KR20030061139A - 기판 고정 척 - Google Patents

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KR20030061139A
KR20030061139A KR1020020001526A KR20020001526A KR20030061139A KR 20030061139 A KR20030061139 A KR 20030061139A KR 1020020001526 A KR1020020001526 A KR 1020020001526A KR 20020001526 A KR20020001526 A KR 20020001526A KR 20030061139 A KR20030061139 A KR 20030061139A
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KR
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wafer
substrate
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vacuum suction
circular base
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KR1020020001526A
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Inventor
신인섭
장옥석
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삼성전자주식회사
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 고정척에 관한 것이다.
원형의 베이스플레이트와; 폭이 좁고 넓은 골을 교대로 형성하도록 상기 베이스플레이트에 동심원 상태로 형성되는 다수의 돌기부 및; 상기 폭이 좁은 골에 기판(웨이퍼)를 진공 흡인력에 의해 흡착 고정시킬 수 있도록 형성된 복수의 진공흡입홀을 포함한다.
상술한 바와 같이 구성함에 따라 기판이 휘어지는 것을 방지하여 노광장치의 경우 포커싱 불량에 의해 패턴(PATTERN)이 잘 형성되지 않는 불량이 발생하게 되는 것을 해소시킬 수 있다.

Description

기판 고정 척{VACUUM CHUCK}
본 발명은 기판 고정 척에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 척 위에 안착 고정되는 기판(예컨대 웨이퍼, 이하 웨이퍼라 칭함)과 맞닿는 부위의 형태를 개선함과 아울러 진공흡입홀의 위치를 개선하여 웨이퍼 표면이 부분적으로 휘어지는 현상을 방지하는 기판 고정 척에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 포토공정에서 사용되는 스테퍼(STEPPER)는 반송되는 웨이퍼(WAFER) 상부에 레티클(RETICLE)의 마스크패턴(MASK PATTERN)을 정렬 위치시켜 조명광 및 포커스렌즈(FOCUS LENS)를 이용하여 조사시킴으로써 웨이퍼 상에 회로 패턴을 형성시키기 위한 노광장치이다.
이러한 포토 공정을 위하여 반송되는 웨이퍼는 웨이퍼 스테이지위의 척(CHUCK)상에 고정되어 정렬 위치된다.
도 1은 종래의 웨이퍼 고정척을 나타낸 평면도이고, 도 2는 상기 도 1의 A-A′를 따른 단면도로서, 고정척(10)을 이루는 베이스플레이트(11)의 표면에는 소정의 간격을 두고 돌기부(13)가 원주방향으로 돌출 형성되어 복수의 골부(15)를 이루도록 되어 있다.
상기 돌기부(13)는 소정의 각도를 두고 그 일부가 끊어지게 트임부(17)가 형성되어 진공라인이 통하도록 형성된다.
상기 각 골부(15)에는 그 평면형상이 다이아몬드 형태로 된 다수의 웨이퍼받침부(19)가 소정의 행·열을 이루도록 형성되며, 각 골부(13)의 사이에는 상기 돌기부(13) 및 웨이퍼받침부(19)의 상면에 얹혀진 웨이퍼(W)를 진공에 의해 잡아주도록 진공흡입홀(21)이 형성된다.
또한, 안쪽 돌기부(13)의 트임부(17)에는 웨이퍼(W) 로딩·언로딩 동작을 실시하기 위하여 웨이퍼 리프팅 동작을 실시하는 리프트핀(22)이 승·하강하도록 관통홀(23)이 형성되어 있으며, 그 관통홀(23)의 주위에는 상기 돌기부(13)의 높이와 동일한 높이를 갖는 가이드돌기(25)가 돌출 형성된다.
그러나, 종래에는 상술한 바와 같이 골부(15)의 폭이 넓음과 아울러 그 골부(15)에 다수의 웨이퍼받침부(19)가 형성됨에 따라 진공흡입홀(21)을 통해 웨이퍼(W)를 흡착 고정할 경우 도 2에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)가 휘어지는 문제점이 발생한다.
또한, 리프트핀(22)이 승·하강동작을 가이드하는 가이드돌기(25) 또한, 웨이퍼(W) 휘어짐의 요소로 작용한다는 문제점이 있다.
상술한 바와 같이 웨이퍼가 부분적으로 휘어짐이 발생하게 되면 노광 시 브리지(BRIDGE)가 생기거나 패턴(PATTERN)이 잘 형성되지 않아 포커싱 불량이 발생하게 된다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출 된 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼와 접촉되는 돌기부의 형상을 개선시킴과 아울러 진공흡입홀의 위치를 개선하여 웨이퍼가 휘어지는 것을 방지하는 기판 고정 척을 제공하는 데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 원형의 베이스플레이트와; 폭이 좁고 넓은 골을 교대로 형성하도록 상기 베이스플레이트에 동심원 상태로 형성되는 다수의 돌기부 및; 상기 폭이 좁은 골에 웨이퍼를 진공 흡인력에 의해 흡착 고정시킬 수 있도록 형성된 복수의 진공흡입홀을 포함한다.
상기 베이스플레이트의 중심으로부터 첫 번째 폭이 넓은 골이 형성된 부분에는 소정의 각도로 배치되어 웨이퍼를 리프팅시키도록 리프트핀을 통과시키는 리프트핀홀이 형성된다.
도 1은 종래의 웨이퍼 고정 척의 구성을 도시한 평면도,
도 2는 상기 도 1의 A-A′를 따른 단면도,
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 의한 웨이퍼 고정 척의 구성을 도시한 평면도,
도 4는 상기 도 3의 B-B′를 따른 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
30 : 고정척31 : 베이스플레이트
33a: 폭이 좁은 골33b : 폭이 넓은 골
35 : 돌기부37 : 진공흡입홀
39 : 리프트핀41 : 리프트핀홀
W : 웨이퍼
이하, 첨부된 도면 도 3 및 도 4를 참조로 하여 본 발명의 일 실시 예에 의한 구성 및 작용에 대해서 설명한다.
상기 도면에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시 예에 의한 웨이퍼 고정척(30)은 원형의 베이스플레이트(31)와, 상기 베이스플레이트(31)의 상면에 폭이 좁고 넓은 골(33a,33b)을 교대로 형성하도록 상기 기판에 동심원 상태로 형성되는 다수의 돌기부(35)와, 상기 폭이 좁은 각 골(33a)에 웨이퍼(W)를 진공 흡인력에 의해 흡착 고정시킬 수 있도록 형성된 복수의 진공흡입홀(37)로 구성된다.
상기 베이스플레이트(31)의 중심으로부터 첫 번째 폭이 넓은 골이 형성된 부분에는 소정의 각도로 배치되어 웨이퍼를 리프팅시키는 리프트핀(39)이 승·하강하는 리프트핀홀(41)이 형성된다.
상술한 바와 같이 구성된 고정척(30)은 그 고정척(30)위에 웨이퍼(W)가 올려지고, 웨이퍼(W)는 도시되지 않은 진공펌프의 동작에 의해 진공흡입홀(37)을 통해 펌핑되는 진공 흡인력에 의해 흡착 고정하게 된다.
이때, 상기 진공흡입홀(37)은 폭이 좁은 골부(33a)에 형성되어 진공흡인력에 의해 웨이퍼(W)가 당겨지게 될 경우에도 웨이퍼(W)에 작용되는 힘은 골(33a)의 폭을 좁게 형성하는 돌기부(35)에 의해 보완되는 것이다.
또한, 폭이 넓은 골부(33b)에서는 진공흡입홀(37)이 형성되지 않아 단순히 웨이퍼(W)가 얹혀진 상태로만 있게 되어 웨이퍼가 휠 위험성 없다.
또한, 리프트핀(39)이 승·하강되는 관통홀의 주위에 형성된 가이드돌기를 없앰에 따라 그 가이드돌기에 의해 웨이퍼(W)에 굴곡이 생기는 것을 해소시킨다.
또한, 돌기부(35)를 원형의 띠 형태로 형성하여 종래에 존재했던 트임부에 의해 웨이퍼 휘어짐이 발생하는 것을 해소시키게 된다.
상술한 바와 같이 고정 척의 형상 및 그 진공흡입홀의 위치를 개선함에 따라 웨이퍼가 휘어지는 것을 방지하여 노광장치의 경우 포커싱 불량에 의해 패턴(PATTERN)이 잘 형성되지 않는 불량이 발생하게 되는 것을 해소시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (2)

  1. 원형의 베이스플레이트;
    폭이 좁고 넓은 골을 교대로 형성하도록 상기 베이스플레이트에 동심원 상태로 형성되는 다수의 돌기부 및;
    상기 폭이 좁은 골에 기판을 진공 흡인력에 의해 흡착 고정시킬 수 있도록 형성된 복수의 진공흡입홀을 포함하는 하는 것을 특징으로 하는 기판 고정 척.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 베이스플레이트의 중심으로부터 첫 번째 폭이 넓은 골이 형성된 부분에는 소정의 각도로 배치되어 웨이퍼를 리프팅시키도록 리프팅핀이 통과하는 리프트핀홀이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 고정 척.
KR1020020001526A 2002-01-10 2002-01-10 기판 고정 척 KR20030061139A (ko)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060054514A (ko) * 2004-11-16 2006-05-22 삼성전자주식회사 건식 식각 장치
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KR101324711B1 (ko) * 2013-03-15 2013-11-05 쿠어스텍아시아 유한회사 반경 방향으로 순차적으로 배치되는 진공 공간에 진공 흡입홀이 교번하여 형성되는 웨이퍼 척 장치
WO2014171584A1 (ko) * 2013-04-16 2014-10-23 (주)월덱스 평탄도 유지와 치핑방지에 용이한 반도체 제조설비용 진공 척

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