KR20030085000A - 이동 통신 장치 - Google Patents

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KR20030085000A
KR20030085000A KR10-2003-7012071A KR20037012071A KR20030085000A KR 20030085000 A KR20030085000 A KR 20030085000A KR 20037012071 A KR20037012071 A KR 20037012071A KR 20030085000 A KR20030085000 A KR 20030085000A
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band
antenna
frequency band
low
conductor portion
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KR10-2003-7012071A
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잉지농
학칸슨케네쓰
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텔레폰악티에볼라겟엘엠에릭슨(펍)
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Abstract

이동 통신 장치는 저주파 대역으로 동조되는 저대역부(LB)와 상기 저주파 대역보다 높은 주파수의 제1 고주파 대역으로 동조되는 제1 고대역부(HB1)를 가진 다주파 대역 안테나를 구비한다. 저대역부(LB)와 제1 고대역부(HB1)는 공통의 제1 접지점(GP1), 안테나에 입력신호를 공급하고 안테나로부터 신호를 수신하는 공통 급전점(FP), 및 저대역부(LB)와 제1 고대역부(HB1) 부분을 형성하는 제1 전도체부(CP1)를 갖는다. 제1 전도체부(CP1)는 상기 제1 접지점(GP1) 및 공통 급전점(FP)에 전기접속된다. 제2 고대역부(HB2)는 제1 전도체부(CP1)에 결합되며, 저주파수 대역 보다 높은 주파수이며 제1 고주파 대역과 상이한 제2 고주파 대역에 동조된다. 스위칭 망이 제2 고대역부와 접지 사이에 접속되어, 제2 고대역부의 공진 주파수가 장치의 동작 모드에 의존하는 신호를 기반으로 변경될 수 있게 함으로써, 4 대역 동작이 가능해진다.

Description

이동 통신 장치{MOBILE COMMUNICATION DEVICE}
현재, 다수의 이동전화기는 다음과 같은 세 가지 주파수 대역: 즉 900MHz의 주파수를 중심으로 하는 GSM 대역, 1800 MHz의 주파수를 중심으로 하는 DSC 대역, 및 1900 MHz의 주파수를 중심으로 하는 PCS 대역 중 하나 이상의 대역을 사용한다. 900 MHz 와 1800 MHz 주파수 대역은 1옥타브(octave)로 분리되는 반면, 1800 MHz와 1900 MHz 주파수 대역은 단지 1옥타브의 몇분의 1에 의해 분리된다. 900 MHz 와 1800 MHz의 주파수 대역을 사용하는 다수의 이동전화기에 있어서, 안테나는 두 개의 주파수 대역 중 각자의 대역으로 동조되는 개별적인 부분을 갖는데, 왜냐하면, 유용한 주파수 대역 사이에 비교적 큰 주파수 대역이 사용되지 않아, 1옥타브 이상의 주파수 대역으로 동조되는 안테나의 하나의 동일한 부분을 갖는 것이 적합하다고 여겨지지 않기 때문이다.
US-5,512,910호에는 세 개의 진공 주파수를 갖는 마이크로스트립 안테나 장치가 기재되어 있다. 그러나, 이러한 유형의 안테나는 지나치게 커서 소형 이동전화기에서 편리하게 사용될 수 없다.
US-6,166,694호에 도시되어 있는 바와 같은 공지된 이중 대역 안테나는 전도체 부분을 가지며, 그로부터 두 개의 나선(spiral)이 분기된다. 상기 두 나선은 고대역부(high band portion)와 저대역부(low band portion)를 형성하도록 동조된다.
유럽 특허 출원 제 00610112.5 호(공개되지 않으며, 종래기술의 일부를 형성하지도 않음)에는 제2 전도체를 수용하는 상기와 같은 유형의 안테나가 개시되어 있으며, 상기 제2 전도체는 제1 전도체에 용량성으로 결합되며 제2의 고주파 대역으로 동조된다.
본 발명은 이동 전화기와 같은 이동 통신 장치에 관한 것으로서, 특히 상기 장치용 안테나에 관한 것이다. 휴대용 통신 장치는 그 크기가 소형화될 필요가 있는데, 이는 안테나를 포함하는 장치의 모든 부품에 적용되는 조건이다. 근래의 이동전화기는 두 개 이상의 상이한 주파수 대역을 사용하며, 전화기에 의해 사용되는 모든 주파수 대역에서 동일한 안테나를 사용하는 것이 바람직하다.
도 1은 인쇄회로기판에 전기 접속된 본 발명의 3중 대역 안테나의 바람직한 실시예를 개략적으로 나타내는 도면.
도 2는 도 1의 안테나 및 인쇄회로기판의 단부도면.
도 3은 도 1의 안테나를 가진 인쇄회로기판을 개략적으로 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 안테나의 동조가능 리액턴스 부하를 나타내는 전기회로도.
도 5는 본 발명의 안테나의 동조가능 리액턴스 부하에 대한 선택적인 형태를나타내는 도면.
도 6은 제1 모드에서 본 발명에 따른 안테나에 대한 일반적인 반사 손실을 나타내는 도면.
도 7은 제2 모드에서 안테나에 대한 일반적인 반사 손실을 나타내는 도면.
본 발명의 목적은, 적어도 세 개의 주파수 대역에서 사용될 수 있으며, 최소의 발생가능한 손실을 갖는, 즉 모든 주파수 대역에서 최대의 가능 이득을 갖는 안테나를 제공하는 것이다.
본 발명은 이동전화기와 같은 휴대용 통신 장치에서 사용하기 위한 안테나를 제공한다. 상기 안테나는 하나의 저주파 대역과 두 개의 고주파 대역에서 유용한데, 이 경우 상기 두 개의 고주파 대역은 저주파 대역으로 보다 비교적 서로에게 더 근접해있다.
안테나는 제1 방사소자와 제2 방사소자를 포함한다. 제1 방사소자는 고주파 대역과 저주파 대역으로 동조되는 두 개의 브랜치를 갖는다. 제2 방사소자는 제1방사소자와 용량성으로 접속되며, 동조가능한 리액턴스 부하를 가져, 소자가 제2 고주파 대역에 동조될 수 있도록 하는데, 상기 제2 고주파 대역은 상기 제1 고주파 대역과 분리되어 있지만 상기 제1 고주파 대역에 근접해 있다. 그러므로, 상기 안테나는 사실상 3중 대역 안테나이며, 따라서 이러한 안테나를 구비한 이동전화기는 세 개의 주파수 대역에서 유용하다. 예컨대, 이동전화기는 본 발명에 따라 900 MHz, 1800 MHz 및 1900 MHz에 각각 중심을 갖는 세 개의 주파수 대역에서 사용될 수 있도록 제조될 수도 있다. 그러나, 본 발명은 상기의 주파수 대역에서 사용되는 것으로 한정되지 않고, 현재 및 미래의 주파수 대역에서도 물론 사용되기에 적합할 것이다.
본 명세서에서 사용되는 "포함한다/포함하는(comprise/comprising)"이란 용어는 규정된 특징, 완전체(integer), 단계 또는 부품의 존재를 설명하는 것으로 간주되지만, 하나 이상의 다른 특징, 완전체, 단계, 부품 또는 그 그룹의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
본 발명에 따른 안테나는 이동전화기에서의 사용에 대하여 기술된다. 그러나, 본 발명은 일반적으로 이동전화기, 무선호출기, 커뮤니케이터, 전자수첩(electronic organiser), 스마트폰, 개인휴대 정보 단말기(PDA) 등과 같은 휴대용 무선 통신 기기 또는 이동무선 단말기에 이용될 수 있다.
도 1 내지 도 3은 이동전화기에 사용하기에 적합한 본 발명에 따른 안테나(10)를 구비한 인쇄회로기판(PCB)을 도시한다. 도시된 실시예에 있어서, 인쇄회로기판은 직사각형이지만, 당연히 본 발명은 직사각형을 사용하는 것으로 한정되지 않는다. 실제로, 인쇄회로기판은 그 위에 장착되는 다수의 전자 부품을 가지게 되는데, 이들은 이동전화기의 동작에 필요하지만 본 발명 부분에 해당되지 않는다. 따라서, 도 3에 상기와 같은 부품이 단지 개략적으로 도시되어 있다.
도 1 내지 도 3에 있어서, 구리와 같은 전기전도성 물질이 본 발명의 안테나(10)를 형성한다. 안테나는 인쇄회로기판(PCB)과 그 사이에 소정의 거리를 두고 떨어져놓이는 것이 바람직하다. 본 실시예에서 직선인 제1 전도체부(CP1)는 제1 전도체부(CP1)의 제1 단부에 제1 접지 포스트(grounding post)(GP1)를 가진 접지점을 갖는다. 사용시, 접지점은 제1 접지 포스트(GP1)를 통해 인쇄회로기판(PCB)상의 접지 전위에 전기 접속되게 된다. 제1 단부 부근에서 이것과 소정의 거리를 두고, 제1 전도체부(CP1)는, 안테나에 의해 송신될 신호를 안테나에 공급하는 PCB상의 전자회로, 및/또는 안테나에 의해 수신되는 신호를 수신하는 전자회로에 제1 전도체부(CP1)를 전기 접속하는 급전 포스트(feeding post)(FP)를 가진 급전점을 갖는다.
급전 포스트(FP)와 제1 접지 포스트(GP1) 사이에 위치한 제1 전도체부(CP1)의 부분은 정합 브리지(MB)의 기능을 한다.
제1 단부의 맞은편의 제2 단부에서, 저대역부(LB)가 직선의 제1 전도체부(CP1)의 한 측면에서 분기하여 나선을 형성한다. 구체적으로 설명하면, 서로 직각을 이루는 세 개의 직선 세그먼트(LBa, LBb, LBc)가 저대역 나선을 형성한다. 상기 나선의 가장안쪽의 세그먼트(LBc)는 제1 전도체부(CP1)를 포함하는 나머지 세 개의 직선 세그먼트보다 더 넓다.
제1 전도체부(CP1)의 제1 단부와 제2 단부사이에는, 나선을 또한 형성하는 제1 고대역부(HB1)가 상기 저대역부(LB)와 동일한 쪽으로 직각으로 분기한다. 제1 고대역 나선(HB1) 또한 서로 직각을 이루는 세 개의 직선 세그먼트(HB1a, HB1b, HB1c)에 의해 형성된다. 제1 고대역 나선을 형성하는 세그먼트가 실질적으로 동일한 폭을 가질 수도 있고, 제3 세그먼트(HB1c)가 도 1에 도시되어 있는 바와 같이 HB1a 또는 HB1b 보다 넓을 수도 있으며, 또는 그 밖의 상대적인 폭이 선택될 수도 있다.
안테나의 저대역부(LB)는 900 MHz와 같은 비교적 낮은 공진 주파수, 및 안테나의 저주파 대역을 규정하기 위해 미리정해진 대역폭을 갖도록 동조된다. 낮은 공진 주파수는 주로 급전점(FP)으로부터 나선의 내측 단부까지 측정된 저대역부(LB)의 길이에 의해 결정되거나 영향을 받는데, 상기 길이는 낮은 공진 주파수의 파장의 1/4에 상응한다. 저주파 대역의 주파수를 갖는 전기신호가 안테나의 급전점(FP)에 공급되면, 상응하는 전자기 신호가 안테나의 저대역부(LB)로부터 전파로서 방사되게 되며; 역으로 안테나가 저주파 대역의 주파수를 갖는 전파 형태의 전자기 신호를 수신하면, 전기신호가 안테나의 저대역부(LB)에 의해 발생되게 되어, 상기의 결과 발생된 전기신호가 안테나에 접속된 전자회선을 수신함으로써 급전 포스트(FP)에서 감지된다.
안테나의 제1 고대역부(HB1)는 제1의 높은 공진 주파수, 및 제1 고주파 대역을 규정하기 위해 미리정해진 대역폭을 갖도록 동조된다. 제1의 높은 공진 주파수는 주로 급전점(FP)으로부터 나선의 내측 단부까지 측정된 제1 고대역부(HB1)의 길이에 의해 결정되거나 영향을 받는데, 상기 길이는 제1의 높은 공진 주파수에서의 파장의 1/4에 상응한다. 제1 고주파 대역의 주파수를 갖는 전기신호가 안테나의 급전점(FP)으로 공급되면, 상응하는 전자기 신호가 안테나의 제1 고대역부(HB1)로부터 전파로서 방사되게 되며, 역으로 안테나가 제1 고주파 대역의 주파수를 갖는 전파형태의 전자기 신호를 수신하면, 전기신호가 안테나의 제1 고대역부(HB1)에 의해 발생되게 되어, 상기의 결과 발생된 전기신호가 또한 안테나에 접속된 전자회선을 수신함으로써 급전점(FP)에서 감지된다.
본 발명에 따르면, 안테나는 또한 제1 전도체부(CP1)와 병렬 관계로 그로부터 소정의 거리를 두고 배열되는 제2 전도체부(CP2)의 형태로 제2 고대역부(HB2)를 갖는다. 제1 및 제2 전도체부는 각각 일반적으로 1.5-2.0 mm의 폭이다. 제1 단부에서, 제2 고대역부(HB2)는 제2 접지 포스트(GP2)에 전기접속되는 접지점을 갖는다. 제2 접지 포스트(GP2)는, 바람직하게는 0.5mm의 거리를 두고 또는 적어도 0.1 mm 와 1.0 mm 사이의 범위내에서 급전 포스트(FP)에 근접하게 배열된다.
제1 전도체부(CP1)와 제2 전도체부(CP2)가 함께 전기 커패시터를 형성한다. 따라서, 제1 전도체부(CP1)와 제2 전도체부(CP2) 사이에 용량성 또는 기생 결합이 존재한다.
또한, 상기 장치는 PCB상의 접지 전위와 제2 접지 포스트(GP2) 사이에 접속되는 스위칭 망(SN)을 포함한다. 따라서, 제2 고대역부(HB2)의 접지점은 제2 접지 포스트(GP2)를 통해 스위칭 망(SN)을 거쳐 PCB상의 접지 전위에 전기접속된다.
도 4는 제2 접지 포스트(GP2)에 접속하기 위한 입력(40)을 포함하는 스위칭 망(SN)의 배열을 도시하는 것이다. 입력(40)은 리액티브 소자(reactive element), 상기 예에서는 인덕터(L)를 통해 접지에 접속된다.
커패시터(C)와 PIN 다이오드(D)가 인덕터(L)와 병렬로 접속된다. 또다른 인덕터(Lbias)와 저항(Rbias)으로 구성되는 직렬 링크가 다이오드(D)의 애노드에 접속되며 바이어스 전압(VDC)을 공급받는다. 다른 커패시터(Cbias)가 바이어스 전압(VDC)과 접지 사이에 접속된다.
따라서, 바이어스 전압(VDC)의 값에 따라, 입력(40)과 접지 사이에 접속된 리액턴스가 변하게 된다. 다이오드(D)는, 소정의 값의 바이어스 전압(VDC)이 인가될 때, 인덕터(L)가 회로에서 단락됨으로써, 입력(40)과 접지 사이에 접속되는 스위칭 망(SN)의 리액턴스를 변경하도록 스위치로서 동작한다.
예컨대 버랙터 다이오드 또는 마이크로 일렉트로메카니컬 시스템(Micro ElectroMechanical System:MEMS)을 사용하는 상기 이외의 스위칭 망이 상기와 다소 유사한 방식으로 가변 리액턴스를 제공하는데 사용될 수 있다.
도 5는 마이크로 일렉트로메카니컬 시스템을 토대로 한 스위칭 망(SN)의 사용을 도시한다. 구체적으로 설명하면, 도 5는 MEMS 스위칭 망(42)과 가변 리액턴스 소자(44)를 포함하는 스위칭 망(SN)을 도시하는 것이다. 스위칭 망(SN)은 제2 접지 포스트(GP2)에 접속하는 입력(40)을 가지며, 상기 입력은 스위칭 망(SN)을 통해 접지에 접속된다. 가변 리액턴스 소자(44)는, MEMS 장치(42)의 각각의 스위치와 직렬 접속된 커패시터(51), 인덕터(52) 및 단락회로(53)와 같은 적어도 하나의 리액턴스 소자를 포함한다. 필요한 리액턴스 값을 제공하는데 필요로할 때 상기 이외의 소자가 제공될 수 있다. 다음으로, 스위치는, 리액티브 소자가 회로 경로로 및 회로경로 외부로 스위칭됨으로써, 접지 포스트(GP2)와 접지 사이에 상이한 리액턴스 값을 제공하도록 제어신호(57)에 의해 동작된다.
따라서, 제2 고대역 공진기(HB2)의 공진 주파수는 주로 제2 전도체부(CP2)의 길이에 의해 결정되거나 영향을 받는데, 상기 길이는 제2 고주파에서의 파장의 1/4; 제1 전도체부(CP1)와 제2 전도체부(CP2)사이의 갭 및 그에 따른 이들사이의 용량성 결합; 그리고 입력(40)과 접지 사이에 접속된 가변 리액턴스의 값에 거의 상응한다.
제2 고대역부(HB2)가 제1 고대역부(HB1)의 고진 주파수에 근접한 공진 주파수로 동조될 수 있다는 점이 유리하다. 제1 고대역부(HB1)와 제2 고대역부(HB2)의 두 개의 공진 주파수는 개별적인 대역내에 있을 수도 있고, 또는 하나의 광대역을 형성할 수도 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 바이어스 전압(VDC)은 두 개의 값을 취할 수 있는데, 제1 값은 안테나의 제2 고대역부(HB2)를 제1의 높은 공진 주파수에 근접한 제2의 높은 공진 주파수에서 공진하도록 동조시키는 한편, 상기 제2 값은 안테나의 제2 고대역부(HB2)를, 상기 제1의 높은 공진 주파수에 또한 근접하지만 상기 제2의 높은 공진 주파수와는 상이한 제3의 높은 공진주파수에서 공진시킨다.
제2 및 제3의 높은 공진 주파수는 원하는 바에 따라 제1의 높은 공진 주파수보다 높게 선택될 수도 있고 그보다 낮게 선택될 수도 있다.
제2 고대역부(HB2)의 주파수 대역의 주파수를 갖는 전기신호가 안테나의 급전점(FP)에 공급되면, 이들 신호는 제1 전도체부(CP1)와 제2 전도체부(CP2)사이에 존재하는 용량성 또는 기생 결합의 동조로 인해 제2 전도체부(CP2)에 결합되게 되며, 상응하는 전자기 신호가 안테나의 제2 고대역부(HB2)로부터 전파로서 방사되게 된다. 안테나가 제2 고대역부(HB2)의 주파수 대역의 주파수를 갖는 전파형태의 전자기 신호를 수신하면, 상기와 반대로, 전기신호가 안테나의 제2 고대역부(HB2)에 의해 발생되게 되고, 이들 신호가 제1 전도체부(CP1)에 결합됨으로써, 이로써 발생된 전기신호가 또한 안테나에 접속된 전자회선을 수신함으로써 급전 포스트(FP)에서 감지된다.
도 6은, 스위치가 온(on)일 때(즉, VDC가 하이(high)일 때), 인덕터(L)가 커패시터(C)와 다이오드(D)에 의해 회로에서 단락되는 제1 동작모드에서의, 본 발명에 따른 다주파 대역 안테나에 대한 일반적인 반사 손실을 도시하는 것이다. 여기서, 반사 손실은 500 MHz 에서 2.5 GHz까지 선모양의 주파수 크기로 도시되어 있다.
반사 손실은 저주파 대역에서, 즉 약 900 MHz에서 하나의 상이한 최소값을 가지며, 서로 비교적 근접해있는 두 개의 고주파 대역(HF2)에서, 즉 약 1.9 GHz에서의 PCS 대역과 약 2.2 GHz에서의 UMTS 대역에서 두 개의 최소값을 갖는다는 것을 알 수 있다.
도 7은, 스위치가 오프(off)일 때, 즉 VDC가 로우(low)이고(0V이거나 OV에 근접함) 인덕터(L)가 신호 경로내에 있을 때인 제2 동작 모드에서의, 본 발명에 따른 다주파 대역 안테나에 대한 일반적인 반사 손실을 도시하는 것이다.
이 경우, 반사 손실은 낮은 공진 주파수가 스위칭에 의해 영향을 받지 않으므로 낮은 공진 대역, 즉 약 900 MHz에서 하나의 상이한 최소값을 가지며, 역시 서로 비교적 근접해있는 두 개의 고주파 대역, 즉 약 1.9 GHz 에서의 PCS 대역 및 약 1.8 GHz에서의 DCS 대역에서 두 개의 최소값을 갖는다는 것을 알 수 있다.
따라서, 바이어스 전압(VDC)이 그 동작 모드를 제어하는 전화기의 제어회로에 의해 제공될 수 있으므로, 안테나는 UMTS 동작이 필요할 때 제1 동작 모드에 있을 수 있고, DCS 동작이 필요할 때 제2 동작 모드에 있을 수 있다.
도 1 내지 도 3에서, 안테나의 제1 고대역부(HB1)가 제1의 직선 전도체부(CP1)의 한쪽에 배열되고, 안테나의 제2 고대역부(HB2)가 상기 제1의 직선 전도체부(CP1)의 맞은편에 배열된다는 것을 알아야 한다. 이것은 두 개의 고주파 대역 사이의 간섭이 최소값으로 줄어드는 효과를 가져온다.
도 3에 있어서, (직선 전도체부(CP1 및 CP2)와 저대역부 및 나선 전도체부(LB, HB1)를 포함하는) 안테나의 능동부가 인쇄회로기판(PCB)과 일정한 거리를 두고 놓여있다는 것을 명확히 확인할 수 있다. 안테나의 능동부와 PCB 사이의 공간에는, 안테나의 적합한 기능을 위해 선택되는 소정의 유전 특성과 물리적 크기를 갖는 유전 기판(DE)이 존재한다. 유전 기판(DE)의 두께가 반드시 안테나의 능동부를 인쇄회로기판(PCB)으로부터 분리하는 거리와 동일한 필요는 없다.
각각의 경우, 공진의 대역폭은 각각의 전도체부의 크기와 모양, 유전물질의 두께, 유전물질의 유전상수, 안테나 패치 영역의 크기, 및 안테나 패치와 PCB의 에지 사이의 거리에 의존하게 된다.
전도체부는 금속판으로부터 펀칭(punching)함으로써 형성될 수도 있고 또는 에칭함으로써 형성될 수도 있다. 전도체부가 기본적으로 2 차원으로 도시되어 있다 하더라도, 이들은 임의의 2차원 또는 3차원 형상으로 이루어질 수 있다.
이동전화기에 사용될 때, 안테나의 능동부는 전화기의 하우징 벽의 내측에 근접하게 배열될 수도 있고, 또는 심지어 접착제등을 이용하여 상기에 고정 또는 부착될 수도 있다. 이러한 경우, 하우징 물질의 유전 특성 및 이들의 안테나 기능에 대한 영향을 고려해야 한다.
따라서, 4-대역 전화기에 사용될 수 있는 안테나 장치가 설명된다.

Claims (16)

  1. 저주파 대역에 동조되는 저대역부, 및
    상기 저주파 대역보다 높은 주파수의 제1 고주파 대역에 동조되는 제1 고대역부를 포함하는 다주파 대역 안테나로서,
    상기 저대역부와 제1 고대역부는:
    공통의 제1 접지점,
    안테나에 입력신호를 공급하고 안테나로부터 신호를 출력하는 공통 급전점, 및
    상기 저대역부와 제1 고대역부 부분을 형성하고, 제1 접지점과 공통 급전점에 전기접속되는 제1 전도체부를 가지며,
    상기 안테나는:
    제1 전도체부와 가변 리액턴스에 결합된 제2 고대역부를 포함하여, 상기 제2 고대역부가 제2 고주파 대역 또는 제3 고주파 대역 중 어느 하나로 선택적으로 동조될 수 있도록 하며, 상기 제2 및 제3 고주파 대역 각각은 상기 저주파 대역보다 높은 주파수에 있으며 상기 제1 고주파 대역과 상이한 것을 특징으로 하는, 다주파 대역 안테나.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 고대역부는 상기 제1 전도체부에 용량성으로 결합된 제2 전도체부를 포함하는 것을 특징으로 하는 다주파 대역 안테나.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 전도체부와 제2 전도체부는 각각 실질적으로 직선인 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 다주파 대역 안테나.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 전도체부는 제1 전도체부와 실질적으로 병렬로 배열되는 것을 특징으로 하는 다주파 대역 안테나.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 전도체부는 제2 고주파 대역의 주파수에서의 파장의 1/4에 거의 상응하는 길이에 걸쳐 상기 제1 전도체부와 실질적으로 병렬로 배열되는 것을 특징으로 하는 다주파 대역 안테나.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 저대역부 및 제1 고대역부 각각은 실질적으로 나선형으로 형성되며, 각각은 그 제1 측의 제1 전도체부로부터 분기되는 것을 특징으로 하는 다주파 대역 안테나.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제2 고대역부는 제1 측에 마주하는 상기 제1전도체부의 제2 측에 배열되는 것을 특징으로 하는 다주파 대역 안테나.
  8. 상기 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 저대역부와 제1 고대역부 각각은 전도성 물질의 실질적으로 직선 부분으로 형성된 나선을 포함하는 것을 특징으로 하는 다주파 대역 안테나.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 전도성 물질의 실질적으로 직선 부분의 연속적인 쌍이 실질적으로 직각으로 배열되는 것을 특징으로 하는 다주파 대역 안테나.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 안테나는 소정의 유전 특성을 가진 캐리어(carrier)상에 지지되는 것을 특징으로 하는 다주파 대역 안테나.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 고대역부는 안테나의 급전점에 근접하게 배열된 제2 접지점을 갖는 것을 특징으로 하는 다주파 대역 안테나.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가변 리액턴스는 하나 이상의 리액턴스 소자를 제2 고대역부와 접지 사이의 경로로 또는 상기 경로 외부로 스위칭하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 다주파 대역 안테나.
  13. 제 12 항에 있어서,
    제어신호를 수신하는 수단을 포함하며, 상기 리액턴스 소자는 제어신호에 따라 제2 고대역부와 접지 사이의 경로로 또는 상기 경로 외부로 스위칭되는 것을 특징으로 하는 다주파 대역 안테나.
  14. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가변 리액턴스는 제어신호를 수신하도록 접속되는 마이크로 일렉트로메카니컬 시스템(Micro ElectroMechanical System) 장치를 포함하며, 상기 제2 고대역부와 접지 사이의 경로의 리액턴스 값은 상기 제어신호에 의존하는 것을 특징으로 하는 다주파 대역 안테나.
  15. 상기 항 중 어느 한 항에 따른 안테나를 구비한 이동 통신 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    원하는 통신 모드를 검출하여, 그에 따라 제2 고대역부를 제2 고주파 대역또는 제3 고주파 대역으로 선택적으로 동조시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 이동 통신 장치.
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