KR100718723B1 - 전자장 수처리 장치 및 그 제어방법 - Google Patents

전자장 수처리 장치 및 그 제어방법 Download PDF

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Abstract

개시된 본 발명에 의한 전자장 수처리 시스템은, 배관과 연통되어 유체가 유입되는 유입부와, 배관과 연통되어 유체가 배출되는 배출부가 형성되고, 유로가 형성되는 하우징과; 하우징의 유로내에 설치되는 어노드바(anode bar)와; 어노드바를 (+)극으로, 하우징을 (-)극으로 하여 전류를 인가하는 전류제어부; 및 전류제어부를 제어하여 출력되는 전류의 세기를 조절하는 중앙처리유닛;을 포함한다. 이에 의하면, 전류세기 검출부에 의하여 검출된 실제 전류세기가 중앙처리유닛에 의하여 제어된대로 인가되고 있는 지를 판단할 수 있으며, 그 정비시기를 용이하게 판단할 수 있게 된다. 또한, 처리되는 유체에 작용하는 각종 변수가 변하는 경우에도 이에 추종하여 최적의 출력을 발생하도록 함으로써 유체에 충분한 자유전자를 공급할 수 있어 보다 효과적인 스케일 및 부식 방지 효과를 얻을 수 있다.
수처리, 스케일, 전자장, 배관

Description

전자장 수처리 장치 및 그 제어방법 {electronic water treatment system and method for controlling the same}
도 1은 일반적인 전자장 수처리 장치를 나타낸 도면,
도 2는 도 1에 도시된 전자장 수처리 장치를 설명하기 위한 도면,
도 3은 종래의 전자장 수처리 시스템을 나타낸 블록도,
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 전자장 수처리 시스템을 나타낸 도면,
도 5는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 의한 전자장 수처리 방법을 나타낸 흐름도,
도 6은 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 의한 전자장 수처리 방법을 나타낸 흐름도,
도 7은 본 발명의 바람직한 제3 실시예에 의한 전자장 수처리 방법을 나타낸 흐름도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
12 : 하우징 13 : 어노드바
111 : 전류 제어부 113 : 중앙처리유닛
115 : 메모리부 117 : 입력부
119 : 디스플레이부 121 : 전류세기 검출부
123 : 온도 검출부 125 : 유량 검출부
127 : 기전력 검출부
본 발명은 전자장 수처리 시스템 및 그 제어방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 냉온수가 흐르는 배관에 스케일과 부식이 생성되는 것을 방지하기 위한 전자장 수처리 시스템을 디지털화하여 전자장 수처리 장치내의 여러 상황변화에 능동적으로 대처할 수 있는 전자장 수처리 시스템 및 그 제어방법에 관한 것이다.
일반적으로 공장, 아파트, 빌딩 또는 플랜트와 같은 모든 건축물에는 용수, 냉수 및 온수 등을 공급하기 위한 배관이 설치된다. 이러한 배관은 시간이 경과함에 따라 스케일이 적층되거나 배관 부식과 같은 문제가 발생한다.
유체에 용해되어 있는 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg) 및 각종 미네랄(Mineral) 등의 화합물은 온도가 높을수록 유체에 용해되기 어렵기 때문에, 유체가 가열되는 보일러나 콘덴서 등의 열교환면에서 스케일이 발생하며, 이러한 유체의 스케일은 전기적 흡착력으로 배관면 전체에 균일하게 부착된다.
또한, 철(Fe) 분자에서 빠져나온 전자가 물 분자와 산소의 결합을 촉진시켜 수산화이온(OH-1)을 발생시키게 되는데, 수산화 이온이 철(Fe+2) 이온과 결합하여 산화철인(Fe2O3)를 생성시키며, 이때, 배관내의 수온이 높고 용존산소가 많을 수록 배관이 쉽게 부식될 수 있다.
이와 같이 배관내의 스케일 및 부식을 방지하기 위한 여러 방법들이 제안되고 있으며, 최근에 유체에 전자장을 걸어주어 유체에 지속적으로 전자를 공급함으로써 스케일 생성과 부식을 방지하는 전자장 수처리 방법이 제안되고 있다.
도 1은 일반적인 전자장 수처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 전자장 수처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 및 도 2을 참조하면, 전자장 수처리 장치는 전류인가부(11), 어노드바(13) 및 하우징(12)으로 구성된다.
전류인가부(11)는 유체가 흐르는 유로에 전자장을 형성하여 유체에 지속적으로 전자를 공급하기 위한 것으로서, 어노드바(13)를 (+)극으로 하우징(12)을 (-)극으로 하여 전류를 공급한다.
어노드바(13)는 전류인가부(11)로부터 전원을 공급받아 (+)극이 형성되는 것으로, 티타늄 재질로 이루어지며 전자장의 밀도가 균일하게 형성되도록 하우징 형태와 동일한 원통형으로 형성되는 것이 바람직하다.
하우징(12)은 상기한 어노드바(13)가 그 내부에 비접촉으로 설치되는 것으로서, 전류인가부(11)로부터 전원을 공급받아 (-)극이 형성되어 상기한 어노드바(13)와의 사이에 전자장이 형성된다. 이러한 하우징(12)은 어노드바(13)와 상호작용하 여 전자장의 밀도가 균일하게 형성되도록 어노드바(13)와 마찬가지로 원통형으로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 하우징(12)에는 하우징(12)과 어노드바(13) 사이에 유체가 흐르는 유로(17)가 형성되며, 배관(P)을 따라 흐르는 유체가 하우징(12)내로 유입되는 유입부(14)와 배관(P)으로 유체가 배출되는 배출부(15)가 형성된다.
이와 같이, 유체가 배관(P)을 따라 하우징(12)의 유입부(14)를 통하여 전자장이 형성되는 유로(17)를 따라 흐를때, 유체내의 무기물은 전자장에 의해 충분히 자유전자가 함유됨으로써 안정적인 구조로 변화되어 배관(P)의 스케일 생성 및 부식을 방지하게 된다.
도 3은 하우징 및 어노드바에 전류를 인가하여 전자장을 형성하기 위한 종래의 전류공급 시스템을 나타낸 블록도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 전류공급 시스템은 외부의 교류전원을 공급하는 전원공급부(16)와, 전원 공급부(16)에서 공급되는 전원의 전압을 변환하는 변압기(18)와, 변압기(18)에서 변환된 전압의 교류 전원을 정류하여 직류로 변환하는 직류 변환기(19)와, 어노드바(13)를 (+)극으로 하우징(12)을 (-)극으로 하여 직류 변환기(19)에 의하여 변환된 직류 전류를 인가하는 전류인가부(11)로 구성된다.
이와 같이 외부의 전원을 공급받아 최종적으로 전류 인가부(11)에 의하여 어노드바(13) 및 하우징(12)으로 전류가 인가되면, 어노드바(13)는 (+)극성을 가지게 되고 하우징(12)은 (-)극성을 가지게 되어 어노드바(13)와 하우징(12)간에는 전자장이 형성되고, 이러한 전자장에 의하여 하우징(12)과 어노드바(13) 사이의 유로 (17)에서 유도 전류가 흐르게 된다.
이러한 유도전류는 (-)극성을 가지는 하우징(12)에서 (+)극성을 가지는 어노드바(13)로 전자를 이동시키게 되고, 이로 인해 유로(17)를 흐르는 유체에 충분한 자유전자가 공급되어 유체에 함유된 이온 상태의 무기물이 안정적인 구조를 가지며 배출부(15)를 통하여 배관(P)으로 배출된다. 안정적인 구조를 가진 유체에 의하여 무기물이 배관(P)의 전자를 흡수하지 못하게 되어 배관(P)이 부식되거나 무기물이 스케일로 변화되는 것을 억제할 수 있게 된다.
그러나, 이와 같이 구성되는 종래의 전자장 수처리 시스템에 의하면 배관(P)을 통하여 하우징(12)의 유로(17)를 흐르는 유량이 일정하지 않은 경우, 즉 유량이 변동될 때에도 일정한 전류만이 공급되어 충분한 전자를 공급하지 못하여 스케일이나 부식을 충분히 억제하지 못하는 문제가 발생한다.
또한, 전자장 수처리 장치가 장기간 물속에서 사용되므로 극성을 가지는 어노드바에 이물질이 전기적으로 흡착되어 물때가 발생됨으로써 어노드바에 전기저항이 발생되고, 이에 따라 유도전류의 세기가 약해지게 되어 충분한 전자공급이 이루어지지 못하여 수처리 효율이 감소되는 문제가 있다.
또한, 어노드바에 발생되는 이물질들을 정기적으로 세척 등의 방법으로 정비하여야 하나, 종래의 전자장 수처리 시스템에서는 시스템을 분해한 후 일일이 육안으로 정비시기를 판단할 수 밖에 없는 문제가 있다.
또한, 종래의 전자장 수처리 시스템은 수작업으로 그 이상유무를 판단할 수 밖에 없어 전자장 수처리 장치가 대량으로 설치되는 공장 등과 같은 대형 건축물에 서는 이상유무에 관계없이 일률적인 정비가 이루어질 수 밖에 없어 이에 따른 수처리 시스템의 가동효율이 저하되고 인력을 과도하게 투입하여야 한다는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출된 것으로서, 정비시기를 용이하게 판단할 수 있는 전자장 수처리 시스템 및 그 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 전자장 수처리 시스템의 작동상태와 수질에 대응하여 출력을 능동적으로 제어하여 수처리기의 효율을 극대화 할 수 있는 전자장 수처리 시스템 및 그 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 전자장 수처리 시스템의 가동상태와 이상유무를 중앙제어실에서 용이하게 모니터링할 수 있는 전자장 수처리 시스템 및 그 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 전자장 수처리 시스템은, 배관과 연통되어 유체가 유입되는 유입부와, 배관과 연통되어 유체가 배출되는 배출부가 형성되고, 유로가 형성되는 하우징과; 상기 하우징의 유로내에 설치되는 어노드바(anode bar)와; 상기 어노드바를 (+)극으로, 상기 하우징을 (-)극으로 하여 전류를 인가하는 전류제어부; 및 상기 전류제어부를 제어하여 출력되는 전류의 세기를 조절하는 중앙처리유닛;을 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 어노드바 및 하우징에 흐르는 실제 전류의 세기를 검출하는 전류세기 검출부;를 더 포함하며, 상기 중앙처리유닛은 검출된 실제 전류의 세기와, 상기 전류제어부에 의하여 인가되도록 명령한 전류세기를 비교하여 검출된 실제 전류의 세기가 명령한 전류세기의 오차범위를 벗어나는 경우 상기 전류제어부에 이상이 있는 것으로 판단한다.
또한, 상기 전류제어부의 발열온도를 검출하는 온도검출부;를 더 포함하며, 상기 중앙처리유닛은 검출된 발열온도가 소정 온도를 초과하는 경우 상기 전류제어부에 이상이 있는 것으로 판단한다.
또한, 상기 하우징의 유로를 흐르는 유체의 유량을 검출하는 유량검출부;를 더 포함하며, 상기 중앙처리유닛은, 상기 유량검출부에 의하여 검출된 유량이 초기 인가되는 전류에 대응하는 유량보다 크다고 판단하는 경우, 초기 인가되는 전류의 세기보다 더 큰 전류를 인가하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 하우징내에 형성되는 유로의 기전력을 검출하는 기전력검출부;를 더 포함하며, 상기 중앙처리유닛은 상기 기전력검출부에 의하여 검출된 실제 기전력이 인가되도록 명령한 전류에 대응하는 기전력보다 작다고 판단하는 경우, 명령한 전류의 세기보다 더 큰 전류를 인가하는 것이 바람직하다.
한편, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 의하면, 배관과 연통되어 유체가 유입되는 유입부와, 배관과 연통되어 유체가 배출되는 배출부가 형성되고, 유로가 형성되는 하우징과; 상기 하우징의 유로내에 설치되는 어노드바(anode bar)와; 트랜지스터를 포함하며, 상기 어노드바를 (+)극으로, 상기 하우징을 (-)극으로 하여 전류를 인가하는 전류제어부와; 상기 전류제어부에 의하여 인가되는 실제 전류의 세기를 검출하는 전류세기 검출부와; 상기 트랜지스터의 발열온도를 검출하는 온도검출부와; 상기 하우징의 유로를 흐르는 유체의 유량을 검출하는 유량검출부와; 상기 유로에서의 기전력을 검출하는 기전력검출부; 및 상기 전류세기 검출부, 온도검출부, 유량검출부 및 기전력검출부로부터 검출되는 신호를 입력받아, 상기 전류제어부의 이상유무를 판단하고 상기 전류제어부를 제어하여 최종적으로 출력되는 전류의 세기를 조절하는 중앙처리유닛;을 포함한다.
한편, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 의한 전자장 수처리 방법은, 유체가 흐르는 유로가 형성되는 하우징을 (-)극으로, 상기 유로내에 설치되는 어노드바를 (+)극으로 하여, 전류제어부가 초기 전류를 인가하는 초기전류 인가단계와; 상기 초기전류 인가단계에 의하여 상기 하우징 및 어노드바에서 흐르는 실제 전류세기를 검출하는 검출단계와; 상기 검출단계에서 검출된 실제 전류세기와 상기 초기 전류세기를 비교하는 비교단계; 및 상기 비교단계에서 상기 실제 전류세기가 초기 전류세기의 소정 오차 범위내에 있지 않은 경우, 상기 전류제어부에 이상이 있는 것으로 판단하는 판단단계;를 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 바람직한 제2 실시예에 의한 전자장 수처리 방법은, 유체가 흐르는 유로가 형성되는 하우징을 (-)극으로, 상기 유로내에 설치되는 어노드바를 (+)극으로 하여, 전류제어부가 제1 유량(F1)에 대응하는 제1 유량 전류(If1)를 인가하는 제1 유량 전류 인가단계와; 상기 유로내를 흐르는 유체의 실제 유량 (F)을 검출하는 유량검출 단계와; 상기 유량검출 단계에서 검출된 실제 유량(F)과 상기 제1 유량(F1)을 비교하는 비교단계와; 상기 비교단계에서 실제 유량(F)이 제1 유량(F1)보다 큰 것으로 판단되는 경우, 상기 제1 유량 전류(If1)의 세기보다 큰 제2 유량 전류(If2)를 인가하는 제2 유량 전류 인가단계;를 포함한다.
여기서, 상기 비교단계에서 실제 유량(F)이 제1 유량(F1)보다 작은 것으로 판단되는 경우, 상기 제1 유량 전류(If1)의 세기보다 작은 제3 유량 전류(If3)를 인가하는 제3 유량 전류 인가단계;를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 또 다른 바람직한 제3 실시예에 의하면, 유체가 흐르는 유로가 형성되는 하우징을 (-)극으로, 상기 유로내에 설치되는 어노드바를 (+)극으로 하여, 전류제어부가 제1 기전력(E1)에 대응하는 제1 기전력 전류(IE1)를 인가하는 제1 기전력 전류 인가단계와; 상기 유로에서의 실제 기전력(E)을 검출하는 기전력 검출단계와; 상기 기전력 검출단계에서 검출된 유로의 실제 기전력(E)과, 상기 제1 기전력(E1)을 비교하는 기전력 비교단계; 및 상기 기전력 비교단계에서, 상기 실제 기전력(E)이 상기 제1 기전력(E1)보다 작은 것으로 판단되는 경우 상기 제1 기전력 전류(IE1)의 세기보다 큰 제2 기전력 전류(IE2)를 인가하는 제2 기전력 전류 인가단계;를 포함한다.
여기서, 정상상태(正常狀態)에서 상기 유로에서의 기전력(En)에 대한 데이터 가 미리 저장되며, 상기 기전력 검출단계에서 검출된 실제 기전력(E)이 상기 기전력(En)의 소정 오차범위에 있지 않은 경우 경고하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 하우징 및 어노드바에 인가될 수 있는 최대 전류세기 및 최소 전류세기에 대한 데이터가 미리 저장되며, 상기 초기 전류, 제1 유량 전류(If1), 제2 유량 전류(If2), 제3 유량 전류(If3), 제1 기전력 전류(IE1) 또는 제2 기전력 전류(IE2) 중 어느 하나의 세기가 상기 최대 전류세기 및 최소 전류세기의 범위를 벗어나는 경우 경고하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 전류제어부의 온도를 검출하는 온도검출 단계;를 더 포함하며, 상기 온도 검출 단계에서 검출된 실제 온도가 소정 온도보다 높은 것으로 판단되는 경우 경고를 하는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 의하면, 유체가 흐르는 유로가 형성되는 하우징을 (-)극으로, 상기 유로내에 설치되는 어노드바를 (+)극으로 하여, 전류제어부가 제1 전류를 인가하는 제1 전류 인가단계와; 상기 제1 전류 인가단계에 의하여 상기 하우징 및 어노드바에서 흐르는 실제 전류세기를 검출하는 전류세기 검출단계와; 상기 유로내를 흐르는 유체의 실제 유량(F)을 검출하는 유량 검출단계와; 상기 유로의 실제 기전력을 검출하는 기전력 검출단계; 및 상기 전류세기 검출단계에서 검출된 실제 전류세기와 제1 전류 인가단계에서 인가된 제1 전류 세기가 소정의 오차범위에 있지 않은 경우 상기 전류제어부에 이상이 있는 것으로 판단하는 전류제어부 상태 판단단계;를 포함한다.
여기서, 상기 제1 전류 인가단계는, 전류제어부가 제1 유량(F1)에 대응하는 제1 유량 전류(If1)를 인가하며, 상기 유량 검출단계에서 검출된 실제 유량(F)이 상기 제1 유량(F1)보다 큰 것으로 판단되는 경우 상기 제1 유량 전류(If1)의 세기보다 큰 제2 유량 전류(If2)를 인가하고, 실제 유량(F)이 상기 제1 유량(F1)보다 작은 것으로 판단되는 경우 상기 제1 유량 전류(If1)의 세기보다 작은 제3 유량 전류(I3)를 인가한다.
또한, 상기 제1 전류 인가단계는, 전류제어부가 제1 기전력(E1)에 대응하는 제1 기전력 전류(IE1)를 인가하며, 상기 기전력 검출단계에서 검출된 유로의 실제 기전력(E)이 상기 제1 기전력(E1)보다 작은 것으로 판단되는 경우 상기 제1 기전력 전류(IE1)의 세기보다 큰 제2 기전력 전류(IE2)를 인가하고, 실제 기전력(E)이 상기 제1 기전력(E1)보다 큰 것으로 판단되는 경우 상기 제1 기전력 전류(IE1)의 세기보다 작은 제3 기전력 전류(IE3)를 인가하는 것이 바람직하다.
여기서, 정상상태에서 상기 유로에서의 기전력(En)에 대한 데이터가 미리 저장되며, 상기 기전력 검출단계에서 검출된 상기 실제 기전력(E)이 상기 기전력(En)의 소정 오차범위에 있지 않은 경우 경고하는 것이 바람직하다.
본 발명의 상기와 같은 목적 및 다른 장점들은 첨부도면을 참조하여 본 발명 의 바람직한 실시예를 상세히 설명함으로써 더욱 명백해질 것이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 전자장 수처리 시스템을 나타낸 블록도이다. 이를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 전자장 수처리 시스템은 하우징(12)과, 어노드바(13)와, 전류제어부(111)와, 중앙처리유닛(113)과, 전류세기 검출부(121)와, 온도검출부(123)와, 유량검출부(125) 및 기전력검출부(127)를 포함한다.
하우징(12)은 원통형상의 아연도금강으로 형성되며, 상부에는 배관을 따라 유체가 하우징(12)내로 유입되는 유입부(14)가 형성되고 하부에는 하우징(12)내의 유체가 배출되는 배출부(15)가 형성된다.
어노드바(13)는 하우징(12)의 형상과 마찬가지로 원통형상으로 하우징(12)의 내측에 비접촉식으로 설치된다. 이러한 어노드바(13)는 부식과 전기적으로 강한 티타늄 재질로 형성된다. 따라서, 하우징(12)과 어노드바(13) 사이는 유입부(14)를 통하여 유입되는 유체가 흐르는 유로(17)가 형성된다.
이러한 하우징(12) 및 어노드바(13)는 전류제어부(111)에 의하여 전류가 인가되면 상호작용으로 전자장을 형성하는 것으로서, 전자장의 밀도를 균일하게 형성하도록 상기한 바와 같이 원통형상으로 형성되는 것이 바람직하다.
전류제어부(111)는 어노드바(13)를 (+)극성으로, 하우징(12)을 (-)극성으로 하여 외부 전원으로부터 전류를 어노드바(13)와 하우징(12)으로 인가하는 것으로서, 도 4에 도시된 바와 같이 외부의 교류전원을 공급하는 전원공급부(16)에 의하여 공급되는 전원의 전압이 변압기(18)에 의하여 변환되고 직류 변환기(19)에 의하 여 직류로 정류된 전류를 공급받아 하우징(12)과 어노드바(13)로 인가하게 된다.
이러한 전류제어부(111)는 트랜지스터를 포함하며, 전류제어부(111)로부터 출력되는 전류의 세기가 중앙처리유닛(113)의 제어하에 적절하게 조절되어 최종적으로 하우징(12) 및 어노드바(13)에 인가된다. 여기서, 트랜지스터에 의하여 입력 전류의 세기가 변환되는 것은 공지의 기술이므로 자세한 설명은 생략하기로 한다.
중앙처리유닛(113)은 전류제어부(111), 전류세기 검출부(121), 온도 검출부(123), 유량 검출부(125) 및 기전력 검출부(127)를 제어하는 것으로서, 전류세기 검출부(121), 온도 검출부(123), 유량 검출부(125) 및 기전력 검출부(127)로부터 수신되는 신호를 분석하여 전류제어부(111)로부터 출력되는 최종 전류의 세기를 조절하거나, 시스템에 대한 이상유무를 판단한다.
이와 같이, 중앙처리유닛(113)의 제어하에 일정 전류 세기를 가지는 전류가 전류제어부(111)에 의하여 하우징(12) 및 어노드바(13)에 인가되면, 하우징(12) 및 어노드바(13) 사이 즉, 유로(17)에는 전자장이 형성되고 이러한 전자장과 유체의 이동은 패러데이법칙에 따라 하우징내에 기전력을 수반한다.
이러한 기전력에 의하여 유로(170)에는 유도전류가 발생되어, (-)극성을 가지는 하우징(12)에서 (+)극성을 가지는 어노드바(13) 사이로 자유전자가 이동하게 되고, 이에 따라 유로(17)를 따라 흐르는 유체에 자유전자가 풍부하게 공급되어 유체내에 함유되어 있는 이온 상태의 무기물이 안정적인 구조를 가진채 배출부(15)를 통하여 배관(P)으로 배출된다. 안정적인 구조를 가지기 때문에 무기물이 배관(P)의 전자를 흡수하지 못하게 되어 배관(P)이 부식되거나 무기물이 스케일로 변화되는 것이 억제된다.
전류세기 검출부(121)는 하우징(12) 및 어노드바(13)에서 흐르는 실제 전류의 세기를 검출하는 것으로서, 검출된 전류의 세기에 대한 신호를 중앙처리유닛(113)으로 전송한다.
중앙처리유닛(113)은 검출된 실제 전류 세기와, 전류제어부(111)를 제어하여 하우징(12) 및 어노드바(13)로 인가하도록 명령한 전류의 세기를 비교하여, 명령한 전류의 세기와 이러한 명령에 의하여 실제로 인가되는 실제 전류 세기가 일정한 오차 범위내에 있지 않은 경우 전류제어부(111)에 이상이 있는 것으로 판단한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 이와 같이 전류제어부(111)에 이상이 있는 것으로 판단한 중앙처리유닛(113)은 중앙통제실에 설치되는 디스플레이부(119)를 통하여 이상상태를 표시하거나 경고등을 작동시켜 경고를 한다.
따라서, 전자장 수처리 시스템에 대한 이상유무를 자동적으로 판단할 수 있으며, 또한 정비시기를 즉각적으로 알 수 있게 된다.
온도 검출부(123)는 전류제어부(111)의 트랜지스터의 발열온도를 검출하는 것으로서, 검출된 발열온도에 대한 신호를 중앙처리유닛(113)으로 전송하고 중앙처리유닛(113)은 검출된 발열온도가 기준 발열 온도의 일정 오차범위를 넘는 경우 전류제어부(111)에 이상이 있는 것으로 판단하여 즉각 가동을 멈추게 하거나 중앙통제실에 설치되는 디스플레이부(119)에 이상상태를 표시하여 경고를 한다. 이러한 기준 발열 온도는 메모리부(115)에 미리 저장되는 것이 바람직하다.
또한, 온도 검출부(123)는 하우징(12)과 어노드바(13) 사이의 유로(17)를 통 과하는 유체의 수온을 검출한다. 온도 검출부(123)에 의하여 검출된 수온을 중앙처리유닛(113)으로 전송한다. 중앙처리유닛(113)은 현재 인가되는 전류 세기에 대한 적정 수온의 소정 오차범위내에 실제 검출된 수온이 있지 않은 경우, 현재 인가되는 전류 세기를 적절하게 조절한다.
이로써, 적정한 자유전자를 공급할 수 있게 되어 유체의 온도 변화에 따라 변화되는 스케일 생성도 및 부식도를 효율적으로 억제할 수 있다.
유량 검출부(125)는 하우징(12)과 어노드바(13) 사이의 유로(17)를 통과하는 유체의 유량을 검출하는 것으로서, 검출된 유량을 중앙처리유닛(113)으로 전송한다. 중앙처리유닛(113)은 현재 인가되는 전류 세기에 대한 적정 유량보다 실제 검출된 유량이 큰 경우 현재 인가되는 전류 세기보다 큰 전류를 인가하여 충분한 자유전자를 유체에 공급하도록 한다.
유량이 증가하는 경우 유체에 함유된 무기물도 증가하게 되기 때문에 계속하여 일정한 전류 세기를 가지는 전류가 인가되는 경우 충분히 자유전자가 공급되지 못하여 스케일 생성이나 부식발생의 억제가 만족스럽게 수행되지 못하였다.
따라서, 유량이 증가하는 경우 이를 중앙처리유닛(113)이 판단하여 전류제어부(111)를 제어하여 인가되는 전류의 세기를 크게 함으로써, 유량이 증가하는 경우에도 그에 추종하여 충분한 자유전자를 유체로 공급하여 스케일 생성이나 부식발생을 억제할 수 있게 된다.
이와 반대로, 유량이 감소하는 경우에도 그에 추종하여 자유전자 공급을 조절하도록 전류의 세기를 낮춰 전류를 인가함으로써 불필요한 전력낭비를 방지할 수 있다.
한편, 어노드바(13)에 이물질이 흡착되는 경우에는 유로내의 전기저항이 커지지고 이에 따라 기전력이 작아지게 되어 수처리 효율이 낮아지게 된다. 기전력 검출부(127)는 이와 같이 외부 환경에 의하여 변화되는 기전력을 검출하여 유로(17)내의 저항 변화를 판단함으로써 최종적으로 이물질 흡착 정도를 예측하여 정비시기를 판단할 수 있도록 한다.
기전력 검출부(127)는 검출된 기전력에 대한 신호를 중앙처리유닛(113)으로 전송하고, 중앙처리유닛(113)은 이를 수신하여 기준 기전력의 소정 오차범위를 벗어나는 경우 어노드바(13)에 이물질이 흡착된 것으로 판단하여 중앙통제실의 디스플레이부(119)로 경고한다. 따라서, 전자장 수처리 시스템에 대한 정비시기를 자동적으로 판단할 수 있게 된다.
한편, 이러한 기전력 검출부(127)에 의하여 검출된 기전력이 기준 기전력의 소정 오차범위내에 있는 경우에, 중앙처리유닛(113)은 전류 인가 명령시의 전류에 대한 적정 기전력과 검출된 기전력을 비교한다. 중앙처리유닛(113)은 검출된 기전력이 적정 기전력보다 작은 경우 즉 유로(17)내의 저항이 큰 경우 유도 전류 세기가 작아 지게 되어 충분한 자유전자를 공급하지 못하기 때문에 인가 전류의 세기를 크게 하여 전류를 인가한다.
따라서, 유로(17)내의 저항이 커지는 경우 즉, 기전력이 작아진 경우 이를 중앙처리유닛(113)이 판단하여 전류제어부(111)를 제어하여 인가되는 전류의 세기를 크게 함으로써, 기전력이 작아지는 것에 추종하여 충분한 자유전자를 유체로 공 급하여 스케일 생성이나 부식발생을 억제할 수 있게 된다.
한편, 본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 전자장 수처리 시스템에 인가 가능한 최대 전류 세기 및 최소 전류 세기에 대한 데이터가 메모리부(115)에 미리 저장되며, 중앙처리유닛(113)이 상기한 각 검출부에서 검출된 신호에 추종하여 인가되는 전류의 세기가 최대 전류 세기 및 최소 전류 세기의 범위를 초과하는 경우 시스템의 작동을 중지하거나 디스플레이부(119)를 통하여 경고함으로써 적절하게 조치를 취할 수 있게 한다.
상기한 최대 전류 세기, 최소 전류 세기, 기준 발열 온도 및 각종 오차범위에 대한 데이터가 메모리부(115)에 저장되거나 입력될 수 있도록, 입력부(117)를 구비하는 것이 바람직하다.
이하, 상기한 바와 같은 전자장 수처리 시스템을 제어하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 의한 전자장 수처리 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 의한 전자장 수처리 방법은, 먼저 온도 검출부(123)가 전류제어부(111)의 발열온도를 검출한다(S110). 온도 검출부(123)는 전류제어부(111)의 검출된 발열온도에 대한 신호를 중앙처리유닛(113)으로 전송하고, 중앙처리유닛(113)은 메모리부(115)에 기저장된 기준 발열온도를 독출하여 검출된 발열온도와 기준 발열온도를 비교한다(S120).
S120 단계에서, 검출된 발열온도가 기준 발열온도보다 높은 경우, 중앙처리 유닛(113)은 전류제어부(111)에 이상이 있는 것으로 판단하여(S170), 디스플레이부(119)로 이상상태를 표시한다(S180). 본 실시예에서 검출된 발열온도가 기준 발열온도보다 큰 경우 전류제어부(111)에 이상이 있는 것으로 판단하였으나, 이와 달리 기준 발열온도의 소정 오차범위를 설정하고 검출된 발열온도가 이 소정 오차범위를 초과하는 경우에 전류제어부(111)에 이상이 있는 것으로 판단하도록 하는 것도 가능하다.
한편, S120 단계에서 검출된 발열온도가 기준 발열온도보다 낮은 경우, 중앙처리유닛(113)은 전류제어부(111)를 제어하여 초기 전류 세기를 가지는 초기 전류를 하우징(12) 및 어노드바(13)에 인가한다(S130).
이와 같이 중앙처리유닛(113)의 명령에 따라 초기 전류가 인가되면, 유로(17)에 전자장 및 유도전류가 발생되어, 하우징(12)으로부터 어노드바(13)로 자유전자가 이동되면서 유로(17)를 흐르는 유체에 자유전자가 공급됨으로써 스케일 생성 및 부식 발생이 억제된다.
이때, 전류세기 검출부(121)는 하우징(12) 및 어노드바(13)에 흐르는 실제 전류의 세기를 검출하고(S140), 검출된 실제 전류 세기에 대한 신호를 중앙처리유닛(113)으로 전송한다.
중앙처리유닛(113)은 검출된 실제 전류 세기와 전류제어부(111)를 제어하여 인가하도록 명령한 초기 전류 세기를 비교하여(S150), 검출된 실제 전류 세기가 인가하도록 명령한 초기 전류 세기의 소정 오차범위내에 있지 않은 경우 전류 제어부(111)에 이상이 있는 것으로 판단하여(S170), 전류 제어부(111)의 이상상태를 디스 플레이부(119)로 나타낸다.
한편, 실제 전류 세기가 초기 전류 세기의 소정 오차범위내에 있는 경우 계속하여 전류인가를 하면서 스케일 생성 및 부식 발생을 억제하게 된다.
여기서, 전류제어부(111)의 온도를 검출하여 전류 제어부(111)의 과열 여부를 판단하는 단계(S110)(S120)를 초기 전류를 인가하는 단계(S130)보다 앞서 수행하는 것으로 도시하고 설명하였으나 온도 검출 및 과열여부 판단 단계를 이와 달리 하여도 무방하다.
도 6은 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 의한 전자장 수처리 방법을 나타낸 흐름도이다.
이를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 의하면, 먼저 제1 유량(F1)에 대응하는 제1 유량 전류(If1)를 하우징(12) 및 어노드바(13)에 인가한다(S210). 여기서, 제1 유량(F1)은 실험적으로 구한 것으로서 전자장 수처리 시스템의 운용시 처리할 수 있는 평균적인 유량으로 설정하는 것이 바람직하다.
이와 같이 제1 유량 전류(If1)가 인가되어 유로(17)에 자기장 및 유도전류가 발생되어 유체의 함유물이 안정화되면서 스케일 및 부식 발생이 억제된다.
이때, 유로를 흐르는 유량에 변화가 발생하는 경우 즉, 안정화시켜야 할 유체의 함유물이 더 많아 지는 경우, 그에 따라 자유전자도 더 많이 공급하여야 스케일 및 부식발생이 효과적으로 억제될 수 있기 때문에, 유로를 흐르는 유량을 검출하여 검출된 유량에 따라 인가되는 전류세기를 조절할 필요가 있다.
따라서, 유량 검출부(125)는 유로(17)를 따라 흐르는 유량을 검출하여(S215), 검출된 실제 유량(F)에 대한 정보를 중앙처리유닛(113)으로 전송한다.
중앙처리유닛(113)은 검출된 실제 유량(F)에 대한 정보를 수신하여, 실제 유량(F)과 제1 유량(F1)을 비교한다(S225).
S225 단계에서, 제1 유량(F1)이 실제 유량(F)보다 큰 경우, 중앙처리유닛(113)은 제1 유량 전류(If1)의 세기보다 더 큰 제2 유량 전류(If2)를 인가하도록 한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 의하면 유로(17)를 흐르는 유량에 따라 인가되는 적정 전류 세기에 대한 데이터가 메모리부(115)에 저장되는 것이 바람직하다.
이때, 제2 유량 전류(If2)의 세기가 전자장 수처리 시스템에 허용되는 최대 전류 세기를 초과하는지를 판단하여(S235), 초과하지 않는 경우 제2 유량 전류(If2)를 인가하도록 중앙처리유닛(113)은 전류제어부(111)를 제어한다(S240).
한편, 제2 유량 전류(If2)의 세기가 최대 전류 세기를 초과하는 경우, 중앙처리유닛(113)은 중앙통제실에 설치되는 디스플레이부(119)에 이에 대한 경고를 나타낸다(S255).
한편, S225 단계에서 실제 유량(F)이 제1 유량(F1)보다 작은 경우, 제1 유량 전류(I1)의 세기보다 작은 제3 유량 전류(If3)를 판단하여(S245) 인가하도록 한다. 이로써, 유량이 작은 경우에도 과도하게 전류를 인가함으로써 전력낭비가 되는 것을 방지할 수 있다.
이때, 제3 유량 전류(If3)의 세기가 전자장 수처리 시스템에 허용된 최소 전류 세기보다 작은지를 판단하여(S250), 작지 않은 경우 제3 유량 전류(If3)를 인가하도록 중앙처리유닛(113)은 전류제어부(111)를 제어한다(S260).
한편, 제3 유량 전류(If3)의 세기가 최소 전류 세기보다 작은 경우, 중앙처리유닛(113)은 중앙통제실에 설치되는 디스플레이부(119)에 이에 대한 경고를 나타낸다(S255).
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 메모리부(115)에 상기한 최대 전류 세기 및 최소 전류 세기에 대한 데이터가 미리 저장된다.
도 7은 본 발명의 바람직한 제3 실시예에 의한 전자장 수처리 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
본 발명의 제3 실시예에 의하면, 전자장 수처리 시스템의 정상상태(正常狀態)에서의 기전력(En)에 대한 데이터가 메모리부(115)에 미리 저장된다(S310).
전자장 수처리 시스템이 장기간 운용되는 경우, 그 하우징(12)과 어노드바(13)에 흡착되는 수중 이물질이 발생된다. 이때, 흡착된 이물질에 의하여 유로(17)내에는 전기저항이 커지게 되고 그에 따라 실제 인가하도록 명령한 전류세기에 따른 유도전류가 발생되지 못하여 유로(17)내를 흐르는 유체에 충분한 자유전자가 공급되지 못하는 문제가 있다. 따라서, 정기적으로 하우징(12)과 어노드바(13)에 흡착된 이물질을 클리닝하여야 한다.
따라서, 상기한 바와 같이 시스템의 정상상태에서의 기전력(En)을 미리 설정해 놓고, 유로(17)내의 실제 기전력을 검출하여, 실제 기전력이 정상상태 기전력(En)의 소정 오차 범위를 초과하는 경우에는 하우징(12)과 어노드바(13)에 이물질이 부착된 것으로 판단하여 유지보수 시기를 판단하도록 하는 것이다.
이후, 중앙처리유닛(113)은 제1 기전력(E1)에 대응하는 제1 기전력 전류(IE1)를 전류 제어부(111)를 제어하여 하우징(12) 및 어노드바(13)로 인가한다(S315).
이후, 기전력 검출부(127)는 실시간 또는 주기적으로 하우징(12)과 어노드바(13) 사이의 실제 기전력(E)를 검출하여(S320), 중앙처리유닛(113)으로 검출된 실제 기전력(E)에 대한 신호를 전송한다.
중앙처리유닛(113)은 검출된 실제 기전력(E)이 정상상태에서의 기전력(En)의 소정 오차범위를 초과하는지 판단하여(S325), 오차범위를 초과하는 경우 이를 중앙통제실에 설치되는 디스플레이부(119)로 경고나 유지보수에 대한 정보를 나타낸다(S370).
한편, S325 단계에서 검출된 실제 기전력(E)이 정상상태에서의 기전력(En)의 소정 오차범위를 초과하지 않는 것으로 판단하면, 검출된 실제 기전력(E)과 중앙처리유닛(113)에 의하여 명령된 제1 기전력 전류(IE1)에 대응하는 제1 기전력(E1)을 비교판단하여(S330)(S335), 실제 기전력(E)이 제1 기전력(E1)보다 작은 것으로 판단되는 경우 즉, 유로(17)내의 저항이 커진 것으로 판단되는 경우 보다 큰 전류세기 를 가지는 전류를 인가하여 충분한 자유전자가 공급되도록 제1 기전력 전류(I1)의 세기보다 큰 제2 기전력 전류(IE2)를 판단한다(S340).
이때, 중앙처리유닛(113)은 제2 기전력 전류(IE2)의 세기가, 시스템에 허용되는 미리 저장된 최대 전류세기보다 큰 경우 시스템의 과부하를 방지하도록 즉시 시스템 운용을 중지하고 디스플레이부(119)를 통하여 이에 대하여 경고한다(S345)(S370).
한편, 제2 기전력 전류(IE2)의 세기가 최대 전류 세기보다 작은 경우 중앙처리유닛(113)은 전류제어부(111)를 제어하여 제2 기전력 전류(IE2)를 최종적으로 인가한다.
한편, S335 단계에서 검출된 실제 기전력(E)이 제1 기전력(E1) 보다 큰 경우 유로(17)내의 저항이 작아 충분한 자유전자가 공급되고 있는 것으로 판단하여, 제1 기전력 전류(IE1)의 세기보다 작은 제3 기전력 전류(IE3)를 판단한다(S255).
이때, 중앙처리유닛(113)은 제3 기전력 전류(IE3)가 미리 저장된 최소 전류 세기보다 큰 경우 최종적으로 제3 기전력 전류(IE3)를 인가하고(S360)(S365), 작은 경우 디스플레이부(119)로 이러한 상태를 경고하도록 한다(S360)(S370).
이로써, 하우징(12)과 어노드바(13)에 흡착되는 각종 이물질에 의하여 전기저항이 변동되는 경우에도 그에 추종하여 인가되는 전류의 세기를 자동으로 조절할 수 있으므로, 외부 상태의 변화에도 능동적으로 대처하여 유체에 충분한 자유전자를 공급할 수 있게 된다.
이상, 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예에 대해서 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 및 수정이 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경 및 수정은 본 특허청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
상기한 바와 같이 본 발명에 의하면, 전류세기 검출부에 의하여 검출된 실제 전류세기가 중앙처리유닛에 의하여 제어된대로 인가되고 있는 지를 판단할 수 있으며, 그 정비시기를 용이하게 판단할 수 있게 된다.
또한, 처리되는 유체의 유량이 변하는 경우에도 유량의 변화에 추종하여 전자장 및 유도전류를 발생하도록 함으로써 유체에 충분한 자유전자를 공급할 수 있어 보다 효과적인 스케일 및 부식 방지 효과를 얻을 수 있다.
또한, 수처리 시스템의 장시간 운용시 하우징과 어노드바 사이에 발생되는 각종 이물질에 의해 전기 저항이 커지는 외부 변화에 추종하여 전자장 및 유도전류를 발생하도록 함으로써 유체에 충분한 자유전자를 공급할 수 있어 보다 효과적인 스케일 및 부식 방지 효과를 얻을 수 있다.
또한, 시스템의 이상유무 및 작동상태를 디스플레이함으로써 중앙통제실과 같은 원격지에서도 시스템의 이상유무 및 작동상태를 판단할 수 있으며, 용이하게 제어할 수 있는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 배관과 연통되어 유체가 유입되는 유입부와, 배관과 연통되어 유체가 배출되는 배출부가 형성되고, 유로가 형성되는 하우징;
    상기 하우징의 유로내에 설치되는 어노드바(anode bar);
    상기 어노드바를 (+)극으로, 상기 하우징을 (-)극으로 하여 전류를 인가하는 전류제어부; 및
    상기 전류제어부를 제어하여 출력되는 전류의 세기를 조절하는 중앙처리유닛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장 수처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 어노드바 및 하우징에 흐르는 실제 전류의 세기를 검출하는 전류세기 검출부;를 더 포함하며,
    상기 중앙처리유닛은 검출된 실제 전류의 세기와, 상기 전류제어부에 의하여 인가되도록 명령한 전류세기를 비교하여 검출된 실제 전류의 세기가 명령한 전류세기의 오차범위를 벗어나는 경우 상기 전류제어부에 이상이 있는 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 전자장 수처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 하우징내에 형성되는 유로의 기전력을 검출하는 기전력검출부;를 더 포함하며,
    상기 중앙처리유닛은 상기 기전력검출부에 의하여 검출된 실제 기전력이 초기 인가되도록 명령한 전류에 대응하는 기전력보다 작다고 판단하는 경우, 명령한 전류의 세기보다 더 큰 전류를 인가하는 것을 특징으로 하는 전자장 수처리 장치.
  4. 배관과 연통되어 유체가 유입되는 유입부와, 배관과 연통되어 유체가 배출되는 배출부가 형성되고, 유로가 형성되는 하우징;
    상기 하우징의 유로내에 설치되는 어노드바(anode bar);
    상기 어노드바를 (+)극으로, 상기 하우징을 (-)극으로 하여 전류를 인가하는 전류제어부;
    상기 전류제어부에 의하여 인가되는 실제 전류의 세기를 검출하는 전류세기 검출부;
    상기 유로에서의 기전력을 검출하는 기전력검출부; 및
    상기 전류세기 검출부 및 기전력검출부로부터 검출되는 신호를 입력받아, 상기 전류제어부의 이상유무를 판단하고 상기 전류제어부를 제어하여 최종적으로 출력되는 전류의 세기를 조절하는 중앙처리유닛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장 수처리 장치.
  5. 유체가 흐르는 유로가 형성되는 하우징을 (-)극으로, 상기 유로내에 설치되 는 어노드바를 (+)극으로 하여, 전류제어부가 초기 전류를 인가하는 초기전류 인가단계;
    상기 초기전류 인가단계에 의하여 상기 하우징 및 어노드바에서 흐르는 실제 전류세기를 검출하는 검출단계;
    상기 검출단계에서 검출된 실제 전류세기와 상기 초기 전류세기를 비교하는 비교단계; 및
    상기 비교단계에서 상기 실제 전류세기가 초기 전류세기의 소정 오차 범위내에 있지 않은 경우, 상기 전류제어부에 이상이 있는 것으로 판단하는 판단단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장 수처리 방법.
  6. 유체가 흐르는 유로가 형성되는 하우징을 (-)극으로, 상기 유로내에 설치되는 어노드바를 (+)극으로 하여, 전류제어부가 제1 기전력(E1)에 대응하는 제1 기전력 전류(IE1)를 인가하는 제1 기전력 전류 인가단계;
    상기 유로에서의 실제 기전력(E)을 검출하는 기전력 검출단계;
    상기 기전력 검출단계에서 검출된 유로의 실제 기전력(E)과, 상기 제1 기전력(E1)을 비교하는 기전력 비교단계; 및
    상기 기전력 비교단계에서, 상기 실제 기전력(E)이 상기 제1 기전력(E1)보다 작은 것으로 판단되는 경우 상기 제1 기전력 전류(IE1)의 세기보다 큰 제2 기전력 전류(IE2)를 인가하는 제2 기전력 전류 인가단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장 수처리 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    정상상태(正常狀態)에서 상기 유로에서의 기전력(En)에 대한 데이터가 미리 저장되며,
    상기 기전력 검출단계에서 검출된 실제 기전력(E)이 상기 기전력(En)의 소정 오차범위에 있지 않은 경우 경고하는 것을 특징으로 하는 전자장 수처리 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 하우징 및 어노드바에서 흐르는 실제 전류세기를 검출하는 전류세기 검출단계;
    상기 전류세기 검출단계에서 검출된 실제 전류세기와 상기 제1 기전력 전류(IE1) 세기를 비교하는 전류세기 비교단계; 및
    상기 전류세기 비교단계에서 상기 실제 전류세기가 상기 제1 기전력 전류(IE1) 세기의 소정 오차 범위내에 있지 않은 경우, 상기 전류제어부에 이상이 있는 것으로 판단하는 판단단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장 수처리 방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 하우징 및 어노드바에 인가될 수 있는 최대 전류세기 및 최소 전류세기에 대한 데이터가 미리 저장되며,
    상기 초기전류의 세기가 상기 최대 전류세기 및 최소 전류세기의 범위를 벗어나는 경우 경고하는 것을 특징으로 하는 전자장 수처리 방법.
  10. 제6항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 하우징 및 어노드바에 인가될 수 있는 최대 전류세기 및 최소 전류세기에 대한 데이터가 미리 저장되며,
    상기 제1 기전력 전류(IE1) 또는 제2 기전력 전류(IE2)중 어느 하나의 세기가 상기 최대 전류세기 및 최소 전류세기의 범위를 벗어나는 경우 경고하는 것을 특징으로 하는 전자장 수처리 방법.
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