TWI431849B - 行動通訊裝置 - Google Patents

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TWI431849B
TWI431849B TW099111008A TW99111008A TWI431849B TW I431849 B TWI431849 B TW I431849B TW 099111008 A TW099111008 A TW 099111008A TW 99111008 A TW99111008 A TW 99111008A TW I431849 B TWI431849 B TW I431849B
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Kin Lu Wong
Ming Fang Tu
Chun Yih Wu
Wei Yu Li
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Ind Tech Res Inst
Univ Nat Sun Yat Sen
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Description

行動通訊裝置
發明所屬技術領域係關於一行動通訊裝置，係有關於一操作頻寬涵蓋多頻段之行動通訊裝置。
基於行動通訊使用者對於快速及便利的需求，具有超高傳輸速度與超大傳輸範圍之行動通訊技術「長期演進」(Long Term Evolution，簡稱LTE)系統也隨之誕生。LTE系統可以達成比現有GSM/UMTS系統更高速的資料無線上傳與下載能力，因此可以提供給使用者更佳的行動寬頻以及多媒體服務。因此，為了發展具有LTE技術並相容於現有GSM/UMTS技術之小型化行動通訊裝置，操作頻寬能同時涵蓋LTE/GSM/UMTS系統多頻段操作之小型化寬頻天線已成為相當熱門且重要的研發方向。然而要在有限的狹小手機空間內，成功設計單一內藏式天線能涵蓋未來LTE/GSM/UMTS系統寬頻且多頻操作之頻寬需求(698~960MHz及1710~2690MHz)，是一項非常不容易突破的挑戰。綜觀現行行動通訊裝置天線之操作頻寬，大多無法同時滿足LTE/GSM/UMTS系統寬頻且多頻操作之所需。例如台灣專利公告號第I295517號“一種內藏式多頻 天線”，其天線機制為利用一開迴圈天線並額外寄生一單極天線來合成寬頻之架構，其頻寬表現上能滿足GSM900/1800/1900/UMTS之四頻操作。此外對於小型化行動通訊裝置來說，使用寄生元件提供額外的共振路徑，以產生新的共振模態來增加天線操作頻寬的技術，也會同時增加天線的尺寸。
為了解決上述先前技術之問題，以實施範例揭露一行動通訊裝置，其具有一可多頻且寬頻操作之短路單極天線。該天線之輻射金屬部提供該天線一共振路徑，並配合一長電感性短路金屬部的設計，使該天線可產生二個寬頻操作頻帶。其阻抗頻寬可達成LTE/GSM/UMTS系統寬頻且多頻操作之需求。
根據一實施例，一行動通訊裝置具有一接地面及一天線。該天線位於一介質基板上，包含：一輻射金屬部、一耦合金屬部及一電感性短路金屬部。該輻射金屬部提供該天線一共振路徑，使該天線產生一第一操作頻帶和一第二操作頻帶。該耦合金屬部與該輻射金屬部形成一第一耦合部分，該耦合金屬部並電氣連接至一連接金屬線，該連接金屬線之一端則電氣連接至一訊號源，藉由該第一耦合部分將電磁能量耦合至該輻射金屬部。該電感性短路金屬部 長度至少為該輻射金屬部之二分之一長度，其一端電氣連接至該輻射金屬部，另一端電氣連接至該接地面，且該電感性短路金屬部具有一第一部分區間與該輻射金屬部形成一第二耦合部分，以及一第二部分區間與該耦合金屬部形成一第三耦合部分。
圖1揭露一實施例行動通訊裝置1之結構示意圖，具有一接地面11及一天線20。該接地面11具有一接地點111。該天線20係以印刷、蝕刻或射出成形技術形成於一介質基板12之一表面上，並包含：一輻射金屬部13、一耦合金屬部14、及一電感性短路金屬部16。該輻射金屬部13與該耦合金屬部14之間形成具有一耦合間隙151之一第一耦合部分15。該耦合金屬部14並電氣連接至一連接金屬線17，該連接金屬線17之一端171電氣連接至一訊號源(圖未示)。該電感性短路金屬部16之一端電氣連接至該輻射金屬部13，另一端則電氣連接至該接地面11之接地點111。且該電感性短路金屬部16具有一第一部分區間161與該輻射金屬部13之間具有一耦合間隙181，形成一第二耦合部分18，以及一第二部分區間162與該耦合金屬部14之間具有一耦合間隙191，形成一第三耦合部分19。
圖2為圖1之行動通訊裝置1之實測返回損失圖，其中選擇下列尺寸進行實驗：該接地面11長度約為100mm，寬度約為45mm；該介質基板12高度約為15mm，寬度約為45mm，厚度約為0.8mm；該輻射金屬部13長度約為45mm，寬度約為3mm，其長度少於該天線第一操作頻帶21之最低操作頻率698MHz之六分之一波長；該耦合金屬部14長度約為22mm，寬度約為3mm，其長度約為該輻射金屬部13之二分之一長度，該耦合金屬部14之長度亦可縮短，但一般需約為該輻射金屬部13之三分之一長度以上，使得該第一操作頻帶21具有足夠之頻寬；該耦合金屬部14與該輻射金屬部13之耦合間隙151之距離約為1mm，該耦合間隙151之距離不超過(亦即小於或等於)該第一操作頻帶21之最低操作頻率之百分之一波長，以提供足夠的電容性耦合量；該電感性短路金屬部16長度約為37mm，該長度亦可縮短，但一般需約為該輻射金屬部13之二分之一長度，以提供高電感量，使得該輻射金屬部13之多個高階模態被有效地降頻；電感性短路金屬部16寬度約為0.5mm，較小之寬度可以縮短該電感性短路金屬部16之長度，獲得較小之天線尺寸，並提供高電感量；該電感性短路金屬部16之第一部分區間161與該輻射金屬部13之耦合間隙181之距離約 為1mm，該耦合間隙181之距離不超過該第一操作頻帶21之最低操作頻率之百分之一波長，以提供足夠的電容性耦合量，該第一部分區間161長度約為20mm，該第一部分區間161長度一般需約為該輻射金屬部13之五分之一長度以上，讓該第二耦合部分18形成足夠的電容性耦合量，使得輻射金屬部13可以形成較為均勻的表面電流分佈，以增加天線共振模態之頻寬；該電感性短路金屬部16之第二部分區間162與該耦合金屬部14之耦合間隙191之距離約為1mm，來形成電容性耦合，以調整天線阻抗匹配，有效增加天線操作頻寬，該耦合間隙191之距離不超過該第一操作頻帶21之最低操作頻率之百分之一波長；該連接金屬線17長度約為8.5mm，寬度約為1.5mm。由實驗結果，在6dB返回損失的定義之下(行動通訊裝置天線設計規範)，該第一操作頻帶21可涵蓋LTE700/GSM850/GSM900(698~960MHz)之三頻操作，該第二操作頻帶22則可涵蓋GSM1800/GSM1900/UMTS/LTE2300/LTE2500(1710~2690MHz)之五頻操作，因此該天線可滿足LTE/GSM/UMTS之八頻操作需求。
圖3顯示一實施例行動通訊裝置2之示意圖。行動通訊裝置2具有一接地面11及一天線20。該接地面11具有一接地點111。該天線20包含輻射金屬部13、耦合金 屬部14、及電感性短路金屬部26。輻射金屬部13與該耦合金屬部14之間形成具有一耦合間隙251之一第一耦合部分25。該耦合金屬部14並電氣連接至連接金屬線17，該連接金屬線17之一端171電氣連接至一訊號源(圖未示)。該電感性短路金屬部26之一端電氣連接至該輻射金屬部13，另一端則電氣連接至該接地面11之接地點111。該電感性短路金屬部26具有一第一部分區間261與該輻射金屬部13之間形成具有一耦合間隙281之一第二耦合部分28，以及一第二部分區間262與該耦合金屬部14之間形成具有一耦合間隙291之一第三耦合部分29。行動通訊裝置2相較於行動通訊裝置1，其主要差異在於該輻射金屬部13與該耦合金屬部14分別位於該介質基板12之兩相對應之表面上，並以該輻射金屬部13與該耦合金屬部14相互重疊之部分為一耦合區域，該介質基板12之厚度為一耦合間隙251形成一第一耦合部分25。然而該第一耦合部分25也能等效提供如同該行動通訊裝置1之第一耦合部分15之電容性耦合效果。因此該行動通訊裝置2也可以得到與圖1之行動通訊裝置1相似的功能。
圖4顯示一實施例行動通訊裝置3之示意圖。行動通訊裝置3具有一接地面11及一天線20。該接地面11具有一接地點111。該天線20包含輻射金屬部13、耦合金 屬部14、及電感性短路金屬部36。輻射金屬部13與該耦合金屬部14之間形成具有一耦合間隙151之一第一耦合部分15。該耦合金屬部14並電氣連接至連接金屬線17，該連接金屬線17之一端171電氣連接至一訊號源(圖未示)。該電感性短路金屬部36之一端電氣連接至該輻射金屬部13，另一端則電氣連接至該接地面11之接地點111，並具有一晶片電感50。該電感性短路金屬部36具有一第一部分區間361與該輻射金屬部13之間形成具有一耦合間隙381之一第二耦合部分38，以及一第二部分區間362與該耦合金屬部14形成具有一耦合間隙391之一第三耦合部分39。行動通訊裝置3與行動通訊裝置1之主要差異在於其電感性短路金屬部36具有一晶片電感50，藉由其提供之電感量，可有效地縮短該電感性短路金屬部36之長度。然而該第二耦合部分38、第三耦合部分39也能等效提供如同該圖1之行動通訊裝置1之第二耦合部分18、第三耦合部分19之耦合效果。因此該行動通訊裝置3也可以得到與圖1之行動通訊裝置1相似的功能。
圖5為另一實施例行動通訊裝置4之結構示意圖。行動通訊裝置4具有一接地面11及一天線20。該接地面11具有一接地點111。該天線20包含輻射金屬部13、耦合金屬部14、及電感性短路金屬部46。輻射金屬部13與該 耦合金屬部14之間形成具有一耦合間隙151之一第一耦合部分15。該耦合金屬部14並電氣連接至連接金屬線17，該連接金屬線17之一端171電氣連接至一訊號源(圖未示)。該電感性短路金屬部46之一端電氣連接至該輻射金屬部13，另一端則電氣連接至該接地面11之接地點111。該電感性短路金屬部46之一第一部分區間461與該輻射金屬部13之間，具有一金屬片483以及耦合間隙481、耦合間隙482，形成一第二耦合部分48，另一第二部分區間462與該耦合金屬部14具有一耦合間隙491形成一第三耦合部分49。行動通訊裝置4與行動通訊裝置1之主要差異在於該電感性短路金屬部46之第一部分區間461與該輻射金屬部13所形成第二耦合部分48耦合方式的不同，然而該第二耦合部分48也能等效提供如同該行動通訊裝置1之第二耦合部分18之耦合效果。因此該行動通訊裝置4也可以得到與圖1之行動通訊裝置1相似的功能。
圖6為圖5行動通訊裝置4之實測返回損失圖，其中選擇下列尺寸進行實驗：該接地面11長度約為100mm，寬度約為45mm；該介質基板12高度約為15mm，寬度約為45mm，厚度約為0.8mm；該輻射金屬部13長度約為45mm，寬度約為3mm，其長度少於該天線第一操作 頻帶61之最低操作頻率698MHz之六分之一波長；耦合金屬部14長度約為22mm，寬度約為3mm，其長度約為該輻射金屬部13之二分之一長度，該耦合金屬部14之長度亦可縮短，但仍至少需約為該輻射金屬部13之三分之一長度以上，使得該第一操作頻帶61具有足夠之頻寬；該耦合金屬部14與該輻射金屬13之耦合間隙151之距離約為1mm，該耦合間隙151之距離不超過該第一操作頻帶61之最低操作頻率之百分之一波長；該電感性短路金屬部46長度約為37mm，該長度亦可縮短，但一般需約為該輻射金屬部13之二分之一長度以上，以提供高電感量，使得該輻射金屬部之多個高階模態被有效地降頻；該電感性短路金屬部46寬度約為0.5mm，較小之寬度可以縮短該電感性短路金屬部46之長度，獲得較小之天線尺寸，並提供高電感量；該電感性短路金屬部46之第一部分區間461與該輻射金屬部13之間，藉由置入一長度20mm、寬度2mm之金屬片483來形成耦合間隙481以及耦合間隙482，該耦合間隙481與耦合間隙482之距離均約為1mm，以提供足夠的電容性耦合量形成第二耦合部分48，該耦合間隙481與耦合間隙482之距離均不超過該第一操作頻帶61之最低操作頻率之百分之一波長；該第一部分區間461長度約為20mm，該第一部分區間 461長度一般需約為該輻射金屬部13之五分之一長度以上，來使得輻射金屬部13可以形成較為均勻的表面電流分佈，以增加天線共振模態之頻寬；該電感性短路金屬部46之第二部分區間462與該耦合金屬部14之耦合間隙491之距離約為1mm，該耦合間隙491之距離不超過該第一操作頻帶61之最低操作頻率之百分之一波長，來形成第三耦合部分49，可調整天線阻抗匹配；該連接金屬線17長度約為8.5mm，寬度約為1.5mm。由實驗結果，在6dB返回損失的定義之下(行動通訊裝置天線設計規範)，該第一操作頻帶61可涵蓋LTE700/GSM850/GSM900(698~960MHz)之三頻操作，該第二操作頻帶62則可涵蓋GSM1800/GSM1900/UMTS/LTE2300/LTE2500(1710~2690MHz)之五頻操作，因此可滿足LTE/GSM/UMTS之八頻操作需求。
圖7為一實施例行動通訊裝置5之示意圖。行動通訊裝置5具有一接地面11及一天線20。該接地面11具有一接地點111。該天線20包含輻射金屬部13、耦合金屬部14、及電感性短路金屬部56。輻射金屬部13與該耦合金屬部14之間具有一耦合間隙151形成一第一耦合部分15。該耦合金屬部14並電氣連接至連接金屬線17，該連接金屬線17之一端171電氣連接至一訊號源(圖未示)。該電感性短路金屬部56之一端電氣連接至該輻射金屬部 13，另一端則電氣連接至該接地面11之接地點111。且該電感性短路金屬部56之第一部分區間561與該輻射金屬部13具有一耦合間距隙581，形成一第二耦合部分58，另一第二部分區間562與該耦合金屬部14之間具有一金屬片593形成耦合間隙591以及耦合間隙592，形成一第三耦合部分59。行動通訊裝置5與行動通訊裝置1之主要差異在於該電感性短路金屬部56之第二部分區間562與該耦合金屬部14所形成第三耦合部分59方式的不同，然而該第三耦合部分59也能等效提供如同該行動通訊裝置1之第三耦合部分19之耦合效果。因此該行動通訊裝置5也可以得到與圖1之行動通訊裝置1相似的功能。
圖8為圖7行動通訊裝置5之實測返回損失圖，其中選擇下列尺寸進行實驗：該接地面11長度約為100mm，寬度約為45mm；該介質基板12高度約為15mm，寬度約為45mm，厚度約為0.8mm；該輻射金屬部13長度約為45mm，寬度約為3mm，其長度少於該天線第一操作頻帶81之最低操作頻率698MHz之六分之一波長；該耦合金屬部14長度約為22mm，寬度約為3mm，其長度約為該輻射金屬部13之二分之一長度，該耦合金屬部14之長度亦可縮短，但仍至少需約為該輻射金屬部13之三分之一長度以上，使得該第一操作頻帶具有足夠之頻寬； 該耦合金屬部14與該輻射金屬13之耦合間隙151之距離約為1mm，該耦合間隙151之距離不超過該第一操作頻帶81之最低操作頻率之百分之一波長；該電感性短路金屬部56長度約為37mm，該長度亦可縮短，但一般需約為該輻射金屬部13之二分之一長度以上，以提供高電感量，使得該輻射金屬部之多個高階模態被有效地降頻；電感性短路金屬部56寬度約為0.5mm，較小之寬度可以縮短該電感性短路金屬部56之長度，獲得較小之天線尺寸，並提供高電感量；該電感性短路金屬部56之第一部分區間561與該輻射金屬部13之耦合間隙581之距離約為1mm，該耦合間隙581之距離不超過該第一操作頻帶81之最低操作頻率之百分之一波長，該第一部分區間561長度約為20mm，該第一部分區間561長度一般需約為該輻射金屬部13之五分之一長度以上，來形成足夠的耦合量，使得輻射金屬部13可以形成較為均勻的表面電流分佈，以增加天線共振模態之頻寬；該電感性短路金屬部56之第二部分區間562與該耦合金屬部14之間，藉由置入一金屬片593來形成耦合間隙591以及耦合間隙592，該耦合間隙591與耦合間隙592之距離均約為1mm，以提供足夠的電容性耦合量，該耦合間隙591與耦合間隙592之距離不超過該第一操作頻帶81之最低操作頻率之 百分之一波長，來調整天線阻抗匹配；該連接金屬線17長度約為8.5mm，寬度約為1.5mm。由實驗結果，在6dB返回損失的定義之下(行動通訊裝置天線設計規範)，該第一操作頻帶81可涵蓋LTE700/GSM850/GSM900(698~960MHz)之三頻操作，該第二操作頻帶82則可涵蓋GSM1800/GSM1900/UMTS/LTE2300/LTE2500(1710~2690MHz)之五頻操作，因此可滿足LTE/GSM/UMTS之八頻操作需求。
圖9為一實施例行動通訊裝置6之示意圖。行動通訊裝置6具有一接地面11及一天線20。該接地面11具有一接地點111。該天線20包含輻射金屬部13、耦合金屬部14、及電感性短路金屬部16。輻射金屬部13與該耦合金屬部14之間具有一金屬片653以及耦合間隙651、耦合間隙652，形成一第一耦合部分65。該耦合金屬部14並電氣連接至連接金屬線17，該連接金屬線17之一端171電氣連接至一訊號源(圖未示)。該電感性短路金屬部16之一端電氣連接至該輻射金屬部13，另一端則電氣連接至該接地面11之接地點111，且該電感性短路金屬部16之第一部分區間161與該輻射金屬部13具有一耦合間隙181，形成一第二耦合部分18，另一第二部分區間162與該耦合金屬部14具有一耦合間隙191形成一第三耦合部分19。行動通訊裝置5與行動通訊裝置1之主要差異在 於該耦合金屬部14與該輻射金屬部13所形成第一耦合部分65耦合方式的不同，然而該第一耦合部分65也能等效提供如同該行動通訊裝置1之第一耦合部分15之電容性耦合效果。因此行動通訊裝置6也可以得到與圖1之行動通訊裝置1相似的功能。
圖10為一實施例行動通訊裝置7之結構示意圖。行動通訊裝置7具有一接地面11及一天線20。該接地面11具有一接地點111。該天線20包含輻射金屬部13、耦合金屬部14、及電感性短路金屬部76。輻射金屬部13與該耦合金屬部14之間具有一耦合間隙151形成第一耦合部分15。該耦合金屬部14並電氣連接至連接金屬線17，該連接金屬線17之一端171電氣連接至一訊號源(圖未示)。該電感性短路金屬部76之一端電氣連接至該輻射金屬部13，另一端則電氣連接至該接地面11之接地點111。該電感性短路金屬部76之一第一部分區間761與該輻射金屬部13之間，具有一蜿蜒的耦合間隙781形成第二耦合部分78，另一第二部分區間762與該耦合金屬部14具有一耦合間隙791形成第三耦合部分79。行動通訊裝置7與行動通訊裝置1之主要差異在於該電感性短路金屬部76之第一部分區間761與該輻射金屬部13所形成耦合間隙781形狀的不同。然而其所形成該第二耦合部分78也 能等效提供如同該圖1之行動通訊裝置1之第二耦合部分18之耦合效果。因此行動通訊裝置7也可以得到與圖1之行動通訊裝置1相似的功能。
某些實施例行動通訊裝置中利用一長度至少為該輻射金屬部三分之一長度之耦合金屬部，與該輻射金屬部形成一第一耦合部分，作電容性耦合饋入，該足夠長度之耦合金屬部可使得該天線饋入端的表面電流分佈較為均勻，可以有效地降低天線最低頻共振模態的實部阻抗，該最低頻共振模態之中心頻率低於一般傳統之四分之一波長共振模態之中心頻率，並提供足夠的容抗，以補償該模態感抗較高之特性，使得該輻射金屬部能夠有效地激發出具有寬頻特性之第一操作頻帶來涵蓋LTE700/GSM850/900(698~960MHz)三頻操作，同時該輻射金屬部之長度少於該第一操作頻帶其最低操作頻率之六分之一波長；並再利用一長度至少為該輻射金屬部二分之一長度之電感性短路金屬部將該輻射金屬部短路至該接地面，該細長之電感性短路金屬部能提供一高電感量，使得該輻射金屬部之多個高階共振模態能夠被有效地降頻，且該電感性短路金屬部具有一第一部分區間與該輻射金屬部形成一第二耦合部分，該第二耦合部分可形成電容性耦合，使得該輻射金屬部可以形成較為均勻的表面電流分佈，有效增加天線共 振模態之頻寬，此外該第二耦合部分可使得該電感性短路金屬部與該接地面之間形成較多的元件可佈局區域；該電感性短路金屬部具有另一第二部分區間與該耦合金屬部形成一第三耦合部分，該第三耦合部分可形成電容性耦合，來調整該多個高階共振模態的阻抗匹配，以結合組成一具有寬頻特性之第二操作頻帶，其頻寬可涵蓋GSM1800/1900/UMTS/LTE2300/2500(1710~2690MHz)五頻操作。因此，藉由該第一操作頻帶與該第二操作頻帶所合成之雙寬頻操作，該天線可滿足LTE/GSM/UMTS系統寬頻且多頻操作的需求。
以上已以若干實施範例做一詳細說明，惟以上所述者，僅為實施範例而已，當不能限定本揭露專利申請案實施之範圍。即凡依本揭露所作之均等變化與修飾等，皆應仍屬本發明專利申請案之專利涵蓋範圍內。
1~7‧‧‧行動通訊裝置
11‧‧‧接地面
12‧‧‧介質基板
13‧‧‧輻射金屬部
14‧‧‧耦合金屬部
15,25,65‧‧‧第一耦合部份
151,251,651,652‧‧‧第一耦合部份之耦合間隙
16,26,36,46,56,76‧‧‧電感性短路金屬部
161,261,361,461,561,761‧‧‧電感性短路金屬部之第一部分區間
162,262,362,462,562,762‧‧‧電感性短路金屬部之第二部分區間
17‧‧‧連接金屬線
171‧‧‧連接金屬線之一端
18,28,38,48,58,78‧‧‧第二耦合部份
181,281,381,481,482,581,781‧‧‧第二耦合部份之耦合間隙
19,29,39,49,59,79‧‧‧第三耦合部份
191,291,391,491,591,592,791‧‧‧第三耦合部份之耦合間隙
20‧‧‧天線
21,61,81‧‧‧第一操作頻帶
22,62,82‧‧‧第二操作頻帶
483,593,653‧‧‧金屬片
50‧‧‧晶片電感
111‧‧‧接地點
圖1及2分別繪示所揭露一實施例之行動通訊裝置1之結構示意圖，及其相應返回損失。
圖3及4分別繪示所揭露之另兩實施例之行動通訊裝置2,3之結構示意圖。
圖5及6分別繪示所揭露一實施例之行動通訊裝置4之結 構示意圖，及其相應返回損失。
圖7及8分別繪示所揭露一實施例之行動通訊裝置5之結構示意圖，及其相應返回損失。
圖9及10分別繪示所揭露之另兩實施例之行動通訊裝置6,7之結構示意圖。
1‧‧‧行動通訊裝置
11‧‧‧接地面
12‧‧‧介質基板
13‧‧‧輻射金屬部
14‧‧‧耦合金屬部
15‧‧‧第一耦合部分
151‧‧‧第一耦合部份之耦合間隙
16‧‧‧電感性短路金屬部
161‧‧‧電感性短路金屬部之第一部分區間
162‧‧‧電感性短路金屬部之第二部分區間
17‧‧‧連接金屬線
171‧‧‧連接金屬線之一端
18‧‧‧第二耦合部份
181‧‧‧第二耦合部份之耦合間隙
19‧‧‧第三耦合部份
191‧‧‧第三耦合部份之耦合間隙
20‧‧‧天線
111‧‧‧接地點

Claims (21)

  1. 一種行動通訊裝置，具有一接地面及一天線，該天線位於一介質基板上，包含：一輻射金屬部，其提供該天線一共振路徑，使該天線產生一第一操作頻帶和一第二操作頻帶，其中該第一操作頻帶低於第二操作頻帶；一耦合金屬部，其與該輻射金屬部形成一第一耦合部分，該耦合金屬部並經由一連接金屬線電氣連接至一訊號源，其藉由該第一耦合部分將電磁能量耦合至該輻射金屬部，其中該耦合金屬部之長度至少為該輻射金屬部之三分之一長度；及一電感性短路金屬部，其長度至少為該輻射金屬部之二分之一，其一端電氣連接至該輻射金屬部，另一端電氣連接至接地面，且該電感性短路金屬部具有一第一部分區間與該輻射金屬部形成一第二耦合部分，以及一第二部分區間與該耦合金屬部形成一第三耦合部分。
  2. 根據請求項1所述之行動通訊裝置，其中該輻射金屬部之長度小於該第一操作頻帶之最低操作頻率之六分之一波長。
  3. 根據請求項1所述之行動通訊裝置，其中該第一耦合部份具有至少一耦合間隙。
  4. 根據請求項3所述之行動通訊裝置，其中該耦合間隙之距離不超過該第一操作頻帶最低操作頻率之百分之一波長。
  5. 根據請求項1所述之行動通訊裝置，其中該第一耦合部份具有至少一耦合間隙以及至少一金屬片。
  6. 根據請求項5所述之行動通訊裝置，其中該耦合間隙之距離不超過該第一操作頻帶最低操作頻率之百分之一波長。
  7. 根據請求項1所述之行動通訊裝置，其中該第一耦合部份可形成電容性耦合。
  8. 根據請求項1所述之行動通訊裝置，其中該第二耦合部份具有至少一耦合間隙。
  9. 根據請求項8所述之行動通訊裝置，其中該耦合間隙之距離不超過該第一操作頻帶最低操作頻率之百分之一波長。
  10. 根據請求項1所述之行動通訊裝置，其中該第二耦合部份具有至少一耦合間隙以及至少一金屬片。
  11. 根據請求項10所述之行動通訊裝置，其中該耦合間隙之距離不超過該第一操作頻帶最低操作頻率之百分之一波長。
  12. 根據請求項1所述之行動通訊裝置，其中該第二耦合部份可形成電容性耦合。
  13. 根據請求項1所述之行動通訊裝置，其中該第三耦合部份具有至少一耦合間隙。
  14. 根據請求項13所述之行動通訊裝置，其中該耦合間隙之距離不超過該第一操作頻帶最低操作頻率之百分之一波長。
  15. 根據請求項1所述之行動通訊裝置，其中該第三耦合部份具有至少一耦合間隙以及至少一金屬片。
  16. 根據請求項15所述之行動通訊裝置，其中該耦合間隙之距離不超過該第一操作頻帶之最低操作頻率之百分之一波長。
  17. 根據請求項1所述之行動通訊裝置，其中該第三耦合部份可形成電容性耦合。
  18. 根據請求項1所述之行動通訊裝置，其中該輻射金屬部及該耦合金屬部位於該介質基板之同一表面上。
  19. 根據請求項1所述之行動通訊裝置，其中該輻射金屬部及該耦合金屬部分別位於該介質基板之兩相對應之表面上。
  20. 根據請求項1所述之行動通訊裝置，其中該電感性短路金屬部具有一晶片電感。
  21. 根據請求項1所述之行動通訊裝置，其中該電感性短路金屬部係彎折結構。
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