TWI749912B - 天線結構 - Google Patents
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Abstract
一種天線結構,包括:一第一輻射部、一第二輻射部、一第三輻射部、一第四輻射部、一第五輻射部,以及一非導體支撐元件。第一輻射部具有一饋入點。第二輻射部係耦接至饋入點。第三輻射部具有一接地點。第四輻射部係耦接至第三輻射部,其中第四輻射部係鄰近於第一輻射部和第二輻射部。第五輻射部係耦接至第三輻射部和第四輻射部。第一輻射部、第二輻射部、第三輻射部、第四輻射部,以及第五輻射部皆設置於非導體支撐元件上。
Description
本發明係關於一種天線結構(Antenna Structure),特別係關於一種寬頻帶(Wideband)之天線結構。
隨著行動通訊技術的發達,行動裝置在近年日益普遍,常見的例如:手提式電腦、行動電話、多媒體播放器以及其他混合功能的攜帶型電子裝置。為了滿足人們的需求,行動裝置通常具有無線通訊的功能。有些涵蓋長距離的無線通訊範圍,例如:行動電話使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系統及其所使用700MHz、850 MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的頻帶進行通訊,而有些則涵蓋短距離的無線通訊範圍,例如:Wi-Fi、Bluetooth系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。
天線(Antenna)為無線通訊領域中不可缺少之元件。倘若用於接收或發射信號之天線其頻寬(Bandwidth)不足,則很容易造成行動裝置之通訊品質下降。因此,如何設計出小尺寸、寬頻帶之天線元件,對天線設計者而言是一項重要課題。
在較佳實施例中,本發明提出一種天線結構,包括:一第一輻射部,具有一饋入點;一第二輻射部,耦接至該饋入點;一第三輻射部,具有一接地點;一第四輻射部,耦接至該第三輻射部,其中該第四輻射部係鄰近於該第一輻射部和該第二輻射部;一第五輻射部,耦接至該第三輻射部和該第四輻射部;以及一非導體支撐元件,其中該第一輻射部、該第二輻射部、該第三輻射部、該第四輻射部,以及該第五輻射部皆設置於該非導體支撐元件上。
在一些實施例中,該天線結構涵蓋一第一頻帶、一第二頻帶,以及一第三頻帶,該第一頻帶係介於728MHz至960MHz之間,該第二頻帶係介於1805MHz至2200MHz之間,而該第三頻帶係介於2300MHz至2690MHz之間。
在一些實施例中,該第一輻射部係呈現一U字形。
在一些實施例中,該第一輻射部為一不等寬結構,並包括一第一加寬部份和一第二加寬部份。
在一些實施例中,該第一輻射部之長度係介於該第一頻帶之最高頻率之0.1倍至0.2倍波長之間。
在一些實施例中,該第二輻射部係呈現一直條形。
在一些實施例中,該第二輻射部之長度係介於該第三頻帶之最高頻率之0.05倍至0.2倍波長之間。
在一些實施例中,該第三輻射部係呈現一L字形。
在一些實施例中,該第四輻射部為一蜿蜒結構。
在一些實施例中,該第四輻射部和該第一輻射部之間形成一第一耦合間隙,而該第一耦合間隙之寬度係介於0.1mm至1mm之間。
在一些實施例中,該第四輻射部和該第二輻射部之間形成一第二耦合間隙,而該第二耦合間隙之寬度係介於0.1mm至1mm之間。
在一些實施例中,該第三輻射部和該第四輻射部之總長度係介於該第一頻帶之最低頻率之0.1倍至0.2倍波長之間。
在一些實施例中,該第五輻射部係呈現一L字形。
在一些實施例中,該第三輻射部和該第五輻射部之總長度係介於該第二頻帶之最低頻率之0.1倍至0.3倍波長之間。
在一些實施例中,該天線結構更包括:一第六輻射部,耦接至該饋入點,其中該第六輻射部係與該第一輻射部和該第二輻射部皆大致互相垂直。
在一些實施例中,該第六輻射部係呈現一直條形。
在一些實施例中,該天線結構更包括:一第七輻射部,耦接至該第四輻射部上之一第一連接點,其中該第七輻射部係鄰近於該第一輻射部之該第一加寬部份和該第二加寬部份。
在一些實施例中,該第七輻射部係呈現一L字形。
在一些實施例中,該天線結構更包括:一第八輻射部,耦接至該第四輻射部上之一第二連接點,其中該第八輻射部係與該第四輻射部大致互相垂直。
在一些實施例中,該第一輻射部、該第二輻射部、該第三輻射部、該第四輻射部,以及該第五輻射部皆以雷射直接成型(Laser Direct Structuring,LDS)方式設置於該非導體支撐元件上。
為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉出本發明之具體實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解,硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式,而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語,故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤差範圍內,本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題,達到所述基本之技術效果。此外,「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此,若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置,則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置,或經由其它裝置或連接手段而間接地電性連接至該第二裝置。
以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例,以簡化說明。當然,這些特定的範例並非用以限定。例如,若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方,即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例,亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間,而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外,以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號及/或標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的,並非用以限定所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。
此外,其與空間相關用詞。例如「在…下方」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」 及類似的用詞,係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外,這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位),則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構(Antenna Structure)100之立體圖。天線結構100可應用於一行動裝置(Mobile Device)當中,例如:一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer),或是一筆記型電腦(Notebook Computer)。在第1圖之實施例中,天線結構100至少包括:一第一輻射部(Radiation Element)110、一第二輻射部120、一第三輻射部130、一第四輻射部140、一第五輻射部150,以及一非導體支撐元件(Nonconductive Support Element)190,其中第一輻射部110、第二輻射部120、第三輻射部130、第四輻射部140,以及第五輻射部150皆可用金屬材質製成,例如:銅、銀、鋁、鐵,或是其合金。
非導體支撐元件190可以是一立體結構,其具有一第一表面E1、一第二表面E2、一第三表面E3,以及一第四表面E4。例如,第二表面E2和第四表面E4可彼此相鄰,並皆可大致垂直於第一表面E1。另外,第三表面E3則可連接於第一表面E1和第二表面E2之間,其中第三表面E3可與第一表面E1和第二表面E2既不互相平行亦不互相垂直。第一輻射部110、第二輻射部120、第三輻射部130、第四輻射部140,以及第五輻射部150可分佈於非導體支撐元件190之第一表面E1、第二表面E2、第三表面E3,以及第四表面E4上。在一些實施例中,非導體支撐元件190更具有一開孔(Opening)195,其可大致呈現一圓形,並可供各種電子元件(Electronic Element)穿越過去。例如,前述電子元件可為一金屬連接元件或是一電路元件。然而,本發明並不僅限於此。在另一些實施例中,開孔195亦可被填滿或由非導體支撐元件190中移除。在一些實施例中,第一輻射部110、第二輻射部120、第三輻射部130、第四輻射部140,以及第五輻射部150皆以雷射直接成型(Laser Direct Structuring,LDS)方式設置於非導體支撐元件190上。
第一輻射部110可以大致呈現一U字形,其可由非導體支撐元件190之第一表面E1經過第四表面E4再延伸至第二表面E2上。詳細而言,第一輻射部110具有一第一端111和一第二端112,其中一饋入點(Feeding Point)FP係位於第一輻射部110之第一端111處,而第一輻射部110之第二端112為一開路端(Open End)。饋入點FP更可耦接至一信號源(Signal Source)(未顯示)。例如,前述信號源可為一射頻(Radio Frequency,RF)模組,其可用於激發天線結構100。在一些實施例中,第一輻射部110為一不等寬結構,並包括互相耦接之一第一加寬部份(Widening Portion)114和一第二加寬部份115。然而,本發明並不僅限於此。在另一些實施例中,第一輻射部110亦可改為一等寬結構。
第二輻射部120可以大致呈現一直條形,其可設置於非導體支撐元件190之第一表面E1上。詳細而言,第二輻射部120具有一第一端121和一第二端122,其中第二輻射部120之第一端121係耦接至饋入點FP,而第二輻射部120之第二端122為一開路端。第二輻射部120之第二端122與第一輻射部110之第二端112可大致朝相同方向作延伸。
第三輻射部130可以大致呈現一L字形,其可由非導體支撐元件190之第一表面E1延伸至第三表面E3上。詳細而言,第三輻射部130具有一第一端131和一第二端132,其中一接地點(Grounding Point)GP係位於第三輻射部130之第一端131處。接地點GP更可耦接至天線結構100之一系統接地面(System Ground Plane)(未顯示)。
第四輻射部140可以是一蜿蜒結構(Meandering Structure),其可由非導體支撐元件190之第三表面E3經過第一表面E1再延伸至第四表面E4上。詳細而言,第四輻射部140具有一第一端141和一第二端142,其中第四輻射部140之第一端141係耦接至第三輻射部130之第二端132,而第四輻射部140之第二端142為一開路端。第四輻射部140係鄰近於第一輻射部110和第二輻射部120。必須注意的是,本說明書中所謂「鄰近」或「相鄰」一詞可指對應之二元件間距小於一既定距離(例如:5mm或更短),但通常不包括對應之二元件彼此直接接觸之情況(亦即,前述間距縮短至0)。在一些實施例中,第四輻射部140和第一輻射部110之間形成一第一耦合間隙(Coupling Gap)GC1,而第四輻射部140和第二輻射部120之間形成一第二耦合間隙GC2。
第五輻射部150可以大致呈現一L字形,其可由非導體支撐元件190之第三表面E3延伸至第二表面E2上。詳細而言,第五輻射部150具有一第一端151和一第二端152,其中第五輻射部150之第一端151係耦接至第三輻射部130之第二端132和第四輻射部140之第一端141,而第五輻射部150之第二端152為一開路端並鄰近於第一輻射部110之第二端112。第五輻射部150之第二端152和第二輻射部120之第二端122可大致朝相反方向作延伸。
在一些實施例中,天線結構100更包括一第六輻射部160。第六輻射部160可以大致呈現一直條形,其可設置於非導體支撐元件190之第一表面E1上。詳細而言,第六輻射部160具有一第一端161和一第二端162,其中第六輻射部160之第一端161係耦接至饋入點FP,而第六輻射部160之第二端162為一開路端。第六輻射部160可與第一輻射部110和第二輻射部120皆大致互相垂直。必須理解的是,第六輻射部160為一選用元件(Optional Element),在其他實施例中亦可由天線結構100中移除之。
在一些實施例中,天線結構100更包括一第七輻射部170。第七輻射部170可以大致呈現一L字形,其可設置於非導體支撐元件190之第四表面E4上。詳細而言,第七輻射部170具有一第一端171和一第二端172,其中第七輻射部170之第一端171係耦接至第四輻射部140上之一第一連接點(Connection Point)CP1,而第七輻射部170之第二端172為一開路端並鄰近於第一輻射部110之第一加寬部份114和第二加寬部份115。必須理解的是,第七輻射部170為一選用元件,在其他實施例中亦可由天線結構100中移除之。
在一些實施例中,天線結構100更包括一第八輻射部180。第八輻射部180可以大致呈現一直條形,其可設置於非導體支撐元件190之第四表面E4上。詳細而言,第八輻射部180具有一第一端181和一第二端182,其中第八輻射部180之第一端181係耦接至第四輻射部140上之一第二連接點CP2,而第八輻射部180之第二端182為一開路端。第二連接點CP2可異於前述之第一連接點CP1。第八輻射部180可與第四輻射部140大致互相垂直。必須理解的是,第八輻射部180為一選用元件,在其他實施例中亦可由天線結構100中移除之。
第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之返回損失(Return Loss)圖,其中橫軸代表操作頻率(MHz),而縱軸代表返回損失(dB)。根據第2圖之量測結果,天線結構100可涵蓋一第一頻帶(Frequency Band)FB1、一第二頻帶FB2,以及一第三頻帶FB3。例如,第一頻帶FB1可介於728MHz至960MHz之間,第二頻帶FB2可介於1805MHz至2200MHz之間,而第三頻帶FB3可介於2300MHz至2690MHz之間。因此,天線結構100將至少可支援Wi-Fi 2.4GHz、LTE(Long Term Evolution),以及新世代5G通訊(5th Generation Mobile Networks)之寬頻操作。
在天線原理方面,第三輻射部130和第四輻射部140可由第一輻射部110所耦合激發,以形成前述之第一頻帶FB1。第三輻射部130和第五輻射部150可由第一輻射部110和第四輻射部140所耦合激發,以形成前述之第二頻帶FB2。第二輻射部120則可被單獨激發,以形成前述之第三頻帶FB3。必須理解的是,第一輻射部110、第三輻射部130,以及第四輻射部140之激發之倍頻效應(Double-Frequency Effect)亦可對第二頻帶FB2和第三頻帶FB3之產生有所貢獻。根據實際量測結果,第六輻射部160之加入有助於微調第二頻帶FB2之阻抗匹配(Impedance Matching),而第七輻射部170和第八輻射部180之加入則有助於微調第一頻帶FB1之阻抗匹配。另外,第一輻射部110之第一加寬部份114和第二加寬部份115還可用於增加第一頻帶FB1之操作頻寬(Operation Bandwidth)。
第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之輻射效率圖(Radiation Effect),其中橫軸代表操作頻率(MHz),而縱軸代表輻射效率(dB)。根據第3圖之量測結果,天線結構100於前述之第一頻帶FB1、第二頻帶FB2,以及第三頻帶FB3內之輻射效率均可達-9dB以上,此已能滿足一般行動通訊置之實際應用需求。
在一些實施例中,天線結構100之元件尺寸和元件參數可如下列所述。第一輻射部110之長度L1可介於天線結構100之第一頻帶FB1之最高頻率之0.1倍至0.2倍波長之間(0.1λ~0.2λ),例如:可約為0.17倍波長(0.17λ)。第二輻射部120之長度L2可介於天線結構100之第三頻帶FB3之最高頻率之0.05倍至0.2倍波長之間(0.05λ~0.2λ),例如:可約為0.15倍波長(0.15λ)。第三輻射部130和第四輻射部140兩者之總長度L3可介於天線結構100之第一頻帶FB1之最低頻率之0.1倍至0.2倍波長之間(0.1λ~0.2λ),例如:可約為0.15倍波長(0.15λ)。第三輻射部130和第五輻射部150兩者之總長度L4可介於天線結構100之第二頻帶FB2之最低頻率之0.1倍至0.3倍波長之間(0.1λ~0.3λ),例如:可約為0.2倍波長(0.2λ)。第六輻射部160之長度L5可介於5mm至9mm之間,例如:可約為7mm。第七輻射部170之長度L6可介於8mm至12mm之間,例如:可約為10mm。第八輻射部180之長度L7可介於4mm至6mm之間,例如:可約為5mm。第一耦合間隙GC1之寬度可介於0.1mm至1mm之間,例如:可約為0.5mm。第二耦合間隙GC2之寬度可介於0.1mm至1mm之間,例如:可約為0.5mm。饋入點FP和接地點GP之間距D1可介於1mm至2mm,例如:可約為1.5mm。天線結構100之總長度LT可約為28mm,而天線結構100之總寬度WT可約為14mm。以上尺寸和參數範圍係根據多次實驗結果而得出,其有助於最佳化天線結構100之操作頻寬和阻抗匹配。
在另一些實施例中,天線結構100還可鄰近於一近場通訊(Near-Field Communication,NFC)天線199(其屬另一獨立天線,非為天線結構100之一部份)。根據實際量測結果,若將近場通訊天線199設置於第四輻射部140旁邊之一非金屬區域(Non-Metal Region)內,其並不會對天線結構100之輻射性能造成太大負面影響。因此,天線結構100之設計還可達成微縮整體天線尺寸之功效。
本發明提出一種新穎之天線結構,與傳統技術相比,本發明至少具有小尺寸、寬頻帶、低製造成本,以及能適應不同使用環境等優勢,故其很適合應用於各種各式之行動通訊裝置當中。
值得注意的是,以上所述之元件尺寸、元件形狀、元件參數,以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之天線結構並不僅限於第1-3圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-3圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之,並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之天線結構當中。
在本說明書以及申請專利範圍中的序數,例如「第一」、「第二」、「第三」等等,彼此之間並沒有順序上的先後關係,其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。
本發明雖以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明的範圍,任何熟習此項技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可做些許的更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:天線結構
110:第一輻射部
111:第一輻射部之第一端
112:第一輻射部之第二端
114:第一輻射部之第一加寬部份
115:第一輻射部之第二加寬部份
120:第二輻射部
121:第二輻射部之第一端
122:第二輻射部之第二端
130:第三輻射部
131:第三輻射部之第一端
132:第三輻射部之第二端
140:第四輻射部
141:第四輻射部之第一端
142:第四輻射部之第二端
150:第五輻射部
151:第五輻射部之第一端
152:第五輻射部之第二端
160:第六輻射部
161:第六輻射部之第一端
162:第六輻射部之第二端
170:第七輻射部
171:第七輻射部之第一端
172:第七輻射部之第二端
180:第八輻射部
181:第八輻射部之第一端
182:第八輻射部之第二端
190:非導體支撐元件
195:開孔
199:近場通訊天線
CP1:第一連接點
CP2:第二連接點
D1:間距
E1:非導體支撐元件之第一表面
E2:非導體支撐元件之第二表面
E3:非導體支撐元件之第三表面
E4:非導體支撐元件之第四表面
FB1:第一頻帶
FB2:第二頻帶
FB3:第三頻帶
FP:饋入點
GC1:第一耦合間隙
GC2:第二耦合間隙
GP:接地點
L1,L2,L3,L4,L5,L6,L7,LT:長度
WT:寬度
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之立體圖。
第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之返回損失圖。
第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之輻射效率圖。
100:天線結構
110:第一輻射部
111:第一輻射部之第一端
112:第一輻射部之第二端
114:第一輻射部之第一加寬部份
115:第一輻射部之第二加寬部份
120:第二輻射部
121:第二輻射部之第一端
122:第二輻射部之第二端
130:第三輻射部
131:第三輻射部之第一端
132:第三輻射部之第二端
140:第四輻射部
141:第四輻射部之第一端
142:第四輻射部之第二端
150:第五輻射部
151:第五輻射部之第一端
152:第五輻射部之第二端
160:第六輻射部
161:第六輻射部之第一端
162:第六輻射部之第二端
170:第七輻射部
171:第七輻射部之第一端
172:第七輻射部之第二端
180:第八輻射部
181:第八輻射部之第一端
182:第八輻射部之第二端
190:非導體支撐元件
195:開孔
199:近場通訊天線
CP1:第一連接點
CP2:第二連接點
D1:間距
E1:非導體支撐元件之第一表面
E2:非導體支撐元件之第二表面
E3:非導體支撐元件之第三表面
E4:非導體支撐元件之第四表面
FP:饋入點
GC1:第一耦合間隙
GC2:第二耦合間隙
GP:接地點
L1,L2,L3,L4,L5,L6,L7,LT:長度
WT:寬度
Claims (19)
- 一種天線結構,包括:一第一輻射部,具有一饋入點;一第二輻射部,耦接至該饋入點;一第三輻射部,具有一接地點;一第四輻射部,耦接至該第三輻射部,其中該第四輻射部係鄰近於該第一輻射部和該第二輻射部;一第五輻射部,耦接至該第三輻射部和該第四輻射部;以及一非導體支撐元件,其中該第一輻射部、該第二輻射部、該第三輻射部、該第四輻射部,以及該第五輻射部皆設置於該非導體支撐元件上;其中該天線結構涵蓋一第一頻帶;其中該第一輻射部之長度係介於該第一頻帶之最高頻率之0.1倍至0.2倍波長之間。
- 如請求項1之天線結構,其中該天線結構更涵蓋一第二頻帶以及一第三頻帶,該第一頻帶係介於728MHz至960MHz之間,該第二頻帶係介於1805MHz至2200MHz之間,而該第三頻帶係介於2300MHz至2690MHz之間。
- 如請求項1之天線結構,其中該第一輻射部係呈現一U字形。
- 如請求項1之天線結構,其中該第一輻射部為一不等寬結構,並包括一第一加寬部份和一第二加寬部份。
- 如請求項1之天線結構,其中該第二輻射部係呈現 一直條形。
- 如請求項2之天線結構,其中該第二輻射部之長度係介於該第三頻帶之最高頻率之0.05倍至0.2倍波長之間。
- 如請求項1之天線結構,其中該第三輻射部係呈現一L字形。
- 如請求項1之天線結構,其中該第四輻射部為一蜿蜒結構。
- 如請求項1之天線結構,其中該第四輻射部和該第一輻射部之間形成一第一耦合間隙,而該第一耦合間隙之寬度係介於0.1mm至1mm之間。
- 如請求項1之天線結構,其中該第四輻射部和該第二輻射部之間形成一第二耦合間隙,而該第二耦合間隙之寬度係介於0.1mm至1mm之間。
- 如請求項2之天線結構,其中該第三輻射部和該第四輻射部之總長度係介於該第一頻帶之最低頻率之0.1倍至0.2倍波長之間。
- 如請求項1之天線結構,其中該第五輻射部係呈現一L字形。
- 如請求項2之天線結構,其中該第三輻射部和該第五輻射部之總長度係介於該第二頻帶之最低頻率之0.1倍至0.3倍波長之間。
- 如請求項1之天線結構,更包括:一第六輻射部,耦接至該饋入點,其中該第六輻射部係與該第一輻射部和該第二輻射部皆大致互相垂直。
- 如請求項14之天線結構,其中該第六輻射部係呈現一直條形。
- 如請求項4之天線結構,更包括:一第七輻射部,耦接至該第四輻射部上之一第一連接點,其中該第七輻射部係鄰近於該第一輻射部之該第一加寬部份和該第二加寬部份。
- 如請求項16之天線結構,其中該第七輻射部係呈現一L字形。
- 如請求項16之天線結構,更包括:一第八輻射部,耦接至該第四輻射部上之一第二連接點,其中該第八輻射部係與該第四輻射部大致互相垂直。
- 如請求項1之天線結構,其中該第一輻射部、該第二輻射部、該第三輻射部、該第四輻射部,以及該第五輻射部皆以雷射直接成型(Laser Direct Structuring,LDS)方式設置於該非導體支撐元件上。
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