KR20030078371A - 접촉발광소자와 ｔｆｔ 지문입력기를 이용한 슬림형지문인식장치 - Google Patents

접촉발광소자와 ｔｆｔ 지문입력기를 이용한 슬림형지문인식장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 접촉발광소자와 TFT 지문입력기를 이용하여 경박단소형으로 지문인식장치를 제공하고, TFT 지문입력기의 접촉발광소자와 TFT 지문입력기를 이용하여 실질입사영역을 유효감지영역과 일치하도록 줄일 수 있는 지문인식장치를 제공하고자 하는 것으로서, 그 구성은 광감지부와 스위칭부로 구성되는 다수의 단위셀이 배열된 구조를 갖는 TFT 지문입력기와, 상기 TFT 지문입력기 상부에 설치되는 접촉발광소자로 구성되고, 상기 접촉발광소자의 투명 전극층에는 교류 전원 한 단자가 연결되는 것을 특징으로 하여 슬림한 지문입력장치 제조가 가능해지므로 다양한 응용분야에 적용하거나 이용할 수 있는 효과가 있고, 기존의 TFT 지문입력기보다 입사되는 실질입사영역을 유효 감지영역과 일치하도록 줄일 수 있으므로 질 좋은 지문영상이 얻어지는 효과가 있다.

Description

접촉발광소자와 ＴＦＴ 지문입력기를 이용한 슬림형 지문인식장치{Slim Type Fingerprint Recognition Device Using Contact Light Emitting Device And TFT Fingerprint Input Device}
본 발명은 접촉발광소자와 TFT 지문입력기를 이용한 슬림형 지문인식장치에 관한 것이다.
현재 지문인식장치는 크게 렌즈나 프리즘을 이용하는 광학식과 반도체 응용기술을 이용하는 칩-베이스드(chip-based) 센서로 양분되고 있지만 비중이 칩-베이스드 센서쪽으로 기울어 가고 있는 상황이고 다른 센서들과 비교해 보았을 때 상당한 우위를 점하고 있다. 앞으로 다가올 모바일 커머스 시대의 인증용 센서는 경박 단소한 센서가 필요하므로 본 발명에서는 접촉발광소자와 비정질 이미지센서를 이용하여 슬림(slim)형 지문인식장치를 고안하고자 한다.
이 분야의 종래 기술에는 접촉발광소자와 씨모스(CMOS: Complementary Metal-Oxide Semiconductor)를 이용한 지문인식기와 a-Si:H의 감광성을 이용한 평면형 박막트랜지스터(thin film transistor, TFT) 지문인식기가 있다.
도시되지는 않았지만, 후술하는 도 2a의 지문입력기와 종래의 터치패드 및 LCD 표시창을 일체로 구성하여 휴대용 컴퓨터의 구조적 문제점을 해결하려는 목적의 TFT 지문입력기를 이용한 터치패드의 구현방법 및 지문입력기능을 갖는 터치패드가 출원된 바 있다(공개번호 특2001-0083355, 2001년 9월 1일). 이 출원은, 종래의 TFT 지문입력기 구조로써 터치패드 기능을 겸하는 기능을 가진 것이다. 그러나 이 기술은 단순히 종래의 지문인식기에 터치패드 기능을 겸하도록 하는 것으로써 지문인식장치의 지문 인식 성능을 향상시키고자 하는 기술은 제시되어 있지 않다.
한편, 도 1a와 도 1b는 씨모스를 이용한 지문입력기와 접촉발광소자의 구조를 나타낸 도면이고, 도 2a는 가장 기본적인 TFT 지문입력기의 구조를 도 2b는 가장 기본적인 TFT 지문입력기의 광감지부의 구조를 나타낸 도면이다.
이에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 따른 지문입력기의 동작을 살펴보면, 먼저 도 1a 및 도 1b에 있어서는, 사용자가 접촉발광소자(1)에 자신의 지문을 접촉하면 접촉되는 면에서 지문이미지가 발광되고, 이 발광된 지문이미지는 렌즈(2)를 통해 모아져서 씨모스 이미지센서(3)에 전달됨으로써 지문이미지가 인식된다.
한편, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 현재 TFT-LCD 업체에서 생산하고 있는 액정표시소자(LCD: Liquid Crystal Display)패널에서 컬러필터 부분인 상판을 제외한 하판의 TFT-어레이 기판과 백라이트(back-light)만을 이용하는 기술을 나타낸 것으로서, TFT소자의 광전류(photo-current)를 응용하여 도 1a에서와 같은 광학계(optical system)없이 지문에 의해 반사된 빛을 소자가 감지하여 이미지를 인식하게 되는 기술이다.
상기 구성에서, 광감지부(9)의 드레인전극(9a)과 소스-전극(9b)사이에는 아모퍼스 실리콘(a-Si:H)등의 감광층(9c)이 형성되어 있어, 이 감광층(9c)으로 소정광량 이상의 빛이 입사되면 드레인전극(9a)과 소스-전극(9b)이 전기적으로 도통된다. 이에 따라 지문을 TFT 지문입력기(5)에 대면 투명기판(6)의 하부의 백라이트(7)로부터 발생된 빛(light)이 지문패턴에 따라 반사되어 광감지부(9)의 감광층(9c)에 수광됨으로써, 광감지부(9)가 도통된다. 미설명부호(9d)는 광감지부(9)에 게이트전극이다.
한편, 스위칭부(8)는 게이트전극(8d)에 인가되는 게이트 제어신호에 의해 지문을 스캐닝하도록 설정된 매 프레임마다 스위칭 되어, TFT 지문입력기(5)에 입력되는 지문영상을 배열된 각 광감지부(9)별로 스캐닝 한 프레임으로 형성토록 하는 역할을 하므로 스위칭부(8)에는 외부광이 입사되지 못하도록 드레인전극(8a)과 소스-전극(8b)에 광차폐층(8c)이 덮혀있다.
한편 상기한 바와 같은 종래 기술에 있어서, 씨모스 이미지 센서(3)를 이용하여 도 1a와 같이 벌크 형식(bulk-type)으로 이용하였을 경우 TFT를 이용하였을 경우보다 가격도 비싸고, 크기도 큰 문제점이 있다.
또한 접촉발광소자(1)에서 발생하는 빛이 도1a에서 보는 바와 같이 씨모스 이미지 센서(3)와 떨어져 있으므로 빛의 손실이 발생하여 지문의 광 이미지가 흐릿하게 센서에 도착하게 되므로 이미지 품질(quality)이 저하되는 문제점이 있다.
종래의 TFT 지문입력기에서는 광감지부(9)의 감광층(9c)의 유효감지영역은 드레인전극(9a)과 소스-전극(9b)사이에 노출된 감광층(9c)의 면적만큼 이겠지만, 실제로 광입사층에 입사되는 지문반사광의 실질 입사영역은 이보다 훨씬 넓어진다. 즉, 지문으로부터 반사된 빛이 산란되어 감광층(9c)에 도달하기 때문에 매우 넓은 각도로 입사될 수 있는 것이다. 특히, 다수의 광감지부(9)가 배열되는 구조에서 인접한 광감지부(9)사이에 중첩된 실질 입사영역에서 지문이 입력되는 경우에는 지문패턴의 해상도가 저하되는 문제점이 있다.
렌즈(2)와 프리즘을 사용하는 광학식과는 달리, 평면형 지문인식기인 무 렌즈 TFT방식에서는 렌즈(2)나 프리즘으로써 실질 입사영역을 줄이는 일이 쉽지 않은문제점이 있다.
상기한 바와 같은 종래 기술에서의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 접촉발광소자와 TFT 지문입력기를 이용하여 경박단소형으로 지문인식장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 TFT 지문입력기의 접촉발광소자와 TFT 지문입력기를 이용하여 실질입사영역을 유효감지영역과 일치하도록 줄일 수 있는 지문인식장치를 제공하는 것이다.
도 1a는 종래 씨모스 이미지 센서를 이용한 지문입력기의 구조를 나타낸 도면,
도 1b는 도 1a의 접촉발광소자를 구체적으로 나타낸 단면도,
도 2a는 종래 기본적인 TFT 지문입력기의 구조를 나타낸 단면도,
도 2b는 도 2a의 광감지부를 구체적으로 나타낸 단면도,
도 3a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 지문입력기의 단면도,
도 3b는 도 3a의 광감지부를 구체적으로 나타낸 단면도,
도 3c는 접촉발광소자와 TFT 지문입력기 사이에 적용된 접착층을 나타낸 단면도,
도 3d는 도 3c의 접착층의 시료의 백분율을 나타낸 도면,
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 지문입력기의 단면도,
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 지문입력기의 단면도,
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 지문입력기의 단면도,
도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 지문입력기의 단면도,
도 8은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 지문입력기의 단면도,
도 9는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 지문입력기의 단면도,
도 10은 본 발명의 제 8 실시예에 따른 지문입력기의 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1: 접촉발광소자1a: 발수층
1b: 유전층1c: 차광층
1d: 발광층1e: 투명전극층
1f: 투명기판2: 렌즈
3: 씨모스 이미지 센서4: 그라운드 프레임
5: TFT 지문입력기6: 투명기판
7: 백라이트8: 스위칭부
8a: 드레인전극8b: 소스-전극
8c: 광차폐층8d: 게이트전극
9: 광감지부9a: 드레인전극
9b: 소스-전극9c: 감광층
9d: 게이트전극10: 제1전극층
11: 제2전극층12: 편광층
13: 광차폐 패턴막14: 광차폐층
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 광감지부와 스위칭부로 구성되는 다수의 단위셀이 배열된 구조를 갖는 TFT 지문입력기와, 상기 TFT 지문입력기 상부에 설치되는 접촉발광소자로 구성되고, 상기 TFT 지문입력기와 접촉발광소자는 접착층에 의해 상호 접착 연결되고, 상기 접촉발광소자의 투명 전극층에는 교류 전원 한 단자가 연결되는 것을 특징으로 하는 슬림형 지문인식장치가 제공된다.
또한, 본 발명의 또 다른 측면에 있어서, 광감지부와 스위칭부로 구성되는 다수의 단위셀이 배열된 구조를 갖는 TFT 지문입력기(비정질 이미지센서)와, 상기 TFT 지문입력기 상부에 설치되는 접촉발광소자로 구성되고, 상기 접촉발광소자는 상기 TFT 지문입력기의 상부에 직접 박막으로 증착해서 형성되도록 하는 투명 전극층과, 상기 투명 전극층에는 교류전원 한 단자가 연결되는 것을 특징으로 하며, 투명전극 상부에 설치되는 발광층과, 상기 발광층의 상부에 설치되는 광차단층과, 상기 차단층 상부에 설치되는 유전층과, 상기 유전층 상부에 설치되는 발수층(내마모성 막)으로 구성하는 것을 특징으로 하는 접촉발광소자와 TFT 지문입력기를 이용한 슬림형 지문인식장치가 제공된다.
이하 본 발명에 따른 지문인식장치에 대하여 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도면 중 동일부분에 대하여는 동일한 부호로 설명한다.
도 3a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 지문입력기의 단면도이고, 도 3b는 도 3a의 광감지부를 구체적으로 나타낸 단면도로서, 본 발명에 따른 슬림형 지문인식장치는 도 3a에서 보는 바와 같이 투명기판(1f)위에 직접 박막으로 증착되는 투명전극층(1e)과, 상기 투명전극층(1e)위에 광이미지를 발생하는 발광층(1d), 상기 발광층(1d)의 상부에 차광층(1c), 상기 차광층(1c)의 상부에 유전층(1b), 상기 유전층(1b) 상부에 발수층(1a)으로 이루어진 접촉발광소자(1)와 TFT 지문입력기(5)로 구성된다.
이와 같이 구성된 본 발명은 투명전극층(1e)과 그라운드 프레임(4)에 교류전원을 인가하고 접촉발광소자(1)의 표면과 그라운드 프레임(4)에 지문을 동시에 접촉하게 되면 지문의 광이미지가 접촉발광소자(1)에 의해서 생성되고 이러한 광이미지는 직접 TFT 지문입력기(5)의 감광층(9c)에 전달되어 지문의 입력이 가능하게 된다.
이와 같이 형성된 접촉발광소자(1)가 상기 TFT 지문입력기(5)의 상면에 도 3c에 도시된 바와 같이, 에폭시(Epoxy)계 스프레이(Spray) 방법이나 스크린 프린팅 (Screen pfinting) 방법을 이용하여 균일하게 도포하여 접착층(5a)을 형성한다.
상기 접착층(5a)은 도 3d에 도시된 바와 같이, 에폭시 접착제(Epoxy Adhesive; Araldite) 55~60wt. %와, 폴리비닐 부티럴 페이스트(Poly vinyl Butyral Paste) 5~10wt.%와, 에틸렌 글리콜 모노 에틸 에테르 아세테이트(Ethylene Glycol Monoethyl Ether Acetate) 1~5wt.%와, 희석제인 엔-부틸 글리씨딜 에테르(n-Butyl Glycidyl Ether) 1~5wt.%와, 소포제(Defoamers) 1~5wt.%와, 지연용제(Retard) 1~4wt.%를 혼합하여 형성하게 된다.
또한, 상기 접착층(5a)은 투명해야 하고, 기공 등이 제거된 상태를 유지해야 한다. 이 실시예에서는, 접촉발광소자(1)와 TFT 지문입력기(5)를 접착층(5a)을 이용하여 직접 접착함으로써 발광이미지가 직접 TFT의 광감지부에 전달되기 때문에 TFT 광감지부와 스위칭부 사이의 간격(W)을 줄일 수 있다.
또한, 이 실시예에서는 접촉발광소자(1)를 이용하게 되므로 도 2a에 도시된 별도의 백라이트(7)가 요구되지 않는다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 지문입력기의 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 실시예의 구조와 거의 유사한 구조이므로 그 차이점만을 설명하면, 접촉발광소자의 구조가 차이가 있다. 본 발명의 제 2 실시예에서는 접촉발광소자(1)가 투명기판(1f)이 배제된 상태에서, 투명전극층(1e)을 TFT 지문입력기(5)의 상면에 증착되고, 이어서 발광층(1d), 차광층(1c), 유전층(1b) 및 발수층(내마모성막)(1a)이 차례로 적층형성된 구조로 형성하게 된다.
즉, 본 발명의 제 2 실시예에서는 TFT 지문입력기(5)의 상면에 접촉발광소자(1)의 투명기판(1f)을 사용하지 않고 직접 적층형성하므로 접촉발광소자(1)의 두께를 줄일 수 있다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 지문입력기의 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 실시예의 구조와 거의 유사한 구조이므로 그 차이점만을 설명하면, 제 2 실시예에서의 접촉발광소자부분과 TFT 지문입력기 상면사이에 편광층(12)이 개재된 구조이다. 즉 TFT 지문입력기 상면에 편광층(12)이 증착형성되고, 그 편광층(12)상에 투명전극층(1e), 발광층(1d), 차광층(1c), 유전층(1b) 및 발수층(내마모성막)(1a)이 차례로 적층형성된 구조로 이루어진다.
상기 편광층(12)은 수직으로 입사된 빛만 통과시키고 기타 성분을 흡수하도록 구성되어 있다.
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 지문입력기의 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 실시예의 구조와 거의 유사한 구조이므로 그 차이점만을 설명하면, 접촉발광소자와 TFT 지문입력기의 연결구조에 차이가 있다. 즉, 제 1 실시예에서의 접촉발광소자(1)의 투명기판(1f)과 TFT 지문입력기(5)이 상면사이에 편광층(12)이 개재된다. 상기 편광층(12)은 상기 TFT 지문입력기(5)의 상면에 제 1 실시예의 접착층과 같은 접착수단을 통하여 접착고정된다. 그리고, 편광층(12)의 상면 또한 상기 접촉발광소자(1)의 투명기판(1f)의 저면과 제 1 실시예의 접착층과 같은 접착수단을 통하여 접착고정된다.
도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 지문입력기의 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이, 상기 제 4 실시예의 구조와 거의 유사한 구조이므로 그 차이점만을 설명하면, 접촉발광소자와 TFT 지문입력기의 연결구조에 차이가 있다. 즉, 제 4 실시예에서는 접촉발광소자(1)의 투명기판(1f)과 TFT 지문입력기(5)이 상면사이에 편광층(12)이 개재된 반면에 이 실시예에서는 광차폐 패턴막(13)이 개재된다.
상기 광차폐 패턴막(13)은 상기 TFT 지문입력기(5)의 상면에 증착등의 방법으로 형성되고 TFT 지문입력기(5)의 광감지부의 어레이와 같은 모양으로 된 검은 막 패턴이고 광 입사층만 개방되도록 하는 개방부(13a)를 가지고 있다. 상기 광차폐 패턴막(13)과 접촉발광소자(1)는 제 1 실시예의 접착층과 같은 접착수단을 사용하여 접착고정된다.
도 8은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 지문입력기의 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이, 상기 도 5의 제 3 실시예와 거의 유사한 구조이므로 그 차이점만을 설명하면, 제 3 실시예에서의 접촉발광소자부분과 TFT 지문입력기 상면사이에 광차폐 패턴막(13)이 개재된 구조이다. 상기 광차폐 패턴막(13)은 상기 TFT 지문입력기(5)의 상면에 증착 등의 방법으로 형성되고 TFT 지문입력기(5)의 광감지부의 어레이와 같은 모양으로 된 검은 막 패턴이고 광 입사층만 개방되도록 하는 개방부(13a)를 가지고 있다. 그리고, 광차폐 패턴막(13)의 상부에는 투명전극층(1e), 발광층(1d), 차광층(1c), 유전층(1b) 및 발수층(내마모성막)(1a)이 차례로 적층되어 형성된다.
도 9는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 지문입력기의 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 실시예의 구조와 거의 유사한 구조이므로 그 차이점만을 설명하면, TFT 지문입력기(5)의 구조가 차이가 있다. 즉 TFT 지문입력기(5)에 있어서, 광이 입사되는 광감지부의 개방부(13a)만을 제외한 모든 부분을 광차폐층(14)으로 덮은 구조이다.
도 10은 본 발명의 제 8 실시예에 따른 지문입력기의 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이, 상기 제 7 실시예의 구조와 거의 유사한 구조이므로 그 차이점만을 설명하면, 접촉발광소자(1)의 구조가 차이가 있다. 즉 제 7 실시예의 TFT 지문입력기(5)의 상부에 증착에 의해 투명전극층(1e)을 형성하고, 상기 투명전극층(1e)의 상부에 발광층(1d), 차광층(1c), 유전층(1b), 및 발수층(내마모성막)(1a)를 차례로 적층하여 형성하게 된다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 지문인식장치에 따르면, 슬림한 지문입력장치 제조가 가능해지므로 다양한 응용분야에 적용하거나 이용할 수 있는 효과가다. 또한 기존의 TFT 지문입력기보다 입사되는 실질입사영역을 유효 감지영역과 일치하도록 줄일 수 있으므로 질 좋은 지문영상이 얻어지는 효과가 있다.
또한 접촉발광소자와 TFT 지문입력기를 이용함으로써 발광이미지가 직접 TFT 광감지부에 전달되기 때문에 TFT 광감지부와 스위칭부 사이의 간격(W)을 줄일 수 있으므로 해상도가 높은 지문이미지를 얻을 수 있는 효과가 있다.

Claims (13)

  1. 광감지부와 스위칭부로 구성되는 다수의 단위셀이 배열된 구조를 갖는 TFT 지문입력기와,
    상기 TFT 지문입력기 상부에 설치되는 접촉발광소자로 구성되고,
    상기 TFT 지문입력기와 접촉발광소자는 접착층에 의해 상호 접착 연결되고, 상기 접촉발광소자의 투명 전극층에는 교류 전원 한 단자가 연결되는 것을 특징으로 하는 슬림형 지문인식장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착층은, 에폭시(Epoxy)계 접착제를 스프레이(Spray) 방법에 의해 균일하게 도포하여 형성하는 것을 특징으로 하는 슬림형 지문인식장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착층은, 에폭시(Epoxy)계 접착제를 스크린 프린팅(Screen printing) 방법에 의해 균일하게 도포하여 형성하는 것을 특징으로 하는 슬림형 지문인식장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착층은, 에폭시 접착제(Epoxy Adhesive) 55~60wt.%와, 폴리비닐 부티럴 페이스트(Poly vinyl Butyral Paste) 5~10wt.%와, 에틸렌 글리콜 모노 에틸 에테르 아세테이트(Ethylene Glycol Monoethyl Ether Acetate) 1~5wt.%와, 희석제인 엔-부틸 글리씨딜 에테르(n-Butyl Glycidyl Ether) 1~5wt.%와, 소포제(Defoamers) 1~5wt.%와, 지연용제(Retard) 1~4wt.%를 혼합하여 형성되는 것을 특징으로 하는 슬림형 지문인식장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 TFT 지문입력기의 상부에 광입사층만 오픈된 검은 막 패턴이 배열되어 광입사층으로만 빛이 통과될 수 있도록 구성된 광차폐 패턴막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슬림형 지문인식장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 TFT 지문인식기와 접촉발광소자의 사이에 수직으로 입사된 빛 만을 통과시키는 편광층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슬림형 지문인식장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 TFT 지문인식기의 광감지부는, 발광소자에서 직접 입사되는 광이 입사되는 광입사층,
    상기 광입사층의 양단에 연결된 드레인 전극 및 소스전극,
    상기 드레인전극 및 소스전극의 표면에 형성된 절연층,
    상기 절연층 상부에 광입사층이 노출되도록 하는 개방부를 제외한 모든 부분은 광차폐층으로 구성되며,
    상기 광입사층에 접촉발광소자의 발광 이미지(빛)가 상기 광차폐층에 의해 제한되어 광입사층에만 도달하도록 한 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 슬림형 지문인식장치.
  8. 광감지부와 스위칭부로 구성되는 다수의 단위셀이 배열된 구조를 갖는 TFT 지문입력기와,
    상기 TFT 지문입력기 상부에 설치되는 접촉발광소자로 구성되고, 상기 접촉발광소자는
    상기 TFT 지문입력기의 상부에 직접 박막으로 증착해서 형성되도록 하는 투명 전극층과,
    상기 투명 전극층에는 교류전원 한 단자가 연결되는 것을 특징으로 하며, 투명전극 상부에 설치되는 발광층과,
    상기 발광층의 상부에 설치되는 차광층과,
    상기 차단층 상부에 설치되는 유전층과,
    상기 유전층 상부에 설치되는 발수층(내마모성 막)으로 구성되며,
    상기 접촉발광소자의 투명전극층은 TFT 지문입력기의 상면에 증착되고, 이어서 상기 발광층, 차광층, 유전층 및 발수층(내마모성 막)이 차례로 적층 형성되는 것을 특징으로 하는 슬림형 지문인식장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 TFT 지문입력기와 상기 접촉발광소자의 사이에 수직으로 입사된 빛만을 통과시키는 편광층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 지문인식장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 편광층은, TFT 지문입력기의 상면에 증착에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 슬림형 지문인식장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 편광층은, TFT 지문입력기의 상면에 에폭시(Epoxy)계 접착제에 의해 접착형성되는 것을 특징으로 하는 슬림형 지문인식장치.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 TFT 지문입력기의 상부에 광입사층만 오픈된 검은 막 패턴이 배열되어 광입사층으로만 빛이 통과될 수 있도록 구성된 광차폐 패턴막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슬림형 지문인식장치.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 TFT 지문인식기의 광감지부는
    발광소자에서 직접 입사되는 광이 입사되는 광입사층,
    상기 광입사층의 양단에 연결된 드레인 전극 및 소스전극,
    상기 드레인전극 및 소스전극의 표면에 형성된 절연층,
    상기 절연층 상부에 광입사층이 노출되도록 하는 개방부를 제외한 모든 부분은 광차폐층으로 구성되며,
    상기 광입사층에 접촉발광소자의 발광 이미지(빛)가 상기 광차폐층에 의해 제한되어 광입사층에만 도달하도록 한 것을 특징으로 하는 슬림형 지문인식장치.
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