KR200283129Y1 - 은이온발생 살균기 - Google Patents

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KR200283129Y1 KR2020020012041U KR20020012041U KR200283129Y1 KR 200283129 Y1 KR200283129 Y1 KR 200283129Y1 KR 2020020012041 U KR2020020012041 U KR 2020020012041U KR 20020012041 U KR20020012041 U KR 20020012041U KR 200283129 Y1 KR200283129 Y1 KR 200283129Y1
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Abstract

본 고안은 전원이 인가되면 은이온을 발생하는 한 쌍의 은이온전극 주변에 생성되는 은염에 의한 살균장치의 오동작을 방지하고, 또한 하나의 하우징에 통합 내장되어서 물이 공급되는 파이프의 중간에 설치가 간편하고 별도의 물저장조가 불필요하며 은이온농도가 일정하게 유지되는 은이온발생 살균기에 관한 것이다.
상기와 같은 본 고안의 은이온발생 살균기는, 은이온을 생성하여 식수안에 존재하는 미생물 또는 세균을 살균하기 위한 살균기에 있어서, 교류전압을 직류전압으로 변환하여 공급하기 위한 직류변환장치(10)와, 상기 직류변환장치(10)로부터 인가되는 전압을 정류하여 은이온전극(40)에 공급하며 은이온의 농도를 일정하게 조절하기 위한 프로그램이 내장된 이온조절콘트롤러(20)와, 상기 이온조절콘트롤러(20)로부터 직류전압이 인가되면 은이온을 발생시키는 한 쌍의 은이온전극(40)이 내장되며 살균처리하기 위한 물이 통과되는 은이온흐름관(30)과, 상기 은이온흐름관(30) 내부의 측정전류치를 검출하기 위한 전류검출부(60)와, 상기 직류변환장치(10)와 상기 이온조절콘트롤러(20)와 상기 전류검출부(60)와 상기 은이온흐름관(30)의 양단부가 대향위치로 각각 노출되도록 장착하는 하우징(50)을 포함한다.

Description

은이온발생 살균기{Sterilization device using Ag+ ion}
본 고안은 은이온발생 살균기에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 전원이 인가되면 은이온을 발생하는 한 쌍의 은이온전극 주변에 생성되는 은염에 의한 살균장치의 오동작을 방지하고, 또한 하나의 하우징에 통합 내장되어서 물이 공급되는 파이프의 중간에 설치가 간편하고 별도의 물저장조가 불필요하며 은이온농도가 일정하게 유지되는 은이온발생 살균기에 관한 것이다.
수도물을 음용하는 것에 대한 불신감이 증폭되면서 정수기나 살균기가 가정에 널리 보급, 사용되고 있다. 특히 하절기에는 고온다습한 기후의 영향으로 인체에 유해한 미생물 또는 세균의 번식능력이 커지기 때문에 이질, 설사와 같은 병에 잘 걸리므로 살균처리된 식수의 음용이 요구된다.
종래 사용되는 정수기 또는 살균기는 활성탄을 이용하여 이물질을 여과하고 미생물이나 세균을 살균하는 간단한 방식으로부터 멤브레인필터 또는 적외선살균장치 또는 은이온전극을 이용하여 살균하는 등 다양한 살균방식이 사용되고 있다. 특히 은이온은 강한 살균력을 가지고 있어서 물속에 잔존하는 미생물 또는 세균을 효과적으로 살균할 수 있으며, 인체에 아무런 영향을 끼치지 않기 때문에 살균장치에 널리 사용되고 있다.
도 1은 한 쌍의 이격되어 설치된 은이온전극에 극성이 다른 전원(+,-)을 인가하면 음이온과 양이온으로서 은이온(Ag+)이 발생되는 것을 이용한 종래 사용되는 살균기의 설치상태를 도시한 것이다.
도시된 바와 같이, 필터(미도시됨)를 통하여 여러 가지 크기의 이물질이 여과된 후에 저장조(70)에 저장된 식수는, 저장조(70)의 내부에 설치되어 있는 은이온전극(72)으로부터 생성되는 은이온에 의하여 미생물 또는 세균이 살균된다. 한 쌍의 은이온전극(72)은 전선을 통하여 연결되어 있는 전원공급부(74)에 의하여 공급받는 전원(+,-)에 의하여 은이온을 생성한다.
저장조(70)에 저장된 식수의 살균은 온/오프스위치(76)를 이용하여 전원을 공급하여 은이온을 생성하거나 또는 타이머등을 이용하여 주기적으로 또는 항상 온작동시켜서 수행한다. 상기한 은이온전극을 포함하는 살균회로는 독립적인 장치로 구성되거나 정수기의 일부분으로 구성될 수 있다. 살균된 식수는 공급파이프를 통하여 토출된다.
상기와 같은 종래 은이온전극을 이용한 살균기는, 독립형으로 사용되거나 정수기의 일부분으로 구성되는 어느 경우에도 식수를 저장하기 위한 저장조(70)가 요구된다. 이러한 별도의 저장조(70)로 인하여 살균기 자체의 부피가 커지고 제조원가가 증가하는 한 요인이 된다. 더욱이, 항상 은이온살균기를 작동시키지 않는 상태에서 외부의 기온조건에 의하여 저장조(70)에 저장된 식수에서 미생물 또는 세균의 번식이 촉진되어서 살균기가 무용지물이 된다. 또한 식수의 사용량이 저장조(70)의 용량을 초과하는 경우에 은이온 살균기를 작동시켜도 미처 살균이 되지 못한 식수가 토출되기도 하는 문제점이 있었다. 또한 한 쌍의 은이온전극(72)이위치한 저장조(70)의 물이 장시간동안 유동되지 않는 상태에서 은이온전극(72)의 주변에 은염이 생성되어서 전원공급부(74)의 전기적인 결함을 야기하는 문제점도 발생되었다.
본 고안은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 고안된 것으로서, 그 목적은 은이온발생을 위하여 전원이 공급되는 한 쌍의 은이온전극 주변에 생성되는 은염에 의한 장치의 오동작을 방지하는 은이온발생 살균기를 제공하는데 있다.
본 고안의 다른 목적은 하나의 하우징에 통합 내장되어서 물이 공급되는 파이프의 중간에 설치가 간편하고 별도의 물저장조가 불필요하며 은이온농도가 일정하게 유지되는 은이온발생 살균기를 제공하는데 있다.
도 1은 종래 사용되는 은이온전극을 구비한 살균기의 설치상태도,
도 2는 본 고안에 의한 은이온발생 살균기의 설치상태도,
도 3은 본 고안에 의한 은이온발생 살균기의 블럭회로도,
도 4는 본 고안에 의한 은이온흐름관의 분리상태 단면도,
도 5는 본 고안에 의한 은이온발생 살균기의 작동상태 흐름도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 은이온발생 살균기 3 : 디스플레이패널
5 : 표시등 7 : 온/오프 스위치
10: 직류변환장치 20: 이온조절콘트롤러
22: 극성전환부 30: 은이온흐름관
32: 전극수납부재 34: 연결관
40: 은이온전극 42: 전극봉
44: 고정나사부 50: 하우징
60: 전류검출부 62: 전류측정단자
70: 저장조 72: 은이온전극
74: 전원공급부 76: 온/오프 스위치
80,82: 파이프 84: 커플링
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안의 은이온발생 살균기는,
은이온을 생성하여 식수안에 존재하는 미생물 또는 세균을 살균하기 위한 살균기에 있어서, 교류전압을 직류전압으로 변환하여 공급하기 위한 직류변환장치와, 상기 직류변환장치로부터 인가되는 전압을 정류하여 은이온전극에 공급하며 은이온의 농도를 일정하게 조절하기 위한 프로그램이 내장된 이온조절콘트롤러와, 상기 이온조절콘트롤러로부터 직류전압이 인가되면 은이온을 발생시키는 한 쌍의 은이온전극이 내장되며 살균처리하기 위한 물이 통과되는 은이온흐름관과, 상기 은이온흐름관 내부의 측정전류치를 검출하기 위한 전류검출부와, 상기 직류변환장치와 상기 이온조절콘트롤러와 상기 전류검출부와 상기 은이온흐름관의 양단부가 대향위치로각각 노출되도록 장착하는 하우징을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 고안의 은이온발생 살균기를 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 고안에 의한 은이온발생 살균기(1)의 설치상태도이다. 도시된 바와 같이, 은이온발생 살균기(1)는 양측으로 각각 노출된 한 쌍의 연결관(34)이 커플링(84)에 의하여 파이프(80,82)에 연결되며, 전기, 전자회로 및 다른 구성요소들은 모두 하우징(50)의 내부에 수납된다. 상기 파이프(80,82)는 예를 들어 수도파이프의 일부분 또는 필터를 통과한 정수를 공급하기 위한 파이프의 일부분이 된다. 각각 분리된 파이프(80,82)와의 연결을 용이하게 하기 위하여 본 고안의 은이온발생 살균기(1)의 은이온흐름관(도 3의 30)은 3개의 부분(전극수납부재와 한 쌍의 연결관)으로 분리되며, 이것이 도 4를 참고하여 상술된다.
상기와 같이 파이프(80,82)와 연결된 본 고안의 은이온발생 살균기(1)는 구동모터(미도시됨)를 이용하여 종래와 같이 별도의 저장조에 저장된 식수를 순환시키면서 살균하거나 또는 도 2에 도시된 것과 같이 음용을 위한 수도파이프와 직결되도록 구성하여 사용할 수 있다.
은이온발생 살균기(1)는, 도 2를 다시 참고하면, 은이온발생상태를 사용자가 시각적으로 인식할 수 있도록 표시하는 디스플레이패널(3)과 작동상태표시용 표시등(5)이 은이온발생 살균기(1)의 표면에 설치되어 있으며, 또한 은이온발생 살균기(1)를 작동시키기 위한 온/오프 스위치(7)가 설치되어 있다.
사용자는 온/오프 스위치(7)를 온작동시켜서 은이온발생 살균기(1)에 전원을공급한 후에 디스플레이패널(3)과 표시등(5)을 보고 은이온발생 살균기(1)가 정상적으로 작동되는 것을 확인할 수 있다. 또한 은이온의 농도를 조절하기 위하여 스위치 온/오프동작과 가변저항기를 포함하는 형태의 스위치를 이용함으로서 은이온발생 살균기(1)의 온/오프와 은이온발생농도의 설정치를 조절할 수 있다.
실제적으로 본 고안에 의한 은이온발생 살균기(1)에서의 은이온농도조절은 이온조절콘트롤러(20)에 의하여 수행된다. 또한 상기 파이프(80,82)를 통과하는 식수의 유량제어는 통상 사용되는 유량제어장치(예를 들어 수도꼭지)를 이용하여 수행된다.
상기 디스플레이패널(3)는 은이온흐름관(도 3의 30)의 내부를 통과하는 식수에 대한 측정전류치를 검출하여 표시한다. 즉 식수안에 포함되어 있는 은이온의 농도에 따라서 전류치가 변경되므로 디스플레이패널(3)를 통하여 표시되는 수치를 인식하여 사용자는 은이온의 농도를 인식할 수 있다. 통상적으로 은이온이 과다하게 생성되면 전류치가 증가한다.
상기 디스플레이패널(3)은 LCD 패널을 이용하거나 또는 직접적으로 전류치를 표시할 수 있는 암페이미터등을 이용하여 구성할 수 있다. 전자의 경우에는 이온조절콘트롤러(20)에서 전류치에 대한 상태를 문자, 예를들어 "정상전류", "과전류", 또는 "소전류" 등으로 표시할 수 있으며 후자의 경우에는 직접 전류치를 표시한다. 이러한 표시목적을 위하여 이온조절콘트롤러(20)에는 문자표시를 위한 LCD 구동부를 내장한다. 또한 LED를 이용하여 은이온발생 살균기(10)의 작동상태를 문자로 표시할 수 있다.
도 3에 도시된 것은 은이온전극 살균기(1)의 개략적인 블럭구성도이다.
은이온발생 살균기(1)는 박스형태의 하우징(50)안에 내장되어 있으며, 직류전원공급을 위한 직류변환장치(10)와, 은이온전극(40)에 전압을 공급하고 은이온의 농도를 조절하기 위한 이온조절콘트롤러(20)와, 식수와 은이온이 접촉되도록 통로역할을 하는 은이온흐름관(30)과, 상기 은이온흐름관(30)에 내장되어서 은이온을 생성하는 은이온전극(40)과, 은이온흐름관(30) 내부의 전류치를 측정하여 상기 이온조절콘트롤러(20)에 제공하는 전류검출부(60)를 포함하고 있다.
상기 이온조절콘트롤러(20)는 전류치에 변화에 따라서 은이온의 농도를 조절하기 위한 프로그램이 내장되어 있으며 마이크로프로세서를 이용하여 구성한다. 상기 이온조절콘트롤러(20)에는 또한 살균기의 제어에 필요한 프로그램과 데이터가 저장되는 롬(ROM)이 내장되어 있어서 마이크로프로세서에 의하여 프로그램과 데이터가 독출되어서 제어에 사용된다.
본 고안의 은이온발생 살균기(1)는 하우징(50)의 내부에 전자회로와 물이 통과하는 은이온흐름관(30)이 동시에 존재하므로 누수등으로 인한 누전과 오동작을 방지하기 위하여 수지등으로 완전밀봉하는 것이 바람직하다. 이 때 밀봉된 하우징(50) 내부의 열을 효과적으로 방출하기 위하여 방열판(12)이 장착된다.
다시말하여, 직류변환장치(20)와 저온의 냉수가 이동하는 은이온흐름관(30)의 사이에 방열판(12)을 인접하여 설치하면, 직류변환장치(10) 및 하우징(50)안에 장착된 다른 구성요소(이온조절콘트롤러, 전류검출부등)로부터 발생된 열이 열교환에 의하여 하우징(50)의 외부로 방출된다. 특히 발열량이 가장 많은직류변환장치(10)와 은이온흐름관(30)의 양자에 방열판(12)을 밀착시킴으로서 최대의 방열효과를 가질 수 있다.
또한 하우징(50)의 내부에는 은이온전극(40)에 인가되는 직류 전압의 극성(+,-)을 주기적으로 교환하기 위한 극성전환부(22)가 포함되어 있다. 상기 극성전환부(22)는 이온조절콘트롤러(20)에 의하여 제어되며 후에 상술된다.
상기 직류변환장치(10)는 상용교류전압(220V)을 직류전압으로 변환하여 이온조절콘트롤러(20)로 공급하기 위한 것이다. 직류변환장치(10)는 브릿지회로등을 이용하여 구성할 수 있으며 통상 사용되고 있으므로 상세한 설명은 생략한다.
상기 이온조절콘트롤러(20)는 상기 직류변환장치(10)로부터 공급되는 직류전압을 정류기(이온조절콘트롤러에 내장됨)를 통하여 정류한 후에, 서로 대향위치에 설치되어 있는 은이온전극(40)에 (+,-)를 각각 인가한다. 극성이 서로 다른 (+,-) 전압이 공급됨에 따라서 은이온전극(40)에서는 각각 음이온과 양이온인 은이온(Ag+)이 생성된다.
은이온이 과잉으로 해리되거나 부족하게 용해되는 것을 방지하고 적정량으로 발생시키기 위하여 이온조절콘트롤러(20)는 전류치의 변화량에 따라서 작동을 제어하는 프로그램이 내장되어 있다. 측정전류치가 높아지면 이것은 은이온이 축적되거나 경도가 높은 물로 인하여 물의 전도도가 높아지는 것을 의미한다.
은이온의 농도는 은이온전극(40)에 인가되는 전압인가시간을 변경하여 조정한다. 상기 내장프로그램은 은이온의 농도를 조절하기 위하여 (은이온전극의) 가동시간과 휴지시간을 임의로 변환하는 것으로서, 가동시간과 휴지시간은 2가지 방식으로 제어된다.
첫 째는 은이온흐름관(30) 내부의 물흐름에 따른 측정전류치를 미리 설정된 상한치 및 하한치와 비교하여 상한치에 도달하면 은이온농도가 너무 짙은 것으로 판단하고 은이온전극(40)에 인가되는 전원을 차단하며, 하한치에 도달하면 은이온농도가 낮은 것으로 판단하여 다시 전원을 인가하여 은이온농도를 조절한다. 이것은 측정전류치에 따라서 가동시간과 휴지시간이 변경되는 특징이 있다.
둘 째는 전류치의 변화량에 따라서 미리 은이온전극(40)의 가동시간과 휴지시간을 임의로 여러 개 설정하였다가 측정전류치가 임의의 설정전류치를 초과하면 휴지시간을 순차적으로 증가시키고, 측정전류치가 떨어지면 휴지시간을 순차적으로 감소시켜서 은이온의 농도를 자동적으로 조절한다. 이 때 가동시간은 일정하게 유지하거나 또는 휴지시간의 증가에 따라서 감소시키고 휴지시간의 감소에 따라서 증가시켜서 시간의 총합이 일정하게 유지할 수 있다.
예를 들어서 가동시간 10분, 휴지시간 10분으로 총 20분인 상태에서, 가동시간 8분, 휴지시간 12분, 또는 가동시간 12분, 휴지시간 8분등과 같이 설정되는 것이다. 두 번째 방식은 은이온농도의 조절상태가 미세하게 변경되기 때문에 첫 번째 방식보다 더욱 효과적인 것에 특징이 있으나 프로그램이 복잡해진다.
상기 극성전환부(22)는 은이온전극이 대전될 때, 음극전극표면의 활성도가 떨어지는 것을 방지하기 위한 것이다. 극성전환부(22)는 가동시간과 휴지시간이 종료되면 이온조절콘트롤러(20)의 제어명령에 따라서 은이온전극(40)에 인가되는 극성을 바꾸어서 공급한다. 예를 들어 (+,-) 에서 (-,+)로 변경한다. 이렇게 인가전압의 극성을 변경함으로서 은이온전극(40)의 표면에서 각각 발생되는 음이온과 양이온의 농도가 일정하게 유지될 수 있다. 극성전환부(22)는 릴레이 또는 전자소자를 이용하여 구성할 수 있음은 명백하다.
상기 은이온흐름관(30)은 내부에 은이온전극(40)을 내장하고 있다가 각각의 은이온전극(40)에 이온조절콘트롤러(20)로부터 전선을 통하여 극성이 서로 다른 전압(+,-)이 인가되면 발생되는 은이온(Ag+)과 식수를 접촉시키도록 한다. 은이온흐름관(30)은 통상 사용되는 원형 파이프형상을 가질 수 있으며, 또한 은이온흐름관(30)을 통과하는 식수와 은이온(Ag+)과의 접촉면적을 증대시키기 위하여 단면이 사각형인 파이프등으로 형상을 변경할 수 있다.
상기 은이온전극(40)은 은(silver)을 평판 또는 반원형태로 가공하여 제작하며 은의 외측중심부에 고정나사부(44)를 형성한다. 특히 은이온발생량을 극대화시키기 위하여 은이온전극(40)은 반원형으로 제작하는 것이 가능하다. 물론 은이온전극(40)이 설치되는 파이프의 형태에 따라서 구조를 변경할 수 있음은 명백하다.
상기와 같은 은이온전극(40)은 한 쌍으로 제작되어서 은이온흐름관(30)의 내측표면에 부착된다. 특히 은이온전극(40)에 형성된 고정나사부(44)는 은이온흐름관(30)의 외부로 돌출되며, 돌출된 부분에 전극봉(42)을 설치하여 이온조절콘트롤러(20)로부터 인가되는 전압이 공급된다.
도 4는 은이온흐름관(30)과 은이온전극(40)의 결합상태를 도시한 것이다.
도면에서 보는 바와 같이, 은이온흐름관(30)은 전극수납부재(32)와 상기 전극수납부재(32)의 양단부에 결합되는 한 쌍의 연결관(34)으로 3개의 부분으로 분리된다. 이렇게 분리시키는 것은 은이온전극(40)의 설치 및 식수공급용 파이프(80,82)와의 연결을 용이하게 하기 위한 것이다. 파이프(80,82)와 연결관(34)들은 도 2에 표시된 것과 같이 커플링(84)에 의하여 결합된다.
상기 전극수납부재(32)는 내부에 은이온전극(40)을 부착시키는 것으로서, 내측표면에서 외측표면을 관통하는 구멍을 형성하고 구멍에 암나사부를 형성하거나 너트를 삽입고정하고, 은이온전극(40)에 형성된 고정나사부(44)를 관통시켜서 결합시킨다. 이 때 식수가 외부로 누출되는 것을 방지하기 위하여 방수부재(패킹)를 동시에 결합시킨다.
또한 은이온흐름관(30)의 전극수납부재(32)와 결합되는 한 쌍의 연결관(34)들은 그것들의 좌측외부직경(도면기준)은 전극수납부재(32)의 내측직경과 동일하게 구성하고, 우측외부직경(도면기준)의 크기를 변경시킴으로서 다양한 직경을 가지는 파이프들과 연결할 수 있다. 도면에서는 전극수납부재(32)의 내경에 연결관(34)들의 외경이 삽입고정되도록 표시되어 있다.
한 쌍의 은이온전극(40)들은 도면에 표시된 것과 같이 은이온흐름관(30)의 내측에서 상호 마주보는 위치에 설치되어 있다. 이렇게 설치하는 것은 식수속에 전리되어 있는 음이온이온들과 양이온인 은이온(Ag+)가 반응하여 은염을 생성하는 것을 방지하기 위한 것이다.
은염은, 도 1에 도시된 것과 같이 식수가 유동하지 않고 일정시간동안 고정상태를 유지하는 저장조(70)에서 많이 생성되며, 은염의 생성결과 전극이 대전되지 못하고 양극에 전압이 통과하여 직류전원공급부(예를 들어 직류변환장치(10))나 휴즈가 단락되는데 상기와 같은 은이온전극(40)의 설치구조에 의하여 은염의 생성을 방지할 수 있는 장점을 가진다. 본 고안에 의하면 발생되는 은이온은 고여있지 않고 이동하면서 미생물 또는 세균을 살균하기 때문에 은염의 발생이 저하되고 또한 살균효과가 높아지는 장점을 가진다.
본 고안에서는 또한 은이온전극(40)에 의하여 생성된 은이온의 농도변화를 검출하기 위하여 전류검출부(60)를 더 포함한다. 상기 전류검출부(60)는 은이온흐름관(30) 내부의 전류를 검출하는 것으로서, 전류검출단자(62)를 통하여 측정전류치를 검출한다. 전류검출단자(62)의 설치위치의 설정은 측정전류치의 검출에 매우 중요한 요소가 된다. 도면에서는 은이온전극(40)을 기준으로 물이 통과한 후에 접촉되도록 설치되어 있음을 알 수 있다. 물론 최적한 위치라고 판단되는 다른 위치에 전류검출단자(62)를 설치하는 것도 가능하다.
전류검출단자(62)를 통하여 검출된 측정전류치는 전류검출부(60)에서 디지탈신호로 처리된 후에 이온조절콘트롤러(20)에 입력된다. 상기 이온조절콘트롤러(20)는 입력되는 측정전류치신호를 이용하여 미리 설정된 전류치(설정상, 하한치 또는 기준설정치)와의 비교를 통하여 은이온농도를 조절한다.
상기 상, 하한치 또는 기준설정치의 설정은 사용자에 의하여 이온조절콘트롤러(20)에 미리 사용데이터로서 저장된다. 또는 가변저항기등을 이용하여 온/오프 스위치(7)와 연결하여 외부에서 입력시킬 수 있다. 은이온농도의 조절은 은이온전극(40)에 인가되는 전압의 인가시간(가동시간 및 휴지시간)에 의하여 달성된다. 은이온농도의 조절은 상기한 가동시간과 휴지시간의 변환방식에 의하여 수행되며 전술하였으므로 상세한 설명은 생략한다.
상기와 같은 구성을 가진 본 고안의 작동상태를 도 5를 참고하여 설명하면 다음과 같다.
사용자는 본 고안에 의한 은이온발생 살균기(1)를 파이프(80,82)의 중간에 설치한 후에, 온/오프 스위치(7)를 온시켜서 전원을 공급한다. 전원이 공급되면 이온조절콘트롤러(20)를 통하여 한 쌍의 은이온전극(40)에 각각 다른 극성을 가진 전압이 공급된다. 이러한 전압공급에 의하여 은이온전극(40)의 표면으로부터 음이온과 은이온(Ag+)이 생성된다.
생성된 은이온은 은이온흐름관(30)을 통과하는 식수와 접촉하면서 식수안에 존재하는 미생물 또는 세균과 결합되어서 살균기능을 수행한다. 이 때 사용자는 은이온발생 살균기(1)의 전면에 설치된 디스플레이패널(3)과 표시등(5)을 보고서 은이온의 이온농도상태를 확인할 수 있다. 본 고안의 살균기(1)에서의 은이온농도는 이온조절콘트롤러(20)에 포함된 프로그램에 의하여 자동으로 조정되며 가동시간 및 휴지시간의 간격을 조정함으로서 달성된다. 물론 외부에서 은이온농도의 설정치변경을 위한 스위치(이것은 온/오프 스위치(7)와 연계되어 사용될 수 있다)를 이용하여 변경할 수 있다.
은이온농도의 자동조정은, 검출된 측정전류치가 설정상한값 이상이되면 은이온농도를 감소하도록 이온조절콘트롤러(20)에서 프로그램이 수행되며, 설정하한값 이하가 되면 은이온농도를 증가시키도록 이온조절콘트롤러(20)에서 프로그램이 수행된다. 은이온농도의 조절은 본질적으로 은이온전극(40)에 공급되는 인가전압의가동시간 및 휴지시간에 따라서 변경될 수 있다. 상기와 같이 하여 본 고안에 의한 은이온발생 살균기(1)는 최적의 상태로 은이온을 생성하여 살균효과를 발휘한다.
이와 같이 본 고안에 의하면 은이온발생을 위하여 전원이 공급되는 은이온전극 주변에서 발생되는 은염에 의한 미생물, 세균의 살균효과가 저하되는 것을 방지할 수 있으며, 또한 하나의 하우징에 통합 내장되어서 물이 공급되는 파이프의 중간에 설치가 간편하고 은이온농도가 일정하게 유지되며 별도의 물저장조가 불필요한 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 은이온을 생성하여 식수안에 존재하는 미생물 또는 세균을 살균하기 위한 살균기에 있어서,
    교류전압을 직류전압으로 변환하여 공급하기 위한 직류변환장치(10)와, 상기 직류변환장치(10)로부터 인가되는 전압을 정류하여 은이온전극(40)에 공급하며 은이온의 농도를 일정하게 조절하기 위한 프로그램이 내장된 이온조절콘트롤러(20)와, 상기 이온조절콘트롤러(20)로부터 직류전압이 인가되면 은이온을 발생시키는 한 쌍의 은이온전극(40)이 내장되며 살균처리하기 위한 물이 통과되는 은이온흐름관(30)과, 상기 은이온흐름관(30) 내부의 측정전류치를 검출하기 위한 전류검출부(60)와, 그리고 상기 직류변환장치(10)와 상기 이온조절콘트롤러(20)와 상기 전류검출부(60)와 상기 은이온흐름관(30)의 양단부가 대향위치로 각각 노출되도록 장착하는 하우징(50)을 포함하는 것을 특징으로 하는 은이온발생 살균기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 은이온발생 살균기(1)가 은이온전극(40)의 사용중에 전극 표면의 활성도가 떨어지는 것을 방지하기 위하여 이온조절콘트롤러(20)로부터의 제어신호에 의하여 인가되는 전압의 극성을 변경하기 위한 극성전환부(22)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 은이온발생 살균기.
  3. 제1항 또는 제2항중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 은이온흐름관(30)이 은이온 전극(40)을 수납하는 전극수납부재(32)와 상기 전극수납부재(32)의 양단부에 결합되는 한 쌍의 연결관(34)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 은이온발생 살균기.
  4. 제1항 또는 제2항중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 은이온전극(40)과 전극수납부재(32)의 결합이, 전극수납부재(32)의 내측표면에서 외측표면을 관통하는 구멍을 형성하고 구멍에 암나사부를 형성하거나 너트를 삽입고정하고, 은이온전극(40)에 형성된 고정나사부(44)를 관통시켜서 결합시키는 것을 특징으로 하는 은이온발생 살균기.
  5. 제1항 또는 제2항중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 이온조절콘트롤러(20)에서의 은이온농도의 조절이 상기 전류검출부(60)에 의하여 측정된 측정전류치를 이용하여 수행되며, 상기 측정전류치를 미리 설정된 상한치 및 하한치와 비교하여 상한치에 도달하면 은이온농도가 너무 짙은 것으로 판단하고 은이온전극(40)에 인가되는 전원을 차단하며, 하한치에 도달하면 은이온농도가 낮은 것으로 판단하여 은이온전극(40)에 전원을 인가하여 은이온농도를 조절하는 것을 특징으로 하는 은이온발생 살균기.
  6. 제1항 또는 제2항중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 이온조절콘트롤러(20)에서의 은이온농도의 조절이 상기 전류검출부(60)에 의하여 측정된 측정전류치를 이용하여 수행되며, 상기 측정전류치의 변화량에 따라서 미리 은이온전극(40)의 가동시간과 휴지시간을 임의로 여러 개 설정하였다가 측정전류치가 임의의 설정전류치를 초과하면 휴지시간을 순차적으로 증가시키고, 측정전류치가 떨어지면 휴지시간을 순차적으로 감소시켜서 은이온의 농도를 자동적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 은이온발생 살균기.
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