KR20030093090A

KR20030093090A - Heating device

Info

Publication number: KR20030093090A
Application number: KR10-2003-0013583A
Authority: KR
Inventors: 다나카히데키
Original assignee: 에스펙 가부시키가이샤
Priority date: 2002-05-29
Filing date: 2003-03-05
Publication date: 2003-12-06
Also published as: JP4048242B2; JP2003343982A; KR100686893B1; CN1311294C; CN1461970A

Abstract

승화가스 등을 소량의 공기로 열효율 좋게 배제한다.Sublimation gas or the like is removed with good thermal efficiency with a small amount of air.

가열장치인 IR히터(H)는, 박막형상의 절연유리와 보호유리 사이에 저항체를 끼워 지지하는 형상으로 배치한 발열부(1), 기판(W)에 대향하는 범위에 발열부(1)의 열을 받도록 배열 설치되어서 공기가 공급되는 송기통로(2), 동일하게 배치되어 승화가스 등을 함유한 공기가 흡출되는 흡기통로(3), 균일형상으로 분포된 다수의 취출구멍(21) 및 흡입구멍(31), 이것들을 형성하고 있고 발열부(1)의 열을 받아서 방열하는 상판(4), 중간판(5) 및 하판(6)으로 이루어지는 방열체(7), 등으로 구성되어 있다.The IR heater H, which is a heating device, is a heat generating unit 1 arranged in a shape in which a resistor is sandwiched between a thin film-shaped insulating glass and a protective glass, and the heat of the heat generating unit 1 in a range facing the substrate W. An air supply passage (2) arranged to receive air to be supplied with air, an air intake passage (3) disposed in the same manner and containing air containing sublimation gas, a plurality of ejection holes (21) and suction holes distributed in a uniform shape (31), these are formed, and the upper plate 4, heat radiating body 7 which consists of the intermediate | middle board 5, the lower board 6, etc. which receive heat of the heat generating part 1, and the like.

열처리장치에 장비되었을 때에, IR히터(H)와 기판(W) 사이의 좁게 한정된 용적부분에서만 IR히터만으로 송흡기하여 승화가스 등을 배제할 수 있으므로, 배제 효율이 양호하고, 덕트 등이 불필요하게 되어 열처리장치를 소형화할 수 있다.When equipped with the heat treatment apparatus, only the narrowly defined volume portion between the IR heater H and the substrate W can be blown with the IR heater to exclude sublimation gas, so that the removal efficiency is good and the duct or the like is unnecessary. Thus, the heat treatment apparatus can be miniaturized.

Description

Heater {HEATING DEVICE}

본 발명은, 발열부를 구비하고 있고 평판상의 대상물로서 가열되면 배제되어야 할 특수기체를 발생시키는 대상물에 대향하도록 배열 설치되어 상기 대상물을 일정하게 가열할 수 있도록 형성된 열처리용의 가열장치에 관한 것이며, 특히, LCD, 유기EL, PDP 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)용 유리기판으로서 제조공정에서 포토레지스트를 사용한 포토리소그래피 처리를 행하는 것의 열처리공정에 매우 적합하게 이용된다.The present invention relates to a heating apparatus for a heat treatment having a heat generating portion and arranged so as to face an object which generates a special gas which should be excluded when heated as a flat object, and is configured to heat the object constantly. As a glass substrate for flat panel displays (FPD), such as LCD, organic EL, and PDP, it is used suitably for the heat processing process of performing the photolithographic process using a photoresist in a manufacturing process.

FPD 유리기판 등의 열처리 공정에서는, 통상, 원적외선 가열기인 IR히터를 다단으로 적층 지지하고, 그 사이에 다수매의 기판을 배치하고, IR히터로 기판을 소정의 온도까지 가열해서 열처리하도록 하고 있다. 이 경우, 이와 같은 기판은 포토리소처리를 하고 있기 때문에, 열처리중에 고온으로 가열되면, 포토레지스트중에 포함되는 승화성의 가스나 각종 용제로부터 휘발된 가스가 발생한다.In a heat treatment step of an FPD glass substrate, an IR heater, which is a far infrared heater, is usually stacked and supported in multiple stages, and a plurality of substrates are arranged therebetween, and the substrate is heated to a predetermined temperature by an IR heater to be heat treated. In this case, since such a substrate is subjected to photolithography, when heated to a high temperature during heat treatment, a sublimable gas contained in the photoresist or gas volatilized from various solvents is generated.

그 때문에, 열처리실내에서 발생한 이와 같은 가스인 특수기체(G)의 농도를 내려서 배제할 필요가 있어, 종래에는, 도 14(a)에 열처리장치(100)의 일부분으로서 도시하는 바와 같이, IR히터(H)에 세워서 설치된 기판 지지핀(P)으로 기판(W)을 지지하고, IR히터(H)로부터 하방으로 열을 방사해서 기판(W)을 가열하는 동시에, 가열에 의해 기판(W)으로부터 발생한 특수기체(G)를 시험실(101)로부터 배제하기 위해서, 송기덕트(102) 및 흡기덕트(103)를 포함하는 송배기계를 설치하여, 화살표시로 나타내는 바와 같이, 시험실(101)의 전체에 기판(W)에 평행하게 흐르는 공기를 보내고, 그 중에 특수기체(G)를 수반하게 하여 배출하도록 하고 있다.Therefore, it is necessary to reduce the concentration of the special gas G, which is such gas generated in the heat treatment chamber, and conventionally, as shown in FIG. 14A as a part of the heat treatment apparatus 100, the IR heater The board | substrate W is supported by the board | substrate support pin P provided upright at (H), radiates heat downward from IR heater H, and heats the board | substrate W, and heats from the board | substrate W by heating. In order to exclude the generated special gas G from the test room 101, a delivery machine including the air supply duct 102 and the air intake duct 103 is provided, and as shown by the arrow, the entire test room 101 is shown. Air flowing in parallel to the substrate W is sent, and the special gas G is accompanied therein to be discharged.

그렇지만, 이와 같은 장치에서는, 열처리실(100)을 전체적으로 환기하기 위해, 환기할 용적이 넓어지게 되는 동시에, 발생한 특수기체(G)와 송기공기가 혼합된 혼합기체가 확산한 후에 흡기덕트(103)에 흡입되므로, 특수기체(G)의 환기효율이 악화되기 때문에, 환기풍량이 많아져서 열손실이 증대하는 동시에, 다량의 공기를 흡입하는 흡기덕트가 필요하게 되어 열처리장치가 대형화되고, 장치 코스트도 높아진다는 문제가 있었다.However, in such an apparatus, in order to ventilate the heat treatment chamber 100 as a whole, the intake duct 103 is expanded after the volume of the air to be ventilated is widened and the mixed gas in which the generated special gas G and the air is mixed is diffused. In this case, the ventilation efficiency of the special gas G is deteriorated. Therefore, the amount of ventilation air is increased, the heat loss is increased, and an intake duct for sucking a large amount of air is required. There was a problem of getting high.

또, 기판면상을 다량의 공기가 통과하게 되므로, 기판(W)에 대한 송기공기의 온도의 영향이 커지고, 공기류의 상류측에서는 기판의 온도가 내려가고, 하류측에서는 높아져, 기판을 열처리할 때의 온도분포가 악화된다는 문제가 있다. 이 경우, IR히터를 평면상의 위치에 대응하여 분할한 온도제어를 한다고 하면, 장치구성이 복잡해져서 장치 코스트가 높아진다.In addition, since a large amount of air passes through the substrate surface, the influence of the temperature of the air supply to the substrate W is increased, the temperature of the substrate decreases on the upstream side of the air flow, and increases on the downstream side, resulting in the heat treatment of the substrate. There is a problem that the temperature distribution deteriorates. In this case, if temperature control is performed by dividing the IR heater in correspondence with the position on the plane, the device configuration becomes complicated and the device cost increases.

한편, 동도(b)에 도시하는 바와 같이, IR히터(H)로부터 공기를 취출(吹出) 해서, 이것에 발생가스를 수반시키고, 이 공기를 양측의 흡기덕트(103)를 포함하는 배기계로부터 배출하도록 한 열처리장치도 알려져 있다. 이 예에서는, 일본 특개평 3-62489호 공보에 개시되어 있는 다공질 세라믹스 소결체로 이루어지는 원적외선 발생원을 구비한 IR히터를 사용하고, 그 다공으로부터 공기를 취출하게 할 수 있다.On the other hand, as shown in the diagram (b), air is blown out from the IR heater H, accompanied by generated gas, and discharged from the exhaust system including the intake ducts 103 on both sides. Also known is a heat treatment apparatus. In this example, an IR heater having a far infrared ray generating source made of a porous ceramic sintered body disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 3-62489 can be used to blow out air from the pores.

그렇지만, 이 구조의 IR히터에서도, 흡기덕트를 설치하여 열처리실 전체의공기를 배출하므로, (a)의 장치와 동일하게, 열손실의 증대나 장치의 대형화 및 코스트 상승을 초래한다는 문제가 있다.However, even in the IR heater of this structure, since the intake duct is provided to discharge the air of the entire heat treatment chamber, similarly to the apparatus of (a), there is a problem that the heat loss is increased, the apparatus is enlarged, and the cost is increased.

그래서 본 발명은, 종래기술에서의 상기 문제를 해결하고, 대상물이 발생시키는 처리되어야 할 기체를 소량의 공기로 열효율 좋게 배제할 수 있어 열처리장치에 설치되었을 때에 그 소형화를 가능하게 하는 가열장치를 제공하는 것을 과제로 한다.Therefore, the present invention solves the above problems in the prior art, and provides a heating apparatus capable of minimizing the gas to be treated to be generated by the object with a small amount of air with good thermal efficiency and enabling its miniaturization when installed in a heat treatment apparatus. It is a task to do it.

도 1은 본 발명을 적용한 IR히터의 전체구성의 1예를 도시하고, (a)는 평면도이고 (b)는 (a)의 폭방향 단면도이고 (c)는 (a)의 길이방향 단면도이다.Fig. 1 shows an example of the overall configuration of an IR heater to which the present invention is applied, (a) is a plan view, (b) is a cross sectional view in the width direction of (a) and (c) is a longitudinal cross section in (a).

도 2는 상기 IR히터를 열처리장치에 장비한 상태의 일부분을 도시하는 설명도이다.2 is an explanatory diagram showing a part of a state in which the IR heater is equipped with a heat treatment apparatus.

도 3은 상기 IR히터의 발열부분의 구조예를 도시하며, (a)는 평면도이고 (b)는 단면도이다.Fig. 3 shows a structural example of the heat generating portion of the IR heater, where (a) is a plan view and (b) is a sectional view.

도 4(a) 및 (b)는 상기 IR히터에의 공기 공급계 및 공기 흡입계의 1예를 도시하는 설명도이다.4A and 4B are explanatory views showing one example of the air supply system and the air intake system to the IR heater.

도 5는 상기 IR히터의 공기의 취출 및 흡입상태를 도시하는 설명도이다.Fig. 5 is an explanatory view showing a blow-out and suction state of air of the IR heater.

도 6은 본 발명을 적용한 IR히터의 다른 구성예를 도시하는 부분단면도이다.6 is a partial cross-sectional view showing another configuration example of the IR heater to which the present invention is applied.

도 7은 본 발명을 적용한 IR히터의 또 다른 구성예를 도시하는 부분단면도이다.Fig. 7 is a partial sectional view showing still another configuration example of an IR heater to which the present invention is applied.

도 8은 본 발명을 적용한 IR히터의 또 다른 구성예를 도시하는 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing still another configuration example of an IR heater to which the present invention is applied.

도 9는 본 발명을 적용한 IR히터의 또 다른의 구성예를 도시하는 단면도이다.9 is a cross-sectional view showing still another configuration example of an IR heater to which the present invention is applied.

도 10은 본 발명을 적용한 IR히터의 또 다른의 구성예를 도시하고, (a)는 평면도이고 (b)는 (a)의 폭방향 단면도이다.Fig. 10 shows still another configuration example of the IR heater to which the present invention is applied, (a) is a plan view and (b) is a cross-sectional view in the width direction of (a).

도 11은 상기 IR히터를 장비한 열처리장치의 일부분의 구조를 도시하는 설명 도이다.11 is an explanatory diagram showing a structure of a part of the heat treatment apparatus equipped with the IR heater.

도 12는 상기 IR히터를 장비한 열처리장치의 일부분의 구조의 다른 예를 도시하는 설명도이다.12 is an explanatory view showing another example of the structure of a part of the heat treatment apparatus equipped with the IR heater.

도 13(a) 및 (b)는 상기 이외의 예에서의 온도상태의 설명도이다.13 (a) and 13 (b) are explanatory diagrams of temperature states in examples other than the above.

도 14(a) 및 (b)는 종래의 IR히터의 발생가스의 배출상태를 도시하는 설명도이다.14 (a) and 14 (b) are explanatory views showing the discharged state of the generated gas of the conventional IR heater.

(부호의설명)(Description of the sign)

1: 발열부1: heating element

2: 송기통로(기체 공급부)2: Air supply passage (gas supply part)

3: 흡기통로(기체 흡출부)3: Intake passage (gas outflow section)

21: 취출구멍(기체 취출구멍)21: ejection hole (gas ejection hole)

31: 흡입구멍(기체 흡입구멍)31: suction hole (gas suction hole)

A₁: 취출공기(기체)A ₁ : Blowing air (gas)

A₂: 혼합기체, 흡입공기(혼합기체)A ₂ : mixed gas, suction air (mixed gas)

G: 특수기체G: Specialty Gases

H: IR히터(가열장치)H: IR heater (heater)

W: 기판, 플랫 패널 디스플레이용 유리기판(평판형상의 대상물)W: Substrate, Glass Substrate for Flat Panel Display (Platform Object)

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서, 청구항 1의 발명은, 발열부를 구비하고 있고, 평판상의 대상물로서 상기 발열부로 가열되면 배제되어야 할 특수기체를 발생시키는 대상물에 대향하도록 배열 설치되고, 상기 대상물을 일정하게 가열할 수 있도록 형성된 열처리용의 가열장치에 있어서,The present invention, in order to solve the above problems, the invention of claim 1 is provided with a heat generating portion, arranged as opposed to the object generating a special gas that should be excluded when heated to the heat generating portion as a flat object, the object In the heating device for heat treatment formed to be able to heat constantly,

상기 대상물에 대향하는 범위에 상기 발열부의 열을 받도록 배열 설치되어 공급되는 기체 및 이것에 포함되는 상기 특수기체로 이루어지는 혼합기체가 흡출되도록 형성된 기체 흡출부로서 상기 대상물에 대향하는 측에 균일 형상으로 분포하고 상기 혼합기체를 흡입할 수 있도록 설치된 다수의 기체 흡입구멍을 구비한 기체 흡출부를 갖는 것을 특징으로 한다.A gas extraction unit formed so as to allow a mixed gas made up of gas supplied and arranged to receive heat from the heat generating unit in a range facing the object to be sucked out and distributed in a uniform shape on the side opposite to the object. And a gas suction unit having a plurality of gas suction holes installed to suck the mixed gas.

청구항 2의 발명은, 상기에 더하여, 상기 대상물에 대향하는 범위에 상기 발열부의 열을 받도록 배열 설치되고 기체가 공급되도록 형성된 기체 공급부로서 상기 대상물에 대향하는 측에 균일형상으로 분포된 다수의 기체 취출구멍을 구비한기체 공급부를 갖는 것을 특징으로 한다.In addition, the invention of claim 2 is a gas supply unit which is arranged to receive heat of the heat generating unit in a range facing the object and is formed to supply gas, and a plurality of gas blowouts which are uniformly distributed on the side opposite to the object. It is characterized by having a gas supply part provided with a hole.

(발명의 실시형태)Embodiment of the Invention

도 1은 본 발명을 적용한 가열장치인 원적외선 방사가열기(H)(이하 「IR히터(H) 」라 함)의 전체구조의 1예를 도시하고, 도 2는 일부분만 도시하고 있는 열처리장치에 IR히터(H)를 부착한 상태를 도시한다. 도 3은 그 발열부의 개략구조의 1예를 도시하고, 도 4는 IR히터(H)를 열처리장치에 장비해서 사용할 때의 송기 계 및 흡기 계의 1예를 도시한다. 도 1을 기본으로 하여 다른 도면을 참조하면서 설명한다.Figure 1 shows an example of the overall structure of the far-infrared radiation heater H (hereinafter referred to as "IR heater (H)") which is a heating apparatus to which the present invention is applied, and Figure 2 is a heat treatment apparatus showing only a part of it. The state which attached the IR heater H is shown. Fig. 3 shows an example of the schematic structure of the heat generating portion, and Fig. 4 shows an example of the air supply system and the intake system when the IR heater H is used by being equipped with a heat treatment apparatus. Based on FIG. 1, it demonstrates, referring another figure.

IR히터(H)는, 발열부(1)를 구비하고 있고, 도 2에도 도시하는 바와 같이 평판형상의 대상물로서의 플랫 패널 디스플레이(FPD)용 유리기판(W)(이하 단지 「기판(W)」이라 함)에 대향하도록 배열 설치되고, 기판(W)을 일정하게 가열할 수 있도록 형성된 열처리용의 장치이며, 본 예에서는, 기체 공급부인 송기통로(2) 및 기체 흡출부인 흡기통로(3)를 구비하고 있다. 그리고 본체 구조부분으로서, 상판(4), 중간판(5) 및 하판(6)으로 구성된 방열체(7)가 설치되어 있다. 발열부(1)는, 이 방열체(7)와 일체화되어있고, 방열체(7)를 통해서 기판(W)을 가열할 수 있다. 또, 송기통로(2) 및 흡기통로(3)는 이 방열체(7)에 형성되어 있다.The IR heater H is provided with the heat generating part 1, As also shown in FIG. 2, the glass substrate W for flat panel displays (FPD) as a flat object (hereinafter only "substrate W"). And an air inlet passage 3, which is a gas supply unit, and an intake passage 3, which is a gas supply unit, are arranged so as to be arranged so as to face each other and to heat the substrate W constantly. Equipped. And as a main body structure part, the heat sink 7 comprised from the upper board 4, the intermediate board 5, and the lower board 6 is provided. The heat generating unit 1 is integrated with the heat sink 7, and can heat the substrate W through the heat sink 7. In addition, the air supply passage 2 and the air intake passage 3 are formed in the heat sink 7.

기판(W)은, 가열되면 배제되어야 할 특수기체를 발생시킨다. 즉 FPD 등의 기판(W)은, 화상 디스플레이를 위해 포토리소 처리를 하고 있으므로, 열처리공정에서 고온으로 가열되면, 포토레지스트로부터 나오는 승화가스나 각종 용제로부터 나오는 휘발가스로 이루어지는 특수기체가 발생한다. 이 특수기체는, 물체에 특유한고체화온도 이하에서 일정한 농도 이상으로 되면 재응고하여, 열처리장치 관계의 각 부를 오염기키거나, 트랜지스터 회로의 형성 등의 이후의 공정에서 유해물로 되기 때문에, 그 농도가 일정 이하로 되도록 배제된다.The substrate W generates a special gas which should be excluded when heated. That is, since the substrate W such as FPD is subjected to photolithography for image display, when heated to a high temperature in the heat treatment step, a special gas made of sublimation gas from the photoresist or volatile gas from various solvents is generated. This special gas is re-solidified when it reaches a certain concentration above a solidification temperature peculiar to the object, and contaminates each part of the heat treatment apparatus, and becomes a harmful substance in a subsequent process such as forming a transistor circuit, so that the concentration is constant. Excluded to be as follows.

발열부(1)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 스크린 인쇄에 의해 박막형상으로 형성된 절연체(11), 보호코팅(12), 및 이들 사이의 단자부(13)와 저항체(14)와 접속용 은배선(15)으로 구성되어 있다. 절연체(11) 및 보호코팅(12)은, 저항체(14)의 발열에 의해 원적외선(IR)을 발생시키도록 세라믹 등의 적당한 재료로 한다. 따라서 본 예에서는, IR은 도 3(b)에서 주로 상방으로 방사된다. 또한 도면에 도시하는 바와 같이, 방열체(7)의 하면측에 보호코팅(12)과 동일한 IR방사재(10)의 코팅을 추가하도록 하면, 하방으로도 IR을 방사시켜 기판(W)을 상면으로부터도 조사할 수 있다.As shown in FIG. 3, the heat generating part 1 connects the insulator 11, the protective coating 12, and the terminal part 13 and the resistor 14 which were formed in thin film form by screen printing, between them. It is comprised by the silver wiring 15. The insulator 11 and the protective coating 12 are made of a suitable material such as ceramic so as to generate far infrared rays IR by heat generation of the resistor 14. Thus, in this example, the IR is emitted mainly upward in FIG. 3 (b). In addition, as shown in the figure, when the coating of the same IR radiation material 10 as the protective coating 12 is added to the lower surface side of the heat dissipation body 7, the IR radiation is emitted downwards, and the upper surface of the substrate W is provided. You can also investigate from.

이 경우, 기판(W)의 회로구조 등에 따라 이것을 주로 상면측으로부터 조사할 필요가 있을 때에는, 도시된 IR방사재(10)를 대신하여, 방열체(7)의 하면측인 하판(6)측에, 취출구멍(21) 및 흡입구멍(31)을 회피하도록 저항체(14)를 부설하는 동시에 절연체(11)나 보호코팅(12)을 시행한 발열부(1)를 설치하도록 한다. 또한, 이상에 있어서 박막형상의 IR방사재는 두께 수십 미크론정도의 극히 얇은 것이지만, 구조를 명료하게 하기 위해서 도면에서는 두께가 두껍게 도시하고 있다.In this case, when it is necessary to irradiate this mainly from the upper surface side according to the circuit structure of the board | substrate W, the lower board 6 side which is the lower surface side of the heat sink 7 instead of the IR radiation material 10 shown in figure. The resistor 14 is provided so as to avoid the blowout hole 21 and the suction hole 31, and the heat generating part 1 provided with the insulator 11 or the protective coating 12 is provided. In addition, although the thin film IR radiation material is extremely thin about tens of microns in the above, in order to make a structure clear, the thickness is shown in the drawing thickly.

송기통로(2)는, 기판(W)에 대향하는 범위에 발열부(1)의 열을 받도록 배열 설치되어 있는 동시에, 기체로서 도 4(a)에 도시하는 바와 같은 공기 공급계(8)로부터 공기가 공급되도록 형성되어 있고, 기판(W)에 대향하는 측으로서 도 1에서는하방으로 균일한 형상으로 분포된 다수의 기체 취출구멍인 취출구멍(21)을 구비하고 있다. 또한, 도 1(a)에서는 취출구멍(21)의 중심위치를 +기호로 도시하고 있다.The air supply passage 2 is arranged so as to receive heat from the heat generating section 1 in a range facing the substrate W, and from the air supply system 8 as shown in Fig. 4A as gas. It is formed so as to supply air, and has a blowout hole 21 which is a side facing the substrate W, which is a plurality of gas blowout holes distributed in a uniform shape downward in FIG. In addition, in FIG.1 (a), the center position of the blowout hole 21 is shown with the + symbol.

흡기통로(3)도 동일하게, 기판(W)에 대향하는 범위에 발열부(1)의 열을 받도록 배열 설치되어 있는 동시에, 공급되는 기체로서 본 예에서는 도 4(b)에 도시하는 바와 같은 공기 흡입계(9)에 의해 취출구멍(21)으로부터 취출된 공기 및 기판(W)으로부터 발생된 상기 특수기체로 이루어지는 혼합기체가 흡출되도록 형성되어 있고, 기판(W)에 대향하는 하방측에 균일형상으로 분포되어 있는 동시에 상기 혼합기체를 흡입할 수 있도록 설치된 다수의 기체흡입 구멍으로서의 흡입구멍(31)을 구비하고 있다. 흡입구멍(31)의 중심위치도 동일하게 +기호로 도시되어 있다.Similarly, the intake passage 3 is arranged so as to receive heat from the heat generating section 1 in a range facing the substrate W, and is supplied as a gas as shown in FIG. 4 (b) in this example. It is formed so that the mixed gas which consists of the air blown out from the blow-out hole 21 by the air intake system 9, and the said special gas produced | generated from the board | substrate W is taken out, and it is uniform under the opposite side to the board | substrate W. It is provided with a suction hole 31 which is distributed in a shape and provided with a plurality of gas suction holes so as to suck the mixed gas. The center position of the suction hole 31 is likewise shown with the + symbol.

송기통로(2) 및 흡기통로(3)는, 본 예에서는 상기와 같이 방열체(7)에 형성되어 있다. 즉 이것들은, 중간판(5)에 그 두께방향으로 관통한 홈를 가공하고, 그 상하를 상판(4) 및 하판(6)으로 덮음으로써 형성되어 있다. 판(4,5,6) 사이는, 나사결합, 용접, 접착 등의 적당한 방법에 의해 결합된다. 하판(6)에는, 취출구멍(21) 및 흡입구멍(31)이 미리 비워져 있다.The air supply passage 2 and the air intake passage 3 are formed in the heat sink 7 as described above in this example. That is, these are formed by processing the groove | tube which penetrated in the thickness direction in the intermediate plate 5, and covering the upper and lower sides with the upper board 4 and the lower board 6. As shown in FIG. The plates 4, 5, 6 are joined by a suitable method such as screwing, welding, or bonding. In the lower plate 6, the blowout holes 21 and the suction holes 31 are emptied in advance.

판(4,5,6)으로서는, 어느 정도의 강도나 내열성이나 내식성이 요구되므로, 예를 들면 스테인레스강이나 알루미늄 등이 매우 적합하게 사용된다. 특히 스테인레스강은, 고강도이고 또한 비중에 따라 열용량이 크기 때문에, 방열체(7)를 두께가 얇은 것으로 형성할 수 있으므로, 적당한 재료이다. 실제의 제품에 있어서는, 예를 들면 길이가 1000㎜나 되는 대형의 기판(W)을 가열하는 IR히터용의 것이더라도, 전체의 두께를 10㎜ 이하로 5㎜ 정도 까지로 할 수 있다. 또한, 판(4,5,6)은, 온도변화에 의한 열변형량을 동등하게 하여 열왜곡의 발생을 방지하도록 통상 동일한 재료로 한다.As the plates 4, 5 and 6, some strength, heat resistance and corrosion resistance are required, and therefore, stainless steel, aluminum and the like are suitably used. In particular, since stainless steel is high in strength and has a large heat capacity according to specific gravity, the heat radiator 7 can be formed with a thin thickness, which is a suitable material. In an actual product, even if it is for the IR heater which heats the large-sized board | substrate W whose length is 1000 mm, for example, the whole thickness can be made into 10 mm or less to about 5 mm. In addition, the plates 4, 5, 6 are usually made of the same material so as to equalize the amount of heat deformation due to temperature change and to prevent the occurrence of heat distortion.

송기통로(2) 및 흡기통로(3)는, 기판(W)에 대향하는 범위에 설치되면 좋지만, 통상, 열처리의 대상이 되는 기판(W)중의 최대치수의 것보다 조금 넓은 범위까지 설치된다. 또, 발열부(1)의 열을 받도록 배열 설치될 필요가 있지만, 본 예에서는, 방열체(7)가 발열부(1)의 열을 받아서 목적으로 하는 온도까지 승온하여 열보유체로 되고, 통로(2,3)를 그 속에 형성함으로써, 방열체(7)와 함께 발열부(1)의 열을 받을 수 있도록 하고 있다. 또한, 예를 들면 스테인레스 파이프를 통로가 없는 고체 방열체(7)를 따라서 접합하고, 그 열을 받을 수 있는 파이프를 통로(2,3)로 하는 구조로 하는 것도 가능하다.The air supply passage 2 and the air intake passage 3 may be provided in a range facing the substrate W, but are usually provided in a slightly wider range than that of the maximum dimension in the substrate W to be subjected to heat treatment. Moreover, although it is necessary to arrange | position so as to receive the heat | fever of the heat generating part 1, in this example, the heat sink 7 receives the heat of the heat generating part 1, heats it up to the target temperature, and becomes a heat retention body, By forming (2, 3) therein, it is possible to receive heat from the heat generating section 1 together with the heat dissipating body 7. Further, for example, a stainless pipe may be joined along the solid radiator 7 having no passage, and the pipe capable of receiving the heat may be configured as the passages 2 and 3.

또, 송기통로(2)는 기체가 공급되도록 형성되고, 흡기통로(3)는 혼합기체가 흡출되도록 형성된다. 그 때문에 본 예에서는, 다수의 통로(2,3)의 각각으로부터 발열부(1)를 관통해서 그 상방에 짧은 관(71)을 돌출시키고, 이것들에 도 4에 도시하는 공기 공급계(8) 및 공기 흡입계(9)의 분기관(84 및 94)을 접속하도록 하고 있다.In addition, the air passage 2 is formed to supply gas, and the air intake passage 3 is formed so that the mixed gas is sucked out. Therefore, in this example, the air supply system 8 shown in FIG. 4 is made to penetrate the heat generating part 1 from each of the plurality of passages 2 and 3 and protrude a short pipe 71 thereon. And branch pipes 84 and 94 of the air intake system 9 are connected.

공기공급계(8)는, 열처리장치(100)에서 열처리실(101)의 밖에 배열 설치되어 있어서, 취출구멍(21)으로부터 적당한 유속으로 공기를 흡출시킬 뿐인 예를 들면 0.3∼0.4MPa 정도의 토출압력을 갖는 소용량의 압축기나 블로우어로 이루어지는 송기장치(81), 다단으로 배열 설치되는 IR히터(H)의 각각에 송기하기 위한 주 송기헤더(82), 각 IR히터(H)에 설치되어 있는 복수의 송기통로(2)에 송기하기 위한 부 송기헤더(83), 상기 각각의 짧은 관(71)에 접속되는 부 송기분기관(84), 등에 의해 구성되어 있다. 또, 필요에 따라서 송기공기를 예열하는 가열기(85)가 설치된다.The air supply system 8 is arranged outside the heat treatment chamber 101 in the heat treatment apparatus 100, and discharges air, for example, about 0.3 to 0.4 MPa, which only sucks air from the blowout holes 21 at an appropriate flow rate. A plurality of air blowers 81 for supplying air to the air blower 81 comprising a small capacity compressor or blower having a pressure, IR heaters H arranged in multiple stages, and IR heaters H provided in each stage. And a sub-supply header 83 for supplying air to the air-supply passage 2 of the apparatus, a sub-supply branch engine 84 connected to each of the short pipes 71, and the like. In addition, a heater 85 for preheating the blower air is provided as necessary.

공기흡입계(9)도 동일하게, 열처리장치(100)에서 열처리실(101)의 밖에 배열 설치되어 있고, 상기 혼합기체를 흡입 가능하도록 예를 들면 300mmAq 정도의 부압을 형성할 수 있어 송기장치(81)와 거의 동용량을 갖는 진공펌프나 흡기 송풍기로 이루어지는 흡기장치(91), 주 흡기헤더(92), 부 흡기헤더(93), 부 흡기분기관(94), 등으로 구성되어 있다.Similarly, the air suction system 9 is arranged outside the heat treatment chamber 101 in the heat treatment apparatus 100, and a negative pressure of, for example, about 300 mmAq can be formed to allow the mixed gas to be sucked. 81, the intake apparatus 91 consisting of a vacuum pump or an intake blower having substantially the same capacity, a main intake header 92, a secondary intake header 93, a secondary intake branch pipe 94, and the like.

또한, 기판(W)에는 예를 들면 500℃와 같은 고온으로 열처리되는 것도 있고, 그와 같은 경우에는, 공기를 대신하여, 기판(W)의 산화방지 등을 위해, 기체로서 질소와 같은 불활성 가스나 산소량이 낮은 저산소화 공기가 사용되는 경우도 있고, 그 때에는, 공기 공급계(8) 및 공급 흡입계(9)는 그와 같은 기체를 취급하게 된다.The substrate W may be heat treated at a high temperature, for example, 500 ° C. In such a case, an inert gas such as nitrogen is used as a gas to prevent oxidation of the substrate W instead of air. In some cases, low oxygenated air having a low oxygen content is used, and the air supply system 8 and the supply intake system 9 handle such gases.

각각 다수의 취출구멍(21) 및 흡입구멍(31)은, 함께 기판(W)에 대향해서 균일형상으로 분포되도록 설치되는데, 본 예에서는, 송기통로(2)와 흡기통로(3)를 IR히터(H)의 폭(B)방향에 1열마다 배치해서 길이(L)방향으로 연장하여 설치하고, 각각의 열에 구멍(21 및 31)을 동등 피치로 설치함으로써, 이것들을 기판(W)에 대해 균일형상으로 분포시키고 있다.Each of the plurality of blowout holes 21 and the suction holes 31 is provided so as to be uniformly distributed to face the substrate W together. In this example, the blower passage 2 and the intake passage 3 are irradiated with IR heaters. By arranging each row in the width (B) direction of (H) and extending in the length (L) direction, the holes 21 and 31 are provided at equal pitches in the respective rows, thereby providing them with respect to the substrate W. It is distributed in a uniform shape.

또 본 예에서는, 폭(B)방향의 양끝에 흡입구멍(31)을 배열 설치하는 동시에, 길이(L)방향에는, 취출구멍(21)보다 끝의 위치에 추가의 흡입구멍(31)을 배열 설치하고 있다. 이와 같이 하면, 주위의 끝의 흡입구멍(31)에 의해 어느정도의 에어커튼적인 효과가 얻어져, 취출구멍(21)으로부터 취출된 공기를 보다 확실하게 흡입구멍(31)에서 회수할 수 있다. 단, 흡입구멍(31)의 흡입능력이 충분하면, 취출된 공기는 어쨌든 흡입구멍(31)에 회수되게 되므로, 반드시 이와 같은 배치로 하지 않아도 좋다.In this example, the suction holes 31 are arranged at both ends in the width B direction, and the additional suction holes 31 are arranged at the ends of the blowout holes 21 in the length L direction. I install it. In this way, a certain air curtain effect is obtained by the suction hole 31 at the peripheral end, and the air blown out from the blowout hole 21 can be recovered from the suction hole 31 more reliably. However, if the suction capacity of the suction hole 31 is sufficient, the extracted air will be recovered to the suction hole 31 anyway, so it is not necessary to make such arrangement.

또 본 예에서는, 도면에 도시하는 바와 같이 취출구멍(21) 및 흡입구멍(31)을, 폭(B)방향에 좁은 피치로 길이(L)방향에 넓은 피치로 장방형 형상으로 배열하는 동시에, 흡입구멍(31)의 개구직경을 취출구멍(21)의 개구직경보다 크게하고 있는데, 양방향의 피치를 동일한 정도로 하거나, 정방형 형상이나 격자형상으로 배열하거나, 양 구멍의 개구면적을 동일한 정도로 하거나 반대로 크기를 더 바꾸는 것도 가능하다. 이와 같은 구멍의 배열이나 크기는, IR히터(H)의 평면형상이나 기판(W)과의 간격거리나 송흡기량 등의 제조건에 의해 적당히 변경되어, 공기가 취출구멍(21)으로부터 양호하게 취출되어서 기판(W)상에 퍼지는 동시에, 퍼진 공기가 흡입구멍(31)에 양호하게 흡입·회수되도록 정해진다.In the present example, as shown in the drawing, the blowout holes 21 and the suction holes 31 are arranged in a rectangular shape at a pitch that is narrow in the width B direction at a wide pitch in the length L direction and at the same time. The opening diameter of the hole 31 is larger than the opening diameter of the blowout hole 21, and the pitch of both directions is the same, the square shape or the lattice shape is arranged, the opening area of both holes is the same, or the size is reversed. It is also possible to change more. The arrangement and size of the holes are appropriately changed by the manufacturing conditions such as the plane shape of the IR heater H, the distance to the substrate W, the air intake amount, and the like, and the air is blown out from the blowout hole 21 well. At the same time as it spreads on the board | substrate W, the air which spread | diffused is settled so that the suction hole 31 may be sucked in and collect | recovered favorable.

IR히터(H)에는, 더욱이, 통상의 구조의 것과 동일하게, 도시를 생략하고 있지만 기판(W)를 올려놓는 지지핀(P)을 부착할 수 있도록 나사 등의 부착자리가 설치되어 있다. 지지핀(P)은, 예를 들면 폭(B) 및 길이(L)방향에 3열 및 4열로 합계 12개 설치된다. 또한, 지지핀(P)을 대신하여, 폭(B)방향의 양측에 도리형상의 지지관을 설치하도록 해도 좋다. 또, 이와 같은 지지핀이나 지지관을 필요에 따라서 승강할 수 있게 해도 좋다.The IR heater H is further provided with an attachment seat such as a screw to attach the support pin P on which the substrate W is placed, although not shown in the same manner as in the normal structure. A total of 12 support pins P are provided in three rows and four rows in the width B and length L directions, for example. Instead of the support pins P, a purlin-shaped support tube may be provided on both sides in the width B direction. Moreover, you may make it possible to raise and lower such a support pin and a support tube as needed.

이상과 같은 IR히터(H)는, 열처리장치(100)에 장비되어서 다음과 같이 사용되어, 그 작용 효과를 발휘한다.The IR heater H as described above is equipped in the heat treatment apparatus 100 and used as follows, and exhibits its effect.

도 2에 도시하는 바와 같이, 열처리되어야 할 기판(W)은, 로보트 핸드(200)에 흡착 지지되고, 다단으로 설치된 IR히터(H)중 최상단의 것을 제외하는 2단째 이하의 것의 지지핀(P)상에 올려지고, 각각 그 상단의 IR히터(H)에 의해 주로 상방으로부터 가열된다.As shown in FIG. 2, the substrate W to be heat-treated is supported by the robot hand 200 and is supported by a second or lower stage support pin P except for the uppermost one of the IR heaters H installed in multiple stages. ), And is heated mainly from above by IR heater H of the upper end, respectively.

IR히터(H)에서는, 발열부(1)의 단자부(13)에 전원이 공급된다. 그것에 의해, 저항체(14)가 발열하고, 그 열이 방열체(7)에 전달되고, 방열체(7)가 시간의 경과와 함께 승온하고 본 예에서는 250℃ 정도의 제어된 온도로 되어, IR방사재(10)를 통해서 하방으로 원적외선(IR)을 방사하고, 상기한 바와 같이 하방에 배치된 기판(W)을 230℃ 정도의 목적으로 하는 열처리 온도로 가열한다. 이것에 의해, 기판(W)으로부터, 승화가스나 휘발가스 등으로 이루어지는 소량의 특수기체(G)가 발생한다.In the IR heater H, power is supplied to the terminal portion 13 of the heat generating portion 1. As a result, the resistor 14 generates heat, the heat is transferred to the heat sink 7, the heat sink 7 is heated up with time, and in this example, the temperature is controlled to about 250 ° C., and IR Far infrared rays IR are radiated downward through the radiating material 10, and the board | substrate W arrange | positioned below is heated at the heat processing temperature aimed at about 230 degreeC as mentioned above. Thereby, a small amount of special gas G which consists of sublimation gas, volatile gas, etc. is generated from the board | substrate W. As shown in FIG.

이 특수기체(G)를 처리하기 위해서 공기 공급계(8) 및 공기 흡입계(9)가 작동한다. 즉 공기 공급계(8)에서는, 송기장치(81)가 공기를 토출하고, 이 공기가, 순차로 주 송기헤더(82), 부 송기헤더(83) 및 부 송기분기관(84)을 경유해서 각 단, 각 열의 모든 송기통로(2)에 공급되고, 그 중의 정압을 예를 들면 50mmAq 정도로 하고, 도 5에 도시하는 바와 같이, 외부와의 정압차이에 의해 취출구멍(21)으로부터 취출공기(A₁)로 되어서 취출되고, 기판(W)의 표면에 도달해서 그 위에 퍼진다. 이와 같이 취출구멍(21)으로부터 취출된 취출공기(A₁)는, 기판(W)으로부터 발생된상기 소량의 특수기체(G)를 수반하여, 이것을 저농도로 혼합한 혼합기체(A₂)로 된다.In order to process this special gas G, the air supply system 8 and the air intake system 9 operate. That is, in the air supply system 8, the air blower 81 discharges air, and this air sequentially passes through the main air supply header 82, the air supply header 83, and the air supply branch pipe 84. Each stage is supplied to all of the air flow passages 2 in each row, and the static pressure therein is, for example, about 50 mmAq, and as shown in FIG. 5, the blowout air is blown out from the blowout holes 21 due to the static pressure difference from the outside. a is taken to be _1), to reach the surface of the substrate (W) is spread thereon. The blow-out air A ₁ taken out from the blow-out hole 21 is thus a mixed gas A ₂ mixed with a low concentration of the special gas G generated from the substrate W and mixed at a low concentration. .

이 경우, 취출공기(A₁)가 고온으로 되어 있는 발열부(1)의 송기통로(2)를 통과해서 충분히 고온이 되므로, 발생된 특수기체를 고온의 상태에서 혼합시킬 수 있다. 또, 고온의 취출공기(A₁)가 기판(W)의 표면에 일정하게 퍼지므로, 이것을 일정하게 가열하여, 기판(W)의 온도분포를 보다 균일화하는 작용을 한다. 즉, IR히터(H)는 방열체(7)를 통해서 기판(W)에 균일하게 열을 주지만, 일정한 폭을 가진 저항체(14)가 어느정도 간격을 두고 배열되기 때문에, 기판(W)표면에서는, 저항체(14)에 대응하는 위치와 그 간격을 둔 곳에 대응하는 위치에서 다소의 온도차를 발생시키는 일이 있지만, 가열된 취출공기(A₁)가 기판(W)의 표면에 일정하게 닿음으로써, 그와 같은 온도차를 보다 균일화시키는 작용을 한다. 또한, 도 4에 2점 쇄선으로 도시하는 바와 같이, 필요에 따라서 공기를 예열하는 가열기(85)를 설치하면, 이와 같은 작용을 보다 완전하게 시킬 수 있다.In this case, since the blowout air A ₁ passes through the air supply passage 2 of the heat generating section ₁ , which is at a high temperature, the temperature is sufficiently high, so that the generated special gas can be mixed in a high temperature state. In addition, since the high temperature blow-out air A ₁ spreads uniformly on the surface of the substrate W, this is constantly heated, which serves to make the temperature distribution of the substrate W more uniform. That is, the IR heater H heats the substrate W uniformly through the heat radiator 7, but since the resistors 14 having a constant width are arranged at a certain interval, on the surface of the substrate W, Although a slight temperature difference may be generated at a position corresponding to the resistor 14 and at a position spaced apart from the resistor 14, the heated blow-out air A ₁ constantly contacts the surface of the substrate W. It acts to make the temperature difference more uniform. In addition, as shown by the dashed-dotted line in FIG. 4, if the heater 85 which preheats air as needed is provided, such an effect | action can be made more complete.

공기 흡입계(9)에서는, 흡기장치(91)가 주로 취출공기이고 저농도로 특수기체를 포함한 혼합기체로 이루어지는 흡입공기(A₂)를 흡입한다. 이 흡입공기(A₂)는, 흡기장치(91)에 의해 형성된 흡기통로(3) 내의 100mmAq 정도의 부압에 의해 흡입구멍(31)으로부터 그 속에 흡입되고, 순차로 부 흡기분기관(94), 부 흡기헤더(93), 주 흡기헤더(92)를 경유해서 흡기장치(91)에 흡입되고, 배출가능한 곳까지 이송되어 배출된다.In the air intake system 9, the intake apparatus 91 mainly sucks intake air and sucks intake air A ₂ composed of a mixed gas containing a special gas at a low concentration. The intake air A ₂ is sucked into it from the suction hole 31 by a negative pressure of about 100 mmAq in the intake passage 3 formed by the intake apparatus 91, and subsequently the intake air inlet pipe 94, It is sucked into the intake apparatus 91 via the sub intake header 93 and the main intake header 92, and is conveyed and discharged to the place where it can be discharged.

이 경우, 흡입공기(A₂)가 고온으로 되어 있는 흡기통로(3)를 통과하므로, 고온상태가 유지된다. 그 결과, 흡입되어 흡기장치(91)에서 배출되는 흡입기체가 배출될때 까지 적당한 온도로 유지되고, 배관중간 등에서 온도가 지나치게 내려가서 재응고한다는 불량의 발생이 방지된다. 또, 취출구멍(21)과 흡입구멍(31)을 기판(W)에 대해 모두 균일하게 배치하기 때문에, 송기통로(2)와 흡기통로(3)가 본 예와 같이 통상 번갈아 설치되기 때문에, 온도가 높아진 흡입공기와 온도상승되어야 할 공급공기 사이에서 열교환작용이 생기거나, 방열체(7)의 발열을 주로 공급공기가 도입할 수 있기 때문에, 열효율이 좋다.In this case, since the intake air A ₂ passes through the intake passage 3 where the temperature is high, the high temperature state is maintained. As a result, it is maintained at an appropriate temperature until the suction gas discharged from the intake apparatus 91 is sucked in, and the occurrence of defects such as resolidification due to excessively low temperature in the middle of the pipe is prevented. In addition, since the blowout holes 21 and the suction holes 31 are arranged uniformly with respect to the substrate W, the air supply passage 2 and the air intake passage 3 are normally alternately provided as in this example, so that the temperature The heat efficiency is good because heat exchange action occurs between the intake air of which is increased and the supply air to be raised in temperature, or the supply air can mainly introduce heat generated by the radiator 7.

이상과 같은 IR히터(H)에 의하면, 도 2에 도시하는 바와 같이, 공기의 취출 및 흡입이 IR히터(H)와 기판(W) 사이의 짧은 높이(Z₁)에 상당하는 소용적의 공간내에서 행해지므로, 환기 효율이 극히 좋다. 즉, 예를 들면 폭 800mm이고 길이 1000mm와 같은 대형의 기판(W)을 10단 장비한 열처리장치에서, 지지핀(P)의 높이(Z₂)에 상당하는 용적도 포함시키고 열처리장치의 전체를 대상으로 하여 환기하는 종래의 장치에서는, 환기량이 약 3m³/분 이었던 것에 대해, 본 발명을 적용한 열처리장치에서는, 취출공기(A₁)의 양(Q₁) 또는 이것과 거의 동일한 양의 흡입공기(A₂)의 양(Q₂)으로 이루어지는 환기량이, 종래의 장치의 약 1/6인 0.5m³/분 정도의 양으로 된다.According to the IR heater H as described above, as shown in FIG. 2, the ejection and suction of air are in a small volume space corresponding to the short height Z ₁ between the IR heater H and the substrate W. FIG. As it is done in, ventilation efficiency is extremely good. That is, for example, in a heat treatment apparatus equipped with a large substrate W having a width of 800 mm and a length of 1000 mm having 10 stages, the volume corresponding to the height Z ₂ of the support pin P is also included and the entire heat treatment apparatus is included. In the conventional apparatus to ventilate as a target, while the ventilation amount was about ³ m ³ / min, in the heat treatment apparatus to which the present invention is applied, the amount Q ₁ of the blow-out air A ₁ or intake air of substantially the same amount as this. The amount of ventilation consisting of the amount Q ₂ of (A ₂ ) is about 0.5 m ³ / min, which is about 1/6 of the conventional apparatus.

그 결과, 본 발명의 IR히터(H)에 의하면, 승화가스 등의 특수기체를 효과적으로 저농도의 단계에서 확실하게 배제할 수 있고, 큰 송흡기 덕트 등이 불필요하게 되어, 열처리장치의 소형화와 코스트 저감을 도모할 수 있다.As a result, according to the IR heater H of the present invention, special gases such as sublimation gas can be effectively reliably removed at a low concentration step, and a large blower duct or the like is unnecessary, thereby miniaturizing the heat treatment device and reducing the cost. Can be planned.

도 6 내지 도 9는 본 발명을 적용한 IR히터(H)의 다른 구성예를 도시한다.6 to 9 show another configuration example of the IR heater H to which the present invention is applied.

그중 도 6의 것은, 도 1의 것에 비해, 송기통로(2) 및 흡기통로(3)가 각각 독립하여 홈형상으로 형성되어 있는 것, 발열부(1)가 하판(6)의 하측 즉 아래 기판(W)측에 배열 설치되어 있는 것, 따라서 송기통로(2) 및 흡기통로(3)는 하로부터 발열부(1)의 열을 받아서 하판(6)과 함께 방열체(7)를 구성하고 있는 것, 등의 점이 다르다. 이 구조의 것에서는, 도 1의 IR방사재(10)를 대신하여 발열체(1)를 구성하는 절연체(11) 및 보호코팅(12)이 IR방사재로 된다. 또 이 예의 것에서는, 지지핀(P)을 통로(2,3)에 적당한 간격으로 장착할 수 있다.6, wherein the air supply passage 2 and the air intake passage 3 are formed in a groove shape independently of each other in FIG. 1, and the heat generating portion 1 is lower than the lower plate 6, that is, the lower substrate. It is arranged on the (W) side, and thus, the air flow passage 2 and the air intake passage 3 receive heat from the heat generating portion 1 from the bottom to form the heat sink 7 together with the bottom plate 6. Things are different. In this structure, the insulator 11 and the protective coating 12 constituting the heat generator 1 in place of the IR radiation material 10 in FIG. 1 serve as the IR radiation material. In this example, the support pins P can be attached to the passages 2 and 3 at appropriate intervals.

본 예의 IR히터(H)도 도 1의 것과 동일한 작용 효과를 갖는다. 이 경우, 발열체(1)가 직접 기판(W)에 대향하므로, 열전달성이 한층더 양호하다. 단, 저항선(14)의 피치에 의해 가열 얼룩이 생기기 쉽지만, 가열된 공기가 취출되기 때문에 이것을 완화하는 효과가 생긴다.IR heater H of this example also has an effect similar to that of FIG. In this case, since the heat generating element 1 directly faces the substrate W, the heat transfer property is further better. However, heating spots are likely to occur due to the pitch of the resistance wires 14, but the heated air is blown out, so that an effect of alleviating this occurs.

도 7의 IR히터(H)는, 도 6의 것과 동일한 구조의 송기통로(2) 및 흡기통로(3)를 구비하고 있지만, 발열체(1)가 상판(4)을 통해서 상측에 배열 설치되어 있다. 취출구멍(21) 및 흡입구멍(31)은 직접 통로(2,3)에 설치되어 있다. 본 예의 것도 도 1, 도 6의 것도 동일한 작용 효과를 갖는다.The IR heater H of FIG. 7 is provided with the air flow path 2 and the intake path 3 of the same structure as FIG. 6, but the heat generating body 1 is arranged in the upper side through the upper board 4. As shown in FIG. . The ejection hole 21 and the suction hole 31 are provided in the direct paths 2 and 3. 1 and 6 also have the same effect.

도 8의 IR히터(H)는, 알루마이트를 시행한 알루미늄 등의 그것 자체가 IR방사재로 이루어져 예를 들면 10mm 정도의 비교적 두께가 두꺼운 상판(4), 동일한 재료로 이루어지는 중간판(5), 이들 사이에 끼워져 지지된 발열체(1), 중간판(5)에 홈가공에 의해 형성된 송기통로(2) 및 흡기통로(3), 이들을 덮어 취출구멍(21) 및 흡입구멍(31)을 구비한 하판(6), 등으로 구성되어 있다. 본 예의 IR히터(H)도 도 1 등의 것과 동등한 작용 효과를 갖는다.The IR heater H of FIG. 8 is composed of an IR radiation material, such as aluminum subjected to anodization, and a relatively thick upper plate 4 of, for example, about 10 mm, an intermediate plate 5 made of the same material, The heating element 1 and the intermediate plate 5, which are sandwiched and supported between them, are provided with an air supply passage 2 and an air intake passage 3 formed by grooving, with a blowout hole 21 and a suction hole 31 covering them. It consists of the lower board 6, etc. IR heater H of this example also has an effect similar to that of FIG.

도 9의 IR히터(H)는, 도 8의 것과 동일하게 알루마이트를 시행한 알루미늄 등의 IR방사재로 이루어지는 발열체(1)와, 스테인레스강으로 이루어져 송기구멍(21) 및 흡기구멍(31)이 형성되어 발열체(1)와는 별체로서 제조되는 방열체(7)를 구비한 구조의 것이다. 발열체(1)와 방열체(7)와는 간격(C)을 두어서 각각 별개로 도면에 도시하지 않은 열처리실에 부착된다.In the IR heater H of FIG. 9, the heating element 1 made of an IR radiator such as aluminum subjected to anodized aluminum and the air intake hole 21 and the intake hole 31 are made of stainless steel in the same manner as in FIG. It is of the structure provided with the heat sink 7 formed and manufactured separately from the heat generating body 1. As shown in FIG. The heating element 1 and the radiator 7 are separately attached to the heat treatment chamber not shown in the drawing with a space C therebetween.

이 구조의 IR히터(H)도 지금까지의 것과 동일한 작용 효과를 갖지만, 이 IR히터(H)에서는, 방열체(7)가 발열체(1)로부터 열을 받아서 출입하는 공기를 가열하는 동시에 하방의 기판(W)을 상방으로부터 가열하지만, 기판(W)은 주로 하방으로부터 직접 발열체(1)에 의해 가열되게 된다. 이 구조의 IR히터(H)도 지금까지의 것과 동일한 작용 효과를 갖는다. 그리고 이것에서는, 발열체(1)로서는 통상의 시판의 IR히터를 그대로 사용할 수 있는 이점이 있다.The IR heater H of this structure also has the same effect as before, but in this IR heater H, the heat radiator 7 receives heat from the heat generating element 1 and heats the air entering and exiting, The substrate W is heated from above, but the substrate W is mainly heated by the heat generator 1 directly from below. IR heater (H) of this structure also has the same effect as before. In this case, as the heat generator 1, there is an advantage that a commercially available IR heater can be used as it is.

또한, 도 1, 도 6 및 도 7의 스테인레스강을 사용한 IR히터에서는, 그 두께를 얇게 할 수 있으므로, 그 박형화나 경량화에 의해, IR히터가 장비되는 열처리장치를 한층더 소형화 및 경량화할 수 있는 효과가 생긴다.In addition, in the IR heater using the stainless steel of FIGS. 1, 6 and 7, the thickness can be made thin, so that the heat treatment apparatus equipped with the IR heater can be further miniaturized and reduced in weight by its thinner and lighter weight. Effect.

또, 본 발명과 같은 송기통로 및 흡기통로를 기판(W)에 대향시키도록 설치한기술사상을 응용하면, 예를 들면 실리콘 웨이퍼와 같이 작은 사이즈이고 가열해야 할 열량이 작은 것을 열처리의 대상으로 할 때에는, 기판(W)을 직접 가열하는 발열부(1)를 생략하고, 송기통로에 미리 가열된 공기를 흐르게 할 뿐인 가열부재를 열처리용에 사용하는 것도 가능하게 된다.In addition, if the technical idea in which the air supply passage and the air intake passage are provided so as to face the substrate W is applied to the present invention, a small size, such as a silicon wafer, and a small amount of heat to be heated are to be subjected to heat treatment. In this case, it is also possible to omit the heat generating portion 1 for directly heating the substrate W, and to use a heating member for heat treatment that only allows the air heated beforehand to flow through the air supply passage.

도 10 내지 도 12는 본 발명을 적용한 IR히터의 또 다른 구성예 및 이 IR히터를 장비한 열처리장치의 일부분을 도시한다.10 to 12 show another structural example of the IR heater to which the present invention is applied and a part of the heat treatment apparatus equipped with the IR heater.

본 예의 IR히터(H)도 도 1 등의 것과 동일한 구조로 되어 있지만, 중간판(5)의 부분에는 흡기통로(3) 만이 형성되어 있다. 그리고, 공급되는 기체는, 도 1과 같이 흡기통로(3)와 함께 중간판(5)에 형성된 송기통로(2)로부터가 아니라, 도 11 또는 도 12에 도시하는 바와 같이 열처리장치(100)의 덕트(102)로부터 공급된다. 덕트(102)에는, 도 4에 도시하는 바와 같은 송기장치(81)로부터 필요에 따라서 설치되는 가열기(85)를 통해서 공기가 공급된다. 흡기통로(3)에 대하여는, 도 4에 도시하는 흡기장치(91)를 포함하는 공기 흡입계(9)가 설치된다.Although the IR heater H of this example has the same structure as that of FIG. 1 etc., only the intake passage 3 is formed in the part of the intermediate plate 5. The gas supplied is not from the air flow passage 2 formed in the intermediate plate 5 together with the intake passage 3 as shown in FIG. 1, but as shown in FIG. 11 or FIG. 12. It is supplied from the duct 102. Air is supplied to the duct 102 through the heater 85 provided as needed from the air blower 81 as shown in FIG. The intake passage 3 is provided with an air intake system 9 including an intake apparatus 91 shown in FIG. 4.

또, 본 예의 IR히터(H)에서는, 상판(4)과 하판(6) 사이의 중간판(5)의 부분에는 도 1과 같은 송기통로(2)가 없고, 흡기통로(3)만이 형성된 흡입전용의 구조로 되어 있으므로, 폭(B)방향에서 흡기통로(3)를 구획하고 있는 중간판의 부분 및 흡기용의 짧은 관(71)의 수를 도시한 6열의 상태보다도 더욱 줄일 수 있다.Moreover, in the IR heater H of this example, the suction part in which the intake path 3 does not exist in the part of the intermediate plate 5 between the upper board 4 and the lower board 6 as shown in FIG. Since it is an exclusive structure, the part of the intermediate plate which partitions the intake passage 3 in the width | variety B direction, and the number of the short pipe | tube 71 for intake can be reduced further than the state of 6 rows shown.

본 예의 IR히터(H)도 도 1의 것에 가까운 작용 효과를 발휘한다. 즉 열처리될 때에 기판(W)으로부터 발생하는 특수기체(G)를 처리하기 위해서, 흡기장치(91) 및 송기장치(81)가 운전되고, 도시하지 않은 송기경로로부터 덕트(102)에 공기가공급되고, 이것으로부터 소량의 공기가 기판(W)의 방향으로 흐르고, 이 공기에 IR히터(H)에 의해 가열된 기판(W)의 표면으로부터 발생된 소량의 특수기체(G)가 가해져서 저농도의 혼합기체(A₂)가 되고, 이것이 공기흡입계(9)에 의해 미리 부압으로 되어 있는 흡기통로(3)에 흡입구멍(31)을 통해서 흡입된다. 덕트(102)로부터 공급되는 공기는 통상 가열기(85)에 의해 기판(W)의 열처리 온도 정도로 가열된다.IR heater H of this example also exhibits the effect similar to that of FIG. That is, in order to process the special gas G which arises from the board | substrate W at the time of heat processing, the intake apparatus 91 and the air blower 81 are operated, and air is supplied to the duct 102 from the air supply path which is not shown in figure. From this, a small amount of air flows in the direction of the substrate W, and a small amount of special gas G generated from the surface of the substrate W heated by the IR heater H is applied to the air to provide a low concentration. and a mixture (a _2), it is sucked through the suction holes 31 in the intake passage 3, which is a negative pressure in advance by the air intake system (9). The air supplied from the duct 102 is usually heated by the heater 85 to the heat treatment temperature of the substrate W.

본 예와 같은 IR히터(H)에 의하면, 송기공기는 기판(W)의 측방으로부터 보내져, 어느정도 시험실(100)내에 확산하지만, 기판(W)에 대항하는 위치에 좁은 간격으로 흡입구멍(31)이 개구한 흡기통로(3)를 구비한 IR히터(H)가 설치되어 있으므로, 기판(W)으로부터 발생한 특수기체(G)는, 기판(W)의 표면으로부터 이격되어 다방면으로 확산하지 않고, 공급된 공기에 수반되어서 직접적으로 흡입구멍(31)에 흡입되기 때문에, 특수기체(G)의 환기효율이 극히 양호하다.According to the IR heater H as in the present example, the air is sent from the side of the substrate W and diffused into the test chamber 100 to some extent, but the suction holes 31 are spaced at a narrow distance from the substrate W. Since the IR heater H provided with this open intake passage 3 is provided, the special gas G generated from the substrate W is spaced apart from the surface of the substrate W and is not diffused in various directions. Since the air is sucked directly into the suction hole 31 with the air, the ventilation efficiency of the special gas G is extremely good.

따라서, 공급하는 공기량을 적게 해도, 열처리실(101)내의 특수기체의 농도를 목적으로 하는 낮은 농도이하로 할 수 있다. 그 결과, 열처리장치로서의 공기 공급량을, 도 1의 IR히터(H)를 사용했을 경우보다는 조금 많지만, 종래의 경우의 장치의 1/3 정도 이하로 할 수 있었다. 그리고 큰 흡기덕트가 불필요하게 되어, 열처리장치의 소형화와 코스트 저감을 도모할 수 있다.Therefore, even if the amount of air to be supplied is reduced, the concentration of the special gas in the heat treatment chamber 101 can be lower than the low concentration for the purpose. As a result, although the air supply amount as a heat processing apparatus is a little larger than when using the IR heater H of FIG. 1, it could be made into about 1/3 or less of the apparatus in the conventional case. This eliminates the need for a large intake duct, resulting in miniaturization and cost reduction of the heat treatment apparatus.

이 경우, 도 12의 장치에서는, 송기용의 덕트(102)를 102₁및 102₂로서 기판(W)의 양측에 설치하고 있으므로, 도 11의 덕트(102)로부터 공급되는 공기의 거의 절반의 공기가 양측의 덕트(102₁,102₂)의 각각으로부터 공급되게 되는데, 덕트가 양측으로 나뉘어 있기 때문에, 그 분량만큼 장치의 구조부분이 추가되게 된다. 그러나, 이와 같이 덕트를 양측에 설치해서 양측으로부터 대칭형상으로 송기하도록 하면, IR히터(H)의 온도제어가 용이하게 되는 동시에 기판(W)의 열처리 온도를 보다 정밀도 좋게 제어할 수 있다.In this case, in the apparatus of FIG. 12, since the air duct 102 is provided on both sides of the substrate W as 102 ₁ and 102 ₂ , almost half of the air supplied from the duct 102 of FIG. It is supplied from each of the ducts 102 ₁ , 102 ₂ on both sides, and since the ducts are divided on both sides, the structural part of the device is added by the amount. However, if the ducts are provided on both sides in this way to send the symmetrical shape from both sides, the temperature control of the IR heater H becomes easy, and the heat treatment temperature of the board | substrate W can be controlled more accurately.

도 13은 도 12의 장치에서 기판(W)을 열처리할 때의 각 부의 온도상태의 1예 및 도 3(a)에 도시하는 발열용의 저항체(14)의 제어의 개략을 도시한다.Fig. 13 shows an example of the control of the resistor 14 for heat generation shown in Fig. 3A and one example of the temperature state of each part when the substrate W is heat treated in the apparatus of Fig. 12.

예를 들면, 기판(W)의 열처리 온도를 Tw=250℃로 하면, IR히터(H)의 평균적 발열온도를 Thm=280℃로 하여, 양측의 덕트(102₁,102₂)로부터 공급되는 공기의 온도를 Ta=250℃로 한다. 이 상태에서는, 온도 Ta의 공기가 기판(W)의 끝의 부분에 도달하면, 그것으로부터 중앙으로 흐름에 따라서 IR히터(H)로부터 열을 흡수해서 승온되어, 기판(W)에 주는 열영향이 변화되고, 기판(W)을 균일하게 Tw로 할 수 없게 된다. 그 때문에, IR히터(H)의 온도를 전면적에 걸쳐서 동일한 온도(Thm)로 하는 것이 아니고, 저항선(14)의 가열 출력밀도를 변경하는 등의 방법에 의해, Thm을 IR히터(H)의 평면위치에 대응해서 변화시키게 된다.For example, when the heat treatment temperature of the substrate W is set to Tw = 250 ° C., the average heat generation temperature of the IR heater H is set to Thm = 280 ° C., and the air supplied from the ducts 102 ₁ and 102 _{2 on} both sides. Let temperature be Ta = 250 degreeC. In this state, when the air at the temperature Ta reaches the end of the substrate W, the heat is absorbed from the IR heater H as it flows from the center to the center, and the temperature is raised. It is changed, and the board | substrate W cannot be made into Tw uniformly. Therefore, the Thm is the plane of the IR heater H by a method such as changing the heating output density of the resistance wire 14 instead of making the temperature of the IR heater H the same temperature Thm over the entire area. The position is changed accordingly.

그 경우, 양측의 덕트로부터 대칭형상으로 공기가 공급되기 때문에, IR히터(H)를 양측방향에 대칭으로 온도제어 할 수 있다. 즉 동도(b)의 가장 간단한 제어상태로 설명하면, 전체적으로는 열처리 온도보다 저온으로 되어 있는 열처리실(101)측부로의 방열에 의해 공기가 가장 냉각되기 쉬운 동시에 IR히터(H)에 의한 승온효과의 발생전인 4모퉁이 부분을 구획 H₁, 그 중간부분을 구획 H₂, 방열이없는 동시에 히터 열로 승온하는 중앙부분을 구획 H₃, 이 부분에서의 공기 공급방향에 직각의 중간끝부분을 구획 H₄로 했을 때에, 저항선(14)의 발열밀도를, H₁이 최대, H₃가 최소, H₂와 H₄가 중간이 되도록 한다.In this case, since air is supplied symmetrically from both ducts, the IR heater H can be symmetrically controlled in both directions. In other words, in the simplest control state of the same diagram (b), the air is most easily cooled by the heat radiation to the side of the heat treatment chamber 101 which is lower than the heat treatment temperature as a whole, and the temperature increase effect by the IR heater H is achieved. the compartment 4 the corner part before generation H _1, the middle of the compartment H _2, heat radiation is not at the same time heating the heat compartment intermediate the end of the right angle of the central section to an elevated temperature in the air supply direction in the compartments H _3, the portion H _{When it is set to 4} , the heat generation density of the resistance wire 14 is such that H ₁ is maximum, H ₃ is minimum, and H ₂ and H ₄ are intermediate.

그 결과, 온도제어가 용이해지는 동시에, 기판의 평면상의 각 위치에서의 열처리 온도를 보다 정밀도 좋게 균일화 할 수 있다. 더욱이 기판 사이즈가 변해도, IR히터(H)를 같은 설계조건으로 할 수 있다.As a result, temperature control becomes easy, and the heat treatment temperature at each position on the plane of the substrate can be uniformed more accurately. Furthermore, even if the substrate size changes, the IR heater H can be made to the same design condition.

또한, 도 11의 장치에서는, 구조의 간소화는 도모되지만, 상기와 같은 대칭제어를 할 수 없기 때문에 온도제어적으로 어렵게 되므로, 열처리 온도나 기판 사이즈 등이 정형화되어 있어 동일제품을 열처리하는 경우와 같이, 실험 등에서 충분한 온도특성을 파악해서 설계 및 제조할 수 있는 열처리장치 등에 적용되게 된다.In the apparatus of Fig. 11, the structure is simplified, but since the symmetry control as described above cannot be performed, it becomes difficult to control the temperature. Thus, as in the case of heat-treating the same product, the heat treatment temperature and the substrate size are standardized. It is applied to a heat treatment apparatus that can grasp and design sufficient temperature characteristics in the experiment, etc.

이상과 같이 본 발명에 의하면, 청구항 1의 발명에서는, 발열부를 구비하고 있고 평판상의 대상물로서 가열되면 배제되어야 할 특수기체를 발생시키는 대상물에 대향하도록 배열 설치되고 대상물을 일정하게 가열 가능하도록 형성된 열처리용의 가열장치에 소정의 구성을 구비한 기체 흡출부를 설치하므로, 대상물로부터 발생한 특수기체를 극히 효율적으로 처리할 수 있다.As described above, according to the present invention, in the invention of claim 1, the heat treatment part is provided with a heat generating part and is arranged to face an object which generates a special gas to be excluded when heated as a flat object, and is formed to be able to heat the object constantly. The gas extraction unit having a predetermined configuration is provided in the heating apparatus of the heating apparatus, so that the special gas generated from the object can be treated very efficiently.

즉 기체흡출부가, 대상물에 대향하는 측에 균일형상으로 분포되어 공급되는 기체 및 이것에 포함되는 상기 특수기체로 이루어지는 혼합기체를 흡입 가능하도록 설치된 다수의 기체 흡입구멍을 구비하고, 대상물에 대향하는 범위에 발열부의 열을 받도록 배열 설치되고 혼합기체가 흡출되도록 형성되어 있으므로, 대상물로부터 발생한 처리되어야 할 특수기체를 공급된 기체와의 혼합기체로 하여 흡출해서 배출할 수 있다.That is, the gas suction unit is provided with a plurality of gas suction holes provided to be capable of sucking the gas to be supplied and distributed in a uniform shape on the side opposite to the object and the mixed gas comprising the special gas included therein, and the area facing the object. It is arranged so as to receive the heat of the heat generating portion and is formed to suck the mixed gas, it is possible to suck out and discharge the special gas to be treated from the object as a mixed gas with the supplied gas.

그 결과, 이 가열장치가 열처리장치에 장비되면, 가열장치 자체에 의해 대상물이 발생하는 특수기체를 처리하고, 그 고농도화에 의한 대상물 및 열처리장치 관련부분의 주변에의 재응고를 방지할 수 있다.As a result, when this heating apparatus is equipped with the heat treatment apparatus, it is possible to treat the special gas in which the object is generated by the heating apparatus itself, and to prevent resolidification around the object and the heat treatment apparatus related part by the high concentration. .

이 경우, 대상물에 대향하는 범위로부터 이 기체를 흡출하므로, 소량의 기체의 공급에 의해, 극히 효율적으로 대상물로부터 발생한 특수기체를 배출 처리할 수 있다.In this case, the gas is sucked out from the range facing the object, and by supplying a small amount of gas, the special gas generated from the object can be discharged very efficiently.

즉 종래의 장치와 같이, 열처리장치에 흡입덕트를 설치하여, 열처리실의 전체에 확산한 특수기체를 배제할 경우에는, 넓은 용적의 기체치환이 필요하게 되어, 공급 기체량이 많아지는 동시에, 기체의 배제효율이 나쁘고, 열처리실내에서 특수기체의 농도가 올라가기 쉽지만, 대상물과 기체 흡출부가 대향하는 좁게 한정된 용적부분만으로 특수기체를 혼합시켜서 배출하게 되므로, 열처리실 전체에 비해 충분히 작은 이 대향 용적부분에 대응해서 공급 기체량이 적어지는 동시에, 특수기체를 흩어져 사라지게 하지 않으므로, 기체의 회수효율이 양호하고, 열처리실내의 특수기체의 농도를 확실하게 낮은 레벨로 유지할 수 있다.In other words, when a suction duct is provided in the heat treatment apparatus to remove the special gas diffused throughout the heat treatment chamber, a large volume of gas replacement is required, so that the amount of supply gas increases and The rejection efficiency is poor and the concentration of the special gas is easily increased in the heat treatment chamber, but the special gas is mixed and discharged only by narrowly defined volume portions facing the object and the gas discharge part. Correspondingly, since the amount of supply gas decreases and the special gas is not scattered and disappeared, the gas recovery efficiency is good and the concentration of the special gas in the heat treatment chamber can be kept at a low level.

그리고 공급 기체량의 저감이나 흡기덕트 등의 불필요화에 의해, 가열장치가 열처리장치에 장착될 때에, 열처리장치의 소형화 및 구조의 간소화를 도모하여, 더욱 코스트 저감을 도모할 수 있다.When the heating apparatus is attached to the heat treatment apparatus by reducing the amount of supply gas, the intake duct, and the like, the size of the heat treatment apparatus can be reduced, the structure can be simplified, and the cost can be further reduced.

청구항 2의 발명에서는, 상기에 더하여, 기체가 공급되도록 형성된 기체공급부를, 대상물에 대향하는 범위에 발열부의 열을 받도록 배열 설치하고, 대상물에 대향하는 측에 균일형상으로 분포된 다수의 기체 취출구멍을 구비한 구성으로 하고 있으므로, 기체 취출구멍으로부터 발열부의 열을 받아서 가열된 기체를 취출해서 평판형상의 대상물의 표면의 전체에 균일하게 공급할 수 있다. 그 결과, 대상물로부터 발생한 특수기체를 받아들여서 그 농도가 낮은 혼합기체로 할 수 있다. 또, 대상물의 표면은 발열부에 의해 가열되지만, 이 균일하게 공급된 가열기체가 닿음으로써, 대상물 표면의 온도분포가 한층더 균일화되어, 열처리 효과를 보다 향상시킬 수 있다. 그리고 상기 특수기체를 공급된 기체와의 혼합기체로 하여 흡출하여 배출할 수 있다.In the invention of claim 2, in addition to the above, a plurality of gas ejection holes arranged in such a manner as to receive heat from the heat generating portion in a range facing the object, and uniformly distributed on the side facing the object. Since the structure is provided with, the gas heated by receiving the heat of the heat generating portion from the gas extraction hole can be taken out and uniformly supplied to the entire surface of the flat object. As a result, a special gas generated from the object can be taken into a mixed gas having a low concentration. In addition, the surface of the object is heated by the heat generating unit, but when this uniformly supplied heating gas is touched, the temperature distribution on the surface of the object is further uniformed, and the heat treatment effect can be further improved. The special gas may be sucked out and discharged as a mixed gas with the supplied gas.

이 경우, 대상물에 대향하는 범위로부터 대상물을 향해서 기체를 취출하여 동일한 범위로부터 이 기체를 흡출하므로, 소량의 기체의 공급에 의해, 한층더 효율적으로 대상물로부터 발생한 특수기체를 배출처리할 수 있다. 즉, 기체흡출부와 함께 기체공급부가 대향하는 좁고 한정된 용적부분에 기체를 공급하고, 그곳에서만 특수기체를 혼합시켜서 배출하게 되므로, 한층더 소량의 기체로 특수기체를 효율좋게 회수할 수 있다.In this case, since the gas is taken out from the range facing the object toward the object and the gas is drawn out from the same range, the supply of a small amount of gas makes it possible to discharge the special gas generated from the object more efficiently. That is, the gas is supplied to the narrow and limited volume portion facing the gas supply unit and the gas supply unit, and the special gas is mixed and discharged only there, so that the special gas can be efficiently recovered with a smaller amount of gas.

Claims

In the heating apparatus for heat treatment provided with the heat generating part, and arranged so as to oppose the object which generate | occur | produces the special gas which should be excluded when it is heated by the said heat generating part as a flat object, The heating apparatus for heat processing formed so that the said object can be heated uniformly,

A gas extraction unit formed so as to allow a mixed gas made up of gas supplied and arranged to receive heat from the heat generating unit in a range facing the object to be sucked out and distributed in a uniform shape on the side opposite to the object. And a gas withdrawing unit having a plurality of gas suction holes installed to suck the mixed gas.

2. The gas supply unit according to claim 1, wherein the gas supply unit is arranged to receive heat from the heat generating unit in a range opposed to the object, and is provided to supply gas, and has a plurality of gas ejection holes uniformly distributed on the side opposite to the object. And a gas supply unit.