KR20030065334A - 레이저장치, 노광장치 및 노광방법 - Google Patents
레이저장치, 노광장치 및 노광방법 Download PDFInfo
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Abstract
챔버내에 봉입된 가스를 여기시킴으로써 레이저광을 발하는 레이저장치에 있어서, 상기 챔버내의 상기 가스의 특성을 검출하는 가스특성검출기구와, 상기 가스특성검출기구의 검출결과에 의거해서 상기 레이저광의 발진파장 및/또는 파장스펙트럼 대역폭을 산출하는 산출기구를 지닌 것을 특징으로 하는 레이저장치가 제공된다.
Description
본 발명은 일반적으로 레이저장치에 관한 것으로, 특히, 반도체소자, 액정표시소자(LCD), 촬상소자(CCD 등), 박막자기헤드 등을 제조하기 위한 리소그래피공정에 사용되는 노광장치에 있어서, 패턴이 그려진 마스크 혹은 레티클(또, 본 출원에서는 이들의 용어를 교환가능하게 사용함)을 조명하는 레이저장치에 관한 것이다.
근년의 전자기기의 소형화 및 박형화의 요청으로부터, 이들 전자기기에 탑재되는 반도체소자의 미세화에의 요구는 점점 높아지고 있다. 반도체소자를 제조하기 위한 트랜스퍼(리소그래피)법으로서는, 투영노광장치가 종래부터 사용되어 왔다.
투영노광장치에서 전사가능한 최소의 치수(또는 해상도)는, 노광에 이용되는 광의 파장에 비례한다. 따라서, 근년, 노광광원은, 종래의 초고압수은램프(g선(파장 약 436nm), i선(파장 약 365nm)을 포함)로부터 보다 파장이 짧은 KrF엑시머레이저(즉, 파장 약 248nm)로, 나아가서는 ArF(파장 약 193nm)로 전이되어, F2레이저(파장 약 157nm)의 실용화도 진행되고 있다.
이러한 파장영역(즉, 자외영역)의 광을 효율좋게 투과하는 광학부재는, 합성석영이나 불화 칼슘 등 일부의 유리재로 한정되므로 색수차의 보정이 곤란해진다. 그래서, KrF엑시머레이저나 ArF레이저를 노광광원으로 할 경우에는, 일반적으로, 자연발진상태에서의 절반최대치에서 전체폭으로 약 300pm정도의 파장스펙트럼 대역폭을, 예를 들면, 약 0.5pm정도로 협대역화하고, 또, 파장을 모니터하면서 항상 소망의 파장으로 발진하도록 공진기내부에 설치된 파장선택소자의 피드백제어(파장제어)를 행한다.
한편, F2레이저를 노광광원으로 할 경우에는, 157nm부근에 복수의 발진스펙트럼이 존재하는 것; 자연발진상태에서의 파장 스펙트럼 대역폭이 약 1pm정도, 즉, KrF엑시머레이저나 ArF엑시머레이저에 비해서 좁은 것; 파장 대역폭 157nm에서 이용되는 광학부재의 성능이 실용적인 단계까지 진행되어 있지 않기 때문에 레이저광의 협대역화가 곤란하다는 것; 레이저장치내부에서의 파장 및 파장스펙트럼 대역폭의 고정밀한 계측이 매우 곤란하다는 것 등의 기술적인 이유에 의해 파장 스펙트럼 대역폭의 협대역화 혹은 파장제어를 행하는 것이 불가능하다. 따라서, F2레이저에 있어서 발진되는 복수의 파장중, 어느 1개의 파장만을 선택해서 발진시키는 라인선택방식이 제안되어 있다.
엑시머레이저나 F2레이저에서는, 일반적으로, 불소 등의 할로겐가스, 및 헬륨, 네온 등의 희가스를 챔버내에 봉입해서, 해당 챔버내에 배치된 전극간에 고전압을 인가함으로써 생기는 방전에 의해서 가스를 여기시켜 레이저광을 발진시키는 레이저장치가 이용된다. 레이저광의 발진을 계속하면, 할로겐가스가 챔버내에 존재하는 불순물과 반응하거나, 챔버 내벽에 흡착하거나 해서 할로겐가스의 농도가 저하한다. 따라서, 레이저가스의 조성비가 최적인 비율로부터 변화해서, 그 결과, 펄스에너지(또는 레이저발진효율)의 저하를 초래한다.
따라서, 전극사이에 인가하는 전압을 상승시키거나, 인가전압의 상승량이 어느 역치에 달한 경우에는 할로겐가스를 함유하는 가스를 소정량 주입(가스주입)해서 챔버내의 가스의 압력을 상승시키거나 해서, 레이저광의 펄스에너지를 소망의 값으로 유지하고 있다. 그러나, 가스주입을 반복해서 행하면 챔버내의 불순물이 증가하여, 불순물과 할로겐가스간에 반응이 용이해져, 최종적으로는 전극사이에 인가하는 전압의 상승 및 가스주입을 행해도 펄스에너지를 소망의 값으로 유지하는 일이 불가능해진다. 가스주입의 효과가 작아진 경우에는, 챔버내의 가스의 대부분을 배출하고, 새로운 가스를 봉입한다(가스교환). 즉, 엑시머레이저나 F2레이저에서는, 사용상황에 따라서 챔버내의 가스압이나 불소의 분압을 변화시키거나, 전극간의 인가전압을 상승시키거나 해서 소망의 출력을 얻고 있다.
그러나, F2레이저의 경우, 가스주입 등에 의해 챔버내의 가스의 압력이나 온도 등의 가스특성이 변화하면, 그에 따라서 레이저광의 발진파장 및 파장스펙트럼 대역폭이 변화하는 것이 명백해졌다.
따라서, F2레이저를 노광광원으로 이용하면, 노광중에 발진파장 및 파장스펙트럼 대역폭이 변화하고, 예를 들면, 노광계로부터 요구되는 파장안정성이나 파장스펙트럼 대역폭의 허용치를 초과한 경우에는, 노광장치에 요구되는 소망의 해상성능을 달성하는 것이 관란해진다.
또, F2레이저를 사용한 경우에는, 고정밀한 파장의 계측을 레이저장치내부에서 행하는 것이 기술적으로 매우 곤란하기 때문에 노광중에 레이저광이 소망의 성능을 발휘하고 있는 지의 여부를 직접적으로 확인하는 것이 곤란하다. 또, 레이저광의 발진파장을 직접적으로 확인했다고 해도, 현행의 광학부품의 내구성능을 감안하면, 유지비용이나 보수의 빈도의 관점에 있어서 노광장치의 생산성에 악영향을 부여하는 것은 명백하다. F2레이저보다도 단파장으로 발진하는 레이저를 노광광원으로 한 경우에도 마찬가지의 문제가 생긴다.
따라서, 본 발명은, 레이저광의 발진파장 및 파장스펙트럼 대역폭의 변화를 간접적으로 검출하고, 소정의 광학성능을 유지하는 것이 가능한 레이저장치, 노광장치 및 노광방법을 제공하는 것을 예시적 목적으로 한다.
본 발명의 일측면으로서의 레이저장치는, 챔버내에 봉입된 가스를 여기시킴으로써 레이저광을 발하는 레이저장치에 있어서, 상기 챔버내의 상기 가스의 특성을 검출하는 가스특성검출기구와, 상기 가스특성검출기구의 검출결과에 의거해서 상기 레이저광의 발진파장 및/또는 파장스펙트럼 대역폭을 산출하는 산출기구를 지닌다.
상기 가스특성검출기구는, 상기 챔버내의 상기 가스의 압력을 검출하는 압력센서 또는 상기 챔버내의 상기 가스의 온도를 검출하는 온도센서이어도 된다. 상기 레이저장치는, 또한, 상기 레이저광의 발진파장 및/또는 파장스펙트럼 대역폭이 소정의 허용범위인가를 판단하여, 해당 레이저광의 발진파장 및/또는 파장스펙트럼 대역폭을 상기 허용범위내로 하기 위한 보정정보를 생성하는 제어기를 지녀도 된다. 상기 레이저광은 157nm부근 혹은 그것 이하의 파장에서 발진해도 된다.
본 발명의 다른 측면으로서의 노광장치는, 레이저광을 이용해서 마스크상의 패턴을 피처리체에 노광하는 노광장치에 있어서, 챔버내에 봉입된 가스의 특성을 검출하는 가스특성검출기구를 지니고, 해당 가스를 여기시킴으로써 상기 레이저광을 발하는 레이저장치와, 상기 가스특성검출기구의 검출결과에 의거해서 상기 노광을 보정하는 보정수단을 지닌다.
상기 노광장치는, 상기 가스특성검출수단의 검출결과에 의거해서 상기 레이저광의 발진파장 및/또는 파장스펙트럼 대역폭을 산출하는 산출기구를 또 지녀도 된다. 상기 산출기구는, 상기 레이저장치의 내부 혹은 외부에 설치해도 된다.
본 발명의 또 다른 측면으로서의 노광방법은, 챔버내에 봉입된 가스를 여기시킴으로써 발생시킨 레이저광을 이용해서 마스크상의 패턴을 피처리체에 노광하는 노광방법에 있어서, 상기 챔버내의 상기 가스의 특성을 검출하는 검출공정과, 상기 검출공정의 검출결과에 의거해서 상기 노광의 계속 또는 중지를 판단하는 공정을 지닌다.
상기 검출공정은, 상기 가스특성으로부터 상기 레이저광의 발진파장 및/또는 파장스펙트럼 대역폭을 산출하는 공정을 지녀도 된다. 상기 판단공정은, 상기 검출공정의 검출결과를 소정의 허용범위와 비교하는 공정을 지녀도 된다.
상기 노광방법은, 또한, 상기 판단공정에 있어서 상기 노광이 중지된 것으로 판단된 경우, 상기 챔버내의 상기 가스의 가스특성을 변경하는 공정을 지녀도 된다. 상기 가스특성변경공정은, 상기 챔버내의 상기 가스의 압력 및/또는 온도를변경해도 된다.
본 발명의 또 다른 측면으로서의 노광방법은, 챔버내에 봉입된 가스를 여기시킴으로써 발생시킨 레이저광을 이용해서 마스크상의 패턴을 피처리체에 노광하는 노광방법에 있어서, 상기 챔버내의 상기 가스의 특성을 검출하는 검출공정과, 상기 검출공정에서 검출한 상기 가스특성으로부터 상기 레이저광의 발진파장 및/또는 파장스펙트럼 대역폭을 산출하는 공정과, 상기 산출한 상기 발진파장에 의거해서 상기 노광의 보정을 행하는 공정을 지닌다.
상기 보정공정은, 마스크상의 패턴을 피처리체에 투영하는 투영광학계의 광학특성을 보정해도 된다. 상기 보정공정은, 상기 피처리체를 광축방향으로 이동시켜도 된다.
챔버내에 봉입된 가스의 특성으로부터, 해당 가스를 여기시킴으로써 발생하는 레이저광의 발진파장 또는 파장스펙트럼 대역폭을 산출하기 위한 데이터베이스도 본 발명의 다른 측면을 구성한다. 이러한 데이터베이스에 있어서, 상기 가스특성은, 상기 가스의 압력 및/또는 온도이어도 된다.
본 발명의 다른 측면의 디바이스 제조방법은, 상기 설명한 노광장치를 이용해서,마스크상의 패턴을 피처리체에 노광하는 공정과, 상기 노광된 상기 피처리체에 소정의 프로세스를 행하는 공정을 포함한다. 상기 노광장치의 작용과 마찬가지의 작용을 발휘하는 디바이스의 제조방법의 청구항은, 중간생성물 및 최종결과물인 디바이스자체에도 그 효과가 미친다. 또, 이러한 디바이스는, LSI나 VLSI 등의 반도체칩, CCD, LCD, 자기센서, 박막자기헤드 등을 포함한다.
본 발명의 다른 목적 또는 그외의 특성은, 이하 첨부도면을 참조해서 설명되는 바람직한 실시예의 설명에 의해서 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일측면으로서의 노광장치의 개략블록도
도 2는 본 발명의 일측면으로서의 레이저장치의 개략블록도
도 3은 도 2에 표시한 레이저장치의 챔버내의 가스압 및 가스온도를 변화시킨 경우의 레이저광의 발진파장 및 파장스펙트럼 대역폭을 실험적으로 구하는 방법을 설명하기 위한 순서도
도 4는 도 2에 표시한 레이저장치의 가스특성과 레이저광의 발진파장과의 관계를 표시한 그래프
도 5는 도 2에 표시한 레이저장치의 가스특성과 레이저광의 파장 스펙트럼 대역폭과의 관계를 표시한 그래프
도 6은 도 2에 표시한 레이저장치가 발진하는 레이저광의 발진파장 또는 파장스펙트럼 대역폭이 소정의 허용범위로부터 벗어난 경우의 처리를 설명하기 위한 순서도
도 7은 본 발명의 노광장치를 이용한 디바이스제조방법을 설명하기 위한 순서도
도 8은 도 7에 표시한 스텝 4의 상세한 순서도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 노광장치100: 레이저장치
102: 제어기104: 고압전원
106: 압축회로108: 챔버
108a, 108b: 방전전극108c: 영역
110a, 110b: 윈도우112a, 112b: 애퍼춰(aperture)
114: 라인선택모듈116: 부분투과미러
118: 빔스플리터120: 셔터
122: 광모니터부124: 압력센서
126: 온도센서128: 산출기
130: 가스콘트롤러132: 레이저가스배관
200: 조명광학계202: 빔정형광학계
204: 가변 ND필터206: 옵티컬인티그레이터
208: 콘덴서렌즈210: 광검출기
212: 빔스플리터214: 마스킹블레이드
216: 결상렌즈218: 미러
300: 마스크400: 투영광학계
410: 수차보정유닛500: 플레이트
600: 스테이지700: 제어기
이하, 첨부도면을 참조해서, 본 발명의 일측면으로서의 노광장치(1) 및 레이저장치(100)에 대해서 설명한다. 단, 본 발명은, 이들 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 목적이 달성되는 범위에 있어서, 각 구성요소가 대체적으로 치환되어도 된다. 여기서, 도 1은, 본 발명의 일측면으로서의 노광장치(1)의 개략블록도이다. 본 발명의 노광장치(1)는, 도 1에 표시한 바와 같이, 레이저장치(100)와, 조명광학계(200)와, 마스크(300)와, 투영광학계(400)와, 플레이트(500)와, 스테이지(600)와 제어기(700)를 지닌다.
노광장치(1)는, 예를 들면, 스텝 앤드 리피트방식이나 스텝 앤드 스캔방식으로 마스크(300)에 형성된 회로패턴을 플레이트(500)에 노광하는 투영노광장치이다. 이러한 노광장치는, 서브미크론이나 쿼터미크론 리소그라피공정에 적합하며, 이하, 본 실시예에서는, 스텝 앤드 스캔방식의 노광장치("스캐너"라고도 칭함)를 예로 설명한다. 여기서 사용하는 "스텝 앤드 스캔방식"은, 마스크에 대해서 웨이퍼를 연속적으로 스캔해서 마스크패턴을 웨이퍼에 노광하는 동시에, 1쇼트의 노광종료후 웨이퍼를 스텝이동시켜, 다음 회의 쇼트의 노광영역으로 이동시키는 노광방법이다. "스텝 앤드 리피트방식"은, 웨이퍼의 쇼트의 일괄 노광마다 웨이퍼를 스텝이동시켜 다음의 쇼트의 노광영역으로 이동하는 노광방법이다.
레이저장치(100)는, 도 2에 표시한 바와 같이, 제어기(102)와,고압전원(104)과, 압축회로(106)와, 챔버(108)와, 애퍼춰(aperture)(112a), (112b)와, 라인선택모듈(114)과, 부분투과미러(116)와, 빔스플리터(beam splitter)(118)와, 셔터(120)와, 광모니터부(122)와, 압력센서(124)와, 온도센서(126)와, 산출기(128)와, 가스콘트롤러(130)를 지니고, 예를 들면, 펄스광을 발광하는 F2레이저(파장 약 157nm)나, 그것보다도 단파장에서 발진하는 레이저광을 발한다. 여기서, 도 2는 본 발명의 다른 측면으로서의 레이저장치(100)의 개략블록도이다.
제어기(102)는, 노광장치(1)의 제어기(700)로부터 송신된 트리거신호나 에너지지령, 혹은 인가전압지령 등을 모두 수신한다. 이러한 신호를 기초로 해서, 제어기(102)는, 고전압신호를 고압전원(104)에 송신하는 동시에, 레이저광을 발광시키는 타이밍에서 트리거신호를 압축회로(106)에 송신한다.
챔버(108)내부에는, 방전전극(108a), (108b)이 설치되어 있고, 또한, 레이저가스로서 불소 등의 할로겐가스 및 헬륨, 네온 등의 히가스가 소정의 비율로 봉입되어 있다.
압축회로(106)에 의해서 10 내지 30㎸정도의 고전압이 방전전극(108a), (108b)사이(영역(108c))에 인가되면, 이러한 영역(108c)에서 방전이 발생하여, 챔버(108)내에 봉입되어 있는 레이저가스가 여기되어 방전전극(108a), (108b)사이(영역(108c))에서 광을 발한다.
방전전극(108a), (108b)사이(영역(108c))에서 발생된 광은, 윈도우(110a), (110b) 및 애퍼춰(112a), (112b)를 통과해서, 라인선택모듈(114)내부의 리어 미러(도시생략) 및 부분투과미러(116)를 왕복함으로써 증폭되어 레이저광으로 된다.
라인선택모듈(114)내에는 프리즘 등의 파장선택소자가 내장되어 있고, F2레이저로 발진되는 복수의 파장중, 어느 특정의 파장의 광만을 선택해서 챔버(108)측에 반사한다. 따라서, 이러한 파장에 대해서는 레이저광이 발생되나, 그 밖의 파장의 광은 반사되어도 애퍼춰(112a), (112b)에 의해서 커트되기 때문에 레이저광으로서 출력되지 않는다.
발생된 레이저광의 대부분은 빔스플리터(118)를 투과해서, 셔터(120)가 개방되어 있을 때에는, 조명광학계(200)의 빔정형광학계(202)를 향해서 출사된다. 한편, 빔스플리터(118)에서 반사된 일부의 레이저광은, 광모니터부(122)에 도입된다.
광모니터부(122)는, 펄스마다의 광 에너지를 모니터해서, 이들 결과를 제어기(102)에 송신한다. 제어기(102)는, 광모니터부(122)에 의한 에너지의 계측결과 또는 노광장치(1)의 제어기(700)로부터 송신되는 에너지제어의 정보에 의거해서, 다음회의 발광시킬 펄스광의 인가전압을 결정한다.
챔버(108)에는, 챔버(108)내부의 가스의 압력을 계측하는 압력센서(124) 및 챔버(108)내부의 가스의 온도를 계측하는 온도센서(126)가 설치되고, 상시 또는 소정의 타이밍에서 챔버(108)내부의 가스의 압력이나 온도가 계측된다. 챔버(108)내부의 가스의 압력이나 온도의 계측결과는, 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭을 산출하는 산출기(128)에 송신되고, 산출기(128)는, 압력센서(124) 및 온도센서(126)의 계측결과에 의거해서 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭을 산출해서, 그 결과를 제어기(102)에 송신한다.
레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭의 결과는, 필요에 따라 제어기(102)로부터 노광장치(1)의 제어기(700)에도 송신된다. 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭의 산출을 위해서는, 후술하는 바와 같이, 미리 실험을 행하여, 가스의 압력이나 온도 등의 가스특성과 발진파장 및 파장스펙트럼 대역폭의 상관으로부터 관계식을 구해서 산출기(128)에 기억시켜 두면 된다.
본 실시예에 있어서, 압력센서(124) 및 온도센서(126)의 계측결과에 의거해서 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭을 산출하는 산출기(128)는, 레이저장치(100)에 배치되어 있으나, 가스특성에 의거해서 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭의 양 쪽 혹은 적어도 한 쪽을 산출하는 유닛을 노광장치(1)의 제어기(700)에 지녀도 된다. 그 경우, 압력센서(124) 및 온도센서(126)에 의한 가스특성의 계측결과는, 제어기(102)에 직접 송신되어, 제어기(102)로부터 노광장치(1)의 제어기(700)에서 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭으로 변환된다.
챔버(108)내의 레이저가스는, 레이저광을 발진시키고 있으면 할로겐가스의 비율이 저하되거나, 불순물이 증가하거나 하는 등 점차로 열화되어 간다. 그래서, 소정의 간격으로 할로겐가스를 함유한 가스를 챔버(108)내에 주입(이하, 가스주입이라 칭함)하거나, 챔버(108)내의 레이저가스의 대부분을 교환(이하, 가스교환이라 칭함)할 필요가 있다.
가스주입 또는 가스교환이 필요한 때에는, 가스콘트롤러(130)가 레이저가스배관(132)을 개재해서 공급되는 새로운 레이저가스를 챔버(108)내에 도입하거나,챔버(108)내의 열화된 레이저가스의 일부 또는 대부분을 배기용 가스배관(134)을 개재해서 배기하거나 한다.
여기서, 도 3을 참조해서, 챔버(108)내의 가스특성과 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭의 관계를 실험적으로 도출하는 방법의 일례를 설명한다. 도 3은, 챔버(108)내의 가스압력 및 가스온도를 변화시킨 경우의 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭을 실험적으로 구하는 방법(1000)을 설명하기 위한 순서도이다. 또, 레이저장치(100)로부터 발진된 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭의 계측에는 분광기를 이용한다.
먼저, 레이저장치(100)의 발진을 개시하고(공정 1002), 레이저광을 분광기에 입사시킨다. 그 때에는, 챔버(108)내부의 가스온도의 계측(공정 1004) 및 가스압력의 계측(공정 1006)을 행하는 동시에, 거의 동일시각 혹은 직후의 타이밍에서 레이저광의 빌진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭을 분광기를 이용해서 계측한다(공정 1008).
다음에, 가스온도를 일정하게 유지한 채로 챔버(108)내의 가스압력을 변경해서 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭의 계측을 속행할 지 중지할 지를 판단한다(공정 1010). 계측을 속행할 경우에는, 챔버(108)내부의 가스압력을 변경하고(공정 1012), 재차 챔버(108)내의 가스압력의 계측(공정 1016)을 행하고, 그 후, 재차 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭을 계측한다(공정 1008).
레이저장치(100)로 사용하는 가스압력의 전체 영역에 걸친 데이터채취가 종료한 후, 동일 가스온도에서의 계측을 중지하고, 챔버(108)내의 가스온도를 변경해서 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭의 계측을 속행할 지 중지할 지의 여부를 판단한다(공정 1014). 계측을 속행할 경우에는, 챔버(108)내의 가스온도를 변경한다(공정 1016). 가스온도를 변경하기 위해서는, 레이저광의 발진주파수를 변경해도 되고, 챔버(108)내에 히터 등의 온도제어기기를 장착해서 온도제어를 행해도 된다.
가스온도의 변경후, 가스온도를 일정하게 유지한 채 재차 가스압력을 변화시켜서 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭을 계측한다(공정 1004이하를 반복한다). 레이저장치(100)에서 사용하는 가스온도의 전체 영역에 걸친 데이터채취가 종료한 후 레이저발진을 정지(공정 1018)해서 종료한다(공정 1020).
이러한 방법(1000)에 의해 얻어진 데이터의 일례를 도 4 및 도 5에 표시한다. 도 4는, 레이저장치(100)의 가스특성(가스압력 및 가스온도)과 레이저광의 발진파장과의 관계를 나타내는 그래프이고, 가로축에 가스압력을, 세로축에 발진파장을 채용하고, 가스온도를 Ta, Tb, Tc...로 변화시킨 데이터를 표시한다. 도 5는, 레이저장치(100)의 가스특성(가스압력 및 가스온도)과 레이저광의 파장 스펙트럼 대역폭과의 관계를 표시하는 그래프이고, 가로축에 가스압력을, 세로축에 발진파장을 채용하고, 가스온도를 Ta, Tb, Tc...로 변화시킨 데이터를 표시한다. 이러한 데이터는, 계측한 가스특성으로부터 레이저광의 발진파장 또는 파장 스펙트럼 대역폭을 산출하는 데이터베이스로서 기능한다.
도 4 및 도 5를 참조하기 위해, 레이저장치(100)의 발진파장 λ 및 파장 스펙트럼 대역폭 Δλ은, 레이저가스의 압력을 p, 레이저가스의 온도를 T로 하면, 이하에 표시하는 수식(함수)으로 추정하는 것이 가능하다:
λ=f(p, T) (1)(발진파장)
Δλ=g(p, T) (2)(파장 스펙트럼 대역폭)
실제로는, 레이저메이커 혹은 노광장치메이커의 공장 등에 있어서, 이러한 방법(1000)을 행함으로써 얻어진 결과로부터 함수를 추정하면 된다.
또, 본 실시예에서는, 레이저장치(100)가 발하는 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭을 구할 때의 가스특성의 검지항목으로서 챔버(108)내의 가스압력 및 가스온도를 예로 설명하나, 그외의 가스 특성, 예를 들면, 가스의 조성비 등을 이용하는 것도 가능하며, 가스 압력이나 가스온도외에 이들 특성도 겸해서 검지함으로써 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭을 도출해도 되는 것은 말할 것도 없다.
상기 식(1) 및 (2)로 표시한 함수 f(p, T) 및 g(p, T)는, 산출기(128)에 기억된다. 각 시점에서의 레이저광의 발진파장은, 함수 f(p,T)와 압력센서(124) 및 온도센서(126)에 의한 챔버(108)내의 가스압력 및 가스온도의 계측치를 이용해서 산출기(128)에서 산출되고, 이러한 산출결과는, 제어기(102)에 송신된다. 또한, 필요에 따라서, 제어기(102)로부터 노광장치(1)의 제어기(700)에 송신된다.
한편, 각 시점에서의 레이저광의 파장 스펙트럼 대역폭은, 함수 g(p, T)와 압력센서(124) 및 온도센서(126)에 의한 챔버(108)내의 가스압력 및 가스온도의 계측치를 이용해서 산출기(128)에서 산출하고, 이러한 산출결과는, 제어기(102)에 송신된다. 또한, 필요에 따라서 제어기(102)로부터 노광장치의 제어기(700)에 송신된다.
또, 제어기(102)는, 산출된 각 시점에서의 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭이 소정의 허용범위를 만족하고 있는 가의 여부를 판단한다. 제어기(102)가 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭이 소정의 허용범위를 만족하고 있는 것으로 판단된 경우에는, 노광동작은 속행되나, 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭중 적어도 어느 한쪽이 소정의 허용범위로부터 벗어난 것으로 판단된 경우에는, 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭의 적어도 어느 한쪽이 허용범위로부터 벗어난 것을 나타내는 신호를 노광장치(1)의 제어기(700)에 송신하고, 이에 응답해서, 제어기(700)는, 노광을 중지하는 동시에, 레이저장치(100)의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭이 소정의 허용범위내로 되도록 처리를 행한다.
재차, 도 1로 돌아가서, 조명광학계(200)는, 마스크(300)를 조명하는 광학계이며, 레이저장치(100)로부터 레이저광(빔)의 광로를 따라서, 레이저광의 단면을 소망의 형상으로 하기 위한 빔정형광학계(202), 레이저광의 강도를 조절하기 위한 가변 ND필터(204), 마스크(300)면상에서의 조도를 균일화시키기 위해 레이저광을 분할해서 중첩하는 옵티컬인티그레이터(206), 해당 옵티컬인티그레이터(206)를 개재한 레이저광을 집광하는 콘덴서렌즈(208), 해당 콘덴서렌즈(208)로부터의 레이저광의 일부를 광검출기(210)로 인도하기 위한 빔스플리터(212), 상기 콘덴서렌즈(208)에 의해서 레이저광이 집광되는 위치의 근방에 배치되어 마스크(300)면상의 레이저광이 조사되는 범위를 규제하는 마스킹블레이드(214), 해당 마스킹블레이드(214)의 상을 마스크(300)상에 결상하는 결상렌즈(216) 및 레이저광의 광로를 투영광학계(400)의 방향으로 향하기 위한 미러(218)가 설치되어 있다.
마스크(300)는, 전사되어야 할 회로패턴(또는 상)이 형성되고, 마스크스테이지(도시생략)에 의해 지지 및 구동된다. 마스크(300)로부터 발사된 회절광은, 투영광학계(400)를 통해서 플레이트(500)상에 투영된다. 마스크(300)와 플레이트(500)와는, 광학적으로 공액의 관계에 있다. 본 실시형태의 노광장치(1)는, 스캐너이므로, 마스크(300)와 플레이트(500)를 투영광학계(400)의 축소배율비의 속도비로 주사(스캔)함으로써 마스크(300)의 패턴을 플레이트(500)위에 전사한다.
투영광학계(400)는, 마스크(300)면상의 회로패턴을 플레이트(500)의 복수의 쇼트영역의 하나에, 소정의 배율(예를 들면, 1/2 내지 1/10)로 축소해서 투영노광(전사)한다. 투영광학계(400)는, 복수의 렌즈소자만으로 이루어진 광학계, 복수의 렌즈소자와 적어도 1매의 오목면경을 지닌 광학계(카타디옵트릭 광학계), 복수의 렌즈소자와 적어도 1매의 키노폼(kinoform) 등의 회절광학소자를 지닌 광학계, 전체 미러형의 광학계 등을 사용하는 것이 가능하다. 색수차의 보정이 필요한 경우에는, 서로 분산치(압베치)가 다른 유리재로 이루어진 복수의 렌즈소자를 사용하거나, 회절광학계를 렌즈소자와 역방향의 분산이 생기도록 구성하거나 한다.
또, 투영광학계(400)에는, 수차보정유닛(410)이 설치되어 있고, 수차보정유닛(410)의 일부의 렌즈를 구동하거나, 소정의 렌즈간의 압력을 콘트롤하거나 함으로써 레이저광의 발진파장이 변동함으로써 생기는 투영광학계(400)의 수차를 보정한다.
플레이트(500)는, 웨이퍼나 액정기판 등의 피처리체로, 그 위에 포토레지스트가 도포되어 있다. 포토레지스트도포공정은, 전처리와, 밀착성 향상제 도포처리와, 포토레지스트도포처리와, 프리베이크처리를 포함한다. 전처리는, 세정, 건조 등을 포함한다. 밀착성 향상제 도포처리는, 포토레지스트와 기재와의 밀착성을 높이기 위한 포면개질처리(즉, 계면활성제 도포에 의한 소수성화를 증대시키기 위한 처리)이며, HMDS(Hexamethyl-disilazane) 등의 유기막을 코트 혹은 증기처리한다. 예비소성처리는, 베이킹(또는 소성)공정으로, 현상후의 그것보다도 소프트하며, 용제를 제거한다.
스테이지(600)는, 예를 들면, 리니어모터를 이용해서 투영광학계(400)의 광축에 수직인 방향으로 플레이트(500)를 이동하는 것이 가능하다. 마스크(300)와 플레이트(500)는, 예를 들면, 동기주사되고, 스테이지(600)와 마스크스테이지(도시생략)의 위치는, 예를 들면, 레이저간섭계 등에 의해 감시되고, 양자는 일정 속도의 비율로 구동된다. 또, 스테이지(600)는, 투영광학계(400)의 광축과 평행한 방향으로 플레이트(500)를 이동하는 것도 가능하며, 마스크(300)의 결상위치와 플레이트(500)의 표면이 합치하도록 제어된다.
스테이지(600)는, 예를 들면, 댐퍼를 개재해서 마루 등의 위에 지지되는 스테이지면판상에 설치되고, 마스크스테이지 및 투영광학계(400)는, 예를 들면, 마루 등에 놓여진 베이스프레임상에 댐퍼 등을 개재해서 지지되는 경통면판(도시생략)상에 설치된다.
제어기(700)는, 레이저장치(100)로부터 송신된 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭(즉, 측정한 가스특성으로부터 산출된 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭)을 수신하고, 이것에 의거해서 필요에 따라 투영광학계(400)의 수차보정유닛(410)의 광학부품(도시생략)의 구동이나 소정의 렌즈간의 압력의 제어, 소정의 렌즈간격의 보정을 행하거나, 스테이지(600)를 구동시킴으로써, 마스크(300)상의 패턴의 플레이트(500)상에의 결상성능이 소망의 레벨로 되도록 조정한다. 즉, 제어기(700)는 레이저광의 발진파장이 변화함으로써 발생하는 수차를 보정한다.
또, 상술한 바와 같이, 레이저장치(100)는, 측정한 가스특성으로부터 산출한 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭이 소정의 허용범위내인 가를 판단해 놓고, 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭중 적어도 어느 한 쪽이 소정의 허용범위로부터 벗어나 있을 경우, 제어기(700)는, 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭중 적어도 어느 한 쪽이 소정의 허용범위로부터 벗어나 있는 것을 나타내는 신호를 수신한다. 이러한 신호를 수신하면, 제어기(700)는, 플레이트(500)에의 패턴의 노광을 중지하는 동시에 레이저장치(100)의 레이저광출사구에 있는 셔터(120)를 폐쇄해서 레이저장치(100)의 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭이 소정의 범위내로 되도록 조정한다. 조정이 완료되면, 제어기(700)는, 셔터(120)를 열어, 플레이트(500)에의 노광을 재차 개시한다.
또, 제어기(700)는, 레이저장치(100)에 레이저광을 발광시키기 위한 트리거신호를 송신하는 동시에, 광검출기(210)로 광전변환된 레이저광의 강도에 따라서 광전변환신호의 처리를 행한다. 이러한 광전변환신호를 적산함으로써, 제어기(700)는, 노광량의 제어를 위한 에너지지령 혹은 안가전압지령의 신호를 레이저장치(100)에 송신한다. 이러한 신호를 기초로 해서 레이저장치(100)는, 상술한 바와 같이, 제어기(102)가 각 유닛을 제어하여, 소정의 에너지를 발광한다.
제어기(700)가 레이저장치(100)로부터 수신하는 정보로서는, 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭이 소정의 허용범위내에 있는 가를 판단한 신호외에, 에너지의 안정성이 정상인가 이상인가를 판단하는 신호나 인터록신호 등이 있다. 이러한 신호를 기초로 해서, 제어기(700)는, 노광의 속행 또는 중지를 판단해서 레이저장치(100)의 발진상태를 제어한다.
여기서, 도 6을 참조해서, 레이저광의 발진파장 또는 파장 스펙트럼 대역폭이 소정의 허용범위로부터 벗어난 경우의 처리에 대해서 설명한다. 도 6은, 레이저장치(100)가 발진하는 레이저광의 발진파장 또는 파장 스펙트럼 대역폭이 소정의 허용범위로부터 벗어난 경우의 처리를 설명하기 위한 순서도이다. 레이저광이 발진하고 있을 때, 상시 또는 소정의 타이밍으로 산출기(128)에 송신된 압력센서(124) 및 온도센서(126)의 계측결과로부터 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭이 산출되고, 이러한 산출결과가 제어기(102)에 송신된다(공정 2002). 제어기(102)는, 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭이 소정의 허용범위내에 들어가 있는 가를 판단한다(공정 2004).
레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭이 소정의 허용범위내에 들어있는 경우에는 이어서 노광이 속행된다. 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭중, 한쪽이라도 소정의 허용범위로터 벗어난 경우, 제어기(102)는, 노광장치(1)의 제어기(700)에 발진파장 또는 파장 스펙트럼 대역폭이 허용범위로부터 벗어난 것을 나타내는 신호를 송신한다(공정 2006). 신호를 수신한 제어기(700)는, 발광을 위한 트리거신호를 레이저장치(100)에 송신하는 것을 금지하여, 노광을 중지한다(공정 2008).
그 후, 가스콘트롤러(130)가, 레이저장치(100)의 챔버(108)내에 봉입되어 있는 레이저가스를 배기하거나, 챔버(108)내에 신선한 레이저가스를 충전함으로써 챔버(108)의 가스압력을 변경해서, 소망의 가스압력으로 되도록 조정한다(공정 2010). 레이저장치(100)의 산출기(128)는, 조정후의 가스특성(가스압력, 가스온도)으로부터 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭을 산출하고(공정 2012), 이러한 산출결과가 소정의 허용범위내에 들어가 있는 지의 여부를 판단한다(공정 2014).
레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭의 적어도 한 쪽이 소정의 허용범위로부터 벗어나 있는 경우, 공정 2010으로부터의 공정을 반복해서 실시하고, 가스콘트롤러(130)는, 레이저장치(100)의 챔버(108)내의 가스압력을 변경하여, 소망의 가스압력이 되도록 재차 조정한다. 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭의 양 쪽이 소정의 허용범위내에 들어 있는 경우, 제어기(102)는 산출된 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭을 노광장치(1)의 제어기(700)에 송신한다(공정 2016). 제어기(700)는, 제어기(102)로부터 수신한 레이저광의 발진파장에 의거해서, 투영광학계(400)의 수차보정유닛(410) 또는 스테이지(600)의 조정을 행하고(공정 2018), 그 후, 플레이트(500)상에의 노광이 재개된다(공정 2020).
레이저장치(100)에서 사용되고 있는 레이저가스가 열화되어 있어 가스주입이나 가스교환을 행한 후 등, 챔버(108)내의 가스특성이 변화한 경우에 있어서도, 그 때에 압력센서(124) 및 온도센서(126)의 계측결과로부터 산출기(128)에서 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭이 산출되고, 이러한 산출결과가 제어기(102) 및 노광장치(1)의 제어기(700)에 송신된다. 이 때에도, 제어기(700)는, 산출된 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭에 의거해서 투영광학계(400)의 수차보정유닛(410) 또는 스테이지(600)의 조정(즉,플레이트(500)를 투영광학계(400)의 광축방향으로 이동함)을 행한다. 이 때, 레이저광의 발진파장이 변화함으로써 발생하는 수차를 보정하도록 수차보정유닛(410)의 광학부품(도시생략)의 구동, 소정의 렌즈간의 압력제어, 소정의 렌즈간격의 보정, 또는 스테이지(600)의 투영광학계(400)의 광축방향에의 구동을 행하나, 이들 동작은 규칙적으로 행해도 되고, 또는, 미리 설정되어 있는 레이저광의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭의 적어도 어느 한쪽의 허용변동량을 초과한 경우에 구동시켜도 된다.
노광에 있어서, 레이저장치(100)로부터 발사된 레이저광은, 조명광학계(200)에 의해 마스크(300)를, 예를 들면, 쾰러조명한다. 마스크(300)를 통과해서 마스크패턴을 반영하는 광은, 투영광학계(400)에 의해 플레이트(500)에 결상된다. 노광장치(1)가 사용하는 레이저장치(100)는, 상술한 바와 같이, 레이저광의 발진파장및 파장 스펙트럼 대역폭의 변화를 간접적으로 검출해서 소망의 해성성능을 발휘하는 것이 가능하므로(즉, 안정적으로 소망의 발진파장 및 파장 스펙트럼 대역폭의 레이저광을 발함), 높은 쓰루풋(throughput)으로 경제성 좋게 디바이스(반도체소자, LCD소자, 촬상소자(CCD 등), 박막자기헤드 등)를 제공하는 것이 가능하다.
상기 관계식을, 각각 가능한 검출된 온도 혹은 압력(또는 기타 가스특성)에 대해 이미 알고 있는 혹은 미리 산출된 발진파장값 및 파장스펙트럼 대역폭을 기억하는 룩업테이블(look-up table)로 대체하고, 상기 산출기구를, 상기 룩업테이블을 검색함으로써 데이터를 얻는 데이터획득기구로 대체해도 마찬가지의 동작 및 효과를 얻을 수 있다.
다음에, 도 7 및 도 8을 참조해서, 상술한 노광장치(1)를 이용한 디바이스제조방법의 실시예를 설명한다. 도 7은, 디바이스(IC나 LSI 등의 반도체칩, LCD, CCD 등)의 제조를 설명하기 위한 순서도이다. 여기에서는, 반도체칩의 제조를 예로 설명한다. 스텝 1(회로설계)에서는 반도체디바이스의 회로를 설계한다. 스텝 2(마스크제작)에서는 설계한 회로패턴에 의거해서 마스크를 제작하고, 스텝 3(웨이퍼제조)에서는 실리콘 등의 재료를 이용해서 웨이퍼를 제조한다. 스텝 4(웨이퍼처리)에서는 이와 같이 해서 준비한 마스크와 웨이퍼를 이용해서 리소그라피기술에 의해 웨이퍼상에 실제의 회로를 형성하며, 전(前)공정이라고도 불리며, 스텝 5(조립)에서는 스텝 4에서 처리된 웨이퍼를 반도체칩으로 형성하는 조립공정(후공정이라 불림)이다. 이 공정은 어셈블리(다이싱 및 본딩)공정과 패키징(칩봉인)공정을 포함한다. 스텝 6(검사)에서는 스텝 5에서 작성된 반도체디바이스의 타당성체크, 내구성 체크 등의 각종 시험을 수행한다. 이들 공정에 의해 반도체디바이스가 완성되어 출하된다(스텝 7).
도 8은 스텝 4의 웨이퍼처리공정의 상세한 순서도이다. 스텝 11(산화)에서는 웨이퍼의 표면을 산화하고, 스텝 12(CVD)에서는 웨이퍼표면에 절연막을 형성하고, 스텝 13(전극형성)에서는 증착법 등에 의해 웨이퍼상에 전극을 형성한다. 스텝 14(이온주입)에서는 웨이퍼에 이온을 주입하이고, 스텝 15(레지스트처리)에서는 웨이퍼에 감광재를 도포한다. 스텝 16(노광)에서는 전술한 노광장치(1)를 이용해서 웨이퍼상에 마스크의 회로패턴을 노광하고, 스텝 17(현상)에서는 노광한 웨이퍼를 현상하고, 스텝 18(에칭)에서는 현상한 레지스트상이외의 부분을 에칭하고, 스텝 19(레지스트박리)에서는 에칭공정후 불필요하게 된 레지스트재를 제거한다. 이들 공정을 반복함으로써, 웨이퍼상에 다중으로 회로패턴이 형성된다. 본 실시 형태의 제조방법에 의하면, 종래보다도 고품위의 디바이스를 제조하는 것이 가능하다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 이들로 한정되지 않고 그 요지의 범위내에서 다양한 변형이나 변경이 가능하다.
상기 레이저장치를 이용해서 레이저광의 발진파장 및 파장스펙트럼 대역폭을 간접적으로 검출하고, 이들 검출된 결과에 의거해서 보정을 행함으로써, 예상된 해상성능을 발휘시키는 것이 가능하다. 따라서, 이러한 레이저장치를 지닌 노광장치 및 노광방법에 의하면 높은 쓰루풋으로 노광동작을 행하는 것이 가능하여, 고품질의 디바이스를 제공할 수 있게 된다.
Claims (23)
- 챔버내에 봉입된 가스를 여기시킴으로써 레이저광을 발하는 레이저장치에 있어서,상기 챔버내의 상기 가스의 특성을 검출하는 가스특성검출기구와;상기 가스특성검출기구의 검출결과에 의거해서 상기 레이저광의 발진파장 및/또는 파장스펙트럼 대역폭을 산출하는 산출기구를 구비한 것을 특징으로 하는 레이저장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 가스특성검출기구는, 상기 챔버내의 상기 가스의 압력을 검출하는 압력센서인 것을 특징으로 하는 레이저장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 가스특성검출기구는, 상기 챔버내의 상기 가스의 온도를 검출하는 온도센서인 것을 특징으로 하는 레이저장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 레이저광의 발진파장 및/또는 파장 스펙트럼 대역폭이 허용범위내인가를 판단하여, 해당 레이저광의 발진파장 및/또는 파장 스펙트럼 대역폭을 상기 허용범위내로 하기 위한 보정정보를 생성하는 제어기를 또 구비한 것을 특징으로 하는 레이저장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 레이저광은, 157nm근방 혹은 그 이하의 파장에서 발진하는 것을 특징으로 하는 레이저장치.
- 레이저광을 이용해서 마스크상의 패턴을 피처리체에 노광하는 노광장치에 있어서,챔버내에 봉입된 가스의 특성을 검출하는 가스특성검출기구를 지니고, 해당 가스를 여기시킴으로써 상기 레이저광을 발하는 레이저장치와;상기 가스특성검출기구의 검출결과에 의거해서 상기 노광을 보정하는 보정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 6항에 있어서, 상기 가스특성검출수단의 검출결과에 의거해서 상기 레이저광의 발진파장 및/또는 파장스펙트럼 대역폭을 산출하는 산출기구를 또 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 7항에 있어서, 상기 산출기구는, 상기 레이저장치의 내부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제 7항에 있어서, 상기 산출기구는, 상기 레이저장치의 외부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 챔버내에 봉입된 가스를 여기시킴으로써 발생시킨 레이저광을 이용해서 마스크상의 패턴을 피처리체에 노광하는 노광방법에 있어서,상기 챔버내의 상기 가스의 특성을 검출하는 검출공정과;상기 검출공정의 검출결과에 의거해서 상기 노광의 계속 또는 중지를 판단하는 공정을 지닌 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 검출공정은, 상기 가스특성으로부터 상기 레이저광의 발진파장 및/또는 파장스펙트럼 대역폭을 산출하는 공정을 지니는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 판단공정은, 상기 검출공정의 검출결과를 소정의 허용범위와 비교하는 공정을 지니는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 판단공정에서 상기 노광이 중지된 것으로 판단된 경우, 상기 챔버내의 상기 가스의 가스특성을 변경하는 공정을 또 지니는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 13항에 있어서, 가스특성변경공정은, 상기 챔버내의 상기 가스의 압력 및/또는 온도를 변경하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 챔버내에 봉입된 가스를 여기시킴으로써 발생시킨 레이저광을 이용해서 마스크상의 패턴을 피처리체에 노광하는 노광방법에 있어서,상기 챔버내의 상기 가스의 특성을 검출하는 검출공정과;상기 검출공정에서 검출한 상기 가스특성으로부터 상기 레이저광의 발진파장 및/또는 파장스펙트럼 대역폭을 산출하는 공정과;상기 산출한 상기 발진파장에 의거해서 상기 노광의 보정을 행하는 공정을 지니는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 15항에 있어서, 상기 보정공정은, 마스크상의 패턴을 피처리체에 투영하는 투영광학계의 광학특성을 보정하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제 15항에 있어서, 상기 보정공정은, 상기 피처리체를 광축방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 챔버내에 봉입된 가스의 특성으로부터, 해당 가스를 여기시킴으로써 발생하는 레이저광의 발진파장을 산출하기 위한 데이터베이스.
- 제 18항에 있어서, 상기 가스특성은, 상기 가스의 압력 및/또는 온도인 것을 특징으로 하는 데이터베이스.
- 챔버내에 봉입된 가스의 특성으로부터, 해당 가스를 여기시킴으로써 발생시킨 레이저광의 파장스펙트럼 대역폭을 산출하기 위한 데이터베이스.
- 제 20항에 있어서, 상기 가스특성은, 상기 가스의 압력 및/또는 온도인 것을 특징으로 하는 데이터베이스.
- 챔버내에 봉입된 가스의 특성을 검출하는 가스특성검출기구를 지니고, 해당 가스를 여기시킴으로써 레이저광을 발하는 레이저장치와, 상기 가스특성검출기구의 검출결과에 의거해서 상기 노광을 보정하는 보정수단을 구비한, 상기 레이저광을 이용하는 노광장치를 이용해서, 마스크상의 패턴을 피처리체에 노광하는 공정과;상기 노광된 상기 피처리체에 소정의 프로세스를 행하는 공정을 지닌 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
- 챔버내에 봉입된 가스를 여기시킴으로써 레이저광을 발하는 레이저장치에 있어서,상기 챔버내의 상기 가스의 특성을 검출하는 가스특성검출기구와;상기 가스특성검출기구의 검출결과에 의거해서 상기 레이저광의 발진파장 및/또는 파장스펙트럼 대역폭을 판정하는 판정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 레이저장치.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| AMND | Amendment | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |