KR20040002587A - Reflection Inhibiting Layer and Display Device Employing the Same - Google Patents

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KR20040002587A
KR20040002587A KR1020030038961A KR20030038961A KR20040002587A KR 20040002587 A KR20040002587 A KR 20040002587A KR 1020030038961 A KR1020030038961 A KR 1020030038961A KR 20030038961 A KR20030038961 A KR 20030038961A KR 20040002587 A KR20040002587 A KR 20040002587A
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미치노리 니시까와
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제이에스알 가부시끼가이샤
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Abstract

PURPOSE: To provide an antireflection film useful to enhance heat resistance and the luminance of a display element and formed between a transparent base plate and a transparent conductive electrode, and a laminate having the antireflection film between the transparent base plate and the transparent conductive electrode and the display element having the laminate. CONSTITUTION: The antireflection film is formed between the transparent base plate and the transparent conductive electrode. Its refractive index in 633nm wavelength is set to <=1.33.

Description

반사 방지막 및 그것을 갖는 표시 소자{Reflection Inhibiting Layer and Display Device Employing the Same}Anti-reflection film and display device having the same {Reflection Inhibiting Layer and Display Device Employing the Same}

본 발명은 투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 형성된 반사 방지막, 투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 반사 방지막을 갖는 적층체 및 이 적층체를 갖는 표시 소자에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 액정 표시 소자, 전계 발광 표시 소자, 플라즈마 표시 소자, 필드 에미션 표시 소자, 전기 영동형 표시 소자 등의 표시 소자에 바람직하게 사용되는, 내열성과 표시 소자의 휘도를 높이기 위해 유용한, 투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 형성된 반사 방지막, 투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 상기 반사 방지막을 갖는 적층체 및 이 적층체를 갖는 표시 소자에 관한 것이다.The present invention relates to an antireflection film formed between a transparent substrate and a transparent conductive electrode, a laminate having an antireflection film between the transparent substrate and the transparent conductive electrode, and a display element having the laminate. More specifically, transparent, useful for increasing the heat resistance and the brightness of the display element, which is preferably used in display elements such as liquid crystal display elements, electroluminescent display elements, plasma display elements, field emission display elements, electrophoretic display elements, and the like. An antireflection film formed between a substrate and a transparent conductive electrode, a laminate having the antireflection film between a transparent substrate and a transparent conductive electrode, and a display element having the laminate.

표시 소자를 구동시키기 위한 전극 기판으로서는, 통상 유리 등의 투명 기판상에 형성된 투명 도전성 전극이 사용되고 있다. 그러나, 투명 기판과 투명 도전성 전극의 굴절률 차이에 의해 광원으로부터의 광의 일부가 반사되어, 표시 소자의 휘도가 저하되어 버리는 문제가 있었다.As an electrode substrate for driving a display element, the transparent conductive electrode formed on transparent substrates, such as glass, is used normally. However, a part of the light from a light source is reflected by the refractive index difference of a transparent substrate and a transparent conductive electrode, and the brightness of a display element fell.

이 문제에 대하여, 예를 들면 [MRS Fall Meeting Proceedings, Vol.660,JJ5.19(2000)] 등에 있어서, 투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 저굴절률의 투명층을 설치하면 반사광을 감소시킬 수 있고, 화면 휘도 향상에 유효하다는 취지의 제안이 이루어져 있다.For this problem, for example, in [MRS Fall Meeting Proceedings, Vol. 660, JJ 5.19 (2000)], if a low refractive index transparent layer is provided between a transparent substrate and a transparent conductive electrode, the reflected light can be reduced, Proposals have been made to be effective for improving screen brightness.

그러나, 저굴절률층의 형성 재료로서 통상 알려져 있는 (메트)아크릴계 중합체나 불소 함유 유기 중합체 등을 상기한 저굴절률층으로서 사용하면, 투명 도전성 전극의 형성 공정 및 표시 소자 제조 공정 등에서의 실용적인 내열성이 떨어져 표시 소자에 적용하기가 곤란하였다.However, when a (meth) acrylic polymer, a fluorine-containing organic polymer, or the like, which is commonly known as a material for forming the low refractive index layer, is used as the low refractive index layer described above, practical heat resistance in the formation process of the transparent conductive electrode and the display element manufacturing process is poor. It was difficult to apply to a display element.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 그 목적은 각종 표시 소자의 휘도를 향상시키기 위해 사용하는 데 적합한, 투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 형성되는 저굴절률 및 내열성이 우수한 반사 방지막, 투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 상기 반사 방지막을 갖는 적층체 및 이 적층체를 구비하는 표시 소자를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is an antireflection film and a transparent substrate having excellent low refractive index and heat resistance formed between a transparent substrate and a transparent conductive electrode, which are suitable for use to improve the brightness of various display elements. It is providing the laminated body which has the said antireflection film between a transparent conductive electrode, and a display element provided with this laminated body.

본 발명의 다른 목적 및 이점은, 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다.Other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description.

본 발명에 따르면, 본 발명의 상기 목적 및 이점은, 첫째로 투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 형성된 반사 방지막으로서, 파장 633 nm에서의 굴절률이 1.33 이하인 것을 특징으로 하는 반사 방지막에 의해 달성된다.According to the present invention, the above objects and advantages of the present invention are firstly achieved by an antireflection film, wherein the antireflection film formed between the transparent substrate and the transparent conductive electrode has a refractive index of 1.33 or less at a wavelength of 633 nm.

본 발명에 따르면, 본 발명의 상기 목적 및 이점은, 둘째로 투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 상기 반사 방지막을 갖는 적층체에 의해 달성된다.According to the present invention, the above objects and advantages of the present invention are secondly achieved by a laminate having the antireflection film between the transparent substrate and the transparent conductive electrode.

또한, 본 발명에 따르면, 본 발명의 상기 목적 및 이점은, 세째로 상기 적층체를 구비하는 표시 소자에 의해 달성된다.Moreover, according to this invention, the said objective and advantage of this invention are 3rd achieved by the display element provided with the said laminated body.

이하, 본 발명의 반사 방지막에 대하여 상술한다.Hereinafter, the antireflection film of the present invention will be described in detail.

본 발명의 반사 방지막은, 투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 형성된 반사 방지막으로서, 파장 633 nm에서의 굴절률이 1.33 이하인 것을 특징으로 한다. 파장 633 nm에서의 굴절률은 1.30 이하인 것이 바람직하고, 1.28 이하인 것이 더욱 바람직하다.The antireflection film of the present invention is an antireflection film formed between a transparent substrate and a transparent conductive electrode, and has a refractive index of 1.33 or less at a wavelength of 633 nm. It is preferable that it is 1.30 or less, and, as for the refractive index in wavelength 633 nm, it is more preferable that it is 1.28 or less.

또한, 본 발명의 반사 방지막은 표시 소자 제조 공정에서의 가열에 견딜 수 있는 실용적인 내열성을 갖는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the antireflection film of this invention has practical heat resistance which can endure the heating in a display element manufacturing process.

내열성은 예를 들면, 350 ℃, 질소하에서 5시간 가열하여 가열 전후의 막두께 변화율, 즉 가열전 막두께에 대한 가열 후 막두께의 비율로 평가할 수 있다. 본 발명의 반사 방지막은, 이 변화율값의 절대치가 5 % 이하인 것이 바람직하고, 3 % 이하인 것이 더욱 바람직하며, 2 % 이하인 것이 특히 바람직하다.The heat resistance can be evaluated by, for example, heating at 350 ° C. under nitrogen for 5 hours by the rate of change of the film thickness before and after heating, that is, the ratio of the film thickness after heating to the film thickness before heating. It is preferable that the absolute value of this change rate value is 5% or less, It is more preferable that it is 3% or less, It is especially preferable that the antireflection film of this invention is 2% or less.

본 발명의 반사 방지막은 상기와 같은 굴절률과 내열성을 갖는 것이면, 그 원료나 형성법이 상관없지만, 예를 들면 하기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물의 가수분해/축합 생성물을 함유하는 것일 수 있다.As long as the antireflection film of the present invention has the above refractive index and heat resistance, the raw material and the formation method may be used, but for example, the valence of at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (1) to (3) It may contain a decomposition / condensation product.

RaSi(OR1)4-a R a Si (OR 1 ) 4-a

식 중, R은 수소 원자, 불소 원자 또는 1가의 유기기이고, R1은 1가의 유기기이며, 또한 a는 1 또는 2이다.In the formula, R is a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, R 1 is a monovalent organic group, and a is 1 or 2.

Si(OR2)4 Si (OR 2 ) 4

식 중, R2는 1가의 유기기를 나타낸다.In the formula, R 2 represents a monovalent organic group.

R3 b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6 c R 3 b (R 4 O) 3-b Si- (R 7 ) d -Si (OR 5 ) 3-c R 6 c

식 중, R3내지 R6은 동일하거나 또는 상이하며 각각 1가의 유기기를 나타내고, R7은 산소 원자, 페닐렌기 또는 -(CH2)n-으로 표시되는 기(여기서, n은 1 내지 6의 정수임)를 나타내며, b 및 c는 동일하거나 또는 상이하며 0 내지 2의 정수이고, d는 0 또는 1이다.In the formula, R 3 to R 6 are the same or different and each represents a monovalent organic group, and R 7 is an oxygen atom, a phenylene group or a group represented by-(CH 2 ) n- , where n is 1 to 6 B and c are the same or different and are integers from 0 to 2, and d is 0 or 1.

상기 화학식 1에서의 R 및 R1의 1가의 유기기로서는, 예를 들면 알킬기, 아릴기, 알릴기, 글리시딜기 등을 들 수 있다.As the monovalent organic group for R and R 1 in the general formula (1) above, for example, an alkyl group, an aryl group, an allyl group, a glycidyl group or the like.

상기 화학식 1에서의 R은 1가의 유기기인 것이 바람직하며, 알킬기 또는 페닐기인 것이 더욱 바람직하다.R in the formula (1) is preferably a monovalent organic group, more preferably an alkyl group or a phenyl group.

여기서, 알킬기는 바람직하게는 탄소수 1 내지 5를 갖는다. 이들은 쇄상일수도 있고, 분지되어 있을 수도 있다. 바람직한 알킬기의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등을 들 수 있다. 또한, 이들 기에 포함되는 수소 원자가 불소 원자 등으로 치환될 수도 있다.Here, the alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms. These may be chained or may be branched. As a specific example of a preferable alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, etc. are mentioned. In addition, the hydrogen atom contained in these groups may be substituted by the fluorine atom or the like.

상기 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 나프틸기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, 클로로페닐기, 브로모페닐기, 플루오로페닐기 등을 들 수 있다.As said aryl group, a phenyl group, a naphthyl group, a methylphenyl group, an ethylphenyl group, a chlorophenyl group, a bromophenyl group, a fluorophenyl group etc. are mentioned, for example.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 구체예로서는, 트리메톡시실란, 트리에톡시실란, 플루오로트리메톡시실란, 플루오로트리에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, n-프로필트리-n-프로폭시실란, n-프로필트리-iso-프로폭시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-트리플루오로프로필트리메톡시실란, γ-트리플루오로프로필트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디메틸-디-n-프로폭시실란, 디에틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐-디-에톡시실란, 디비닐디메톡시실란, 디비닐디에톡시실란 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by the formula (1) include trimethoxysilane, triethoxysilane, fluorotrimethoxysilane, fluorotriethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane and ethyltrimethoxysilane , Ethyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, n-propyltri-n-propoxysilane, n-propyltree -iso-propoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ- Glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-trifluoropropyltrimethoxysilane, γ-trifluoropropyltriethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyl-di-n-propoxysilane , Diethyldimethoxysilane, diethyldie And the like diethoxysilane, divinyl dimethoxysilane, divinyl diethoxysilane - sisilran, diphenyl dimethoxysilane, diphenyl.

이들 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 바람직한 것으로서는, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란을 들 수 있다.Preferred among these compounds represented by the formula (1) include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, and phenyl Trimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane and diethyldiethoxysilane.

상기 화학식 2에 있어서, R2로 표시되는 1가의 유기기로서는, 상기 화학식 1에서의 1가의 유기기의 구체예와 동일한 기를 들 수 있다.In the formula (2), examples of the monovalent organic group represented by R 2 include the same groups as the specific examples of the monovalent organic group in the formula (1).

상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 구체예로서는, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라-iso-프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 테트라-sec-부톡시실란, 테트라-tert-부톡시실란, 테트라페녹시실란 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by the formula (2) include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-iso-propoxysilane, tetra-n-butoxysilane and tetra-sec-part. Oxysilane, tetra-tert-butoxysilane, tetraphenoxysilane, etc. are mentioned.

이들 중에서 테트라메톡시실란 및 테트라에톡시실란이 바람직하다.Among these, tetramethoxysilane and tetraethoxysilane are preferable.

상기 화학식 3에 있어서, R3내지 R6으로 표시되는 1가의 유기기로서는, 상기 화학식 1에서의 1가의 유기기의 구체예와 동일한 기를 들 수 있다.In the formula (3), examples of the monovalent organic group represented by R 3 to R 6 include the same groups as the specific examples of the monovalent organic group in the formula (1).

상기 화학식 3 중, R7이 산소 원자인 화합물로서는, 예를 들면 헥사메톡시디실록산, 헥사에톡시디실록산, 1,1,3,3-테트라메톡시-1,3-디메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라에톡시-1,3-디메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라메톡시-1,3-디에틸디실록산, 1,1,3,3-테트라에톡시-1,3-디에틸디실록산, 1,1,3,3-테트라메톡시-1,3-디페닐디실록산, 1,1,3,3-테트라에톡시-1,3-디페닐디실록산, 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디에톡시-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라에틸디실록산, 1,3-디에톡시-1,1,3,3-테트라에틸디실록산 등을 들 수 있다.In said Formula (3), as a compound whose R <7> is an oxygen atom, for example, hexamethoxy disiloxane, hexaethoxy disiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1, 1,3,3-tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy -1,3-diethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-diphenyldi Siloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1 , 1,3,3-tetraethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxane, and the like.

이들 중에서 헥사메톡시디실록산, 헥사에톡시디실록산, 1,1,3,3-테트라메톡시-1,3-디메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라에톡시-1,3-디메틸디실록산, 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디에톡시-1,1,3,3-테트라메틸디실록산을 바람직한 예로서 들 수 있다.Among them, hexamethoxy disiloxane, hexaethoxy disiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-dimethyl Disiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane are mentioned as a preferable example.

또한, 상기 화학식 3에 있어서, d가 0인 화합물로서는, 예를 들면 헥사메톡시디실란, 헥사에톡시디실란, 1,1,2,2-테트라메톡시-1,2-디메틸디실란, 1,1,2,2-테트라에톡시-1,2-디메틸디실란, 1,1,2,2-테트라메톡시-1,2-디에틸디실란, 1,1,2,2-테트라에톡시-1,2-디에틸디실란 등을 들 수 있다.In addition, in the said Formula (3), as a compound whose d is 0, for example, hexamethoxy disilane, hexaethoxy disilane, 1,1,2,2- tetramethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1 , 1,2,2-tetraethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,2-diethyldisilane, 1,1,2,2-tetra Oxy-1,2-diethyldisilane, etc. are mentioned.

또한, 상기 화학식 3에 있어서, R7이 -(CH2)n-인 화합물로서는, 예를 들면 비스(트리메톡시실릴)메탄, 비스(트리에톡시실릴)메탄, 1,2-비스(트리메톡시실릴)에탄, 1,2-비스(트리에톡시실릴)에탄, 비스(디메톡시메틸실릴)메탄, 비스(디에톡시메틸실릴)메탄 등을 들 수 있다.In the above Formula 3, R 7 is - (CH 2) n - in compounds include, for example, bis (trimethoxysilyl) methane, bis (triethoxysilyl) methane, 1,2-bis (tri Methoxy silyl) ethane, 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, bis (dimethoxymethylsilyl) methane, bis (diethoxymethylsilyl) methane and the like.

본 발명에 있어서, 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.In the present invention, the compounds represented by the above formulas (1) to (3) may be used alone or in combination of two or more.

본 발명에서 사용되는, 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상의 화합물의 가수분해/축합 생성물에 대하여, "가수분해"란 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상의 화합물에 포함되는 R1O-기, R2O-기, R4O-기 또는 R5O-기가 물과 반응하여 실라놀기를 생성하는 반응을 말한다. 이 때, 모든 R1O-기, R2O-기, R4O-기 또는 R5O-기가 가수분해될 필요는 없으며, 그 일부분만이 가수분해될 수도 있고, 또는 가수분해되는 정도가 다른 것들의 혼합물일 수도 있다.For hydrolysis / condensation products of one or more compounds selected from the compounds represented by Formulas 1 to 3 used in the present invention, "hydrolysis" is one selected from the compounds represented by Formulas 1 to 3 above. The R 1 O-group, R 2 O-group, R 4 O-group, or R 5 O-group included in the above compound is a reaction that reacts with water to generate a silanol group. At this time, not all R 1 O-groups, R 2 O-groups, R 4 O-groups, or R 5 O-groups need to be hydrolyzed, and only a part thereof may be hydrolyzed, or the degree of hydrolysis. It may be a mixture of others.

또한, "축합"이란, 상기 "가수분해"에서 생성된 실라놀기들이 축합 반응하여 Si-O-Si 결합을 생성하는 것을 말한다. 이 때, 모든 실라놀기가 축합될 필요는 없으며, 그 중 일부만이 축합된 것이나, 축합 정도가 다른 것들의 혼합물 등을 포함한 개념으로서 이해해야 한다.In addition, "condensation" means that the silanol groups produced in the "hydrolysis" condensation reaction to generate a Si-O-Si bond. At this time, not all silanol groups need to be condensed, and only a part of them should be understood as a concept including a mixture of condensed substances or mixtures of different condensation degrees.

이러한 가수분해 반응, 축합 반응을 행하는 조건은 특별히 제한되지 않지만, 일례로서 하기 공정에 의해 실시할 수 있다.Although the conditions which perform such a hydrolysis reaction and a condensation reaction are not specifically limited, As an example, it can carry out by the following process.

즉, 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물을 적당한 용매에 용해하고, 물을 첨가함으로써 가수분해 반응 및 축합 반응을 실시할 수 있다.That is, the hydrolysis reaction and the condensation reaction can be performed by dissolving at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the above formulas (1) to (3) in a suitable solvent and adding water.

이 때, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 사용량은, 완전 가수분해되어 생성된 가수분해/축합 생성물로 환산한 비율로서, 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물의 총량에 대하여 5 내지 75 중량%인 것이 바람직하고, 10 내지 70 중량%인 것이 더욱 바람직하며, 15 내지 70 중량%인 것이 특히 바람직하다. 이러한 사용량으로 함으로써, 얻어지는 반사 방지막은 탄성률이 우수해진다.At this time, the amount of the compound represented by the formula (2) is 5 to 75% by weight based on the total amount of the compound represented by each of the formulas (1) to (3) as a ratio converted to the hydrolysis / condensation product produced by complete hydrolysis. It is preferable that it is%, It is more preferable that it is 10-70 weight%, It is especially preferable that it is 15-70 weight%. By setting it as such a usage amount, the antireflective film obtained becomes excellent in an elasticity modulus.

여기서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 원료로 하는 것이 바람직하다. 이것은, 반사 방지막의 성능 자체에는 그다지 영향을 미치지는 않지만, 후술하는 반사 방지막 형성용 조성물의 보존 안정성면에서 요청되는 것이다.Here, it is preferable to use the compound represented by the said Formula (1) and the compound represented by the said Formula (2) as a raw material. Although this does not affect the performance itself of an antireflection film very much, it is requested | required in terms of storage stability of the composition for antireflection film formation mentioned later.

또한, "완전 가수분해되어 생성된 가수분해/축합 생성물로 환산"이란, 상기화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 각 화합물 중의 모든 R1O-기, R2O-기, R4O-기 및 R5O-기가 100 % 가수분해되어 실라놀기가 되고, 또한 완전히 축합되어 실록산 구조가 된 것으로 환산한 중량을 의미한다.In addition, the "conversion into the hydrolysis / condensation product produced by the complete hydrolysis" means all the R 1 O-groups, R 2 O-groups, and R 4 O-groups in each compound represented by Formulas 1 to 3 above. And the weight in terms of R 5 O- group hydrolyzed to 100% to become a silanol group and to be completely condensed to a siloxane structure.

가수분해 반응, 축합 반응을 실시할 때에는, 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물 중의 알콕실기 1 몰에 대하여 0.8 내지 20 몰의 물을 사용하는 것이 바람직하며, 0.8 내지 15 몰의 물을 첨가하는 것이 특히 바람직하다. 첨가하는 수량이 0.8 몰 미만이면 반사 방지막의 균열 내성이 떨어지고, 20 몰을 초과하면 반사 방지막의 표면 균일성이 떨어지는 경우가 있다.When performing a hydrolysis reaction or a condensation reaction, it is preferable to use 0.8-20 mol of water with respect to 1 mol of alkoxyl groups in 1 or more types of compounds chosen from the group which consists of a compound represented by each of the said Formulas 1-3. It is particularly preferred to add 0.8 to 15 moles of water. If the amount of water to be added is less than 0.8 mol, the crack resistance of the antireflection film is inferior, and if it exceeds 20 mol, the surface uniformity of the antireflection film is inferior.

가수분해 반응, 축합 반응을 실시할 때의 온도는 0 내지 100 ℃가 바람직하고, 15 내지 80 ℃가 보다 바람직하다. 반응 시간은 10분 내지 20시간이 바람직하고, 30분 내지 15시간이 보다 바람직하며, 30분 내지 10시간이 더욱 바람직하다.0-100 degreeC is preferable and, as for the temperature at the time of performing a hydrolysis reaction and a condensation reaction, 15-80 degreeC is more preferable. The reaction time is preferably 10 minutes to 20 hours, more preferably 30 minutes to 15 hours, further preferably 30 minutes to 10 hours.

가수분해 반응, 축합 반응을 실시할 때 사용할 수 있는 용매로서는, 예를 들면 알코올 용매, 케톤 용매, 아미드 용매, 에스테르 용매 및 비양성자성 극성 용매의 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.As a solvent which can be used when performing a hydrolysis reaction and a condensation reaction, 1 or more types chosen from the group of an alcohol solvent, a ketone solvent, an amide solvent, an ester solvent, and an aprotic polar solvent is mentioned, for example.

이들 중에서 알코올 용매, 에스테르 용매가 바람직하다.Of these, alcohol solvents and ester solvents are preferable.

상기 알코올 용매로서는, 예를 들면 메탄올, 에탄올, n-프로판올, i-프로판올, n-부탄올, i-부탄올, sec-부탄올, t-부탄올, n-펜탄올, i-펜탄올, 2-메틸부탄올, sec-펜탄올, t-펜탄올, 3-메톡시부탄올, n-헥산올, 2-메틸펜탄올, sec-헥산올,2-에틸부탄올, sec-헵탄올, 헵탄올-3, n-옥탄올, 2-에틸헥산올, sec-옥탄올, n-노닐알코올, 2,6-디메틸헵탄올-4, n-데칸올, sec-운데실알코올, 트리메틸노닐알코올, sec-테트라데실알코올, sec-헵타데실알코올, 페놀, 시클로헥산올, 메틸시클로헥산올, 3,3,5-트리메틸시클로헥산올, 벤질알코올, 디아세톤알코올과 같은 모노알코올 용매;Examples of the alcohol solvent include methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-pentanol, i-pentanol, and 2-methylbutanol. , sec-pentanol, t-pentanol, 3-methoxybutanol, n-hexanol, 2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-ethylbutanol, sec-heptanol, heptanol-3, n- Octanol, 2-ethylhexanol, sec-octanol, n-nonyl alcohol, 2,6-dimethylheptanol-4, n-decanol, sec-undecyl alcohol, trimethylnonyl alcohol, sec- tetradecyl alcohol, monoalcohol solvents such as sec-heptadecyl alcohol, phenol, cyclohexanol, methylcyclohexanol, 3,3,5-trimethylcyclohexanol, benzyl alcohol, diacetone alcohol;

에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 펜탄디올-2,4, 2-메틸펜탄디올-2,4, 헥산디올-2,5, 헵탄디올-2,4, 2-에틸헥산디올-1,3, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 트리프로필렌글리콜과 같은 다가 알코올 용매;Ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-butylene glycol, pentanediol-2,4, 2-methylpentanediol-2,4, hexanediol-2,5, heptanediol-2,4, 2 Polyhydric alcohol solvents such as ethylhexanediol-1,3, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol;

에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노헥실에테르, 에틸렌글리콜 모노페닐에테르, 에틸렌글리콜 모노-2-에틸부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노헥실에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노프로필에테르와 같은 다가 알코올의 부분 에테르 용매 등을 들 수 있다.Ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol mono-2-ethylbutyl ether, diethylene glycol mono Methyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene And partial ether solvents of polyhydric alcohols such as glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, and dipropylene glycol monopropyl ether.

이들 알코올 용매 중 메탄올, 에탄올, n-프로판올, i-프로판올, n-부탄올, i-부탄올, sec-부탄올, t-부탄올, n-펜탄올, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노프로필에테르가 바람직하게 사용된다.Methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-pentanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene in these alcohol solvents Glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether , Propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether is preferably used.

이들 알코올 용매는 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These alcohol solvents can also be used together 1 type (s) or 2 or more types.

상기 케톤 용매로서는, 예를 들면 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸-i-부틸케톤, 메틸-n-펜틸케톤, 에틸-n-부틸케톤, 메틸-n-헥실케톤, 디-i-부틸케톤, 트리메틸노나논, 시클로헥사논, 2-헥사논, 메틸시클로헥사논, 2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤, 아세토페논, 펜콘 등 외에, 아세틸아세톤, 2,4-헥산디온, 2,4-헵탄디온, 3,5-헵탄디온, 2,4-옥탄디온, 3,5-옥탄디온, 2,4-노난디온, 3,5-노난디온, 5-메틸-2,4-헥산디온, 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디온, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-헵탄디온 등의 β-디케톤류 등을 들 수 있다.As said ketone solvent, acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-i-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone, ethyl-n- Butyl ketone, methyl-n-hexyl ketone, di-i-butyl ketone, trimethylnonanone, cyclohexanone, 2-hexanone, methylcyclohexanone, 2,4-pentanedione, acetonyl acetone, acetophenone, fencone In addition to acetylacetone, 2,4-hexanedione, 2,4-heptanedione, 3,5-heptanedione, 2,4-octanedione, 3,5-octanedione, 2,4-nonanedione, 3, 5-nonanedione, 5-methyl-2,4-hexanedione, 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione, 1,1,1,5,5,5-hexafluoro- (Beta) -diketones, such as 2, 4- heptanedione, etc. are mentioned.

이들 케톤 용매 중 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸-i-부틸케톤, 메틸-n-펜틸케톤, 시클로헥사논이 바람직하게 사용된다.Of these ketone solvents, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-i-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone and cyclohexanone are preferably used.

이들 케톤 용매는 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These ketone solvents may be used alone or in combination of two or more.

상기 아미드 용매로서는, 예를 들면 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-에틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N-메틸프로피온아미드, N-메틸피롤리돈, N-포르밀모르폴린, N-포르밀피페리딘, N-포르밀피롤리딘, N-아세틸모르폴린, N-아세틸피페리딘, N-아세틸피롤리딘 등을 들 수 있다.As said amide solvent, for example, formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-ethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N , N-dimethylacetamide, N-ethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone, N-formylmorpholine, N-formylpiperidine, N -Formylpyrrolidine, N-acetylmorpholine, N-acetylpiperidine, N-acetylpyrrolidine and the like.

이들 아미드 용매 중 N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드가 바람직하게 사용된다.Of these amide solvents, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide is preferably used.

이들 아미드 용매는 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These amide solvents can also be used together 1 type (s) or 2 or more types.

상기 에스테르 용매로서는, 예를 들면 디에틸카르보네이트, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 탄산 디에틸, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, 아세트산 n-프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 아세트산 sec-부틸, 아세트산 n-펜틸, 아세트산 sec-펜틸, 아세트산 3-메톡시부틸, 아세트산 메틸펜틸, 아세트산 2-에틸부틸, 아세트산 2-에틸헥실, 아세트산 벤질, 아세트산 시클로헥실, 아세트산 메틸시클로헥실, 아세트산 n-노닐, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 아세트산 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 아세트산 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디아세트산 글리콜, 아세트산 메톡시트리글리콜, 프로피온산 에틸, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산 i-아밀, 옥살산 디에틸, 옥살산 디-n-부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 n-부틸, 락트산 n-아밀, 말론산 디에틸, 프탈산 디메틸, 프탈산 디에틸 등을 들 수 있다.As said ester solvent, for example, diethyl carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate, diethyl carbonate, methyl acetate, ethyl acetate, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, n-propyl acetate, i-acetic acid Propyl, n-butyl acetate, i-butyl acetate, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methylpentyl acetate, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, Benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methylcyclohexyl acetate, n-nonyl acetate, methyl acetoacetic acid, ethyl acetoacetic acid, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene acetate Glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, propylene glycol acetate Nomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, acetate dipropylene glycol monomethyl ether, acetate dipropylene glycol monoethyl ether, diacetic acid glycol, methoxytriglycol acetate , Ethyl propionate, n-butyl propionate, i-amyl propionate, diethyl oxalate, di-n-butyl oxalate, methyl lactate, ethyl lactate, n-butyl lactate, n-amyl lactate, diethyl malonate, dimethyl phthalate, phthalic acid Diethyl and the like.

이들 에스테르 용매 중, 예를 들면 γ-부티로락톤, 아세트산 에틸, 아세트산 n-부틸, 아세트산 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 아세트산 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르가 바람직하게 사용된다.Of these ester solvents, for example, γ-butyrolactone, ethyl acetate, n-butyl acetate, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, diethylene acetate monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl acetate Ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, acetic acid Dipropylene glycol monoethyl ether is preferably used.

이들 에스테르 용매는 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These ester solvents may be used alone or in combination of two or more.

상기 비양성자성 극성 용매로서는, 예를 들면 아세토니트릴, 디메틸술폭시드, N,N,N',N'-테트라에틸술파미드, 헥사메틸인산 트리아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디메틸테트라히드로-2(1H)-피리미디논 등을 들 수 있다.As said aprotic polar solvent, for example, acetonitrile, dimethyl sulfoxide, N, N, N ', N'-tetraethylsulfamide, hexamethyl phosphate triamide, N-methyl-2-pyrrolidone, 1 , 3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-dimethyltetrahydro-2 (1H) -pyrimidinone, and the like.

이들 비양성자성 극성 용매 중 N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논이 바람직하게 사용된다.Of these aprotic polar solvents, N-methyl-2-pyrrolidone and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone are preferably used.

이들 비양성자성 극성 용매는 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These aprotic polar solvents may be used alone or in combination of two or more.

가수분해 반응, 축합 반응을 실시할 때의 용매의 사용량은, 사용하는 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물의 합계량 100 중량부에 대하여 200 내지 5,000 중량부가 바람직하고, 300 내지 4,000 중량부가 보다 바람직하며, 400 내지 3,000 중량부가 더욱 바람직하다. 이 사용량에 있어서, 도막의 도포 균일성이 우수한 가수분해/축합 생성물을 얻을 수 있다.As for the usage-amount of the solvent at the time of performing a hydrolysis reaction and a condensation reaction, 200-5,000 weight part is preferable with respect to 100 weight part of total amounts of the compound represented by each of the said General formulas 1-3, 300-4,000 weight part more Preferably, 400-3,000 weight part is more preferable. In this amount of use, a hydrolysis / condensation product excellent in coating uniformity of the coating film can be obtained.

본 발명에 있어서, (A) 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물의 가수분해 반응 및 축합 반응을 행할 때, 촉매의 존재하에서 반응을 실시하는 것이 바람직하다.In the present invention, (A) when performing a hydrolysis reaction and a condensation reaction of at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the above formulas (1) to (3), the reaction is preferably performed in the presence of a catalyst. Do.

이 때 사용할 수 있는 촉매로서는, 알칼리 촉매가 바람직하다.As a catalyst which can be used at this time, an alkali catalyst is preferable.

이러한 알칼리 촉매로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화리튬과 같은 무기 알칼리 화합물;As such an alkali catalyst, For example, inorganic alkali compounds, such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide;

피리딘, 피롤, 피콜린, N-메틸피롤, N-에틸피롤, N-메틸이미다졸과 같은 질소 함유 방향족 화합물;Nitrogen-containing aromatic compounds such as pyridine, pyrrole, picoline, N-methylpyrrole, N-ethylpyrrole and N-methylimidazole;

모노에탄올아민, 디에탄올아민, 디메틸모노에탄올아민, 모노메틸디에탄올아민, 트리에탄올아민과 같은 아미노알코올 화합물;Aminoalcohol compounds such as monoethanolamine, diethanolamine, dimethyl monoethanolamine, monomethyl diethanolamine and triethanolamine;

디아자비시클로옥탄, 디아자비시클로노난, 디아자비시클로운데센과 같은 질소 함유 축합환 구조를 갖는 화합물;Compounds having a nitrogen-containing condensed ring structure such as diazabicyclooctane, diazabicyclononane, diazabicycloundecene;

테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라프로필암모늄히드록시드, 테트라부틸암모늄히드록시드와 같은 알킬암모늄염;Alkylammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide;

피페라진, 피롤리딘, 피페리딘, N-메틸모르폴린, N-메틸-Δ3-피롤린, N-메틸피페리딘, N-에틸피페리딘, N,N-디메틸피페라진, N-메틸-4-피페리돈, N-메틸-2-피페리돈과 같은 환상 아민 화합물;Piperazine, pyrrolidine, piperidine, N-methylmorpholine, N-methyl-Δ 3 -pyrroline, N-methylpiperidine, N-ethylpiperidine, N, N-dimethylpiperazine, N Cyclic amine compounds such as -methyl-4-piperidone and N-methyl-2-piperidone;

메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, 부틸아민과 같은 알킬아민;Alkylamines such as methylamine, ethylamine, propylamine, butylamine;

N,N-디메틸아민, N,N-디에틸아민, N,N-디프로필아민과 같은 디알킬아민;Dialkylamines such as N, N-dimethylamine, N, N-diethylamine, N, N-dipropylamine;

트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민과 같은 트리알킬아민;Trialkylamines such as trimethylamine, triethylamine, tripropylamine;

테트라에틸암모늄히드록시드와 같은 테트라알킬암모늄히드록시드;Tetraalkylammonium hydroxides such as tetraethylammonium hydroxide;

및 암모니아 등을 들 수 있다.And ammonia.

이들 알칼리 촉매 중 알킬암모늄염, 모노알킬아민, 디알킬아민, 트리알킬아민, 테트라알킬암모늄히드록시드 및 암모니아가 바람직하며, 특히 바람직한 것으로서 모노알킬아민, 디알킬아민, 트리알킬아민, 테트라알킬암모늄히드록시드 및 암모니아를 들 수 있다. 이러한 알칼리 촉매를 사용하여 가수분해 반응, 축합 반응을 실시하여 얻어진 본 발명의 반사 방지막은, 기판으로의 밀착성이 우수해진다.Of these alkali catalysts, alkylammonium salts, monoalkylamines, dialkylamines, trialkylamines, tetraalkylammonium hydroxides and ammonia are preferred, and monoalkylamines, dialkylamines, trialkylamines, tetraalkylammonium hydroxides are particularly preferred. Roxides and ammonia. The antireflection film of this invention obtained by performing a hydrolysis reaction and a condensation reaction using such an alkali catalyst becomes excellent in adhesiveness to a board | substrate.

이들 알칼리 촉매는 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These alkali catalysts may be used alone or in combination of two or more.

이러한 알칼리 촉매의 사용량으로서는, 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물 중의 R1O-기, R2O-기, R4O-기 및 R5O-기로 표시되는 기의 총량 1 몰에 대하여 10 몰 이하가 바람직하고, 0.00001 내지 10 몰이 보다 바람직하며, 0.00005 내지 5 몰이 더욱 바람직하다. 알칼리 촉매의 사용량이 상기 범위내라면, 반응 중의 중합체의 석출 및 겔화의 우려가 적다.As the usage-amount of such an alkali catalyst, 1 mole of the total amount of groups represented by R <1> O- group, R <2> O- group, R <4> O- group, and R <5> O- group in the compound represented by each of the above formulas (1) to (3) 10 mol or less is preferable, 0.00001-10 mol is more preferable, and 0.00005-5 mol is more preferable. If the usage-amount of an alkali catalyst is in the said range, there exists little possibility of precipitation and gelation of the polymer in reaction.

또한, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 알칼리 촉매 외의 다른 촉매를 병용할 수 있다.Moreover, other catalysts other than an alkali catalyst can be used together in the range which does not impair the effect of this invention.

이러한 다른 촉매로서는, 예를 들면 금속 킬레이트 화합물 및 산촉매를 들 수 있다.As such another catalyst, a metal chelate compound and an acid catalyst are mentioned, for example.

상기 금속 킬레이트 화합물로서는, 예를 들면 트리에톡시ㆍ모노(아세틸아세토네이토)티탄, 트리-n-프로폭시ㆍ모노(아세틸아세토네이토)티탄, 트리-i-프로폭시ㆍ모노(아세틸아세토네이토)티탄, 디에톡시ㆍ비스(아세틸아세토네이토)티탄, 디- n-프로폭시ㆍ비스(아세틸아세토네이토)티탄, 디-i-프로폭시ㆍ비스(아세틸아세토네이토)티탄, 모노에톡시ㆍ트리스(아세틸아세토네이토)티탄, 모노-n-프로폭시ㆍ트리스(아세틸아세토네이토)티탄, 모노-i-프로폭시ㆍ트리스(아세틸아세토네이토)티탄, 테트라키스(아세틸아세토네이토)티탄, 트리에톡시ㆍ모노(에틸아세토아세테이트)티탄, 트리-n-프로폭시ㆍ모노(에틸아세토아세테이트)티탄, 트리-i-프로폭시ㆍ모노(에틸아세토아세테이트)티탄, 디에톡시ㆍ비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 디-n-프로폭시ㆍ비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 디-i-프로폭시ㆍ비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노에톡시ㆍ트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노-n-프로폭시ㆍ트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노-i-프로폭시ㆍ트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 테트라키스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노(아세틸아세토네이토)트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 비스(아세틸아세토네이토)비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 트리스(아세틸아세토네이토)모노(에틸아세토아세테이트)티탄과 같은 티탄 킬레이트 화합물;Examples of the metal chelate compound include triethoxy mono (acetylacetonato) titanium, tri-n-propoxy mono (acetylacetonato) titanium and tri-i-propoxy mono (acetylacetonate). Earth) titanium, diethoxy bis (acetylacetonato) titanium, di-n-propoxy bis (acetylacetonato) titanium, di-i-propoxy bis (acetylacetonato) titanium, mono Toxy tris (acetylacetonato) titanium, mono-n-propoxy tris (acetylacetonato) titanium, mono-i-propoxy tris (acetylacetonato) titanium, tetrakis (acetylacetonato) Titanium, triethoxy mono (ethylacetoacetate) titanium, tri-n-propoxy mono (ethylacetoacetate) titanium, tri-i-propoxy mono (ethylacetoacetate) titanium, diethoxy bis ( Ethyl acetoacetate) titanium, di-n-propoxy bis (ethyl Setoacetate) titanium, di-i-propoxy bis (ethylacetoacetate) titanium, monoethoxy tris (ethylacetoacetate) titanium, mono-n-propoxy tris (ethylacetoacetate) titanium, mono-i Propoxy-tris (ethylacetoacetate) titanium, tetrakis (ethylacetoacetate) titanium, mono (acetylacetonate) tris (ethylacetoacetate) titanium, bis (acetylacetonate) bis (ethylacetoacetate) titanium Titanium chelate compounds such as tris (acetylacetonato) mono (ethylacetoacetate) titanium;

트리에톡시ㆍ모노(아세틸아세토네이토)지르코늄, 트리-n-프로폭시ㆍ모노(아세틸아세토네이토)지르코늄, 트리-i-프로폭시ㆍ모노(아세틸아세토네이토)지르코늄, 디에톡시ㆍ비스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 디-n-프로폭시ㆍ비스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 디-i-프로폭시ㆍ비스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 모노에톡시ㆍ트리스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 모노-n-프로폭시ㆍ트리스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 모노-i-프로폭시ㆍ트리스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 테트라키스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 트리에톡시ㆍ모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 트리-n-프로폭시ㆍ모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 트리-i-프로폭시ㆍ모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 디에톡시ㆍ비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 디-n-프로폭시ㆍ비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 디-i-프로폭시ㆍ비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노에톡시ㆍ트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노-n-프로폭시ㆍ트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노-i-프로폭시ㆍ트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 테트라키스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노(아세틸아세토네이토)트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 비스(아세틸아세토네이토)비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 트리스(아세틸아세토네이토)모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄과 같은 지르코늄 킬레이트 화합물;Triethoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-n-propoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-i-propoxy mono (acetylacetonato) zirconium, diethoxy bis ( Acetylacetonato) zirconium, di-n-propoxy bis (acetylacetonato) zirconium, di-i-propoxy bis (acetylacetonato) zirconium, monoethoxy tris (acetylacetonato) Zirconium, mono-n-propoxy tris (acetylacetonato) zirconium, mono-i-propoxy tris (acetylacetonato) zirconium, tetrakis (acetylacetonato) zirconium, triethoxy mono ( Ethylacetoacetate) zirconium, tri-n-propoxymono (ethylacetoacetate) zirconium, tri-i-propoxymono (ethylacetoacetate) zirconium, diethoxy bis (ethylacetoacetate) zirconium, di-n -Pro Ci-bis (ethylacetoacetate) zirconium, di-i-propoxy bis (ethylacetoacetate) zirconium, monoethoxy tris (ethylacetoacetate) zirconium, mono-n-propoxy tris (ethylacetoacetate) Zirconium, mono-i-propoxy tris (ethylacetoacetate) zirconium, tetrakis (ethylacetoacetate) zirconium, mono (acetylacetonate) tris (ethylacetoacetate) zirconium, bis (acetylacetonato) bis Zirconium chelate compounds such as ethylacetoacetate) zirconium and tris (acetylacetonato) mono (ethylacetoacetate) zirconium;

트리스(아세틸아세토네이토)알루미늄, 트리스(에틸아세토아세테이트)알루미늄 등의 알루미늄 킬레이트 화합물 등을 들 수 있으며, 이들 중에서 바람직하게는 티탄 또는 알루미늄의 킬레이트 화합물, 특히 바람직하게는 티탄의 킬레이트 화합물을 들 수 있다.Aluminum chelate compounds such as tris (acetylacetonato) aluminum and tris (ethylacetoacetate) aluminum, and the like, and among these, preferably chelate compounds of titanium or aluminum, particularly preferably chelate compounds of titanium have.

이들 금속 킬레이트 화합물은 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These metal chelate compounds may be used alone or in combination of two or more thereof.

상기 산촉매로서는, 예를 들면 염산, 질산, 황산, 인산, 붕산과 같은 무기산;Examples of the acid catalyst include inorganic acids such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, and boric acid;

아세트산, 프로피온산, 부탄산, 펜탄산, 옥살산, 말레산, 메틸말론산, 부티르산, 벤조산, p-아미노벤조산, p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산, 모노클로로아세트산, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 포름산, 말론산, 술폰산, 프탈산, 푸마르산, 시트르산, 타르타르산, 숙신산, 푸마르산, 이타콘산, 메사콘산, 시트라콘산, 말산, 글루타르산의 가수분해물, 무수 말레산의 가수분해물, 무수 프탈산의 가수분해물 등의 유기산을 들 수 있다. 이들 중에서 유기산이 보다 바람직하다.Acetic acid, propionic acid, butanoic acid, pentanic acid, oxalic acid, maleic acid, methylmalonic acid, butyric acid, benzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, monochloroacetic acid, dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, formic acid, mal Organic acids such as lonic acid, sulfonic acid, phthalic acid, fumaric acid, citric acid, tartaric acid, succinic acid, fumaric acid, itaconic acid, mesaconic acid, citraconic acid, malic acid, hydrolysates of glutaric acid, hydrolysates of maleic anhydride and hydrolysates of phthalic anhydride Can be mentioned. Among these, organic acids are more preferable.

이들 산촉매는 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These acid catalysts may be used alone or in combination of two or more.

이러한 알칼리 촉매 외의 다른 촉매를 병용할 때, 그 사용량은 알칼리 촉매 100 중량부에 대하여 50 중량부 이하가 바람직하고, 30 중량부 이하가 보다 바람직하다.When using other catalysts other than such an alkali catalyst together, 50 weight part or less is preferable with respect to 100 weight part of alkali catalysts, and 30 weight part or less is more preferable.

본 발명의 반사 방지막은, 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물의 가수분해/축합 생성물을 함유하는 것이며, 또한 이 가수분해 반응, 축합 반응은 상기한 바와 같이 알칼리 촉매의 존재하에서 행해지는 것이 바람직하다.The antireflection film of the present invention contains a hydrolysis / condensation product of at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the above formulas (1) to (3). It is preferable to carry out in the presence of an alkali catalyst as described above.

그러나, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 알칼리 촉매 외의 다른 촉매를 사용하여 얻어진 가수분해/축합 생성물을, 상기 알칼리 촉매의 존재하에서 얻어진 가수분해/축합 생성물과 혼합하여 사용하는 것도 유효하다.However, it is also effective to mix and use a hydrolysis / condensation product obtained using a catalyst other than an alkali catalyst in the range which does not impair the effect of this invention with the hydrolysis / condensation product obtained in the presence of the said alkali catalyst.

여기서 사용할 수 있는 알칼리 촉매 외의 다른 촉매로서는, 상술한 알칼리 촉매와 병용할 수 있는, 다른 촉매로서 예시한 금속 킬레이트 화합물 및 산촉매를 들 수 있다.As catalysts other than the alkali catalyst which can be used here, the metal chelate compound and acid catalyst which were illustrated as another catalyst which can be used together with the above-mentioned alkali catalyst are mentioned.

이들 촉매를 사용하여 가수분해 반응, 축합 반응을 행할 때의 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물의 사용 비율의 바람직한 범위 및 사용할 수 있는 용매는, 상술한 알칼리 촉매의 존재하에서의 반응 경우와 동일하다.Preferred ranges of the use ratio of the compound represented by each of the formulas (1) to (3) and the solvents that can be used when performing a hydrolysis reaction or a condensation reaction using these catalysts are the same as in the case of the reaction in the presence of the alkali catalyst described above. Do.

또한, 이들 촉매의 바람직한 사용량은, 상술한 알칼리 촉매의 바람직한 사용량과 동일하다.In addition, the preferable usage-amount of these catalysts is the same as the preferable usage-amount of the alkali catalyst mentioned above.

알칼리 촉매 외의 다른 촉매를 사용하여 얻어진 가수분해/축합 생성물을, 상기 알칼리 촉매의 존재하에서 얻어진 가수분해/축합 생성물과 혼합하여 사용하는 경우, 그 사용량은 가수분해/축합 생성물의 총량에 대하여 30 중량% 이하가 바람직하고, 20 중량% 이하가 보다 바람직하다. 이 값이 30 중량%를 초과하면, 도막의 굴절률이 소정의 값보다 커지는 경우가 있어, 소기의 효과를 발휘하지 못하는 경우가 있다.In the case of using a hydrolysis / condensation product obtained by using a catalyst other than the alkali catalyst with the hydrolysis / condensation product obtained in the presence of the alkali catalyst, the amount of use thereof is 30% by weight based on the total amount of the hydrolysis / condensation product. The following is preferable and 20 weight% or less is more preferable. When this value exceeds 30 weight%, the refractive index of a coating film may become larger than a predetermined value, and a desired effect may not be exhibited.

본 발명의 반사 방지막은, 상기한 바와 같이 투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 형성된 반사 방지막으로서, 파장 633 nm에서의 굴절률이 1.33 이하이다.The antireflection film of the present invention is an antireflection film formed between the transparent substrate and the transparent conductive electrode as described above, and has a refractive index of 1.33 or less at a wavelength of 633 nm.

또한, 본 발명의 반사 방지막은 상기와 같은 굴절률과 실용적인 내열성을 갖는 것이면, 그 원료나 형성법은 상관없지만, 예를 들면 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하는 것일 수 있다.In addition, as long as the anti-reflection film of the present invention has the above refractive index and practical heat resistance, the raw material and the formation method may be used, but for example, at least one member selected from the group consisting of compounds represented by the above formulas (1) to (3). It may be to contain.

이어서, 그러한 본 발명의 반사 방지막의 형성 방법에 대하여 설명한다.Next, the formation method of the anti-reflective film of this invention is demonstrated.

본 발명의 반사 방지막의 형성 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 이하와 같은 공정을 순차 실시하는 방법에 따를 수 있다.Although the formation method of the anti-reflective film of this invention is not specifically limited, For example, it can follow the method of performing the following processes sequentially.

① 상기 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물의 가수분해/축합 생성물 및 용매를 함유하는 반사 방지막 형성용 조성물을 준비하는 공정.(1) preparing a composition for forming an antireflection film containing a hydrolysis / condensation product and a solvent of at least one compound selected from the group consisting of the above compounds.

② 상기 반사 방지막 형성용 조성물을 투명 기판상에 도포하는 공정.② Process of apply | coating the said anti-reflective film formation composition on a transparent substrate.

③ 용매를 제거하는 공정.③ process of removing solvent.

또한, 필요에 따라 가열하는 공정을 부가할 수도 있다. 또한, 이 가열 공정은 공정 ③ 후에 행할 수도 있고, 공정 ③과 동시에 행할 수도 있다.Moreover, you may add the process of heating as needed. In addition, this heating process may be performed after process (3), and may be performed simultaneously with process (3).

또한, 목적에 따라, 상기 ③ 용매 제거 후에 전자선이나 자외선을 조사할 수도 있다.Moreover, depending on the objective, an electron beam or an ultraviolet-ray can also be irradiated after said (3) solvent removal.

상기 반사 방지막 형성용 조성물은, 상기 화학식 1, 2 및 3의 각각으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 가수분해/축합 생성물 및 용매를 함유한다. 또한, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 다른 성분을 함유할 수도 있다.The antireflection film-forming composition contains at least one hydrolysis / condensation product and a solvent selected from the group consisting of compounds represented by the formulas (1), (2) and (3). Moreover, you may contain another component in the range which does not impair the effect of this invention.

이러한 다른 성분으로서는 콜로이드상 실리카, 콜로이드상 알루미나, 유기 중합체, 계면활성제, 실란 커플링제 등을 들 수 있다.Examples of such other components include colloidal silica, colloidal alumina, organic polymers, surfactants, silane coupling agents, and the like.

상기 콜로이드상 실리카 또는 콜로이드상 알루미나는 반사 방지막의 경도를 향상시키기 위해 첨가할 수 있다.The colloidal silica or colloidal alumina may be added to improve the hardness of the antireflection film.

콜로이드상 실리카란, 예를 들면 고순도의 무수 규산을 상기 친수성 유기 용매에 분산시킨 분산액이며, 바람직하게는 평균 입경이 5 내지 30 ㎛, 보다 바람직하게는 10 내지 20 ㎛, 고형분 농도가 약 10 내지 40 중량%인 것이다. 이러한 콜로이드상 실리카로서는, 예를 들면 닛산 가가꾸 고교(주) 제조의 메탄올 실리카졸 및 이소프로판올 실리카졸; 쇼꾸바이 가세이 고교(주) 제조, 오스칼 등을 들 수 있다.Colloidal silica is, for example, a dispersion in which high purity silicic anhydride is dispersed in the hydrophilic organic solvent, preferably an average particle diameter of 5 to 30 µm, more preferably 10 to 20 µm, and a solid content concentration of about 10 to 40. It is weight%. As such colloidal silica, For example, Nissan Chemical Industries, Ltd. methanol silica sol and isopropanol silica sol; The Shokubai Kasei Kogyo Co., Ltd. make, Oscal etc. are mentioned.

콜로이드상 알루미나로서는, 닛산 가가꾸 고교(주) 제조의 알루미나졸 520, 100, 200; 가와껭 파인 케미컬(주) 제조의 알루미나 클리어졸, 알루미나졸 10, 132 등을 들 수 있다.As colloidal alumina, Nissan Chemical Industries, Ltd. alumina sol 520, 100, 200; Alumina clear sol, Alumina sol 10, 132 by Kawaken Fine Chemical Co., Ltd. is mentioned.

유기 중합체로서는, 예를 들면 당쇄(糖鎖) 구조를 갖는 화합물, 비닐아미드계 중합체, (메트)아크릴계 중합체, 방향족 비닐 화합물, 덴드리머, 폴리이미드, 폴리아미드산, 폴리아릴렌, 폴리아미드, 폴리퀴녹살린, 폴리옥사디아졸, 불소계 중합체, 폴리알킬렌옥시드 구조를 갖는 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the organic polymer include a compound having a sugar chain structure, a vinylamide polymer, a (meth) acrylic polymer, an aromatic vinyl compound, a dendrimer, a polyimide, a polyamic acid, a polyarylene, a polyamide, and a polyquinol. Saline, a polyoxadiazole, a fluoropolymer, the compound which has a polyalkylene oxide structure, etc. are mentioned.

이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

콜로이드상 실리카 및 콜로이드상 알루미나의 사용량은, 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물의 총량(완전 가수분해/축합 생성물 환산) 100 중량부에 대하여 20 중량부 이하가 바람직하고, 0.1 내지 20 중량부가 보다 바람직하다.The amount of the colloidal silica and the colloidal alumina is preferably 20 parts by weight or less, more preferably 0.1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount (in terms of complete hydrolysis / condensation product) of the compounds represented by Formulas 1 to 3, respectively. Addition is more preferable.

상기 유기 중합체는, 얻어지는 반사 방지막의 굴절률을 조정하기 위해 첨가할 수 있다. 이러한 유기 중합체로서는, 폴리알킬렌옥시드 구조를 갖는 화합물, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 블럭 공중합체 등을 들 수 있다.The said organic polymer can be added in order to adjust the refractive index of the antireflection film obtained. As such an organic polymer, the compound, polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer, etc. which have a polyalkylene oxide structure are mentioned.

상기 폴리알킬렌옥시드 구조를 갖는 화합물로서는 폴리메틸렌옥시드 구조를 갖는 화합물, 폴리에틸렌옥시드 구조를 갖는 화합물, 폴리프로필렌옥시드 구조를 갖는 화합물, 폴리테트라메틸렌옥시드 구조를 갖는 화합물, 폴리부틸렌옥시드 구조를 갖는 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the compound having a polyalkylene oxide structure include a compound having a polymethylene oxide structure, a compound having a polyethylene oxide structure, a compound having a polypropylene oxide structure, a compound having a polytetramethylene oxide structure, and a polybutylene oxide The compound which has a structure, etc. are mentioned.

폴리메틸렌옥시드 구조를 갖는 화합물로서는 분자량 500 내지 100,000의 폴리메틸렌옥시드;Examples of the compound having a polymethylene oxide structure include polymethylene oxide having a molecular weight of 500 to 100,000;

폴리에틸렌옥시드 구조를 갖는 화합물로서는 분자량 500 내지 100,000의 폴리에틸렌옥시드;Examples of the compound having a polyethylene oxide structure include polyethylene oxide having a molecular weight of 500 to 100,000;

폴리프로필렌옥시드 구조를 갖는 화합물로서는 분자량 500 내지 100,000의 폴리프로필렌옥시드;Examples of the compound having a polypropylene oxide structure include polypropylene oxide having a molecular weight of 500 to 100,000;

폴리테트라메틸렌옥시드 구조를 갖는 화합물로서는 분자량 500 내지 100,000의 폴리테트라메틸렌옥시드;Examples of the compound having a polytetramethylene oxide structure include polytetramethylene oxide having a molecular weight of 500 to 100,000;

폴리부틸렌옥시드 구조를 갖는 화합물로서는 분자량 500 내지 100,000의 폴리부틸렌옥시드를 들 수 있다.Examples of the compound having a polybutylene oxide structure include polybutylene oxide having a molecular weight of 500 to 100,000.

상기 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 블럭 공중합체로서는 하기와 같은 블럭 구조를 갖는 화합물을 들 수 있다.As said polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer, the compound which has the following block structure is mentioned.

-(A)j-(B)k--(A) j- (B) k-

-(A)j-(B)k-(A)l--(A) j- (B) k- (A) l-

식 중, A는 -CH2CH2O-로 표시되는 기, B는 -CH2CH(CH3)O-로 표시되는 기를 나타내고, j는 1 내지 90, k는 10 내지 99, l은 0 내지 90의 수를 나타낸다.Wherein, A is -CH 2 CH 2 group represented by O-, B represents a group represented by -CH 2 CH (CH 3) O- , j is 1 to 90, k is 10 to 99, l is 0 To 90.

이들 중에서 폴리에틸렌옥시드 구조를 갖는 화합물, 폴리프로필렌옥시드 구조를 갖는 화합물, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 블럭 공중합체를 바람직한 예로서 들 수 있다.In these, the compound which has a polyethylene oxide structure, the compound which has a polypropylene oxide structure, and a polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer are mentioned as a preferable example.

이들은 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These can also use together 1 type (s) or 2 or more types.

유기 중합체의 사용량은, 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물의 총량(완전 가수분해/축합 생성물 환산) 100 중량부에 대하여 30 중량부 이하가 바람직하고, 0.1 내지 30 중량부가 보다 바람직하다.The use amount of the organic polymer is preferably 30 parts by weight or less, more preferably 0.1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount (in terms of complete hydrolysis / condensation product) of the compounds represented by the formulas (1) to (3).

상기 계면활성제는, 투명 기판상에 반사 방지막 형성용 조성물을 도포할 때의 도포성을 향상시키기 위해 첨가할 수 있다.The said surfactant can be added in order to improve the applicability | paintability at the time of apply | coating the composition for antireflection film formation on a transparent substrate.

이러한 계면활성제로서는, 예를 들면 비이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 양쪽성 계면활성제, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 폴리알킬렌옥시드계 계면활성제, 폴리(메트)아크릴레이트계 계면활성제등을 들 수 있다. 이들 중에서 불소계 계면활성제 및 실리콘계 계면활성제가 바람직하다.Examples of such surfactants include nonionic surfactants, anionic surfactants, cationic surfactants, amphoteric surfactants, fluorine surfactants, silicone surfactants, polyalkylene oxide surfactants, and poly (meth) acrylates. And rate surfactants. Of these, fluorine-based surfactants and silicone-based surfactants are preferable.

상기 불소계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 메가팩 F142D, F172, F173, F183(이상, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주) 제조), 에프톱 EF301, 303, 352(신아끼다 가세이(주) 제조), 플로우라이드 FC-430, FC-431(스미또모 쓰리엠(주) 제조), 아사히가드 AG710, 서프론 S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106(아사히 가라스(주) 제조), BM-1000, BM-1100(유쇼(주) 제조), NBX-15((주)네오스) 등의 명칭으로 시판되고 있는 불소계 계면활성제를 들 수 있다. 이들 중에서도 메가팩 F172, BM-1000, BM-1100, NBX-15가 특히 바람직하다.As a commercial item of the said fluorine-type surfactant, Megapack F142D, F172, F173, F183 (above, Dai Nippon Ink Chemical Co., Ltd. make), FTOP EF301, 303, 352 (made by Shin-Kaida Kasei Co., Ltd. product) ), Flowride FC-430, FC-431 (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), Asahi Guard AG710, Supron S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105 Fluorine-type surfactant marketed by names, such as SC-106 (made by Asahi Glass Co., Ltd.), BM-1000, BM-1100 (made by Yusho Co., Ltd.), and NBX-15 (neos Co., Ltd.) are mentioned. Can be. Among these, megapack F172, BM-1000, BM-1100, and NBX-15 are especially preferable.

또한, 상기 실리콘계 계면활성제로서는, 예를 들면 SH7PA, SH21PA, SH30PA, ST94PA(모두 도레이ㆍ다우코닝ㆍ실리콘(주) 제조) 등을 사용할 수 있다.Moreover, as said silicone type surfactant, SH7PA, SH21PA, SH30PA, ST94PA (all are the Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd. product) etc. can be used, for example.

이들은 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These can also use together 1 type (s) or 2 or more types.

이러한 계면활성제의 사용량은, 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물의 총량(완전 가수분해/축합 생성물 환산) 100 중량부에 대하여 10 중량부 이하가 바람직하고, 0.0001 내지 10 중량부가 보다 바람직하다.The amount of the surfactant used is preferably 10 parts by weight or less, more preferably 0.0001 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount (in terms of complete hydrolysis / condensation product) of the compounds represented by Formulas 1 to 3. .

상기 실란 커플링제는, 본 발명의 반사 방지막과 투명 기판과의 밀착성을 향상시킬 목적으로 첨가할 수 있다.The said silane coupling agent can be added in order to improve the adhesiveness of the anti-reflection film of this invention and a transparent substrate.

이러한 실란 커플링제로서는, 예를 들면 3-글리시딜옥시프로필 트리메톡시실란, 3-아미노글리시딜옥시프로필 트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필메틸 디메톡시실란, 1-메타크릴옥시프로필메틸 디메톡시실란, 3-아미노프로필 트리메톡시실란, 3-아미노프로필 트리에톡시실란, 2-아미노프로필 트리메톡시실란, 2-아미노프로필 트리에톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필 트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸 디메톡시실란, 3-우레이도프로필 트리메톡시실란, 3-우레이도프로필 트리에톡시실란, N-에톡시카르보닐-3-아미노프로필 트리메톡시실란, N-에톡시카르보닐-3-아미노프로필 트리에톡시실란, N-트리에톡시실릴프로필 트리에틸렌트리아민, N-트리에톡시실릴프로필 트리에틸렌트리아민, 10-트리메톡시실릴-1,4,7-트리아자데칸, 10-트리에톡시실릴-1,4,7-트리아자데칸, 9-트리메톡시실릴-3,6-디아자노닐아세테이트, 9-트리에톡시실릴-3,6-디아자노닐아세테이트 등을 들 수 있다.Examples of such silane coupling agents include 3-glycidyloxypropyl trimethoxysilane, 3-aminoglycidyloxypropyl triethoxysilane, 3-methacryloxypropyl trimethoxysilane, and 3-glycidyl. Oxypropylmethyl dimethoxysilane, 1-methacryloxypropylmethyl dimethoxysilane, 3-aminopropyl trimethoxysilane, 3-aminopropyl triethoxysilane, 2-aminopropyl trimethoxysilane, 2-aminopropyl tri Ethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyl trimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyl dimethoxysilane, 3-ureidopropyl trimethoxysilane, 3-ureidopropyl triethoxysilane, N-ethoxycarbonyl-3-aminopropyl trimethoxysilane, N-ethoxycarbonyl-3-aminopropyl triethoxysilane, N-triethoxysilylpropyl tri Ethylenetriamine, N-triethoxysilylpropyl triethylenetriamine, 1 0-trimethoxysilyl-1,4,7-triadecane, 10-triethoxysilyl-1,4,7-triadecane, 9-trimethoxysilyl-3,6-diazanyl acetate, 9-triethoxysilyl-3, 6-diazanyl acetate, etc. are mentioned.

이들은 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These can also use together 1 type (s) or 2 or more types.

실란 커플링제의 사용량은, 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물의 총량(완전 가수분해/축합 생성물 환산) 100 중량부에 대하여 10 중량부 이하가 바람직하고, 0.1 내지 10 중량부가 보다 바람직하다.The amount of the silane coupling agent used is preferably 10 parts by weight or less, more preferably 0.1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total amount (in terms of complete hydrolysis / condensation product) of the compounds represented by the formulas (1) to (3). .

상기 반사 방지막 형성용 조성물이 함유할 수 있는 용매로서는, 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물 및 임의적으로 첨가되는 다른 첨가제를 균일하게 용해 또는 분산시킨 것이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면 알코올 용매, 케톤 용매, 아미드 용매, 에스테르 용매 및 비양성자성 극성 용매의 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.The solvent which may be contained in the antireflection film-forming composition is not particularly limited as long as the compound represented by each of Chemical Formulas 1 to 3 and other additives optionally added are uniformly dissolved or dispersed. For example, 1 or more types chosen from the group of alcohol solvent, a ketone solvent, an amide solvent, an ester solvent, and an aprotic polar solvent are mentioned.

상기 알코올 용매로서는, 예를 들면 n-부탄올, i-부탄올, sec-부탄올, t-부탄올, n-펜탄올, i-펜탄올, 2-메틸부탄올, 3-메톡시부탄올, 2,6-디메틸헵탄올-4, 시클로헥산올, 메틸시클로헥산올, 3,3,5-트리메틸시클로헥산올, 벤질알코올, 디아세톤알코올과 같은 모노알코올;As the alcohol solvent, for example, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-pentanol, i-pentanol, 2-methylbutanol, 3-methoxybutanol, 2,6-dimethyl Monoalcohols such as heptanol-4, cyclohexanol, methylcyclohexanol, 3,3,5-trimethylcyclohexanol, benzyl alcohol, diacetone alcohol;

에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 펜탄디올-2,4, 2-메틸펜탄디올-2,4, 헥산디올-2,5, 헵탄디올-2,4, 2-에틸헥산디올-1,3, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 트리프로필렌글리콜과 같은 다가 알코올;Ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-butylene glycol, pentanediol-2,4, 2-methylpentanediol-2,4, hexanediol-2,5, heptanediol-2,4, 2 Polyhydric alcohols such as ethylhexanediol-1,3, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol;

에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노헥실에테르, 에틸렌글리콜 모노페닐에테르, 에틸렌글리콜 모노-2-에틸부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노헥실에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노프로필에테르와 같은 다가 알코올의 부분 에테르화 용매 등을 들 수 있다.Ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol mono-2-ethylbutyl ether, diethylene glycol mono Methyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene And partial etherification solvents of polyhydric alcohols such as glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, and dipropylene glycol monopropyl ether.

상기 케톤 용매로서는, 예를 들면 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸-i-부틸케톤, 메틸-n-펜틸케톤, 에틸-n-부틸케톤, 메틸-n-헥실케톤, 디-i-부틸케톤, 트리메틸노나논, 시클로헥사논, 2-헥사논, 메틸시클로헥사논, 2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤, 아세토페논, 펜콘 등 외에, 아세틸아세톤, 2,4-헥산디온, 2,4-헵탄디온, 3,5-헵탄디온, 2,4-옥탄디온, 3,5-옥탄디온, 2,4-노난디온, 3,5-노난디온, 5-메틸-2,4-헥산디온, 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디온, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-헵탄디온 등의 β-디케톤 등을 들 수 있다.Examples of the ketone solvents include methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-i-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone and ethyl-n-butyl ketone , Methyl-n-hexyl ketone, di-i-butyl ketone, trimethylnonanone, cyclohexanone, 2-hexanone, methylcyclohexanone, 2,4-pentanedione, acetonylacetone, acetophenone, phencone, etc. , Acetylacetone, 2,4-hexanedione, 2,4-heptanedione, 3,5-heptanedione, 2,4-octanedione, 3,5-octanedione, 2,4-nonanedione, 3,5- Nonanedione, 5-methyl-2,4-hexanedione, 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione, 1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2, (Beta) -diketones, such as 4-heptanedione, etc. are mentioned.

이들 케톤 용매는 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These ketone solvents may be used alone or in combination of two or more.

상기 아미드 용매로서는, 예를 들면 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-에틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N-메틸프로피온아미드, N-메틸피롤리돈, N-포르밀모르폴린, N-포르밀피페리딘, N-포르밀피롤리딘, N-아세틸모르폴린, N-아세틸피페리딘, N-아세틸피롤리딘 등을 들 수 있다.As said amide solvent, for example, formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-ethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N , N-dimethylacetamide, N-ethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone, N-formylmorpholine, N-formylpiperidine, N -Formylpyrrolidine, N-acetylmorpholine, N-acetylpiperidine, N-acetylpyrrolidine and the like.

이들 아미드 용매는 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These amide solvents can also be used together 1 type (s) or 2 or more types.

상기 에스테르 용매로서는, 예를 들면 디에틸카르보네이트, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 탄산 디에틸, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, 아세트산 n-프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 아세트산 sec-부틸, 아세트산 n-펜틸, 아세트산 sec-펜틸, 아세트산 3-메톡시부틸, 아세트산 메틸펜틸, 아세트산 2-에틸부틸, 아세트산 2-에틸헥실, 아세트산 벤질, 아세트산 시클로헥실, 아세트산 메틸시클로헥실, 아세트산 n-노닐, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 아세트산 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 아세트산 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디아세트산 글리콜, 아세트산 메톡시트리글리콜, 프로피온산 에틸, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산 i-아밀, 옥살산 디에틸, 옥살산 디-n-부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 n-부틸, 락트산 n-아밀, 말론산 디에틸, 프탈산 디메틸, 프탈산 디에틸 등을 들 수 있다.As said ester solvent, for example, diethyl carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate, diethyl carbonate, methyl acetate, ethyl acetate, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, n-propyl acetate, i-acetic acid Propyl, n-butyl acetate, i-butyl acetate, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methylpentyl acetate, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, Benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methylcyclohexyl acetate, n-nonyl acetate, methyl acetoacetic acid, ethyl acetoacetic acid, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene acetate Glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, propylene glycol acetate Nomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, acetate dipropylene glycol monomethyl ether, acetate dipropylene glycol monoethyl ether, diacetic acid glycol, methoxytriglycol acetate , Ethyl propionate, n-butyl propionate, i-amyl propionate, diethyl oxalate, di-n-butyl oxalate, methyl lactate, ethyl lactate, n-butyl lactate, n-amyl lactate, diethyl malonate, dimethyl phthalate, phthalic acid Diethyl and the like.

이들 에스테르 용매는 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These ester solvents may be used alone or in combination of two or more.

상기 비양성자성 극성 용매로서는, 예를 들면 아세토니트릴, 디메틸술폭시드, N,N,N',N'-테트라에틸술파미드, 헥사메틸인산 트리아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디메틸테트라히드로-2(1H)-피리미디논 등을 들 수 있다.As said aprotic polar solvent, for example, acetonitrile, dimethyl sulfoxide, N, N, N ', N'-tetraethylsulfamide, hexamethyl phosphate triamide, N-methyl-2-pyrrolidone, 1 , 3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-dimethyltetrahydro-2 (1H) -pyrimidinone, and the like.

이들 용제는 1종 또는 2종 이상을 함께 사용할 수도 있다.These solvents can also use together 1 type (s) or 2 or more types.

상기 용매의 사용량은, 반사 방지막 형성용 조성물 총량 중의 용매 이외의 성분의 총 함유량이 바람직하게 1 내지 30 중량%, 보다 바람직하게는 2 내지 25 중량%가 되는 양으로 사용할 수 있다.The amount of the solvent used may be used in an amount such that the total content of components other than the solvent in the total amount of the antireflective film-forming composition is preferably 1 to 30% by weight, more preferably 2 to 25% by weight.

용매로서는, 상술한 가수분해 반응, 축합 반응에서 용매를 사용했을 경우, 그 용매를 그대로 반사 방지막 형성용 조성물의 용매로서 사용할 수도 있으며, 통상 행해지는 방법에 의해 상기 용매로 치환할 수도 있다. 또한, 양쪽의 혼합물일 수도 있다.As a solvent, when a solvent is used in the above-mentioned hydrolysis reaction and condensation reaction, the solvent can also be used as it is as a solvent of the composition for antireflection film formation, and can also be substituted by the said solvent by the method normally performed. It may also be a mixture of both.

또한, 반사 방지막 형성용 조성물 중에 비점 100 ℃ 이하의 알코올이 20 중량%를 초과하여 존재하면, 도막의 도포 균일성면에서 문제가 생기는 경우가 있기 때문에, 그 함량이 바람직하게는 20 중량% 이하, 특히 5 중량% 이하가 되도록 증류 등에 의해 제거하는 것이 바람직하다. 비점 100 ℃ 이하의 알코올은 상술한 가수분해 반응, 축합 반응시에 생기는 경우가 있다.In addition, when the alcohol having a boiling point of 100 ° C. or less is present in the composition for forming an antireflection film in excess of 20% by weight, problems may arise in terms of coating uniformity of the coating film, and therefore the content thereof is preferably 20% by weight or less, particularly It is preferable to remove by distillation etc. so that it may become 5 weight% or less. Alcohol below boiling point 100 degreeC may arise at the time of the hydrolysis reaction and condensation reaction mentioned above.

또한, 상기와 같이 하여 얻어진 조성물은, 직경이 0.05 내지 5 ㎛ 정도의 테플론(등록 상표)제, 폴리에틸렌제, 폴리프로필렌제 등의 필터로 여과함으로써 조성물 중의 이물질을 제거할 수 있고, 양호한 도막을 얻을 수 있다.Moreover, the composition obtained as mentioned above can remove the foreign material in a composition by filtering with a filter made from Teflon (trademark) agent, polyethylene agent, polypropylene, etc. which are about 0.05-5 micrometers in diameter, and can obtain a favorable coating film. Can be.

이어서, 상기한 반사 방지막 형성용 조성물을 투명 기판상에 도포한다.Next, the above-described antireflection film-forming composition is applied onto the transparent substrate.

여기서 사용할 수 있는 투명 기판으로서는, 유리 외에 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 방향족 폴리아미드, 폴리이미드아미드, 폴리에테르술폰, 환상 올레핀의 개환 중합체 및 그의 수소 첨가물 등의 수지 기판을 들 수 있다.As a transparent substrate which can be used here, besides glass, resin substrates, such as a polycarbonate, polyester, aromatic polyamide, polyimide amide, polyether sulfone, the ring-opening polymer of cyclic olefin, and its hydrogenated substance, are mentioned.

이들 기판에는 목적에 따라, 실란 커플링제 등에 의한 약품 처리, 플라즈마 처리, 이온 플레이팅, 스퍼터링, 기상 반응법, 진공 증착 등의 적절한 처리를 행할 수도 있다.Depending on the purpose, these substrates may be subjected to appropriate treatments such as chemical treatment, plasma treatment, ion plating, sputtering, vapor phase reaction, vacuum deposition, and the like.

도포할 때에는, 예를 들면 스핀 코팅법, 침지법, 롤 코팅법, 스프레이법, 바 도포법 등의 적절한 도장 수단을 이용할 수 있다.In coating, for example, suitable coating means such as spin coating, dipping, roll coating, spraying, bar coating, or the like can be used.

이 때의 도포막 두께는, 용매 제거 후의 막두께로서 0.005 내지 2 ㎛ 정도로 하는 것이 바람직하다. 또한, 두꺼운 막두께를 원할 때에는 도포 공정을 복수회 반복하여 후막화하는 것도 가능하다. 이 때, 2회 도포에서는 0.01 내지 4 ㎛ 정도, 3회 도포에서는 0.015 내지 6 ㎛ 정도의 도막을 형성할 수도 있다.It is preferable that the coating film thickness at this time is about 0.005-2 micrometers as a film thickness after solvent removal. In addition, when a thick film thickness is desired, it is also possible to repeat the application | coating process several times and thicken it. At this time, the coating film of about 0.01-4 micrometers in 2 coatings and about 0.015-6 micrometers in 3 coatings may be formed.

이어서, 용매를 제거한다. 용매 제거 공정은, 상온에서 소정 시간 정치하는 등의 적당한 방법으로 실시할 수 있는 것 외에, 후술하는 가열 공정으로 용매 제거 공정을 대체할 수도 있다.The solvent is then removed. The solvent removal step can be carried out by a suitable method such as being allowed to stand at room temperature for a predetermined time, and can also replace the solvent removal step by a heating step described later.

가열 공정은 필요에 따라 임의적으로 실시할 수 있다.The heating step can be optionally performed as necessary.

가열 공정은 바람직하게는 80 내지 400 ℃, 보다 바람직하게는 100 내지 350 ℃의 온도에서, 바람직하게는 2 내지 240분간, 보다 바람직하게는 5 내지 120분간 가열함으로써 행할 수 있다.The heating step is preferably carried out by heating at a temperature of 80 to 400 ° C, more preferably 100 to 350 ° C, preferably 2 to 240 minutes, more preferably 5 to 120 minutes.

가열 방법으로서는, 예를 들면 핫 플레이트, 오븐, 퍼니스 등을 이용할 수 있으며, 가열시의 분위기로서는 공기중, 질소 분위기하, 아르곤 분위기하, 진공하, 저산소 농도 분위기하 등의 조건하에서 행할 수 있다.As the heating method, for example, a hot plate, an oven, a furnace, or the like can be used, and the heating can be performed under conditions such as air, nitrogen, argon, vacuum, or low oxygen concentration.

이러한 가열 처리를 실시함으로써, 본 발명의 반사 방지막은 보다 견고한 것이 된다. 이것은 본 발명의 반사 방지막에 함유되는, 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상이 유리질 또는 거대 고분자가 됨에 따른 것이라고 추측된다.By performing such heat processing, the antireflection film of this invention becomes a more solid thing. It is assumed that at least one selected from the compounds represented by the above formulas (1) to (3) contained in the antireflection film of the present invention is due to the glassy or macromolecular polymer.

상기 전자선 조사시에는, 0.1 내지 10 keV의 전자선을 이용하여 100 내지 20,000 J/m2의 노광량으로 행할 수 있다.At the time of the said electron beam irradiation, it can carry out by the exposure amount of 100-20,000 J / m <2> using the 0.1-10 keV electron beam.

또한, 상기 자외선 조사시에는 150 내지 300 nm의 자외선을 이용하여 100 내지 20,00O J/m2의 노광량으로 행할 수 있다.In addition, at the time of the said ultraviolet irradiation, it can carry out by the exposure amount of 100-200000 J / m < 2 > using 150-300 nm ultraviolet-rays.

본 발명의 반사 방지막의 막두께는, 저반사의 적층막을 얻을 수 있다는 점에서 10 내지 500 nm인 것이 바람직하다.It is preferable that the film thickness of the antireflection film of this invention is 10-500 nm from the point which can obtain the low reflection laminated film.

상기와 같이 투명 기판상에 본 발명의 반사 방지막을 형성한 후, 반사 방지막의 상부에 투명 도전성 전극을 더 형성함으로써 본 발명의 적층체로 할 수 있다.After forming the antireflection film of this invention on a transparent substrate as mentioned above, it can be set as the laminated body of this invention by further forming a transparent conductive electrode on the upper part of an antireflection film.

여기서 사용할 수 있는 투명 도전성 전극으로서는, 예를 들면 산화아연, 산화주석, 산화인듐, 주석 도핑 산화인듐, 산화인듐ㆍ산화아연 복합재 등을 들 수 있다.As a transparent conductive electrode which can be used here, zinc oxide, tin oxide, indium oxide, tin dope indium oxide, an indium oxide zinc oxide composite etc. are mentioned, for example.

이러한 투명 도전성 전극을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면 스퍼터링법,진공 증착법, 이온 플레이팅법, 도포법, 도금법 등을 들 수 있다.As a method of forming such a transparent conductive electrode, a sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, a coating method, a plating method, etc. are mentioned, for example.

투명 도전성 전극의 바람직한 두께는 30 내지 500 nm가 바람직하고, 50 내지 400 nm가 보다 바람직하다.30-500 nm is preferable and, as for the preferable thickness of a transparent conductive electrode, 50-400 nm is more preferable.

이어서, 본 발명의 표시 소자에 대하여 설명한다.Next, the display element of this invention is demonstrated.

본 발명의 표시 소자는 관찰자측의 면에 상기한 적층체를 갖는 것이며, 종래 알려져 있는 표시 소자와 비교하여 화면 휘도가 우수한 것이다.The display element of this invention has said laminated body on the surface of an observer side, and is excellent in screen brightness compared with the conventionally known display element.

본 발명의 표시 소자는, 예를 들면 액정 표시 소자, 전계 발광 표시 소자, 플라즈마 표시 소자, 필드 에미션 표시 소자 또는 전기 영동형 표시 소자일 수 있다.The display element of the present invention may be, for example, a liquid crystal display element, an electroluminescent display element, a plasma display element, a field emission display element or an electrophoretic display element.

이상 기재해 온 바와 같이, 본 발명의 반사 방지막은 저굴절률과 실용적인 내열성의 두가지 특성을 구비하며, 투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 본 발명의 반사 방지막을 갖는 적층체는, 액정 표시 소자, 전계 발광 표시 소자, 플라즈마 표시 소자, 필드 에미션 표시 소자 또는 전기 영동형 표시 소자 등의 표시 소자의 휘도 향상에 이바지한다.As described above, the antireflection film of the present invention has two characteristics of low refractive index and practical heat resistance, and the laminate having the antireflection film of the present invention between the transparent substrate and the transparent conductive electrode includes a liquid crystal display element and an electroluminescence. It contributes to the brightness improvement of display elements, such as a display element, a plasma display element, a field emission display element, or an electrophoretic display element.

<실시예><Example>

이하, 본 발명을 실시예를 들어 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 이하의 기재는, 본 발명의 실시 양태를 개괄적으로 나타내는 것으로 특별히 이유가 없으며, 이러한 기재에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the following description shows the embodiment of this invention generally, and there is no reason in particular, and this invention is not limited by this description.

또한, 실시예 및 비교예 중의 부 및 %는 특별히 기재하지 않는 한, 각각 중량부 및 중량%를 나타낸다.In addition, the part and% in an Example and a comparative example represent a weight part and weight%, respectively, unless there is particular notice.

또한, 각종 평가는 이하의 방법에 따랐다.In addition, various evaluation followed the following method.

중량 평균 분자량(Mw)Weight average molecular weight (Mw)

하기 조건에 의한 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정하였다.It measured by the gel permeation chromatography (GPC) method by the following conditions.

시료: 테트라히드로푸란을 용매로서 사용하고, 가수분해 축합물 1 g을 100 cc의 테트라히드로푸란에 용해하여 제조하였다.Sample: Prepared by using tetrahydrofuran as a solvent and dissolving 1 g of hydrolysis condensate in 100 cc of tetrahydrofuran.

표준 폴리스티렌: 미국 프레셔 케미컬사 제조의 표준 폴리스티렌을 사용하였다.Standard polystyrene: Standard polystyrene manufactured by Pressure Chemical, USA was used.

장치: 미국 워터즈사 제조의 고온 고속 겔 침투 크로마토그램(모델 150-C ALC/GPC)Apparatus: high temperature high speed gel permeation chromatogram (Model 150-C ALC / GPC) manufactured by Waters, Inc.

칼럼: 쇼와 덴꼬(주) 제조의 SHODEX A-80M(길이 50 cm)Column: Showa Denko Co., Ltd. make SHODEX A-80M (length 50cm)

측정 온도: 40 ℃Measuring temperature: 40 ℃

유속: 1 cc/분Flow rate: 1 cc / min

내열성Heat resistance

유리 기판상에 스핀 코팅법을 이용하여 반사 방지막 형성용 조성물을 도포하고, 핫 플레이트상에서 90 ℃로 3분간 가열하여 용매를 제거하고, 이어서 250 ℃에서 3분간 가열 처리를 행하여 막두께 100 nm의 반사 방지막을 형성한 유리 기판을 얻었다. 얻어진 반사 방지막이 부착된 유리 기판을 350 ℃, 질소하에서 5시간 가열하고, 가열 전후의 도막의 막두께 변화를 측정하였다. 이 때의 막두께 변화의 절대치가 5 % 이하일 때, 내열성은 양호하다고 평가된다.The antireflection film-forming composition was applied onto the glass substrate by using a spin coating method, heated at 90 ° C. for 3 minutes on a hot plate to remove the solvent, and then heated at 250 ° C. for 3 minutes to reflect a film thickness of 100 nm. The glass substrate in which the prevention film was formed was obtained. The obtained glass substrate with an antireflection film was heated at 350 ° C. under nitrogen for 5 hours, and the change in the film thickness of the coating film before and after heating was measured. When the absolute value of the film thickness change at this time is 5% or less, it is evaluated that heat resistance is favorable.

굴절률Refractive index

실리콘 기판상에 스핀 코팅법을 이용하여 반사 방지막 형성용 조성물을 도포하고, 핫 플레이트상에서 90 ℃로 3분간 가열하여 용매를 제거하고, 이어서 250 ℃에서 3분간 가열 처리를 행하여 막두께 100 nm의 반사 방지막을 형성한 실리콘 기판을 얻었다. 이 도막의 굴절률을 633 nm 파장의 분광 엘립소미터를 이용하여 측정하였다. 굴절률이 1.33 이하일 때, 결과는 양호하다고 평가된다.The anti-reflective film-forming composition was applied onto the silicon substrate using a spin coating method, heated at 90 ° C. for 3 minutes on a hot plate to remove the solvent, and then heated at 250 ° C. for 3 minutes to reflect a film thickness of 100 nm. The silicon substrate in which the prevention film was formed was obtained. The refractive index of this coating film was measured using the spectroscopic ellipsometer of 633 nm wavelength. When the refractive index is 1.33 or less, the result is evaluated to be good.

반사율 측정Reflectance measurement

유리 기판상에 조성물을 스핀 코팅법을 이용하여 반사 방지막 형성용 조성물을 도포하고, 핫 플레이트상에서 90 ℃로 3분간 가열하여 용매를 제거하고, 이어서 250 ℃에서 3분간 가열 처리를 행하여 막두께 100 nm의 반사 방지막을 형성한 유리 기판을 얻었다. 이 유리 기판상의 반사 방지막상에 스퍼터링법을 이용하여 두께 50 nm의 주석 도핑 산화인듐을 형성하고, 적층체를 형성하였다.The composition was coated on the glass substrate by spin coating to form an antireflection film-forming composition, heated at 90 ° C. for 3 minutes on a hot plate to remove the solvent, and then heated at 250 ° C. for 3 minutes to obtain a film thickness of 100 nm. The glass substrate in which the antireflective film of was formed was obtained. A 50 nm-thick tin-doped indium oxide was formed on the antireflective film on this glass substrate using the sputtering method, and the laminated body was formed.

이 적층체에 대하여, 633 nm의 리튬ㆍ네온 레이저를 주석 도핑 산화인듐막면에서 직교하여 입사시키고, 유리면에서 나오는 레이저광 강도를 측정하여 입사광으로부터의 강도 변화를 산출하였다. 이 레이저광 강도의 변화율 절대치가 1 % 이하인 경우, 반사율 결과는 양호하다고 할 수 있다.A 633 nm lithium-neon laser was incident orthogonally on the tin-doped indium oxide film surface with respect to this laminated body, and the laser beam intensity emitted from the glass surface was measured, and the intensity change from incident light was computed. When the absolute value of the change rate of this laser beam intensity is 1% or less, the reflectance result can be said to be favorable.

<합성예 1>Synthesis Example 1

석영제 세퍼러블 플라스크 중에서, 화학식 1로 표시되는 화합물로서 메틸트리메톡시실란 276.01 g, 화학식 2로 표시되는 화합물로서 테트라메톡시실란 86.14 g 및 촉매로서 테트라키스(아세틸아세토네이토)티탄 0.0092 g을 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 101 g에 용해시킨 후, 쓰리 원 모터로 교반시키고, 용액 온도를 55℃로 안정시켰다. 이어서, 이온 교환수 225.52 g과 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 263.00 g의 혼합 용액을 1시간에 걸쳐 용액에 첨가하였다. 그 후, 55 ℃에서 4시간 반응시킨 후, 아세틸아세톤 48.12 g을 첨가하고, 또한 30분간 반응시켜 반응액을 실온까지 냉각하였다. 50 ℃에서 반응액으로부터 메탄올과 물을 포함하는 용액을 227 g 증발시켜 제거하고, 반응액 ①을 얻었다.In a quartz separable flask, 276.01 g of methyltrimethoxysilane as a compound represented by the formula (1), 86.14 g of tetramethoxysilane as the compound represented by the formula (2) and 0.0092 g of tetrakis (acetylacetonato) titanium as a catalyst After dissolving in 101 g of propylene glycol monoethyl ether, the mixture was stirred with a three-one motor and the solution temperature was stabilized at 55 ° C. Then, a mixed solution of 225.52 g of ion-exchanged water and 263.00 g of propylene glycol monoethyl ether was added to the solution over 1 hour. Then, after reacting at 55 degreeC for 4 hours, 48.12 g of acetylacetone were added, and also it was made to react for 30 minutes, and the reaction liquid was cooled to room temperature. 227g of the solution containing methanol and water was evaporated and removed from reaction liquid at 50 degreeC, and reaction liquid (1) was obtained.

이와 같이 하여 얻어진 가수분해/축합 생성물의 중량 평균 분자량은 1,230이었다.The weight average molecular weight of the hydrolysis / condensation product thus obtained was 1,230.

또한, 합성예 1에 있어서, 화학식 2로 표시되는 화합물(테트라메톡시실란)의 완전 가수분해/축합 생성물로 환산한 사용량은, 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물을 완전 가수분해/축합 생성물로 환산한 사용 총량에 대하여 20.1 중량%에 상당한다.In addition, in the synthesis example 1, the usage-amount converted into the complete hydrolysis / condensation product of the compound (tetramethoxysilane) represented by General formula (2) is a complete hydrolysis / condensation product of each compound represented by General formula (1) It corresponds to 20.1% by weight based on the total amount used.

<합성예 2>Synthesis Example 2

석영제 세퍼러블 플라스크 중에서, 화학식 1로 표시되는 화합물로서 메틸트리메톡시실란 205.50 g과 화학식 2로 표시되는 화합물로서 테트라메톡시실란 85.51 g을 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 426 g에 용해시킨 후, 쓰리 원 모터로 교반시키고, 용액 온도 50 ℃로 안정시켰다. 이어서, 촉매로서 말레산 0.63 g을 용해시킨 이온 교환수 182 g을 1시간에 걸쳐 용액에 첨가하였다. 그 후, 50 ℃에서 3시간 반응시킨 후, 반응액을 실온까지 냉각하였다. 50 ℃에서 반응액으로부터 메탄올을 포함하는 용액을 360 g 증발시켜 제거하고, 반응액 ②를 얻었다.In a quartz separable flask, 205.50 g of methyltrimethoxysilane as a compound represented by the formula (1) and 85.51 g of tetramethoxysilane as the compound represented by the formula (2) were dissolved in 426 g of propylene glycol monoethyl ether. Stirred by motor and stabilized at 50 ° C solution temperature. Subsequently, 182 g of ion-exchanged water in which 0.63 g of maleic acid was dissolved as a catalyst was added to the solution over 1 hour. Then, after making it react at 50 degreeC for 3 hours, the reaction liquid was cooled to room temperature. 360 g of the solution containing methanol was removed from the reaction liquid at 50 degreeC, and reaction liquid (2) was obtained.

이와 같이 하여 얻어진 가수분해/축합 생성물의 중량 평균 분자량은 1,400이었다.The weight average molecular weight of the hydrolysis / condensation product thus obtained was 1,400.

또한, 합성예 2에 있어서, 화학식 2로 표시되는 화합물(테트라메톡시실란)의 완전 가수분해/축합 생성물로 환산한 사용량은, 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물을 완전 가수분해/축합 생성물로 환산한 사용 총량에 대하여 24.8 중량%에 상당한다.In addition, in the synthesis example 2, the usage-amount converted into the complete hydrolysis / condensation product of the compound (tetramethoxysilane) represented by general formula (2) is a complete hydrolysis / condensation product of the compound represented by each of general formula (1)-(3) It corresponds to 24.8% by weight based on the total amount used.

<합성예 3>Synthesis Example 3

석영제 세퍼러블 플라스크에 증류 에탄올 370 g, 증류 프로필렌글리콜 모노프로필에테르 200 g, 이온 교환수 160 g과 촉매로서 메틸아민의 10 % 수용액 90 g을 넣어 균일하게 교반하였다. 이 용액에 화학식 1로 표시되는 화합물로서 메틸트리메톡시실란 136 g과 화학식 2로 표시되는 화합물로서 테트라에톡시실란 209 g의 혼합물을 첨가하였다. 용액을 52 ℃로 유지한 채, 2시간 반응시켰다. 이 용액에 프로필렌글리콜 모노프로필에테르 300 g을 첨가하고, 그 후, 50 ℃의 증발기를 이용하여 용액을 10 %(완전 가수분해/축합 생성물 환산)가 될 때까지 농축한 후, 아세트산의 10 % 프로필렌글리콜 모노프로필에테르 용액 10 g을 첨가하여 반응액 ③을 얻었다.370 g of distilled ethanol, 200 g of distilled propylene glycol monopropyl ether, 160 g of ion-exchanged water and 90 g of a 10% aqueous solution of methylamine were added to the quartz separable flask and stirred uniformly. To this solution was added a mixture of 136 g of methyltrimethoxysilane as the compound represented by the formula (1) and 209 g of tetraethoxysilane as the compound represented by the formula (2). The solution was reacted for 2 hours while maintaining the temperature at 52 ° C. 300 g of propylene glycol monopropyl ether was added to the solution, and then concentrated using a 50 ° C. evaporator until it reached 10% (completely hydrolyzed / condensed product), followed by 10% propylene of acetic acid. 10 g of glycol monopropyl ether solution was added to the reaction solution 3.

이와 같이 하여 얻어진 가수분해/축합 생성물의 중량 평균 분자량은 904,000이었다.The weight average molecular weight of the hydrolysis / condensation product thus obtained was 904,000.

또한, 합성예 3에 있어서, 화학식 2로 표시되는 화합물(테트라에톡시실란)의 완전 가수분해/축합 생성물로 환산한 사용량은, 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물을 완전 가수분해/축합 생성물로 환산한 사용 총량에 대하여 47.3중량%에 상당한다.In addition, in the synthesis example 3, the usage-amount converted into the complete hydrolysis / condensation product of the compound (tetraethoxysilane) represented by general formula (2) is a complete hydrolysis / condensation product of the compound represented by each of general formulas (1) It corresponds to 47.3 weight% with respect to the total used amount.

<합성예 4>Synthesis Example 4

석영제 세퍼러블 플라스크에 증류 에탄올 428 g, 이온 교환수 215 g과 촉매로서 테트라메틸암모늄히드록시드의 25 % 수용액 15.6 g을 넣어 균일하게 교반하였다. 이 용액에 화학식 1로 표시되는 화합물로서 메틸트리메톡시실란 40.8 g과 화학식 2로 표시되는 화합물로서 테트라에톡시실란 61.4 g의 혼합물을 첨가하였다. 용액을 57 ℃로 유지한 채, 2시간 반응시켰다. 이 용액에 프로필렌글리콜 모노프로필에테르 300 g을 첨가하고, 그 후, 50 ℃의 증발기를 이용하여 용액을 10 %(완전 가수분해/축합 생성물 환산)가 될 때까지 농축한 후, 말레산의 10 % 프로필렌글리콜 모노프로필에테르 용액 20 g을 첨가하여 반응액 ④를 얻었다.Into a quartz separable flask, 428 g of distilled ethanol, 215 g of ion-exchanged water, and 15.6 g of a 25% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide were added as a catalyst and stirred uniformly. To this solution was added a mixture of 40.8 g of methyltrimethoxysilane as the compound represented by the formula (1) and 61.4 g of tetraethoxysilane as the compound represented by the formula (2). The solution was reacted for 2 hours while maintaining the solution at 57 ° C. 300 g of propylene glycol monopropyl ether was added to the solution, and the solution was then concentrated using an evaporator at 50 ° C until it became 10% (complete hydrolysis / condensation product conversion), and then 10% of maleic acid. 20 g of propylene glycol monopropyl ether solution was added to obtain a reaction solution ④.

이와 같이 하여 얻어진 가수분해/축합 생성물의 중량 평균 분자량은 1,600,000이었다.The weight average molecular weight of the hydrolysis / condensation product thus obtained was 1,600,000.

또한, 합성예 4에 있어서, 화학식 2로 표시되는 화합물(테트라에톡시실란)의 완전 가수분해/축합 생성물로 환산한 사용량은, 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물을 완전 가수분해/축합 생성물로 환산한 사용 총량에 대하여 46.8 중량%에 상당한다.In addition, in the synthesis example 4, the usage-amount converted into the complete hydrolysis / condensation product of the compound (tetraethoxysilane) represented by general formula (2) is a complete hydrolysis / condensation product of the compound represented by each of general formula (1)-(3) It is equivalent to 46.8% by weight based on the total amount of use.

<합성예 5>Synthesis Example 5

석영제 세퍼러블 플라스크에 증류 에탄올 428 g, 이온 교환수 215 g과 촉매로서 테트라메틸암모늄히드록시드의 25 % 수용액 15.6 g을 넣어 균일하게 교반하였다. 이 용액에 화학식 1로 표시되는 화합물로서 메틸트리메톡시실란 40.8 g과 화학식 2로 표시되는 화합물로서 테트라에톡시실란 61.4 g 및 화학식 3으로 표시되는 화합물로서 헥사에톡시디실록산 2.4 g의 혼합물을 첨가하였다. 용액을 57 ℃로 유지한 채, 2시간 반응시켰다. 이 용액에 프로필렌글리콜 모노프로필에테르 300 g을 첨가하고, 그 후, 50 ℃의 증발기를 이용하여 용액을 10 %(완전 가수분해 축합물 환산)가 될 때까지 농축하고, 그 후, 말레산의 10 % 프로필렌글리콜 모노프로필에테르 용액 20 g을 첨가하여 반응액 ⑤를 얻었다.Into a quartz separable flask, 428 g of distilled ethanol, 215 g of ion-exchanged water, and 15.6 g of a 25% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide were added as a catalyst and stirred uniformly. To this solution is added a mixture of 40.8 g of methyltrimethoxysilane as the compound represented by the formula (1), 61.4 g of tetraethoxysilane as the compound represented by the formula (2) and 2.4 g of hexaethoxydisiloxane as the compound represented by the formula (3). It was. The solution was reacted for 2 hours while maintaining the solution at 57 ° C. 300 g of propylene glycol monopropyl ether was added to this solution, and then, the solution was concentrated using an evaporator at 50 ° C until it became 10% (in terms of complete hydrolysis condensate), and then 10% of maleic acid was added. 20 g of a propylene glycol monopropyl ether solution was added to obtain a reaction solution ⑤.

이와 같이 하여 얻어진 가수분해/축합 생성물의 중량 평균 분자량은 1,650,000이었다.The weight average molecular weight of the hydrolysis / condensation product thus obtained was 1,650,000.

또한, 합성예 5에 있어서, 화학식 2로 표시되는 화합물(테트라에톡시실란)의 완전 가수분해/축합 생성물로 환산한 사용량은, 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물을 완전 가수분해/축합 생성물로 환산한 사용 총량에 대하여 45.8 중량%에 상당한다.In addition, in the synthesis example 5, the usage-amount converted into the complete hydrolysis / condensation product of the compound (tetraethoxysilane) represented by general formula (2) is a complete hydrolysis / condensation product of the compound represented by each of general formula (1)-(3) It is equivalent to 45.8% by weight based on the total amount of use.

<실시예 1><Example 1>

합성예 3에서 얻어진 반응액 ③을 공경 0.2 ㎛의 테플론(등록 상표)제 필터로 여과하여 반사 방지막 형성용 조성물을 제조하였다.The reaction solution 3 obtained in Synthesis Example 3 was filtered with a filter made of Teflon (registered trademark) having a pore diameter of 0.2 μm to prepare a composition for forming an antireflection film.

이 반사 방지막 형성용 조성물을 사용하여, 상기한 평가 방법에 따라 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.It evaluated according to the above-mentioned evaluation method using this composition for antireflection film formation. The results are shown in Table 1.

여기서 형성된 반사 방지막의 굴절률은 1.27로 우수한 값을 나타내었고, 내열성 시험의 막두께 변화율의 절대치는 1.5 %로 우수한 내열성을 나타내었다.The refractive index of the anti-reflection film formed here was 1.27, and the absolute value of the film thickness change rate of the heat resistance test was 1.5%, indicating excellent heat resistance.

또한, 여기서 형성된 적층체의 반사율 평가에서는, 레이저광 강도 변화의 절대치가 0.3 %로 우수한 반사 방지 성능을 나타내었다.Moreover, in the reflectance evaluation of the laminated body formed here, the absolute value of the laser beam intensity change was 0.3%, and showed the outstanding antireflection performance.

<실시예 2 내지 8><Examples 2 to 8>

실시예 1에 있어서, 반응액 ③ 대신에 표 1에 기재된 반응액 또는 반응액의 혼합물을 사용한 것 외에는, 실시예 1과 대략 동일하게 하여 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 함께 나타내었다.In Example 1, it evaluated similarly to Example 1 except having used the reaction liquid of Table 1 or the mixture of reaction liquid instead of reaction liquid ③. The evaluation results are shown in Table 1 together.

<비교예 1>Comparative Example 1

실시예 1에 있어서, 반응액 ③을 사용한 반사 방지막 형성 공정을 행하지 않고, 유리 기판상에 직접 주석 도핑 산화인듐을 형성하였다.In Example 1, tin-doped indium oxide was formed directly on the glass substrate, without performing the anti-reflective film formation process using reaction liquid (3).

이 적층막의 반사율을 측정했더니, 1.6 %로 반사 방지능이 떨어지는 것이었다.When the reflectance of this laminated film was measured, the antireflection performance was lowered to 1.6%.

<비교예 2>Comparative Example 2

실시예 1에 있어서, 반응액 ③ 대신에 아사히 가라스(주)제조의 사이톱(불소 함유 유기 중합체)을 사용한 것 외에는, 실시예 1과 대략 동일하게 평가하였다.In Example 1, it evaluated substantially the same as Example 1 except having used Cytop (fluorine-containing organic polymer) by Asahi Glass Co., Ltd. instead of reaction liquid ③.

여기서 형성한 반사 방지막의 굴절률은 1.34로, 1.33을 초과하는 굴절률을 나타내었다. 또한, 반사 방지막의 내열성 시험에서의 막두께 변화의 절대치는 7.2 %로 실용적인 내열성이 떨어지는 것을 알 수 있었다.The refractive index of the antireflection film formed here was 1.34, which showed a refractive index exceeding 1.33. The absolute value of the film thickness change in the heat resistance test of the antireflection film was found to be inferior in practical heat resistance at 7.2%.

또한, 여기서 형성된 적층체의 반사율 평가에서는, 레이저광 강도 변화의 절대치가 1.1 %로 반사 방지능이 떨어지는 것이었다.In addition, in the reflectance evaluation of the laminated body formed here, the absolute value of the laser beam intensity change was 1.1%, and it was inferior to antireflection ability.

반사방지막 형성용조성물의 원료Raw material of composition for antireflection film formation 반사방지막의 평가Evaluation of antireflection film 적층체의 평가 반사율(%)Evaluation reflectance (%) of laminate 내열성(%)Heat resistance (%) 굴절률Refractive index 실시예1Example 1 반응액③Reaction solution ③ 1.51.5 1.271.27 0.30.3 실시예2Example 2 반응액④Reaction liquid ④ 1.31.3 1.261.26 0.20.2 실시예3Example 3 반응액③ 30g + 반응액① 3gReaction solution③ 30g + reaction solution① 3g 1.21.2 1.291.29 0.50.5 실시예4Example 4 반응액③ 30g + 반응액② 2gReaction solution③ 30g + reaction solution② 2g 1.21.2 1.281.28 0.40.4 실시예5Example 5 반응액④ 30g + 반응액① 3gReaction solution④ 30g + reaction solution① 3g 1.11.1 1.281.28 0.40.4 실시예6Example 6 반응액④ 30g + 반응액② 2gReaction solution④ 30g + reaction solution② 2g 1.11.1 1.271.27 0.30.3 실시예7Example 7 반응액⑤Reaction solution ⑤ 1.21.2 1.251.25 0.20.2 실시예8Example 8 반응액③ 30g + 반응액① 10gReaction solution③ 30g + reaction solution① 10g 1.21.2 1.321.32 0.90.9 비교예1Comparative Example 1 없음none -- -- 1.61.6 비교예2Comparative Example 2 아사히가라스(주) 제조 사이톱Asahi Glass Co., Ltd. production Saitop 7.27.2 1.341.34 1.11.1

본 발명에 따르면, 각종 표시 소자의 휘도를 향상시키기 위해 사용하는 데 바람직한, 투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 형성되는 저굴절률 및 내열성이 우수한 반사 방지막, 투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 상기 반사 방지막을 갖는 적층체 및 이 적층체를 구비하는 표시 소자가 제공된다.According to the present invention, an antireflection film having excellent low refractive index and heat resistance formed between a transparent substrate and a transparent conductive electrode, and the antireflection film between the transparent substrate and the transparent conductive electrode, which are suitable for use for improving the brightness of various display elements, are provided. There is provided a laminate having and a display element comprising the laminate.

본 발명의 반사 방지막, 적층체를 갖는 표시 소자는 화면 휘도가 우수하다.The display element which has an antireflection film and a laminated body of this invention is excellent in screen brightness.

Claims (6)

투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 형성된 반사 방지막으로서, 파장 633 nm에서의 굴절률이 1.33 이하인 것을 특징으로 하는 반사 방지막.An antireflection film formed between a transparent substrate and a transparent conductive electrode, wherein the antireflection film has a refractive index of 1.33 or less at a wavelength of 633 nm. 제1항에 있어서, 상기 반사 방지막이, 하기 화학식 1, 2 및 3의 각각으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물의 가수분해/축합 생성물을 함유하는 반사 방지막.The antireflection film according to claim 1, wherein the antireflection film contains a hydrolysis / condensation product of at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (1), (2) and (3). <화학식 1><Formula 1> RaSi(OR1)4-a R a Si (OR 1 ) 4-a 식 중, R은 수소 원자, 불소 원자 또는 1가의 유기기이고, R1은 1가의 유기기이며, a는 1 또는 2이다.In the formula, R is a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, R 1 is a monovalent organic group, and a is 1 or 2. <화학식 2><Formula 2> Si(OR2)4 Si (OR 2 ) 4 식 중, R2는 1가의 유기기를 나타낸다.In the formula, R 2 represents a monovalent organic group. <화학식 3><Formula 3> R3 b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6 c R 3 b (R 4 O) 3-b Si- (R 7 ) d -Si (OR 5 ) 3-c R 6 c 식 중, R3내지 R6은 동일하거나 또는 상이하며 각각 1가의 유기기를 나타내고, R7은 산소 원자, 페닐렌기 또는 -(CH2)n-으로 표시되는 기(여기서, n은 1 내지 6의 정수임)를 나타내며, b 및 c는 동일하거나 또는 상이하며 0 내지 2의 정수이고, d는 0 또는 1이다.In the formula, R 3 to R 6 are the same or different and each represents a monovalent organic group, and R 7 is an oxygen atom, a phenylene group or a group represented by-(CH 2 ) n- , where n is 1 to 6 B and c are the same or different and are integers from 0 to 2, and d is 0 or 1. 제2항에 있어서, 상기 화학식 1 내지 3의 각각으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물의 가수분해 및 축합을 알칼리 촉매의 존재하에서 행하는 반사 방지막.The antireflection film according to claim 2, wherein the hydrolysis and condensation of at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the above formulas (1) to (3) is performed in the presence of an alkali catalyst. 투명 기판과 투명 도전성 전극 사이에 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따르는 반사 방지막을 갖는 적층체.The laminated body which has an anti-reflective film in any one of Claims 1-3 between a transparent substrate and a transparent conductive electrode. 제4항에 기재된 적층체를 구비하는 표시 소자.The display element provided with the laminated body of Claim 4. 제5항에 있어서, 상기 표시 소자가 액정 표시 소자, 전계 발광 표시 소자, 플라즈마 표시 소자, 필드 에미션 표시 소자 또는 전기 영동형 표시 소자인 표시 소자.The display element according to claim 5, wherein the display element is a liquid crystal display element, an electroluminescent display element, a plasma display element, a field emission display element or an electrophoretic display element.
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