CN102075205B - 移动通讯装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种移动通讯装置，其具有一接地面及一天线，该天线位于一介质基板上，包含：一辐射金属部，其提供该天线一共振路径，使该天线产生一第一操作频带和一第二操作频带；一耦合金属部，其与该辐射金属部形成一第一耦合部分，该耦合金属部并经由一连接金属线电气连接至一信号源；及一电感性短路金属部，其一端电气连接至该辐射金属部，另一端电气连接至该接地面，且该电感性短路金属部具有一第一部分区间与该辐射金属部形成一第二耦合部分，以及一第二部分区间与该耦合金属部形成一第三耦合部分。

Description

移动通讯装置
技术领域
本发明涉及一种移动通讯装置，特别是涉及一种操作频宽含盖多频段的移动通讯装置。
背景技术
基于移动通讯使用者对于快速及便利的需求，具有超高传输速度与超大传输范围的移动通讯技术“长期演进”(Long Term Evolution，简称LTE)系统也随之诞生。LTE系统可以达成比现有GSM/UMTS系统更高速的数据无线上传与下载能力，因此可以提供给使用者更佳的移动宽频以及多媒体服务。因此，为了发展具有LTE技术并相容于现有GSM/UMTS技术的小型化移动通讯装置，阻抗频宽能同时达成LTE/GSM/UMTS系统频段多频操作的小型化宽频天线已成为相当热门且重要的研发方向。然而要在有限的狭小手机空间内，成功设计单一内藏式天线能同时达成LTE/GSM/UMTS系统频段多频操作的频宽需求(698～960MHz及1710～2690MHz)，是一项非常不容易突破的挑战。综观现行移动通讯装置天线的操作频宽，大多无法同时满足未来LTE/GSM/UMTS系统宽频且多频操作的所需。例如中国台湾专利公告号第I295517号“一种内藏式多频天线”，其天线机制为利用一开回圈天线并额外寄生一单极天线来合成宽频的架构，其频宽表现上能满足GSM900/GSM1800/GSM1900/UMTS的四频操作。此外对于小型化移动通讯装置来说，使用寄生元件提供额外的共振路径，以产生新的共振模态来增加天线操作频宽的技术，也会同时增加天线的尺寸。
发明内容
为了解决上述背景技术的问题，以实施范例揭露一移动通讯装置，其具有一可多频且宽频操作的短路单极天线。该天线的辐射金属部提供该天线一共振路径，开配合一长电感性短路金属部的设计，使该天线可产生二个宽频操作频带，来达成未来LTE/GSM/UMTS系统宽频且多频操作的所需。
根据一实施例，一移动通讯装置具有一接地面及一天线。该天线位于一介质基板上，包含：一辐射金属部、一耦合金属部及一电感性短路金属部。该辐射金属部提供该天线一共振路径，使该天线产生一第一操作频带和一第二操作频带。该耦合金属部与该辐射金属部形成一第一耦合部分，该耦合金属部并电气连接至一连接金属线，该连接金属线的一端则电气连接至一信号源，通过该第一耦合部分将电磁能量耦合至该辐射金属部。该电感性短路金属部长度至少为该辐射金属部的二分之一长度，其一端电气连接至该辐射金属部，另一端电气连接至该接地面，且该电感性短路金属部具有一第一部分区间与该辐射金属部形成一第二耦合部分，以及一第二部分区间与该耦合金属部形成一第三耦合部分。
附图说明
图1及图2分别绘示本发明所揭露一实施例的移动通讯装置1的结构示意图，及其相应返回损失；
图3及图4分别本发明绘示所揭露的另两实施例的移动通讯装置2，3的结构示意图；
图5及图6分别本发明绘示所揭露一实施例的移动通讯装置4的结构示意图，及其相应返回损失；
图7及图8分别本发明绘示所揭露一实施例的移动通讯装置5的结构示意图，及其相应返回损失；
图9及图10分别本发明绘示所揭露的另两实施例的移动通讯装置6，7的结构示意图。
主要元件符号说明
1～7                ：移动通讯装置
11                  ：接地面
12                  ：介质基板
13                  ：辐射金属部
14                  ：耦合金属部
15，25，65          ：第一耦合部分
151，251，651，652  ：第一耦合部分的耦合间隙
16，26，36，46，56，76                ：电感性短路金属部
161，261，361，461，561，761          ：电感性短路金属部的第一部分区间
162，262，362，462，562，762          ：电感性短路金属部的第二部分区间
17                                    ：连接金属线
171                                   ：连接金属线的一端
18，28，38，48，58，78                ：第二耦合部分
181，281，381，481，482，581，781     ：第二耦合部分的耦合间隙
19，29，39，49，59，79                ：第三耦合部分
191，291，391，491，591，592，791     ：第三耦合部分的耦合间隙
20                                    ：天线
21，61，81                            ：第一操作频带
22，62，82                            ：第二操作频带
483，593，653                         ：金属片
50                                    ：芯片电感
111                                   ：接地点
具体实施方式
图1揭露一实施例移动通讯装置1的结构示意图，具有一接地面11及一天线20。该接地面11具有一接地点111。该天线20是以印刷、蚀刻或注塑成形技术形成于一介质基板12的一表面上，并包含：一辐射金属部13、一耦合金属部14、及一电感性短路金属部16。该辐射金属部13与该耦合金属部14之间形成具有一耦合间隙151的一第一耦合部分15。该耦合金属部14并电气连接至一连接金属线17，该连接金属线17的一端171电气连接至一信号源(图未示)。该电感性短路金属部16的一端电气连接至该辐射金属部13，另一端则电气连接至该接地面11的接地点111。且该电感性短路金属部16具有一第一部分区间161与该辐射金属部13之间具有一耦合间隙181，形成一第二耦合部分18，以及一第二部分区间162与该耦合金属部14之间具有一耦合间隙191，形成一第三耦合部分19。
图2为图1的移动通讯装置1的实测返回损失图，其中选择下列尺寸进行实验：该接地面11长度约为100mm，宽度约为45mm；该介质基板12高度约为15mm，宽度约为45mm，厚度约为0.8mm；该辐射金属部13长度约为45mm，宽度约为3mm，其长度少于该天线第一操作频带21的最低操作频率698MHz的六分之一波长；该耦合金属部14长度约为22mm，宽度约为3mm，其长度约为该辐射金属部13的二分之一长度，该耦合金属部14的长度也可缩短，但一般需约为该辐射金属部13的三分之一长度以上，使得该第一操作频带21具有足够的频宽；该耦合金属部14与该辐射金属部13的耦合间隙151的距离约为1mm，该耦合间隙151的距离不超过(亦即小于或等于)该第一操作频带21的最低操作频率的百分之一波长，以提供足够的电容性耦合量；该电感性短路金属部16长度约为37mm，该长度也可缩短，但一般需约为该辐射金属部13的二分之一长度，以提供高电感量，使得该辐射金属部13的多个高阶模态被有效地降频；电感性短路金属部16宽度约为0.5mm，较小的宽度可以缩短该电感性短路金属部16的长度，获得较小的天线尺寸，并提供高电感量；该电感性短路金属部16的第一部分区间161与该辐射金属部13的耦合间隙181的距离约为1mm，该耦合间隙181的距离不超过该第一操作频带21的最低操作频率的百分之一波长，以提供足够的电容性耦合量，该第一部分区间161长度约为20mm，该第一部分区间161长度一般需约为该辐射金属部13的五分之一长度以上，让该第二耦合部分18形成足够的电容性耦合量，使得辐射金属部13可以形成较为均匀的表面电流分布，以增加天线共振模态的频宽；该电感性短路金属部16的第二部分区间162与该耦合金属部14的耦合间隙191的距离约为1mm，来形成电容性耦合，以调整天线阻抗匹配，有效增加天线操作频宽，该耦合间隙191的距离不超过该第一操作频带21的最低操作频率的百分之一波长；该连接金属线17长度约为8.5mm，宽度约为1.5mm。由实验结果，在6dB返回损失的定义之下(移动通讯装置天线设计规范)，该第一操作频带21可含盖LTE700/GSM850/GSM900(698～960MHz)的三频操作，该第二操作频带22则可含盖GSM1800/GSM1900/UMTS/LTE2300/LTE2500(1710～2690MHz)的五频操作，因此该天线可满足LTE/GSM/UMTS的八频操作需求。
图3显示一实施例移动通讯装置2的示意图。移动通讯装置2具有一接地面11及一天线20。该接地面11具有一接地点111。该天线20包含辐射金属部13、耦合金属部14、及电感性短路金属部26。辐射金属部13与该耦合金属部14之间形成具有一耦合间隙251的一第一耦合部分25。该耦合金属部14并电气连接至连接金属线17，该连接金属线17的一端171电气连接至一信号源(图未示)。该电感性短路金属部26的一端电气连接至该辐射金属部13，另一端则电气连接至该接地面11的接地点111。该电感性短路金属部26具有一第一部分区间261与该辐射金属部13之间形成具有一耦合间隙281的一第二耦合部分28，以及一第二部分区间262与该耦合金属部14之间形成具有一耦合间隙291的一第三耦合部分29。移动通讯装置2相比较于移动通讯装置1，其主要差异在于该辐射金属部13与该耦合金属部14分别位于该介质基板12的两相对应的表面上，并以该辐射金属部13与该耦合金属部14相互重叠的部分为一耦合区域，该介质基板12的厚度为一耦合间隙251形成一第一耦合部分25。然而该第一耦合部分25也能等效提供如同该移动通讯装置1的第一耦合部分15的电容性耦合效果。因此该移动通讯装置2也可以得到与图1的移动通讯装置1相似的功能。
图4显示一实施例移动通讯装置3的示意图。移动通讯装置3具有一接地面11及一天线20。该接地面11具有一接地点111。该天线20包含辐射金属部13、耦合金属部14、及电感性短路金属部36。辐射金属部13与该耦合金属部14之间形成具有一耦合间隙151的一第一耦合部分15。该耦合金属部14并电气连接至连接金属线17，该连接金属线17的一端171电气连接至一信号源(图未示)。该电感性短路金属部36的一端电气连接至该辐射金属部13，另一端则电气连接至该接地面11的接地点111，并具有一芯片电感50。该电感性短路金属部36具有一第一部分区间361与该辐射金属部13之间形成具有一耦合间隙381的一第二耦合部分38，以及一第二部分区间362与该耦合金属部14形成具有一耦合间隙391的一第三耦合部分39。移动通讯装置3与移动通讯装置1的主要差异在于其电感性短路金属部36具有一芯片电感50，通过其提供的电感量，可有效地缩短该电感性短路金属部36的长度。然而该第二耦合部分38、第三耦合部分39也能等效提供如同该图1的移动通讯装置1的第二耦合部分18、第三耦合部分19的耦合效果。因此该移动通讯装置3也可以得到与图1的移动通讯装置1相似的功能。
图5为另一实施例移动通讯装置4的结构示意图。移动通讯装置4具有一接地面11及一天线20。该接地面11具有一接地点111。该天线20包含辐射金属部13、耦合金属部14、及电感性短路金属部46。辐射金属部13与该耦合金属部14之间形成具有一耦合间隙151的一第一耦合部分15。该耦合金属部14并电气连接至连接金属线17，该连接金属线17的一端171电气连接至一信号源(图未示)。该电感性短路金属部46的一端电气连接至该辐射金属部13，另一端则电气连接至该接地面11的接地点111。该电感性短路金属部46的一第一部分区间461与该辐射金属部13之间，具有一金属片483以及耦合间隙481、耦合间隙482，形成一第二耦合部分48，另一第二部分区间462与该耦合金属部14具有一耦合间隙491形成一第三耦合部分49。移动通讯装置4与移动通讯装置1的主要差异在于该电感性短路金属部46的第一部分区间461与该辐射金属部13所形成第二耦合部分48耦合方式的不同，然而该第二耦合部分48也能等效提供如同该移动通讯装置1的第二耦合部分18的耦合效果。因此该移动通讯装置4也可以得到与图1的移动通讯装置1相似的功能。
图6为图5移动通讯装置4的实测返回损失图，其中选择下列尺寸进行实验：该接地面11长度约为100mm，宽度约为45mm；该介质基板12高度约为15mm，宽度约为45mm，厚度约为0.8mm；该辐射金属部13长度约为45mm，宽度约为3mm，其长度少于该天线第一操作频带61的最低操作频率698MHz的六分之一波长；耦合金属部14长度约为22mm，宽度约为3mm，其长度约为该辐射金属部13的二分之一长度，该耦合金属部14的长度也可缩短，但仍至少需约为该辐射金属部13的三分之一长度以上，使得该第一操作频带61具有足够的频宽；该耦合金属部14与该辐射金属13的耦合间隙151的距离约为1mm，该耦合间隙151的距离不超过该第一操作频带61的最低操作频率的百分之一波长；该电感性短路金属部46长度约为37mm，该长度也可缩短，但一般需约为该辐射金属部13的二分之一长度以上，以提供高电感量，使得该辐射金属部的多个高阶模态被有效地降频；该电感性短路金属部46宽度约为0.5mm，较小的宽度可以缩短该电感性短路金属部46的长度，获得较小的天线尺寸，并提供高电感量；该电感性短路金属部46的第一部分区间461与该辐射金属部13之间，通过置入一长度20mm、宽度2mm的金属片483来形成耦合间隙481以及耦合间隙482，该耦合间隙481与耦合间隙482的距离均约为1mm，以提供足够的电容性耦合量形成第二耦合部分48，该耦合间隙481与耦合间隙482的距离均不超过该第一操作频带61的最低操作频率的百分之一波长；该第一部分区间461长度约为20mm，该第一部分区间461长度一般需约为该辐射金属部13的五分之一长度以上，来使得辐射金属部13可以形成较为均匀的表面电流分布，以增加天线共振模态的频宽；该电感性短路金属部46的第二部分区间462与该耦合金属部14的耦合间隙491的距离约为1mm，该耦合间隙491的距离不超过该第一操作频带61的最低操作频率的百分之一波长，来形成第三耦合部分49，可调整天线阻抗匹配；该连接金属线17长度约为8.5mm，宽度约为1.5mm。由实验结果，在6dB返回损失的定义之下(移动通讯装置天线设计规范)，该第一操作频带61可含盖LTE700/GSM850/GSM900(698～960MHz)的三频操作，该第二操作频带62则可含盖GSM1800/GSM1900/UMTS/LTE2300/LTE2500(1710～2690MHz)的五频操作，因此可满足LTE/GSM/UMTS的八频操作需求。
图7为一实施例移动通讯装置5的示意图。移动通讯装置5具有一接地面11及一天线20。该接地面11具有一接地点111。该天线20包含辐射金属部13、耦合金属部14、及电感性短路金属部56。辐射金属部13与该耦合金属部14之间具有一耦合间隙151形成一第一耦合部分15。该耦合金属部14并电气连接至连接金属线17，该连接金属线17的一端171电气连接至一信号源(图未示)。该电感性短路金属部56的一端电气连接至该辐射金属部13，另一端则电气连接至该接地面11的接地点111。且该电感性短路金属部56的第一部分区间561与该辐射金属部13具有一耦合间距隙581，形成一第二耦合部分58，另一第二部分区间562与该耦合金属部14之间具有一金属片593形成耦合间隙591以及耦合间隙592，形成一第三耦合部分59。移动通讯装置5与移动通讯装置1的主要差异在于该电感性短路金属部56的第二部分区间562与该耦合金属部14所形成第三耦合部分59方式的不同，然而该第三耦合部分59也能等效提供如同该移动通讯装置1的第三耦合部分19的耦合效果。因此该移动通讯装置5也可以得到与图1的移动通讯装置1相似的功能。
图8为图7移动通讯装置5的实测返回损失图，其中选择下列尺寸进行实验：该接地面11长度约为100mm，宽度约为45mm；该介质基板12高度约为15mm，宽度约为45mm，厚度约为0.8mm；该辐射金属部13长度约为45mm，宽度约为3mm，其长度少于该天线第一操作频带81的最低操作频率698MHz的六分之一波长；该耦合金属部14长度约为22mm，宽度约为3mm，其长度约为该辐射金属部13的二分之一长度，该耦合金属部14的长度也可缩短，但仍至少需约为该辐射金属部13的三分之一长度以上，使得该第一操作频带具有足够的频宽；该耦合金属部14与该辐射金属13的耦合间隙151的距离约为1mm，该耦合间隙151的距离不超过该第一操作频带81的最低操作频率的百分之一波长；该电感性短路金属部56长度约为37mm，该长度也可缩短，但一般需约为该辐射金属部13的二分之一长度以上，以提供高电感量，使得该辐射金属部的多个高阶模态被有效地降频；电感性短路金属部56宽度约为0.5mm，较小的宽度可以缩短该电感性短路金属部56的长度，获得较小的天线尺寸，并提供高电感量；该电感性短路金属部56的第一部分区间561与该辐射金属部13的耦合间隙581的距离约为1mm，该耦合间隙581的距离不超过该第一操作频带81的最低操作频率的百分之一波长，该第一部分区间561长度约为20mm，该第一部分区间561长度一般需约为该辐射金属部13的五分之一长度以上，来形成足够的耦合量，使得辐射金属部13可以形成较为均匀的表面电流分布，以增加天线共振模态的频宽；该电感性短路金属部56的第二部分区间562与该耦合金属部14之间，通过置入一金属片593来形成耦合间隙591以及耦合间隙592，该耦合间隙591与耦合间隙592的距离均约为1mm，以提供足够的电容性耦合量，该耦合间隙591与耦合间隙592的距离不超过该第一操作频带81的最低操作频率的百分之一波长，来调整天线阻抗匹配；该连接金属线17长度约为8.5mm，宽度约为1.5mm。由实验结果，在6dB返回损失的定义之下(移动通讯装置天线设计规范)，该第一操作频带81可含盖LTE700/GSM850/GSM900(698～960MHz)的三频操作，该第二操作频带82则可含盖GSM1800/GSM1900/UMTS/LTE2300/LTE2500(1710～2690MHz)的五频操作，因此可满足LTE/GSM/UMTS的八频操作需求。
图9为一实施例移动通讯装置6的示意图。移动通讯装置6具有一接地面11及一天线20。该接地面11具有一接地点111。该天线20包含辐射金属部13、耦合金属部14、及电感性短路金属部16。辐射金属部13与该耦合金属部14之间具有一金属片653以及耦合间隙651、耦合间隙652，形成一第一耦合部分65。该耦合金属部14并电气连接至连接金属线17，该连接金属线17的一端171电气连接至一信号源(图未示)。该电感性短路金属部16的一端电气连接至该辐射金属部13，另一端则电气连接至该接地面11的接地点111，且该电感性短路金属部16的第一部分区间161与该辐射金属部13具有一耦合间隙181，形成一第二耦合部分18，另一第二部分区间162与该耦合金属部14具有一耦合间隙191形成一第三耦合部分19。移动通讯装置5与移动通讯装置1的主要差异在于该耦合金属部14与该辐射金属部13所形成第一耦合部分65耦合方式的不同，然而该第一耦合部分65也能等效提供如同该移动通讯装置1的第一耦合部分15的电容性耦合效果。因此移动通讯装置6也可以得到与图1的移动通讯装置1相似的功能。
图10为一实施例移动通讯装置7的结构示意图。移动通讯装置7具有一接地面11及一天线20。该接地面11具有一接地点111。该天线20包含辐射金属部13、耦合金属部14、及电感性短路金属部76。辐射金属部13与该耦合金属部14之间具有一耦合间隙151形成第一耦合部分15。该耦合金属部14并电气连接至连接金属线17，该连接金属线17的一端171电气连接至一信号源(图未示)。该电感性短路金属部76的一端电气连接至该辐射金属部13，另一端则电气连接至该接地面11的接地点111。该电感性短路金属部76的一第一部分区间761与该辐射金属部13之间，具有一蜿蜒的耦合间隙781形成第二耦合部分78，另一第二部分区间762与该耦合金属部14具有一耦合间隙791形成第三耦合部分79。移动通讯装置7与移动通讯装置1的主要差异在于该电感性短路金属部76的第一部分区间761与该辐射金属部13所形成耦合间隙781形状的不同。然而其所形成该第二耦合部分78也能等效提供如同该图1的移动通讯装置1的第二耦合部分18的耦合效果。因此移动通讯装置7也可以得到与图1的移动通讯装置1相似的功能。
某些实施例移动通讯装置中利用一长度至少为该辐射金属部三分之一长度的耦合金属部，与该辐射金属部形成一第一耦合部分，作电容性耦合馈入，该足够长度的耦合金属部可使得该天线馈入端的表面电流分布较为均匀，可以有效地降低天线最低频共振模态的实部阻抗，该最低频共振模态的中心频率低于一般传统的四分之一波长共振模态的中心频率，并提供足够的容抗，以补偿该模态感抗较高的特性，使得该辐射金属部能够有效地激发出具有宽频特性的第一操作频带来含盖LTE700/GSM850/GSM900(698～960MHz)三频操作，同时该辐射金属部的长度少于该第一操作频带其最低操作频率的六分之一波长；并再利用一长度至少为该辐射金属部二分之一长度的电感性短路金属部将该辐射金属部短路至该接地面，该细长的电感性短路金属部能提供一高电感量，使得该辐射金属部的多个高阶共振模态能够被有效地降频，且该电感性短路金属部具有一第一部分区间与该辐射金属部形成一第二耦合部分，该第二耦合部分可形成电容性耦合，使得该辐射金属部可以形成较为均匀的表面电流分布，有效增加天线共振模态的频宽，此外该第二耦合部分可使得该电感性短路金属部与该接地面之间形成较多的元件可布局区域；该电感性短路金属部具有另一第二部分区间与该耦合金属部形成一第三耦合部分，该第三耦合部分可形成电容性耦合，来调整该多个高阶共振模态的阻抗匹配，以结合组成一具有宽频特性的第二操作频带，其频宽可含盖GSM1800/GSM1900/UMTS/LTE2300/LTE2500(1710～2690MHz)五频操作。因此，通过该第一操作频带与该第二操作频带所合成的双宽频操作，该天线可满足未来LTE/GSM/UMTS系统宽频且多频操作的需求。
以上已以若干实施范例做一详细说明，但以上所述者，仅为实施范例而已，当不能限定本揭露专利申请案实施的范围。即凡依本揭露所作的均等变化与修饰等，皆应仍属本发明专利申请案的专利含盖范围内。

Claims (21)

1.一种移动通讯装置，具有接地面及天线，该天线位于一介质基板上，包含：
辐射金属部，其提供该天线一共振路径，使该天线产生一第一操作频带和一第二操作频带，其中该第一操作频带低于第二操作频带；
耦合金属部，其与该辐射金属部形成一第一耦合部分，该耦合金属部并经由一连接金属线电气连接至一信号源，其通过该第一耦合部分将电磁能量耦合至该辐射金属部，该耦合金属部的长度至少为该辐射金属部的三分之一长度；及
电感性短路金属部，其长度至少为该辐射金属部的二分之一，其一端电气连接至该辐射金属部，另一端电气连接至接地面，且该电感性短路金属部具有第一部分区间，其与该辐射金属部形成一第二耦合部分，以及第二部分区间，其与该耦合金属部形成一第三耦合部分。
2.根据权利要求1所述的移动通讯装置，其中该辐射金属部的长度小于该第一操作频带的最低操作频率的六分之一波长。
3.根据权利要求1所述的移动通讯装置，其中该第一耦合部分具有至少一耦合间隙。
4.根据权利要求3所述的移动通讯装置，其中该耦合间隙的距离不超过该第一操作频带最低操作频率的百分之一波长。
5.根据权利要求1所述的移动通讯装置，其中该第一耦合部分具有至少一耦合间隙以及至少一金属片。
6.根据权利要求5所述的移动通讯装置，其中该耦合间隙的距离不超过该第一操作频带最低操作频率的百分之一波长。
7.根据权利要求1所述的移动通讯装置，其中该第一耦合部分可形成电容性耦合。
8.根据权利要求1所述的移动通讯装置，其中该第二耦合部分具有至少一耦合间隙。
9.根据权利要求8所述的移动通讯装置，其中该耦合间隙的距离不超过该第一操作频带最低操作频率的百分之一波长。
10.根据权利要求1所述的移动通讯装置，其中该第二耦合部分具有至少一耦合间隙以及至少一金属片。
11.根据权利要求10所述的移动通讯装置，其中该耦合间隙的距离不超过该第一操作频带最低操作频率的百分之一波长。
12.根据权利要求1所述的移动通讯装置，其中该第二耦合部分可形成电容性耦合。
13.根据权利要求1所述的移动通讯装置，其中该第三耦合部分具有至少一耦合间隙。
14.根据权利要求13所述的移动通讯装置，其中该耦合间隙的距离不超过该第一操作频带最低操作频率的百分之一波长。
15.根据权利要求1所述的移动通讯装置，其中该第三耦合部分具有至少一耦合间隙以及至少一金属片。
16.根据权利要求15所述的移动通讯装置，其中该耦合间隙的距离不超过该第一操作频带的最低操作频率的百分之一波长。
17.根据权利要求1所述的移动通讯装置，其中该第三耦合部分可形成电容性耦合。
18.根据权利要求1所述的移动通讯装置，其中该辐射金属部及该耦合金属部位于该介质基板的同一表面上。
19.根据权利要求1所述的移动通讯装置，其中该辐射金属部及该耦合金属部分别位于该介质基板的两相对应的表面上。
20.根据权利要求1所述的移动通讯装置，其中该电感性短路金属部具有芯片电感。
21.根据权利要求1所述的移动通讯装置，其中该电感性短路金属部是弯折结构。
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