KR20030040347A - 3차원 굴절률 분포의 간섭계형 결정 방법 - Google Patents

3차원 굴절률 분포의 간섭계형 결정 방법 Download PDF

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KR20030040347A
KR20030040347A KR10-2003-7000158A KR20037000158A KR20030040347A KR 20030040347 A KR20030040347 A KR 20030040347A KR 20037000158 A KR20037000158 A KR 20037000158A KR 20030040347 A KR20030040347 A KR 20030040347A
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레브 사킨
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에이에스엠엘 유에스, 인크.
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Abstract

본 발명은 3차원 굴절 변화율을 결정하기 위한 방법(1100) 및 시스템을 제공한다. 본 발명의 이 방법(1100) 및 시스템은 비균질도 데이터를 결정하고 3차원(3D)에서 굴절률 변화를 계산한다. 이 방법(1100) 및 시스템은 물체의 굴절률의 3차원 분포를 결정하는 광학 물체 또는 시스템의 3D 모델링을 제공한다. 대안적인 실시예에서, 광학 시스템은 렌즈, 필터, 플레이트 및 프리즘과 같은 광학 소자를 포함할 수 있는 투사형 광학 시스템일 수 있다. 본 발명은 미리 정해진 파라미터를 갖고 복합 광학 시스템을 조립하기 위한 복수의 바람직한 광학 소자를 선택하기 위한 방법도 제공한다.

Description

3차원 굴절률 분포의 간섭계형 결정 방법{INTERFEROMETRIC DETERMINATION OF THREE-DIMENSIONAL REFRACTIVE INDEX DISTRIBUTION}
광학 소자의 제조 정밀도를 개선하기 위해서는 광학 소자의 특성을 측정하기 위한 보다 정확한 기술을 필요로 한다.
굴절 변화율(GRIN:gradient index)의 2차원(2D) 방사상 모델은 유리 또는 수정과 같은 광학 재료의 비균질도(inhomogeneity)를 추정하기 위해 사용될 수 있는 측정 기술이다. 기존 2D GRIN 기술은 직교(Cartesian) 축 시스템에 따라 정의된 2개 방향에서 비균질도를 추정한다.
GRIN 측정을 위한 2D 방사상 모델은 근사적인 굴절률을 얻기 위해 사용된다. 2D 방사상 모델은 굴절률이 2개 방향에서만 변할 수 있다고 가정하여 광학 재료의 비균질도를 추정한다. 또한, 비균질도는 제3 직교 방향을 따라 광학 재료 전체적으로 일정하다고 가정한다. 이러한 가정은 작업가능한 범위에 포함된 굴절률을 결정하는데 필요한 방법, 시스템 및 계산 복잡도를 상당히 간략하게 한다. 그러나 이들은 상대적으로 넓은 범위의 에러를 개입시킨다.
광학 소자에 관한 요구사항이 엄격해지면서, 보다 정확한 측정 방법 및 시스템에 대한 요구가 분명해졌다. 요구되는 것은 광학 소자에 대한 3차원 굴절 변화율을 결정하는 기술이다.
본 발명은 일반적으로 광학계에 관한 것으로서, 특히, 마이크로 리토그래피를 위한 광학계의 굴절률 분포 결정 방법에 관한 것이다.
본 발명의 이점 및 특성들은 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 상세한 설명을 고려할 때 보다 더 명백해질 것이며, 도면에서 유사한 참조 부호는 유사한 부분을 나타낸다.
도 1은 기준 표면 및 광학 재료를 포함하는 물체의 제1 표면으로부터 반사를 표시하는 2D 간섭계형 굴절률 측정 시스템의 구현예를 도시하는 도면.
도 2는 기준 표면 및 광학 재료를 포함하는 물체의 제2 표면으로부터 반사를 표시하는 2D 간섭계형 굴절률 측정 시스템의 구현예를 도시하는 도면.
도 3은 기준 표면 및 광학 재료를 포함하는 물체를 통과해 레트로 미러 표면으로부터 반사를 표시하는 2D 간섭계형 굴절률 측정 시스템의 구현예를 도시하는 도면.
도 4는 기준 표면 및 광학 재료를 포함하는 물체없이 제1 표면으로부터 반사를 표시하는 2D 간섭계형 굴절률 측정 시스템의 구현예를 도시하는 도면.
도 5는 광학 재료를 포함하는 물체에 대한 굴절률 분포의 측정을 수행하는 널(null) 시험 기법을 도시하는 도면.
도 6은 본 발명에 따라 제1 축 상에 직교 배향된 광학 재료를 포함하는 물체가 있는 간섭계형 굴절률 측정 시스템의 3차원 구현예를 도시하는 도면.
도 7은 본 발명에 따라 제2 축 상의 제1 경사 위치에 광학 재료를 포함하는 물체가 있는 간섭계형 굴절률 측정 시스템의 3차원 구현예를 도시하는 도면.
도 8은 본 발명에 따라 제2 축 상의 제2 경사 위치에 광학 재료를 포함하는 물체가 있는 간섭계형 굴절률 측정 시스템의 3차원 구현예를 도시하는 도면.
도 9는 본 발명에 따라 제3 축 상의 제1 경사 위치에 광학 재료를 포함하는 물체가 있는 간섭계형 굴절률 측정 시스템의 3차원 구현의 예를 도시하는 도면.
도 10은 본 발명에 따라 제3 축 상의 제2 경사 위치에 광학 재료를 포함하는 물체가 있는 간섭계형 굴절률 측정 시스템의 3차원 구현의 예를 도시하는 도면.
도 11은 본 발명에 따라 물체의 3차원 굴절률을 결정하는 방법에 대한 흐름도.
도 12는 본 발명에 따라 미리 정해진 파라미터를 갖는 복합 광학 시스템을 조립하기 위해 복수의 바람직한 광학 소자를 선택하는 방법에 대한 흐름도.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 예시적인 컴퓨터 시스템을 도시하는 도면.
본 발명은 물체의 3차원 굴절 변화율을 결정하기 위한 방법, 시스템 및 컴퓨터 프로그램 제조물에 관한 것이다. 물체는 광학 재료를 포함한다. 리토그래피 공정의 블랭크와 같은 광학 재료는 희망하는 최종 부품으로 대략 몰딩 또는 성형되어 제조되는 유리, 수정, 플라스틱 또는 다른 투명 재료 중 하나일 수 있다. 이 방법은 간섭계형 굴절률 측정 시스템을 사용하여 수행된다.
먼저, 물체는 간섭계형 굴절률 측정 시스템에서 직교 배향(orientation)으로 기준 표면과 레트로 미러 표면 사이의 제1축을 따라 배치된다. 제2 및 제3 축은 서로 직교하고 제1 축과 직교한다.
다음으로, 기준 파전면(wavefront)과 물체의 제1 표면으로부터 반사된 파전면 사이, 기준 파전면과 물체 자체를 통과해 물체의 제2 표면으로부터 반사된 파전면 사이, 기준 파전면과 물체를 통과해 레트로 미러의 표면으로부터 반사된 파전면 사이, 기준 파전면과 물체없이 레트로 미러 표면으로부터 반사된 파전면 사이에서, 제1 내지 제4 위상차가 측정된다.
이러한 측정에 기초하여, 제1 내지 제4의 2차원 표면 왜곡이 물체의 기준 표면, 제1 표면, 제2 표면 각각에 대해 결정된다. 그리고 나서, 물체의 평균적인 2차원 비균질도가 결정된다. 본 발명의 일실시예에서, 제니케(Zernike) 다항식을사용하여, 복수의 근사화 계수가 결정된다.
또한, 물체는 제2 및 제3 축에 대하여 소정의 각도만큼 복수의 회전 및 위치변경을 거쳐 이동된다. 위상차는 회전 각각에 대해 기준 파전면과 물체를 통과해 레트로 미러 표면으로부터 반사된 파전면 사이에 측정된다. 그리고 나서, 복수의 3차원 근사화 계수가 이미 추정된 표면 왜곡에 기초하여 결정된다. 프로시저는 물체에서 3차원 굴절 변화율 분포를 설명하는 복수의 Aij계수의 결정으로 종료된다.
상술한 방법은 이에 한정되지는 않지만 광학 재료인 원주형 체적의 렌즈 블랭크 물체, 렌즈 물체의 3차원 굴절 변화율을 결정하는데 이용된다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 광학 재료는 유리 또는 플라스틱이다.
간섭계형 굴절률 측정 시스템은 피조(Fizeau), 마이켈슨(Michaelson), 트와이만 그린(Twyman-Green), 마하 젠더(Mach-Zehnder) 또는 다른 공지된 또는 향후 공지될 간섭계 중의 하나를 사용하여 구현된다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 기준 파전면을 생성하는 소스는 레이저 소스이다.
본 발명은 미리 정해진 파라미터를 사용하여 복합 광학 시스템을 조립하는데 사용되는 복수의 바람직한 광학 소자를 선택하는 방법을 더 제공한다. 이 방법은 N이 미리 정해진 값일 때 광학 소자의 제1 내지 제N 그룹을 선택하는 단계와, 3차원 굴절 변화율을 결정하는 상술한 방법을 사용하여 광학 소자의 제1 내지 제N 그룹의 각 광학 소자를 시험하는 단계와, 각각의 시험된 광학 소자에 대해 복수의 광학 특성을 결정하는 단계와, 복합 광학 시스템을 설계 또는 아니면 조립하기 위해 상기 결정된 광학 특성에 기초하여 상기 시험된 광학 소자의 제1 내지 제N 그룹의 각각으로부터 최소한 하나의 바람직한 광학 소자를 선택하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다양한 실시예의 구조 및 동작과 함께 본 발명의 그 밖의 특징 및 이점에 대해 첨부된 도면을 참조하여 이하 상세하게 설명한다. 본 발명은 본 명세서에 설명된 특수한 실시예에 한정되는 것이 아니라는 것을 알아야 한다. 이러한 실시예는 도시적인 목적으로만 본 명세서에서 주어진 것이다. 다른 실시예들은 본 명세서에 포함된 교시에 따라 당업자에게 자명할 것이다.
본 발명의 상세한 설명은 다음의 예를 통하여 설명한다. 본 발명은 이러한예시적 응용에 제한되지 않는다. 다음의 상세한 설명으로부터 본 발명을 다른 실시예로 실현하는 방법이 관련 분야의 당업자에게는 자명할 것이다.
굴절 변화율(GRIN: Gradient Index) 측정
본 발명은 간섭계 기술 및 시스템을 사용한다. 일실시예에서, 피조(Fizeau) 간섭계가 이용된다.
하나 이상의 기준 표시(fiducial mark) 또는 점이 기준 수단(reference means)을 제공하기 위해서 간섭계형(interferometric) 굴절률 측정 시스템의 관측 필드에 놓인다. 이러한 기준 수단이 있는 표면은 기준 표면이라 지칭된다. 간섭계형 굴절률 측정 시스템의 동일한 기준 표시는 물체의 여러 부분을 측정하는데 사용될 수 있다.
당업자는 간섭계의 구성이 간섭계에 연관되는 응용예에 의존한다는 것을 알 것이다. 본 발명에서, 본 명세서에 설명된 실시예는 피조 간섭계를 이용한다. 이는 본 발명의 응용예를 피조 간섭계에 한정하는 것으로 의도되지 않는다. 당업자는 본 명세서에 개시된 실시예를 검토한 후 본 발명을 수행하기 위해 여러 유형의 간섭계를 구성할 수 있을 것이다. 본 발명의 대안적인 실시예에서, 마이켈슨 간섭계, 트와이만 그린 간섭계, 마하 젠더 또는 임의의 공지된 또는 향후 공지될 간섭계가 피조 간섭계를 대체할 수 있다.
변화율의 2차원(2D) 방사상 모델은 굴절률 n을 다음과 같이 설명한다.
여기서, x, y는 x,y,z 직교 좌표 시스템에서 결정된 점의 좌표이고, Pi는 단위 반지름의 원(이 원의 중심은 직교 좌표 시스템의 원점과 동일함) 상에서 직교인 제i 제니케 다항식, Mxy는 제니케 다항식에 대한 정규화 반경이고, n0은 물체의 벌크 굴절률이고, Ai는 근사화 계수이고, s는 제니케 다항식의 개수이다.
굴절 변화율의 2D 계산은 (1) 피조 간섭계를 사용하는, 광학 재료를 포함하는 평면 평행 물체의 비균질도의 추정(간섭계형 측정 시스템의 구현예는 도 1-4와 연계하여 이하 설명됨) (2) 널 시험 기법의 렌즈 비균질도 추정(도 5와 연계하여 이하 설명됨)인 방사상 모델의 2 가지 유형을 이용하여 수행될 수 있다.
도 1 내지 도 5에 관하여 설명된 시스템 및 방법은 3차원(3D) 비균질도 데이터를 얻지 못한다. 그러므로, 광학 재료를 포함하는 물체의 정밀하게 필요한 모델링을 할 수 없다.
제1 방사상 모델
제1 방사상 모델에 따르면, Ai계수의 결정은 4개 간섭계 측정에 기초한다. 이 측정은 물체 상으로의 기준 파전면의 직교 입사에 대해 수행된다. 본 발명에 도시된 예시적인 실시예에 대해, 측정이 도 1 내지 도 4에 도시되어 있다.
도 1은 예시적인 2D 간섭계형 굴절률 시스템을 도시한다. 특히, 간섭계형시스템(100)은 기준 표면(106a 및 106b) 및 기준 소자(104)를 포함한다. 시스템(100)은 제1 표면(110a) 및 제2 표면(110b)이 있는 광학 재료를 포함하는 물체(108)도 포함한다. 레이저 소스(도시하지 않음)은 기준 파전면(114)을 생성한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 기준 표면(106a) 및 물체(110a)의 제1 표면 상에서 기준 표시는 점(112a, 112b)에 위치한다. 다른 실시예에서, 이 기준 표시는 간섭계형 시스템(100)에 포함된 수동 촬상 장치(예를 들면, 카메라)를 사용하여 표면에 배치될 수 있다.
도 1 내지 도 5를 간략화하기 위해 반사 및 굴절의 일부 각도는 도시되지 않았다. 이러한 항목의 생략은 본 발명의 범위를 한정하는 것으로 의도되지 않는다. 본 명세서에서 설명된 교시에 기초하여 당업자는 도 1 내지 도 5의 도시로부터 이러한 각도를 결정할 수 있을 것이다.
기준 파전면(114)은 간섭계형 시스템(100)에 입사하여 다양한 표면으로부터 반사된다. 일정한 위상의 표면을 갖고 이상적인 점원으로부터 생성되도록 파전면(114)이 설계된다. 기준 파전면(114)은 기준 표면(106b) 및 제1 표면(110a)으로부터 반사된다. 반사된 빔(116, 118)은 분리되고 이들 파전면의 위상차가 측정된다. 본 명세서에서 설명된 것처럼, 결정된 위상차는 이후의 표면 결정을 위해 저장된다.
도 2는 광학 재료를 포함하는 물체의 기준 표면 및 제2 표면으로부터 반사를 표시하는 2D 간섭계형 굴절률 시스템의 예시적인 실현예를 도시한다. 구체적으로, 도 2는 기준 표면(106a, 106b)이 있는 기준 소자(104)를 포함하는 간섭계형장치(200)를 도시한다. 시스템(200)은 제1 표면(110a) 및 제2 표면(110b)을 갖는 광학 재료(108)를 포함하는 물체도 포함한다. 레이저 소스(도시하지 않음)은 기준 파전면(214)을 생성한다. 기준 표면(106a), 및 물체(110a)의 제1 표면 상에서, 기준 표시는 도 2에 도시된 바와 같이 점(112a, 112b)에 놓인다. 다른 실시예에서, 기준 표시는 간섭계형 시스템(200)에 포함된 수동 촬상 장치(예를 들면, 카메라)를 사용하여 표면 상에 놓일 수 있다.
기준 파전면(214)은 간섭계형 시스템(200)에 입사하고 다양한 표면으로부터 반사된다. 파전면(214)은 일정한 위상의 표면이 있는 이상적인 점원으로부터 생성되도록 설계된다. 기준 파전면(214)은 기준 표면(106b) 및 제2 표면(106b)으로부터 반사된다. 반사된 빔(216, 218)은 위치조정되고 이들 파전면의 위상차가 측정된다. 본 명세서에서 설명된 것처럼, 결정된 위상 차는 이후의 표면 결정을 위해 저장된다.
도 3은 광학 재료를 포함하는 물체를 통과하여, 기준 표면 및 레트로 미러 표면으로부터의 반사를 포함하는 2D 간섭계형 굴절률 시스템에 대한 예시적인 전송 시험을 도시한다. 도 3은 기준 표면(106a, 106b)이 있는 기준 소자(104), 및 제1 표면(108a) 및 제2 표면(108b)이 있는 광학 재료(108)를 포함하는 물체를 포함하는 간섭계형 장치(300)를 도시한다. 시스템(300)은 레트로 미러 표면(320)도 포함한다. 레이저 소스(도시하지 않음)은 기준 파전면(314)을 생성한다.
기준 표면(106a), 물체(108a)의 제1 표면, 레트로 미러 표면(320) 상에, 기준 표시는 도 3에 도시된 것처럼 점(112a, 112b, 112c)에 놓여 있다. 다른 실시예에서, 기준 표시는 간섭계형 장치(300)에 포함된 수동 촬상 장치(예를 들면, 카메라)를 사용하여 표면 상에 놓일 수 있다.
기준 파전면(314)은 간섭계형 시스템(300)에 입사하고 다양한 표면으로부터 반사된다. 파전면(314)은 일정한 위상의 표면으로부터 거의 점원으로부터 생성되도록 설계된다. 기준 파전면(314)은 기준 표면(106b) 및 레트로 미러 표면(320)으로부터 반사된다. 반사된 빔(316, 318) 각각은 위치조정되고, 이들 파전면의 위상차가 측정된다. 본 명세서에 설명된 것처럼, 결정된 위상차는 이후의 표면 결정을 위해 저장된다. 본 발명의 간섭계형 장치의 예시적인 실현예는 공지된 표면 왜곡 맵을 갖는 공인된 레트로 미러를 사용할 수 있다.
도 4는 기준 표면 및 레트로 미러 표면으로부터의 반사를 포함하는 2D 간섭계형 굴절률 시스템에 대한 예시적인 캐비티 시험을 도시한다. 도 4는 기준 표면(106a, 106b) 및 레트로 미러 표면(320)이 있는 기준 소자(104)를 포함하는 간섭계형 장치(400)를 도시한다. 레이저 소스(도시하지 않음)은 기준 파전면(414)을 생성한다.
기준 표면(106a) 및 레트로 미러 표면(320) 상에서, 기준 표시는 도 4에 도시된 것처럼, 점(112a, 112c)에 놓인다. 다른 실시예에서, 기준 표시는 간섭계형 장치(400)에 포함된 수동 촬상 장치(예를 들면, 카메라)를 사용하여 표면 상에 놓일 수 있다.
기준 파전면(414)은 간섭계형 시스템(400)에 입수하고 다양한 표면으로부터 반사된다. 파전면(414)은 일정한 위상의 표면으로부터 거의 점원으로부터 생성되도록 설계된다. 기준 파전면(414)은 기준 표면(106b) 및 레트로 미러 표면(320)으로부터 반사된다. 반사된 빔(416, 418) 각각은 위치조정되고, 이들 파전면의 위상차가 측정된다. 본 명세서에 설명된 것처럼, 결정된 위상차는 이후의 표면 결정을 위해 저장된다. 본 발명의 간섭계형 장치의 예시적인 구현예는 공지된 표면 왜곡 맵을 갖는 공인된 레트로 미러를 사용할 수 있다.
물체의 굴절률의 편차(비균질도; Δn)는 다음의 식을 사용하여 계산된다.
여기서, d는 물체의 두께이고, M1(x,y), M2(x,y), M3(x,y), M4(x,y)는 도 1에 도시된 간섭계형 시험, 도 2에 도시된 간섭계형 시험, 도 3에 도시된 전송 시험, 도 4에 도시된 캐비티 시험 각각에 대한 동일한 x 및 y 좌표에 대응하는 측정된 위상차이다.
좌표 x 및 y를 갖는 임의의 점에 대하여, 시험된 물체에 걸쳐 비균질도의 분석적인 설명이 필요하다. 이에 대한 분석적 표현은 물체의 동작 영역에 대해 직교하는 2차원 다항식을 사용하여 실현된다. 이 동작 영역은, 예를 들면, 원형 광학 물체의 경우일 때 원일 수 있다. 원형 영역에 직교인 다항식의 예는 제니케 다항식이다. 당업자에게 자명하듯이, 제니케 다항식의 사용은 단지 예일 뿐이다. 물체의 동작 영역에 직교인 임의의 형태의 다른 유형의 다항식이 사용될 수 있다.
비균질도는 절단된(truncated) 제니케 급수를 사용하여 근사화될 수 있다.
여기서, 급수의 각 항은 전술한 바와 같이 동일한 중요도를 갖는다. Ai계수는 최소 자승법을 사용하여 계산된다.
제2 방사성 모델
제2 방사성 모델에 따르면, 2D 방법은 시험된 광학 물체 및 널 시험 기법의 공지된 파라미터를 갖고 수행된 3가지 간섭계 측정에 기초하여 계수 Ai를 결정한다. 본 발명의 일실시예에서, 2개의 간섭성 측정은 소자의 표면 간섭성 데이터에 대해 얻어지고 제3 측정은 널 시험 기법의 소자에 대한 전송 데이터에 대해 얻어진다.
도 5는 광학 시스템의 전송 간섭성 측정을 결정하는 널 시험 기법을 도시한다. 이 실시예에서, 계수 Ai는 획득한 측정된 데이터 및 모델화된 전송 널 시험 데이터 사이의 차이를 최소화하기 위해서 최적화 방법을 사용하여 결정된다. 간섭계형 시스템(500)은 광원(504), 시험중인 렌즈(506), 미러(508)를 포함한다. 이 시스템은 널 보정기 소자(510)도 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 5에 관하여 설명된 시스템 및 방법은 3차원(3D) 비균질도 데이터를 얻지 않는다. 그러므로, 광학 재료를 포함하는 물체의 필요한 정확한 모델링이 되지 않는다.
도 6 내지 도10은 본 발명에 따르면, 비균질도 데이터를 수집하는데 사용된3차원 간섭계형 굴절률 측정 시스템을 도시한다. 비균질도 시스템은 기준 표면(104), 및 레트로 미러 표면 및 광학 재료(108)를 포함하는 물체를 포함한다. 기준 시스템은 x,y,z 직교 좌표 시스템이다.
도 6은 기준 표면(104) 및 레트로 미러 표면(320)에 대해 직교 배향을 갖는 물체(108)가 있는 3차원 간섭계형 굴절률 측정 시스템을 도시한다. 레이저 소스(도시하지 않음)은 간섭계형 장치에 의해 포함된 복수의 표면에 의해 반사된 파전면을 생성한다. 위상차 측정은 기준 표면(104)으로부터 반사된 파전면 및 물체(108)를 통과해 레트로 미러(320)로부터 반사된 파전면에 대해 수행된다. 수집된 간섭계형 데이터(M6로 지칭됨)는 이후 표면 왜곡 결정을 위해 저장된다.
도 7은 제2 축 주위로 제1 경사진 위치를 갖는 물체(108)가 있는 3차원 간섭계형 굴절률 측정 시스템을 도시한다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 물체(108)는 레트로 미러 표면을 향하여 x축 주위로 대략 45도 경사져 있다. 레이저 소스(도시하지 않음)은 간섭계형 장치의 복수의 표면에 의해 반사된 기준 파전면을 생성한다. 위상차 측정은 기준 표면(104)으로부터 반사된 파전면 및 경사진 물체(108)를 통과해 레트로 미러(320)로부터 반사된 파전면에 대해 결정된다. 수집된 간섭성 데이터(M2로 지칭됨)는 이후 표면 왜곡 결정을 위해 저장된다. 레트로 미러 표면(320)의 위치는 y축을 따라 조정되어 기준 표시(112a, 112b, 112c)가 일직선을 따라 정렬된다.
도 8은 제2축을 따라 제2 경사진 위치를 갖는 물체(108)가 있는 3차원 간섭계형 굴절률 측정 시스템을 도시한다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 물체(108)는 기준 표면을 향해 x축 주위로 대략 45도 경사져 있다. 레이저 소스(도시하지 않음)은 이러한 간섭계형 장치에 의해 포함된 복수의 표면에 의해 반사된 기준 파전면을 생성한다. 위상차 측정은 기준 표면(104)으로부터 반사된 파전면 및 경사진 물체(108)를 통해 레트로 미러로부터 반사된 파전면에 대해 결정된다. 수집된 간섭성 데이터(M8로 지칭됨)는 이후 표면 왜곡 결정을 위해 저장된다. 레트로 미러 표면(320)의 위치는 y축을 따라 조정되어 기준 표시(112a, 112b, 112c)는 일직선을 따라 정렬된다.
도 9는 제3축을 따라 제1 경사진 위치를 갖는 물체(108)가 있는 3차원 간섭계형 굴절률 측정 시스템을 도시한다. 제3축은 제1 및 제2 축에 직교하고 z y 직교축에 해당한다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 물체(108)는 레트로 미러 표면을 향해 y축 주위로 대략 45도 경사져 있다. 레이저 소스(도시하지 않음)은 이러한 간섭계형 장치에 의해 포함된 복수의 표면에 의해 반사된 기준 파전면을 생성한다. 위상차 측정은 기준 표면(104)으로부터 반사된 파전면 및 경사진 물체(108)를 통해 레트로 미러로부터 반사된 파전면에 대해 결정된다. 수집된 간섭성 데이터(M9로 지칭됨)는 이후의 표면 왜곡 결정을 위해 저장된다. 레트로 미러 표면(320)의 위치는 x축을 따라 조정되어 기준 표시(112a, 112b, 112c)는 일직선을 따라 정렬된다.
도 10은 제3축을 따라 제2 경사진 위치를 갖는 물체(108)가 있는 3차원 간섭계형 굴절률 측정 시스템을 도시한다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 물체(108)는 기준 표면을 향해 y축 주위로 대략 45도 경사져 있다. 레이저 소스(도시하지 않음)은 이러한 간섭계형 장치에 의해 포함된 복수의 표면에 의해 반사된 기준 파전면을 생성한다. 위상차 측정은 기준 표면(104)으로부터 반사된 파전면 및 경사진 물체(108)를 통해 레트로 미러로부터 반사된 파전면에 대해 결정된다. 수집된 간섭성 데이터(M10으로 지칭됨)는 이후의 표면 왜곡 결정을 위해 저장된다. 레트로 미러 표면(320)의 위치는 x축을 따라 조정되어 기준 표시(112a, 112b, 112c)는 일직선을 따라 정렬된다.
원주형 체적인 시험된 물체에 대해 직교인 다항식 집합을 사용하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 시험된 물체에 대하여 비균질도의 3차원적 분석 설명이 이루어질 수 있다. 본 발명의 일실시예에 따르면, 3D 방법은 다음의 다항식을 사용하여 광학 재료를 포함하는 물체의 굴절률 n을 결정한다.
여기서, x, y, z는 직교 좌표 시스템에서 결정된 점의 좌표이고, Pi는 단위 반경의 원(이 원의 중심은 좌표 시스템 원점과 동일)에 직교인 제i 제니케 다항식이고, Lj는 선분 [0,1]에 대해 직교인 제j 르장드르(Legendre) 다항식이고, Mxy는 르장드르다항식에 대한 정규화 계수이고, n0은 블랭크의 벌크 굴절률이고, Aij는 근사화의 계수이고, s는 제니케 다항식의 개수이고, t는 르장드르 다항식의 개수이다.
계수 Aij는 j=1일 때 i=1 내지 i=s까지에서 물체의 방사상 굴절률 분포를 나타낸다. 이 경우, 굴절률은 z좌표에 의존하지 않는다. j>1이면, 상기 수학식 4는 모든 3차원 좌표에 의존하는 항을 포함한다.
계수 A0의 결정은 다른 각도의 입수 및 물체의 배향에 대해 피조 간섭계를 사용하여 수행된 복수의 측정에 기초한다. 제1의 4개 측정은 도 1 내지 도 4와 연계하여 상술되어 2D 굴절률을 달성한다.
본 발명에 따르면, 추가적인 측정이 상기 도시된 물체의 경사진 위치에 대해 수행된다. 일실시예에서, 3D 계수의 결정은 물체의 결정 표면 왜곡을 포함하고 다음의 수학식들을 사용하여 계산된다.
여기서, Δ0, Δ1, Δ2, Δ3은, 기준 표면, 물체의 제1 표면, 물체의 제2 표면 및 레트로 미러 각각의 표면 왜곡이다. 레트로 미러의 왜곡의 표면 맵(Δ3)은 레트로 미러가 인증되어야 한다는 것을 의미하는 것으로 알려져 있다. [당업자에게 레트로 미러의 인증이 자명한가?]
본 발명의 일실시예에서, Aij계수의 결정은 광학 설계 프로그램 CODE V를 사용하여 수행된다. 소프트웨어는 물체의 직각 위치 및 경사진 위치에 대한 실제 측정의 모델링을 허용한다. 측정된 간섭도(interferogram) 및 계산된 표면 왜곡 맵(수학식 5 내지 7을 사용하여 상기하였음)은 가능한 시험 기법을 정의하기 위해서 사용된다. CODE V 에 내장된 감쇠 최소 제곱 최적화 절차와 같은 최적화 절차에 의해, Aij계수가 정의된다. 최적화 절차는 Aij를 계산하기 위해서 모든 물체 위치에 대해 측정된 파전면과 모델링된 파전면 사이의 차이를 최소화하는데도 사용된다.
도 11은 물체의 3차원 굴절률을 결정하기 위한 흐름도이다. 본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 방법은 물체의 성질을 결정하기 위한 컴퓨터 시스템에 연결된 광학 재료를 포함하는 물체에 관련된 광학 측정을 수행하는 시스템에 의해 구현된다.
도 11의 방법(1100)은 단계(1102)에서 시작한다. 단계(1102)에서, 물체는 기준 표면과 레트로 미러 표면 사이에 제1축을 따라 간섭계형 굴절률 측정 시스템의 직교 입사로 위치되어, 제2 축과 제3 축은 서로 직교하고 제1 축과 직교한다.
단계(1104)에서, 제1 내지 제4 위상차의 세트가 측정된다. 단계(1104)는 단계(1106, 1108, 1110 및 1112)와 같은 복수의 부단계를 포함한다. 단계(1106)에서, 기준 파전면과 물체의 기준 표면 및 제1 표면으로부터의 파전면 사이에서 위상차가 측정된다. 단계(1108)에서, 기준 파전면과 물체의 제2 표면으로부터 반사된 파전면 사이에서 위상차가 측정된다. 단계(1110)에서, 기준 파전면과 물체를 통과해 레트로 미러로부터 파전면 사이에서 위상차가 측정된다. 단계(1112)에서, 기준 파전면과 물체없을 때 레트로 미러 표면으로부터 반사된 파전면 사이에서 위상차가 측정된다. 단계(1114)에서, 단계(1106, 1108, 1110 및 1112)에서 이미 결정된 데이터에 기초하여, 시스템은 기준 표면(Δ0), 제1 물체 표면(Δ1), 제2 물체 표면(Δ2)의 제1 내지 제3의 2차원 표면 왜곡을 결정한다. 단계(1116)에서, 단계(1114)에서 이루어진 결정에 기초하여, 시스템은 물체의 평균 2차원 비균질도를 결정한다. 단계(1118)에서, 단계(1104 내지 1112)에서 이루어진 측정에 기초하여, 시스템은 복수의 근사화 계수를 결정한다. 방법(1100)은 제2 축 및 제3 축 주위로 각도만큼 물체의 복수의 회전을 수행하는 것을 포함하는 제2 위치 조정 단계(1120)를 포함한다.
단계(1122)에서, 복수의 회전의 각각에 대해 기준 파전면과 레트로 미러로부터 반사된 파전면 사이에서 또다른 위상차가 측정된다. 단계(1128)에서, 물체의 복수의 근사화 계수(Aij)는 결정되고, Aij는 물체의 2차원 굴절률 분포를 결정한다.
도 12는 본 발명의 또다른 실시예를 설명한다. 도 12는 미리 정해진 파라미터를 갖는 복합 광학 시스템을 조립하기 위해 복수의 바람직한 광학 소자를 선택하기 위한 흐름도를 도시한다. 방법(1200)은 복수의 단계를 포함한다.
단계(1202)에서, N이 미리 정해진 값일 때, 제1 내지 제N 그룹의 광학 소자가 선택된다. 각 그룹은 광학 시스템의 하나의 광학 소자에 해당한다. 광학 시스템은, 예를 들면 복수의 광학 소자를 포함하는 리소그래피 수단일 수 있다. 도 12의 방법은 각 그룹의 모든 광학 소자의 3D 굴절률을 특징화하는데 사용된다. 그러므로, 수집된 데이터에 기초하여, 각 그룹으로부터의 하나의 광학 소자가 광학 시스템을 설계/구성하기 위한 미리 정해진 설계 요구사항을 만족하기 위해 3D 굴절 변화율 특성에 기초하여 선택될 수 있다.
단계(1204)에 도시된 것처럼, 제1 내지 제N 그룹의 광학 소자 각각은 광학 소자의 3차원 굴절 변화율을 결정하기 위한 방법을 사용하여 시험된다.
단계(1206)에서, 시험된 각 광학 소자에 대해 복수의 광학 특성이 결정된다.
단계(1208)에서, 제1 내지 제N 그룹의 시험된 광학 소자 각각으로부터 하나 이상의 바람직한 광학 소자가 선택된다.
단계(1210)에서, 복합 광학 시스템이 조립된다.
예시적 컴퓨터 시스템
본 발명(예를 들면, Aij계수를 결정하거나 유사 계산/결정 단계)은 하드웨어, 소프트웨어 또는 그들의 조합을 사용하여 구현될 수 있고 하나 이상의 컴퓨터 시스템 또는 다른 처리 시스템에 구현될 수 있다. 컴퓨터 시스템(1300)의 일례가 도 13에 도시되어 있다. 컴퓨터 시스템(1300)은 임의의 단일 또는 다중 프로세서컴퓨터를 나타낸다. 결합하여, 싱글 스레드 및 다중 스레드 애플리케이션이 사용될 수 있다. 단일화되거나 분산된 메모리 시스템이 사용될 수 있다. 컴퓨터 시스템(1300) 또는 그 일부가 본 발명을 구현하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 도 6 내지 도 10의 시스템 또는 도 11 및 도 12의 방법과 연계하여 수행된 제어 및 측정은 컴퓨터 시스템(1300)과 같은 컴퓨터 시스템 상에서 실행하는 소프트웨어를 포함할 수 있다.
컴퓨터 시스템(1300)은 프로세서(1344)와 같은 하나 이상의 프로세서를 포함한다. 하나 이상의 프로세서(1344)는 상술한 루틴을 구현하는 소프트웨어를 실행할 수 있다. 각각의 프로세서(1344)는 통신 인프러스트럭처(1342)(예를 들면, 통신 버스, 크로스바 또는 망)에 연결될 수 있다. 다양한 소프트웨어 실시예가 이 예시적인 컴퓨터 시스템에 대하여 설명된다. 이 설명을 읽은 후, 당업자에게는 다른 컴퓨터 시스템 및/또는 컴퓨터 구조를 사용하여 본 발명을 구현하는 방법이 자명할 것이다.
컴퓨터 시스템(1300)은 디스플레이부(1330) 상의 디스플레이를 위해 통신 인프러스트럭처(1342)로부터 (또는 미도시된 프레임 버퍼로부터) 그래픽스, 텍스트 및 다른 데이터를 전달하는 디스플레이 인터페이스(1302)를 포함할 수 있다.
컴퓨터 시스템(1300)은 바람직하게는 랜덤 액세스 메모리(RAM)인 주 메모리(1346)도 포함하고, 2차 메모리(1348)도 포함할 수 있다. 2차 메모리(1348)는, 예를 들면 하드디스크 드라이브(1350) 및/또는 플로피 디스크 드라이브(1350), 자기 테이프 드라이브, 광학 디스크 드라이브 등을 나타내는 탈착가능 저장 드라이브(1352)를 포함할 수 있다. 탈착가능 저장 드라이브(1352)는 공지된 방식의 탈착가능 저장 유닛(1354)으로부터 판독 및/또는 기록한다. 탈착가능 저장 유닛(1354)은 탈착가능 저장 드라이브(1352)에 의해 판독 및 기록되는 탈착가능 플로피 디스크, 자기 테이프, 광학 디스크 등을 나타낸다. 공지되어 있듯이, 탈착가능 저장 유닛(1354)은 그 안에 저장된 컴퓨터 소프트웨어 및/또는 데이터를 구비한 컴퓨터 사용가능 저장 매체를 포함한다.
다른 실시예에서, 2차 메모리(1348)는 컴퓨터 프로그램 또는 다른 명령어를 컴퓨터 시스템(1300)에 로딩될 수 있게 하는 다른 유사 수단을 포함할 수 있다. 이러한 수단은, 예를 들면 탈착가능 저장 유닛(1362) 및 인터페이스(1360)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로그램 카트리지 및 카트리지 인터페이스(비디오 게임 콘솔 장치에서 찾을 수 있는 것과 같은), 탈착가능 메모리 칩(EPROM 또는 PROM과 같은) 및 관련 소켓, 및 탈착가능 저장 유닛(1362)으로부터 컴퓨터 시스템(1300)으로 데이터가 전달될 수 있게 하는 다른 탈착가능 저장 유닛(1362) 및 인터페이스(1360)가 있다.
컴퓨터 시스템(1300)은 통신 인터페이스(1364)도 포함할 수 있다. 통신 인터페이스(1364)는 소프트웨어 및 데이터가 컴퓨터 시스템(1300)과 외부 장치 사이에서 통신 경로(1366)를 통해 전달될 수 있게 한다. 통신 인터페이스(1364)의 예는 모뎀, 망 인터페이스(이더넷 카드와 같은), 통신 포트, 상술한 인터페이스 등을 포함할 수 있다. 통신 인터페이스(1364)를 통해 전달된 소프트웨어 및 데이터는 통신 경로(1366)를 통해 통신 인터페이스(1364)에 의해 수신가능한 전자, 전자기,광학 또는 다른 신호일 수 있는 신호의 형태이다. 통신 인터페이스(1364)는 컴퓨터 시스템(1300)이 인터넷과 같은 망에 인터페이스할 수 있는 수단을 제공한다.
여기서, "컴퓨터 프로그램 제품"이라는 용어는 탈착가능 저장 유닛(1354), 하드 디스크 드라이브(1350)에 설치된 하드 디스크(1350), 또는 통신 경로(1366)(무선 링크 또는 케이블)를 통해 통신 인터페이스(1364)로 소프트웨어를 반송하는 반송파라 일반적으로 지칭되어 왔다. 컴퓨터 사용가능 매체는 자기 매체, 광학 매체 또는 다른 기록가능 매체, 또는 반송파 또는 다른 신호를 전송하는 매체를 포함할 수 있다. 이러한 컴퓨터 제품은 컴퓨터 시스템(1300)에 소프트웨어를 제공하기 위한 수단이다.
컴퓨터 프로그램(컴퓨터 제어 로직이라 지칭)은 주메모리(1346) 및/또는 2차 메모리(1348)에 저장된다. 컴퓨터 프로그램은 통신 인터페이스(1364)를 통해 수신될 수도 있다. 이러한 컴퓨터 프로그램은 실행될 때 컴퓨터 시스템(1300)이 본 명세서에서 상술된 본 발명의 특징을 수행할 수 있게 한다. 특히, 컴퓨터 프로그램은 실행될 때 프로세서(1344)가 본 발명의 특징을 수행할 수 있게 한다. 따라서, 이러한 컴퓨터 프로그램은 컴퓨터 시스템(1300)의 제어기를 나타낸다.
본 발명은 소프트웨어, 펌웨어, 하드웨어 또는 그 조합의 제어 로직으로서 구현될 수 있다. 본 발명이 소프트웨어를 사용하여 구현된 일실시예에서, 소프트웨어는 컴퓨터 프로그램 제품에 저장되고 탈착가능 저장 드라이브(1352), 하드 디스크 드라이브(1350) 또는 인터페이스(1360)를 사용하여 컴퓨터 시스템(1300)에 로드될 수 있다. 다른 방법으로, 컴퓨터 프로그램 제품은 통신 경로(1366)를 통해컴퓨터 시스템(1300)에 다운로드될 수 있다. 제어 로직(소프트웨어)은 하나 이상의 프로세서(1344)에 의해 실행될 때 프로세서(1344)가 본 명세서에 상술된 본 발명의 특징을 수행하게 한다.
다른 실시예에서, 본 발명은, 예를 들면 주문형 집적 회로(ASIC)와 같은 하드웨어 구성요소를 사용하여 펌웨어 및/또는 하드웨어로 주로 구현된다. 본 명세서에 상술된 기능을 수행하기 위한 하드웨어 상태 머신의 구현예는 본 명세서의 교시로부터 당업자에게 자명할 것이다.
결론
본 발명의 특정 실시예가 상술되었지만, 이는 예일 뿐이고 한정하기 위한 것이 아니다. 당업자에 의해 첨부된 청구범위에 정의된 본 발명의 사상 및 범위를 벗어남 없이 다양하고도 상세한 변형이 이루어질 수 있음을 알아야 한다. 그러므로, 본 발명의 사상 및 범위는 상술된 예시적인 실시예에 의해 한정되지 않으며, 이하의 청구의범위 및 그 균등물에 의해서만 한정된다.

Claims (25)

  1. 간섭계형 굴절률 측정 시스템에서 광학 재료를 포함하는 물체의 3차원 굴절 변화율을 결정하기 위한 방법으로서,
    a. 기준 표면과 레트로 미러 표면 사이의 제1 축을 따라 상기 간섭계형 굴절률 측정 시스템에 직교 배향으로 상기 물체를 위치시키는 단계- 제2 축과 제3 축은 서로 직교하고 상기 제1 축에 직교함 -와,
    b. 기준 파전면과 상기 물체의 제1 표면으로부터 반사된 파전면 사이, 상기 기준 파전면과 상기 물체의 제2 표면으로부터 반사된 파전면 사이, 상기 기준 파전면과 상기 물체를 통과해 레트로 미러로부터 반사된 파전면 사이, 및 상기 기준 파전면과 상기 레트로 미러 표면으로부터 반사된 파전면 사이에서, 제1 내지 제4 위상차를 각각 측정하는 단계와,
    c. 상기 제1 내지 제4 위상차에 기초하여, 상기 기준 표면, 상기 제1 표면, 상기 제2 표면 및 상기 레트로 미러 표면 각각의 제1 내지 제3의 2차원 표면 왜곡을 결정하는 단계와,
    d. 상기 제1 내지 제4 위상차 측정에 기초하여 상기 물체의 평균적인 2차원 비균질도를 결정하는 단계와,
    e. 상기 평균적인 2차원 비균질도에 기초하여 상기 물체의 복수의 근사화 계수(Ai)를 결정하는 단계와,
    f. 상기 제2 축 및 상기 제3 축 주위로 소정의 각도만큼 상기 물체의 복수의 회전을 수행하는 단계와,
    g. 상기 복수의 회전의 각각에 대해 상기 기준 파전면과 상기 레트로 미러로부터 반사된 파전면 사이에 또다른 위상차를 측정하는 단계와,
    h. 상기 2차원 표면 왜곡과 상기 위상 차 측정에 기초하여 상기 물체의 복수의 근사화 계수(Aij)를 결정하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  2. 제1항에 있어서,
    렌즈 블랭크 물체를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  3. 제1항에 있어서,
    렌즈 물체를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  4. 제1항에 있어서,
    원주형 형태의 광학 재료로서 상기 물체를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  5. 제1항에 있어서,
    유리 광학 재료를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  6. 제1항에 있어서,
    플라스틱 광학 재료를 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  7. 제1항에 있어서,
    피조 간섭계, 마이켈슨 간섭계, 트와이만 그린 간섭계 또는 마하 젠더 간섭계 중의 하나로서 상기 간섭계형 굴절률 측정 시스템을 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 축은 직교 좌표 시스템의 z축인 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 축은 직교 좌표 시스템의 x축인 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제3 축은 직교 좌표 시스템의 y축인 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  11. 제1항에 있어서,
    레이저 소스을 사용하여 상기 기준 파전면을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  12. 제1항에 있어서,
    제니케 다항식을 사용하여 상기 단계 d를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  13. 제1항에 있어서,
    최소 자승법을 사용하여 상기 단계 e를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 단계 f는 상기 제2 축에 대하여 제1 각만큼 상기 물체를 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 각을 상기 레트로 미러 표면 쪽으로 약 45도 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 단계 f는 상기 제2 축에 대하여 제2 각만큼 상기 물체를 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제2 각을 상기 기준 표면쪽으로 약 45도 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 단계 f는 상기 제3 축에 대하여 제1 각만큼 상기 물체를 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 각을 상기 레트로 미러 표면쪽으로 약 45도 회전시키는 단계를 더포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 단계 f는 상기 제3 축에 대하여 제2 각만큼 상기 물체를 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제2 각을 상기 기준 표면쪽으로 약 45도 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 단계 f는 상기 레트로 미러를 광의 방향과 정렬시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  23. 제1항에 있어서,
    상기 단계 i는 반복 프로시저를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 단계 i는 CODE V 감쇠된 최소 자승 알고리즘을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 굴절 변화율 결정방법.
  25. 소정의 파라미터를 사용하여 복합 광학 시스템을 조립하기 위해 복수의 바람직한 광학 소자를 선택하는 방법으로서,
    a. 제1 내지 제N 그룹의 광학 소자를 선택하는 단계- N이 미리 정해진 값임 -와,
    b. 제1항에 따른 방법을 사용하여, 상기 광학 소자의 제1 내지 제N 그룹의 광학 소자 각각을 시험하는 단계와,
    c. 각각의 시험된 광학 소자에 대해 복수의 광학 특성을 결정하는 단계와,
    d. 상기 광학 특성에 기초하여, 상기 시험된 광학 소자의 제1 내지 제N 그룹의 각각으로부터 적어도 하나의 바람직한 광학 소자를 선택하는 단계와,
    e. 복합 광학 시스템을 조립하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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