CN204103033U - 天线辐射片、天线和移动终端 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种天线辐射片、天线和移动终端，天线包括：电路板；天线辐射片，天线辐射片上设有第一缝隙、第二缝隙、第一接地片、第二接地片和馈电片，第一缝隙和第二缝隙在天线辐射片上形成与第一接地片相连的第一倒F天线和与第二接地片相连的第二倒F天线，馈电片分别与第一倒F天线和第二倒F天线相连；天线频率重构系统，天线频率重构系统设在电路板上，天线频率重构系统分别与第一接地片和第二接地片相连且接地，天线频率重构系统切换第一接地片和第二接地片中的一个与地接通。根据本实用新型实施例的天线能够覆盖手机通话全频段，具有频段宽、辐射效率高、体积小、结构和工艺简单、性能可靠性等优点。

Description

天线辐射片、天线和移动终端
技术领域
本实用新型涉及无线通信领域，具体而言，涉及一种天线辐射片、天线和具有所述天线的移动终端。
背景技术
随着无线通信技术的发展，手机天线趋于小型化和多频段发展。为此，一些手机天线增设了天线频率重构系统(switching)，通过改变天线的形状，实现覆盖不同的频段。
相关技术中采用天线频率重构系统的天线，天线频率重构系统置于天线辐射体上，导致天线辐射体的结构和工艺复杂，不能一体成型、容易因二极管(PIN)和隔直电容故障而出现异常，且覆盖的频段较窄。
实用新型内容
本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种天线，该天线能够覆盖手机通话全频段，具有频段宽、辐射效率高、体积小、结构和工艺简单、性能可靠性等优点。
本实用新型的另一个目的在于提出一种具有所述天线的移动终端。
本实用新型的再一个目的在于提出一种具有频段宽、辐射效率高、体积小等优点的天线辐射片。
为实现上述目的，本实用新型的第一方面提出一种天线，所述天线包括：电路板；天线辐射片，所述天线辐射片上设有第一缝隙、第二缝隙、第一接地片、第二接地片和馈电片，所述第一缝隙和所述第二缝隙在所述天线辐射片上形成与所述第一接地片相连的第一倒F天线和与所述第二接地片相连的第二倒F天线，所述馈电片分别与所述第一倒F天线和所述第二倒F天线相连；天线频率重构系统，所述天线频率重构系统设在所述电路板上，所述天线频率重构系统分别与所述第一接地片和所述第二接地片相连且接地，所述天线频率重构系统切换所述第一接地片和所述第二接地片中的一个与地接通。
根据本实用新型的天线，通过在天线辐射片上设置第一缝隙和第二缝隙，可以在天线辐射片上形成所述第一倒F天线和所述第二倒F天线，且在天线辐射片上设置第一接地片和馈电片并进一步增设第二接地片，形成一个馈点和两个接地点，由此可以构成电调谐的双倒F天线(EDIFA)。通过所述天线频率重构系统控制第一接地片和第二接地片，以形成两种操作模式，实现全频段覆盖。并且，所述第一倒F天线和所述第二倒F天线共用一个天线辐射片，大幅减小了所述天线的体积，且所述天线频率重构系统通过控制第一接地片和第二接地片的通断实现频率重构，相比相关技术中控制馈点和天线辐射体的方式更加简单、实现更加容易、性能更加可靠。此外，所述天线频率重构系统设置在所述电路板上，由此可以大幅简化天线辐射片的结构和工艺，便于天线辐射片一体成型。
另外，根据本实用新型的天线还可以具有如下附加的技术特征：
所述天线辐射片包括：水平部，所述水平部在水平面内左右延伸，所述馈电片和所述第一接地片设在所述水平部的后边沿上；竖直部，所述竖直部在竖直面内左右延伸，所述竖直部的上沿与所述水平部的前沿相连，所述第二接地片设在所述竖直部的下沿上。由此不仅可以便于第一缝隙和第二缝隙在天线辐射片上形成所述第一倒F天线和所述第二倒F天线，而且便于第一接地片、第二接地片和馈电片的设置。
所述第一缝隙包括：第一水平前后段，所述第一水平前后段沿前后方向贯通所述水平部；第一竖直上下段，所述第一竖直上下段设在所述竖直部上且沿竖直方向延伸，所述第一竖直上下段的上端与所述第一水平前后段的前端相连；第一竖直左右段，所述第一竖直左右段设在所述竖直部上且沿左右方向延伸，所述第一竖直左右段的右端与所述第一竖直上下段的下端相连。由此可以在所述天线辐射片上形成所述第一倒F天线。
所述第二缝隙包括：第二水平前后段，所述第二水平前后段设在所述水平部上且沿前后方向延伸，所述第二水平前后段位于所述第一水平前后段左侧，所述第二水平前后段的后端贯通所述水平部的后沿；第二水平左右段，所述第二水平左右段设在所述水平部上且沿左右方向延伸，所述第二水平左右段的右端与所述第二水平前后段的前端相连。由此可以在所述辐射片上形成第二倒F天线，且隔离度高。
所述馈电片位于所述第二水平前后段和所述第一水平前后段之间，所述第一接地片位于所述第一水平前后段的右侧，所述馈电片和所述第一接地片分别从所述水平部的后沿向下延伸且下端分别朝向所述竖直部折弯。这样不仅可以便于天线辐射片与所述天线频率重构系统的连接，而且可以便于所述第一倒F天线单独工作。
所述第二接地片邻近所述竖直部的左端设置，所述第二接地片从所述竖直部的下沿向后延伸且进一步依次向上向后折弯。这样不仅可以便于天线辐射片与所述天线频率重构系统的连接，而且可以便于所述第二倒F天线单独工作。
所述水平部和所述竖直部的长度均为20-100毫米且厚度均为0.02-0.2毫米，所述水平部的宽度为1-20毫米，所述竖直部的宽度小于或等于10毫米。由此可以保证天线辐射片具有较小的体积，且不影响性能的可靠性。
所述第一水平前后段的左边沿与所述水平部的左沿之间的距离为41.4-51.4毫米，所述第一竖直左右段的上边沿与所述竖直部的上沿之间的距离为1.5-2.5毫米，所述第一竖直左右段的长度为21-22毫米，所述第一水平前后段、所述第一竖直上下段和所述第一竖直左右段的宽度均为1.1-2.1毫米。这样可以保证所述第一倒F天线的覆盖频段及信号传输效果。
所述第二水平前后段的左边沿与所述水平部的左沿之间的距离为38-39毫米，所述第二水平左右段的后边沿与所述水平部的后沿之间的距离为3.1-4.1毫米，所述第二水平左右段的长度为28.5-29.5毫米，所述第二水平前后段和所述第二水平左右段的宽度均为0.5-1.5毫米。由此可以保证所述第二倒F天线的覆盖频段及信号传输效果。
所述馈电片的长度为5-15毫米且宽度为1-7.5毫米，所述馈电片的左边沿与所述水平部的左沿之间的距离为42-45毫米，所述第一接地片的长度为5-15毫米且宽度为1-10毫米，所述第一接地片的右边沿与所述水平部的右沿之间的距离小于或等于12毫米。这样不仅可以保证馈电片和第一接地片的接入效果，而且可以便于所述第一倒F天线频段的覆盖。
所述第二接地片的长度为5-15毫米且宽度为1-10毫米，所述第二接地片的左边沿与所述竖直部的左沿之间的距离小于或等于1毫米。由此可以保证第二接地片的接入效果，且可以便于所述第二倒F天线频段的覆盖。
所述天线频率重构系统为二极管重构系统、单刀双掷重构系统或微电机重构系统。
所述天线频率重构系统为二极管重构系统，包括：第一控制点，所述第一控制点依次通过第一电阻、第一电感和第一隔直电容与所述第一接地片相连；第一分流电容，所述第一分流电容与所述第一电阻和所述第一电感之间的节点相连且接地；第一二极管，所述第一二极管与所述第一电感和所述第一隔直电容之间的节点相连且接地；第二控制点，所述第二控制点依次通过第二电阻、第二电感和第二隔直电容与所述第二接地片相连；第二分流电容，所述第二分流电容与所述第二电阻和所述第二电感之间的节点相连且接地；第二二极管，所述第二二极管与所述第二电感和所述第二隔直电容之间的节点相连且接地。由此可以实现切换第一接地片和第二接地片中的一个与地接通。
本实用新型的第二方面提出一种移动终端，所述移动终端包括根据本实用新型的第一方面所述的天线。
根据本实用新型的移动终端，通过利用根据本实用新型的第一方面所述的天线，具有使用范围广、通话效果好、体积小、结构和工艺简单、性能可靠等优点。
本实用新型的第三方面提出一种天线辐射片，所述天线辐射片上设有第一缝隙、第二缝隙、第一接地片、第二接地片和馈电片，所述第一缝隙和所述第二缝隙在所述天线辐射片上形成与所述第一接地片相连的第一倒F天线和与所述第二接地片相连的第二倒F天线，所述馈电片分别与所述第一倒F天线和所述第二倒F天线相连。
根据本实用新型的天线辐射片，能够覆盖全球手机通话的全频段，具有频段宽、辐射效率高、体积小等优点。
附图说明
图1是根据本实用新型实施例的天线的天线辐射片的立体结构示意图。
图2是根据本实用新型实施例的天线的的天线辐射片的俯视图。
图3是根据本实用新型实施例的天线的天线辐射片的主视图。
图4是根据本实用新型实施例的天线的天线辐射片的后视图。
图5是根据本实用新型实施例的天线的天线辐射片的展开平面图。
图6是根据本实用新型实施例的天线的天线频率重构系统的局部示意图。
图7是根据本实用新型实施例的天线的频率-服务频段曲线图。
图8是根据本实用新型实施例的天线的仿真的频率-回波损耗曲线图。
图9是第一接地片与地接通时根据本实用新型实施例的天线的仿真和测试的频率-回波损耗曲线图。
图10是第二接地片与地接通时根据本实用新型实施例的天线的仿真和测试的频率-回波损耗曲线图。
图11和图12是根据本实用新型实施例的天线的仿真和测试的频率-效率曲线图。
附图标记：天线辐射片10、水平部11、竖直部12、水平部11的左沿13、竖直部12的上沿14、水平部11的后沿15、水平部11的右沿16、竖直部12的左沿17、第一缝隙20、第一水平前后段21、第一竖直上下段22、第一竖直左右段23、第一水平前后段21的左边沿24、第一竖直左右段23的上边沿25、第二缝隙30、第二水平前后段31、第二水平左右段32、第二水平前后段31的左边沿33、第二水平左右段32的后边沿34、第一接地片40、第一接地片40的右边沿41、第二接地片50、第二接地片50的左边沿51、馈电片60、馈电片60的左边沿61、第一控制点71、第一电阻72、第一电感73、第一隔直电容74、第一分流电容75、第一二极管76、第二控制点81、第二电阻82、第二电感83、第二隔直电容84、第二分流电容85、第二二极管86。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
下面参考附图描述根据本实用新型实施例的天线。
如图1-图12所示，根据本实用新型实施例的天线包括电路板(图中未示出)、天线辐射片10和天线频率重构系统。
天线辐射片10上设有第一缝隙20、第二缝隙30、第一接地片40、第二接地片50和馈电片60。第一缝隙20和第二缝隙30在天线辐射片10上形成第一倒F天线和第二倒F天线。所述第一倒F天线与第一接地片40相连，所述第二倒F天线与第二接地片50相连，馈电片60分别与所述第一倒F天线和所述第二倒F天线相连。
所述天线频率重构系统设在所述电路板(PCB)上，所述天线频率重构系统分别与第一接地片40和第二接地片50相连且所述天线频率重构系统接地。所述天线频率重构系统切换第一接地片40和第二接地片50中的一个与地接通。
根据本实用新型实施例的天线，通过在天线辐射片10上设置第一缝隙20和第二缝隙30，可以在天线辐射片10上形成所述第一倒F天线和所述第二倒F天线，且在天线辐射片10上设置第一接地片40和馈电片60并进一步增设第二接地片50，形成一个馈点和两个接地点，由此可以构成电调谐的双倒F天线(EDIFA)。通过所述天线频率重构系统控制第一接地片40和第二接地片50，以形成两种操作模式，实现全频段覆盖，解决相关技术中的五频3G(第三代手机通信技术规格)天线无法覆盖LTE的低频部分的问题，且辐射效率高。
具体而言，如图7和图8所示，当所述天线频率重构系统控制第一接地片40与地接通时，第一接地片40与馈电片60作用，所述第一倒F天线构成PIFA天线(平面倒F天线)，可以产生LTE的低频、DCS(数字蜂窝系统)/PCS(美国数字移动通信系统)/UMTS(全球移动通信系统)和LTE(长期演进)高频。当所述天线频率重构系统控制第二接地片50与地接通时，第二接地片50与馈电片60作用，所述第二倒F天线构成PIFA天线，可以产生GSM(第二代移动电话系统)/CDMA(码分多址)的2G(第二代手机通信技术规格)的频段。由此可以通过两种操作模式的切换控制两个接地片的通断，实现覆盖LTE的低频、GSM/CDMA、DCS/PCS/UMTS以及LTE的高频，从而覆盖全球手机通话的全频段。
通过仿真表面电流可以得出：在第一接地片40与地接通的模式下，即馈电片60和第一接地片40工作的模式，谐振在765MHz的天线长度为四分之一个波长处，并且在天线辐射片10分支的末端有强的电场。在第二接地片50与地接通的模式下，即馈电片60和第二接地片50工作的模式，谐振在947MHz的天线表面电流图，在天线辐射片10分支的末端有强的电场。由此，可以通过两个接地片的切换来实现低频的切换。
根据本实用新型实施例的天线可以通过所述天线频率重构系统的调节，覆盖目前全世界的手机4G(第四代手机通信技术规格)天线频段，包括LTE/GSM/CDMA/UMTS频段，在-6dB以下的频率覆盖范围为：低频从699-1000MHz，高频从1710-2690MHz,共17个频段。
并且，所述第一倒F天线和所述第二倒F天线共用一个天线辐射片10，大幅减小了所述天线的体积，且所述天线频率重构系统通过控制第一接地片40和第二接地片50的通断实现频率重构，相比相关技术中控制馈点和天线辐射体的方式更加简单、实现更加容易、性能更加可靠。
此外，所述天线频率重构系统设置在所述电路板上，由此可以大幅简化天线辐射片10的结构和工艺，便于天线辐射片10一体成型。
因此，根据本实用新型实施例的天线能够覆盖手机通话全频段，具有频段宽、辐射效率高、体积小、结构和工艺简单、性能可靠性等优点。
下面参考附图描述根据本实用新型具体实施例的天线。
在本实用新型的一些具体实施例中，如图1-图6所示，根据本实用新型实施例的天线包括电路板(图中未示出)、天线辐射片10和天线频率重构系统。
其中，天线辐射片10包括一体形成的水平部11和竖直部12。水平部11在水平面内左右延伸(左右方向如图1-图4中的箭头C所示)，馈电片60和第一接地片40设在水平部11的后边沿上(前后方向如图1和图2中的箭头B所示)。竖直部12在竖直面内左右延伸，竖直部12的上沿与水平部11的前沿相连(上下方向如图1、图3和图4中的箭头A所示)，第二接地片50设在竖直部12的下沿上。换言之，天线辐射片10的横截面为L形。由此不仅可以便于第一缝隙20和第二缝隙30在天线辐射片10上形成所述第一倒F天线和所述第二倒F天线，而且便于第一接地片40、第二接地片50和馈电片60的设置。
在本实用新型的一些具体示例中，如图1-图5所示，第一缝隙20包括第一水平前后段21、第一竖直上下段22和第一竖直左右段23。
第一水平前后段21段沿前后方向贯通水平部11。第一竖直上下段22设在竖直部12上且沿竖直方向延伸，第一竖直上下段22的上端与第一水平前后段21的前端相连。第一竖直左右段23设在竖直部12上且沿左右方向延伸，第一竖直左右段23的右端与第一竖直上下段22的下端相连。
如图1、图2和图5所示，第二缝隙30包括第二水平前后段31和第二水平左右段32。
第二水平前后段31设在水平部11上且沿前后方向延伸，第二水平前后段31位于第一水平前后段21左侧，第二水平前后段31的后端贯通水平部11的后沿。第二水平左右段32设在水平部11上且沿左右方向延伸，第二水平左右段32的右端与第二水平前后段31的前端相连。
图5示出了天线辐射片10展开后的平面图，其中虚线为天线辐射片10的90度折弯处。天线辐射片10展开后呈现的第一缝隙20和第二缝隙30均为L形，且第一缝隙20和第二缝隙30的各肢对应平行。由此，第一缝隙20和第二缝隙30可以在天线辐射片10上形成末端走向相反的所述第一倒F天线和所述第二倒F天线，从而可以提高所述第一倒F天线和所述第二倒F天线的隔离度，且天线辐射片10的结构简单、加工容易、体积较小。
本领域的技术人员需要理解地是，所述第一倒F天线和所述第二倒F天线有重叠的部分，即天线辐射片10上的一部分既构成所述第一倒F天线，也构成所述第二倒F天线。具体如图5所示，第一缝隙20和第二缝隙30在天线辐射片10上大体形成三个分肢，中部的分肢既可以构成所述第一倒F天线的一部分，也可以构成所述第二倒F天线的一部分。
在本实用新型的一些具体实施例中，馈电片60、第一接地片40和第二接地片50均为金属片，其中馈电片60内接入有射频电缆线(RF cable)。
如图1和图3-图5所示，馈电片60位于第二水平前后段31和第一水平前后段21之间，第一接地片40位于第一水平前后段21的右侧。馈电片60和第一接地片40分别从水平部11的后沿向下延伸，且馈电片60和第一接地片40的下端分别朝向竖直部12直角折弯。当第一接地片40与地接通时，右部和中部的分肢构成的所述第一倒F天线工作。
如图1、图4和图5所示，第二接地片50邻近竖直部12的左端设置，第二接地片50从竖直部12的下沿向后延伸，且第二接地片50的后端进一步依次向上向后折弯。当第二接地片50与地接通时，左右和中部的分肢构成的所述第二倒F天线工作。
通过在水平部11和竖直部12上合理布置第一接地片40、第二接地片50和馈电片60，不仅可以便于天线辐射片10与所述天线频率重构系统的连接，而且可以便于所述第一倒F天线和所述第二倒F天线的单独工作。
下面描述根据本实用新型具体实施例的天线辐射片10的具体尺寸。
在本实用新型的一些具体示例中，水平部11和竖直部12的长度均为20-100毫米且厚度均为0.02-0.2毫米，水平部11的宽度为1-20毫米，竖直部12的宽度小于或等于10毫米。优选地，水平部11和竖直部12的长度均为62毫米且厚度均为0.05毫米，水平部11的宽度为8.1毫米，竖直部12的宽度为5.3毫米。换言之，天线辐射片10展开后为长方体形，其长度为62毫米、宽度为13.4毫米、厚度为0.05毫米。由此可以保证天线辐射片10具有较小的体积，且不影响性能的可靠性。
可选地，第一水平前后段21的左边沿24与水平部11的左沿13之间的距离为41.4-51.4毫米，第一竖直左右段23的上边沿25与竖直部12的上沿14之间的距离为1.5-2.5毫米，第一竖直左右段23的长度为21-22毫米。第一水平前后段21、第一竖直上下段22和第一竖直左右段23的宽度均为1.1-2.1毫米。优选地，第一水平前后段21的左边沿24与水平部11的左沿13之间的距离为46.4毫米，第一竖直左右段23的上边沿25与竖直部12的上沿14之间的距离为2毫米，第一竖直左右段23的长度为21.4毫米。第一水平前后段21、第一竖直上下段22和第一竖直左右段23的宽度均为1.6毫米，即第一缝隙20各段的宽度一致，均为1.6毫米。这样可以保证所述第一倒F天线的覆盖频段及信号传输效果。
第二水平前后段31的左边沿33与水平部11的左沿13之间的距离为38-39毫米，第二水平左右段32的后边沿34与水平部11的后沿15之间的距离为3.1-4.1毫米，第二水平左右段32的长度为28.5-29.5毫米。第二水平前后段31和第二水平左右段32的宽度均为0.5-1.5毫米。优选地，第二水平前后段31的左边沿33与水平部11的左沿13之间的距离为38.4毫米，第二水平左右段32的后边沿34与水平部11的后沿15之间的距离为3.6毫米，第二水平左右段32的长度为29毫米。第二水平前后段31和第二水平左右段32的宽度均为1毫米，即第二缝隙30各段的宽度一致，均为1毫米。由此可以保证所述第二倒F天线的覆盖频段及信号传输效果。
有利地，馈电片60的长度为5-15毫米且宽度为1-7.5毫米，馈电片60的左边沿61与水平部11的左沿13之间的距离为42-45毫米。第一接地片40的长度为5-15毫米且宽度为1-10毫米，第一接地片40的右边沿41与水平部11的右沿16之间的距离小于或等于12毫米。优选地，馈电片60的长度为7.5毫米且宽度为2.4毫米，馈电片60的左边沿61与水平部11的左沿13之间的距离为42.7毫米。第一接地片40的长度为7.5毫米且宽度为2.4毫米，第一接地片40的右边沿41与水平部11的右沿16之间的距离为9.7毫米。这样不仅可以保证馈电片60和第一接地片40的接入效果，而且可以便于所述第一倒F天线频段的覆盖。
第二接地片50的长度为5-15毫米且宽度为1-10毫米，第二接地片50的左边沿51与竖直部12的左沿17之间的距离小于或等于1毫米。优选地，第二接地片50的长度为8.3毫米且宽度为1.2毫米，第二接地片50的左边沿51与竖直部12的左沿17之间的距离为0.5毫米。由此可以保证第二接地片50的接入效果，且可以便于所述第二倒F天线频段的覆盖。
在本实用新型的具体实施例中，对所述天线频率重构系统的具体结构不作具体限定，所述天线频率重构系统可以为任何可以实现切换第一接地片40和第二接地片50中的一个与地接通的重构系统。例如，二极管重构系统(PIN-DIODE)、单刀双掷重构系统(SPDT)或微电机重构系统(MEMS)。
下面以二极管重构系统为例，描述根据本实用新型实施例的天线的天线频率重构系统的具体结构。
如图6所示，所述天线频率重构系统包括第一控制点71、第一电阻72、第一电感73、第一隔直电容74、第一分流电容75、第一二极管76、第二控制点81、第二电阻82、第二电感83、第二隔直电容84、第二分流电容85和第二二极管86。
第一控制点71依次通过第一电阻72、第一电感73和第一隔直电容74与第一接地片40相连。第一分流电容75与第一电阻72和第一电感73之间的节点相连且第一分流电容75接地。第一二极管76与第一电感73和第一隔直电容74之间的节点相连且第一二极管76接地。第二控制点81依次通过第二电阻82、第二电感83和第二隔直电容84与第二接地片50相连。第二分流电容85与第二电阻82和第二电感83之间的节点相连且第二分流电容85接地。第二二极管86与第二电感83和第二隔直电容84之间的节点相连且第二二极管86接地。
在所述天线频率重构系统的电路中，由一个纽扣电池提供3V的偏执电压，利用第一电阻72和第二电阻82来控制偏置电流，利用第一隔直电容74和第二隔直电容84来隔直流，用第一电感73和第二电感83来隔离射频信号，第一分流电容75和第二分流电容85用来分流。由此可以通过向第一控制点71和第二控制点81施加高低电平，实现切换第一接地片40和第二接地片50中的一个与地接通。
具体而言，第一电阻72和第二电阻82均为300欧姆。第一隔直电容74、第一隔直电容74、第一分流电容75和第二分流电容85均为100皮法。第一电感73和第二电感83均为100纳亨。第一二极管76和第二二极管86在10毫安电流的作用下的最大阻值均为0.5欧姆。这样可以保证所述频率重构系统对第一接地片40和第二接地片50控制的准确性和可靠性。
根据本实用新型实施例的天线，能够实现覆盖LTE的低频、GSM/CDMA、DCS/PCS/UMTS以及LTE的高频，且具有较高的辐射率和效率。如图9-图12所示，通过仿真和实验室测试数据可以得出，根据本实用新型实施例的天线的实际测试总辐射效率远高于国标要求，天线辐射效率越高，通话效果越好。LTE低频和2G的效率范围55.2％-80.6％，高于国标39.8％，3G和LTE的高频效率高范围43.8％-72.3％，高于国标要求39.8％。
下面描述根据本实用新型实施例移动终端。所述移动终端包括根据本实用新型上述实施例的天线。
根据本实用新型实施例的移动终端，通过利用根据本实用新型上述实施例的天线，具有使用范围广、通话效果好、体积小、结构和工艺简单、性能可靠等优点。
具体地，所述移动终端可以为手机、平板电脑。
根据本实用新型实施例的移动终端的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (15)

1.一种天线，其特征在于，包括：
电路板；
天线辐射片，所述天线辐射片上设有第一缝隙、第二缝隙、第一接地片、第二接地片和馈电片，所述第一缝隙和所述第二缝隙在所述天线辐射片上形成与所述第一接地片相连的第一倒F天线和与所述第二接地片相连的第二倒F天线，所述馈电片分别与所述第一倒F天线和所述第二倒F天线相连；
天线频率重构系统，所述天线频率重构系统设在所述电路板上，所述天线频率重构系统分别与所述第一接地片和所述第二接地片相连且接地，所述天线频率重构系统切换所述第一接地片和所述第二接地片中的一个与地接通。
2.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述天线辐射片包括：
水平部，所述水平部在水平面内左右延伸，所述馈电片和所述第一接地片设在所述水平部的后边沿上；
竖直部，所述竖直部在竖直面内左右延伸，所述竖直部的上沿与所述水平部的前沿相连，所述第二接地片设在所述竖直部的下沿上。
3.根据权利要求2所述的天线，其特征在于，所述第一缝隙包括：
第一水平前后段，所述第一水平前后段沿前后方向贯通所述水平部；
第一竖直上下段，所述第一竖直上下段设在所述竖直部上且沿竖直方向延伸，所述第一竖直上下段的上端与所述第一水平前后段的前端相连；
第一竖直左右段，所述第一竖直左右段设在所述竖直部上且沿左右方向延伸，所述第一竖直左右段的右端与所述第一竖直上下段的下端相连。
4.根据权利要求3所述的天线，其特征在于，所述第二缝隙包括：
第二水平前后段，所述第二水平前后段设在所述水平部上且沿前后方向延伸，所述第二水平前后段位于所述第一水平前后段左侧，所述第二水平前后段的后端贯通所述水平部的后沿；
第二水平左右段，所述第二水平左右段设在所述水平部上且沿左右方向延伸，所述第二水平左右段的右端与所述第二水平前后段的前端相连。
5.根据权利要求4所述的天线，其特征在于，所述馈电片位于所述第二水平前后段和所述第一水平前后段之间，所述第一接地片位于所述第一水平前后段的右侧，所述馈电片和所述第一接地片分别从所述水平部的后沿向下延伸且下端分别朝向所述竖直部折弯。
6.根据权利要求5所述的天线，其特征在于，所述第二接地片邻近所述竖直部的左端设置，所述第二接地片从所述竖直部的下沿向后延伸且进一步依次向上向后折弯。
7.根据权利要求6所述的天线，其特征在于，所述水平部和所述竖直部的长度均为20-100毫米且厚度均为0.02-0.2毫米，所述水平部的宽度为1-20毫米，所述竖直部的宽度小于或等于10毫米。
8.根据权利要求7所述的天线，其特征在于，所述第一水平前后段的左边沿与所述水平部的左沿之间的距离为41.4-51.4毫米，所述第一竖直左右段的上边沿与所述竖直部的上沿之间的距离为1.5-2.5毫米，所述第一竖直左右段的长度为21-22毫米，所述第一水平前后段、所述第一竖直上下段和所述第一竖直左右段的宽度均为1.1-2.1毫米。
9.根据权利要求7所述的天线，其特征在于，所述第二水平前后段的左边沿与所述水平部的左沿之间的距离为38-39毫米，所述第二水平左右段的后边沿与所述水平部的后沿之间的距离为3.1-4.1毫米，所述第二水平左右段的长度为28.5-29.5毫米，所述第二水平前后段和所述第二水平左右段的宽度均为0.5-1.5毫米。
10.根据权利要求7所述的天线，其特征在于，所述馈电片的长度为5-15毫米且宽度为1-7.5毫米，所述馈电片的左边沿与所述水平部的左沿之间的距离为42-45毫米，所述第一接地片的长度为5-15毫米且宽度为1-10毫米，所述第一接地片的右边沿与所述水平部的右沿之间的距离小于或等于12毫米。
11.根据权利要求7所述的天线，其特征在于，所述第二接地片的长度为5-15毫米且宽度为1-10毫米，所述第二接地片的左边沿与所述竖直部的左沿之间的距离小于或等于1毫米。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的天线，其特征在于，所述天线频率重构系统为二极管重构系统、单刀双掷重构系统或微电机重构系统。
13.根据权利要求12所述的天线，其特征在于，所述天线频率重构系统为二极管重构系统，包括：
第一控制点，所述第一控制点依次通过第一电阻、第一电感和第一隔直电容与所述第一接地片相连；
第一分流电容，所述第一分流电容与所述第一电阻和所述第一电感之间的节点相连且接地；
第一二极管，所述第一二极管与所述第一电感和所述第一隔直电容之间的节点相连且接地；
第二控制点，所述第二控制点依次通过第二电阻、第二电感和第二隔直电容与所述第二接地片相连；
第二分流电容，所述第二分流电容与所述第二电阻和所述第二电感之间的节点相连且接地；
第二二极管，所述第二二极管与所述第二电感和所述第二隔直电容之间的节点相连且接地。
14.一种移动终端，其特征在于，包括根据权利要求1-13中任一项所述的天线。
15.一种天线辐射片，其特征在于，所述天线辐射片上设有第一缝隙、第二缝隙、第一接地片、第二接地片和馈电片，所述第一缝隙和所述第二缝隙在所述天线辐射片上形成与所述第一接地片相连的第一倒F天线和与所述第二接地片相连的第二倒F天线，所述馈电片分别与所述第一倒F天线和所述第二倒F天线相连。
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