KR20030086668A - 액정 표시 장치용 기판 - Google Patents

액정 표시 장치용 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR20030086668A
KR20030086668A KR1020020024780A KR20020024780A KR20030086668A KR 20030086668 A KR20030086668 A KR 20030086668A KR 1020020024780 A KR1020020024780 A KR 1020020024780A KR 20020024780 A KR20020024780 A KR 20020024780A KR 20030086668 A KR20030086668 A KR 20030086668A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
identification number
thin film
gate
liquid crystal
data
Prior art date
Application number
KR1020020024780A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100840325B1 (ko
Inventor
임성균
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020020024780A priority Critical patent/KR100840325B1/ko
Publication of KR20030086668A publication Critical patent/KR20030086668A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100840325B1 publication Critical patent/KR100840325B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13625—Patterning using multi-mask exposure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/13629—Multilayer wirings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes

Abstract

본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 화면 표시부에는 가로 방향으로 형성되어 있으며 주사 신호를 전달하는 게이트 배선, 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하며 영상 신호를 전달하는 데이터 배선, 매트릭스 배열의 화소 영역에 형성되어 있으며 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등과 같이 투명한 도전 물질 또는 반사도를 가지는 도전 물질로 이루어진 화소 전극, 게이트 배선과 데이터 배선이 교차하는 부분에 형성되어 있으며 게이트 배선 및 데이터 배선과 전기적으로 연결되어 주사 신호에 따라 화소 전극에 전달되는 영상 신호를 반도체층의 채널부를 통하여 제어하는 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 또한, 화면 표시부 밖의 주변부에는 신호선과 연결되어 외부로부터 신호를 입력받아 신호선에 전달하는 패드가 군집되어 있는 패드부와 액정 셀 영역에 식별력을 부여하기 위해 식별 번호가 형성되어 있는 식별 번호부가 형성되어 있다. 이때, 식별 번호부는 게이트 배선과 반도체층과 데이터 배선과 각각 동일한 층으로 이루어진 제1 내지 제3 박막으로 이루어져 있으며, 식별 번호는 제3 박막에 개구부로 패터닝되어 개구부를 통하여 드러난 제2 박막으로 표시되고 있다.

Description

액정 표시 장치용 기판{A PANEL FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
본 발명은 액정 표시 장치용 기판에 관한 것으로서, 특히 액정 셀의 단위로 셀의 식별 번호가 기재되어 있는 액정 표시 장치용 기판에 관한 것이다.
현재 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중의 하나로서 액정 표시 장치는전기장을 생성하는 다수의 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 두 기판 사이에 주입되어 있는 액정층, 각각의 기판의 바깥 면에 부착되어 빛을 편광시키는 두 장의 편광판으로 이루어지며, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다. 이는 액정이 갖는 여러 가지 성질 중에서 전압을 가하면 분자의 배열이 변하는 성질을 이용한 것인데, 빛의 투과 또는 반사를 이용하는 액정 표시 장치에서 액정은 자체 발광을 하지 않아 자체적으로 또는 외부적으로 광원이 필요하다.
이때, 박막 트랜지스터 어레이 기판(thin firm transistor array panel)은 액정 표시 장치에서 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 회로 기판으로써 사용된다. 박막 트랜지스터 기판은 주사 신호를 전달하는 주사 신호 배선 또는 게이트 배선과 화상 신호를 전달하는 화상 신호선 또는 데이터 배선이 형성되어 있고, 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 화상을 표시하는데 사용하는 화소 전극을 포함한다.
이러한 박막 트랜지스터 기판은 투명한 절연 기판의 상부에 배선용 도전 물질 또는 층간의 절연을 위하여 절연 물질을 증착하고, 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 완성되며, 이러한 다수의 제조 단위 공정은 하나의 박막 트랜지스터 기판에 대응하는 단위 액정 셀 영역을 다수로 포함하는 모 기판(mother glass)을 단위로 이루어지며, 대부분의 단위 제조 단위 공정을 마친 다음에는 액정 셀의 영역으로 분리하여 이후의 공정을 진행하게 된다.
이때, 제조 공정시 기판을 이송하거나 단위 제조 공정을 진행할 때 액정 셀영역을 단위로 식별 능력을 부여하기 위해 기판의 상부에는 각각의 셀 영역을 단위로 식별 번호를 기재하며, 이러한 식별 번호는 배선을 형성하는 사진 식각 공정에서 하나의 배선을 패터닝할 때 함께 형성하는 것이 일반적이다.
하지만, 박막 트랜지스터 기판의 크기가 5" 이하로 작아지는 경우에는 액정 셀의 영역이 작아져 식별 번호를 기재할 수 있는 영역이 작아지므로 식별 번호를 작게 형성해야 하는데, 이러한 경우에는 식별 번호가 가독성을 확보하기가 매우 어렵게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 식별 번호의 가독성을 확보할 수 있는 액정 표시 장치 기판을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따라 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조하기 위한 기판을 영역을 구분하여 도시한 도면이고,
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 하나의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 형성된 소자 및 배선을 개략적으로 도시한 배치도이고,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도로서, 도 2에서 하나의 화소와 패드들을 중심으로 확대한 도면이고,
도 4 및 도 3에 도시한 박막 트랜지스터 기판을 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 5는 도 2에서 액정 셀의 식별 번호가 기재되어 있는 I 부분을 확대하여 도시한 단면도이다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 기판에는 적어도 둘 이상의 층으로 식별 번호가 형성되어 있다.
더욱 상세하게 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판은 주사 신호 또는 영상 신호를 각각 전달하는 다수의 게이트 배선과 데이터 배선이 서로 교차하여 형성되어 있으며, 화상을 표시하는 화소 전극과 게이트 배선 및 데이터 배선과 전기적으로 연결되어 주사 신호에 따라 반도체층의 채널부를 통하여 화소 전극에 전달되는 영상 신호를 제어하는 박막 트랜지스터가 배열되어 있는 화면 표시부와 외부로부터 영상 신호 또는 주사 신호를 전달받아 데이터 배선 및 게이트배선으로 각각 전달하는 데이터 패드 및 게이트 패드가 군집되어 연결되어 있는 패드부와 식별 번호가 형성되어 있는 식별 번호부를 포함하는 주변부를 포함한다. 이때, 식별 번호는 적어도 둘 이상의 박막으로 형성되어 있다.
식별 번호부는 서로 중첩되어 차례로 적층되어 있는 제1 내지 제3의 박막으로 이루어진 것이 바람직하며, 제1 내지 제3 박막은 게이트 배선, 반도체층 및 데이터 배선과 각각 동일한 층으로 이루어진 것이 바람직하며, 식별 부호는 제2 박막이 드러나도록 제3 박막에 패터닝되어 있는 것이 바람직하다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
먼저, 도 1 내지 도 5를 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 구조에 대하여 상세히 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 하나의 모 절연 기판(mother glass)에는 동시에 여러 개의 액정 표시 장치용 기판의 액정 셀 영역이 만들어진다. 예를 들면, 도 1에서와 같이, 하나의 모 유리 기판 하나에 9 개의 액정 표시 장치용 기판의 액정 셀 영역(210, 220, 230, 240, 250, 260, 270, 280, 290)이 만들어지며, 만들어지는 기판이 박막 트랜지스터 어레이 기판인 경우, 기판의 액정 셀 영역(210, 220, 230, 240, 250, 260, 270, 280, 290)은 다수의 화소로 이루어진 화면 표시부(D)와 주변부(P)를 포함한다. 화면 표시부(D)에는 주로 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터, 게이트 배선 또는 데이터 배선을 포함하는 배선 및 화소 전극 등이 행렬의 형태로 반복적으로 배치되어 있고, 주변부(P)에는 구동 소자들과 연결되는 요소 즉, 패드와 기타 정전기 보호 회로와 액정 셀 영역(210, 220, 230, 240, 250, 260, 270, 280, 290)에 식별 기능을 부여하기 위한 식별 번호 등이 배치된다.
액정 표시 장치를 형성할 때에는 통상 기판은 다수의 묶음을 단위로 이송되며, 이러한 단위에 따라 식별 번호가 결정되어 각각의 제조 단위 공정이 진행된다.
도 2는 도 1에서 하나의 패널 영역에 형성된 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치를 개략적으로 나타낸 배치도이다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판에는 가로 방향으로 형성되어 있으며 주사 신호를 전달하는 게이트 배선(120), 게이트 배선(120)과 교차하여 화소 영역을 정의하며 영상 신호를 전달하는 데이터 배선(160), 매트릭스 배열의 화소 영역에 형성되어 있으며 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등과 같이 투명한 도전 물질 또는 반사도를 가지는 도전 물질로 이루어진 화소 전극(도시하지 않음), 게이트 배선(120)과 데이터 배선(160)이 교차하는 부분에 형성되어 있으며 게이트 배선(120) 및 데이터 배선(160)과 전기적으로 연결되어 주사 신호에 따라 화소 전극에 전달되는 영상 신호를 제어하는 박막 트랜지스터(도시하지 않음)가 형성되어 있으며, 이를 박막 트랜지스터 어레이 기판이라고 한다. 이때, 박막 트랜지스터 어레이 기판은 다수의 배선(120, 160)이 서로 교차하여 정의하는 화소 영역의 집합으로 이루어지며 화상이 표시되는 화면 표시부(D)와, 게이트 배선(120) 및 데이터 배선(160)의 한쪽 끝에 각각 연결되어 있으며 외부로부터 주사 신호 또는 데이터 신호를 전달받아 게이트 배선(120)과 데이터 배선(160)에 각각 전달하는 다수의 게이트 패드(도시하지 않음) 및 데이터 패드가 각각 군집되어 있는 패드부(GP, DP)와, 액정 셀 영역((210, 220, 230, 240, 250, 260, 270, 280, 290)에 대한 식별 능력을 부여하기 위한 식별 번호부(I)가 형성되어 있는 주변부(P)로 구성된다.
도 3 내지 도 5는 도 3에서 화면 표시부의 박막 트랜지스터와 화소 전극 및 배선과 주변부의 패드들을 확대하여 도시한 것으로서, 도 3은 배치도이고, 도 4는 도 3에서 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 5는 도 2에서 액정 셀의 식별 번호가 기재되어 있는 I 부분을 확대하여 도시한 단면도이다.
먼저, 절연 기판(110) 위에 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy), 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴-텅스텐(MoW) 합금, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등의 금속 또는 도전체로 만들어진 게이트 배선이 형성되어 있다. 게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 주사 신호선 또는 게이트선(121), 게이트선(121)의 끝에 연결되어 있어 외부로부터의 주사 신호를 인가받아 게이트선(121)으로 전달하는 게이트 패드(125) 및 게이트선(121)의 일부인 박막 트랜지스터의 게이트 전극(123)을 포함한다.
한편, 식별 번호부(I)에는 게이트 배선(121, 123, 125)과 동일한 층으로 제1 박막(126)이 형성되어 있다.
게이트 배선(121, 123, 125)은 단일층으로 형성될 수도 있지만, 이중층이나 삼중층으로 형성될 수도 있다. 이중층 이상으로 형성하는 경우에는 한 층은 저항이 작은 물질로 형성하고 다른 층은 다른 물질과의 접촉 특성이 좋은 물질로 만드는 것이 바람직하며, Cr/Al(또는 Al 합금)의 이중층 또는 Al/Mo의 이중층이 그 예이다.
게이트 배선(121, 123, 125) 위에는 질화규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성되어 게이트 배선(121, 123, 125)을 덮고 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon) 따위의 반도체로 이루어진 반도체층(150)이 형성되어 있으며, 반도체층(150) 위에는 인(P) 따위의 n형 불순물로 고농도로 도핑되어 있는 비정질 규소 따위로 이루어진 저항성 접촉층(ohmic contact layer) 패턴 또는 중간층 패턴(163, 165)이 형성되어 있다.
한편, 반도체층(150)과 동일한 층의 식별 번호부(I)에는 제1 박막(126)의 게이트 절연막(140) 상부에 제2 박막(155)이 형성되어 있다.
접촉층 패턴(163, 165) 위에는 Mo 또는 MoW 합금, Cr, Al 또는 Al 합금, Ta 따위의 도전 물질로 이루어진 데이터 배선이 형성되어 있다. 데이터 배선은 세로 방향으로 형성되어 있는 데이터선(171), 데이터선(171)의 한쪽 끝에 연결되어 외부로부터의 화상 신호를 인가받는 데이터 패드(179), 그리고 데이터선(171)의 분지인 박막 트랜지스터의 소스 전극(173)으로 이루어진 데이터선부를 포함하며, 또한 데이터선부(171, 173, 179)와 분리되어 있으며 게이트 전극(123)에 대하여 소스 전극(173)의 반대쪽에 위치하는 박막 트랜지스터의 드레인 전극(175)과 게이트선(121)의 위에 위치하여 중첩되어 있는 유지 축전기용 도전체 패턴(177)도 포함한다. 유지 축전기용 도전체 패턴(177)은 후술할 화소 전극(190)과 연결되어 유지 축전기를 이룬다. 그러나, 화소 전극(190)과 게이트선(121)의 중첩만으로도 충분한 크기의 유지 용량을 얻을 수 있으면 유지 축전기용 도전체 패턴(177)을 형성하지 않을 수도 있다.
한편, 데이터 배선(171, 173, 175, 179)과 동일한 층의 식별 번호부(I)에는 제2 박막(155)의 상부에 식별 번호가 패터닝되어 있는 제3 박막(172)이 형성되어 있다. 제3 박막(172)의 식별 번호는 개구부로 형성되어 있는 실제 식별 번호는 개구부를 통하여 드러나는 모양으로 제2 박막(155)을 이루는 비정질 규소층의 색으로 표시되며, 제2 박막(155)의 하부에 불투명하거나 반사도를 가지는 제1 박막(126)이 형성되어 있어 식별 번호가 작게 형성되더라도 식별 번호의 가독성을 충분히 확보할 수 있다.
데이터 배선(171, 173, 175, 177, 179)도 게이트 배선(121, 123, 125)과 마찬가지로 단일층으로 형성될 수도 있지만, 이중층이나 삼중층으로 형성될 수도 있다. 물론, 이중층 이상으로 형성하는 경우에는 한 층은 저항이 작은 물질로 형성하고 다른 층은 다른 물질과의 접촉 특성이 좋은 물질로 만드는 것이 바람직하다.
접촉층 패턴(163, 165)은 그 하부의 반도체 패턴(150)과 그 상부의 데이터 배선(171, 173, 175, 177, 179)의 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 한다.
데이터선부(171, 177, 179) 및 드레인 전극(175)과 반도체 패턴(150)은 보호막(180)으로 덮여 있으며, 보호막(180)은 드레인 전극(175) 및 데이터 패드(179)를 드러내는 접촉창(185, 189)을 가지고 있다. 보호막(180)은 또한 게이트 절연막(140)과 함께 게이트 패드(125)를 드러내는 접촉창(182)을 가지고 있다. 보호막(180)은 질화 규소나 아크릴계 따위의 유기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 반도체 패턴(150) 중에서 적어도 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이에 위치하는 채널 부분을 덮어 보호하는 역할을 한다.
게이트선(121) 및 데이터선(171)으로 둘러싸인 영역의 게이트 절연막(140) 위에는 화소 전극(190)이 형성되어 있다. 화소 전극(190)은 접촉창(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적·전기적으로 연결되어 박막 트랜지스터로부터 화상 신호를 받아 상판의 전극과 함께 전기장을 생성하며, ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 따위의 투명한 도전 물질로 만들어진다. 화소 전극(190)은 또한 유지 축전기용 도전체 패턴(177) 위로도 연장되어 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며 이에 따라 유지 축전기용 도전체 패턴(177)과 그 하부의 게이트선(121)과 유지 축전기를 이룬다. 한편, 게이트 패드(125) 및 데이터패드(179) 위에는 접촉창(182, 189)을 통하여 각각 이들과 연결되는 보조 게이트 패드(92) 및 보조 데이터 패드(97)가 형성되어 있으며, 이들은 패드(125, 179)와 외부 회로 장치와의 접착성을 보완하고 패드를 보호하는 역할을 하는 것으로 필수적인 것은 아니며, 이들의 적용 여부는 선택적이다.
여기에서는 화소 전극(190)의 재료의 예로 투명한 ITO를 들었으나, 반사형 액정 표시 장치의 경우 불투명한 도전 물질을 사용하여도 무방하다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법에서는 우선, 액정 표시 장치용 절연 기판의 상부에 게이트 배선용 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 게이트선(121), 게이트선(121)에 연결되어 있는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(123 및 게이트선(121)에 연결되어 있는 게이트 패드(125)를 포함하는 게이트 배선과 식별 번호부(I)의 제1 박막(126)을 형성한 다음, 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성한다. 이어, 게이트 전극(123)의 게이트 절연막(140) 상부에 반도체층(150)과 식별 번호부(I)의 제2 박막(155)을 형성한 다음, 데이터 배선용 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 데이터선(171), 데이터선(171)에 연결되어 있으며 반도체층(150) 상부에 위치하는 소스 전극(173), 게이트 전극(123)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주하는 드레인 전극(175) 및 데이터선(171)의 한쪽에 연결되어 있는 데이터 패드(179)를 포함하는 데이터 배선과 식별 번호부(I)의 제3 박막(172)을 형성한다. 이어, 소스 및 드레인 전극(173, 175) 사이에서 드러난 반도체층(150)을 덮는 보호막(180)을 적층하고 그 상부에 화소 전극(190), 보조 게이트 패드(92) 및 보조 데이터 패드(97)를 형성한다.
위에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 아래의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 특허청구범위에 의해서만 제한된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 액정 표시 장치용 기판에는 식별 번호부의 식별 번호가 적어도 둘 이상의 층으로 형성되어 색을 가지는 하부막이 드러나도록 패터닝되어 있어 식별 번호가 작아지더라도 가독성을 충분히 확보할 수 있다.

Claims (4)

  1. 주사 신호 또는 영상 신호를 각각 전달하는 다수의 게이트 배선과 데이터 배선이 서로 교차하여 형성되어 있으며, 화상을 표시하는 화소 전극과 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 전기적으로 연결되어 상기 주사 신호에 따라 반도체층의 채널부를 통하여 상기 화소 전극에 전달되는 상기 영상 신호를 제어하는 박막 트랜지스터가 배열되어 있는 화면 표시부,
    외부로부터 상기 영상 신호 또는 주사 신호를 전달받아 상기 데이터 배선 및 상기 게이트배선으로 각각 전달하는 데이터 패드 및 게이트 패드가 군집되어 연결되어 있는 패드부와 식별 번호가 형성되어 있는 식별 번호부를 포함하는 주변부
    를 포함하는 액정 표시 장치용 기판으로서,
    상기 식별 번호는 적어도 둘 이상의 박막으로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 기판.
  2. 제1항에서,
    상기 식별 번호부는 서로 중첩되어 차례로 적층되어 있는 제1 내지 제3의 박막으로 이루어진 액정 표시 장치용 기판.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 내지 제3 박막은 상기 게이트 배선, 상기 반도체층 및 상기 데이터배선과 각각 동일한 층으로 이루어진 액정 표시 장치용 기판.
  4. 제3항에서,
    상기 식별 부호는 상기 제2 박막이 드러나도록 상기 제3 박막에 패터닝되어 있는 액정 표시 장치용 기판.
KR1020020024780A 2002-05-06 2002-05-06 액정 표시 장치용 기판 KR100840325B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020024780A KR100840325B1 (ko) 2002-05-06 2002-05-06 액정 표시 장치용 기판

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020024780A KR100840325B1 (ko) 2002-05-06 2002-05-06 액정 표시 장치용 기판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030086668A true KR20030086668A (ko) 2003-11-12
KR100840325B1 KR100840325B1 (ko) 2008-06-20

Family

ID=32381673

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020024780A KR100840325B1 (ko) 2002-05-06 2002-05-06 액정 표시 장치용 기판

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100840325B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100699988B1 (ko) * 2004-03-19 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07114043A (ja) * 1993-10-18 1995-05-02 Toshiba Corp 液晶表示装置及びその製造方法
KR19980023355A (ko) * 1996-09-30 1998-07-06 엄길용 평판소자의 투명전극 형성방법
JP2001075119A (ja) * 1999-09-07 2001-03-23 Canon Inc 位置合わせ用認識マーク構造及び液晶素子
KR100504534B1 (ko) * 2001-12-29 2005-08-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 이중 마킹패드를 구비한 액정패널

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100699988B1 (ko) * 2004-03-19 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
US7557501B2 (en) 2004-03-19 2009-07-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display device having molybdenum conductive layer

Also Published As

Publication number Publication date
KR100840325B1 (ko) 2008-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100385082B1 (ko) 액정 표시 장치
KR100848099B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
CN100440017C (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN100428037C (zh) 液晶显示器件及其制造方法
US7855767B2 (en) Transflective liquid crystal display
US6208390B1 (en) Electrode substrate resistant to wire breakage for an active matrix display device
KR101475299B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20040024666A (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조방법
JP2001356372A (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
KR960011495A (ko) 박막 트랜지스터형 액정표시장치 및 그 제조방법
US7294854B2 (en) Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel
KR20030094452A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR101109963B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20090105151A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100626600B1 (ko) 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100623974B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5221408B2 (ja) 表示装置及びその製造方法
KR20060068442A (ko) 표시장치용 박막트랜지스터 기판과 그 제조방법
KR100840325B1 (ko) 액정 표시 장치용 기판
KR20010066174A (ko) 광차단막을 가지고 있는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100397672B1 (ko) 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR20000065687A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 제조 방법
KR20030042079A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160092466A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100729777B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130531

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140530

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150601

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee