Glasfasern aufweist oder daraus gebildet ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen muss die Bestrahlungsmaske nicht exakt sondern nur hinreichend regelmäßig substrukturiert sein. Beispielsweise kann eine Lochmaske einen Träger aufweisen, welcher ein transparentes (strahlungstransparentes) Material (z.B. das Trägermaterial) aufweist und mit einem strahlungsreflektierenden Material beschichtet ist, z.B. ein mit strahlungsreflektierendem Material beschichtetes Glassubstrat. Die Bestrahlungsmaske kann beispielsweise mittels Lithographie substrukturiert sein oder werden. Beispielsweise können die Durchlassbereiche (d.h. die strahlungsdurchlässigen Abschnitte der Bestrahlungsmaske) mittels inversen Eloxierens gebildet sein oder werden. Anschaulich lassen sich damit regelmäßig angeordnete Öffnungen in einer Oberfläche und/oder Beschichtung erzeugen.
Emittiert die Strahlungsquelle im Wesentlichen parallele Strahlung, kann gewährleistet werden, dass sich die durch die Bestrahlungsmaske hindurchtretende Strahlung bis zum Erreichen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (d.h. deren bestrahlte Fläche) nicht zu sehr aufweitet.
1A und 1B veranschaulichen jeweils eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder einem schematischen Querschnitt, wobei 1A die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 vor einem gepulsten Bestrahlen und/oder während des gepulsten Bestrahlens veranschaulicht und 1B die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 nach dem gepulsten Bestrahlen veranschaulicht, wobei ein daraus resultierender Materialübertrag 505 (Materialtransfer) veranschaulicht ist.
Das (z.B. transparente) Trägermaterial 502t der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 kann in einem Bestrahlungsbereich 105 angeordnet sein oder werden. Ferner kann die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 eine auf dem Trägermaterial 502t angeordnete Reflektor-Struktur aufweisen, welche zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt 502r aufweisen oder daraus gebildet sein kann, d.h. einen strahlungsreflektierenden Abschnitt 502r oder, wie in 1A veranschaulicht, mehrere strahlungsreflektierende Abschnitte 502r. Ferner kann die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 eine an der und/oder über der Reflektor-Struktur angeordnete Absorber-Struktur aufweisen, welche zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502r aufweisen oder daraus gebildet sein kann, d.h. einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502r oder, wie in 1A veranschaulicht, mehrere strahlungsabsorbierende Abschnitte 502r.
Das Verfahren kann in 100a aufweisen das Beschichtungsmaterial 512s (z.B. als Schicht) auf dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a anzuordnen und optional auf dem zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt 502r.
Das Verfahren kann in 100b aufweisen die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 gepulst zu bestrahlen 511. Das auf dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a angeordnete Beschichtungsmaterial 512s kann beim Bestrahlen 511 erwärmt werden und von dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a abdampfen und auf das Substrat 102 übertragen 505 werden.
Ein Teil der Strahlung 511 kann von dem zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt 502r reflektiert 511 werden, z.B. mehr als 50% der auf den zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt 502r auftreffenden Strahlung. Dabei kann der zumindest eine strahlungsreflektierende Abschnitt 502r die räumliche Materialverteilung definieren mit der das Beschichtungsmaterial 512s verdampft und auf das Substrat 102 übertragen 505 werden kann. Beispielsweise können die Abschnitte des Beschichtungsmaterials 512s, die über dem zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt 502r angeordnet sind, während des Bestrahlens 511 auf der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 verbleiben. Dadurch können die Form und/oder Geometrie des zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt 502r und/oder des zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts 502a auf die Beschichtung 810a bzw. Teilbeschichtung 810a des Substrats 102 abgebildet werden.
Nach dem Beschichten kann die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 beispielsweise erneut mit einem Beschichtungsmaterial bedeckt werden, so dass eine weitere Beschichtung erfolgen kann. Anschaulich können der zumindest eine strahlungsreflektierende Abschnitt 502r und der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt 502a derart auf dem Trägermaterial 502t befestigt sein, dass diese sich beim Bestrahlen nicht von dem Trägermaterial 502t ablösen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Übertragen 505 des Beschichtungsmaterials 512s nacheinander erfolgen, wie im Folgenden näher beschrieben ist.
2 veranschaulicht eine Beschichtungsanordnung 200 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder einem schematischen Querschnitt.
Die Beschichtungsanordnung 200 kann eine Prozessierkammer 522 aufweisen, beispielsweise eine Vakuumkammer 522, wobei die Prozessierkammer 522 ein Kammergehäuse aufweisen kann, welches zum Bereitstellen eines Vakuums stabil gegenüber einem äußeren Druck (z.B. Atmosphärendruck) eingerichtet ist. Ferner kann die Prozessierkammer 522 mit einer Pumpenanordnung 104 (z.B. einer Vakuum-Pumpenanordnung 104) zum Abpumpen der Prozessierkammer 522 und/oder mit einer Gasversorgung 104g zum Bereitstellen eines Gases in der Prozessierkammer 522 gekoppelt sein, so dass in der Prozessierkammer 522 eine Prozessatmosphäre mit einer vordefinierten Zusammensetzung und einem vordefinierten Druck bereitgestellt sein oder werden kann.
Die Pumpenanordnung 104 kann eine Vorvakuumpumpe 104v und/oder eine Hochvakuumpumpe 104h aufweisen. Zum Einstellen und/oder Regeln des Drucks in dem Vakuumbereich kann die Prozessierkammer 522 mittels der Pumpenanordnung 104 abgepumpt 104a werden und/oder mittels der Gasversorgung 104g mit einem Prozessgas versorgt werden.
Die Prozessierkammer 522 kann einen Zugangsbereich 522z aufweisen, durch den ein Substrat 102 oder eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 in das Innere der Prozessierkammer 522 hineingebracht werden können. Beispielsweise kann der Zugangsbereich 522z eine Öffnung in der Prozessierkammer 522 aufweisen.
Mittels des Zugangsbereichs 522z kann die Prozessierkammer 522 mit weiteren Prozessierkammern gekoppelt sein, wobei mehrere miteinander gekoppelte Prozessierkammern ein gemeinsames Vakuumsystem bilden können. Beispielsweise kann die Prozessierkammer 522 mit einer Schleusenkammer zum Einschleusen eines Substrats 102 oder zum Einschleusen einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 in ein gemeinsames Vakuumsystem gekoppelt sein. Ferner kann der Zugangsbereich 522z gemäß verschiedenen Ausführungsformen gegenüber dem Äußeren der Prozessierkammer 522 abgedichtet sein oder werden, z.B. mittels eines verschließbaren Ventils oder einer verschließbaren Ventilklappe.
Die Beschichtungsanordnung 200 kann ferner einen Beschichtungsbereich 509 innerhalb der Prozessierkammer 522 aufweisen in welchem ein Substrat 102 beschichtet werden kann. Beispielsweise kann sich zum Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 erzeugte Strahlung in Richtung des Beschichtungsbereich 509 in einen Bestrahlungsbereich 105 ausbreiten, in dem die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 angeordnet sein oder werden kann. Das zum Beschichten von der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 verdampfte Beschichtungsmaterial kann sich in den Beschichtungsbereich 509 hinein ausbreiten, in dem das Substrat 102 angeordnet sein oder werden kann.
Die Beschichtungsanordnung 200 kann ferner eine Transportanordnung aufweisen, welche ein Transport-Element 516, z.B. einen Handler oder Endeffektor 516, aufweisen kann zum Transportieren eines Substrats 102 oder einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 in die Prozessierkammer 522 hinein oder aus der Prozessierkammer 522 heraus aufweisen. Beispielsweise kann ein Endeffektor 516 einen Greifarm mit mehreren Greifern 516g aufweisen, wobei die mehreren Greifer 516g beweglich an dem Greifarm gelagert und mit einem Aktuator zum Bewegen der mehreren Greifer 516g gekoppelt sein können. Der Endeffektor 516 kann derart eingerichtet sein, dass mittels der mehreren Greifer 516g ein Substrat 102 oder eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 geklemmt und/oder gehalten werden kann.
Ferner kann die Transportanordnung einen Substrathalter 514 aufweisen. Der Substrathalter 514 kann beweglich an der Prozessierkammer 522 gelagert sein. z.B. entlang und/oder quer zur Richtung 101 und/oder um eine Achse quer zur Richtung 101 drehbar gelagert sein.
Optional kann der Substrathalter 514 einen Heizer (z.B. einen resistiven Heizer) zum Heizen eines von dem Substrathalter 514 gehaltenen Substrats 102 oder eine Kühlvorrichtung (z.B. einen mit einer Kühlflüssigkeit durchflossenen Wärmetauscher) zum Kühlen eines von dem Substrathalter 514 gehaltenen Substrats 102 aufweisen.
Der Substrathalter 514 und der Endeffektor 516 können derart eingerichtet sein, dass ein Substrat 102 zwischen dem Endeffektor 516 und dem Substrathalter 514 übergeben werden kann.
Ferner kann die Beschichtungsanordnung 200 eine in der Prozessierkammer 522 angeordnete Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 aufweisen. Die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 kann mittels eines Maskenhalters 402 (ein so genannter Alignment-Tisch) gehalten sein oder werden, wobei der Maskenhalter 402 optional beweglich gelagert sein kann, z.B. entlang und/oder quer zur Richtung 101. Dazu kann der Maskenhalter 402 mit Verstell-Antrieben 506 zum Einstellen einer Position des Maskenhalters 402 relativ zu dem Beschichtungsbereich 509 oder relativ zu dem Substrathalter 514 gekoppelt sein.
Der Maskenhalter 402 kann Eintrittsfenster 522b aufweisen, welches optional ein transparentes Material aufweisen kann. Alternativ oder zusätzlich kann der Maskenhalter 402 als Umfangsrahmen (Rahmen) eingerichtet sein und die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 und/oder das Eintrittsfenster 522b umgeben.
Der Maskenhalter 402 und der Substrathalter 514 können derart eingerichtet sein, dass ein mittels der Substrat-Haltestruktur 514 gehaltenes Substrat 102 und die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 in körperlichen Kontakt zueinander gebracht und/oder in einen Abstand voneinander gehalten werden können. Beispielsweise kann das mittels des Substrathalters 514 gehaltene Substrat 102 in Richtung des Maskenhalters 402 bewegt werden, z.B. gesteuert und/oder geregelt mittels einer Steuerung 1416.
Ferner kann die Beschichtungsanordnung 200 eine Strahlungsquelle 504 zum Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske aufweisen. Dazu kann mittels der Strahlungsquelle 504 Strahlung erzeugt und in Richtung des Bestrahlungsbereichs 105 (bzw. der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100) emittiert werden.
3A, 3B und 3C veranschaulichen jeweils eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht.
In 300a kann das Verfahren aufweisen ein Beschichtungsmaterial 512s auf dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a anzuordnen, z.B. auf einer ersten Seite der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100. Die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 kann eine Modulationsstruktur 302 aufweisen, welche dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a überlagert ist, so dass dieser zumindest zwei Bereiche 302a, 302b aufweist, welche sich in einer thermisch-Energie-Charakteristik unterscheiden. Die thermisch-Energie-Charakteristik kann beschreiben welcher Anteil der auf den zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a übertragenen Strahlungsenergie in Form von thermischer Energie in das Beschichtungsmaterial 512s übertragenen wird. Die thermisch-Energie-Charakteristik kann definiert sein von einem Absorptionsgrad, d.h. welche Anteil der Strahlungsenergie absorbiert und in thermische Energie umgewandelt wird, und von einer Übertragungseffizienz, welche beschreibt, welcher Anteil der umgewandelten thermischen Energie in das Beschichtungsmaterial 512 übertragen wird.
Die Modulationsstruktur 302 kann den Absorptionsgrad und/oder die Übertragungseffizienz modulieren. Beispielsweise kann die Modulationsstruktur 302 einen Unterschied in der Ausdehnung 302t (quer zu dem Träger, z.B. in Richtung der Bestrahlung 511a, auch als Schichtdicke bezeichnet) zwischen den zwei Bereichen 302a, 302b aufweisen oder daraus gebildet sein. Beispielsweise kann eine Schichtdicke 302t eines in einem ersten Bereich 302a angeordneten strahlungsabsorbierenden Materials größer sein als in dem zweiten Bereich 302b. Je größer die Schichtdicke 302t ist, desto größer kann der Absorptionsgrad sein (z.B. wenn die zwei Bereiche einen gleichen Absorptionskoeffizienten aufweisen). Alternativ oder zusätzlich kann die Modulationsstruktur 302 einen Unterschied in der chemischen Zusammensetzung zwischen den zwei Bereichen 302a, 302b aufweisen oder daraus gebildet sein. Beispielsweise kann in einem ersten Bereich 302a ein strahlungsabsorbierendes Material mit einem größeren Absorptionskoeffizienten angeordnet sein als in einem zweiten Bereich 302b. Je größer der Absorptionskoeffizient ist, desto größer kann der Absorptionsgrad sein.
Der Absorptionskoeffizienten kann eine materialspezifische Eigenschaft sein und die Abschwächung der Strahlung pro zurückgelegter Strecke in dem strahlungsabsorbierenden Material beschreiben (d.h. wie viel davon absorbiert wird). Der Absorptionsgrad kann den Anteil der von dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a absorbierten Strahlung beschreiben.
Alternativ oder zusätzlich kann die Modulationsstruktur 302 eine Strahlungsenergie modulieren, welche in den zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a eingetragen wird (vergleiche 13A bis 13C). Beispielsweise kann die Modulationsstruktur 302 einen Strahlungsfilter und/oder einen Polarisationsfilter aufweisen, welcher die Strahlung abschwächt, bevor diese den zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a erreicht.
In 300b kann das Verfahren aufweisen, die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 gepulst zu bestrahlen, z.B. einer zweite Seite 302b der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100, wobei das gepulste Bestrahlen einen ersten Strahlungspuls 511a aufweisen kann, welcher auf den zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a übertragen wird. Der erste Strahlungspuls 511a kann eine erste Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), z.B. eine erste Bestrahlung-Flächenenergiedichte, auf den zumindest einen strahlungsabsorbierende Abschnitt 502a übertragen, z.B. in dem ersten Bereich 302a und dem zweiten Bereich 302b eine gleiche Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), d.h. mit einer über den ersten Bereich 302a und den zweiten Bereich 302b homogenen Verteilung.
In einem schematischen Diagramm 350c ist eine dazugehörige thermische Energie 532 veranschaulicht, welche in das Beschichtungsmaterial 512s übertragen wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Modulationsstruktur 302 derart eingerichtet sein, dass eine in das Beschichtungsmaterial 512s übertragene thermische Energie 532 (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) in dem ersten Bereich 302a (erste thermische Energie) und/oder darin bewirkte Temperatur 532 größer ist als in dem zweiten Bereich 502b (zweite thermische Energie). Die erste thermische Energie 532a (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) kann größer sein als eine Verdampfungsenergie 532v (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), welche ein Verdampfen 505 des Beschichtungsmaterials 512s bewirkt. Die zweite thermische Energie 532b (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) kann kleiner sein als die Verdampfungsenergie 532v (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche).
Die erste thermische Energie 532a pro Fläche kann eine erste thermische Flächenenergiedichte 532a definieren. Die zweite thermische Energie 532b pro Fläche kann eine zweite thermische Flächenenergiedichte 532b definieren, welche größer ist als die erste thermische Flächenenergiedichte. Anschaulich kann die in dem zweiten Bereich 302b bereitgestellte thermische Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) zu klein sein um das darauf angeordnete Beschichtungsmaterial 512s zu verdampfen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zwischen dem ersten Bereich 302a und dem zweiten Bereich 302b ein Temperaturunterschied 532t bereitgestellt sein oder werden (bzw. ein entsprechender Temperaturgradient von 532b nach 532a), welcher z.B. die Verdampfungstemperatur 532v überlappt.
In 300c kann das Verfahren aufweisen, die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 gepulst zu bestrahlen, wobei das gepulste Bestrahlen einen zweiten Strahlungspuls 511b aufweisen kann, welcher auf den zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a übertragen wird. Der zweite Strahlungspuls 511a kann eine zweite Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), z.B. eine zweite Bestrahlung-Flächenenergiedichte, auf den zumindest einen strahlungsabsorbierende Abschnitt 502a übertragen, z.B. in dem ersten Bereich 302a und dem zweiten Bereich 302b eine gleiche Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), d.h. mit einer über den ersten Bereich 302a und den zweiten Bereich 302b homogenen Verteilung.
Die zweite Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), z.B. die zweite Bestrahlung-Flächenenergiedichte, kann größer sein als die erste Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), z.B. als die erste Bestrahlung-Flächenenergiedichte.
Dadurch kann die zweite thermische Energie 532b mittels des zweiten Strahlungspulses 511b größer als die Verdampfungsenergie 532v bereitgestellt sein oder werden. Das in dem zweiten Bereich 302b angeordnete Beschichtungsmaterial 512s kann mittels der zweiten thermischen Energie 532a verdampft 505 werden. Optional kann auch die erste thermische Energie 532 größer sein als die Verdampfungsenergie 532v, wobei der zweite Bereich 302b z.B. bereits frei von einem Beschichtungsmaterial 512s sein kann, so dass kein Verdampfen von dem zweite Bereich 302b erfolgt.
Mit anderen Worten kann das Beschichtungsmaterial 512s gepulst verdampft und/oder auf das Substrat 102 übertragen werden.
Analog kann das Bestrahlen zumindest eines weiteren Bereichs 302c erfolgen, so dass das Beschichtungsmaterial 512s gepulst übertragen wird, z.B. gemäß des gepulsten Bestrahlens.
Die zwei Bereiche 302a, 302b können dabei als Materialdampfquelle mit einer Breite 501 und/oder einer Querschnittsfläche 501 wirken.
4A, 4B und 4C jeweils eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht.
In 400a kann das Verfahren aufweisen ein Beschichtungsmaterial 512s auf dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a anzuordnen. Die zwei Bereichen 302a, 302b können optional in ihrer thermisch-Energie-Charakteristik gleich sein. Alternativ können die zwei Bereichen 302a, 302b in ihrer thermisch-Energie-Charakteristik unterschiedlich sein.
In 400b kann das Verfahren aufweisen, die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 gepulst zu bestrahlen, wobei das gepulste Bestrahlen einen ersten Strahlungspuls 511a aufweisen kann, welcher auf den zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a übertragen wird. Der erste Strahlungspuls 511a kann eine erste Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), z.B. eine erste Bestrahlung-Flächenenergiedichte, auf den ersten Bereich 302a übertragen und eine zweite Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), z.B. eine zweite Bestrahlung-Flächenenergiedichte, auf den zweiten Bereich 302b übertragen. Die erste Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) kann größer sein als die zweite Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), mit anderen Worten kann die Verteilung der Bestrahlung-Energie über den ersten Bereich 302a und den zweiten Bereich 302b inhomogenen sein. Anschaulich kann der zweite Bereich 302b kaum oder nicht bestrahlt werden, z.B. kann dieser abgeschattet werden, z.B. mittels einer Bestrahlungsmaske 1002 (vergleiche 10).
Dadurch kann die erste thermische Energie 532a größer als die Verdampfungsenergie 532v und die zweite thermische Energie 532b kleiner als die Verdampfungsenergie 532v bereitgestellt sein oder werden. Das in dem ersten Bereich 302a angeordnete Beschichtungsmaterial 512s kann mittels der ersten thermischen Energie 532a verdampft 505 sein oder werden.
In 400c kann das Verfahren aufweisen, die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 gepulst zu bestrahlen, wobei das gepulste Bestrahlen einen zweiten Strahlungspuls 511b aufweisen kann, welcher auf den zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a übertragen wird. Der zweite Strahlungspuls 511b kann eine dritte Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), z.B. eine dritte Bestrahlung-Flächenenergiedichte, auf den ersten Bereich 302a übertragen und eine vierte Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), z.B. eine vierte Bestrahlung-Flächenenergiedichte, auf den zweiten Bereich 302b übertragen. Die dritte Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) kann kleiner sein als die vierte Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche). Die dritte Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) kann beispielsweise gleich der zweiten Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) sein und/oder die vierte Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) kann beispielsweise gleich der ersten Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) sein. Anschaulich kann der erste Bereich 302a kaum oder nicht bestrahlt werden, z.B. kann dieser abgeschattet werden, z.B. mittels einer Bestrahlungsmaske 1002.
Dadurch kann die erste thermische Energie 532a kleiner als die Verdampfungsenergie 532v und die zweite thermische Energie 532b größer als die Verdampfungsenergie 532v bereitgestellt sein oder werden. Das in dem zweiten Bereich 302b angeordnete Beschichtungsmaterial 512s kann mittels der zweiten thermischen Energie 532b verdampft 505 werden.
Die zwei Bereiche 302a, 302b können dabei als Materialdampfquelle mit einer Breite 501 und/oder einer Querschnittsfläche 501 wirken.
5 eine Beschichtungscharakteristik 500 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Diagramm.
Das Diagramm veranschaulicht eine Profilometermessung einer Schicht, welche von einem Bereich 302a, 302b auf ein Substrat übertragen wurde, für verschiedenen Abstände zwischen Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 und Substrat 102, bzw. einer zu beschichtenden Oberfläche des Substrats 102, wobei die räumliche 101 Verteilung der Schichtdicke 503 (z.B. in µm) veranschaulicht ist. Der Bereich 302a, 302b, von dem aus verdampft wird, kann eine Breite 501 (d.h. eine Ausdehnung entlang des Trägers) in einem Bereich von ungefähr 10 µm bis ungefähr 20 µm aufweisen, z.B. ungefähr 14 µm.
Der Abstand zwischen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 und der zu beschichtenden Oberfläche 704 des Substrats 102 (Beschichtung-Abstand) kann z.B. mittels einer Pixeldefinition-Schicht (Pixel-Definement-Layer – PDL) definiert sein oder werden, welche eine Öffnung über der zu beschichtenden Oberfläche 704 aufweist, so dass die zu beschichtenden Oberfläche 704 freiliegt (anschaulich eine Kavität). Je dicker die PDL ist, desto größer kann der Beschichtung-Abstand sein, z.B. wenn das Substrat, z.B. die PDL des Substrats, mit der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 in körperlichem Kontakt gebracht ist oder wird. Alternativ oder zusätzlich kann das Substrat 102 eine Abstandhalter-Schicht aufweisen, deren Dicke den Beschichtung-Abstand definiert. Alternativ oder zusätzlich können das Substrat 102 und die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 mittels einer Steuerung in den Beschichtung-Abstand zueinander gebracht und/oder darin gehalten werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Beschichtung-Abstand in einem Bereich von ungefähr 0 µm bis ungefähr 50 µm liegen und/oder größer sein als ungefähr 1 µm, z.B. größer als ungefähr 4 µm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 5 µm bis ungefähr 10 µm.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Schichtdickenverteilung 502 bei einem Beschichtung-Abstand von ungefähr 0 µm (z.B. in körperlichem Kontakt der zu beschichtenden Oberfläche zu der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100) eine scharfe Verteilung aufweisen, welche ungefähr der Breite 501 des Bereichs 302a, 302b (Materialdampfquellenbreite 501) entspricht (vergleich 3A), von dem aus verdampft wurde.
Mit zunehmendem Beschichtung-Abstand kann die räumliche Verteilung breiter werden, wie als Schichtdickenverteilung 514 für einen Beschichtung-Abstand von ungefähr 6 µm und als Schichtdickenverteilung 516 für einen Beschichtung-Abstand von ungefähr 7 µm veranschaulicht ist. Dabei verbreitert sich die abgeschiedene Schicht 810a (mit anderen Worten vergrößert sich der beschichtete Flächenabschnitt 102b) mit zunehmenden Beschichtung-Abstand und/oder mit zunehmender Materialdampfquellenbreite 501, beispielsweise bei einem Beschichtung-Abstand in einem Bereich von ungefähr 6 µm bis ungefähr 7 µm und einer Materialdampfquellenbreite 501 von ungefähr 14 µm auf ungefähr 35 µm.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Beschichtung-Abstand in einem Bereich von ungefähr 10% bis ungefähr 200% der Materialdampfquellenbreite 501 liegen, z.B. kann der Beschichtung-Abstand gleich oder kleiner sein als die Materialdampfquellenbreite 501, z.B. in einem Bereich von ungefähr 10% bis ungefähr 100% der Materialdampfquellenbreite 501 liegen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 25% bis ungefähr 75%. Damit kann einer Verbreiterung des beschichteten Flächenabschnitts 102b erreicht werden.
Alternativ oder zusätzlich kann der beschichtete Flächenabschnitt 102b (vergleiche 1B) eine Ausdehnung aufweisen, welche größer ist als die Materialdampfquellenbreite 501, z.B. größer als 150% der Materialdampfquellenbreite 501, z.B. größer als 200% der Materialdampfquellenbreite 501 oder in einem Bereich von ungefähr 150% bis ungefähr 500% der Materialdampfquellenbreite 501. Damit kann erreicht werden, dass sich die gebildeten Teilschichten teilweise überlappen.
6A und 6B veranschaulichen jeweils eine Beschichtungscharakteristik 600a, 600b in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Diagramm, analog zu 5, wobei das Beschichtungsmaterial von mehreren (exemplarisch vier veranschaulicht) Bereichen 302a, 302b nacheinander verdampft wurde.
Beispielsweise kann der Beschichtung-Abstand in einem Bereich von ungefähr 5 µm bis ungefähr 10 µm liegen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 6 µm bis ungefähr 7 µm.
Das nacheinander verdampfte Beschichtungsmaterial bildet einander überlagernde Teilschichten 810a, 810b, 810c, 810d, deren räumliche Schichtdickenverteilung schematisch nebeneinander veranschaulicht ist. Die sich aus den Teilschichten 810a, 810b, 810c, 810d ergebende Schichtdickenverteilung 604 weist eine im Wesentlichen homogene Gesamtschichtdicke 604 auf. In 600a ist der Fall veranschaulicht, wenn jeweils zwei einander gegenüberliegende Bereiche der mehreren Bereiche 302a, 302b aneinandergrenzen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Abscheiden der Schicht in die Öffnung einer PDL (PDL-Öffnung) erfolgen. Dabei kann die räumliche Schichtdickenverteilung 810a, 810b, 810c, 810d durch die seitliche Begrenzung der Öffnung (anschaulich eine Seitenwand) beeinflusst sein oder werden.
Beispielsweise kann ein Teil des gasförmigen Beschichtungsmaterials beim Auftreffen auf die Seitenwand 702s (vergleiche 12) der PDL-Öffnung an dieser kondensieren und dann am Boden der Kavität (d.h. an der zu beschichtenden Oberfläche) nicht mehr zur Verfügung stehen. Alternativ oder zusätzlich kann ein Großteil des gasförmigen Beschichtungsmaterials bis an den Boden der Kavität vordringen, so dass ein Schichtdickenabfall (d.h. eine Abnahme und/oder Schwankung der Gesamtschichtdicke 604) an der Seitenwand (z.B. bei Breitenrichtung 101 Koordinate von ungefähr 0) verringert werden kann und eine homogenere Gesamtschichtdicke 604 (d.h. mit weniger Schwankung) erreicht werden kann.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die pro Übertrag aufgebrachte (maximale) Schichtdicke ungefähr der halben (maximalen und/oder vordefinierten) Gesamtschichtdicke 604 entsprechen.
In 600b ist der Fall veranschaulicht, wenn einander benachbarte Bereiche 302a, 302b einen Abstand 501d voneinander aufweisen (Materialdampfquellenabstand 501d, vergleiche 1B). Der Materialdampfquellenabstand 501d kann in einem Bereich von ungefähr 0% (körperlicher Kontakt) bis ungefähr 100% der Materialdampfquellenbreite 501 liegen, z.B. größer als ungefähr 1%, z.B. in einem Bereich von ungefähr 10% bis ungefähr 50%, z.B. ungefähr 20%. Beispielsweise kann der Materialdampfquellenabstand 501d ungefähr 3 µm betragen, wobei die Materialdampfquellenbreite 501 ungefähr 14 µm betragen kann.
Der Materialdampfquellenabstand 501d kann derart eingerichtet sein, dass die maximale Schwankung der Gesamtschichtdicke 604 verringert werden kann, z.B. auf weniger als ungefähr 30% der räumlich gemittelten Gesamtschichtdicke 604, z.B. auf weniger als ungefähr 20% der räumlich gemittelten Gesamtschichtdicke 604, z.B. auf weniger als ungefähr 10% der räumlich gemittelten Gesamtschichtdicke 604.
Damit zwischen den Bereichen 302a, 302b kein Material verdampft wird, kann die Modulationsstruktur 302 derart eingerichtet sein, dass zwischen den Bereichen 302a, 302b eine thermische Energie weniger als die Verdampfungsenergie 532v bereitgestellt wird oder ist. Beispielsweise kann zwischen den Bereichen 302a, 302b ein lichtreflektierendes Material der Modulationsstruktur 302 angeordnet sein oder werden (vergleiche 1A und 1B).
7A und 7B veranschaulichen jeweils eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht.
In 700a kann das Verfahren aufweisen ein Substrat 102 mit einer zu beschichtenden Oberfläche 704 in Richtung der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 anzuordnen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat 102 eine Pixeldefinition-Schicht 702 (PDL) aufweisen, welche zumindest eine Öffnung 702o aufweist, z.B. eine oder mehrere Öffnungen 702o, die eine zu beschichtende Oberfläche 704 des Substrats 102 freilegen. Das Substrat 102 kann mehrere zu beschichtende Oberflächen 704 aufweisen, welche in einem Abstand voneinander angeordnet sind. Der PDL 702 kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen eine Schichtdicke 802 (Ausdehnung quer zur Breitenrichtung 101) aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 µm bis ungefähr 20 µm, z.B. weniger als ungefähr 10 µm.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 (FMTL-Maske 100) und das Substrat 102 in körperlichem Kontakt miteinander angeordnet sein oder werden. Mittels des PDL 702 kann der Beschichtung-Abstand zwischen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 (bzw. dem Beschichtungsmaterial 512s) und der zu beschichtenden Oberfläche 704 des Substrats 102 eingerichtet sein.
In 700b kann das Verfahren in 700b aufweisen, die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 zu bestrahlen, z.B. mittels eines Strahlungspulses 511 (z.B. ein Lichtpuls). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske mehrere Bereiche 302a, 302b, 302c aufweisen, welche sich in ihrer thermisch-Energie-Charakteristik unterscheiden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die mehreren Bereiche 302a, 302b, 302c derart eingerichtet sein, dass genau ein erster Bereich 302a des zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts 502a beim Bestrahlen mittels des Strahlungspulses 511 derart erwärmt wird, dass das Beschichtungsmaterial 512s (z.B. eine organisches Beschichtungsmaterial) von dem ersten Bereich 302a verdampft.
Anschaulich verdampft nur ein Teil des Beschichtungsmaterials 512s, welches auf dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a angeordnet ist. Beispielsweise verdampft nur eine Substruktur der zu übertragenen Struktur 502a, 502r.
8A und 8B veranschaulichen jeweils eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht.
In 800a kann das Verfahren aufweisen, das Beschichtungsmaterial 512s von dem ersten Bereich 302a der mehreren Bereiche 302a, 302b, 302c zu verdampfen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Schichtdicke 802 der PDL 702 und/oder der Beschichtung-Abstand 802 in einem Bereich von ungefähr 10-fach bis ungefähr 100-fach der Schichtdicke des Beschichtungsmaterials 512 liegen. Damit kann das verdampfte Beschichtungsmaterial 512d (d.h. das in einen gasförmigen Zustand gebrachte Beschichtungsmaterial 512d) anschaulich klein gegenüber dem Volumen der Kavität 702o sein. Das verdampfte Beschichtungsmaterial 512d kann anschaulich eine Dampfwolke 512d aufweisen oder daraus gebildet sein, welche umso breiter (d.h. welche sich umso mehr verbreitert) wird, je größer die Schichtdicke 802 des PDL 702 und/oder der Beschichtung-Abstand 802 ist.
Das gasförmige Beschichtungsmaterial 512d kann sich an der zu beschichtenden Oberfläche 704 des Substrats 102 anlagern (z.B. kondensieren) und eine Teilschicht 810a bilden (z.B. erstarren und/oder resublimieren). Der mittels des gasförmigen Beschichtungsmaterials 512d beschichtete Flächenabschnitt des Substrats 102 kann eine größere Ausdehnung und/oder eine größere Querschnittsfläche aufweisen als der erste Bereich 302a. Alternativ oder zusätzlich kann die gebildete Teilschicht 810a eine kleinere Schichtdicke aufweisen als das Beschichtungsmaterial 512, welches ursprünglich auf dem ersten Bereich 302a angeordnet war.
Analog kann das Beschichtungsmaterial 512s von weiteren Bereichen 302b, 302c der mehreren Bereiche 302a, 302b, 302c zum Substrat 102 transferiert werden, z.B. nacheinander.
In 800b kann das Verfahren aufweisen, mehrere Teilschichten 810a, 810b, 810c (anschaulich Subschichten) auf der zu beschichtenden Oberfläche 704 bilden.
Anschaulich kann das Verfahren aufweisen das Beschichtungsmaterial 512s in mehreren Teilschritten von den substrukturierten Bereichen 302a, 302b, 302c zum Substrat 102 zu transferieren (zu übertragen), z.B. nacheinander, z.B. indem das Transferieren aufeinanderfolgender Teilschichten 810a, 810b, 810c in einem zeitlichen und/oder räumlichen Abstand voneinander erfolgt. Anschaulich werden dabei mehrere dünne Teilschichten 810a, 810b, 810c auf dem Substrat 102 gebildet, welche eine Gesamtschicht bilden, wobei die Gesamtschicht homogenere Schichteigenschaften aufweisen kann als wenn das Material der Teilschichten 810a, 810b, 810c gemeinsam übertragen wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren eine größere Toleranz beim Ausrichten der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 zu dem Substrat 102 bereitstellen. Anschaulich muss die Substrukturierung 302a, 302b, 302c nicht notwendigerweise exakt ausgerichtet werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Strahlungsenergie (z.B. Blitzenergie) nacheinander folgender Bestrahlungspulse 511a, 511b zunehmen, z.B. bis das Beschichtungsmaterial 512s von allen Bereichen 302a, 302b, 302c, die nicht von dem zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt 502r (anschaulich ein Reflektor) abgeschirmt werden, verdampft wird oder ist.
9 veranschaulicht eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht.
Das Verfahren kann aufweisen zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt 502r auf dem Träger 1302 der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 anzuordnen. Mit anderen Worten kann zur der Herstellung der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 zuerst die Reflektor-Struktur gebildet werden.
Das Verfahren kann ferner aufweisen zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a auf dem Träger 1302 der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 anzuordnen, z.B. zumindest teilweise über dem zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt 502r.
Das Verfahren kann ferner aufweisen eine Modulationsstruktur (Substruktur) zu bilden. Beispielsweise kann der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt 502a bereits substrukturiert gebildet sein oder werden und/oder nach dem Anordnen substrukturiert sein oder werden.
Eine Strukturgröße 501 (z.B. eine Ausdehnung 501 und/oder eine Querschnittsfläche 501) der Modulationsstruktur 302 kann kleiner sein als eine Strukturgröße 512t der Absorber-Reflektor-Struktur und/oder als eine Strukturgröße des Substrats 102 (z.B. definiert von einer PDL), z.B. des zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitts 502r und/oder des zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts 502a.
Die Strukturgröße kann anschaulich die Feinheit einer Strukturierung beschreiben, z.B. deren Periodizität, minimale Kantenlänge und/oder minimale Flächenausdehnung.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Modulationsstruktur 302 gegenüber der Absorber-Reflektor-Struktur versetzt angeordnet sein oder werden, z.B. kann sich ein Bereich 302a der mehreren Bereiche den zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt 502r hinaus stehen, z.B. in den zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts 502a hinein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren aufweisen, die Modulationsstruktur 302 mittels eines Interferenzverfahrens zu bilden (z.B. mittels Laserinterferenz). Anschaulich können dadurch mit geringem Aufwand sehr kleine Strukturgrößen 501 erzeugt werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen ist es nicht notwendig, dass einander benachbarte Bereiche 302a, 302b, 302c eine scharfe Abgrenzung voneinander aufweisen. Beispielsweise kann der Übergang der thermisch-Energie-Charakteristik fließend und/oder monoton sein. Anschaulich ist die Modulationsstruktur 302 dadurch einer größeren Anzahl und/oder billigeren Strukturierungsverfahren zugänglich.
Anschaulich kann durch eine ansteigende Bestrahlung-Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche), welche für folgende Strahlungspulse verwendet wird, das gesamte Beschichtungsmaterial abgedampft, welche nicht durch die Reflektor-Struktur vor den mehreren Strahlungspulsen abgeschirmt wird oder ist.
Beispielsweise kann die Modulationsstruktur 302 derart eingerichtet sein, dass die zu übertragenden Bereiche 302a, 302b, 302c verschieden starke Absorber aufweisen oder daraus gebildet sind. Wird die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 mittels mehrerer Strahlungspulse (z.B. mehrerer Lichtblitze) bestrahlt, welche nacheinander eine größer werdende Bestrahlung-Energie (bzw. Blitzenergie) bereitstellen, kann das Beschichtungsmaterial 512s nacheinander vom stärksten Absorber beginnend (mittels des schwächsten Strahlungspuls der mehreren Strahlungspulse) bis zum schwächsten Absorber (mittels des stärksten Strahlungspulses der mehreren Strahlungspulse) verdampft und/oder zum Substrat 102 übertragen sein oder werden.
10 eine Beschichtungsanordnung 1000 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht.
Die Beschichtungsanordnung 1000 kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 und eine Bestrahlungsmaske 1002 (z.B. eine Belichtungsmaske) aufweisen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Bestrahlungsmaske 1002 eingerichtet sein eine räumliche Verteilung der Strahlung 511t (Durchtrittstrahlung 511t) und/oder deren Energie (z.B. pro Zeit und/oder pro Fläche) zu definieren, welche durch die Bestrahlungsmaske 1002 hindurchtritt bzw. auf die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 übertragen wird.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Bestrahlungsmaske 1002 eine Durchlassbereich 1002o aufweisen, durch welche ein Teil 511t der auf die Bestrahlungsmaske 1002 übertragenen Strahlung 511 hindurch treten kann. Die Bestrahlungsmaske 1002 kann relativ zu der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 bewegt (z.B. verschoben und/oder gedreht) werden, so dass die Durchtrittstrahlung 511t bei jedem Puls auf einen anderen Bereich des zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts 502a trifft. Somit kann beispielsweise auch eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 ohne eine Modulationsstruktur verwendet werden. Alternativ oder zusätzlich kann die Bestrahlungsmaske mit einer Modulationsstruktur verwendet werden, was es ermöglicht die Bereiche, von denen Material abdampft, noch weiter zu verkleinern.
Beispielsweise kann der Durchlassbereich 1002o eine Durchgangsöffnung aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise wenn die Bestrahlungsmaske 1002 eine Lochmaske und/oder eine Blende aufweist oder daraus gebildet ist.
Alternativ oder zusätzlich kann der Durchlassbereich 1002o einen optischen Filter aufweisen oder daraus gebildet sein, welcher eine Polarisation, eine Wellenlänge und/oder ein Spektrum der Durchtrittstrahlung 511t definiert.
Beispielsweise kann der optische Filter einen Interferenzfilter aufweisen oder daraus gebildet sein. Ein Interferenzfilter kann auf einen engen Transmissionsbereich einstellbar sein und auch bei einer hohen Strahlungsenergie (z.B. pro Zeit oder pro Fläche), z.B. einer hohen Lichtenergie, verwendbar sein, z.B. ohne zu versagen oder sich zu verschlechtern.
Alternativ oder zusätzlich kann der Durchlassbereich 1002o einen Polarisationsfilter aufweisen oder daraus gebildet sein. Dann kann mittels Drehens der Bestrahlungsmaske 1002 deren Polarisationsrichtung ausgerichtet werden und/oder mittels Verschiebens der Bestrahlungsmaske 1002 kann die Lage der Bestrahlungsmaske 1002 angepasst werden. Die Bestrahlungsmaske 1002 kann dann relativ zu der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 bewegt (z.B. verschoben und/oder gedreht) werden, so dass die Durchtrittstrahlung 511t bei jedem Puls auf einen anderen Bereich des zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts 502a auftrifft und/oder bei jedem Puls mit einem anderen Polarisationszustand auf den zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a auftrifft. Anschaulich kann beim gepulsten Bestrahlen (z.B. Beblitzen) nur Strahlung 511t mit einer Polarisationsrichtung durch den Polarisationsfilter der Bestrahlungsmaske 1002 hindurch durchgelassen werden.
Falls die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 eine Modulationsstruktur 302 aufweist, welche einen Polarisationsfilter aufweisen oder daraus gebildet sein kann, kann die Polarisationsrichtung der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 mit der Polarisationsrichtung eines Bereichs der mehreren Bereiche 302a, 302b, 302c in Übereinstimmung gebracht sein oder werden. Beispielsweise können sich die mehreren Bereiche 302a, 302b, 302c in zumindest einem Polarisationszustand unterscheiden. Dann werden nur die Abschnitte des zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts 502a ausreichend erwärmt, deren Polarisationszustand (z.B. eine Polarisierungsrichtung) zu dem Polarisationszustand der Bestrahlungsmaske 1002 passt.
Anschaulich kann zwischen der Strahlungsquelle (z.B. ein Lampenarray) und die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 ein verdrehbarer Polarisationsfilter angeordnet sein oder werden, so dass die strahlungsabsorbierenden Abschnitte der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100, deren Polarisationszustand mit einem Polarisationszustand der Bestrahlungsmaske übereinstimmt, dem Bestrahlen ausgesetzt sein oder werden, so dass ein Übertrag des darauf abgeschiedenen Beschichtungsmaterials 512s bewirkt wird.
Alternativ oder zusätzlich kann die Bestrahlungsmaske 1002 strahlungsleitende Faser aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. in Form einer optischen Faserplatte. Die strahlungsleitende Fasern können parallel zueinander ausgerichtet sein oder werden und/oder nebeneinanderliegen. Zwischen den strahlungsleitenden Fasern kann der Strahlungsdurchtritt (z.B. die Lichtleitung) gehemmt sein oder werden, so dass die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 an den Stellen der Fasern bestrahlt wird. Beispielsweise kann der Durchlassbereich 1002o eine strahlungsleitende Faser aufweisen oder daraus gebildet sein.
Die in 10 dargestellte Bestrahlungsmaske 1002 kann beispielsweise eine Lochmaske und/oder Faserplatte aufweisen oder daraus gebildet sei.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Hindurchlassen von Licht zu der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 moduliert und/oder selektiert sein oder werden (erfolgen).
Alternativ oder zusätzlich kann eine Selektion der Strahlung durch Polarisation bzw. den Wellenlängenbereich erfolgen (vergleiche z.B. 7B), z.B. wenn der gesamte Bereich 502a beleuchtet wird und durch die Substrukturierung 302a eine zusätzliche oder alternative Selektion der Bestrahlung erfolgt.
11 veranschaulicht eine Beschichtungsanordnung 1100 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Bestrahlungsmaske 1002 eine oder mehrere Linsen 1002l (beispielsweise Mikrolinsen) aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein Linsenarray. Die eine oder mehrere Linsen 1002l können auf einem strahlungsdurchlässigen Träger 1002t (Bestrahlungsmaske-Träger) der Bestrahlungsmaske 1002 angeordnet sein oder werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zwischen den Linsen 1002l ein lichtundurchlässiger (z.B. strahlungsabsorbierender und/oder strahlungsreflektierender) Abschnitt (Zwischenraum) angeordnet sein oder werden und/oder die Linsen 1002l können aneinandergrenzen (anschaulich sehr dicht aneinander angeordnet sein oder werden). Beispielsweise kann der Durchlassbereich 1002o eine Linse 1002l aufweisen oder daraus gebildet sein.
Mittels der Linsen 1002l der Bestrahlungsmaske 1002 kann die Strahlung 511 fokussiert sein oder werden, z.B. auf einen Bereich 302a der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100. Von dem bestrahlten Bereich 302a der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 kann das Beschichtungsmaterial 512s abdampfen. In dem Fall kann auf eine Modulationsstruktur verzichtet werden. Wird dennoch eine Modulationsstruktur verwendet, kann eine Materialdampfquellenbreite 501 weiter verkleinert werden, z.B. indem sich die belichteten Bereich 302a, 302b, 302c mit den Bereichen der Modulationsstruktur teilweise überlappen.
Anschaulich kommt es nicht notwendigerweise auf eine exakte Ausrichtung der Bestrahlungsmaske 1002 (z.B. eine Linsenmaske) relativ zu der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 an, da beim schrittweisen Positionieren und gepulsten Bestrahlen das Beschichtungsmaterial 512s nacheinander von dem gesamten zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts 502a übertragen werden kann.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Positionieren (Drehen und/oder Verschieben) der Bestrahlungsmaske 1002 in derart kleinen Schritten erfolgen, dass ein bereits bestrahlter Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske ein zweites Mal teilweise bestrahlt, was es ermöglicht die Materialdampfquellenbreite 501, von der Material abdampft, noch weiter zu verkleinern.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Strahlungsquelle 504 parallele Strahlung zum gepulsten Bestrahlen bereitstellen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100, bzw. der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt 502a, in dem Fokus der Linsen 1002l der Bestrahlungsmaske angeordnet sein oder werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen ist es nicht notwendigerweise erforderliche exakte scharfe Intensitätsverläufe auf der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 zu erzeugen.
12 eine Beschichtungsanordnung 1200 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Beschichtung-Abstand 802 ausgenutzt werden, um ein fehlertolerantes Beschichten mittels einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 bereitzustellen. Anschaulich kann sich das verdampfende 512d Beschichtungsmaterial 512d in den Spalt, welche sich aus dem Beschichtung-Abstand 802 ergibt, zwischen der zu beschichtenden Oberfläche 704 des Substrats 102 und der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 hinein ausbreiten, wodurch eine Verbreiterung der beschichteten Fläche mit größerem Beschichtung-Abstand 802 bewirkt wird. Mit anderen Worten kann sich bei einer Abscheidung mittels der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 die von dieser abgebildete Form und/oder Geometrie stark verbreitern.
Dabei kann ein Teil des Beschichtungsmaterials 512 auf einer Seitenwand 702s der PDL-Öffnung 702o abscheiden (z.B. resublimieren). Daher kann eine Ausdehnung 501 (anschaulich Materialdampfquellenbreite 501) und/oder eine Querschnittfläche 501 des zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts 502a (anschaulich der Absorberfläche) und/oder der über Verdampfungstemperatur 532v erwärmten Fläche 302a kleiner sein als die zu beschichtende Oberfläche 704 (Grundfläche) des Substrats 102. Die zu beschichtende Oberfläche 704 des Substrats 102 kann beispielsweise von der PDL-Öffnung 702o definiert sein oder werden. Der Bereich 302a, welche über Verdampfungstemperatur 532v erwärmt wird, kann wie vorangehend beschrieben optional mittels einer Modulationsstruktur 302 und/oder einer Bestrahlungsmaske 1002 definiert sein oder werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann beim Übertrag eine homogene Schicht 810a bzw. Teilschicht 810a abgeschieden werden, selbst wenn der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt 502a nicht genau zentral über der PDL-Öffnung 702o angeordnet ist. Mit anderen Worten kann dadurch eine Positionierung der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 relativ zu dem Substrat 102 fehlertoleranter sein.
Beispielsweise kann die gesamte Absorberfläche über der PDL-Öffnung 702o angeordnet sein oder werden. Die Hälfte der Differenz zwischen der Breite 1204 und/oder Querschnittsfläche 1204 der PDL-Öffnung 702o und der Breite 501 und/oder Querschnittsfläche 501 der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100, welche erwärmt wird, kann somit als Fehlpositionierung in Kauf genommen werden.
Alternativ oder zusätzlich kann die abgeschiedene Schicht 810a bzw. Teilschicht 810a eine kleinere Schichtdicke aufweisen als das Beschichtungsmaterial, welches auf der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 angeordnet ist. Somit können geringe Schichtdicken realisiert werden, ohne eine Vorbehandlung, z.B. das Aufbringen von Beschichtungsmaterial 512s auf die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100, zu verändern.
13A, 13B und 13C veranschaulichen jeweils eine Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Träger 1302 der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 (Transfer-Maske-Träger 1302) zumindest einen Teil der Modulationsstruktur 302 aufweisen oder daraus gebildet sein, wie in 13A veranschaulicht. Beispielsweise kann das transparente Material 502t des Transfer-Maske-Trägers 1302 abschnittsweise mittels der Modulationsstruktur 302 moduliert sein oder werden, z.B. in dessen Transparenzeigenschaften. Beispielsweise können sich zumindest zwei Bereiche 302a, 302b des Transfer-Maske-Trägers 1302 in zumindest einem von Folgendem unterschieden: eine Energie der Strahlung, welche durch den Transfer-Maske-Träger 1302 hindurchtritt (z.B. pro Fläche und/oder pro Zeit); einer Wellenlänge der Strahlung, welche durch den Transfer-Maske-Träger 1302 hindurchtritt; einem Spektrum der Strahlung, welche durch den Transfer-Maske-Träger 1302 hindurchtritt; und/oder einer Polarisation der Strahlung, welche durch den Transfer-Maske-Träger 1302 hindurchtritt.
Beispielsweise kann in einem Verfahren zum Herstellen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske die Modulationsstruktur zumindest teilweise in dem Transfer-Maske-Träger 1302 gebildet sein oder werden.
Alternativ oder zusätzlich kann die Modulationsstruktur 302 eine substrukturierte Schicht 1304 aufweisen oder daraus gebildet sein. Die substrukturierte Schicht 1304 kann zwischen dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a und dem Transfer-Maske-Träger 1302 angeordnet sein oder werden (Zwischenschicht), wie in 13B veranschaulicht ist, und/oder auf einer dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a gegenüberliegenden Seite des Transfer-Maske-Trägers 1302 angeordnet sein oder werden (Rückseitenschicht), wie in 13C veranschaulicht ist.
Beispielsweise kann das Verfahren zum Herstellen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske 100 aufweisen, vor dem Anordnen des zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts 502a eine substrukturierte Schicht 1304 auf dem Transfer-Maske-Träger 1302 anzuordnen (z.B. ein dünn aufgebrachtes lichtreflektierendes Material).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können sich die zwei Bereiche 302a, 302b in zumindest einem von Folgendem unterschieden: einer Schichtdicke, oder einer chemischen Zusammensetzung. Damit kann erreicht werden, dass sich die zwei Bereiche 302a, 302b in einem Reflexionsgrad, einem Absorptionsgrad, einem Absorptionskoeffizient, einem Remissionsgrad, und/oder einem Transmissionsgrad unterscheiden.
Beispielsweise können zwischen dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a und dem Transfer-Maske-Träger 1302 unterschiedlich dicke (anschaulich sehr dünne) Strahlungsreflektoren angeordnet sein oder werden. Beispielsweise kann die Zwischenschicht 1304 eine dünne Metallschicht aufweisen oder daraus gebildet sein, welche z.B. mittels Laserinterferenz substrukturiert ist oder wird. Alternativ oder zusätzlich können zwischen dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a und dem Transfer-Maske-Träger 1302 unterschiedlich dicke (sehr dünne) Strahlungsabsorber angeordnet sein oder werden. Beispielsweise kann die Zwischenschicht 1304 ein strahlungsabsorbierendes Material aufweisen oder daraus gebildet sein, welche z.B. mittels Laserinterferenz substrukturiert ist oder wird. Analog dazu kann die Rückseitenschicht eingerichtet sein oder werden.
Die Modulationsstruktur 302 kann eingerichtet sein in Antwort auf ein Bestrahlen einen Temperaturgradienten über dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt 502a zu bewirken (z.B. ein Temperaturgradienten entlang Richtung 101). Dadurch kann bei jedem Puls ein Teil des Beschichtungsmaterials 512s abdampfen, z.B. nacheinander. Damit kann auch ein automatisches „kontinuierliches“ sequentielles Abdampfen bewirkt werden. Dieser Effekt lässt sich verstärken, wenn man die Pulsdauer des Pulses vergrößert. Dies kann durch eine Anpassung der Strahlungsquelle 504 (z.B. deren Blitzlampen) und/oder der Steuerung 1416 ermöglicht werden, z.B. welche z.B. eine der Strahlungsquelle 504 zugeordnete elektrische Schaltung aufweist. Anschaulich kann die Pulsdauer größer sein als eine Transferzeit, welche das Material benötigt, um sich auf dem Substrat 102 abzuscheiden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt 502a mittels der Modulationsstruktur 302 derart eingerichtet sein, dass dieser in den zwei Bereichen 302a, 302b eine unterschiedliche Schichtdicke aufweist. Dabei kann die Schichtdicke derart bereitgestellt sein oder werden, dass der maximale Transmissionsgrad des zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitts 502a derart gering ist, dass es nicht zur übermäßigen Bestrahlung des Beschichtungsmaterials 512s und damit zur Beeinflussung des Beschichtungsmaterials 512s (z.B. Degradation) durch die Strahlung kommt.
Alternativ oder zusätzlich kann der zumindest eine strahlungsabsorbierende Abschnitt 502a mittels der Modulationsstruktur 302 derart eingerichtet sein, dass dieser in den zwei Bereichen 302a, 302b eine unterschiedliche Absorptionscharakteristik aufweist, d.h. der Absorptionsgrad, mit Strahlung einer bestimmten Wellenlängen und/oder eines bestimmten Polarisationszustands absorbiert wird. Anschaulich können Absorber mit verschiedenen wellenlängenabhängigen Absorptionsbereichen verwendet werden.
14 veranschaulicht eine Beschichtungsanordnung 1400 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Bestrahlungsvorrichtung 1420 eine beweglich gelagerte Bestrahlungsmaske 1002 aufweisen, welche zwischen der Strahlungsquelle 504 und dem Bestrahlungsbereich 105 angeordnet ist. Die Bestrahlungsmaske 1002 kann beispielsweise mittels einer Positionierungsvorrichtung 1406 beweglich gelagert sein oder werden, z.B. verschiebbar (so dass deren Lage eingestellt werden kann) und/oder drehbar (so dass deren Ausrichtung eingestellt werden kann).
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Beschichtungsanordnung 1400 eine Steuerung 1416 aufweisen, welche eingerichtet ist, eine Position (Lage und/oder Ausrichtung) der Bestrahlungsmaske 1002 relativ zu dem Bestrahlungsbereich 105 zu steuern und/oder zu regeln.
Beispielsweise kann die Steuerung 1416 eingerichtet eine Lage und/oder eine Ausrichtung der Bestrahlungsmaske 1002 zwischen zwei Pulsen des gepulsten Bestrahlens zu verändern.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Strahlungsquelle 504 zum Emittieren paralleler Strahlung eingerichtet sein. Dazu kann die Strahlungsquelle 504 einen oder mehrere Reflektoren aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann die Strahlungsquelle 504 eine oder mehrere Linsen aufweisen.
15 veranschaulicht ein Verfahren 1500 in einem schematischen Ablaufdiagram.
Das Verfahren kann in 1502 aufweisen: Anordnen eines Beschichtungsmaterials auf einem strahlungsabsorbierenden Abschnitt der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske. Ferner kann das Verfahren in 1504 aufweisen: gepulstes Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske derart, dass das Beschichtungsmaterial mittels nacheinander (sequentiell) erfolgender Pulse des gepulsten Bestrahlens verdampft wird.
16 veranschaulicht ein Verfahren 1600 in einem schematischen Ablaufdiagram.
Das Verfahren kann in 1502 aufweisen: erstes Beschichten eines ersten Flächenabschnitts des Substrats indem Beschichtungsmaterial von einem ersten Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske verdampft wird. Ferner kann das Verfahren in 1504 aufweisen: zweites Beschichten eines zweiten Flächenabschnitts des Substrats indem Beschichtungsmaterial von einem zweiten Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske verdampft wird nach dem ersten Beschichten, wobei der erste Flächenabschnitt und der zweite Flächenabschnitt einander teilweise überlappen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein sequentielles Übertragen von Beschichtungsmaterial 512s bereitgestellt, z.B. kontinuierlich oder diskret.
17 veranschaulicht ein Verfahren 1700 in einem schematischen Ablaufdiagram.
Das Verfahren kann in 1702 aufweisen: Anordnen eines Flächenabschnitts des Substrats in einem Abstand von einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske. Ferner kann das Verfahren in 1704 aufweisen: Beschichten des Flächenabschnitts des Substrats indem ein Beschichtungsmaterial von einem Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske verdampft wird, welcher eine kleinere Fläche als der Flächenabschnitt aufweist.
18 veranschaulicht ein Verfahren 1800 in einem schematischen Ablaufdiagram.
Das Verfahren kann in 1802 aufweisen: Anordnen einer Absorber-Reflektor-Struktur auf einem plattenförmigen Träger, welche zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt und zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt aufweist.
Ferner kann das Verfahren in 1804 aufweisen: Bilden einer Modulationsstruktur, welche dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt überlagert ist, so dass dieser zumindest zwei Bereiche aufweist, welche sich in einer thermischen Energie unterscheiden, die beim Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske zum Verdampfen eines Beschichtungsmaterials in dieses übertragen wird.
19 veranschaulicht ein Verfahren 1900 in einem schematischen Ablaufdiagram.
Das Verfahren kann in 1902 aufweisen: Anordnen eines Beschichtungsmaterials auf einer ersten Seite der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske. Ferner kann das Verfahren in 1904 aufweisen: Bestrahlen einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske derart, dass ein Verdampfen des Beschichtungsmaterials von einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske bewirkt wird, wobei das Verdampfen des Beschichtungsmaterials von dem zweiten Bereich beginnt, nachdem das Beschichtungsmaterial von dem ersten Bereich verdampft wurde.

Claims

Verfahren (1900) zum Transferieren eines Beschichtungsmaterials (512s) von einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100), das Verfahren aufweisend: • Anordnen eines Beschichtungsmaterials (512s) auf einer ersten Seite (302t) der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100); und • Bestrahlen einer der ersten Seite (302t) gegenüberliegenden zweiten Seite (302b) der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100) derart, dass ein Verdampfen des Beschichtungsmaterials (512s) von einem ersten Bereich (302a) und einem zweiten Bereich (302b) der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100) bewirkt wird, wobei das Verdampfen des Beschichtungsmaterials (512s) von dem zweiten Bereich (302b) beginnt, nachdem das Beschichtungsmaterial (512s) von dem ersten Bereich (302a) verdampft wurde.
Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Bestrahlen derart erfolgt, dass ein Temperaturunterschied (532t) zwischen dem ersten Bereich (302a) und dem zweiten Bereich (302b) bewirkt wird.
Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei das Bestrahlen des zweiten Bereichs (302b) nach dem Bestrahlen des ersten Bereichs (302a) erfolgt und/oder mit einer größeren Flächenenergiedichte.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei zum Bestrahlen auf die Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100) übertragene Strahlung in zumindest einem von Folgendem verändert wird: • einer räumlichen Energieverteilung; • einer zeitlichen Energieverteilung; • einer Wellenlänge; • einem Spektrum; und/oder • einer Polarisation.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Bestrahlen gepulst erfolgt.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Bestrahlen durch eine Bestrahlungsmaske (1002) hindurch erfolgt, welche eine zum Bestrahlen erzeugte Strahlung moduliert.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner aufweisend: • erstes Beschichten eines ersten Flächenabschnitts des Substrats (102) mittels des von dem ersten Bereich (302a) verdampften Beschichtungsmaterials (512s); und • zweites Beschichten eines zweiten Flächenabschnitts des Substrats (102) mittels des von dem zweiten Bereich (302b) verdampften Beschichtungsmaterials (512s), wobei der erste Flächenabschnitt und der zweite Flächenabschnitt einander teilweise überlappen.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei mit dem Beschichtungsmaterial (512s) ein Substrat (102) beschichtet wird, welches eine Pixeldefinition-Schicht (702) aufweist.
Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100), aufweisend: • einen plattenförmigen Träger (1302), welcher ein transparentes Material aufweist oder daraus gebildet ist; • eine auf dem Träger (1302) angeordnete Absorber-Reflektor-Struktur, welche zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt (502a) und zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt (502r) aufweist; • eine Modulationsstruktur (302), welche dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt (502a) überlagert ist, so dass dieser zumindest zwei Bereiche (302a, 302b) aufweist, welche sich in einer thermischen Energie, die beim Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100) zum Verdampfen eines Beschichtungsmaterials (512s) in dieses übertragen wird, unterscheiden.
Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100) gemäß Anspruch 9, wobei der strahlungsabsorbierende Abschnitt (502a) und der strahlungsreflektierende Abschnitt (502r) in zumindest einer optischen Eigenschaft unterschiedlicher voneinander sind als die zwei Bereiche (302a, 302b) voneinander.
Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100) gemäß Anspruch 9 oder 10, die Modulationsstruktur (302) zumindest eines von Folgendem aufweisend: • ein strahlungsabsorbierendes Material, • ein strahlungsreflektierendes Material, • einen strahlungsfilternden Abschnitt, welcher zum Filtern von Strahlung gemäß deren Polarisation, gemäß deren Ausbreitungsrichtung und/oder gemäß deren Wellenlänge eingerichtet ist; • ein wärmeleitfähiges Material; und/oder • ein wärmeabsorbierendes Material.
Beschichtungsanordnung aufweisend: • eine Prozessierkammer (522) mit einem Beschichtungsbereich (509); • eine Transportanordnung (514, 516), zum Transportieren eines Substrats (102) in dem und/oder durch den Beschichtungsbereich (509) hindurch; • eine Bestrahlungsvorrichtung (504, 1002) zum Emittieren von Strahlung in Richtung des Beschichtungsbereichs (509); • eine Halterung (402) zum Halten einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100) in einem Bestrahlungsbereich (105) zwischen der Bestrahlungsvorrichtung (504, 1002) und dem Beschichtungsbereich (509); • eine Steuerung (1416), welche eingerichtet ist, eine in den Bestrahlungsbereich (105) übertragene Strahlung derart zu steuern, dass ein Verdampfen des Beschichtungsmaterials (512s) von einem ersten Bereich (302a) und einem zweiten Bereich (302b) der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100) bewirkt wird, wobei das Verdampfen des Beschichtungsmaterials (512s) von dem ersten Bereich (302a) beginnt, nachdem das Beschichtungsmaterial (512s) von dem zweiten Bereich (302b) verdampft wurde.
Beschichtungsanordnung gemäß Anspruch 12, wobei die Bestrahlungsvorrichtung (504, 1002) eine beweglich gelagerte Bestrahlungsmaske (1002) aufweist, welche zum Modulieren der Strahlung eingerichtet ist, wobei die Steuerung ferner eingerichtet ist eine Position der Bestrahlungsmaske (1002) relativ zu der Halterung zu steuern.
Beschichtungsanordnung gemäß Anspruch 13, wobei die Bestrahlungsmaske (1002) zumindest eines von Folgendem aufweist: • eine oder mehrere Linsen; • eine Lochmaske; • einen Polarisationsfilter; • ein optisches Gitter; • einen Strahlungsfilter; • eine Blende; • einen Kollimator; • mehrere strahlungsleitende Fasern.
Verfahren zum Transferieren eines Beschichtungsmaterials von einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100) auf ein Substrat (102), das Verfahren aufweisend: • Anordnen eines Flächenabschnitts des Substrats (102) in einem Abstand von einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100); und • Beschichten des Flächenabschnitts des Substrats (102) indem ein Beschichtungsmaterial (512s) von einem Bereich (302a, 302b, 302c) der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100) verdampft wird, welcher eine kleinere Fläche als der Flächenabschnitt aufweist.
Verfahren gemäß Anspruch 15, wobei das Substrat (102) eine Pixeldefinition-Schicht (702) aufweist.
Verfahren zum Herstellen einer Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100), das Verfahren aufweisend: • Anordnen einer Absorber-Reflektor-Struktur auf einem plattenförmigen Träger (1302), welche zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt (502a) und zumindest einen strahlungsreflektierenden Abschnitt (502r) aufweist; • Bilden einer Modulationsstruktur (302), welche dem zumindest einen strahlungsabsorbierenden Abschnitt (502a) überlagert ist, so dass dieser zumindest zwei Bereiche (302a, 302b) aufweist, welche sich in einer thermischen Energie unterscheiden, die beim Bestrahlen der Beschichtungsmaterial-Transfer-Maske (100) zum Verdampfen eines Beschichtungsmaterials (512s) in dieses übertragen wird.
Verfahren gemäß Anspruch 15, wobei zum Bilden der Modulationsstruktur (302) ein Interferenzverfahren verwendet wird.