KR20030083201A - 세정 장치 및 방법 - Google Patents

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KR20030083201A
KR20030083201A KR1020020021638A KR20020021638A KR20030083201A KR 20030083201 A KR20030083201 A KR 20030083201A KR 1020020021638 A KR1020020021638 A KR 1020020021638A KR 20020021638 A KR20020021638 A KR 20020021638A KR 20030083201 A KR20030083201 A KR 20030083201A
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임종주
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 초순수를 분사하는 노즐의 각도를 조절하여 세정 능력을 향상시킬 수 있는 세정 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판과, 초순수를 공급하는 초순수 공급부와, 상기 기판과 대향되도록 나란하게 설치되어 상기 초순수 공급부로부터 공급받는 다수의 노즐파이프들과, 상기 다수의 노즐파이프들에 설치되어 상기 초순수를 상기 기판 상에 분사하기 위한 다수의 노즐들과, 상기 노즐파이프들을 소정 각도로 기울이기 위한 구동부와, 상기 기판이 안착됨과 아울러 상기 기판을 이송시키기 위한 롤러군과, 상기 기판을 소정 각도로 기울이기 위한 틸터를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 의한 본 발명은 다수의 노즐이 설치된 파이프를 상승 및 하강시키기 위한 구동부를 설치하여 기판 세정시 기판 을 일정한 각도로 기울임과 아울러 노즐의 분사각도를 조절함으로써 기판 세정능력이 향상된다.

Description

세정 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD OF CLEANING}
본 발명은 세정 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 초순수를 분사하는 노즐의 각도를 조절하여 세정 능력을 향상시킬 수 있는 세정 장치 및 방법에 관한 것이다.
액정 표시장치는 소형 및 박형화와 저 전력 소모의 장점을 가지며, 노트북 PC, 사무 자동화 기기, 오디오/비디오 기기 등으로 이용되고 있다. 특히, 스위치 소자로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT"라 함)가 이용되는 액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치는 동적인 이미지를 표시하기에 적합하다.
액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치는 화소들이 게이트라인들과 데이터라인들의 교차부들 각각에 배열되어진 화소매트릭스(Picture Element Matrix 또는 Pixel Matrix)에 텔레비전 신호와 같은 비디오신호에 해당하는 화상을 표시하게 된다. 화소들 각각은 데이터라인으로부터의 데이터신호의 전압레벨에 따라 투과 광량을 조절하는 액정셀을 포함한다. TFT는 게이트라인과 데이터라인들의 교차부에설치되어 게이트라인으로부터의 스캔신호에 응답하여 액정셀 쪽으로 전송될 데이터신호를 절환하게 된다.
액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치의 제조공정은 기판 세정과, 기판 패터닝, 배향막형성, 기판합착/액정주입, 실장 공정 및 테스트 공정으로 나뉘어져 제작된다.
기판세정 공정에서는 상/하부기판의 패터닝 전후에 기판들의 이물질을 세정제를 이용하여 제거하게 된다.
기판 패터닝 공정에서는 상부기판의 패터닝과 하부기판의 패터닝으로 나뉘어진다. 상부기판에는 칼라필터, 공통전극, 블랙 매트릭스 등이 형성된다. 하부기판에는 데이터라인과 게이트라인 등의 신호배선이 형성되고, 데이터라인과 게이트라인의 교차부에 TFT가 형성된다. 데이터라인과 게이트라인 사이의 화소영역에는 화소전극이 형성된다.
기판합착/액정주입 공정에서는 하부기판 상에 배향막을 도포하고 러빙하는 공정에 이어서, 실(Seal)을 이용한 상/하부기판 합착공정, 액정주입, 주입구 봉지공정이 순차적으로 이루어진다. 여기서, 실재는 액정주입 공간과 액정영역을 한정하는 역할을 겸한다.
도 1을 참조하면, 유리기판(18) 위에 형성된 TFT가 도시되어 있다. TFT의 제조공정은 다음과 같다. 먼저, 게이트전극(20)과 게이트라인이 Al, Mo, Cr 등의 금속으로 유리기판(18) 상에 증착된 후, 사진식각법에 의해 패터닝된다.
게이트전극(20)이 형성된 유리기판(18) 상에는 SiNx 등의 무기막으로 된 게이트절연막(22)이 형성된다. 게이트절연막(22) 위에는 비정질 실리콘(amorphous-Si : 이하 "a-Si"이라 함)으로 된 반도체층(24)과 n+ 이온이 도핑된 a-Si으로 된 오믹접촉층(26)이 연속 증착된다.
오믹접촉층(26)과 게이트절연막(22) 위에는 Mo, Cr 등의 금속으로 된 소오스전극(28)과 드레인전극(30)이 형성된다. 이 소오스전극(28)은 데이터라인과 일체로 패터닝된다. 소오스전극(28)과 드레인전극(30) 사이의 개구부를 통하여 노출된 오믹접촉층(26)은 건식에칭 또는 습식에칭에 의해 제거된다.
그리고 유리기판(18) 상에 SiNx 또는 SiOx로 된 보호막(32)이 전면 증착되어 TFT를 덮게 된다. 이어서, 보호막(32) 위에는 콘택홀이 형성된다. 이 콘택홀을 통하여 드레인전극(30)에 접속되게끔 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide)로 된 화소전극(34)이 증착된다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 종래의 기판세정 공정에 사용되는 세정장치는 도시하지 않은 챔버와, 챔버 내부에 설치되어 기판(48)을 이송시키기 위한 다수의 롤러들(52)과, 챔버 내부에 소정간격으로 나란하게 설치되는 다수의 파이프들(41)과, 파이프들(41)에 초순수(De-Ionized Water; 이하 "DI"라 함;46)를 공급하기 위한 DI공급부(42)와, 파이프들(41)의 배면에 설치되어 DI공급부(42)로부터 공급되는 DI(46)를 기판(48) 상에 분사하기 위한 다수의 노즐들(44)과, 기판(48)을 소정 각도로 기울이기 위한 제 1 및 제 2 틸터(Tilter; 54a, 54b)를 구비한다.
다수의 롤러들(52)에는 벨트(56)가 걸리게 된다. 이 벨트(56)에는 도시하지 않은 기판 로딩장치에 의해 기판(48)이 로딩되어 안착된다. 벨트(56)에 안착된 기판(48)은 롤러들(52)의 회전에 의해 이송된다.
파이프들(41)은 DI공급부(42)와 연결됨과 아울러 챔버의 내부에 고정되도록 설치된다. 노즐들(44)은 챔버에 로딩된 기판(48)과 마주보도록 파이프들(41)의 배면에 일정한 간격으로 설치된다. 이러한, 노즐들(44)은 DI공급부(42) 및 파이프들(41)을 통해 DI(46)를 공급받아 기판(48) 상에 분사한다.
제 1 및 제 2 틸터(54a, 54b)는 실린더로써, 벨트(56) 상에 안착된 기판(48)을 일정한 각도로 기울이기 위해 기판(48)과 접촉되는 안착부(57)와, 유압 또는 공기압에 의해 안착부(57)를 상승 및 하강시키는 리프트(58)를 구비한다.
이러한, 제 1 및 제 2 틸터(54a, 54b)는 기판(48)이 벨트(56)에 로딩되면 유압 또는 공기압에 의해 리프트(58)가 상승됨으로써 안착부(57)가 기판(48)의 한쪽 끝단을 들어올려 기판(48)을 일정한 각도로 기울인다.
이와 같은, 종래의 세정장치를 이용한 기판 세정공정은 기판(48)과 노즐들(44)이 평행한 상태에서 세정하는 방법과, 기판(48)을 일정한 각도로 기울여 세정하는 방법으로 나눌수 있다.
기판(48)과 노즐들(44)이 평행한 상태에서 세정하는 방법은 도 3에 도시된 바와 같이 우선 도시하지 않은 기판 로딩장치로부터 챔버의 벨트(56) 상에 기판(48)이 로딩된다. 벨트(56)에 로딩된 기판(48)은 롤러들(52)이 회전함에 따라 노즐들(44)과 마주보도록 이송된 후 일정시간 머물게 된다.
이어서, 기판(48) 상에는 노즐들(44)을 통해 DI공급부(42)로부터 공급되는 DI(46)가 일정 시간동안 분사된다. 이 때, 기판(48) 상에 분사되는 DI(46)는기판(48)과 수직하게 분사된다. 이로 인해, 기판(48) 상에 잔존하는 작은 미세 이물질들은 노즐들(44)로부터 분사되는 DI(46)에 의해 기판(48) 밖으로 휩쓸려 기판(48)에서 제거된다.
그런 다음, 롤러들(52)이 구동됨으로써 기판(48)이 챔버에서 언로딩된다.
기판(48)을 일정한 각도로 기울여 세정하는 방법으로 도 4에 도시된 바와 같이 도시하지 않은 기판 로딩장치로부터 챔버의 벨트(56) 상에 기판(48)이 로딩된다. 벨트(56)에 로딩된 기판(48)은 롤러들(52)이 회전함에 따라 노즐들(44)과 마주보도록 이송된 후 일정시간 머물게 된다.
이어서, 제 1 및 제 2 틸터(54a, 54b) 중 어느 하나가 구동되어 벨트(56) 상의 기판(48) 한쪽을 들어올려 일정한 각도로 기울인다. 기울여진 기판(48) 상에는 노즐들(44)을 통해 DI공급부(42)로부터 공급되는 DI(46)가 일정 시간동안 분사된다. 이 때, 기판(48) 상에 분사되는 DI(46)는 기판(48)과 수직하게 분사된다. 이로 인해, 기판(48) 상에 잔존하는 작은 미세 이물질들은 노즐들(44)로부터 분사되는 DI(46)에 의해 기판(48) 밖으로 휩쓸려 기판(48)에서 제거된다.
그런 다음, 구동되어진 제 1 및 제 2 틸터(54a, 54b) 중 어느 하나가 구동되어 기판(48)을 하강시켜 벨트(56) 상에 안착되고, 롤러들(52)이 구동됨으로써 기판(48)이 챔버에서 언로딩된다.
이와 같은, 종래의 세정장치를 이용한 세정방법은 기판(48) 세정시 기판(48)에 분사되는 DI(46)에 의해 기판(48) 표면에 잔존하는 작은 미세 이물질들이 기판(48) 밖으로 배출된다.
그러나, 이러한 종래의 세정장치를 이용한 세정방법에서는 기판(48) 상에 잔존하는 이물질들(60)은 도 2에 도시된 바와 같이 다수의 노즐들(44)에서 분사되는 DI(46)에 의해 기판(48) 상의 여기저기 움직이기만 하다가 기판(48) 상에 또는 기판(48) 상에 형성된 배선에 걸려 기판(48) 상에 남아 있게 된다. 이에 따라, 종래의 세정장치는 기판(48) 상에 잔존하는 이물질(60)을 완전히 제거하지 못하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 초순수를 분사하는 노즐의 각도를 조절하여 세정 능력을 향상시킬 수 있는 세정 장치 및 방법을 제공하는데 있다.
도 1은 통상적인 박막 트랜지스터를 나타내는 단면도.
도 2는 종래의 세정장치로부터 초순수가 분사되는 것을 나타내는 평면도.
도 3은 종래의 세정장치를 나타내는 도면.
도 4는 종래의 세정장치를 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 세정장치를 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 세정장치를 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 세정장치를 나타내는 도면.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
18, 48, 78 : 기판20 : 게이트전극
22 : 게이트절연막24 : 반도체층
26 : 오믹접촉층28 : 소오스전극
30 : 드레인전극32 : 보호막
34 : 화소전극42, 72 : 초순수 공급부
44, 74 : 노즐들46, 76 : 초순수
52, 82 : 롤러들54a, 54b, 84a, 84b : 틸터
56, 86 : 벨트57, 87 : 안착부
58, 88 : 리프트90 : 구동부
94 : 구동축
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 세정장치는 기판과, 초순수를 공급하는 초순수 공급부와, 상기 기판과 대향되도록 나란하게 설치되어 상기 초순수 공급부로부터 공급받는 다수의 노즐파이프들과, 상기 다수의 노즐파이프들에 설치되어 상기 초순수를 상기 기판 상에 분사하기 위한 다수의 노즐들과, 상기 노즐파이프들을 소정 각도로 기울이기 위한 구동부와, 상기 기판이 안착됨과 아울러 상기 기판을 이송시키기 위한 롤러군과, 상기 기판을 소정 각도로 기울이기 위한 틸터를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 세정장치에서 상기 구동부는 상기 노즐파이프들의 일측부에 설치되는구동축과, 상기 구동축을 상승 및 하강시키기 위한 동력부재를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 세정장치에서 상기 노즐파이프들은 상기 기판과 반대 방향의 기울기를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 세정장치에서 상기 노즐파이프들은 상기 기판과 동일한 방향의 기울기를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 세정방법은 기판을 로딩시키는 단계와, 다수의 노즐들이 설치된 노즐파이프들에 초순수를 공급하여 상기 다수의 노즐들을 통해 상기 기판 상에 상기 초순수를 분사하여 상기 기판을 1차 세정하는 단계와, 상기 기판과 상기 노즐파이프들 각각을 소정 각도로 기울이는 단계와, 상기 소정 각도로 기울여진 상기 노즐을 통해 상기 기울여진 기판 상에 상기 초순수를 분사하여 상기 기판을 2차 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 세정방법에서 상기 노즐파이프들은 상기 기판과 반대 방향으로 기울여지는 것을 특징으로 한다.
상기 세정방법에서 상기 노즐파이프들은 상기 기판과 동일한 방향으로 기울여지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 세정방법은 기판을 로딩시키는 단계와, 다수의 노즐들이 설치된 노즐파이프들에 초순수를 공급하여 상기 다수의 노즐들을 통해 상기 기판 상에 상기 초순수를 분사하여 상기 기판을 1차 세정하는 단계와, 상기 기판과 상기 노즐파이프들 각각을 서로 반대 방향의 기울기를 갖도록 소정 각도로 기울이는 단계와, 상기 소정 각도로 기울여진 상기 노즐을 통해 상기 기울여진 기판 상에 상기 초순수를 분사하여 상기 기판을 2차 세정하는 단계와, 상기 기판과 상기 노즐파이프들 각각을 동일한 방향의 기울기를 갖도록 소정 각도로 기울이는 단계와, 상기 소정 각도로 기울여진 상기 노즐을 통해 상기 기울여진 기판 상에 상기 초순수를 분사하여 상기 기판을 3차 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예의 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
도 5 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 세정장치는 도시하지 않은 챔버와, 챔버 내부에 설치되어 기판(78)을 이송시키기 위한 다수의 롤러들(82)과, 챔버 내부에 소정간격으로 나란하게 설치되는 다수의 파이프들(71)과, 파이프들(71)에 초순수(De-Ionized Water; 이하 "DI"라 함;76)를 공급하기 위한 DI공급부(72)와, 파이프들(71)의 배면에 설치되어 DI공급부(72)로부터 공급되는 DI(76)를 기판(78) 상에 분사하기 위한 다수의 노즐들(74)과, 파이프들(71)의 일측에 설치되어 파이프들(71)을 소정 각도를 기울이기 위한 구동축(94)과, 구동축(94)을 지지함과 아울러 구동축(94)을 구동시키기 위한 구동부(90)와, 기판(78)을 소정 각도로 기울이기 위한 제 1 및 제 2 틸터(Tilter; 84a, 84b)를 구비한다.
다수의 롤러들(82)에는 벨트(86)가 걸리게 된다. 이 벨트(86)에는 도시하지 않은 기판(78) 로딩장치에 의해 기판(78)이 로딩되어 안착된다. 벨트(86)에 안착된 기판(78)은 롤러들(82)의 회전에 의해 이송된다.
파이프들(71)은 DI공급부(72)와 연결됨과 아울러 챔버의 내부에 고정되도록 설치된다. 노즐들(74)은 챔버에 로딩된 기판(78)과 마주보도록 파이프들(71)의 배면에 일정한 간격으로 설치된다. 이러한, 노즐들(74)은 DI공급부(72) 및 파이프들(71)을 통해 DI(76)를 공급받아 기판(78) 상에 분사한다.
구동축(94)은 다수의 파이프들(71) 중 어느 하나의 일측에 설치되어 구동부(90)에 의해 파이프들(71)을 상승시키거나 하강시키게 된다.
구동부(90)에는 도시하지 않은 실린더 또는 모터가 될 수 있다. 구동부(90)로써 실린더를 사용할 경우에는 실린더의 일측에는 구동축(94)이 설치된다. 이로 인해, 구동축(94)은 공기압 또는 유압에 의한 실린더의 구동에 의해 상승 및 하강된다. 한편, 구동부(90)로써 모터를 사용할 경우에는 구동축(94)의 일측부에 피니언이 설치된다. 이로 인해, 구동축(94)은 모터로부터 전달되는 회전력을 기어 및 피니언을 통해 전달받아 상승 및 하강된다.
제 1 및 제 2 틸터(84a, 84b)는 실린더로써, 벨트(86) 상에 안착된 기판(78)을 일정한 각도로 기울이기 위해 기판(78)과 접촉되는 안착부(87)와, 유압 또는 공기압에 의해 안착부(87)를 상승 및 하강시키는 리프트(88)를 구비한다.
이러한, 제 1 및 제 2 틸터(84a, 84b)는 기판(78)이 벨트(86)에 로딩되면 유압 또는 공기압에 의해 리프트(88)가 상승됨으로써 안착부(87)가 기판(78)의 한쪽 끝단을 들어올려 기판(78)을 일정한 각도로 기울인다.
이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 세정방법은 도시하지 않은 기판로딩장치로부터 챔버의 벨트(86) 상에 기판(78)이 로딩된다. 벨트(86)에 로딩된 기판(78)은 롤러들(82)이 회전함에 따라 노즐들(74)과 마주보도록 이송된 후 일정시간 머물게 된다.
그런 다음, 기판(78) 상에는 노즐들(74)을 통해 DI공급부(72)로부터 공급되는 DI(76)가 일정 시간동안 분사된다. 이 때, 기판(78) 상에 분사되는 DI(76)는 기판(78)과 수직하게 분사된다. 이로 인해, 기판(78) 상에 잔존하는 작은 미세 이물질들은 노즐들(74)로부터 분사되는 DI(76)에 의해 기판(78) 밖으로 휩쓸려 기판(78)에서 1차 세정된다.
1차 세정이 완료되면, 제 1 및 제 2 틸터(84a, 84b) 중 어느 하나가 구동되어 벨트(86) 상의 기판(78) 한쪽을 들어올려 기판(78)을 일정한 각도로 기울이게 된다. 이와 동시에 도시하지 않은 감지부재가 기판(78)의 기울임을 감지하여 구동부(90)를 구동시킴으로써 구동축(94)이 상승되어 파이프들(71)을 일정한 각도로 기울인다. 이에 따라, 기판(78)에 분사되는 DI(76)는 분사시 기판(78)과 서로 다른 높이를 가지게 된다.
기판(78)과 노즐들(74)이 서로 다른 방향으로 기울어진 상태에서 노즐들(74)을 통해 DI공급부(72)로부터 공급되는 DI(76)가 일정 시간동안 기판(78) 상에 분사된다. 이로 인해, 기판(78) 상에 잔존하는 작은 미세 이물질들은 노즐들(74)로부터 분사되는 DI(76)에 의해 기판(78) 밖으로 휩쓸려 기판(78)에서 2차 세정된다.
그런 다음, 구동부(90)에 의해 구동축(94)이 하강됨과 아울러 구동되어진 제 1 및 제 2 틸터(84a, 84b) 중 어느 하나가 하강되어 기판(78)과 파이프들(71)은 평행하게 마주보게 된 후, 기판(78)은 롤러들(82)의 이송에 의해 챔버에서 언로딩된다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 세정방법은 도시하지 않은 기판 로딩장치로부터 챔버의 벨트(86) 상에 기판(78)이 로딩된다. 벨트(86)에 로딩된 기판(78)은 롤러들(82)이 회전함에 따라 노즐들(74)과 마주보도록 이송된 후 일정시간 머물게 된다.
그런 다음, 기판(78) 상에는 노즐들(74)을 통해 DI공급부(72)로부터 공급되는 DI(76)가 일정 시간동안 분사된다. 이 때, 기판(78) 상에 분사되는 DI(76)는 기판(78)과 수직하게 분사된다. 이로 인해, 기판(78) 상에 잔존하는 작은 미세 이물질들은 노즐들(74)로부터 분사되는 DI(76)에 의해 기판(78) 밖으로 휩쓸려 기판(78)에서 1차 세정된다.
1차 세정이 완료되면, 제 1 및 제 2 틸터(84a, 84b) 중 어느 하나가 구동되어 벨트(86) 상의 기판(78) 한쪽을 들어올려 기판(78)을 일정한 각도로 기울이게 된다. 이와 동시에 도시하지 않은 감지부재가 기판(78)의 기울임을 감지하여 구동부(90)를 구동시킴으로써 구동축(94)이 하강되어 파이프들(71)을 일정한 각도로 기울인다. 이에 따라, 기판(78)에 분사되는 DI(76)는 분사시 기판(78)과 서로 다른 높이를 가지게 된다.
기판(78)과 노즐들(74)이 동일한 방향으로 기울어진 상태에서 노즐들(74)을 통해 DI공급부(72)로부터 공급되는 DI(76)가 일정 시간동안 기판(78) 상에 분사된다. 이로 인해, 기판(78) 상에 잔존하는 작은 미세 이물질들은 노즐들(74)로부터분사되는 DI(76)에 의해 기판(78) 밖으로 휩쓸려 기판(78)에서 2차 세정된다.
그런 다음, 구동부(90)에 의해 구동축(94)이 상승됨과 아울러 구동되어진 제 1 및 제 2 틸터(84a, 84b) 중 어느 하나가 하강되어 기판(78)과 파이프들(71)은 평행하게 마주보게 된 후, 기판(78)은 롤러들(82)의 이송에 의해 챔버에서 언로딩된다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 세정방법은 도시하지 않은 기판 로딩장치로부터 챔버의 벨트(86) 상에 기판(78)이 로딩된다. 벨트(86)에 로딩된 기판(78)은 롤러들(82)이 회전함에 따라 노즐들(74)과 마주보도록 이송된 후 일정시간 머물게 된다.
그런 다음, 기판(78) 상에는 노즐들(74)을 통해 DI공급부(72)로부터 공급되는 DI(76)가 일정 시간동안 분사된다. 이 때, 기판(78) 상에 분사되는 DI(76)는 기판(78)과 수직하게 분사된다. 이로 인해, 기판(78) 상에 잔존하는 작은 미세 이물질들은 노즐들(74)로부터 분사되는 DI(76)에 의해 기판(78) 밖으로 휩쓸려 기판(78)에서 1차 세정된다.
1차 세정이 완료되면, 제 1 및 제 2 틸터(84a, 84b) 중 어느 하나가 구동되어 벨트(86) 상의 기판(78) 한쪽을 들어올려 기판(78)을 일정한 각도로 기울이게 된다. 이와 동시에 도시하지 않은 감지부재가 기판(78)의 기울임을 감지하여 구동부(90)를 구동시킴으로써 구동축(94)이 상승되어 파이프들(71)을 일정한 각도로 기울인다. 이에 따라, 기판(78)에 분사되는 DI(76)는 분사시 기판(78)과 서로 다른 높이를 가지게 된다.
기판(78)과 노즐들(74)이 서로 다른 방향으로 기울어진 상태에서 노즐들(74)을 통해 DI공급부(72)로부터 공급되는 DI(76)가 일정 시간동안 기판(78) 상에 분사된다. 이로 인해, 기판(78) 상에 잔존하는 작은 미세 이물질들은 노즐들(74)로부터 분사되는 DI(76)에 의해 기판(78) 밖으로 휩쓸려 기판(78)에서 2차 세정된다.
2차 세정이 완료되면, 도시하지 않은 감지부재가 구동부(90)를 구동시킴으로써 구동축(94)이 하강되어 파이프들(71)을 일정한 각도로 기울인다. 이와 같이, 기판(78)과 노즐들(74)이 동일한 방향으로 기울어진 상태에서 노즐들(74)을 통해 DI공급부(72)로부터 공급되는 DI(76)가 일정 시간동안 기판(78) 상에 분사된다. 이로 인해, 기판(78) 상에 잔존하는 작은 미세 이물질들은 노즐들(74)로부터 분사되는 DI(76)에 의해 기판(78) 밖으로 휩쓸려 기판(78)에서 3차 세정된다.
그런 다음, 구동부(90)에 의해 구동축(94)이 상승됨과 아울러 구동되어진 제 1 및 제 2 틸터(84a, 84b) 중 어느 하나가 하강되어 기판(78)과 파이프들(71)은 평행하게 마주보게 된 후, 기판(78)은 롤러들(82)의 이송에 의해 챔버에서 언로딩된다.
이와 같이, 본 발명의 제 1 및 제 3 실시 예에 따른 세정장치는 기판(78)이 일정한 각도를 가질 때, DI(76)를 분사하기 위한 노즐들(74)이 설치된 파이프들(71)을 기판(78)과 반대 방향의 기울기 또는 동일한 방향의 기울기를 갖도록 기울여 DI(76)를 분사함으로써 기판 상의 작은 미세 이물질을 완전히 제거할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 세정 장치 및 방법은 다수의 노즐이 설치된 파이프를 상승 및 하강시키기 위한 구동부를 설치하여 기판 세정시 기판을 일정한 각도로 기울임과 아울러 노즐의 분사각도를 조절함으로써 기판 세정능력이 향상된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (8)

  1. 기판과,
    초순수를 공급하는 초순수 공급부와,
    상기 기판과 대향되도록 나란하게 설치되어 상기 초순수 공급부로부터 공급받는 다수의 노즐파이프들과,
    상기 다수의 노즐파이프들에 설치되어 상기 초순수를 상기 기판 상에 분사하기 위한 다수의 노즐들과,
    상기 노즐파이프들을 소정 각도로 기울이기 위한 구동부와,
    상기 기판이 안착됨과 아울러 상기 기판을 이송시키기 위한 롤러군과,
    상기 기판을 소정 각도로 기울이기 위한 틸터를 구비하는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 노즐파이프들의 일측부에 설치되는 구동축과,
    상기 구동축을 상승 및 하강시키기 위한 동력부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐파이프들은 상기 기판과 반대 방향의 기울기를 갖는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐파이프들은 상기 기판과 동일한 방향의 기울기를 갖는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  5. 기판을 로딩시키는 단계와,
    다수의 노즐들이 설치된 노즐파이프들에 초순수를 공급하여 상기 다수의 노즐들을 통해 상기 기판 상에 상기 초순수를 분사하여 상기 기판을 1차 세정하는 단계와,
    상기 기판과 상기 노즐파이프들 각각을 소정 각도로 기울이는 단계와,
    상기 소정 각도로 기울여진 상기 노즐을 통해 상기 기울여진 기판 상에 상기 초순수를 분사하여 상기 기판을 2차 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 노즐파이프들은 상기 기판과 반대 방향으로 기울여지는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 노즐파이프들은 상기 기판과 동일한 방향으로 기울여지는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  8. 기판을 로딩시키는 단계와,
    다수의 노즐들이 설치된 노즐파이프들에 초순수를 공급하여 상기 다수의 노즐들을 통해 상기 기판 상에 상기 초순수를 분사하여 상기 기판을 1차 세정하는 단계와,
    상기 기판과 상기 노즐파이프들 각각을 서로 반대 방향의 기울기를 갖도록 소정 각도로 기울이는 단계와,
    상기 소정 각도로 기울여진 상기 노즐을 통해 상기 기울여진 기판 상에 상기 초순수를 분사하여 상기 기판을 2차 세정하는 단계와,
    상기 기판과 상기 노즐파이프들 각각을 동일한 방향의 기울기를 갖도록 소정 각도로 기울이는 단계와,
    상기 소정 각도로 기울여진 상기 노즐을 통해 상기 기울여진 기판 상에 상기 초순수를 분사하여 상기 기판을 3차 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정방법.
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