JP2003041191A - Composition for film formation, method of forming film and silica film - Google Patents

Composition for film formation, method of forming film and silica film

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JP2003041191A
JP2003041191A JP2001229581A JP2001229581A JP2003041191A JP 2003041191 A JP2003041191 A JP 2003041191A JP 2001229581 A JP2001229581 A JP 2001229581A JP 2001229581 A JP2001229581 A JP 2001229581A JP 2003041191 A JP2003041191 A JP 2003041191A
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mono
hydroxide
film
bis
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JP2001229581A
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Makoto Sugiura
誠 杉浦
Eiji Hayashi
英治 林
Yasutake Inoue
靖健 井上
Michinori Nishikawa
通則 西川
Kinji Yamada
欣司 山田
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Original Assignee
JSR Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a film-forming composition that shows excellent storage stability of the composition and can form silica films giving a small difference in specific inductive capacity caused by firing conditions. SOLUTION: The film-forming composition includes (A) a hydrolyzed and condensed product obtained by hydrolyzing and condensing alkoxysilane in the presence of an alkaline catalyst and water, (B) at least one selected from the group consisting of ammonium salt and first through quaternary alkylammonium salts in an amount of 0.005-0.5 pt.wt. per 100 pts.wt. of the component (A), calculated as completely hydrolyzed and condensed product and (C) an organic solvent and the pH is kept at 2-4.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成用組成物に
関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶
縁膜材料として、組成物の保存安定性に優れ、焼成条件
による比誘電率の差異が小さいシリカ系膜が形成可能な
膜形成用組成物、その製造方法およびシリカ系膜に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming composition, and more specifically, as an interlayer insulating film material for a semiconductor device or the like, the composition has excellent storage stability and a difference in relative dielectric constant depending on firing conditions. The present invention relates to a film-forming composition capable of forming a small silica-based film, a method for producing the composition, and a silica-based film.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体素子などにおける層間絶縁
膜として、CVD法などの真空プロセスで形成されたシ
リカ(SiO2 )膜が多用されている。そして、近年、
より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、S
OG(Spin on Glass)膜と呼ばれるテト
ラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布
型の絶縁膜も使用されるようになっている。また、半導
体素子などの高集積化に伴い、有機SOGと呼ばれるポ
リオルガノシロキサンを主成分とする低比誘電率の層間
絶縁膜が開発されている。特に半導体素子などのさらな
る高集積化や多層化に伴い、より優れた導体間の電気絶
縁性が要求されており、したがって、より低比誘電率の
層間絶縁膜材料が求められるようになっている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a silica (SiO 2 ) film formed by a vacuum process such as a CVD method is often used as an interlayer insulating film in a semiconductor device or the like. And in recent years
For the purpose of forming a more uniform interlayer insulating film, S
A coating type insulating film called a OG (Spin on Glass) film containing a hydrolysis product of tetraalkoxylane as a main component has also been used. Further, with the high integration of semiconductor elements and the like, an interlayer insulating film called organic SOG, which has a low relative dielectric constant and whose main component is polyorganosiloxane, has been developed. In particular, with higher integration and multi-layering of semiconductor elements and the like, better electrical insulation between conductors is required, and therefore, interlayer insulating film materials with lower relative dielectric constant are required. .

【0003】低比誘電率の材料としては、アンモニアの
存在下にアルコキシシランを縮合して得られる微粒子と
アルコキシシランの塩基性部分加水分解物との混合物か
らなる組成物(特開平5−263045、同5−315
319)や、ポリアルコキシシランの塩基性加水分解物
をアンモニアの存在下縮合することにより得られた塗布
液(特開平11−340219、同11−34022
0)が提案されているが、これらの方法で得られる材料
は、反応の生成物の性質が安定せず、組成物の保存安定
性が劣ったり、焼成条件による比誘電率の差異も大きい
ため、工業的生産には不向きであった。
As a material having a low relative dielectric constant, a composition comprising a mixture of fine particles obtained by condensing an alkoxysilane in the presence of ammonia and a basic partial hydrolyzate of the alkoxysilane (JP-A-5-263045, Same as 5-315
319) or a coating solution obtained by condensing a basic hydrolyzate of polyalkoxysilane in the presence of ammonia (JP-A-11-340219 and JP-A-11-34022).
0) has been proposed, but the materials obtained by these methods are not stable in the properties of the reaction product, the storage stability of the composition is poor, and the difference in the relative dielectric constant depending on the firing conditions is large. , Was not suitable for industrial production.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するための膜形成用組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、組成物
の保存安定性に優れ、焼成条件による比誘電率の差異が
小さい膜形成用組成物および該組成物から得られるシリ
カ系膜を提供することを目的とする。
The present invention relates to a film-forming composition for solving the above problems, and more specifically, it has excellent storage stability as an interlayer insulating film in a semiconductor device, An object of the present invention is to provide a film-forming composition having a small difference in relative dielectric constant depending on firing conditions and a silica-based film obtained from the composition.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)下記一
般式(1)で表される化合物(以下、「化合物(1)」
ともいう)、 Ra Si(OR14-a ・・・・・(1) (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機
基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。) 下記一般式(2)で表される化合物(以下、「化合物
(2)」ともいう)および Si(OR24 ・・・・・(2) (式中、R2 は1価の有機基を示す。) 下記一般式(3)で表される化合物(以下、「化合物
(3)」ともいう) R3 b(R4O)3-bSi−(R7d−Si(OR53-c6 c ・・・・(3) 〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価
の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、
7 は酸素原子、フェニレン基または−(CH2n
で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、d
は0または1を示す。〕の群から選ばれた少なくとも1
種の化合物をアルカリ触媒と水の存在下で加水分解、縮
合して得られる加水分解縮合物、および(B)(A)成
分100重量部(完全加水分解縮合物換算)に対して、
0.005〜0.5重量部のアンモニウム塩、1〜4級
アルキルアンモニウム塩の群から選ばれる少なくとも1
種、および(C)有機溶剤を含有し、かつpHが2〜4
であることを特徴とする膜形成用組成物に関する。次
に、本発明は、上記膜形成用組成物を基板に塗布し、加
熱することを特徴とする膜の形成方法に関する。次に、
本発明は、上記膜の形成方法によって得られるシリカ系
膜に関する。
The present invention provides (A) a compound represented by the following general formula (1) (hereinafter referred to as "compound (1)").
R a Si (OR 1 ) 4-a (1) (wherein R is a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, R 1 is a monovalent organic group, a Represents an integer of 1 to 2.) A compound represented by the following general formula (2) (hereinafter, also referred to as “compound (2)”) and Si (OR 2 ) 4 (2) (formula) In the formula, R 2 represents a monovalent organic group.) A compound represented by the following general formula (3) (hereinafter, also referred to as “compound (3)”) R 3 b (R 4 O) 3-b Si- (R 7) d -Si (oR 5) 3-c R 6 c ···· (3) wherein, R 3 to R 6 are the same or different and each represents a monovalent organic group, b-c is the same Or differently, an integer from 0 to 2,
R 7 is an oxygen atom, a phenylene group or — (CH 2 ) n
A group represented by (where n is an integer of 1 to 6), d
Represents 0 or 1. ] At least 1 selected from the group
With respect to a hydrolysis-condensation product obtained by hydrolyzing and condensing a seed compound in the presence of an alkali catalyst and water, and 100 parts by weight of component (B) (A) (in terms of complete hydrolysis-condensation product),
At least 1 selected from the group of 0.005 to 0.5 parts by weight of ammonium salt and primary to quaternary alkyl ammonium salt
Containing a seed, and (C) an organic solvent, and having a pH of 2 to 4
And a film-forming composition. Next, the present invention relates to a method for forming a film, which comprises applying the film forming composition to a substrate and heating the substrate. next,
The present invention relates to a silica-based film obtained by the above film forming method.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】本発明において、加水分解縮合物
とは、上記化合物(1)〜(3)の群から選ばれた少な
くとも1種の加水分解物および縮合物もしくはいずれか
一方である。ここで、(A)成分における加水分解物と
は、上記化合物(1)〜(3)に含まれるR1 O−基,
2 O−基,R4 O−基およびR5 O−基のすべてが加
水分解されている必要はなく、例えば、1個だけが加水
分解されているもの、2個以上が加水分解されているも
の、あるいは、これらの混合物であってもよい。また、
加水分解縮合物は、化合物(1)〜(3)の加水分解物
のシラノール基が縮合してSi−O−Si結合を形成し
たものであるが、本発明では、シラノール基がすべて縮
合している必要はなく、僅かな一部のシラノール基が縮
合したもの、縮合の程度が異なっているものの混合物な
どをも包含した概念である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, the hydrolytic condensate is at least one hydrolyzate and / or condensate selected from the group of the compounds (1) to (3). Here, the hydrolyzate in the component (A) means the R 1 O-group contained in the compounds (1) to (3),
It is not necessary that all R 2 O-groups, R 4 O-groups and R 5 O-groups are hydrolyzed, for example, only one is hydrolyzed and two or more are hydrolyzed. Existing or a mixture thereof. Also,
The hydrolyzed condensate is one in which the silanol groups of the hydrolyzates of the compounds (1) to (3) are condensed to form a Si-O-Si bond, but in the present invention, all the silanol groups are condensed. It does not need to be present, and is a concept that also includes a mixture of a small amount of silanol groups, a mixture of those having different degrees of condensation, and the like.

【0007】(A)成分 (A)成分は、上記化合物(1)〜(3)の群から選ば
れた少なくとも1種のシラン化合物である。 化合物(1);上記一般式(1)において、RおよびR
1 の1価の有機基としては、アルキル基、アリール基、
アリル基、グリシジル基などを挙げることができる。ま
た、一般式(1)において、Rは1価の有機基、特にア
ルキル基またはフェニル基であることが好ましい。ここ
で、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基などが挙げられ、好ましくは炭素数1〜
5であり、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐してい
てもよく、さらに水素原子がフッ素原子などに置換され
ていてもよい。一般式(1)において、アリール基とし
ては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エ
チルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル
基、フルオロフェニル基などを挙げることができる。
Component (A) Component (A) is at least one silane compound selected from the group consisting of the above compounds (1) to (3). Compound (1); R and R in the general formula (1)
The 1 monovalent organic group, an alkyl group, an aryl group,
Examples thereof include an allyl group and a glycidyl group. Further, in the general formula (1), R is preferably a monovalent organic group, particularly an alkyl group or a phenyl group. Here, examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, and the like, and preferably a carbon number of 1 to 1.
5, these alkyl groups may be linear or branched, and the hydrogen atom may be substituted with a fluorine atom or the like. In the general formula (1), examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a methylphenyl group, an ethylphenyl group, a chlorophenyl group, a bromophenyl group and a fluorophenyl group.

【0008】一般式(1)で表される化合物の具体例と
しては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、ト
リ−n−プロポキシシラン、トリ−iso−プロポキシ
シラン、トリ−n−ブトキシシラン、トリ−sec−ブ
トキシシラン、トリ−tert−ブトキシシラン、トリ
フェノキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フル
オロトリエトキシシラン、フルオロトリ−n−プロポキ
シシラン、フルオロトリ−iso−プロポキシシラン、
フルオロトリ−n−ブトキシシラン、フルオロトリ−s
ec−ブトキシシラン、フルオロトリ−tert−ブト
キシシラン、フルオロトリフェノキシシランなど;
Specific examples of the compound represented by the general formula (1) include trimethoxysilane, triethoxysilane, tri-n-propoxysilane, tri-iso-propoxysilane, tri-n-butoxysilane and tri-. sec-butoxysilane, tri-tert-butoxysilane, triphenoxysilane, fluorotrimethoxysilane, fluorotriethoxysilane, fluorotri-n-propoxysilane, fluorotri-iso-propoxysilane,
Fluorotri-n-butoxysilane, fluorotri-s
ec-butoxysilane, fluorotri-tert-butoxysilane, fluorotriphenoxysilane and the like;

【0009】メチルトリメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メ
チルトリ−iso−プロポキシシラン、メチルトリ−n
−ブトキシシラン、メチルトリ−sec−ブトキシシラ
ン、メチルトリ−tert−ブトキシシラン、メチルト
リフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン、エチルトリ−n−プロポキシシ
ラン、エチルトリ−iso−プロポキシシラン、エチル
トリ−n−ブトキシシラン、エチルトリ−sec−ブト
キシシラン、エチルトリ−tert−ブトキシシラン、
エチルトリフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−n−プロ
ポキシシラン、ビニルトリ−iso−プロポキシシラ
ン、ビニルトリ−n−ブトキシシラン、ビニルトリ−s
ec−ブトキシシラン、ビニルトリ−tert−ブトキ
シシラン、ビニルトリフェノキシシラン、n−プロピル
トリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラ
ン、n−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、n−プ
ロピルトリ−iso−プロポキシシラン、n−プロピル
トリ−n−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−sec
−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−tert−ブト
キシシラン、n−プロピルトリフェノキシシラン、i−
プロピルトリメトキシシラン、i−プロピルトリエトキ
シシラン、i−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、
i−プロピルトリ−iso−プロポキシシラン、i−プ
ロピルトリ−n−ブトキシシラン、i−プロピルトリ−
sec−ブトキシシラン、i−プロピルトリ−tert
−ブトキシシラン、i−プロピルトリフェノキシシラ
ン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−ブチルトリエ
トキシシラン、n−ブチルトリ−n−プロポキシシラ
ン、n−ブチルトリ−iso−プロポキシシラン、n−
ブチルトリ−n−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−s
ec−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−tert−ブ
トキシシラン、n−ブチルトリフェノキシシラン、se
c−ブチルトリメトキシシラン、sec−ブチルトリエ
トキシシラン、sec−ブチル−トリ−n−プロポキシ
シラン、sec−ブチル−トリ−iso−プロポキシシ
ラン、sec−ブチル−トリ−n−ブトキシシラン、s
ec−ブチル−トリ−sec−ブトキシシラン、sec
−ブチル−トリ−tert−ブトキシシラン、sec−
ブチル−トリフェノキシシラン、t−ブチルトリメトキ
シシラン、t−ブチルトリエトキシシラン、t−ブチル
トリ−n−プロポキシシラン、t−ブチルトリ−iso
−プロポキシシラン、t−ブチルトリ−n−ブトキシシ
ラン、t−ブチルトリ−sec−ブトキシシラン、t−
ブチルトリ−tert−ブトキシシラン、t−ブチルト
リフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フ
ェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−n−プロポ
キシシラン、フェニルトリ−iso−プロポキシシラ
ン、フェニルトリ−n−ブトキシシラン、フェニルトリ
−sec−ブトキシシラン、フェニルトリ−tert−
ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエト
キシシラン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−トリフロロプロピルトリエトキシシランなど;
Methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-n-propoxysilane, methyltri-iso-propoxysilane, methyltri-n
-Butoxysilane, methyltri-sec-butoxysilane, methyltri-tert-butoxysilane, methyltriphenoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltri-n-propoxysilane, ethyltri-iso-propoxysilane, ethyltri-n -Butoxysilane, ethyltri-sec-butoxysilane, ethyltri-tert-butoxysilane,
Ethyltriphenoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltri-n-propoxysilane, vinyltri-iso-propoxysilane, vinyltri-n-butoxysilane, vinyltri-s.
ec-butoxysilane, vinyltri-tert-butoxysilane, vinyltriphenoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, n-propyltri-n-propoxysilane, n-propyltri-iso-propoxysilane , N-propyltri-n-butoxysilane, n-propyltri-sec
-Butoxysilane, n-propyltri-tert-butoxysilane, n-propyltriphenoxysilane, i-
Propyltrimethoxysilane, i-propyltriethoxysilane, i-propyltri-n-propoxysilane,
i-Propyltri-iso-propoxysilane, i-propyltri-n-butoxysilane, i-propyltri-
sec-butoxysilane, i-propyltri-tert
-Butoxysilane, i-propyltriphenoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-butyltri-n-propoxysilane, n-butyltri-iso-propoxysilane, n-
Butyltri-n-butoxysilane, n-butyltri-s
ec-butoxysilane, n-butyltri-tert-butoxysilane, n-butyltriphenoxysilane, se
c-butyltrimethoxysilane, sec-butyltriethoxysilane, sec-butyl-tri-n-propoxysilane, sec-butyl-tri-iso-propoxysilane, sec-butyl-tri-n-butoxysilane, s
ec-butyl-tri-sec-butoxysilane, sec
-Butyl-tri-tert-butoxysilane, sec-
Butyl-triphenoxysilane, t-butyltrimethoxysilane, t-butyltriethoxysilane, t-butyltri-n-propoxysilane, t-butyltri-iso.
-Propoxysilane, t-butyltri-n-butoxysilane, t-butyltri-sec-butoxysilane, t-
Butyltri-tert-butoxysilane, t-butyltriphenoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltri-n-propoxysilane, phenyltri-iso-propoxysilane, phenyltri-n-butoxysilane, phenyltri -Sec-butoxysilane, phenyltri-tert-
Butoxysilane, phenyltriphenoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ
-Aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-trifluoropropyltrimethoxysilane, γ-trifluoropropyltrisilane Ethoxysilane etc .;

【0010】ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエ
トキシシラン、ジメチル−ジ−n−プロポキシシラン、
ジメチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジメチル−
ジ−n−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−sec−ブト
キシシラン、ジメチル−ジ−tert−ブトキシシラ
ン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシ
シラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−n
−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−iso−プロポキ
シシラン、ジエチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジエチ
ル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−te
rt−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、
ジ−n−プロピルジメトキシシラン、ジ−n−プロピル
ジエトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−iso−プロポキ
シシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−ブトキシシラ
ン、ジ−n−プロピル−ジ−sec−ブトキシシラン、
ジ−n−プロピル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ
−n−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−iso−
プロピルジメトキシシラン、ジ−iso−プロピルジエ
トキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−iso−プロ
ポキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−ブトキ
シシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−sec−ブトキ
シシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−tert−ブト
キシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−フェノキシシ
ラン、ジ−n−ブチルジメトキシシラン、ジ−n−ブチ
ルジエトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−iso−プロポキシ
シラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ
−n−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−n−
ブチル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−n−ブチ
ル−ジ−フェノキシシラン、ジ−sec−ブチルジメト
キシシラン、ジ−sec−ブチルジエトキシシラン、ジ
−sec−ブチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−s
ec−ブチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−s
ec−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−sec−
ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−sec−ブ
チル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−sec−ブ
チル−ジ−フェノキシシラン、ジ−tert−ブチルジ
メトキシシラン、ジ−tert−ブチルジエトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−n−プロポキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−iso−プロポキシシ
ラン、ジ−tert−ブチル−ジ−n−ブトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−tert−ブトキシシ
ラン、ジ−tert−ブチル−ジ−フェノキシシラン、
ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキ
シシラン、ジフェニル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ
フェニル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジフェニル
−ジ−n−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−sec−
ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−tert−ブトキシ
シラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニルトリ
メトキシシランなど;を挙げることができる。
Dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyl-di-n-propoxysilane,
Dimethyl-di-iso-propoxysilane, dimethyl-
Di-n-butoxysilane, dimethyl-di-sec-butoxysilane, dimethyl-di-tert-butoxysilane, dimethyldiphenoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diethyl-di-n
-Propoxysilane, diethyl-di-iso-propoxysilane, diethyl-di-n-butoxysilane, diethyl-di-sec-butoxysilane, diethyl-di-te
rt-butoxysilane, diethyldiphenoxysilane,
Di-n-propyldimethoxysilane, di-n-propyldiethoxysilane, di-n-propyl-di-n-propoxysilane, di-n-propyl-di-iso-propoxysilane, di-n-propyl-di -N-butoxysilane, di-n-propyl-di-sec-butoxysilane,
Di-n-propyl-di-tert-butoxysilane, di-n-propyl-di-phenoxysilane, di-iso-
Propyldimethoxysilane, di-iso-propyldiethoxysilane, di-iso-propyl-di-n-propoxysilane, di-iso-propyl-di-iso-propoxysilane, di-iso-propyl-di-n-butoxy. Silane, di-iso-propyl-di-sec-butoxysilane, di-iso-propyl-di-tert-butoxysilane, di-iso-propyl-di-phenoxysilane, di-n-butyldimethoxysilane, di-n -Butyldiethoxysilane, di-n-butyl-di-n-propoxysilane, di-n-butyl-di-iso-propoxysilane, di-n-butyl-di-n-butoxysilane, di-n-butyl -Di-sec-butoxysilane, di-n-
Butyl-di-tert-butoxysilane, di-n-butyl-di-phenoxysilane, di-sec-butyldimethoxysilane, di-sec-butyldiethoxysilane, di-sec-butyl-di-n-propoxysilane, The-s
ec-butyl-di-iso-propoxysilane, di-s
ec-butyl-di-n-butoxysilane, di-sec-
Butyl-di-sec-butoxysilane, di-sec-butyl-di-tert-butoxysilane, di-sec-butyl-di-phenoxysilane, di-tert-butyldimethoxysilane, di-tert-butyldiethoxysilane, Di-tert-butyl-di-n-propoxysilane, di-tert-butyl-di-iso-propoxysilane, di-tert-butyl-di-n-butoxysilane, di-tert-butyl-di-sec-butoxy Silane, di-tert-butyl-di-tert-butoxysilane, di-tert-butyl-di-phenoxysilane,
Diphenyldimethoxysilane, diphenyl-di-ethoxysilane, diphenyl-di-n-propoxysilane, diphenyl-di-iso-propoxysilane, diphenyl-di-n-butoxysilane, diphenyl-di-sec-
Butoxysilane, diphenyl-di-tert-butoxysilane, diphenyldiphenoxysilane, divinyltrimethoxysilane and the like;

【0011】化合物(1)として好ましい化合物は、メ
チルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、
メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルトリ−is
o−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシ
シラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキ
シシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメ
トキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどであ
る。これらは、1種あるいは2種以上を同時に使用して
もよい。
Preferred compounds as the compound (1) are methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane,
Methyltri-n-propoxysilane, methyltri-is
o-propoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane,
Examples thereof include vinyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, and diphenyldiethoxysilane. These may be used either individually or in combination of two or more.

【0012】化合物(2);上記一般式(2)におい
て、R2 で表される1価の有機基としては、先の一般式
(1)と同様な有機基を挙げることができる。一般式
(2)で表される化合物の具体例としては、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロ
ポキシシラン、テトラ−iso−プロポキシシラン、テ
トラ−n−ブトキシラン、テトラ−sec−ブトキシシ
ラン、テトラ−tert−ブトキシシラン、テトラフェ
ノキシシランなどが挙げられる。
Compound (2): In the above general formula (2), examples of the monovalent organic group represented by R 2 include the same organic groups as in the above general formula (1). Specific examples of the compound represented by the general formula (2) include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-iso-propoxysilane, tetra-n-butoxylan and tetra-sec-butoxysilane. , Tetra-tert-butoxysilane, tetraphenoxysilane and the like.

【0013】化合物(3);上記一般式(3)におい
て、R3 〜R6 で表される1価の有機基としては、先の
一般式(1)と同様な有機基を挙げることができる。一
般式(3)のうち、R7 が酸素原子の化合物としては、
ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキ
サン、ヘキサフェノキシジシロキサン、1,1,1,
3,3−ペンタメトキシ−3−メチルジシロキサン、
1,1,1,3,3−ペンタエトキシ−3−メチルジシ
ロキサン、1,1,1,3,3−ペンタフェノキシ−3
−メチルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタメ
トキシ−3−エチルジシロキサン、1,1,1,3,3
−ペンタエトキシ−3−エチルジシロキサン、1,1,
1,3,3−ペンタフェノキシ−3−エチルジシロキサ
ン、1,1,1,3,3−ペンタメトキシ−3−フェニ
ルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタエトキシ
−3−フェニルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペ
ンタフェノキシ−3−フェニルジシロキサン、1,1,
3,3−テトラメトキシ−1,3−ジメチルジシロキサ
ン、1,1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジメチ
ルジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェノキシ−
1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テト
ラメトキシ−1,3−ジエチルジシロキサン、1,1,
3,3−テトラエトキシ−1,3−ジエチルジシロキサ
ン、1,1,3,3−テトラフェノキシ−1,3−ジエ
チルジシロキサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−
1,3−ジフェニルジシロキサン、1,1,3,3−テ
トラエトキシ−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,
1,3,3−テトラフェノキシ−1,3−ジフェニルジ
シロキサン、1,1,3−トリメトキシ−1,3,3−
トリメチルジシロキサン、1,1,3−トリエトキシ−
1,3,3−トリメチルジシロキサン、1,1,3−ト
リフェノキシ−1,3,3−トリメチルジシロキサン、
1,1,3−トリメトキシ−1,3,3−トリエチルジ
シロキサン、、1,1,3−トリエトキシ−1,3,3
−トリエチルジシロキサン、、1,1,3−トリフェノ
キシ−1,3,3−トリエチルジシロキサン、、1,
1,3−トリメトキシ−1,3,3−トリフェニルジシ
ロキサン、1,1,3−トリエトキシ−1,3,3−ト
リフェニルジシロキサン、1,1,3−トリフェノキシ
−1,3,3−トリフェニルジシロキサン、1,3−ジ
メトキシ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサ
ン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサン、1,3−ジフェノキシ−1,1,3,
3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−
1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン、1,3−
ジエトキシ−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサ
ン、1,3−ジフェノキシ−1,1,3,3−テトラエ
チルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,3,
3−テトラフェニルジシロキサン、1,3−ジエトキシ
−1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサン、1,
3−ジフェノキシ−1,1,3,3−テトラフェニルジ
シロキサンなどを挙げることができる。
Compound (3): In the above general formula (3), examples of the monovalent organic group represented by R 3 to R 6 include the same organic groups as in the above general formula (1). . In the general formula (3), as the compound in which R 7 is an oxygen atom,
Hexamethoxydisiloxane, hexaethoxydisiloxane, hexaphenoxydisiloxane, 1,1,1,
3,3-pentamethoxy-3-methyldisiloxane,
1,1,1,3,3-pentaethoxy-3-methyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaphenoxy-3
-Methyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentamethoxy-3-ethyldisiloxane, 1,1,1,3,3
-Pentaethoxy-3-ethyldisiloxane, 1,1,
1,3,3-Pentaphenoxy-3-ethyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentamethoxy-3-phenyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaethoxy-3-phenyl Disiloxane, 1,1,1,3,3-pentaphenoxy-3-phenyldisiloxane, 1,1,
3,3-Tetramethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraphenoxy-
1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diethyldisiloxane, 1,1,
3,3-tetraethoxy-1,3-diethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraphenoxy-1,3-diethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-
1,3-diphenyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,
1,3,3-tetraphenoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,1,3-trimethoxy-1,3,3-
Trimethyldisiloxane, 1,1,3-triethoxy-
1,3,3-trimethyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3-trimethyldisiloxane,
1,1,3-trimethoxy-1,3,3-triethyldisiloxane, 1,1,3-triethoxy-1,3,3
-Triethyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3-triethyldisiloxane, 1,
1,3-trimethoxy-1,3,3-triphenyldisiloxane, 1,1,3-triethoxy-1,3,3-triphenyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3 -Triphenyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diphenoxy- 1, 1, 3,
3-tetramethyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-
1,1,3,3-tetraethyldisiloxane, 1,3-
Diethoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxane, 1,3-diphenoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3
3-tetraphenyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane, 1,
Examples thereof include 3-diphenoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane.

【0014】これらのうち、ヘキサメトキシジシロキサ
ン、ヘキサエトキシジシロキサン、1,1,3,3−テ
トラメトキシ−1,3−ジメチルジシロキサン、1,
1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジメチルジシロ
キサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−ジ
フェニルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジエトキ
シ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,
3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラフェニルジシ
ロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−テト
ラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げ
ることができる。
Of these, hexamethoxydisiloxane, hexaethoxydisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,
1,3,3-tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,
3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,
Preferred examples include 3-dimethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane and 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane.

【0015】また、一般式(3)において、dが0の化
合物としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキ
シジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、1,1,1,
2,2−ペンタメトキシ−2−メチルジシラン、1,
1,1,2,2−ペンタエトキシ−2−メチルジシラ
ン、1,1,1,2,2−ペンタフェノキシ−2−メチ
ルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタメトキシ−2
−エチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタエトキ
シ−2−エチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタ
フェノキシ−2−エチルジシラン、1,1,1,2,2
−ペンタメトキシ−2−フェニルジシラン、1,1,
1,2,2−ペンタエトキシ−2−フェニルジシラン、
1,1,1,2,2−ペンタフェノキシ−2−フェニル
ジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,2−
ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラエトキシ−
1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラフ
ェノキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2
−テトラメトキシ−1,2−ジエチルジシラン、1,
1,2,2−テトラエトキシ−1,2−ジエチルジシラ
ン、1,1,2,2−テトラフェノキシ−1,2−ジエ
チルジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,
2−ジフェニルジシラン、1,1,2,2−テトラエト
キシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,1,2,2−
テトラフェノキシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,
1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリメチルジシラ
ン、1,1,2−トリエトキシ−1,2,2−トリメチ
ルジシラン、1,1,2−トリフェノキシ−1,2,2
−トリメチルジシラン、1,1,2−トリメトキシ−
1,2,2−トリエチルジシラン、、1,1,2−トリ
エトキシ−1,2,2−トリエチルジシラン、、1,
1,2−トリフェノキシ−1,2,2−トリエチルジシ
ラン、、1,1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリ
フェニルジシラン、1,1,2−トリエトキシ−1,
2,2−トリフェニルジシラン、、1,1,2−トリフ
ェノキシ−1,2,2−トリフェニルジシラン、1,2
−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラメチルジシラ
ン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テトラメチ
ルジシラン、1,2−ジフェノキシ−1,1,2,2−
テトラメチルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,
2,2−テトラエチルジシラン、1,2−ジエトキシ−
1,1,2,2−テトラエチルジシラン、1,2−ジフ
ェノキシ−1,1,2,2−テトラエチルジシラン、
1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラフェニル
ジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テト
ラフェニルジシラン、1,2−ジフェノキシ−1,1,
2,2−テトラフェニルジシランなどを挙げることがで
きる。
Further, in the general formula (3), as the compound in which d is 0, hexamethoxydisilane, hexaethoxydisilane, hexaphenoxydisilane, 1,1,1,
2,2-pentamethoxy-2-methyldisilane, 1,
1,1,2,2-pentaethoxy-2-methyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-methyldisilane, 1,1,1,2,2-pentamethoxy-2
-Ethyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaethoxy-2-ethyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-ethyldisilane, 1,1,1,2,2
-Pentamethoxy-2-phenyldisilane, 1,1,
1,2,2-pentaethoxy-2-phenyldisilane,
1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-phenyldisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,2-
Dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-
1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraphenoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2
-Tetramethoxy-1,2-diethyldisilane, 1,
1,2,2-tetraethoxy-1,2-diethyldisilane, 1,1,2,2-tetraphenoxy-1,2-diethyldisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,
2-diphenyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,1,2,2-
Tetraphenoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,
1,2-trimethoxy-1,2,2-trimethyldisilane, 1,1,2-triethoxy-1,2,2-trimethyldisilane, 1,1,2-triphenoxy-1,2,2
-Trimethyldisilane, 1,1,2-trimethoxy-
1,2,2-triethyldisilane, 1,1,2-triethoxy-1,2,2-triethyldisilane, 1,
1,2-triphenoxy-1,2,2-triethyldisilane, 1,1,2-trimethoxy-1,2,2-triphenyldisilane, 1,1,2-triethoxy-1,
2,2-triphenyldisilane, 1,1,2-triphenoxy-1,2,2-triphenyldisilane, 1,2
-Dimethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-diphenoxy-1,1,2,2-
Tetramethyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,
2,2-tetraethyldisilane, 1,2-diethoxy-
1,1,2,2-tetraethyldisilane, 1,2-diphenoxy-1,1,2,2-tetraethyldisilane,
1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane, 1,2-diphenoxy-1,1,
2,2-tetraphenyldisilane etc. can be mentioned.

【0016】これらのうち、ヘキサメトキシジシラン、
ヘキサエトキシジシラン、1,1,2,2−テトラメト
キシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テ
トラエトキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,
2,2−テトラメトキシ−1,2−ジフェニルジシラ
ン、1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラメチ
ルジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テ
トラメチルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,
2,2−テトラフェニルジシラン、1,2−ジエトキシ
−1,1,2,2−テトラフェニルジシランなどを、好
ましい例として挙げることができる。
Of these, hexamethoxydisilane,
Hexaethoxydisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,
2,2-tetramethoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,
Preferred examples include 2,2-tetraphenyldisilane and 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane.

【0017】さらに、一般式(3)において、R7 が−
(CH2n −で表される基の化合物としては、ビス
(トリメトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシ
リル)メタン、ビス(トリ−n−プロポキシシリル)メ
タン、ビス(トリ−i−プロポキシシリル)メタン、ビ
ス(トリ−n−ブトキシシリル)メタン、ビス(トリ−
sec−ブトキシシリル)メタン、ビス(トリ−t−ブ
トキシシリル)メタン、1,2−ビス(トリメトキシシ
リル)エタン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)エタ
ン、1,2−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)エタ
ン、1−(ジメトキシメチルシリル)−1−(トリメト
キシシリル)メタン、1−(ジエトキシメチルシリル)
−1−(トリエトキシシリル)メタン、1−(ジ−n−
プロポキシメチルシリル)−1−(トリ−n−プロポキ
シシリル)メタン、1−(ジ−i−プロポキシメチルシ
リル)−1−(トリ−i−プロポキシシリル)メタン、
1−(ジ−n−ブトキシメチルシリル)−1−(トリ−
n−ブトキシシリル)メタン、1−(ジ−sec−ブト
キシメチルシリル)−1−(トリ−sec−ブトキシシ
リル)メタン、1−(ジ−t−ブトキシメチルシリル)
−1−(トリ−t−ブトキシシリル)メタン、1−(ジ
メトキシメチルシリル)−2−(トリメトキシシリル)
エタン、1−(ジエトキシメチルシリル)−2−(トリ
エトキシシリル)エタン、1−(ジ−n−プロポキシメ
チルシリル)−2−(トリ−n−プロポキシシリル)エ
タン、1−(ジ−i−プロポキシメチルシリル)−2−
(トリ−i−プロポキシシリル)エタン、1−(ジ−n
−ブトキシメチルシリル)−2−(トリ−n−ブトキシ
シリル)エタン、1−(ジ−sec−ブトキシメチルシ
リル)−2−(トリ−sec−ブトキシシリル)エタ
ン、1−(ジ−t−ブトキシメチルシリル)−2−(ト
リ−t−ブトキシシリル)エタン、ビス(ジメトキシメ
チルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)
メタン、ビス(ジ−n−プロポキシメチルシリル)メタ
ン、ビス(ジ−i−プロポキシメチルシリル)メタン、
ビス(ジ−n−ブトキシメチルシリル)メタン、ビス
(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)メタン、ビス
(ジ−t−ブトキシメチルシリル)メタン、1,2−ビ
ス(ジメトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス
(ジエトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(ジ
−n−プロポキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス
(ジ−i−プロポキシメチルシリル)エタン、1,2−
ビス(ジ−n−ブトキシメチルシリル)エタン、1,2
−ビス(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)エタン、
1,2−ビス(ジ−t−ブトキシメチルシリル)エタ
ン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,2
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
2−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,2−ビス(トリ-t- ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,3
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
3−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
4−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)ベンゼ
ンなど挙げることができる。
Further, in the general formula (3), R 7 is-
(CH 2) n - Examples of the compound group represented by bis (trimethoxysilyl) methane, bis (triethoxysilyl) methane, bis (tri -n- propoxy) methane, bis (tri -i- propoxy Silyl) methane, bis (tri-n-butoxysilyl) methane, bis (tri-
sec-butoxysilyl) methane, bis (tri-t-butoxysilyl) methane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri- n-propoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri-i-propoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri-n-butoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri-sec-butoxysilyl) Ethane, 1,2-bis (tri-t-butoxysilyl) ethane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -1- (trimethoxysilyl) methane, 1- (diethoxymethylsilyl)
-1- (triethoxysilyl) methane, 1- (di-n-
Propoxymethylsilyl) -1- (tri-n-propoxysilyl) methane, 1- (di-i-propoxymethylsilyl) -1- (tri-i-propoxysilyl) methane,
1- (di-n-butoxymethylsilyl) -1- (tri-
n-butoxysilyl) methane, 1- (di-sec-butoxymethylsilyl) -1- (tri-sec-butoxysilyl) methane, 1- (di-t-butoxymethylsilyl)
-1- (tri-t-butoxysilyl) methane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -2- (trimethoxysilyl)
Ethane, 1- (diethoxymethylsilyl) -2- (triethoxysilyl) ethane, 1- (di-n-propoxymethylsilyl) -2- (tri-n-propoxysilyl) ethane, 1- (di-i -Propoxymethylsilyl) -2-
(Tri-i-propoxysilyl) ethane, 1- (di-n
-Butoxymethylsilyl) -2- (tri-n-butoxysilyl) ethane, 1- (di-sec-butoxymethylsilyl) -2- (tri-sec-butoxysilyl) ethane, 1- (di-t-butoxy Methylsilyl) -2- (tri-t-butoxysilyl) ethane, bis (dimethoxymethylsilyl) methane, bis (diethoxymethylsilyl)
Methane, bis (di-n-propoxymethylsilyl) methane, bis (di-i-propoxymethylsilyl) methane,
Bis (di-n-butoxymethylsilyl) methane, bis (di-sec-butoxymethylsilyl) methane, bis (di-t-butoxymethylsilyl) methane, 1,2-bis (dimethoxymethylsilyl) ethane, 1, 2-bis (diethoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-n-propoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-i-propoxymethylsilyl) ethane, 1,2-
Bis (di-n-butoxymethylsilyl) ethane, 1,2
-Bis (di-sec-butoxymethylsilyl) ethane,
1,2-bis (di-t-butoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) benzene,
1,2-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,2
-Bis (tri-n-propoxysilyl) benzene, 1,
2-bis (tri-i-propoxysilyl) benzene,
1,2-bis (tri-n-butoxysilyl) benzene,
1,2-bis (tri-sec-butoxysilyl) benzene, 1,2-bis (tri-t-butoxysilyl) benzene, 1,3-bis (trimethoxysilyl) benzene,
1,3-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,3
-Bis (tri-n-propoxysilyl) benzene, 1,
3-bis (tri-i-propoxysilyl) benzene,
1,3-bis (tri-n-butoxysilyl) benzene,
1,3-bis (tri-sec-butoxysilyl) benzene, 1,3-bis (tri-t-butoxysilyl) benzene, 1,4-bis (trimethoxysilyl) benzene,
1,4-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,4
-Bis (tri-n-propoxysilyl) benzene, 1,
4-bis (tri-i-propoxysilyl) benzene,
1,4-bis (tri-n-butoxysilyl) benzene,
Examples thereof include 1,4-bis (tri-sec-butoxysilyl) benzene and 1,4-bis (tri-t-butoxysilyl) benzene.

【0018】これらのうち、ビス(トリメトキシシリ
ル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、1,
2−ビス(トリメトキシシリル)エタン、1,2−ビス
(トリエトキシシリル)エタン、1−(ジメトキシメチ
ルシリル)−1−(トリメトキシシリル)メタン、1−
(ジエトキシメチルシリル)−1−(トリエトキシシリ
ル)メタン、1−(ジメトキシメチルシリル)−2−
(トリメトキシシリル)エタン、1−(ジエトキシメチ
ルシリル)−2−(トリエトキシシリル)エタン、ビス
(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシ
メチルシリル)メタン、1,2−ビス(ジメトキシメチ
ルシリル)エタン、1,2−ビス(ジエトキシメチルシ
リル)エタン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)ベ
ンゼン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4
−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス
(トリエトキシシリル)ベンゼンなどを好ましい例とし
て挙げることができる。
Of these, bis (trimethoxysilyl) methane, bis (triethoxysilyl) methane, 1,
2-bis (trimethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -1- (trimethoxysilyl) methane, 1-
(Diethoxymethylsilyl) -1- (triethoxysilyl) methane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -2-
(Trimethoxysilyl) ethane, 1- (diethoxymethylsilyl) -2- (triethoxysilyl) ethane, bis (dimethoxymethylsilyl) methane, bis (diethoxymethylsilyl) methane, 1,2-bis (dimethoxymethyl) (Silyl) ethane, 1,2-bis (diethoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,2-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,3-bis (trimethoxysilyl) )benzene,
1,3-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,4
Preferred examples include -bis (trimethoxysilyl) benzene and 1,4-bis (triethoxysilyl) benzene.

【0019】本発明において、(A)成分を構成する化
合物(1)〜(3)としては、上記化合物(1)、
(2)および(3)の1種もしくは2種以上を用いるこ
とができる。
In the present invention, as the compounds (1) to (3) constituting the component (A), the above compound (1),
One or more of (2) and (3) can be used.

【0020】なお、上記(A)成分を加水分解、縮合さ
せる際に、(A)成分の総量1モル当たり20モルを越
え150モル以下の水を用いることが好ましく、20モ
ルを越え130モルの水を加えることが特に好ましい。
添加する水の量が20モル以下であると塗膜の耐クラッ
ク性が劣る場合があり、150モルを越えると加水分解
および縮合反応中のポリマーの析出やゲル化が生じる場
合がある。
When the component (A) is hydrolyzed and condensed, it is preferable to use more than 20 mol and not more than 150 mol of water per mol of the total amount of the component (A), preferably more than 20 mol and 130 mol. It is particularly preferred to add water.
If the amount of water added is 20 mol or less, the crack resistance of the coating film may be inferior, and if it exceeds 150 mol, polymer precipitation or gelation may occur during the hydrolysis and condensation reactions.

【0021】本発明において、上記化合物(1)〜
(3)の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物
を加水分解、縮合させる際に、アルカリ触媒を用いるこ
とが特に好ましい。アルカリ触媒を用いることにより、
低比誘電率のシリカ系膜を得ることができる。本発明で
使用することのできるアルカリ触媒としては、例えば、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、
ピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリ
ジン、ピコリン、モノエタノールアミン、ジエタノール
アミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジ
エタノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシ
クロオクタン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロ
ウンデセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド、
テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テト
ラブチルアンモニウムハイドロオキサイド、アンモニ
ア、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブ
チルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ペンチ
ルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミ
ン、N,N−ジメチルアミン、N,N−ジエチルアミ
ン、N,N−ジプロピルアミン、N,N−ジブチルアミ
ン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピ
ルアミン、トリブチルアミン、シクロヘキシルアミン、
トリメチルイミジン、1−アミノ−3−メチルブタン、
ジメチルグリシン、3−アミノ−3−メチルアミンなど
を挙げることができ、好ましい例としてアンモニア、1
〜3級アルキルアミン、テトラアルキルアンモニウムハ
イドロオキサイド、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、特に好ましくは1〜3級アルキルアミン、テトラア
ルキルアンモニウムハイドロオキサイドがシリカ系膜の
基板への密着性の点から特に好ましい。これらのアルカ
リ触媒は1種あるいは2種以上を同時に使用しても良
い。
In the present invention, the compounds (1) to
It is particularly preferable to use an alkali catalyst when hydrolyzing and condensing at least one silane compound selected from the group (3). By using an alkaline catalyst,
A silica-based film having a low relative dielectric constant can be obtained. Examples of the alkali catalyst that can be used in the present invention include:
Sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide,
Pyridine, pyrrole, piperazine, pyrrolidine, piperidine, picoline, monoethanolamine, diethanolamine, dimethylmonoethanolamine, monomethyldiethanolamine, triethanolamine, diazabicyclooctane, diazabicyclononane, diazabicycloundecene, tetramethylammonium hydro Oxide, tetraethylammonium hydroxide,
Tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, ammonia, methylamine, ethylamine, propylamine, butylamine, pentylamine, hexylamine, pentylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, N, N-dimethylamine, N, N -Diethylamine, N, N-dipropylamine, N, N-dibutylamine, trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, tributylamine, cyclohexylamine,
Trimethylimidine, 1-amino-3-methylbutane,
Dimethylglycine, 3-amino-3-methylamine and the like can be mentioned, and preferred examples are ammonia, 1
To tertiary alkylamine, tetraalkylammonium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, particularly preferably primary to tertiary alkylamine and tetraalkylammonium hydroxide are particularly preferable from the viewpoint of adhesion of the silica-based film to the substrate. . These alkali catalysts may be used either individually or in combination of two or more.

【0022】上記アルカリ触媒の使用量は、化合物
(1)〜(3)中のR1 O−基,R2 O−基,R4 O−
基およびR5 O−基で表される基の総量1モルに対し
て、通常、0.00001〜10モル、好ましくは0.
00005〜5モルである。アルカリ触媒の使用量が上
記範囲内であれば、反応中のポリマーの析出やゲル化の
恐れが少ない。
The amount of the above-mentioned alkali catalyst used is such that R 1 O-group, R 2 O-group and R 4 O-in the compounds (1) to (3).
The total amount to 1 mole of the group represented by group and R 5 O-group, typically, 0.00001 mol, preferably 0.
It is from 00005 to 5 mol. When the amount of the alkali catalyst used is within the above range, there is little risk of polymer precipitation or gelation during the reaction.

【0023】このようにして得られる加水分解縮合物の
慣性半径は、GPC(屈折率,粘度,光散乱測定)法に
よる慣性半径で、好ましくは5〜50nm、さらに好ま
しくは8〜40nm、特に好ましくは9〜20nmであ
る。加水分解縮合物の慣性半径が5〜50nmである
と、得られるシリカ系膜の比誘電率、弾性率および膜の
均一性に特に優れるものとできる。また、このようにし
て得られる加水分解縮合物は、粒子状の形態をとってい
ないことにより、基板状への塗布性が優れるという特徴
を有している。粒子状の形態をとっていないことは、例
えば透過型電子顕微鏡観察(TEM)により確認され
る。
The radius of gyration of the hydrolyzed condensate thus obtained is a radius of gyration by GPC (refractive index, viscosity, light scattering measurement) method, preferably 5 to 50 nm, more preferably 8 to 40 nm, and particularly preferably. Is 9 to 20 nm. When the radius of gyration of the hydrolyzed condensate is 5 to 50 nm, the obtained silica-based film can have particularly excellent relative permittivity, elastic modulus, and film uniformity. Further, the hydrolyzed condensate thus obtained is characterized in that it is not in the form of particles and thus has excellent coatability on a substrate. The fact that it does not have a particulate form is confirmed by, for example, transmission electron microscope observation (TEM).

【0024】なお、(A)成分中、各成分を完全加水分
解縮合物に換算したときに、化合物(2)は、化合物
(1)〜(3)の総量中、5〜75重量%、好ましくは
10〜70重量%、さらに好ましくは15〜70重量%
である。また、化合物(1)および/または(3)は、
化合物(1)〜(3)の総量中、95〜25重量%、好
ましくは90〜30重量%、さらに好ましくは85〜3
0重量%である。化合物(2)が、化合物(1)〜
(3)の総量中、5〜75重量%であることが、得られ
る塗膜の弾性率が高く、かつ低誘電性に特に優れる。こ
こで、本発明において、完全加水分解縮合物とは、化合
物(1)〜(3)中のR1O−基、R2O−基、R4O−
基およびR5O−基が100%加水分解してSiOH基
となり、さらに完全に縮合してシロキサン構造となった
ものをいう。また、(A)成分としては、得られる組成
物の貯蔵安定性がより優れるので、化合物(1)および
化合物(2)の加水分解縮合物であることが好ましい。
In the component (A), when each component is converted into a complete hydrolysis-condensation product, the compound (2) is contained in the total amount of the compounds (1) to (3), preferably 5 to 75% by weight. Is 10 to 70% by weight, more preferably 15 to 70% by weight
Is. Further, the compound (1) and / or (3) is
In the total amount of the compounds (1) to (3), 95 to 25% by weight, preferably 90 to 30% by weight, more preferably 85 to 3% by weight.
It is 0% by weight. Compound (2) is compound (1)-
When it is 5 to 75% by weight in the total amount of (3), the elastic modulus of the obtained coating film is high and the low dielectric property is particularly excellent. Here, in the present invention, the complete hydrolysis-condensation product means the R 1 O— group, R 2 O— group and R 4 O— in the compounds (1) to (3).
Group and R 5 O-group is 100% hydrolyzed to SiOH groups, more fully condensed it refers to became siloxane structure. Further, the component (A) is preferably a hydrolysis-condensation product of the compound (1) and the compound (2), because the storage stability of the obtained composition is more excellent.

【0025】さらに、加水分解縮合物では、化合物
(1)〜(3)の群から選ばれた少なくとも1種を、ア
ルカリ触媒の存在下に加水分解・縮合して、加水分解縮
合物とし、好ましくはその慣性半径を5〜50nmとな
すが、その後、組成物のpHを7以下に調整することが
好ましい。pHを調整する方法としては、 pH調整剤を添加する方法、 常圧または減圧下で、組成物中よりアルカリ触媒を留
去する方法、 窒素、アルゴンなどのガスをバブリングすることによ
り、組成物中からアルカリ触媒を除去する方法、 イオン交換樹脂により、組成物中からアルカリ触媒を
除く方法、 抽出や洗浄によってアルカリ触媒を系外に除去する方
法、などが挙げられる。これらの方法は、それぞれ、組
み合わせて用いてもよい。
Further, in the hydrolysis-condensation product, at least one selected from the group of compounds (1) to (3) is hydrolyzed and condensed in the presence of an alkali catalyst to give a hydrolysis-condensation product, preferably Has a radius of gyration of 5 to 50 nm, and then the pH of the composition is preferably adjusted to 7 or less. As a method of adjusting the pH, a method of adding a pH adjuster, a method of distilling an alkali catalyst from the composition under normal pressure or a reduced pressure, and a method of bubbling a gas such as nitrogen or argon in the composition And the like, a method of removing the alkali catalyst from the composition with an ion exchange resin, a method of removing the alkali catalyst from the system by extraction or washing, and the like. Each of these methods may be used in combination.

【0026】ここで、上記pH調整剤としては、無機酸
や有機酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩
酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸、シュウ酸な
どを挙げることができる。また、有機酸としては、例え
ば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキ
サン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン
酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン
酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキ
ドン酸、シキミ酸、2−エチルヘキサン酸、オレイン
酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチ
ル酸、安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−トルエンス
ルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジク
ロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、
マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン
酸、酒石酸、コハク酸、フマル酸、イタコン酸、メサコ
ン酸、シトラコン酸、リンゴ酸、グルタル酸、無水マレ
イン酸の加水分解物、無水フタル酸の加水分解物などを
挙げることができる。これら化合物は、1種あるいは2
種以上を同時に使用してもよい。
Here, examples of the pH adjusting agent include inorganic acids and organic acids. Examples of the inorganic acid include hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, boric acid, oxalic acid and the like. Examples of the organic acid include acetic acid, propionic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, oxalic acid, maleic acid, methylmalonic acid, adipic acid, sebacic acid. , Gallic acid, butyric acid, mellitic acid, arachidonic acid, shikimic acid, 2-ethylhexanoic acid, oleic acid, stearic acid, linoleic acid, linoleic acid, salicylic acid, benzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-toluenesulfonic acid, Benzenesulfonic acid, monochloroacetic acid, dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid, formic acid,
Malonic acid, sulfonic acid, phthalic acid, fumaric acid, citric acid, tartaric acid, succinic acid, fumaric acid, itaconic acid, mesaconic acid, citraconic acid, malic acid, glutaric acid, maleic anhydride hydrolyzate, phthalic anhydride Hydrolyzate and the like can be mentioned. These compounds are 1 type or 2 types.
More than one species may be used simultaneously.

【0027】上記pH調整剤による組成物のpHは、7
以下、好ましくは1〜6に調整される。このように、加
水分解縮合物の慣性半径を5万〜1,000万となした
のち、上記pH調整剤により上記範囲内にpHを調整す
ることにより、得られる組成物の貯蔵安定性が向上する
という効果が得られる。pH調整剤の使用量は、組成物
のpHが上記範囲内となる量であり、その使用量は、適
宜選択される。
The pH of the composition prepared by the above pH adjusting agent is 7
Hereinafter, it is preferably adjusted to 1 to 6. In this way, the storage stability of the obtained composition is improved by adjusting the pH of the hydrolysis-condensation product to 50,000 to 10,000,000 and then adjusting the pH within the above range with the above pH adjusting agent. The effect of doing is obtained. The pH adjuster is used in such an amount that the pH of the composition falls within the above range, and the amount used is appropriately selected.

【0028】(B)成分 本発明に使用する(B)成分は、アンモニウム塩、1〜
4級アルキルアンモニウム塩の群から選ばれる少なくと
も1種である。(B)成分を組成物中に特定量含有する
ことで組成物の保存安定性が向上する。
Component (B) The component (B) used in the present invention is an ammonium salt, 1 to
It is at least one selected from the group of quaternary alkyl ammonium salts. By containing the component (B) in a specific amount in the composition, the storage stability of the composition is improved.

【0029】かかる(B)成分としては、アンモニア有
機酸塩、アンモニウムハイドロオキサイド、アンモニア
硝酸塩、1〜4級アルキルアミン有機酸塩、1〜4級ア
ルキルアンモニウムハイドロオキサイド、1〜4級アル
キルアミン硝酸塩を挙げることが出来る。
As the component (B), ammonia organic acid salt, ammonium hydroxide, ammonia nitrate, primary to quaternary alkylamine organic acid salt, primary to quaternary alkylammonium hydroxide, and primary to quaternary alkylamine nitrate are used. I can name it.

【0030】(B)成分の具体例としては、例えばアン
モニア酢酸塩、アンモニアプロピオン酸塩、アンモニア
ブタン酸塩、アンモニアペンタン酸塩、アンモニアヘキ
サン酸塩、アンモニアヘプタン酸塩、アンモニアオクタ
ン酸塩、アンモニアノナン酸塩、アンモニアデカン酸
塩、アンモニアシュウ酸塩、アンモニアマレイン酸塩、
アンモニアメチルマロン酸塩、アンモニアアジピン酸
塩、アンモニアセバシン酸塩、アンモニア没食子酸塩、
アンモニア酪酸塩、アンモニアメリット酸塩、アンモニ
アアラキドン酸塩、アンモニアシキミ酸塩、アンモニア
2−エチルヘキサン酸塩、アンモニアオレイン酸塩、ア
ンモニアステアリン酸塩、アンモニアリノール酸塩、ア
ンモニアリノレイン酸塩、アンモニアサリチル酸塩、ア
ンモニア安息香酸塩、アンモニアp−アミノ安息香酸
塩、アンモニアp−トルエンスルホン酸塩、アンモニア
ベンゼンスルホン酸塩、アンモニアモノクロロ酢酸塩、
アンモニアジクロロ酢酸塩、アンモニアトリクロロ酢酸
塩、アンモニアトリフルオロ酢酸塩、アンモニアギ酸
塩、アンモニアマロン酸塩、アンモニアスルホン酸塩、
アンモニアフタル酸塩、アンモニアフマル酸塩、アンモ
ニアクエン酸塩、アンモニア酒石酸塩、アンモニアコハ
ク酸塩、アンモニアフマル酸塩、アンモニアイタコン酸
塩、アンモニアメサコン酸塩、アンモニアシトラコン酸
塩、アンモニアリンゴ酸塩、アンモニアグルタル酸塩、
アンモニウムハイドロオキサイド、アンモニア硝酸塩、
(モノ、ジ、トリ)メチルアミン酢酸塩、(モノ、ジ、
トリ)メチルアミンプロピオン酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)メチルアミンブタン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチ
ルアミンペンタン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミ
ンヘキサン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミンヘプ
タン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミンオクタン酸
塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミンノナン酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)メチルアミンデカン酸塩、(モノ、ジ、
トリ)メチルアミンシュウ酸塩、(モノ、ジ、トリ)メ
チルアミンマレイン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルア
ミンメチルマロン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミ
ンアジピン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミンセバ
シン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミン没食子酸
塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミン酪酸塩、(モノ、
ジ、トリ)メチルアミンメリット酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)メチルアミンアラキドン酸塩、(モノ、ジ、トリ)
メチルアミンシキミ酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルア
ミン2−エチルヘキサン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチ
ルアミンオレイン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミ
ンステアリン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミンリ
ノール酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミンリノレイ
ン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミンサリチル酸
塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミン安息香酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)メチルアミンp−アミノ安息香酸塩、
(モノ、ジ、トリ)メチルアミンp−トルエンスルホン
酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミンベンゼンスルホ
ン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミンモノクロロ酢
酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミンジクロロ酢酸
塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミントリクロロ酢酸
塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミントリフルオロ酢酸
塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミンギ酸塩、(モノ、
ジ、トリ)メチルアミンマロン酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)メチルアミンスルホン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メ
チルアミンフタル酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミ
ンフマル酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミンクエン
酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミン酒石酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)メチルアミンコハク酸塩、(モノ、ジ、
トリ)メチルアミンフマル酸塩、(モノ、ジ、トリ)メ
チルアミンイタコン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルア
ミンメサコン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミンシ
トラコン酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミンリンゴ
酸塩、(モノ、ジ、トリ)メチルアミングルタル酸塩、
(モノ、ジ、トリ)メチルアンモニウムハイドロオキサ
イド、(モノ、ジ、トリ)メチルアミン硝酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)エチルアミン酢酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)エチルアミンプロピオン酸塩、(モノ、ジ、トリ)
エチルアミンブタン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルア
ミンペンタン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミンヘ
キサン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミンヘプタン
酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミンオクタン酸塩、
(モノ、ジ、トリ)エチルアミンノナン酸塩、(モノ、
ジ、トリ)エチルアミンデカン酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)エチルアミンシュウ酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチ
ルアミンマレイン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミ
ンメチルマロン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミン
アジピン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミンセバシ
ン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミン没食子酸塩、
(モノ、ジ、トリ)エチルアミン酪酸塩、(モノ、ジ、
トリ)エチルアミンメリット酸塩、(モノ、ジ、トリ)
エチルアミンアラキドン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチ
ルアミンシキミ酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミン
2−エチルヘキサン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルア
ミンオレイン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミンス
テアリン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミンリノー
ル酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミンリノレイン酸
塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミンサリチル酸塩、
(モノ、ジ、トリ)エチルアミン安息香酸塩、(モノ、
ジ、トリ)エチルアミンp−アミノ安息香酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)エチルアミンp−トルエンスルホン酸
塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミンベンゼンスルホン
酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミンモノクロロ酢酸
塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミンジクロロ酢酸塩、
(モノ、ジ、トリ)エチルアミントリクロロ酢酸塩、
(モノ、ジ、トリ)エチルアミントリフルオロ酢酸塩、
(モノ、ジ、トリ)エチルアミンギ酸塩、(モノ、ジ、
トリ)エチルアミンマロン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エ
チルアミンスルホン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルア
ミンフタル酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミンフマ
ル酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミンクエン酸塩、
(モノ、ジ、トリ)エチルアミン酒石酸塩、(モノ、
ジ、トリ)エチルアミンコハク酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)エチルアミンフマル酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチ
ルアミンイタコン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミ
ンメサコン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミンシト
ラコン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミンリンゴ酸
塩、(モノ、ジ、トリ)エチルアミングルタル酸塩、
(モノ、ジ、トリ)エチルアンモニウムハイドロオキサ
イド、(モノ、ジ、トリ)エチルアミン硝酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)プロピルアミン酢酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)プロピルアミンプロピオン酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)プロピルアミンブタン酸塩、(モノ、ジ、トリ)プ
ロピルアミンペンタン酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピ
ルアミンヘキサン酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルア
ミンヘプタン酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミン
オクタン酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンノナ
ン酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンデカン酸
塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンシュウ酸塩、
(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンマレイン酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)プロピルアミンメチルマロン酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)プロピルアミンアジピン酸塩、(モノ、
ジ、トリ)プロピルアミンセバシン酸塩、(モノ、ジ、
トリ)プロピルアミン没食子酸塩、(モノ、ジ、トリ)
プロピルアミン酪酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルア
ミンメリット酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミン
アラキドン酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンシ
キミ酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミン2−エチ
ルヘキサン酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンオ
レイン酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンステア
リン酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンリノール
酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンリノレイン酸
塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンサリチル酸塩、
(モノ、ジ、トリ)プロピルアミン安息香酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)プロピルアミンp−アミノ安息香酸塩、
(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンp−トルエンスルホ
ン酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンベンゼンス
ルホン酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンモノク
ロロ酢酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンジクロ
ロ酢酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミントリクロ
ロ酢酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミントリフル
オロ酢酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンギ酸
塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンマロン酸塩、
(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンスルホン酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)プロピルアミンフタル酸塩、(モノ、
ジ、トリ)プロピルアミンフマル酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)プロピルアミンクエン酸塩、(モノ、ジ、トリ)プ
ロピルアミン酒石酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルア
ミンコハク酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンフ
マル酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンイタコン
酸塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンメサコン酸
塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンシトラコン酸
塩、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミンリンゴ酸塩、
(モノ、ジ、トリ)プロピルアミングルタル酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)プロピルアンモニウムハイドロオキサイ
ド、(モノ、ジ、トリ)プロピルアミン硝酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)ブチルアミン酢酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)ブチルアミンプロピオン酸塩、(モノ、ジ、トリ)
ブチルアミンブタン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルア
ミンペンタン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンヘ
キサン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンヘプタン
酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンオクタン酸塩、
(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンノナン酸塩、(モノ、
ジ、トリ)ブチルアミンデカン酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)ブチルアミンシュウ酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチ
ルアミンマレイン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミ
ンメチルマロン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミン
アジピン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンセバシ
ン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミン没食子酸塩、
(モノ、ジ、トリ)ブチルアミン酪酸塩、(モノ、ジ、
トリ)ブチルアミンメリット酸塩、(モノ、ジ、トリ)
ブチルアミンアラキドン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチ
ルアミンシキミ酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミン
2−エチルヘキサン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルア
ミンオレイン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンス
テアリン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンリノー
ル酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンリノレイン酸
塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンサリチル酸塩、
(モノ、ジ、トリ)ブチルアミン安息香酸塩、(モノ、
ジ、トリ)ブチルアミンp−アミノ安息香酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)ブチルアミンp−トルエンスルホン酸
塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンベンゼンスルホン
酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンモノクロロ酢酸
塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンジクロロ酢酸塩、
(モノ、ジ、トリ)ブチルアミントリクロロ酢酸塩、
(モノ、ジ、トリ)ブチルアミントリフルオロ酢酸塩、
(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンギ酸塩、(モノ、ジ、
トリ)ブチルアミンマロン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブ
チルアミンスルホン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルア
ミンフタル酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンフマ
ル酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンクエン酸塩、
(モノ、ジ、トリ)ブチルアミン酒石酸塩、(モノ、
ジ、トリ)ブチルアミンコハク酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)ブチルアミンフマル酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチ
ルアミンイタコン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミ
ンメサコン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンシト
ラコン酸塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミンリンゴ酸
塩、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミングルタル酸塩、
(モノ、ジ、トリ)ブチルアンモニウムハイドロオキサ
イド、(モノ、ジ、トリ)ブチルアミン硝酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)エタノールアミン酢酸塩、(モノ、ジ、
トリ)エタノールアミンプロピオン酸塩、(モノ、ジ、
トリ)エタノールアミンブタン酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)エタノールアミンペンタン酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)エタノールアミンヘキサン酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)エタノールアミンヘプタン酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)エタノールアミンオクタン酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)エタノールアミンノナン酸塩、(モノ、ジ、トリ)
エタノールアミンデカン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタ
ノールアミンシュウ酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノー
ルアミンマレイン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノール
アミンメチルマロン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノー
ルアミンアジピン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノール
アミンセバシン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールア
ミン没食子酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミン
酪酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミンメリット
酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミンアラキドン
酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミンシキミ酸
塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミン2−エチルヘ
キサン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミンオレ
イン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミンステア
リン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミンリノー
ル酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミンリノレイ
ン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミンサリチル
酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミン安息香酸
塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミンp−アミノ安
息香酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミンp−ト
ルエンスルホン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールア
ミンベンゼンスルホン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノ
ールアミンモノクロロ酢酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタ
ノールアミンジクロロ酢酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタ
ノールアミントリクロロ酢酸塩、(モノ、ジ、トリ)エ
タノールアミントリフルオロ酢酸塩、(モノ、ジ、ト
リ)エタノールアミンギ酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタ
ノールアミンマロン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノー
ルアミンスルホン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノール
アミンフタル酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミ
ンフマル酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミンク
エン酸塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミン酒石酸
塩、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミンコハク酸塩、
(モノ、ジ、トリ)エタノールアミンフマル酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)エタノールアミンイタコン酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)エタノールアミンメサコン酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)エタノールアミンシトラコン酸塩、(モ
ノ、ジ、トリ)エタノールアミンリンゴ酸塩、(モノ、
ジ、トリ)エタノールアミングルタル酸塩、(モノ、
ジ、トリ)エタノールアンモニウムハイドロオキサイ
ド、(モノ、ジ、トリ)エタノールアミン硝酸塩、テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド酢酸塩、テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドプロピオン酸
塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドブタ
ン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
ペンタン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイドヘキサン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドヘプタン酸塩、テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイドオクタン酸塩、テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドノナン酸塩、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドデカン酸塩、テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドシュウ酸塩、テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイドマレイン酸塩、
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドメチルマ
ロン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドアジピン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイドセバシン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド没食子酸塩、テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド酪酸塩、テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイドメリット酸塩、テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドアラキドン酸塩、テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドシキミ酸塩、テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイド2−エチルヘキ
サン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドオレイン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイドステアリン酸塩、テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイドリノール酸塩、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイドリノレイン酸塩、テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイドサリチル酸塩、テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイド安息香酸塩、テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイドp−アミノ
安息香酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イドp−トルエンスルホン酸塩、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイドベンゼンスルホン酸塩、テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイドモノクロロ酢酸
塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドジク
ロロ酢酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イドトリクロロ酢酸塩、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドトリフルオロ酢酸塩、テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイドギ酸塩、テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイドブチルアミンマロン酸塩、
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドスルホン
酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドフ
タル酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドフマル酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイドクエン酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイド酒石酸塩、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドコハク酸塩、テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイドフマル酸塩、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイドイタコン酸塩、テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイドメサコン酸塩、テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドシトラコン酸塩、テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイドリンゴ酸
塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドグル
タル酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド硝酸塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド硝酸
塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド酢酸
塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドプロ
ピオン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサ
イドブタン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオ
キサイドペンタン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドヘキサン酸塩、テトラエチルアンモニウ
ムハイドロオキサイドヘプタン酸塩、テトラエチルアン
モニウムハイドロオキサイドオクタン酸塩、テトラエチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドノナン酸塩、テトラ
エチルアンモニウムハイドロオキサイドデカン酸塩、テ
トラエチルアンモニウムハイドロオキサイドシュウ酸
塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドマレ
イン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドメチルマロン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイド
ロオキサイドアジピン酸塩、テトラエチルアンモニウム
ハイドロオキサイドセバシン酸塩、テトラエチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド没食子酸塩、テトラエチルア
ンモニウムハイドロオキサイド酪酸塩、テトラエチルア
ンモニウムハイドロオキサイドメリット酸塩、テトラエ
チルアンモニウムハイドロオキサイドアラキドン酸塩、
テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドシキミ酸
塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド2−
エチルヘキサン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイド
ロオキサイドオレイン酸塩、テトラエチルアンモニウム
ハイドロオキサイドステアリン酸塩、テトラエチルアン
モニウムハイドロオキサイドリノール酸塩、テトラエチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドリノレイン酸塩、テ
トラエチルアンモニウムハイドロオキサイドサリチル酸
塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド安息
香酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド
p−アミノ安息香酸塩、テトラエチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドp−トルエンスルホン酸塩、テトラエチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドベンゼンスルホン酸
塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドモノ
クロロ酢酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキ
サイドジクロロ酢酸塩、テトラエチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドトリクロロ酢酸塩、テトラエチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドトリフルオロ酢酸塩、テトラ
エチルアンモニウムハイドロオキサイドギ酸塩、テトラ
エチルアンモニウムハイドロオキサイドブチルアミンマ
ロン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドスルホン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオ
キサイドフタル酸塩、テトラエチルアンモニウムハイド
ロオキサイドフマル酸塩、テトラエチルアンモニウムハ
イドロオキサイドクエン酸塩、テトラエチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド酒石酸塩、テトラエチルアンモニ
ウムハイドロオキサイドコハク酸塩、テトラエチルアン
モニウムハイドロオキサイドフマル酸塩、テトラエチル
アンモニウムハイドロオキサイドイタコン酸塩、テトラ
エチルアンモニウムハイドロオキサイドメサコン酸塩、
テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドシトラコ
ン酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド
リンゴ酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサ
イドグルタル酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロ
オキサイド硝酸塩、テトラエチルアンモニウムハイドロ
オキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサ
イド硝酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキ
サイド酢酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオ
キサイドプロピオン酸塩、テトラプロピルアンモニウム
ハイドロオキサイドブタン酸塩、テトラプロピルアンモ
ニウムハイドロオキサイドペンタン酸塩、テトラプロピ
ルアンモニウムハイドロオキサイドヘキサン酸塩、テト
ラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドヘプタン酸
塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドオ
クタン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキ
サイドノナン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイド
ロオキサイドデカン酸塩、テトラプロピルアンモニウム
ハイドロオキサイドシュウ酸塩、テトラプロピルアンモ
ニウムハイドロオキサイドマレイン酸塩、テトラプロピ
ルアンモニウムハイドロオキサイドメチルマロン酸塩、
テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドアジピ
ン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイ
ドセバシン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロ
オキサイド没食子酸塩、テトラプロピルアンモニウムハ
イドロオキサイド酪酸塩、テトラプロピルアンモニウム
ハイドロオキサイドメリット酸塩、テトラプロピルアン
モニウムハイドロオキサイドアラキドン酸塩、テトラプ
ロピルアンモニウムハイドロオキサイドシキミ酸塩、テ
トラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド2−エチ
ルヘキサン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロ
オキサイドオレイン酸塩、テトラプロピルアンモニウム
ハイドロオキサイドステアリン酸塩、テトラプロピルア
ンモニウムハイドロオキサイドリノール酸塩、テトラプ
ロピルアンモニウムハイドロオキサイドリノレイン酸
塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドサ
リチル酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキ
サイド安息香酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイド
ロオキサイドp−アミノ安息香酸塩、テトラプロピルア
ンモニウムハイドロオキサイドp−トルエンスルホン酸
塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドベ
ンゼンスルホン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイ
ドロオキサイドモノクロロ酢酸塩、テトラプロピルアン
モニウムハイドロオキサイドジクロロ酢酸塩、テトラプ
ロピルアンモニウムハイドロオキサイドトリクロロ酢酸
塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドト
リフルオロ酢酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイド
ロオキサイドギ酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイ
ドロオキサイドブチルアミンマロン酸塩、テトラプロピ
ルアンモニウムハイドロオキサイドスルホン酸塩、テト
ラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドフタル酸
塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドフ
マル酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサ
イドクエン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロ
オキサイド酒石酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイ
ドロオキサイドコハク酸塩、テトラプロピルアンモニウ
ムハイドロオキサイドフマル酸塩、テトラプロピルアン
モニウムハイドロオキサイドイタコン酸塩、テトラプロ
ピルアンモニウムハイドロオキサイドメサコン酸塩、テ
トラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドシトラコ
ン酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイ
ドリンゴ酸塩、テトラプロピルアンモニウムハイドロオ
キサイドグルタル酸塩、テトラプロピルアンモニウムハ
イドロオキサイド硝酸塩、テトラプロピルアンモニウム
ハイドロオキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイ
ドロオキサイド硝酸塩、テトラブチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド酢酸塩、テトラブチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドプロピオン酸塩、テトラブチルアンモニ
ウムハイドロオキサイドブタン酸塩、テトラブチルアン
モニウムハイドロオキサイドペンタン酸塩、テトラブチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドヘキサン酸塩、テト
ラブチルアンモニウムハイドロオキサイドヘプタン酸
塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドオク
タン酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドノナン酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキ
サイドデカン酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロ
オキサイドシュウ酸塩、テトラブチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドマレイン酸塩、テトラブチルアンモニウ
ムハイドロオキサイドメチルマロン酸塩、テトラブチル
アンモニウムハイドロオキサイドアジピン酸塩、テトラ
ブチルアンモニウムハイドロオキサイドセバシン酸塩、
テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド没食子酸
塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド酪酸
塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドメリ
ット酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドアラキドン酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロ
オキサイドシキミ酸塩、テトラブチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド2−エチルヘキサン酸塩、テトラブチル
アンモニウムハイドロオキサイドオレイン酸塩、テトラ
ブチルアンモニウムハイドロオキサイドステアリン酸
塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドリノ
ール酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドリノレイン酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロ
オキサイドサリチル酸塩、テトラブチルアンモニウムハ
イドロオキサイド安息香酸塩、テトラブチルアンモニウ
ムハイドロオキサイドp−アミノ安息香酸塩、テトラブ
チルアンモニウムハイドロオキサイドp−トルエンスル
ホン酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドベンゼンスルホン酸塩、テトラブチルアンモニウムハ
イドロオキサイドモノクロロ酢酸塩、テトラブチルアン
モニウムハイドロオキサイドジクロロ酢酸塩、テトラブ
チルアンモニウムハイドロオキサイドトリクロロ酢酸
塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドトリ
フルオロ酢酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオ
キサイドギ酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオ
キサイドブチルアミンマロン酸塩、テトラブチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドスルホン酸塩、テトラブチル
アンモニウムハイドロオキサイドフタル酸塩、テトラブ
チルアンモニウムハイドロオキサイドフマル酸塩、テト
ラブチルアンモニウムハイドロオキサイドクエン酸塩、
テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド酒石酸
塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイドコハ
ク酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド
フマル酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサ
イドイタコン酸塩、テトラブチルアンモニウムハイドロ
オキサイドメサコン酸塩、テトラブチルアンモニウムハ
イドロオキサイドシトラコン酸塩、テトラブチルアンモ
ニウムハイドロオキサイドリンゴ酸塩、テトラブチルア
ンモニウムハイドロオキサイドグルタル酸塩、テトラブ
チルアンモニウムハイドロオキサイド硝酸塩、テトラブ
チルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラブチルア
ンモニウムハイドロオキサイド硝酸塩などを挙げること
が出来る。なお、上記の化合物名表記において(モノ、
ジ、トリ)と記載されているものは、それぞれ対応する
3種の化合物をまとめて記載したものであり、例えば
(モノ、ジ、トリ)メチルアミン酢酸塩と記載されてい
るのはモノメチルアミン酢酸塩、ジメチルアミン酢酸
塩、トリメチルアミン酢酸塩をの3種をまとめて表すも
のである。
Specific examples of the component (B) include, for example,
Monia acetate, ammonia propionate, ammonia
Butanoate, ammonia pentatanate, ammonia hex
Sanate, ammonia heptanoate, ammonia octa
Phosphate, ammonia nonanoate, ammonia decanoic acid
Salt, ammonia oxalate, ammonia maleate,
Ammonia methyl malonate, ammonia adipic acid
Salt, ammonia sebacate, ammonia gallate,
Ammonia butyrate, Ammonia meritate, Ammonium
Aarachidonate, ammonia shikimate, ammonia
2-ethylhexanoate, ammonia oleate, a
Ammonia stearate, ammonia linoleate,
Ammonia linoleinate, ammonia salicylate,
Ammonia benzoate, ammonia p-aminobenzoic acid
Salt, ammonia p-toluenesulfonate, ammonia
Benzene sulfonate, ammonia monochloroacetate,
Ammonia dichloroacetate, Ammonia trichloroacetic acid
Salt, ammonia trifluoroacetate, ammonia formic acid
Salt, ammonia malonate, ammonia sulfonate,
Ammonia phthalate, Ammonia fumarate, Ammonia
Near citrate, ammonia tartrate, ammonia
Citrate, ammonia fumarate, ammonia itaconic acid
Salt, ammonia mesaconate, ammonia citraconic acid
Salt, ammonia malate, ammonia glutarate,
Ammonium hydroxide, ammonia nitrate,
(Mono, di, tri) methylamine acetate, (mono, di,
(Tri) methylamine propionate, (mono, di,
Li) methylamine butanoate, (mono, di, tri) methyl
Lumine pentatanate, (mono, di, tri) methylami
Hexanoate, (mono, di, tri) methylamine hep
Tantalate, (mono, di, tri) methylamine octanoic acid
Salt, (mono-, di-, tri) methylamine nonanoate, (mo
No, di, tri) methylamine decanoate, (mono, di,
Tri) methylamine oxalate, (mono, di, tri)
Cylamine maleate, (mono, di, tri) methyl
Minmethyl malonate, (mono, di, tri) methylami
Acid adipate, (mono, di, tri) methylamine seba
Phosphate, (mono-, di-, tri) methylamine gallic acid
Salt, (mono, di, tri) methylamine butyrate, (mono,
Di, tri) methylamine mellitate, (mono, di, tho
Li) methylamine arachidonate, (mono, di, tri)
Methylamine shikimate, (mono-, di-, tri) methyl
Min 2-ethylhexanoate, (mono, di, tri) meth
Ruamine oleate, (mono, di, tri) methylami
Stearate, (mono, di, tri) methylamine
Nolate, (mono-, di-, tri) methylamine linolei
Phosphate, (mono-, di-, tri) methylamine salicylic acid
Salt, (mono-, di-, tri) methylamine benzoate, (molybdenum
No, di, tri) methylamine p-aminobenzoate,
(Mono-, di-, tri-) methylamine p-toluene sulfone
Acid salt, (mono-, di-, tri) methylamine benzenesulfo
Phosphate, (mono, di, tri) methylamine monochloro vinegar
Acid salt, (mono-, di-, tri) methylamine dichloroacetic acid
Salt, (mono, di, tri) methylamine trichloroacetic acid
Salt, (mono-, di-, tri) methylamine trifluoroacetic acid
Salt, (mono, di, tri) methylamine formate, (mono,
Di, tri) methylamine malonate, (mono, di, tho
Li) methylamine sulfonate, (mono, di, tri)
Cylamine phthalate, (mono, di, tri) methylami
Fumarate, (mono, di, tri) methylamine quench
Acid salt, (mono-, di-, tri) methylamine tartrate, (molybdenum
No, di, tri) methylamine succinate, (mono, di,
Tri) methylamine fumarate, (mono, di, tri)
Cylamine itaconic acid salt, (mono, di, tri) methyl
Minmesaconate, (mono-, di-, tri) methylamine
Traconate, (mono, di, tri) methylamine apple
Acid salt, (mono-, di-, tri) methylamine glutarate,
(Mono-, di-, tri-) methyl ammonium hydroxide
Id, (mono, di, tri) methylamine nitrate, (mo
No, di, tri) ethylamine acetate, (mono, di, tri)
Li) ethylamine propionate, (mono, di, tri)
Ethylamine butanoate, (mono, di, tri) ethyl acetate
Minpentanate, (mono, di, tri) ethylamine
Xanthate, (mono-, di-, tri) ethylamine heptane
Acid salt, (mono-, di-, tri) ethylamine octanoate,
(Mono, di, tri) ethylamine nonanoate, (mono,
Di, tri) ethylamine decanoate, (mono, di, tho
Li) ethylamine oxalate, (mono, di, tri) ethyl
Ruamine maleate, (mono, di, tri) ethylami
Methyl malonate, (mono-, di-, tri) ethylamine
Adipate, (mono, di, tri) ethylamine sebac
Phosphate, (mono-, di-, tri) ethylamine gallate,
(Mono, di, tri) ethylamine butyrate, (mono, di,
Tri) ethylamine mellitic acid salt, (mono, di, tri)
Ethylamine arachidonate, (mono, di, tri) ethyl
Lumine shikimate, (mono-, di-, tri) ethylamine
2-ethylhexanoate, (mono, di, tri) ethyl
Minoleate, (mono, di, tri) ethylamines
Thearate, (mono, di, tri) ethylamine linole
Phosphate, (mono, di, tri) ethylamine linoleic acid
Salt, (mono, di, tri) ethylamine salicylate,
(Mono, di, tri) ethylamine benzoate, (mono,
Di, tri) ethylamine p-aminobenzoate, (mo
No, di, tri) ethylamine p-toluenesulfonic acid
Salt, (mono, di, tri) ethylamine benzene sulfone
Acid salt, (mono-, di-, tri) ethylamine monochloroacetic acid
Salt, (mono-, di-, tri) ethylamine dichloroacetate,
(Mono, di, tri) ethylamine trichloroacetate,
(Mono, di, tri) ethylamine trifluoroacetate,
(Mono, di, tri) ethylamine formate, (mono, di,
Tri) ethylamine malonate, (mono-, di-, tri) -e
Cylamine sulfonate, (mono-, di-, tri) ethyl acetate
Minphthalate, (mono-, di-, tri) ethylamine fuma
Phosphate, (mono-, di-, tri) ethylamine citrate,
(Mono, di, tri) ethylamine tartrate, (mono,
Di, tri) ethylamine succinate, (mono, di, tho
Li) ethylamine fumarate, (mono, di, tri) ethyl
Ruamine itaconate, (mono, di, tri) ethylami
Nmesaconate, (mono-, di-, tri) ethylamine cit
Laconate, (mono, di, tri) ethylamine malic acid
Salt, (mono, di, tri) ethylamine glutarate,
(Mono-, di-, tri-) ethylammonium hydroxa
Id, (mono, di, tri) ethylamine nitrate, (mo
No, di, tri) propylamine acetate, (mono, di,
Li) propylamine propionate, (mono, di,
Li) Propylamine butanoate, (mono, di, tri) pu
Ropylamine pentanoate, (mono, di, tri) propyi
Ruamine hexanoate, (mono-, di-, tri) propylate
Minheptanoate, (mono, di, tri) propylamine
Octanoate, (mono-, di-, tri) propylamine nona
Phosphate, (mono, di, tri) propylamine decanoic acid
Salt, (mono-, di-, tri) propylamine oxalate,
(Mono, di, tri) propylamine maleate, (mo
No, di, tri) propylamine methylmalonate, (mo
No, di, tri) propylamine adipate, (mono,
Di, tri) propylamine sebacate, (mono, di,
Tri) propylamine gallate, (mono, di, tri)
Propylamine butyrate, (mono, di, tri) propyl
Minmellitic acid salt, (mono-, di-, tri) propylamine
Arachidonate, (mono, di, tri) propylamine
Chimate, (mono-, di-, tri) propylamine 2-ethyl
Ruhexanoate, (mono-, di-, tri) propylamine
Leanate, (mono-, di-, tri) propylamine steer
Phosphate, (mono-, di-, tri) propylamine linole
Acid salt, (mono-, di-, tri) propylamine linoleic acid
Salt, (mono-, di-, tri) propylamine salicylate,
(Mono, di, tri) propylamine benzoate, (mo
No, di, tri) propylamine p-aminobenzoate,
(Mono-, di-, tri) propylamine p-toluenesulfo
Phosphate, (mono-, di-, tri) propylamine benzene
Ruphonate, (mono, di, tri) propylamine monoc
Loroacetate, (mono, di, tri) propylamine dichloro
Roacetate, (mono, di, tri) propylamine trichloro
Roacetate, (mono, di, tri) propylamine triflu
Oroacetate, (mono, di, tri) propylamine formic acid
Salt, (mono-, di-, tri) propylamine malonate,
(Mono, di, tri) propylamine sulfonate, (mo
No, di, tri) propylamine phthalate, (mono,
Di, tri) propylamine fumarate, (mono, di, tho
Li) propylamine citrate, (mono, di, tri)
Lopyramine tartrate, (mono-, di-, tri) propyla
Minsuccinate, (mono, di, tri) propylamine
Malate, (mono, di, tri) propylamine itacone
Acid salt, (mono-, di-, tri) propylamine mesaconic acid
Salt, (mono-, di-, tri) propylamine citraconic acid
Salt, (mono-, di-, tri) propylamine malate,
(Mono, di, tri) propylamine glutarate, (mo
No, di, tri) propyl ammonium hydroxide
De, (mono, di, tri) propylamine nitrate, (mo
No, di, tri) butylamine acetate, (mono, di,
Li) Butylamine propionate, (mono, di, tri)
Butylamine butanoate, (mono-, di-, tri) -butyla
Minpentanate, (mono, di, tri) butylamine
Xanthate, (mono, di, tri) butylamine heptane
Acid salt, (mono-, di-, tri) butylamine octanoate,
(Mono, di, tri) butylamine nonanoate, (mono,
Di, tri) butylamine decanoate, (mono, di, tho
Li) Butylamine oxalate, (mono, di, tri) butyrate
Ruamine maleate, (mono, di, tri) butylami
Methyl malonate, (mono-, di-, tri) butylamine
Adipate, (mono, di, tri) butylamine sebac
Phosphate, (mono-, di-, tri) butylamine gallate,
(Mono, di, tri) butylamine butyrate, (mono, di,
Tri) butylamine mellitic acid salt, (mono, di, tri)
Butylamine arachidonate, (mono, di, tri) butyrate
Ruamine shikimate, (mono-, di-, tri) butylamine
2-Ethylhexanoate, (mono, di, tri) butyrua
Minoleate, (mono, di, tri) butylamines
Thearate, (mono, di, tri) butylamine linole
Phosphate, (mono-, di-, tri) butylamine linoleic acid
Salt, (mono, di, tri) butylamine salicylate,
(Mono, di, tri) butylamine benzoate, (mono,
Di, tri) butylamine p-aminobenzoate, (mo
No, di, tri) butylamine p-toluenesulfonic acid
Salt, (mono-, di-, tri) butylamine benzene sulfone
Acid salt, (mono-, di-, tri) butylamine monochloroacetic acid
Salt, (mono, di, tri) butylamine dichloroacetate,
(Mono, di, tri) butylamine trichloroacetate,
(Mono, di, tri) butylamine trifluoroacetate,
(Mono, di, tri) butylamine formate, (mono, di,
Tri) butylamine malonate, (mono-, di-, tri) bu
Cylamine sulfonate, (mono-, di-, tri) -butyla
Minphthalate, (mono, di, tri) butylamine fumara
Phosphate, (mono-, di-, tri) butylamine citrate,
(Mono, di, tri) butylamine tartrate, (mono,
Di, tri) butylamine succinate, (mono, di, tho
Li) Butylamine fumarate, (mono, di, tri) butyrate
Ruamine itaconate, (mono, di, tri) butylami
Nmesaconate, (mono-, di-, tri) butylamine cit
Laconate, (mono, di, tri) butylamine malic acid
Salt, (mono, di, tri) butylamine glutarate,
(Mono-, di-, tri-) butylammonium hydroxa
Id, (mono, di, tri) butylamine nitrate, (mo
No, di, tri) ethanolamine acetate, (mono, di,
Tri) ethanolamine propionate, (mono, di,
Tri) ethanolamine butanoate, (mono, di,
Re) ethanolamine pentatanate, (mono, di,
Re) ethanolamine hexanoate, (mono, di,
Re) ethanolamine heptanoate, (mono, di,
Re) ethanolamine octanoate, (mono, di,
Li) ethanolamine nonanoate, (mono, di, tri)
Ethanolamine decanoate, (mono, di, tri) eta
Nolamine oxalate, (mono, di, tri) ethanol
Ruamine maleate, (mono, di, tri) ethanol
Amine methyl malonate, (mono, di, tri) ethanol
Luamine adipate, (mono, di, tri) ethanol
Amine sebacate, (mono, di, tri) ethanol
Mingal gallate, (mono, di, tri) ethanolamine
Butyrate, (mono, di, tri) ethanolamine benefits
Acid salt, (mono, di, tri) ethanolamine arachidone
Acid salt, (mono, di, tri) ethanolamine shikimic acid
Salt, (mono, di, tri) ethanolamine 2-ethyl
Xanthate, (mono, di, tri) ethanolamine ole
Inoate, (mono, di, tri) ethanolamine steer
Phosphate, (mono, di, tri) ethanolamine linole
Phosphate, (mono, di, tri) ethanolamine linolei
Phosphate, (mono, di, tri) ethanolamine salicyl
Acid salt, (mono, di, tri) ethanolamine benzoic acid
Salt, (mono, di, tri) ethanolamine p-aminoammonium
Benzoate, (mono, di, tri) ethanolamine p-to
Ruene sulfonate, (mono, di, tri) ethanol
Minbenzene sulfonate, (mono, di, tri) ethano
Oleamine monochloroacetate, (mono, di, tri) eta
Nolamine dichloroacetate, (mono, di, tri) eth
Nolamine trichloroacetate, (mono, di, tri)
Tanolamine trifluoroacetate, (mono, di,
Re) ethanolamine formate, (mono, di, tri) eta
Nolamine malonate, (mono, di, tri) ethanol
Ruamine sulfonate, (mono, di, tri) ethanol
Amine phthalate, (mono, di, tri) ethanolamine
N-fumarate, (mono, di, tri) ethanolamine
Enoate, (mono, di, tri) ethanolamine tartaric acid
Salt, (mono, di, tri) ethanolamine succinate,
(Mono, di, tri) ethanolamine fumarate, (mo
No, di, tri) ethanolamine itaconic acid salt, (mo
(No, di, tri) ethanolamine mesaconic acid salt, (mo
No, di, tri) ethanolamine citraconic acid salt, (mo
No, di, tri) ethanolamine malate, (mono,
Di, tri) ethanolamine glutarate, (mono,
Di, tri) ethanol ammonium hydroxide
De, (mono, di, tri) ethanolamine nitrate, tet
Lamethylammonium hydroxide acetate, tet
Lamethylammonium hydroxide propionic acid
Salt, tetramethylammonium hydroxide pig
Phosphate, tetramethylammonium hydroxide
Pentanoate, Tetramethylammonium Hydroxy
Side hexanoate, tetramethyl ammonium hydroxide
Rooxide heptanoate, tetramethylammonium
Hydroxide octanoate, tetramethylammo
Aluminum hydroxide nonanoate, tetramethyl
Ammonium hydroxide decanoate, tetramethy
Lumonium hydroxide oxalate, tetra
Methyl ammonium hydroxide maleate,
Tetramethylammonium hydroxide methylmer
Ronate, tetramethylammonium hydroxide
Doadipic acid salt, tetramethylammonium hydroo
Quiside sebacate, tetramethylammonium high
Drooxide gallate, tetramethylammonium
Hydroxide butyrate, tetramethylammonium
Hydroxide meritate, tetramethylammo
Aluminum hydroxide arachidonate, tetramethy
Lumonium hydroxide shikimate, tetra
Methyl ammonium hydroxide 2-ethylhexyl
Sanate, tetramethylammonium hydroxide
Doleate, Tetramethylammonium Hydro
Cide stearate, tetramethylammonium ha
Idrooxide linoleate, tetramethylammoni
Um hydroxide linoleinate, tetramethyl
Ammonium hydroxide salicylate, tetra
Methyl ammonium hydroxide benzoate, te
Tramethylammonium hydroxide p-amino
Benzoate, tetramethylammonium hydroxide
Id p-toluenesulfonate, tetramethylammonium
Um hydroxide benzene sulfonate, tetra
Methyl ammonium hydroxide monochloroacetic acid
Salt, tetramethylammonium hydroxide oxide
Loroacetate, tetramethylammonium hydroxide
Id trichloroacetate, tetramethyl ammonium high
Drooxide trifluoroacetate, tetramethylan
Monium hydroxide formate, tetramethylan
Monium hydroxide butylamine malonate,
Tetramethylammonium hydroxide sulfone
Acid salt, tetramethylammonium hydroxide
Tartrate, tetramethylammonium hydroxide
Dofumarate, Tetramethylammonium Hydroxy
Side citrate, tetramethylammonium hydro
Oxide Tartrate, Tetramethylammonium Hyde
Rooxide succinate, tetramethyl ammonium chloride
Idrooxide fumarate, tetramethylammonium
Mu-hydroxide itaconate, tetramethyl-an
Monium Hydroxide Mesaconate, Tetramethy
Lumonium hydroxide citraconate, te
Tramethylammonium hydroxide malic acid
Salt, tetramethylammonium hydroxide glu
Tartrate, tetramethylammonium hydroxide
Denitrate, tetramethylammonium hydroxide
And tetramethylammonium hydroxide nitric acid
Salt, tetraethylammonium hydroxide acetic acid
Salt, tetraethylammonium hydroxide pro
Pionate, tetraethylammonium hydroxa
Idbutanoate, tetraethylammonium hydro
Quiside pentatanate, tetraethylammonium high
Drooxide hexanoate, tetraethylammonium
Hydroxide heptanoate, tetraethylan
Monium hydroxide octanoate, tetraethyl
Lumonium hydroxide nonanoate, tetra
Ethyl ammonium hydroxide decanoate, te
Traethylammonium hydroxide oxalic acid
Salt, tetraethylammonium hydroxide male
Inoate, tetraethylammonium hydroxide
Demethyl malonate, tetraethyl ammonium hydroxide
Rooxide adipate, tetraethylammonium
Hydroxide sebacate, tetraethylammo
Aluminum hydroxide gallate, tetraethyl
Ammonium hydroxide butyrate, tetraethyl
Ammonium hydroxide meritate, tetrae
Chill ammonium hydroxide arachidonate,
Tetraethylammonium hydroxide shikimic acid
Salt, tetraethylammonium hydroxide 2-
Ethyl hexanoate, tetraethyl ammonium hydroxide
Looxide oleate, tetraethylammonium
Hydroxide stearate, tetraethylan
Monium hydroxide linoleate, tetraethyl
Lumonium hydroxide linoleinate, te
Traethylammonium hydroxide salicylic acid
Salt, tetraethylammonium hydroxide benzoate
Perfume salt, tetraethylammonium hydroxide
p-aminobenzoate, tetraethylammonium high
Drooxide p-toluenesulfonate, tetraethyl
Lumonium hydroxide benzene sulfonic acid
Salt, tetraethylammonium hydroxide mono
Chloroacetate, Tetraethylammonium Hydroxy
Side dichloroacetate, tetraethylammonium high
Drooxide trichloroacetate, tetraethylammo
Aluminum hydroxide trifluoroacetate, tetra
Ethyl ammonium hydroxide formate, tetra
Ethyl ammonium hydroxide butyl amine
Ronate, tetraethylammonium hydroxide
Dosulphonate, tetraethylammonium hydro
Quide phthalate, tetraethyl ammonium hydroxide
Roxoxide fumarate, tetraethyl ammonium
Idrooxide citrate, tetraethylammonium
Mu Hydroxide Tartrate, Tetraethylammonium
Umhydroxide succinate, tetraethylan
Monium hydroxide fumarate, tetraethyl
Ammonium hydroxide itaconate, tetra
Ethyl ammonium hydroxide mesaconate,
Tetraethylammonium hydroxide citraco
Phosphate, tetraethylammonium hydroxide
Malate, tetraethylammonium hydroxa
Idglutarate, tetraethylammonium hydro
Oxide nitrate, tetraethylammonium hydro
Oxide, tetraethylammonium hydroxa
Id nitrate, Tetrapropylammonium Hydroxy
Side acetate, tetrapropyl ammonium hydroo
Xydopropionate, Tetrapropylammonium
Hydroxide butanoate, tetrapropylammo
Nium hydroxide pentatanate, tetrapropy
Lumonium hydroxide hexanoate, tet
Lapropyl ammonium hydroxide heptanoic acid
Salt, tetrapropylammonium hydroxide
Octanoate, Tetrapropylammonium Hydroxy
Sidenonanoate, tetrapropylammonium hydroxide
Rooxide decanoate, tetrapropyl ammonium
Hydroxide oxalate, tetrapropylammo
Nium hydroxide maleate, tetrapropy
Lumonium hydroxide methyl malonate,
Tetrapropyl ammonium hydroxide adipi
Phosphate, tetrapropylammonium hydroxide
Docebacate, tetrapropylammonium hydro
Oxide gallate, tetrapropyl ammonium
Idrooxide butyrate, tetrapropylammonium
Hydroxide meritate, tetrapropylan
Monium hydroxide arachidonate, tetrap
Ropylammonium hydroxide shikimate, te
Trapropylammonium hydroxide 2-eth
Ruhexanoate, tetrapropylammonium hydro
Oxide oleate, tetrapropylammonium
Hydroxide stearate, tetrapropyl acetate
Ammonium hydroxide linoleate, tetrap
Ropyl ammonium hydroxide linoleic acid
Salt, tetrapropylammonium hydroxide
Licylate, Tetrapropylammonium Hydroxy
Side benzoate, tetrapropyl ammonium hydroxide
Rooxide p-aminobenzoate, tetrapropyl
Ammonium hydroxide p-toluenesulfonic acid
Salt, tetrapropylammonium hydroxide
Benzene sulfonate, tetrapropyl ammonium high
Drooxide monochloroacetate, tetrapropylan
Monium hydroxide dichloroacetate, tetrap
Ropyl ammonium hydroxide trichloroacetic acid
Salt, tetrapropylammonium hydroxide
Lifluoroacetate, tetrapropyl ammonium hydroxide
Rooxide formate, tetrapropyl ammonium high
Drooxide Butylamine Malonate, Tetrapropy
Lumonium hydroxide sulfonate, tet
Lapropyl ammonium hydroxide phthalic acid
Salt, tetrapropylammonium hydroxide
Malate, tetrapropylammonium hydroxa
Id citrate, tetrapropylammonium hydro
Oxide tartrate, tetrapropyl ammonium high
Drooxide succinate, tetrapropylammonium
Mu-hydroxide fumarate, tetrapropylan
Monium hydroxide itaconate, tetrapro
Pyrammonium hydroxide mesaconate, te
Trapropyl ammonium hydroxide citraco
Phosphate, tetrapropylammonium hydroxide
Domarate, tetrapropylammonium hydroo
Quiside glutarate, tetrapropyl ammonium
Idrooxide nitrate, tetrapropylammonium
Hydroxide, tetrapropyl ammonium high
Drooxide nitrate, tetrabutylammonium high
Drooxide acetate, tetrabutylammonium high
Drooxide propionate, tetrabutylammoni
Umium hydroxide butanoate, Tetrabutylan
Monium hydroxide pentatanate, tetrabutyl
Lumonium hydroxide hexanoate, tet
Labylammonium hydroxide heptanoic acid
Salt, tetrabutylammonium hydroxide octa
Tantalate, tetrabutylammonium hydroxide
Dononanoate, Tetrabutylammonium Hydroxy
Side decanoate, tetrabutylammonium hydro
Oxide oxalate, tetrabutylammonium high
Drooxide maleate, tetrabutylammonium
Mu-hydroxide methyl malonate, tetrabutyl
Ammonium hydroxide adipate, tetra
Butyl ammonium hydroxide sebacate,
Tetrabutylammonium hydroxide gallic acid
Salt, tetrabutylammonium hydroxide butyric acid
Salt, tetrabutylammonium hydroxide
Titanate, tetrabutylammonium hydroxide
Doarachidonate, Tetrabutylammonium Hydro
Oxide shikimate, tetrabutylammonium high
Drooxide 2-ethylhexanoate, tetrabutyl
Ammonium hydroxide oleate, tetra
Butyl ammonium hydroxide stearic acid
Salt, tetrabutylammonium hydroxide lino
Phosphate, tetrabutylammonium hydroxide
Dolinoleate, tetrabutylammonium hydro
Oxide salicylate, tetrabutyl ammonium
Idrooxide benzoate, tetrabutylammonium
Mu-hydroxide p-aminobenzoate, tetrabu
Tylammonium hydroxide p-toluene sulphate
Honate, tetrabutylammonium hydroxide
Debenzene sulfonate, tetrabutyl ammonium
Idrooxide monochloroacetate, tetrabutylan
Monium hydroxide dichloroacetate, tetrabu
Tylammonium hydroxide trichloroacetic acid
Salt, tetrabutylammonium hydroxide tri
Fluoroacetate, tetrabutylammonium hydro
Quide formate, tetrabutylammonium hydro
Quiside butyl amine malonate, tetrabutyl ammo
Aluminum hydroxide sulfonate, tetrabutyl
Ammonium hydroxide phthalate, tetrabu
Tylammonium hydroxide fumarate, tet
Labyl ammonium hydroxide citrate,
Tetrabutylammonium hydroxide tartaric acid
Salt, tetrabutylammonium hydroxide
Citrate, tetrabutylammonium hydroxide
Fumarate, tetrabutylammonium hydroxa
Idoitaconate, tetrabutylammonium hydro
Oxide mesaconate, tetrabutyl ammonium
Idrooxide citraconic acid salt, tetrabutylammo
Nium hydroxide malate, tetrabutyla
Ammonium hydroxide glutarate, tetrabu
Tylammonium hydroxide nitrate, tetrabu
Tylammonium hydroxide, tetrabutyla
Names such as ammonium hydroxide nitrate
Can be done. In the above compound name notation (mono,
Those that are described as "di, tri" correspond to each
It is a list of three types of compounds, for example,
Described as (mono-, di-, tri) methylamine acetate
Rumono is monomethylamine acetate, dimethylamine acetic acid
The three types of salt and trimethylamine acetate are collectively represented.
Of.

【0031】これら(B)成分の(A)成分に対する使
用割合は、(A)成分100重量部(完全加水分解縮合
物換算)に対して、(B)成分0.005〜0.05重
量部、より好ましくは0.007〜0.03重量部であ
る。(B)成分の使用割合が0.0005重量部未満で
あると組成物の保存安定性が劣る場合があり、0.05
重量部を越えると塗膜の塗布均一性が劣る場合がある。
The ratio of the component (B) to the component (A) used is 0.005 to 0.05 part by weight of the component (B) based on 100 parts by weight of the component (A) (calculated as a complete hydrolyzed condensate). , And more preferably 0.007 to 0.03 parts by weight. If the proportion of the component (B) used is less than 0.0005 parts by weight, the storage stability of the composition may be poor.
If it exceeds the weight part, the coating uniformity of the coating film may be deteriorated.

【0032】また、(B)成分添加後の膜形成用組成物
のpHは2〜4、より好ましくは2.2〜3.8であ
る。膜形成用組成物のpHが2未満の場合や、4を越え
る場合は膜形成用組成物の保存安定性が劣るものとな
る。
The pH of the film-forming composition after the addition of the component (B) is 2 to 4, more preferably 2.2 to 3.8. When the pH of the film-forming composition is less than 2 or more than 4, the storage stability of the film-forming composition becomes poor.

【0033】(C)有機溶媒 本発明の膜形成用組成物は、(A)加水分解縮合物と
(B)成分を、通常、(C)有機溶媒に溶解または分散
してなる。この(C)有機溶媒としては、アルコール系
溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒お
よび非プロトン系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種
が挙げられる。ここで、アルコール系溶媒としては、メ
タノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパ
ノール、n−ブタノール、i−ブタノール、sec−ブ
タノール、t−ブタノール、n−ペンタノール、i−ペ
ンタノール、2−メチルブタノール、sec−ペンタノ
ール、t−ペンタノール、3−メトキシブタノール、n
−ヘキサノール、2−メチルペンタノール、sec−ヘ
キサノール、2−エチルブタノール、sec−ヘプタノ
ール、ヘプタノール−3、n−オクタノール、2−エチ
ルヘキサノール、sec−オクタノール、n−ノニルア
ルコール、2,6−ジメチルヘプタノール−4、n−デ
カノール、sec−ウンデシルアルコール、トリメチル
ノニルアルコール、sec−テトラデシルアルコール、
sec−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロ
ヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5
−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコー
ル、ジアセトンアルコールなどのモノアルコール系溶
媒;
(C) Organic Solvent The film-forming composition of the present invention is usually obtained by dissolving or dispersing (A) a hydrolytic condensate and (B) component in (C) an organic solvent. Examples of the organic solvent (C) include at least one selected from the group consisting of alcohol solvents, ketone solvents, amide solvents, ester solvents and aprotic solvents. Here, examples of the alcohol solvent include methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-pentanol, i-pentanol, and 2-methyl. Butanol, sec-pentanol, t-pentanol, 3-methoxybutanol, n
-Hexanol, 2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-ethylbutanol, sec-heptanol, heptanol-3, n-octanol, 2-ethylhexanol, sec-octanol, n-nonyl alcohol, 2,6-dimethylhepta Nol-4, n-decanol, sec-undecyl alcohol, trimethylnonyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol,
sec-heptadecyl alcohol, phenol, cyclohexanol, methylcyclohexanol, 3,3,5
A monoalcoholic solvent such as trimethylcyclohexanol, benzyl alcohol, diacetone alcohol;

【0034】エチレングリコール、1,2−プロピレン
グリコール、1,3−ブチレングリコール、ペンタンジ
オール−2,4、2−メチルペンタンジオール−2,
4、ヘキサンジオール−2,5、ヘプタンジオール−
2,4、2−エチルヘキサンジオール−1,3、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレ
ングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価ア
ルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシル
エーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、
エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多
価アルコール部分エーテル系溶媒;などを挙げることが
できる。これらのアルコール系溶媒は、1種あるいは2
種以上を同時に使用してもよい。
Ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-butylene glycol, pentanediol-2,4,2-methylpentanediol-2,
4, hexanediol-2,5, heptanediol-
Polyhydric alcohol solvents such as 2,4,2-ethylhexanediol-1,3, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol and tripropylene glycol; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl Ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether,
Ethylene glycol mono-2-ethylbutyl ether,
Diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether , Dipropylene glycol monoethyl ether,
Examples thereof include polyhydric alcohol partial ether solvents such as dipropylene glycol monopropyl ether. These alcohol solvents may be used alone or in combination.
More than one species may be used simultaneously.

【0035】ケトン系溶媒としては、アセトン、メチル
エチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−
n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−i−ブチ
ルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、エチル−n−
ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−i−
ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノ
ン、2−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2,4
−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノ
ン、フェンチョンなどのほか、アセチルアセトン、2,
4−ヘキサンジオン、2,4−ヘプタンジオン、3,5
−ヘプタンジオン、2,4−オクタンジオン、3,5−
オクタンジオン、2,4−ノナンジオン、3,5−ノナ
ンジオン、5−メチル−2,4−ヘキサンジオン、2,
2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン、
1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ヘ
プタンジオンなどのβ−ジケトン類などが挙げられる。
これらのケトン系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時
に使用してもよい。
As the ketone solvent, acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-
n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-i-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone, ethyl-n-
Butyl ketone, methyl-n-hexyl ketone, di-i-
Butyl ketone, trimethylnonanone, cyclohexanone, 2-hexanone, methylcyclohexanone, 2,4
-Pentanedione, acetonylacetone, acetophenone, fenchon, etc., acetylacetone, 2,
4-hexanedione, 2,4-heptanedione, 3,5
-Heptanedione, 2,4-octanedione, 3,5-
Octanedione, 2,4-nonanedione, 3,5-nonanedione, 5-methyl-2,4-hexanedione, 2,
2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione,
Examples include β-diketones such as 1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-heptanedione.
These ketone solvents may be used either individually or in combination of two or more.

【0036】アミド系溶媒としては、ホルムアミド、N
−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N−エチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルム
アミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、N−エチルアセトアミド、
N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチルプロピオン
アミド、N−メチルピロリドン、N−ホルミルモルホリ
ン、N−ホルミルピペリジン、N−ホルミルピロリジ
ン、N−アセチルモルホリン、N−アセチルピペリジ
ン、N−アセチルピロリジンなどが挙げられる。これら
アミド系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用し
てもよい。
As the amide solvent, formamide, N
-Methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-ethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N,
N-dimethylacetamide, N-ethylacetamide,
Examples include N, N-diethylacetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone, N-formylmorpholine, N-formylpiperidine, N-formylpyrrolidine, N-acetylmorpholine, N-acetylpiperidine, N-acetylpyrrolidine and the like. To be These amide solvents may be used either individually or in combination of two or more.

【0037】エステル系溶媒としては、ジエチルカーボ
ネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ
−バレロラクトン、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピ
ル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸sec−ブ
チル、酢酸n−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢酸
3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エ
チルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、
酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸
n−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢
酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−
n−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢
酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジ
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリ
コール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エ
チル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸i−アミ
ル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、乳酸
メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミ
ル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチルなどが挙げられる。これらエステル系溶媒は、1
種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。非プロト
ン系溶媒としては、アセトニトリル、ジメチルスルホキ
シド、N,N,N´,N´−テトラエチルスルファミ
ド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、N−メチルモルホ
ロン、N−メチルピロール、N−エチルピロール、N−
メチル−Δ3 −ピロリン、N−メチルピペリジン、N−
エチルピペリジン、N,N−ジメチルピペラジン、N−
メチルイミダゾール、N−メチル−4−ピペリドン、N
−メチル−2−ピペリドン、N−メチル−2−ピロリド
ン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3
−ジメチルテトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノンな
どを挙げることができる。
Ester solvents include diethyl carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate, diethyl carbonate, methyl acetate, ethyl acetate, γ-butyrolactone, γ.
-Valerolactone, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methylpentyl acetate, acetic acid 2-ethylbutyl, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate,
Cyclohexyl acetate, methyl cyclohexyl acetate, n-nonyl acetate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monoacetate
n-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, glycol diacetate, acetic acid Methoxytriglycol, ethyl propionate, n-butyl propionate, i-amyl propionate, diethyl oxalate, di-n-butyl oxalate, methyl lactate, ethyl lactate, n-butyl lactate, n-amyl lactate, malonic acid Examples thereof include diethyl, dimethyl phthalate, and diethyl phthalate. These ester solvents are 1
One kind or two or more kinds may be used at the same time. As the aprotic solvent, acetonitrile, dimethyl sulfoxide, N, N, N ', N'-tetraethylsulfamide, hexamethylphosphoric triamide, N-methylmorpholone, N-methylpyrrole, N-ethylpyrrole, N −
Methyl-Δ3-pyrroline, N-methylpiperidine, N-
Ethylpiperidine, N, N-dimethylpiperazine, N-
Methylimidazole, N-methyl-4-piperidone, N
-Methyl-2-piperidone, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3
-Dimethyltetrahydro-2 (1H) -pyrimidinone and the like can be mentioned.

【0038】これらの有機溶剤の中で、特に下記一般式
(4)で表される有機溶剤が特に好ましい。 RO(CHCH3CH2O)e ・・・・・(4) (RおよびRは、それぞれ独立して水素原子、炭素
数1〜4のアルキル基またはCH3CO−から選ばれる
1価の有機基を示し、eは1〜2の整数を表す。)以上
の(C)有機溶媒は、1種あるいは2種以上を混合して
使用することができる。
Among these organic solvents, the organic solvent represented by the following general formula (4) is particularly preferable. R 8 O (CHCH 3 CH 2 O) e R 9 ····· (4) (R 8 and R 9 are each independently a hydrogen atom, alkyl group or CH 3 CO- 1 to 4 carbon atoms The selected monovalent organic group is shown, and e represents an integer of 1 to 2.) The above (C) organic solvent can be used alone or in combination of two or more.

【0039】本発明の膜形成用組成物は、化合物(1)
〜(3)を加水分解、縮合する際に、同様の溶媒を使用
することができる。
The film-forming composition of the present invention comprises the compound (1)
When hydrolyzing and condensing (3) to (3), the same solvent can be used.

【0040】具体的には、化合物(1)〜(3)を溶解
させた溶媒中に水または溶媒で希釈した水を断続的ある
いは連続的に添加する。この際、アルカリ触媒は溶媒中
に予め添加しておいてもよいし、水添加時に水中に溶解
あるいは分散させておいてもよい。この際の反応温度と
しては、通常、0〜100℃、好ましくは15〜90℃
である。
Specifically, water or water diluted with a solvent is intermittently or continuously added to the solvent in which the compounds (1) to (3) are dissolved. At this time, the alkali catalyst may be added to the solvent in advance, or may be dissolved or dispersed in water when water is added. The reaction temperature at this time is usually 0 to 100 ° C., preferably 15 to 90 ° C.
Is.

【0041】その他の添加剤 本発明で得られる膜形成用組成物には、さらにコロイド
状シリカ、コロイド状アルミナ、有機ポリマー、界面活
性剤、シランカップリング剤、ラジカル発生剤、トリア
ゼン化合物などの成分を添加してもよい。コロイド状シ
リカとは、例えば、高純度の無水ケイ酸を前記親水性有
機溶媒に分散した分散液であり、通常、平均粒径が5〜
30nm、好ましくは10〜20nm、固形分濃度が1
0〜40重量%程度のものである。このような、コロイ
ド状シリカとしては、例えば、日産化学工業(株)製、
メタノールシリカゾルおよびイソプロパノールシリカゾ
ル;触媒化成工業(株)製、オスカルなどが挙げられ
る。コロイド状アルミナとしては、日産化学工業(株)
製のアルミナゾル520、同100、同200;川研フ
ァインケミカル(株)製のアルミナクリアーゾル、アル
ミナゾル10、同132などが挙げられる。有機ポリマ
ーとしては、例えば、糖鎖構造を有する化合物、ビニル
アミド系重合体、(メタ)アクリル系重合体、芳香族ビ
ニル化合物、デンドリマー、ポリイミド,ポリアミック
酸、ポリアリーレン、ポリアミド、ポリキノキサリン、
ポリオキサジアゾール、フッ素系重合体、ポリアルキレ
ンオキサイド構造を有する化合物などを挙げることがで
きる。
Other Additives The film-forming composition obtained in the present invention further contains components such as colloidal silica, colloidal alumina, organic polymers, surfactants, silane coupling agents, radical generators and triazene compounds. May be added. Colloidal silica is, for example, a dispersion liquid in which high-purity silicic acid anhydride is dispersed in the hydrophilic organic solvent, and usually has an average particle size of 5 to 5.
30 nm, preferably 10 to 20 nm, solid content concentration is 1
It is about 0 to 40% by weight. Examples of such colloidal silica include those manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.,
Methanol silica sol and isopropanol silica sol; manufactured by Catalyst Kasei Kogyo Co., Ltd., Oscar, and the like. As colloidal alumina, Nissan Chemical Industry Co., Ltd.
Alumina sol 520, 100 and 200 manufactured by Kawaken Fine Chemicals Co., Ltd .; As the organic polymer, for example, a compound having a sugar chain structure, a vinylamide polymer, a (meth) acrylic polymer, an aromatic vinyl compound, a dendrimer, a polyimide, a polyamic acid, a polyarylene, a polyamide, a polyquinoxaline,
Examples thereof include polyoxadiazoles, fluoropolymers, compounds having a polyalkylene oxide structure, and the like.

【0042】ポリアルキレンオキサイド構造を有する化
合物としては、ポリメチレンオキサイド構造、ポリエチ
レンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構造、
ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレンオキ
シド構造などが挙げられる。具体的には、ポリオキシメ
チレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキル
エーテル、ポリオキシエテチレンアルキルフェニルエー
テル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオ
キシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホル
マリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレ
ンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキ
シエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルなど
のエーテル型化合物、ポリオキシエチレングリセリン脂
肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エ
ステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステ
ル、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸
塩などのエーテルエステル型化合物、ポリエチレングリ
コール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エス
テル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エ
ステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコ
ール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどのエー
テルエステル型化合物などを挙げることができる。ポリ
オキシチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー
としては下記のようなブロック構造を有する化合物が挙
げられる。 −(X)j−(Y)k− −(X)j−(Y)k−(X)l- (式中、Xは−CH2CH2O−で表される基を、Yは−
CH2CH(CH3)O−で表される基を示し、jは1〜
90、kは10〜99、lは0〜90の数を示す) これらの中で、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、
ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポ
リマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアル
キルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エ
ステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステ
ル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、
などのエーテル型化合物をより好ましい例として挙げる
ことができる。これらは1種あるいは2種以上を同時に
使用しても良い。
As the compound having a polyalkylene oxide structure, a polymethylene oxide structure, a polyethylene oxide structure, a polypropylene oxide structure,
Examples thereof include a polytetramethylene oxide structure and a polybutylene oxide structure. Specifically, polyoxymethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene ethylene phenyl ether, polyoxyethylene sterol ether, polyoxyethylene lanolin derivative, ethylene oxide derivative of alkylphenol formalin condensate, polyoxyethylene polyether Oxypropylene block copolymer, ether type compounds such as polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether, polyoxyethylene glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitol fatty acid ester, polyoxyethylene fatty acid alkanolamide sulfate, etc. Ether ester type compound, polyethylene glycol fatty acid ester, ethylene glycol fat Esters, fatty acid monoglycerides, polyglycerol fatty acid esters, sorbitan fatty acid esters, propylene glycol fatty acid esters, and the like ether ester type compounds such as sucrose fatty acid esters. Examples of the polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer include compounds having the following block structures. - (X) j- (Y) k- - (X) j- (Y) k- (X) l- ( wherein, X is a group represented by -CH 2 CH 2 O-, Y is -
Represents a group represented by CH 2 CH (CH 3 ) O-, and j is 1 to
90, k are 10 to 99, and 1 is a number from 0 to 90) Among these, polyoxyethylene alkyl ether,
Polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether, polyoxyethylene glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitol fatty acid ester,
More preferred examples include ether type compounds such as These may be used either individually or in combination of two or more.

【0043】界面活性剤としては、例えば、ノニオン系
界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活
性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、さらには、フッ
素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキ
レンオキシド系界面活性剤、ポリ(メタ)アクリレート
系界面活性剤などを挙げることができ、好ましくはフッ
素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を挙げること
ができる。
Examples of the surface active agent include nonionic surface active agents, anionic surface active agents, cationic surface active agents, amphoteric surface active agents, and the like, and further, fluorine based surface active agents and silicone based surface active agents. Activators, polyalkylene oxide-based surfactants, poly (meth) acrylate-based surfactants and the like can be mentioned, with preference given to fluorine-based surfactants and silicone-based surfactants.

【0044】フッ素系界面活性剤としては、例えば1,
1,2,2−テトラフロロオクチル(1,1,2,2−
テトラフロロプロピル)エーテル、1,1,2,2−テ
トラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレン
グリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロブチル)
エーテル、ヘキサエチレングリコール(1,1,2,
2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エーテル、オクタ
プロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロ
ロブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ
(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エ
ーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、
1,1,2,2,8,8,9,9,10,10−デカフ
ロロドデカン、1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロ
デカン、N−[3−(パーフルオロオクタンスルホンア
ミド)プロピル]-N,N‘−ジメチル−N−カルボキ
シメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキ
ルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、
パーフルオロアルキル−N−エチルスルホニルグリシン
塩、リン酸ビス(N−パーフルオロオクチルスルホニル
−N−エチルアミノエチル)、モノパーフルオロアルキ
ルエチルリン酸エステル等の末端、主鎖および側鎖の少
なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフルオ
ロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面活
性剤を挙げることができる。また、市販品としてはメガ
ファックF142D、同F172、同F173、同F1
83(以上、大日本インキ化学工業(株)製)、エフト
ップEF301、同303、同352(新秋田化成
(株)製)、フロラードFC−430、同FC−431
(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG71
0、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−
102、同SC−103、同SC−104、同SC−1
05、同SC−106(旭硝子(株)製)、BM−10
00、BM−1100(裕商(株)製)、NBX−15
((株)ネオス)などの名称で市販されているフッ素系
界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上
記メガファックF172,BM−1000,BM−11
00,NBX−15が特に好ましい。
Examples of the fluorinated surfactant include 1,
1,2,2-Tetrafluorooctyl (1,1,2,2-
Tetrafluoropropyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluorooctylhexyl ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl)
Ether, hexaethylene glycol (1, 1, 2,
2,3,3-hexafluoropentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3-hexafluoro) Pentyl) ether, sodium perfluorododecyl sulfonate,
1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-decafluorododecane, 1,1,2,2,3,3-hexafluorodecane, N- [3- (perfluorooctane sulfone Amido) propyl] -N, N′-dimethyl-N-carboxymethyleneammonium betaine, perfluoroalkylsulfonamidopropyltrimethylammonium salt,
At least one of the terminal, main chain and side chain of perfluoroalkyl-N-ethylsulfonylglycine salt, bis (N-perfluorooctylsulfonyl-N-ethylaminoethyl) phosphate, monoperfluoroalkylethyl phosphate ester, etc. A fluorosurfactant composed of a compound having a fluoroalkyl or fluoroalkylene group at the site can be mentioned. Also, as commercially available products, Megafac F142D, F172, F173, F1
83 (above, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), F-Top EF301, 303, 352 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Florard FC-430, FC-431.
(Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG71
0, Surflon S-382, SC-101, SC-
102, same SC-103, same SC-104, same SC-1
05, the same SC-106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), BM-10
00, BM-1100 (manufactured by Yusho Co., Ltd.), NBX-15
(Neos Co., Ltd.) and other commercially available fluorine-based surfactants can be mentioned. Among these, the Megafac F172, BM-1000, BM-11
00, NBX-15 are particularly preferred.

【0045】シリコーン系界面活性剤としては、例えば
SH7PA、SH21PA、SH30PA、ST94P
A(いずれも東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)
製などを用いることが出来る。これらの中でも、上記S
H28PA、SH30PAが特に好ましい。
Examples of silicone-based surfactants include SH7PA, SH21PA, SH30PA, ST94P.
A (all are Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.)
It is possible to use manufactured products. Among these, the above S
H28PA and SH30PA are particularly preferable.

【0046】界面活性剤の使用量は、(A)成分(完全
加水分解縮合物)に対して通常0.0001〜10重量
部である。これらは1種あるいは2種以上を同時に使用
しても良い。
The amount of the surfactant used is usually 0.0001 to 10 parts by weight based on the component (A) (completely hydrolyzed condensate). These may be used either individually or in combination of two or more.

【0047】シランカップリング剤としては、例えば3
−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、3−ア
ミノグリシジロキシプロピルトリエトキシシラン、3−
メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリ
シジロキシプロピルメチルジメトキシシラン、1−メタ
クリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルト
リエトキシシラン、2−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、2−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−
(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、3−ウレイドプロピルト
リメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリエトキシ
シラン、N−エトキシカルボニル−3−アミノプロピル
トリメトキシシラン、N−エトキシカルボニル−3−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、N−トリエトキシシ
リルプロピルトリエチレントリアミン、N−トリエトキ
シシリルプロピルトリエチレントリアミン、10−トリ
メトキシシリル−1,4,7−トリアザデカン、10−
トリエトキシシリル−1,4,7−トリアザデカン、9
−トリメトキシシリル−3,6−ジアザノニルアセテー
ト、9−トリエトキシシリル−3,6−ジアザノニルア
セテート、N−ベンジル−3−アミノプロピルトリメト
キシシラン、N−ベンジル−3−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルト
リエトキシシラン、N−ビス(オキシエチレン)−3−
アミノプロピルトリメトキシシラン、N−ビス(オキシ
エチレン)−3−アミノプロピルトリエトキシシランな
どが挙げられる。これらは1種あるいは2種以上を同時
に使用しても良い。
As the silane coupling agent, for example, 3
-Glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminoglycidyloxypropyltriethoxysilane, 3-
Methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldimethoxysilane, 1-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 2-aminopropyltrimethoxysilane, 2-aminopropyltriethoxysilane, N-
(2-Aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, N- Ethoxycarbonyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-ethoxycarbonyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-triethoxysilylpropyltriethylenetriamine, N-triethoxysilylpropyltriethylenetriamine, 10-trimethoxysilyl- 1,4,7-Triazadecane, 10-
Triethoxysilyl-1,4,7-triazadecane, 9
-Trimethoxysilyl-3,6-diazanonyl acetate, 9-triethoxysilyl-3,6-diazanonyl acetate, N-benzyl-3-aminopropyl trimethoxysilane, N-benzyl-3-aminopropyl triacetate Ethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-bis (oxyethylene) -3-
Examples thereof include aminopropyltrimethoxysilane and N-bis (oxyethylene) -3-aminopropyltriethoxysilane. These may be used either individually or in combination of two or more.

【0048】ラジカル発生剤としては、例えばイソブチ
リルパーオキサイド、α、α’ビス(ネオデカノイルパ
ーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシ
ネオデカノエート、ジ−nプロピルパーオキシジカーボ
ネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、
1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシネオデ
カノエート、ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)パ
ーオキシジカーボネート、1−シクロヘキシル−1−メ
チルエチルパーオキシネオデカノエート、ジ−2−エト
キシエチルパーオキシジカーボネート、ジ(2−エチル
ヘキシルパーオキシ)ジカーボネート、t−ヘキシルパ
ーオキシネオデカノエート、ジメトキブチルパーオキシ
ジカーボネート、ジ(3−メチル−3−メトキシブチル
パーオキシ)ジカーボネート、t−ブチルパーオキシネ
オデカノエート、2,4−ジクロロベンゾイルパーオキ
サイド、t−ヘキシルパーオキシピバレート、t−ブチ
ルパーオキシピバレート、3,5,5−トリメチルヘキ
サノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイ
ド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキ
サイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキ
シ2−エチルヘキサノエート、スクシニックパーオキサ
イド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキ
サノイルパーオキシ)ヘキサン、1−シクロヘキシル−
1−メチルエチルパーオキシ2−エチルヘキサノエー
ト、t−ヘキシルパーオキシ2−エチルヘキサノエー
ト、t−ブチルパーオキシ2−エチルヘキサノエート、
m−トルオイルアンドベンゾイルパーオキサイド、ベン
ゾイルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシイソブチ
レート、ジ−t−ブチルパーオキシ−2−メチルシクロ
ヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−
3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス
(t−ヘキシルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−
ビス(t−ブチルパーオキシ)−3,3,5−トリメチ
ルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキ
シ)シクロヘキサン、2,2−ビス(4,4−ジ−t−
ブチルパーオキシシクロヘキシル)プロパン、1,1−
ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロデカン、t−ヘキ
シルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブ
チルパーオキシマレイン酸、t−ブチルパーオキシ−
3,3,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルパ
ーオキシラウレート、2,5−ジメチル−2,5−ジ
(m−トルオイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパ
ーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパ
ーオキシ2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘ
キシルパーオキシベンゾエート、2,5−ジメチル−
2,5−ジ(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブ
チルパーオキシアセテート、2,2−ビス(t−ブチル
パーオキシ)ブタン、t−ブチルパーオキシベンゾエー
ト、n−ブチル−4,4−ビス(t−ブチルパーオキ
シ)バレレート、ジ−t−ブチルパーオキシイソフタレ
ート、α、α’ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプ
ロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジ
メチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサ
ン、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチル
パーオキサイド、p−メンタンヒドロパーオキサイド、
2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキ
シ)ヘキシン−3、ジイソプロピルベンゼンヒドロパー
オキサイド、t−ブチルトリメチルシリルパーオキサイ
ド、1,1,3,3−テトラメチルブチルヒドロパーオ
キサイド、クメンヒドロパーオキサイド、t−ヘキシル
ヒドロパーオキサイド、t−ブチルヒドロパーオキサイ
ド、2,3−ジメチル−2,3−ジフェニルブタン等を
挙げることができる。
Examples of the radical generator include isobutyryl peroxide, α, α ′ bis (neodecanoylperoxy) diisopropylbenzene, cumylperoxy neodecanoate, di-npropylperoxydicarbonate and diisopropylperoxy. Dicarbonate,
1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyneodecanoate, bis (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyneodecanoate, di-2 -Ethoxyethyl peroxydicarbonate, di (2-ethylhexylperoxy) dicarbonate, t-hexylperoxy neodecanoate, dimethoxybutyl peroxydicarbonate, di (3-methyl-3-methoxybutylperoxy) Dicarbonate, t-butyl peroxy neodecanoate, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, t-hexyl peroxypivalate, t-butyl peroxypivalate, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, Octanoyl peroxide, lauroyl per Cide, stearoyl peroxide, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy 2-ethylhexanoate, succinic peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (2-ethylhexanoylperoxy) ) Hexane, 1-cyclohexyl-
1-methylethylperoxy 2-ethylhexanoate, t-hexylperoxy 2-ethylhexanoate, t-butylperoxy 2-ethylhexanoate,
m-toluoyl and benzoyl peroxide, benzoyl peroxide, t-butylperoxyisobutyrate, di-t-butylperoxy-2-methylcyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy)-
3,3,5-Trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) cyclohexane, 1,1-
Bis (t-butylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, 2,2-bis (4,4-di-t-)
Butyl peroxycyclohexyl) propane, 1,1-
Bis (t-butylperoxy) cyclodecane, t-hexylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxymaleic acid, t-butylperoxy-
3,3,5-Trimethylhexanoate, t-butylperoxylaurate, 2,5-dimethyl-2,5-di (m-toluoylperoxy) hexane, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, t -Butylperoxy 2-ethylhexyl monocarbonate, t-hexyl peroxybenzoate, 2,5-dimethyl-
2,5-di (benzoylperoxy) hexane, t-butylperoxyacetate, 2,2-bis (t-butylperoxy) butane, t-butylperoxybenzoate, n-butyl-4,4-bis ( t-butylperoxy) valerate, di-t-butylperoxyisophthalate, α, α′bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di ( t-butylperoxy) hexane, t-butylcumyl peroxide, di-t-butylperoxide, p-menthane hydroperoxide,
2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexyne-3, diisopropylbenzene hydroperoxide, t-butyltrimethylsilyl peroxide, 1,1,3,3-tetramethylbutylhydroperoxide, Cumene hydroperoxide, t-hexyl hydroperoxide, t-butyl hydroperoxide, 2,3-dimethyl-2,3-diphenylbutane and the like can be mentioned.

【0049】ラジカル発生剤の配合量は、重合体100
重量部に対し、0.1〜10重量部が好ましい。これら
は1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
The amount of the radical generator compounded is 100
0.1 to 10 parts by weight is preferable with respect to parts by weight. These may be used either individually or in combination of two or more.

【0050】トリアゼン化合物としては、例えば、1,
2−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベンゼン、
1,3−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベ
ンゼン、ビス(3,3−ジメチルトリアゼニルフェニ
ル)エーテル、ビス(3,3−ジメチルトリアゼニルフ
ェニル)メタン、ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル
フェニル)スルホン、ビス(3,3−ジメチルトリアゼ
ニルフェニル)スルフィド、2,2−ビス〔4−(3,
3−ジメチルトリアゼニルフェノキシ)フェニル〕−
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス〔4−(3,3−ジメチルトリアゼニルフ
ェノキシ)フェニル〕プロパン、1,3,5−トリス
(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベンゼン、2,7−
ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス
[4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)フェニル]フ
ルオレン、2,7−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニ
ル)−9,9−ビス[3−メチル−4−(3,3−ジメ
チルトリアゼニル)フェニル]フルオレン、2,7−ビ
ス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス
[3−フェニル−4−(3,3−ジメチルトリアゼニ
ル)フェニル]フルオレン、2,7−ビス(3,3−ジ
メチルトリアゼニル)−9,9−ビス[3−プロペニル
−4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)フェニル]フ
ルオレン、2,7−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニ
ル)−9,9−ビス[3−フルオロ−4−(3,3−ジ
メチルトリアゼニル)フェニル]フルオレン、2,7−
ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス
[3,5−ジフルオロ−4−(3,3−ジメチルトリア
ゼニル)フェニル]フルオレン、2,7−ビス(3,3
−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス[3−トリフ
ルオロメチル−4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)
フェニル]フルオレンなどが挙げられる。これらは1種
あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
As the triazene compound, for example, 1,
2-bis (3,3-dimethyltriazenyl) benzene,
1,3-bis (3,3-dimethyltriazenyl) benzene, 1,4-bis (3,3-dimethyltriazenyl) benzene, bis (3,3-dimethyltriazenylphenyl) ether, bis ( 3,3-dimethyltriazenylphenyl) methane, bis (3,3-dimethyltriazenylphenyl) sulfone, bis (3,3-dimethyltriazenylphenyl) sulfide, 2,2-bis [4- (3 ,
3-Dimethyltriazenylphenoxy) phenyl]-
1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane,
2,2-bis [4- (3,3-dimethyltriazenylphenoxy) phenyl] propane, 1,3,5-tris (3,3-dimethyltriazenyl) benzene, 2,7-
Bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl)- 9,9-Bis [3-methyl-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3- Phenyl-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3-propenyl-4- (3,3) -Dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3-fluoro-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] Fluorene, 2,7-
Bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3,5-difluoro-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3)
-Dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3-trifluoromethyl-4- (3,3-dimethyltriazenyl)
Phenyl] fluorene and the like. These may be used either individually or in combination of two or more.

【0051】膜形成用組成物の調製方法 本発明の膜形成用組成物を調製するに際しては、例え
ば、溶媒中化合物(1)〜(3)を混合して、水を連続
的または断続的に添加して、加水分解し、縮合しすれば
よく、特に限定されない。
Method for Preparing Film-Forming Composition When preparing the film-forming composition of the present invention, for example, the compounds (1) to (3) are mixed in a solvent and water is continuously or intermittently added. There is no particular limitation as long as it is added, hydrolyzed and condensed.

【0052】本発明の組成物の調製方法の具体例として
は、下記1)〜11)の方法などを挙げることができる。 1)化合物(1)〜(3)、アルカリ触媒および有機溶媒
からなる混合物に、所定量の水を加えて、加水分解・縮
合反応を行う方法。 2)化合物(1)〜(3)、アルカリ触媒および有機溶媒
からなる混合物に、所定量の水を連続的あるいは断続的
に添加して、加水分解、縮合反応を行う方法。 3)化合物(1)〜(3)および有機溶媒からなる混合物
に、所定量の水およびアルカリ触媒を加えて、加水分解
・縮合反応を行う方法。 4)化合物(1)〜(3)および有機溶剤からなる混合物
に、所定量の水およびアルカリ触媒を連続的あるいは断
続的に添加して、加水分解、縮合反応を行う方法。 5)有機溶剤、水およびアルカリ触媒からなる混合物に、
所定量の化合物(1)〜(3)を加えて、加水分解・縮
合反応を行う方法。 6)有機溶剤、水およびアルカリ触媒からなる混合物に、
所定量の化合物(1)〜(3)を連続的あるいは断続的
に添加して、加水分解・縮合反応を行う方法。 7)有機溶剤、水およびアルカリ触媒からなる混合物に、
所定量の化合物(1)〜(3)を加えて、加水分解・縮
合反応を行い、pH調整剤を添加する方法。 8)有機溶剤、水およびアルカリ触媒からなる混合物に、
所定量の化合物(1)〜(3)を加えて、加水分解・縮
合反応を行い、溶液の一定濃度に濃縮した後pH調整剤
を添加する方法。 9)上記1)〜8)の方法で得られた溶液を、別な有機溶剤で
抽出する方法。 10)上記1)〜8)の方法で得られた溶液を、別な有機溶剤
で置換する方法。 11)上記1)〜8)の方法で得られた溶液を、別な有機溶剤
で抽出した後、更に別な有機溶剤で置換する方法。
Specific examples of the method for preparing the composition of the present invention include the following methods 1) to 11). 1) A method of performing a hydrolysis / condensation reaction by adding a predetermined amount of water to a mixture of the compounds (1) to (3), an alkali catalyst and an organic solvent. 2) A method of performing a hydrolysis or condensation reaction by continuously or intermittently adding a predetermined amount of water to a mixture of the compounds (1) to (3), an alkali catalyst and an organic solvent. 3) A method of adding a predetermined amount of water and an alkali catalyst to a mixture of the compounds (1) to (3) and an organic solvent to carry out a hydrolysis / condensation reaction. 4) A method in which a predetermined amount of water and an alkali catalyst are continuously or intermittently added to a mixture of the compounds (1) to (3) and an organic solvent to carry out hydrolysis and condensation reactions. 5) In a mixture consisting of organic solvent, water and alkali catalyst,
A method of adding a predetermined amount of compounds (1) to (3) and performing a hydrolysis / condensation reaction. 6) In a mixture of organic solvent, water and alkali catalyst,
A method of performing a hydrolysis / condensation reaction by continuously or intermittently adding a predetermined amount of compounds (1) to (3). 7) In a mixture consisting of organic solvent, water and alkali catalyst,
A method of adding a predetermined amount of compounds (1) to (3), performing a hydrolysis / condensation reaction, and adding a pH adjuster. 8) In a mixture of organic solvent, water and alkali catalyst,
A method of adding a predetermined amount of compounds (1) to (3), performing a hydrolysis / condensation reaction, concentrating the solution to a certain concentration, and then adding a pH adjuster. 9) A method of extracting the solution obtained by the above method 1) to 8) with another organic solvent. 10) A method of replacing the solution obtained by the method of 1) to 8) with another organic solvent. 11) A method of extracting the solution obtained by the above method 1) to 8) with another organic solvent and then substituting with another organic solvent.

【0053】このようにして得られる本発明の組成物の
全固形分濃度は、好ましくは、2〜30重量%であり、
使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃
度が2〜30重量%であると、塗膜の膜厚が適当な範囲
となり、保存安定性もより優れるものである。なお、こ
の全固形分濃度の調整は、必要であれば、濃縮および上
記(C)有機溶剤による希釈によって行われる。
The total solid content concentration of the composition of the present invention thus obtained is preferably 2 to 30% by weight,
It is appropriately adjusted according to the purpose of use. When the total solid content concentration of the composition is 2 to 30% by weight, the film thickness of the coating film is in an appropriate range and the storage stability is further excellent. The total solid content concentration is adjusted, if necessary, by concentration and dilution with the organic solvent (C).

【0054】本発明の組成物を、シリコンウエハ、Si
2ウエハ、SiNウエハなどの基材に塗布する際に
は、スピンコート、浸漬法、ロールコート法、スプレー
法などの塗装手段が用いられる。
The composition of the present invention was prepared by using a silicon wafer, Si
When applied to a base material such as an O 2 wafer or SiN wafer, a coating means such as spin coating, dipping, roll coating or spraying is used.

【0055】この際の膜厚は、乾燥膜厚として、1回塗
りで厚さ0.02〜2.5μm程度、2回塗りでは厚さ
0.04〜5.0μm程度の塗膜を形成することができ
る。その後、常温で乾燥するか、あるいは80〜600
℃程度の温度で、通常、5〜240分程度加熱して乾燥
することにより、ガラス質または巨大高分子の絶縁膜を
形成することができる。この際の加熱方法としては、ホ
ットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用するこ
とが出来、加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、
アルゴン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした
減圧下などで行うことができる。また、電子線や紫外線
を照射することによっても塗膜を形成させることができ
る。また、上記塗膜の硬化速度を制御するため、必要に
応じて、段階的に加熱したり、窒素、空気、酸素、減圧
などの雰囲気を選択することができる。このようにして
得られる本発明のシリカ系膜は、膜密度が、通常、0.
35〜1.2g/cm3 、好ましくは0.4〜1.1g
/cm3 、さらに好ましくは0.5〜1.0g/cm3
である。膜密度が0.35g/cm3 未満では、塗膜の
機械的強度が低下し、一方、1.2g/cm3 を超える
と低比誘電率が得られない。また、本発明のシリカ系膜
は、BJH法による細孔分布測定において、10nm以
上の空孔が認められず、微細配線間の層間絶縁膜材料と
して好ましい。さらに、本発明のシリカ系膜は、吸水性
が低い点に特徴を有し、例えば、塗膜を127℃、2.
5atm、100%RHの環境に1時間放置した場合、
放置後の塗膜のIRスペクトル観察からは塗膜への水の
吸着は認められない。この吸水性は、本発明における膜
形成用組成物に用いられる化合物(1)のテトラアルコ
キシシラン類の量により、調整することができる。さら
に、本発明のシリカ系膜の比誘電率は、通常、2.6〜
1.2、好ましくは2.5〜1.2、さらに好ましくは
2.4〜1.2である。
The film thickness at this time is a dry film thickness of about 0.02 to 2.5 μm for one coating, and about 0.04 to 5.0 μm for two coatings. be able to. Then, it is dried at room temperature or 80 ~ 600
A glassy or giant polymer insulating film can be formed by heating at a temperature of about C for about 5 to 240 minutes and drying. As a heating method at this time, a hot plate, an oven, a furnace or the like can be used, and a heating atmosphere is under air, a nitrogen atmosphere,
It can be performed in an argon atmosphere, under vacuum, under reduced pressure with controlled oxygen concentration, and the like. The coating film can also be formed by irradiating with an electron beam or ultraviolet rays. In addition, in order to control the curing speed of the coating film, it is possible to heat stepwise or select an atmosphere such as nitrogen, air, oxygen, or reduced pressure, if necessary. The silica-based film of the present invention thus obtained usually has a film density of 0.
35-1.2 g / cm 3 , preferably 0.4-1.1 g
/ Cm 3 , more preferably 0.5-1.0 g / cm 3
Is. When the film density is less than 0.35 g / cm 3 , the mechanical strength of the coating film is lowered, while when it exceeds 1.2 g / cm 3 , a low relative dielectric constant cannot be obtained. In addition, the silica-based film of the present invention is preferable as an interlayer insulating film material between fine wirings because voids having a diameter of 10 nm or more are not recognized in the pore distribution measurement by the BJH method. Furthermore, the silica-based film of the present invention is characterized in that it has a low water absorption property.
When left in an environment of 5 atm and 100% RH for 1 hour,
From the IR spectrum observation of the coating film after standing, adsorption of water to the coating film was not observed. This water absorption can be adjusted by the amount of the tetraalkoxysilanes of the compound (1) used in the film forming composition of the present invention. Furthermore, the relative dielectric constant of the silica-based film of the present invention is usually 2.6 to
It is 1.2, preferably 2.5 to 1.2, and more preferably 2.4 to 1.2.

【0056】このようにして得られる層間絶縁膜は、焼
成条件による比誘電率の差異が小さく、さらに基板との
優れた密着性を示すことから、LSI、システムLS
I、DRAM、SDRAM、RDRAM、D−RDRA
Mなどの半導体素子用層間絶縁膜やエッチングストッパ
ー膜、半導体素子の表面コート膜などの保護膜、多層レ
ジストを用いた半導体作製工程の中間層、多層配線基板
の層間絶縁膜、液晶表示素子用の保護膜や絶縁膜などの
用途に有用である。
The interlayer insulating film thus obtained has a small difference in relative dielectric constant depending on the firing conditions and exhibits excellent adhesion to the substrate.
I, DRAM, SDRAM, RDRAM, D-RDRA
An interlayer insulating film for a semiconductor element such as M and an etching stopper film, a protective film such as a surface coating film for a semiconductor element, an intermediate layer in a semiconductor manufacturing process using a multilayer resist, an interlayer insulating film for a multilayer wiring board, and a liquid crystal display element. It is useful for applications such as protective films and insulating films.

【0057】[0057]

【実施例】以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的
に説明する。ただし、以下の記載は、本発明の態様例を
概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載に
より本発明は限定されるものではない。なお、実施例お
よび比較例中の部および%は、特記しない限り、それぞ
れ重量部および重量%であることを示している。また、
各種の評価は、次のようにして行なった。
EXAMPLES The present invention will be described more specifically below with reference to examples. However, the following description is a general description of example embodiments of the present invention, and the present invention is not limited to the description without particular reason. In addition, unless otherwise indicated, the part and% in an Example and a comparative example have shown that it is a weight part and weight%, respectively. Also,
Various evaluations were performed as follows.

【0058】慣性半径 下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー(GPC)(屈折率,粘度,光散乱測定)法により測
定した。試料溶液:シラン化合物の加水分解縮合物を、
固形分濃度が0.25%となるように、10mMのLi
Brを含むメタノールで希釈し、GPC(屈折率,粘
度,光散乱測定)用試料溶液とした。 装置:東ソー(株)製、GPCシステム モデル GPC−8020 東ソー(株)製、カラム Alpha5000/3000 ビスコテック社製、粘度検出器および光散乱検出器 モデル T−60 デュアルメーター キャリア溶液:10mMのLiBrを含むメタノール キャリア送液速度:1ml/min カラム温度:40℃
Radius of inertia Measured by a gel permeation chromatography (GPC) (refractive index, viscosity, light scattering measurement) method under the following conditions. Sample solution: Hydrolyzed condensate of silane compound,
10 mM Li so that the solid content concentration is 0.25%.
It was diluted with methanol containing Br to prepare a sample solution for GPC (refractive index, viscosity, light scattering measurement). Apparatus: Tosoh Corp., GPC system model GPC-8020 Tosoh Corp., column Alpha5000 / 3000 Viscotech Co., viscosity detector and light scattering detector model T-60 dual meter Carrier solution: 10 mM LiBr Containing methanol Carrier delivery rate: 1 ml / min Column temperature: 40 ° C

【0059】比誘電率 8インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で90℃で3分
間、窒素雰囲気200℃で3分間基板を乾燥し、さらに
390℃並びに415℃の窒素雰囲気ファーネスで30
分基板を焼成した。得られた膜に対して、蒸着法により
アルミニウム電極パターンを形成させ比誘電率測定用サ
ンプルを作成した。該サンプルを周波数100kHzの
周波数で、横河・ヒューレットパッカード(株)製、H
P16451B電極およびHP4284Aプレシジョン
LCRメータを用いてCV法により当該塗膜の比誘電率
を測定した。
A composition sample was applied onto a silicon wafer having a relative dielectric constant of 8 inches by a spin coating method, and the substrate was dried on a hot plate at 90 ° C. for 3 minutes and in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. for 3 minutes, and further 390. 30 in a nitrogen atmosphere furnace at ℃ and 415 ℃
The substrate was baked. An aluminum electrode pattern was formed on the obtained film by a vapor deposition method to prepare a sample for measuring relative permittivity. The sample was manufactured by Yokogawa / Hewlett Packard Co., H at a frequency of 100 kHz.
The relative dielectric constant of the coating film was measured by the CV method using a P16451B electrode and HP4284A precision LCR meter.

【0060】組成物のpH 膜形成用組成物をエタノール/超純水=3/1(重量
比)の溶液で10倍に希釈し、組成物のpHを測定し
た。
PH of the Composition The film-forming composition was diluted 10 times with a solution of ethanol / ultra pure water = 3/1 (weight ratio), and the pH of the composition was measured.

【0061】組成物の保存安定性 40℃で30日保存した膜形成用組成物を、スピンコー
ト法を用いて組成物試料を塗布し、ホットプレート上で
90℃で3分間、窒素雰囲気200℃で3分間基板を乾
燥し、さらに390℃の窒素雰囲気ファーネスで30分
基板を焼成した。このようにして得られた塗膜の膜厚
を、光学式膜厚計(Rudolph Technolo
gies社製、Spectra Laser200)を
用いて塗膜面内で50点測定した。得られた膜厚の膜厚
を測定し、下式により求めた膜厚増加率により、保存安
定性を評価した。 膜厚増加率(%)=((保存後の膜厚)−(保存前の膜
厚))÷(保存前の膜厚)×100 〇:膜厚増加率4%以下 ×:膜厚増加率4%超える
Storage stability of the composition The composition for film formation, which was stored at 40 ° C. for 30 days, was applied as a composition sample by a spin coating method, and the composition sample was applied on a hot plate at 90 ° C. for 3 minutes in a nitrogen atmosphere of 200 ° C. The substrate was dried for 3 minutes and further baked for 30 minutes in a nitrogen atmosphere furnace at 390 ° C. The film thickness of the coating film thus obtained is measured by an optical film thickness meter (Rudolph Technology).
50 points were measured on the surface of the coating film using Spectra Laser 200 manufactured by Geies. The film thickness of the obtained film thickness was measured, and the storage stability was evaluated by the rate of film thickness increase obtained by the following formula. Film thickness increase rate (%) = ((film thickness after storage)-(film thickness before storage)) / (film thickness before storage) x 100 ◯: film thickness increase rate of 4% or less x: film thickness increase rate Over 4%

【0062】合成例1 石英製セパラブルフラスコに、蒸留エタノール470.
9g、イオン交換水226.5gと25%テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド水溶液17.2gを入
れ、均一に攪拌した。この溶液にメチルトリメトキシシ
ラン44.9gとテトラエトキシシラン68.6gの混
合物を1時間かけて添加した。溶液を55℃に保ったま
ま、2時間反応を行った。この溶液に20%硝酸水溶液
50gを添加し、十分攪拌した後、室温まで冷却した。
この溶液に蒸留酢酸ブチル700gを加え、十分攪拌し
層分離した溶液から上層のみを取り出した。この溶液に
イオン交換水500gを加え、十分攪拌し下層の水層を
除去した。この操作を10回繰り返した後、上層溶液に
蒸留プロピレングリコールモノプロピルエーテル400
gを添加し、50℃のエバポレーターを用いて溶液を1
3%(完全加水分解縮合物換算)となるまで濃縮し、反
応液を得た。このようにして得られた縮合物等の慣性
半径は、20.0nmであった。また、溶液中のテトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイド量を炎光光度測
定器で測定したところ、固形分100重量部(完全加水
分解縮合物換算)に対して、0.001重量部であっ
た。
Synthesis Example 1 Distilled ethanol 470.
9 g, ion-exchanged water 226.5 g and 25% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution 17.2 g were added and stirred uniformly. A mixture of 44.9 g of methyltrimethoxysilane and 68.6 g of tetraethoxysilane was added to this solution over 1 hour. The reaction was carried out for 2 hours while keeping the solution at 55 ° C. To this solution, 50 g of a 20% aqueous nitric acid solution was added, and after sufficiently stirring, it was cooled to room temperature.
700 g of distilled butyl acetate was added to this solution, and the mixture was thoroughly stirred and the upper layer alone was taken out from the layer-separated solution. Ion-exchanged water (500 g) was added to this solution and stirred sufficiently to remove the lower aqueous layer. After repeating this operation 10 times, distilled propylene glycol monopropyl ether 400 was added to the upper layer solution.
g and add 1 to the solution using an evaporator at 50 ° C.
The reaction solution was obtained by concentrating the solution to 3% (converted to a complete hydrolysis-condensation product). The radius of gyration of the thus obtained condensate and the like was 20.0 nm. Further, when the amount of tetramethylammonium hydroxide in the solution was measured by a flame photometer, it was 0.001 part by weight based on 100 parts by weight of the solid content (completely hydrolyzed condensate equivalent).

【0063】合成例2 石英製セパラブルフラスコに、蒸留エタノール470.
9g、イオン交換水233.3gと25%水酸化カリウ
ム水溶液10.4gを入れ、均一に攪拌した。この溶液
にメチルトリメトキシシラン44.9gとテトラエトキ
シシラン68.6gの混合物を20分間かけて添加し
た。溶液を50℃に保ったまま、2時間反応を行った。
この溶液に20%マレイン酸水溶液50gを添加し、十
分攪拌した後、室温まで冷却した。この溶液にイオン交
換水500gを加え、十分攪拌し下層の水層を除去し
た。この操作を10回繰り返した後、上層溶液に蒸留プ
ロピレングリコールモノプロピルエーテル400gを添
加し、50℃のエバポレーターを用いて溶液を13%
(完全加水分解縮合物換算)となるまで濃縮し、反応液
を得た。このようにして得られた縮合物等の慣性半径
は、19.6nmであった。
Synthesis Example 2 In a quartz separable flask, distilled ethanol 470.
9 g, ion-exchanged water 233.3 g and 25% potassium hydroxide aqueous solution 10.4 g were put and stirred uniformly. A mixture of 44.9 g of methyltrimethoxysilane and 68.6 g of tetraethoxysilane was added to this solution over 20 minutes. The reaction was carried out for 2 hours while keeping the solution at 50 ° C.
To this solution, 50 g of 20% maleic acid aqueous solution was added, and after sufficiently stirring, it was cooled to room temperature. Ion-exchanged water (500 g) was added to this solution and stirred sufficiently to remove the lower aqueous layer. After repeating this operation 10 times, 400 g of distilled propylene glycol monopropyl ether was added to the upper layer solution, and the solution was adjusted to 13% by using an evaporator at 50 ° C.
The reaction solution was obtained by concentrating until it became (completely hydrolyzed condensate equivalent). The radius of gyration of the condensate and the like thus obtained was 19.6 nm.

【0064】合成例3 石英製セパラブルフラスコに、蒸留エタノール570
g、イオン交換水160gと10%メチルアミンのイオ
ン交換水溶液90gを入れ、均一に攪拌した。この溶液
に蒸留メチルトリメトキシシラン13.6gと蒸留テト
ラエトキシシラン20.9gの混合物を30分間かけて
添加した。溶液を65℃に保ったまま、2時間反応を行
った。この溶液に20%マレイン酸水溶液50gを添加
し、十分攪拌した後、室温まで冷却した。この溶液にイ
オン交換水500gを加え、十分攪拌し下層の水層を除
去した。この操作を10回繰り返した後、上層溶液に蒸
留プロピレングリコールモノプロピルエーテル400g
を添加し、50℃のエバポレーターを用いて溶液を13
%(完全加水分解縮合物換算)となるまで濃縮し、反応
液を得た。このようにして得られた縮合物等の慣性半
径は、17.0nmであった。また、溶液中のメチルア
ミンマレイン酸塩量を炎光光度測定器で測定したとこ
ろ、固形分100重量部(完全加水分解縮合物換算)に
対して、0.001重量部であった。
Synthesis Example 3 Distilled ethanol 570 was placed in a quartz separable flask.
g, 160 g of ion-exchanged water, and 90 g of an ion-exchange aqueous solution of 10% methylamine were added and uniformly stirred. A mixture of 13.6 g of distilled methyltrimethoxysilane and 20.9 g of distilled tetraethoxysilane was added to this solution over 30 minutes. The reaction was carried out for 2 hours while keeping the solution at 65 ° C. To this solution, 50 g of 20% maleic acid aqueous solution was added, and after sufficiently stirring, it was cooled to room temperature. Ion-exchanged water (500 g) was added to this solution and stirred sufficiently to remove the lower aqueous layer. After repeating this operation 10 times, 400 g of distilled propylene glycol monopropyl ether was added to the upper layer solution.
Was added, and the solution was adjusted to 13 using an evaporator at 50 ° C.
The reaction solution was obtained by concentrating the mixture until the concentration reached 100% (in terms of complete hydrolysis condensate). The radius of gyration of the condensate or the like thus obtained was 17.0 nm. The amount of methylamine maleate in the solution was measured with a flame photometer to find that it was 0.001 part by weight with respect to 100 parts by weight of solid content (completely hydrolyzed condensate).

【0065】比較合成例1 合成例1において、25%テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド水溶液の代わりにコハク酸2.4gを
使用した以外は合成例1と同様にして反応液を得た。
このようにして得られた縮合物等の慣性半径は、0.2
nmであった。
Comparative Synthesis Example 1 A reaction solution was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 2.4 g of succinic acid was used instead of the 25% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution.
The radius of gyration of the condensate or the like thus obtained is 0.2
was nm.

【0066】実施例1 合成例1で得られた反応液の固形分100重量部(完
全加水分解縮合物換算)に対して、アンモニアマレイン
酸塩を0.007重量部となるよう添加し、十分攪拌し
た。この溶液を0.2μm孔径のテフロン(登録商標)
製フィルターでろ過を行い本発明の膜形成用組成物を得
た。この組成物のpHは3.3であった。得られた組成
物をスピンコート法でシリコンウエハ上に塗布した。3
90℃焼成の塗膜の比誘電率は2.22、415℃焼成
の塗膜の比誘電率は2.21と比誘電率の焼成依存は非
常に小さかった。また、組成物の保存安定性を評価した
ところ、膜厚増加率は2.3%と保存安定性に優れてい
た。
Example 1 Ammonia maleate was added in an amount of 0.007 parts by weight to 100 parts by weight of the solid content (calculated as a complete hydrolysis condensate) of the reaction solution obtained in Synthesis Example 1, and the mixture was sufficiently added. It was stirred. This solution is treated with Teflon (registered trademark) having a pore size of 0.2 μm.
The film-forming composition of the present invention was obtained by performing filtration with a filter. The pH of this composition was 3.3. The obtained composition was applied onto a silicon wafer by spin coating. Three
The relative permittivity of the coating film baked at 90 ° C. was 2.22, and the relative permittivity of the coating film baked at 415 ° C. was 2.21, showing that firing dependence of the relative dielectric constant was very small. Further, when the storage stability of the composition was evaluated, the film thickness increase rate was 2.3%, which was excellent in storage stability.

【0067】実施例2〜8 表1に示す組成で膜形成用組成物を作製し、実施例1と
同様に評価を行った。評価結果を表1に併せて示す。
Examples 2 to 8 Film forming compositions having the compositions shown in Table 1 were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1. The evaluation results are also shown in Table 1.

【0068】[0068]

【表1】 [Table 1]

【0069】比較例1 合成例3で得られた反応液のみを使用したこと以外は
実施例1と同様にして塗膜の評価を行った。この組成物
のpHは4.1であった。390℃焼成の塗膜の比誘電
率は2.21、415℃焼成の塗膜の比誘電率は2.2
3と比誘電率の焼成依存は非常に小さかったが、組成物
の保存安定性を評価したところ、膜厚増加率は4.8%
と保存安定性に劣るものであった。
Comparative Example 1 A coating film was evaluated in the same manner as in Example 1 except that only the reaction solution obtained in Synthesis Example 3 was used. The pH of this composition was 4.1. The relative permittivity of the coating film baked at 390 ° C is 2.21, and the relative permittivity of the coating film baked at 415 ° C is 2.2.
3, the relative dielectric constant was very little dependent on firing, but when the storage stability of the composition was evaluated, the film thickness increase rate was 4.8%.
And it was inferior in storage stability.

【0070】比較例2 合成例2で得られた反応液のみを使用したこと以外は
実施例1と同様にして塗膜の評価を行った。この組成物
のpHは4.2であった。390℃焼成の塗膜の比誘電
率は2.03、415℃焼成の塗膜の比誘電率は2.0
5と比誘電率の焼成依存は非常に小さかったが、組成物
の保存安定性を評価したところ、膜厚増加率は5.2%
と保存安定性に劣るものであった。
Comparative Example 2 A coating film was evaluated in the same manner as in Example 1 except that only the reaction solution obtained in Synthesis Example 2 was used. The pH of this composition was 4.2. The relative dielectric constant of the coating film baked at 390 ° C is 2.03, and the relative dielectric constant of the coating film baked at 415 ° C is 2.0.
5 and the relative dielectric constant was very small, but when the storage stability of the composition was evaluated, the film thickness increase rate was 5.2%.
And it was inferior in storage stability.

【0071】比較例3 合成例3で得られた反応液の固形分100重量部(完
全加水分解縮合物換算)に対して、アンモニアマレイン
酸塩を0.2重量部となるよう添加したこと以外は実施
例1と同様にして塗膜の評価を行った。この組成物のp
Hは2.1であった。390℃焼成の塗膜の比誘電率は
2.18、415℃焼成の塗膜の比誘電率は2.20と
比誘電率の焼成依存は非常に小さかったが、組成物の保
存安定性を評価したところ、膜厚増加率は6.3%と保
存安定性に劣るものであった。
Comparative Example 3 Ammonia maleate was added in an amount of 0.2 parts by weight based on 100 parts by weight of the solid content of the reaction solution obtained in Synthesis Example 3 (calculated as a complete hydrolysis condensate). The coating film was evaluated in the same manner as in Example 1. P of this composition
H was 2.1. The relative permittivity of the coating film baked at 390 ° C. was 2.18, and the relative permittivity of the coating film baked at 415 ° C. was 2.20, and the firing dependence of the relative dielectric constant was very small, but the storage stability of the composition was As a result of evaluation, the film thickness increase rate was 6.3%, which was inferior in storage stability.

【0072】比較例4 合成例3で得られた反応液の固形分100重量部(完
全加水分解縮合物換算)に対して、アンモニア硫酸塩を
1重量部となるよう添加したこと以外は実施例1と同様
にして塗膜の評価を行った。この組成物のpHは1.9
であった。390℃焼成の塗膜の比誘電率は2.18、
415℃焼成の塗膜の比誘電率は2.20と比誘電率の
焼成依存は非常に小さかったが、組成物の保存安定性を
評価したところ、膜厚増加率は6.9%と保存安定性に
劣るものであった。
Comparative Example 4 Example except that ammonia sulfate was added so as to be 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the solid content of the reaction solution obtained in Synthesis Example 3 (calculated as a complete hydrolysis condensate). The coating film was evaluated in the same manner as in 1. The pH of this composition is 1.9.
Met. The relative dielectric constant of the coating film baked at 390 ° C. is 2.18,
The relative dielectric constant of the coating film baked at 415 ° C. was 2.20, and the baking dependence of the relative dielectric constant was very small. However, when the storage stability of the composition was evaluated, the film thickness increase rate was 6.9%. It was inferior in stability.

【0073】比較例5 比較合成例1で得られた反応液の固形分100重量部
(完全加水分解縮合物換算)に対して、アンモニアマレ
イン酸塩を0.01重量部となるよう添加したこと以外
は実施例1と同様にして塗膜の評価を行った。この組成
物のpHは3.7であった。390℃焼成の塗膜の比誘
電率は3.24、415℃焼成の塗膜の比誘電率は2.
78と比誘電率の焼成依存が劣るものであった。
Comparative Example 5 Ammonia maleate was added in an amount of 0.01 parts by weight to 100 parts by weight of the solid content of the reaction solution obtained in Comparative Synthesis Example 1 (calculated as a complete hydrolysis-condensation product). The coating film was evaluated in the same manner as in Example 1 except for the above. The pH of this composition was 3.7. The relative dielectric constant of the coating film baked at 390 ° C. is 3.24, and the relative dielectric constant of the coating film baked at 415 ° C. is 2.24.
The relative dielectric constant was 78 and the firing dependence was inferior.

【0074】[0074]

【発明の効果】本発明によれば、(A)アルコキシシラ
ン加水分解重合体、(B)特定量のアンモニウム塩、1
〜4級アルキルアンモニウム塩の群から選ばれる少なく
とも1種、および(C)有機溶剤を含有し、かつpH2
〜4の組成物で、焼成条件による比誘電率の差異が小さ
く、さらに組成物の保存安定性に優れた膜形成用組成物
(層間絶縁膜用材料)を提供することが可能である。
According to the present invention, (A) an alkoxysilane hydrolyzed polymer, (B) a specific amount of ammonium salt, 1
To at least one selected from the group of quaternary alkyl ammonium salts, and (C) an organic solvent, and having a pH of 2
It is possible to provide a film forming composition (material for an interlayer insulating film) which has a small difference in relative dielectric constant depending on firing conditions and has excellent storage stability of the composition.

フロントページの続き (72)発明者 西川 通則 東京都中央区築地二丁目11番24号ジェイエ スアール株式会社内 (72)発明者 山田 欣司 東京都中央区築地二丁目11番24号ジェイエ スアール株式会社内 Fターム(参考) 4J038 DL021 DL031 DL071 DL161 HA176 HA316 JA16 JA30 JA53 JB01 JB11 JB12 KA04 KA06 LA03 NA21 NA26 PA19 PB09 Continued front page    (72) Inventor Mitsunori Nishikawa             2-11-21 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo JAE             Within Suar Co., Ltd. (72) Inventor Kinji Yamada             2-11-21 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo JAE             Within Suar Co., Ltd. F-term (reference) 4J038 DL021 DL031 DL071 DL161                       HA176 HA316 JA16 JA30                       JA53 JB01 JB11 JB12 KA04                       KA06 LA03 NA21 NA26 PA19                       PB09

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)下記一般式(1)で表される化
合物、 Ra Si(OR14-a ・・・・・(1) (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機
基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。) 下記一般式(2)で表される化合物および Si(OR24 ・・・・・(2) (式中、R2 は1価の有機基を示す。) 下記一般式(3)で表される化合物 R3 b(R4O)3-bSi−(R7d−Si(OR53-c6 c ・・・・(3) 〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価
の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、
7 は酸素原子、フェニレン基または−(CH2n
で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、d
は0または1を示す。〕の群から選ばれた少なくとも1
種の化合物をアルカリ触媒と水の存在下で加水分解、縮
合して得られる加水分解縮合物、(B)(A)成分10
0重量部(完全加水分解縮合物換算)に対して0.00
5〜0.5重量部の、アンモニウム塩および第1〜4級
アルキルアンモニウム塩からなる群より選ばれる少なく
とも1種ならびに(C)有機溶剤を含有し、かつpHが
2〜4であることを特徴とする膜形成用組成物。
1. A compound represented by the following general formula (1), R a Si (OR 1 ) 4-a (1) (wherein R is a hydrogen atom, a fluorine atom or Monovalent organic group, R 1 is a monovalent organic group, and a is an integer of 1 to 2.) A compound represented by the following general formula (2) and Si (OR 2 ) 4 ( 2) (In the formula, R 2 represents a monovalent organic group.) A compound represented by the following general formula (3) R 3 b (R 4 O) 3-b Si- (R 7 ) d - Si ( oR 5) 3-c R 6 c ···· (3) wherein, R 3 to R 6 are the same or different and each represents a monovalent organic group, b-c are identical or different, represent an integer of 0 to 2 ,
R 7 is an oxygen atom, a phenylene group or — (CH 2 ) n
A group represented by (where n is an integer of 1 to 6), d
Represents 0 or 1. ] At least 1 selected from the group
Hydrolyzed condensate obtained by hydrolyzing and condensing a seed compound in the presence of an alkali catalyst and water, (B) (A) component 10
0.00 based on 0 parts by weight (completely hydrolyzed condensate equivalent)
5 to 0.5 parts by weight of at least one selected from the group consisting of ammonium salts and quaternary alkylammonium salts and (C) an organic solvent, and having a pH of 2 to 4 A film forming composition.
【請求項2】(C)有機溶剤が、下記一般式(4)で表
される溶剤であることを特徴とする請求項1記載の膜形
成用組成物。 RO(CHCH3CH2O)e ・・・・・(4) (RおよびRは、それぞれ独立して水素原子、炭素
数1〜4のアルキル基またはCH3CO−から選ばれる
1価の有機基を示し、eは1〜2の整数を表す。)
2. The film-forming composition according to claim 1, wherein the organic solvent (C) is a solvent represented by the following general formula (4). R 8 O (CHCH 3 CH 2 O) e R 9 ····· (4) (R 8 and R 9 are each independently a hydrogen atom, alkyl group or CH 3 CO- 1 to 4 carbon atoms Represents a monovalent organic group selected, and e represents an integer of 1 to 2.)
【請求項3】 アルカリ触媒が、アンモニア、1〜3級
アルキルアミン、テトラアルキルアンモニウムハイドロ
オキサイド、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムである
ことを特徴とする請求項1記載の膜形成用組成物。
3. The film-forming composition according to claim 1, wherein the alkali catalyst is ammonia, a primary to tertiary alkylamine, a tetraalkylammonium hydroxide, sodium hydroxide or potassium hydroxide.
【請求項4】 (B)成分がアンモニア有機酸塩、アン
モニウムハイドロオキサイド、アンモニア硝酸塩、1〜
4級アルキルアミン有機酸塩、1〜4級アルキルアンモ
ニウムハイドロオキサイド、1〜4級アルキルアミン硝
酸塩であることを特徴とする請求項1記載の膜形成用組
成物。
4. The component (B) is an ammonium organic acid salt, ammonium hydroxide, ammonia nitrate, 1 to
The film-forming composition according to claim 1, which is a quaternary alkylamine organic acid salt, a quaternary alkylammonium hydroxide, or a quaternary alkylamine nitrate.
【請求項5】 請求項1項に記載の膜形成用組成物を
基板に塗布し、加熱することを特徴とする膜の形成方
法。
5. A method for forming a film, which comprises applying the film-forming composition according to claim 1 on a substrate and heating the substrate.
【請求項6】 請求項5記載の膜の形成方法によって
得られるシリカ系膜。
6. A silica-based film obtained by the method for forming a film according to claim 5.
【請求項7】 比誘電率が2.4以下であることを特
徴とする請求項6記載のシリカ系膜。
7. The silica-based film according to claim 6, which has a relative dielectric constant of 2.4 or less.
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