KR200325070Y1 - 은이온발생기를 갖는 비데 - Google Patents

Abstract

본 고안은 밀폐형 은이온발생기를 비데 내부 또는 비데와 연결되는 유로파이프에 선택적으로 설치하여 설치를 간편하게 하고, 은이온발생기의 설치로 인해 비데의 구조가 복잡화되는 것을 방지할 수 있도록 하는 은이온발생기를 갖는 비데에 관한 것으로,

하우징; 상기 하우징에 저장된 물을 압송시키는 시키는 가압펌프; 상기 하우징에 저장된 물을 가열하는 히터; 상기 하우징에서 공급되는 물을 분사시키는 노즐; 하우징 내부의 수위를 조절하는 수위조절센서; 상기 수위조절센서를 제어하는 솔레노이드밸브; 및 각종 기능을 제어하는 콘트롤러;를 갖는 비데에 있어서,

상기 비데 내부 또는 그 비데와 연결된 유로파이프상에 입출구를 갖는 밀폐형 은이온발생기가 설치되는 것이 특징이며,

여기서, 상기 밀폐형 은이온발생기는, 하우징; 공급된 전압을 정류하여 은이온전극에 공급하며 은이온의 농도를 일정하게 조절하기 위한 프로그램이 내장된 이온조절콘트롤러; 상기 이온조절콘크롤러로부터 전압이 인가되면 은이온을 발생시키는 은이온전극이 내장되는 은이온흐름관; 및 상기 은이온흐름관 내부의 측정전류치를 검출하기 위한 전류검출부;를 포함한다.

Description

은이온발생기를 갖는 비데{A bidet having silver-ionizer}

본 고안은 은이온발생기를 갖는 비데에 관한 것으로, 특히 밀폐형 은이온발생기를 비데 내부 또는 비데와 연결되는 파이프에 선택적으로 설치하여 설치를 간편하게 하고, 은이온발생기의 설치로 인해 비데의 구조가 복잡화되는 것을 방지할 수 있도록 하는 은이온발생기를 갖는 비데에 관한 것이다.

일반적으로, 은(Silve)은 강한 살균력을 가지고 있어 물속에 존재하는 미생물이나 인체에 유해한 각종 박테리아와 바이러스성 세균의 살균처리가 뛰어나다고 알려져 있으며, 특히 황산은은 화상 및 절개자상에 박테리아 감염방지처리제로 널리 사용되고 있다.

이와 같이 은이 인체에 무해하면서도 강한 살균력을 가지고 있기 때문에 최근에는 수처리에 많이 사용되고 있으며, 본 고안의 경우도 이러한 은의 살균효과를 비데에 적용하여 살균된 위생적인 처리수를 비데가 공급할 수 있도록 한 것이다.

종래의 비데장치(대한민국 실용신안출원 )는 도 1 내지 도 2와 같이 키설정부(40)가 구비된 본체(10)와, 상기 본체(10)의 일측에 위치한 좌변기(20)의 내부에 구비되어 냉수 또는 온수를 분사하기 위한 분사노즐(26)을 갖는 고정편(22)과 그 고정편(22)의 후방에 설치되어 좌변기(20)에 결합하는 결합수단(24)으로 구성된다.

이러한 종래의 비데장치 내부에는 유입구(12)를 통해 유입된 일정량의 원수를 이온화 시키는 다수의 은판(32)이 마련된 이온화부(30)가 상부에 장착되어 있는 제 1물통(16)과 상기 제 1물통(16)의 일측에 그 제 1물통(16)으로부터 제조된 은이온수를 배관(63)을 거쳐 제 1모터(62a)의 펌핑작용에 의해 은이온수를 공급받는 제 2물통(18)이 설치되며, 상기 제 2물통(18) 내부에는 은이온수를 가열하는 가열파이프(82)가 구비되며, 상기 제 2물통(18)에서 가열된 은이온수를 세정용으로 공급하기 위해 마련된 분사용 제 2모터(64a)와 상기 제 2모터(64a)와 연장 형성되어 용변 후 은이온수를 공급하여 뒤처리를 수행하는 분사노즐(26)이 설치되어 있다.

그런데, 이와 같이 구성된 종래의 비데장치는 이온화부(30)가 수납된 본체(10)가 개방된 상태로 비데 내부에 보관된 상태에서 상기 이온화부(30)가 저장된 물에 잠기도록 설치되어야 하므로 항상 비데 내부에만 설치가 가능하였다.

따라서, 본체(10)의 설치장소가 비데 내부로 한정될 뿐만 아니라 비데의 좁은 공간 내부에 설치해야 하므로 설치공수가 복잡한 단점이 있었다.

또한, 본체(10)는 제 1물통(16)과 제 2물통(18)으로 구분되어 구조가 복잡하고, 제 1물통(16)에서 생성된 은이온수를 제 1모터(62a)가 제 2물통(18)으로 이송시키고 제 2물통의 은이온수는 제 2모터(64a)가 분사노즐(26)로 압송시키는 구조로서 이온수 공급을 위해 2개의 모터(62a)(64a)가 필요함으로 구조가 복잡하고 제조원가가 많이 소요되는 단점이 있었다.

이에, 본 고안은 상술한 바와 같은 종래 은이온 비데장치의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 밀폐형 은이온발생기를 비데 내부 또는 비데와 연결되는 유로파이프에 선택적으로 설치하여 설치를 간편하게 하고, 은이온발생기의 설치로 인해 비데의 구조가 복잡화되는 것을 방지할 수 있도록 하는 은이온발생기를 갖는 비데를 제공함에 있다.

이러한 은이온발생기를 갖는 비데는, 덮개를 갖는 하우징; 상기 하우징과 연결되는 유로파이프상에 설치되어 하우징 내부에 저장된 물을 압송시키는 가압펌프; 상기 하우징 내부에 저장된 물을 가열하는 히터; 상기 하우징 출구와 연결되는 배출파이프상에 설치되어 하우징에서 공급되는 물을 분사시키는 노즐; 상기 하우징 내부 상하에 설치되어 공급되는 물의 수위를 감지하는 수위조절센서; 하우징 내부로 공급된 물의 수위가 수위조절센서 사이에 위치되도록 상기 수위조절센서의 구동을 제어하는 솔레노이드밸브; 및 사용자의 조작에 의해 각종 기능을 제어하는 콘트롤러;를 갖는 비데에 있어서,

상기 비데 내부 또는 그 비데와 연결된 유로파이프상에 입출구를 갖는 밀폐형 은이온발생기가 설치되는 것이 특징이다.

여기서, 상기 밀폐형 은이온발생기는, 입출구를 갖는 하우징; 상기 하우징 내부에 수납되고 외부에서 공급된 전압을 정류하여 은이온전극에 공급하며 은이온의 농도를 일정하게 조절하기 위한 프로그램이 내장된 이온조절콘트롤러; 상기 이온조절콘크롤러로부터 전압이 인가되면 은이온을 발생시키는 한 쌍의 은이온전극이 내장되며 살균처리하기 위한 물이 통과되는 은이온흐름관; 및 상기 은이온흐름관 내부의 측정전류치를 검출하기 위한 전류검출부;를 포함한다.

도 1은 종래 은이온발생기를 갖는 비데의 사용상태를 보인 사시도

도 2는 종래 은이온발생기의 내부 구조를 보인 개략도

도 3은 본 고안에 따른 제 1실시예의 비데에 관한 것으로, 은이온발생기가 공급파이프상에 설치된 상태를 보인 측단면도

도 4는 본 고안에 따른 제 2실시예의 비데에 관한 것으로, 은이온발생기가 하우징 내부에 설치된 상태를 보인 측단면도

도 5는 본 고안에 따른 제 3실시예의 비데에 관한 것으로, 은이온발생기가 배출파이프상에 설치된 상태를 보인 측단면도

도 6은 본 고안에 따른 각 실시예의 비데를 통과한 물의 흐름도

도 7은 본 고안에 따른 은이온발생기의 정면도

도 8은 본 고안에 따른 은이온발생기의 내부 구성을 보인 개념도

도 9는 본 고안에 따른 은이온발생기에 관한 것으로, 연결관이 분리된 상태의 단면도

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

1 : 비데 4 : 은이온발생기

4a : 하우징 13 : 은이온전극

14 : 이온조절콘트롤러 15 : 은이온 흐름관

17 : 전류검출부 23 : 디스플레이패널

27 : 극성전환부

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 고안에 따른 은이온발생기를 갖는 비데의 실시예 구성을 상세히 설명한다.

도 3 내지 도 5는 본 고안에 따른 비데의 은이온발생기가 설치된 상태를 보인 측단면도이고, 도 6은 본 고안에 따른 각 실시예의 비데를 통과한 물의 흐름도이며, 도 7은 본 고안에 따른 은이온발생기의 정면도이다. 그리고 도 8은 본 고안에 따른 은이온발생기의 내부 구성을 보인 개념도이고, 도 9는 본 고안에 따른 은이온발생기에 관한 것으로, 연결관이 분리된 상태의 단면도이다.

상기 도면에서와 같이 본 고안의 은이온발생기를 갖는 비데(1)는, 비데(1)의 하우징(2) 내부 수납공간(3)이나 또는 하우징(2)에 연결되는 유로파이프(P1)(P2)상에 은이온을 발생시키는 밀폐형 은이온발생기(4)를 설치하여, 종래 개방형 은이온발생기가 하우징(2) 내부에 설치된 비데(1)의 단점을 해결하기 위한 것이다.

본 고안에 따른 은이온발생기를 갖는 비데(1)의 제 1실시예는 도 3과 같이 상수도에서 공급된 원수를 비데(1)에 공급하는 공급파이프(P1)상에 은이온발생기(4)를 설치하여 상기 은이온발생기(4)에서 미리 은이온화된 물이 비데(1)에 공급될 수 있도록 하고, 제 2실시예는 도 4와 같이 원수가 공급되는 입구기능을 하는 솔레노이드밸브(5)에 은이온발생기(4)를 설치하여 비데(1) 내부에 설치토록 하고, 제 3실시예는 도 5와 같이 비데(1)의 출구와 노즐(6) 사이에 연결된 배출파이프(P2)에 은이온발생기(4)를 설치하여 가압펌프(7)가 구동될 때 노즐(6)에서 은이온수를 공급토록 하는 것이다.

상기 비데(1)는 통상의 경우와 같이 상부에 착탈가능하게 조립된 덮개(2a)를 가지며 내부에 원수를 저장하는 수납공간(3)이 형성된 하우징(2)이 구비되고, 상기 하우징(2)의 입구와 연결되는 공급파이프(P1)에는 원수에 혼합된 이물질이나 세균을 일차적으로 제거하는 UF필터(8)가 설치되며, 하우징(2)의 출구와 연결되는 배출파이프(P2)에는 하우징(2) 내부에 저장된 물을 노즐(6)로 압송시키는 가압펌프(7)가 설치된다.

상기 하우징(2)의 내부에는 저장된 원수를 가열하는 히터(9)가 설치되고, 상기 배출파이프(P2)의 단부에는 좌변기 내부에 인출가능하도록 노즐(6)이 설치되어 용변 후 용변부위를 세정하도록 한다.

상기 하우징(2) 내부 상하에는 수위조절센서(10)가 설치되어 저장된 원수의 수위를 감지하고, 상기 수위조절센서(10)의 수위에 따라 원수의 유입량을 조절하는 솔레노이드밸브(5)가 상부에 설치되며, 사용자의 조작에 의해 각종 기능을 제어하는 콘트롤러(11)가 조작하기 편리한 상부에 설치된다.

여기서, 상기 비데(1)는 상기 가압펌프(7)와 노즐(6) 사이에 2웨이밸브(V)를 설치하여 2개의 노즐(6)에 은이온수를 선택적으로 공급할 수 있도록 할 수도 있다.

상기 하우징(2)의 내부 또는 하우징(2)에 연결된 파이프상(P1)(P2)에 설치된 은이온발생기(4)는 본 출원인이 선출원(20-0283129)한 것으로, 도 7 내지 도 9와 같이 내부에 한 쌍의 은이온전극(13)이 설치되는데, 이온조절콘트롤러(14)의 제어에 의해 상기 은이온전극(13)이 공급된 원수를 은이온수를 만들게 되면 가압펌프(7)가 구동하고 이 가압펌프(7)의 구동에 의해 노즐(6)이 은이온수를 외부로 분사시켜 용변 후 세정을 할 수 있도록 한 것이다.

이러한 은이온발생기(4)는 밀폐형으로 구성되는데, 원수가 하우징(2) 내부로 유입되고 이온화된 후 배출될 수 있도록 하우징(2)에는 입,출구가 형성된다.

상기 은이온발생기(4)를 더 자세하게 설명하면, 입,출구를 갖는 하우징(2); 상기 하우징(2) 내부에 수납되고 외부에서 공급된 전압을 정류하여 은이온전극(13)에 공급하며 은이온의 농도를 일정하게 조절하기 위한 프로그램이 내장된 이온조절콘트롤러(14); 상기 이온조절콘트롤러(14)로부터 전압이 인가되면 은이온을 발생시키는 한 쌍의 은이온전극(13)이 내장되며 살균처리하기 위한 물이 통과되는 은이온흐름관(15); 및 상기 은이온흐름관(15) 내부의 측정전류치를 검출하기 위한 전류검출부(17);를 포함하여 구성된다.

도 7은 본 고안의 비데 설치상태도로서, 하우징(2) 양측으로 각각 돌출되게 고정된 한 쌍의 연결관(19)이 커플링(21)에 의하여 공급파이프(P1) 및 배출파이프(P2)에 연결되며, 전기, 전자회로 및 다른 구성요소들은 모두 하우징(2)의 내부에 수납된다. 여기서, 상기 연결관(19)은 수밀부재에 의해 수밀이 유지된 상태로 고정된다.

상기 은이온발생기(4)는, 도 8과 같이 사용자가 은이온발생상태를 시각적으로 인식할 수 있도록 표시하는 디스플레이패널(23)과 작동상태표시용 표시등이 외부에 설치되어 있고, 전원 온/오프 스위치가 설치되어 있다.

또한, 은이온의 농도를 조절하기 위하여 스위치 온/오프동작과 가변저항기를 포함하는 형태의 스위치를 이용함으로서 은이온발생기(4)의 온/오프와 은이온발생농도의 설정치를 조절할 수 있다. 실제적으로, 본 고안에 의한 은이온발생기(4)에서 은이온농도조절은 이온조절콘트롤러(14)에 의하여 수행된다.

상기 디스플레이패널(23)은 은이온흐름관(15)의 내부를 통과하는 이온수에 대한 측정전류치를 검출하게 되는데, 이온수의 농도에 따라서 변화된 전류치를 사용자가 인식토록 하여 은이온의 농도를 디스플레이하게 된다.

상기 디스플레이패널(23)은 LCD 패널을 이용하거나 또는 직접적으로 전류치를 표시할 수 있는 암페이미터 등을 이용하여 구성할 수 있다.

도 8에 도시된 것은 은이온발생기(4)의 개략적인 블럭구성도이다.

상기 은이온발생기(4)는 하우징(4a) 내부에 은이온전극(13)에 전압을 공급하고 은이온의 농도를 조절하기 위한 이온조절콘트롤러(14)와, 원수와 은이온이 접촉되도록 통로역할을 하는 은이온흐름관(15) 내부의 전류치를 측정하여 상기 이온조절콘트롤러(14)에 제공하는 전류검출부(17)를 포함하고 있다.

상기 이온조절콘트롤러(14)는 전류치에 변화에 따라서 은이온의 농도를 조절하기 위한 프로그램이 내장되어 있으며 마이크로프로세서를 이용하여 구성한다. 상기 이온조절콘트롤러(14)에는 또한 은이온발생기(4)의 제어에 필요한 프로그램과 데이터가 저장되는 롬(ROM)이 내장되어 있어서 마이크로프로세서에 의하여 프로그램과 데이터가 독출되어서 제어에 사용된다.

본 고안의 은이온발생기(4)는 하우징(4a)의 내부에 이온조절콘트롤러(14)의 전자회로와 은이온흐름관(15)이 동시에 존재하므로 누수 등으로 인한 누전과 오동작을 방지하기 위하여 수지 등와 같은 수밀부재로 완전밀봉하는 것이 요구된다. 이 때 밀봉된 하우징(4a) 내부의 열을 효과적으로 방출하기 위하여 하우징(4a) 내부에는 방열판(25)이 장착된다.

상기 방열판(25)은 고열이 발생된 부분, 특히 은이온흐름관(15) 부분에 인접되게 설치하게 되면 방열효과를 높일 수 있고 또한 이온조절콘트롤러(14), 전류검출부(17)에서 발생된 열도 낮추어 방열효과를 높일 수 있다.

또한, 하우징(4a)의 내부에는 극성전환부(27)가 설치되는데, 이는 은이온전극(13)에 인가되는 직류 전압의 극성(+,-)을 주기적으로 교환시키는 기능을 하며, 이온조절콘트롤러(14)에 의해 제어된다.

상기 이온조절콘트롤러(14)는 내부에 설치된 정류기가 직류전압을 정류한 후에 서로 대향되게 설치되는 은이온전극(13)에 (+,-)를 각각 인가하여 음이온과 양이온인 은이온 (Ag+)생성하게 된다.

상기 이온조절콘트롤러(14)는 은이온이 과잉으로 해리되거나 부족하게 용해되는 것을 방지하고 적정량으로 발생시키기 위하여 전류치의 변화량에 따라서 작동을 제어하는 프로그램이 내장되어 있다.

상기 내장프로그램은 은이온의 농도를 조절하기 위하여 (은이온전극의) 가동시간과 휴지시간을 임의로 변환하는 것으로서, 가동시간과 휴지시간은 2가지 방식으로 제어된다.

첫 째는, 은이온흐름관(15) 내부의 물흐름에 따른 측정전류치를 미리 설정된 상한치 및 하한치와 비교하여 상한치에 도달하면 은이온농도가 너무 짙은 것으로 판단하고 은이온전극(13)에 인가되는 전원을 차단하며, 하한치에 도달하면 은이온 농도가 낮은 것으로 판단하여 다시 전원을 인가하여 은이온농도를 조절한다.

둘 째는, 전류치의 변화량에 따라서 미리 은이온전극(13)의 가동시간과 휴지시간을 임의로 여러 개 설정하였다가 측정전류치가 임의의 설정전류치를 초과하면 휴지시간을 순차적으로 증가시키고, 측정전류치가 떨어지면 휴지시간을 순차적으로 감소시켜서 은이온의 농도를 자동적으로 조절한다.

예를 들어, 가동시간 10분 휴지시간 10분으로 총 20분인 상태에서, 가동시간 8분 휴지시간 12분, 또는 가동시간 12분 휴지시간 8분 등과 같이 설정되는 것이다. 두 번째 방식은 은이온농도의 조절상태가 미세하게 변경되기 때문에 첫 번째 방식보다 더욱 효과적인 것에 특징이 있으나 프로그램이 복잡해진다.

상기 극성전환부(27)는 은이온전극(13)이 대전될 때, 음극전극표면의 활성도가 떨어지는 것을 방지하기 위한 것이다.

이러한 극성전환부(27)는 가동시간과 휴지시간이 종료되면 이온조절콘트롤러(14)의 제어명령에 따라서 은이온전극(13)에 인가되는 극성을 바꾸어서 공급하게 되는데, 예를 들어(+,-)에서 (-,+) 로 변경한다. 이렇게 인가전압의 극성을 변경함으로서 은이온전극(13)의 표면에서 각각 발생되는 음이온과 양이온의 농도가 일정하게 유지될 수 있다. 극성전환부(27)는 릴레이 또는 전자소자를이용하여 구성할 수 있다.

상기 은이온흐름관(15)은 내부에 은이온전극(13)을 내장하고 있다가 각각의 은이온전극(13)에 이온조절콘트롤러(14)로부터 전선을 통하여 극성이 서로 다른 전압(+,-)이 인가되면 발생되는 은이온(Ag+)과 원수를 접촉시키도록 한다.

상기와 같은 은이온전극(13)은 한 쌍으로 제작되어서 은이온흐름관(15)의 내부측표면에 부착된다. 특히 은이온전극(13)에 형성된 고정나사부(28)는 은이온흐름관(15)의 외부로 돌출되며, 돌출된 부분에 전극봉(29)을 설치하여 이온조절콘트롤러(14)로부터 인가되는 전압이 공급된다.

도 9는 은이온흐름관(15)과 은이온전극(13)의 결합상태를 도시한 것으로, 은이온흐름관(15)은 전극수납부재(31)와 상기 전극수납부재(31)의 양단부에 결합되는 한 쌍의 연결관(19)으로 3개의 부분으로 분리된다. 이렇게 분리시키는 것은 은이온전극(13)의 설치 및 공급파이프(P1) 및 배출파이프(P2)와의 연결을 용이하게 하기 위한 것이다.

상기 전극수납부재(31)는 내부에 은이온전극(13)을 부착시키는 것으로로서, 내측표면에서 외측표면을 관통하는 구멍을 형성하고 구멍에 암사부를 형성하거나 너트를 삽입고정하고, 은이온전극(13)에 형성된 고정나사부(28)를 관통시켜서 결합시킨다. 이 때 원수가 외부로 누출되는 것을 방지하기 위하여 방수부재(패킹)를 통시에 결합시킨다.

은이온전극(13)은 도면에 표시된 바와 같이 은이온흐름관(15)의 내측에서 상호 마주보는 위치에 설치되어 있다. 이렇게 설치하는 것은 원수속에 전리되어 있는 음이온들과 양이온인 은이온(Ag+)가 반응하여 은염을 생성하는 것을 방지하기 위한 것이다.

은염은, 원수가 유동하지 않고 일정시간동안 고정상태를 유지하는 저장조에서 많이 생성되는데, 전극이 대전되지 못하게 하는 원인이 된다.

따라서, 본 고안은 은이온이 고여있지 않고 이동하면서 미생물 또는 세균을 살균하기 때문에 은염의 발생이 저하되고 또한 살균효과를 높이게 된다.

상기 전류검출부(17)는 은이온흐름관(15) 내부의 전류를 검출하는 것으로서, 전류검출단자를 통하여 검출된 측정전류치는 전류검출부(17)에서 디지탈신호로 처리된 후에 이온조절콘트롤러(14)에 입력된다. 상기 이온조절콘트롤러(14)는 입력되는 측정전류치신호를 이용하여 미리 설정된 전류치(설정상, 하한치 또는 기준설정치)와의 비교를 통하여 은이온농도를 조절한다.

상기 상,하한치 또는 기준설정치의 설정은 사용자에 의하여 이온조절콘트롤러(14)에 미리 사용데이터로서 저장된다. 또는 가변저항기 등을 이용하여 온/오프 스위치와 연결하여 외부에서 입력시킬 수 있다. 은이온농도의 조절은 은이온전극(13)에 인가되는 전압의 인가시간(가동시간 및 휴지시간)에 의하여 달성된다.

한편, 본 고안의 이온발생기를 갖는 비데(1)는 도 10과 같이 은이온발생기(4)의 제어부분, 즉 이온조절콘트롤러(14), 전류검출부(17) 및 극성전환부(27)을 비데 자체의 하우징(2) 상부에 구비된 콘트롤러(11)에 통합하여, 이들을 사용자가 직접 조작할 수 있게 구성할 수도 있다.

이 경우, 비데(1)의 하우징(2)에 구비된 콘트롤러(11)는 통합형 콘트롤러가 되어, 비데(1)는 물론이고 은이온발생기(4)를 사용자의 편의에 따라 동시에 제어할 수 있다.

이와 같이 은이온발생기(4)가 콘트롤부분이 비데(1)에 통합되면 은이온흐름관(15)이 남게 되는데, 분리된 은이온흐름관(15)은 상기와 같이 비데(1) 내부 또는 유로파이프상(P1)(P2)에 선택적으로 설치한다.

그리고, 본 고안의 제 1실시예의 비데(1)에 공급된 원수는 도 6a와 같이 UF필터(8), 은이온발생기(4), 솔레노이드밸브(5), 하우징(2), 가압펌프(7), 2웨이밸브(V)을 거쳐 노즐(6)로 분출되면서 상기 은이온발생기(4)에서 은이온수로 변화되어 사용자에게 공급하게 된다.

본 고안에 따른 제 2실시예의 비데(1)에 공급된 원수는 도 6b와 같이 UF필터(8), 솔레노이드밸브(5), 은이온발생기(4), 하우징(2), 가압펌프(7), 2웨이밸브(V)을 거쳐 노즐(6)로 분출되어 사용된다.

또한, 본 고안에 따른 제 3실시예의 비데(1)에 공급된 원수는 도 6c와 같이 UF필터(8), 솔레노이드밸브(5), 하우징(2), 가압펌프(7), 은이온발생기(4), 2웨이밸브(V)을 거쳐 노즐(6)로 분출되어 용변 후 사용자에게 사용된다.

따라서, 사용자는 은이온수를 이용하여 용변 부위를 보다 깨끗하게 세척할 수 있을 뿐만 아니라 살균하여 위생적인 환경을 유지할 수 있게 된다.

이와 같이 구성된 본 고안은 비데 내부 뿐만 아니라 비데 외부에도 밀폐형 이온발생기를 간단히 설치할 수 있기 때문에 은이온발생기의 조립공수를 간편하게 할 수 있는 장점이 있다.

그리고, 비데 외부에 은이온발생기를 설치할 경우 비데의 구조가 복잡화되는 것을 방지할 수 있으며 이미 사용 중인 비데에도 설치가 가능하여 호완성을 높일 수 있는 장점이 있다.

Claims (2)

1. 덮개를 갖는 하우징; 상기 하우징과 연결되는 유로상에 설치되어 하우징 내부에 저장된 물을 압송시키는 가압펌프, 상기 하우징 내부에 저장된 물을 가열하는 히터, 상기 하우징 출구와 연결되는 유로상에 설치되어 하우징에서 공급되는 물을 분사시키는 노즐, 상기 하우징 내부 상하에 설치되어 공급되는 물의 수위를 감지하는 수위조절센서, 하우징 내부로 공급된 물의 수위가 수위조절센서 사이에 위치되도록 상기 수위조절센서의 구동을 제어하는 솔레노이드밸브 및 사용자의 조작에 의해 각종 기능을 제어하는 콘트롤러를 갖는 비데에 있어서,

   입출구를 갖는 하우징;

   상기 하우징 내부에 수납되고 외부에서 공급된 전압을 정류하여 은이온전극에 공급하며 은이온의 농도를 일정하게 조절하기 위한 프로그램이 내장된 이온조절콘트롤러;

   상기 이온조절콘크롤러로부터 전압이 인가되면 은이온을 발생시키는 한 쌍의 은이온전극이 내장되며 살균처리하기 위한 물이 통과되는 은이온흐름관; 및

   상기 은이온흐름관 내부의 측정전류치를 검출하기 위한 전류검출부;를 포함하여 구성된 밀폐형 은이온발생기를 상기 비데 내부 또는 그 비데와 연결된 유로파이프상에 설치하는 것을 특징으로 하는 은이온발생기를 갖는 비데.
2. 제 1항에 있어서, 상기 은이온발생기의 이온조절콘트롤러, 전류검출부 및 극성전환부는 비데 자체의 하우징에 구비된 콘트롤러에 설치하여 통합형으로 구성하는 것을 특징으로 하는 은이온발생기를 갖는 비데.