KR20030011062A - 기판 세척 장치 및 방법 - Google Patents

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토마스 리델
클라우스 볼케
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매트슨 웨트 프로덕츠 게엠베하
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Abstract

본 발명은 신속하고 효율적으로 기판을 세척하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 이러한 목적을 위해, 기판, 특히 반도체 웨이퍼를 세척하기 위한 본 발명의 장치는 하나 이상의 기판을 수용하기 위한 처리 탱크와, 상기 처리 탱크를 밀봉하기 위한 커버와, 반응성 가스를 제어가능하게 공급하기 위한 제 1 공급 장치와, 기판으로부터 제거되는 퇴적물과 반응성 가스 사이의 반응을 촉진하기 위한 하나 이상의 습기 유체를 제어가능하게 공급하기 위한 제 2 공급 장치와, 그리고 상기 처리 탱크의 함수율을 제어하기 위한 제어 장치를 포함한다. 본 발명은 또한 하나 이상의 기판을 수용하기 위한 처리 탱크에 있는 기판, 특히 반도체 웨이퍼를 세척하기 위한 방법에 관한 것으로, 상기 탱크로 기판을 공급하는 단계와, 상기 처리 탱크를 밀봉하는 단계와, 상기 기판으로부터 제거되는 퇴적물과 반응성 가스 사이의 반응을 촉진하기 위한 하나 이상의 습기 유체와 반응성 가스를 처리 탱크로 공급하는 단계와, 그리고 상기 처리 탱크에 있는 함수율을 제어하는 단계를 포함한다.

Description

기판 세척 장치 및 방법{DEVICE AND METHOD FOR CLEANING SUBSTRATES}
반도체 웨이퍼의 세척을 위한 다양한 방법 및 장치가 공개된다. 포토 래커(photo lacquer)와 같은 유기 오염물의 제거를 위한 이러한 방법중 하나에 대해, 웨이퍼는 유기 미립자를 제거하도록 설퍼 페록사이드 혼합물(sulfur peroxide mixturers; SPM)로 종래의 습식 세척 공정에서 취급된다. 그러나, 사용되는 화학물때문에, 이러한 공정은 매우 비용 집약적이며 더욱이 이용되는 화학물의 제거동안 환경적인 문제가 발생된다.
건조 세척 공정을 가지는 다른 방법으로, O2또는 H2를 포함하는 가스가 반도체 웨이퍼로부터 플루오르하이드로카본 폴리머(fluorohydrocarbon polymer)를 제거하기 위해 이용된다. 비록 사용되는 내용물때문에 문제가 발생되지는 않지만, 이 가같은 건조 세척 공정은 매우 시간 집약적이어서 높은 비용을 초래한다.
EP-A-0 867 924호로부터 방법이 공개되는데. 여기서는 반도체 웨이퍼로부터 유기 오염물을 제거하도록 첨가제를 포함하는 스팀 또는 수증기분위기(atmosphere)로 오존 가스가 유입된다. 이와 같이 함으로써, 오존은 오염물을 산화시키기 위해 이용되며 스팀은 산화 공정을 촉진시킨다. 이러한 방법으로, 스팀 분위기는 웨이퍼 아래 배치된 워터 층(water layer)을 가열하여 부분적으로 증발시킴으로써 발생된다 스팀 분위기는 작동 온도에서 포화되며 작동 온도는 웨이퍼의 온도 보다 높다. 이것은 웨이퍼 상에서 스팀의 응축을 발생시키며, 워터 층은 오염물의 산화를 상당히 방해하는 두께에 도달하는데, 이는 물 또는 다른 반응성 성분과의 상호 반응에 의하여 발생된 오존 뿐만 아니라 OH기(radicals)가 오염물과 접촉하지 않기 때문이다. 이것은 워터 층(water layer)의 두께가, 물에서의 확산 상수가 수배가 되는 오존과 같은 반응성 성분의 수명보다 큰 경우 특별한 케이스이다.
본 발명은 기판, 특히 반도체 웨이퍼의 세척을 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 전형적인 제 1 실시예의 개략도이며,
도 2는 본 발명의 전형적인 제 2실시예의 개략도이며,
도 3은 본 발명의 다른 실시예의 개략도이며,
도 4는 본 발명의 선택적인 실시예의 개략도이며,
도 5는 본 발명의 다른 실시예의 개략도이며,
도 6은 본 발명의 다른 실시예의 개략도이다.
상기 방법에 따라, 본 발명의 목적은 간단하고 경제적인 방식으로 신속하고 효율적으로 기판을 세척할 수 있도록 하는 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따라, 이러한 목적은 기판, 특히 반도체 웨이퍼를 세척하는 장치에 의하여 달성되는데, 이 장치는 하나 이상의 기판을 수용하는 처리 탱크와, 처리 탱크를 폐쇄하기 위한 커버와, 반응성 가스의 제어가능한 유입을 위한 제 1 유입 장치와, 기판으로부터 제거되는 오염물과 반응성 가스 사이의 반응을 촉진시키는 습기 함유 유체의 제어가능한 유입을 위한 제 2 유입 장치와, 그리고 처리 탱크내의 함수율(moisture concentration)의 제어를 위한 제어 장치를 가진다. 상기 장치는 폐쇄형 시스템을 제공하며 처리 탱크내의 함수율의 정밀한 제어를 가능하게한다. 함수율이 각각의 세척 공정에 적용될 수 있어, 그 결과로서, 습기 함유 유체에 의해 세척되어지는 기판의 유체층의 형성이 제어 방식으로 또는 완전히 방지된다. 이것은 반응성 가스 또는 반응성 성분이 오염물 또는 불순물과 접촉하는 것을 보장하는 점에서 중요하다. 더욱이, 유체에 대한 반응성 가스의 비율은 최적 세척 분위기를 제공하고 매체의 소모를 감소시키도록 설정된다. 폐쇄형 시스템은 더욱이 반응성 가스/유체 혼합물의 비제어적인 누출을 방지한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라, 제 1 유입 장치는 이런 식으로 제어된 공정 분위기를 제공할 수 있는 정도로 가스의 유입된 양을 제어하는 밸브를 가진다. 오존이 유기 오염물의 산화 및 제거에 대해 특히 적절하고 경제적이기 때문에, 제 1 유입 장치는 오존 발생기를 가지는 것이 바람직하다.
간단한 방식으로 처리 탱크내의 함수율을 제거할 수 있도록, 제 2 유입 장치는 유체의 유입 양의 제거를 위해 하나 이상의 밸브를 가지는 것이 바람직하다. 스팀이 생산하기 용이하고 반응 촉진 유체로서 사용될 수 있기 때문에, 제 2 유입 장치는 증기 발생기, 특히 스팀 발생기를 가지는 것이 바람직하다. 이러한 관계에서, 증기의 함수율 및/또는 온도는 제어가능한 것이 바람직하다.
본 발명의 특히 바람직한 실시예에 따라, 제 2 유입 장치는 하나 이상의 유체 입구 노즐을 가진다. 유체의 특정한 양이 처리 탱크내로 유입되기 때문에, 함수율은 간단한 방식으로 설정될 수 있다. 이러한 관계에서, 유체 입구 노즐은 기판위에 배치되어 기판을 세정(rinse)하도록 기판을 향하여 있는 것이 바람직하다. 특히, 산화 반응 생산물은 아래 배치된 비 산화층을 노출시키도록 웨이퍼를 세정한다.
공정 분위기, 특히 또한 처리 탱크의 함수율의 제어를 위해, 상기 장치는 처리 탱크 및/또는 탱크 함유물의 가열을 위한 가열 장치, 제어가능한 회수 장치, 및/또는 제어가능한 유체 출구를 가지는 것이 바람직하다.
반응가스의 반응을 추가적으로 강화시키고, 또는 공정 상태를 최적화하기 위해, 상기 장치는 다른 유체, 특히 습윤제의 제어가능한 유입을 위한 제 3 유입 장치를 가진다.
처리 탱크로부터 공정 성분의 제어가능한 치환을 허용하여, 탱크가 개방될 때 분위기내로 공정 성분의 누출을 방지하도록, 추가 가스 유입 장치는 추가 가스, 특히 불활성 가스의 제어가능한 유입을 위해 제공되는 것이 바람직하다.
함수율의 정확한 설정을 위해, 장치가 처리 탱크의 함수율의 측정을 위해 제공된다. 이것은 제어 장치의 실제적인 함수율의 피드백을 가능하게 하는데, 이러한 피드백과의 정합은 제어 장치의 제어 파라미터를 적용할 수 있다.
본 발명의 특히 바람직한 실시예에 따라, 처리 탱크는 압력 기밀하며 상기 장치는 처리 탱크내에서 압력을 과압(overpressure)으로 제어하기에 적절한 압력 제어 장치를 가진다. 처리 탱크내에서 과압을 이용함으로써, 반응을 촉진하여 공정의 진행을 가속화하는 더 큰 온도를 가지는 스팀 또는 증기를 사용하는 것이 가능하다. 더욱이, 압력에 의하여, 처리 탱크내에서 함수율을 제어하는 것 뿐만 아니라 기판 표면과 공정 분위기 사이의 경계층 또는 인터페이스를 제어하는 것이 가능하다. 과압을 이용함으로써, 함수율의 유용한 제어성 뿐만 아니라 단축된 공정시간을 초래하여, 그 결과로서 장치의 작업산출량이 증가한다. 이와 관련하여, 처리 탱크는 주위 분위기에 대해 유용한 밀봉을 달성하도록 커버에 의하여 압력 기밀 방식으로 밀봉되는 것이 바람직하다. 오존이 처리 탱크로부터 누출되는 위험이 방지되며, 그 결과로서 환경에 대한 위험없이 매우 농축된 오존의 이용이 가능하다. 매우 농축된 오존의 이용은 증가된 반응률을 초래하고, 그 결과로서 공정 시간이 더욱 감소될 수 있다.
또한 본 발명의 목적은 하나 이상의 기판의 수용을 위한 처리 탱크내에서 기판, 특히 반도체 웨이퍼의 세척 방법에 의하여 달성되는데, 이 방법은 탱크내로 기판을 유입하는 단계와, 상기 처리 탱크를 폐쇄하는 단계와, 상기 기판으로부터 제거되어지는 반응성 가스와 오염물 사이의 반응을 촉진시키는 반응성 가스와 하나 이상의 습기 함유 유체를 유입하는 단계와, 그리고 처리 탱크내에서 함수율을 제어하는 단계를 포함한다. 이 방법의 결과로서, 장치와 관련하여 이미 상술된 장점이 달성된다.
제어 공정 분위기를 달성하도록, 유입된 반응성 가스 및/또는 유체의 양이 제어되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 유체는 증기, 특히 스팀이며, 습기 및/또는 온도가 제어된다. 기판상의 유체층의 형성과 이와 관련된 단점을 피하기 위해, 처리 탱크에서의 공정 분위기는 기판에 증기의 농축이 필수적으로 발생하지 않는 방식으로 제어되는 것이 바람직하다. 본 발명의 일 실시예에 따라, 이러한 목적을 위해 기판의 온도는 증기의 온도로 유지되거나 그 이상이다. 증기가 반응성 가스, 특히오존에 앞서 처리부로 유입되는 것이 바람직하다.
일정한 공정 상태를 유지하고, 이용되지 않는 매체의 공급이 가능하도록, 처리 탱크내에서 발견되는 반응성 가스와 유체의 혼합물의 적어도 일 부분이 취출된다. 이러한 목적을 위해, 회수 혼합물의 양이 제어되는 것이 바람직하다.
습기 공정 분위기의 유지에 부가하여, 유용한 매스 전달 및 기판의 세정이 가능하도록, 유체는 액체인 것이 바람직하다. 유용하게는 액체의 적어도 일 부분이 균일하게 제어되는 공정 상태를 유지하도록 회수된다. 이러한 관계에서, 회수 액체의 양이 제어되는 것이 바람직하다. 유용한 세정을 위해, 액체는 상기로부터 기판으로 뿌려지는 것이 바람직하다. 이러한 공정은 기판상의 액체층의 비제어되는 형성을 방지하도록 짧은 시간 간격동안 달성되는 것이 바람직하다. 이와 관련하여, 뿌려지는 시간 간격이 그 사이의 간격보다 상당히 짧은 것이 바람직하다.
공정 분위기의 유용한 제어를 위해, 처리 탱크 및/또는 탱크 내용물의 온도가 제어되는 것이 바람직하다. 습기 성분은 유입된 반응성 가스의 양, 유입된 유체 및/또는 온도의 양에 의해 제어되는 것이 바람직하다. 본 발명의 일 실시예에 따라, 처리 탱크내에서의 함수율이 측정되어 측정 결과에 의해 조절된다.
처리 탱크가 개방되었을 때 가스 및 유체의 반응성 혼합물의 누출을 방지하기 위해, 반응성 혼합물은 세척단계후 회수된다. 본 발명의 일 실시예에 따라, 세척후 반응성 가스와 치환되는 추가 가스, 특히 불활성 가스를 처리 탱크내로 유입한다. 다른 실시예에 따라, 세척후 처리 유체는 기판을 추가적으로 처리하도록 처리 탱크내로 유입된다. 처리 유체가 처리 탱크내로 직접 유입되기 때문에, 다른처리 유닛으로의 기판의 핸들링 및 이송이 생략되어 핸들링 및/또는 이송동안 기판의 손상의 위험이 제거된다.
본 발명의 장치 및 본 발명의 방법은 반도체 웨이퍼로부터 포토 래커와 같은 유기 오염물의 제거에 특히 적합하다.
본 발명의 특히 바람직한 실시예에 따라, 처리 탱크내의 압력이 제어되고, 특히 과압으로 제어되며, 그 결과로서 높은 증기 온도가 처리동안 달성될 수 있다.
더욱이, 상기 압력에 의해 처리 탱크내의 함수율의 제거가 가능하다.
본 발명은 후속적으로 도면을 참조로하여 바람직한 전형적인 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명될 것이다.
도 1은 처리 탱크(4)로 반도체 웨이퍼(2)를 세척하는 장치를 보여준다. 처리 탱크(4)에 배치되는 것은 직립 위치로 기판(2)을 홀딩하기 위한 기판 수용 장치(6)이다. 다수의 기판은 도 1에 도시된 오직 하나의 기판과 함께 처리탱크(4)내에 수용될 수 있다. 처리 탱크(4)는 정사각형 또는 직사각형 단면 형상을 가지는 상부와, 그리고 하방으로 원뿔형상으로 테이퍼지는 하부를 가진다. 직사각형부의 상부 영역에서, 처리 탱크(4)는 처리 탱크(4)내로 스팀을 유입시키기 위한 확산기(8)가 제공된다. 확산기(8)는 적절한 라인(9)을 경유하여 스팀 발생기(10)와 연결된다. 확산기(8)는 처리 탱크의 형상에 적용되고 탱크내에서의 스팀의 균일한 분배를 가능하게 하는 링을 형성한다. 이와 같이 하여, 확산기(8)는 기판(2)이 이동하는 것을 충분히 허용하는 내경을 형성한다.
확산기(8)상에 제공된 것은 세정 장치(rinsing device)이며, 이는 도 1에 도시되지 않으며, 세정 장치를 경유하여 미세하게 분포된 안개의 형태로 세정 유체가 처리 탱크(4)내로 유입된다. 세척 유체는 처리 탱크(4)내로 수용되는 기판이 균일하게 세척하는 방식으로 유입된다. 처리 탱크(4)의 림 영역에 제공된 것은 처리 탱크(4) 뿐만 아니라 기판(2)을 가열하기 위한 가열 장치(12)이다. 가열 장치(12)는 처리 탱크(4)내로 및 처리 탱크로부터의 기판의 이동을 방해하지 않는 방식으로 배치된다. 처리 탱크(4)는 상단부에서 오버플로우(overflow)를 가진다.
기판 수용 장치(6) 아래 영역에 처리 탱크(4)에 제공된 것은 오존을 유입하기 위한 확산기(16)이다. 확산기(16)는 라인(17)을 경유하여 오존 발생기(18)와 연결된다. 확산기(16)는 다시 처리 탱크(4)의 형상에 적용되고 탱크(4)내에서의 오존의 균일한 분배를 허용하는 고리형 확산기이다. 확산기는 탱크(4)의 직사각형 부분의 하부 영역에 배치된다. 처리 탱크(4)의 원뿔형상으로 테이퍼진 하부에 배치된 것은 세척 유체를 위한 입구/출구 개구(20)이다. 개구(20)는 라인(21)을 경유하여 세척 유체 공급원(22)과 연결된다.
처리 탱크(4)를 밀봉하기 위한 커버(24)는 처리 탱크(4)상에 제공된다. 커버(24)는 배치되는 공정 성분이 누출되는 것을 방지하도록 환경에 대해 처리 탱크(4)를 밀봉시키도록, 제 위치, 완전히 폐쇄된 위치에 있다. 완전히 폐쇄된 위치에서, 오버플로우(14)로의 처리 탱크(4)의 연결이 또한 폐쇄된다.
이것이 별도로 도시되지 않았지만, 처리 탱크(4)로부터 공정 성분의 제어된 회수를 위한 회수 장치가 제공된다. 회수 장치는 커버(24) 또는 처리 탱크(4)에 선택적으로 설치될 수 있다.
커버(24)가 개방된 상태로 장치(1)의 작동동안, 예를 들면 포토 래커로 코팅되거나 오염된 건조 웨이퍼(2)는 처리 탱크(4)내에 배치되고 웨이퍼 수용기(6)에 수용된다. 후속적으로, 커버(6)가 처리 탱크(4)를 밀봉시키는 위치가 된다. 처리 탱크(4)의 내부와 기판(2)은 가열 장치(12)에 의해 가열된다. 특정된 습기 성분 및 온도를 가지는 스팀은 스팀 발생기(10)에서 발생된다. 질소와 같은 액체 기판 및/또는 아세트산과 같은 액체 매체는 웨이퍼(2)의 후속적인 세척 공정을 강화하기 위해 스팀과 선택적으로 혼합될 수 있다. 생산된 스팀은 라인(9)과 확산기(8)를 경유하여 제어된 방식으로 처리 탱크(4)로 유입되는데, 즉 특정한 양의 스팀이 탱크(4)의 특정한 함수율을 달성하도록 탱크의 부피의 함수로서 유입된다. 처리 탱크(4)의 내부와 웨이퍼(2)가 웨이퍼로의 스팀의 농축을 반드시 방지하도록 스팀의 온도상의 온도로 가열된다.
오존은 오존 발생기(18)에서 생성되어 라인(17)과 확산기(16)를 경유하여 제어된 방식으로 처리 탱크(4)내로 유입되는데, 즉 오존의 양은 스팀의 유입된 양의 함수로서 제어된다. 스팀 및 오존 가스의 제어된 유입에 의해, 화학양론적 오존 가스/스팀 혼합물이 생산되어 혼합물의 함수율이 제어된다. 오존 가스는 제거되어지는 포토 래커와 반응하여 스팀이 이러한 반응을 촉진하여 가속화한다. 오존은 포토 래커를 산화시켜 웨이퍼(2)로부터의 제거를 가능하게 한다.
웨이퍼의 처리 동안, 회수 장치는 새로 발생된 오존 및 스팀의 공급이 가능하도록 오존 가스/스팀 혼합물의 측정한 양을 취출하도록 작동된다. 회수 장치의 제어된 작동에 의하여, 또한 습한 공정 분위기의 소정의 양이 취출되는 처리 탱크내의 함수율을 제어하는 것이 가능하다. 이와 같이 하여, 회수 장치는 처리 탱크내에서 기판의 세척동안 약간의 과압이 초래되는, 즉 미리 유입된 것보다 혼합물이 적게 취출되는 방식으로 작동된다.
상기 공정동안, 소정의 시간 간격동안 도시되지 않은 세정 장치는 또한 기판의 중간 세정을 제공하고 특히 웨이퍼로부터 산화된 반응 생성물을 세정하도록 작동될 수도 있다. 이것은 산화된 반응 생성물이 기판상에 반응 배리어를 형성하지 않으며, 오존 가스/스팀 혼합물이 그 아래 배치된 비산화층과 접촉하도록 한다. 기판의 세정동안, 세정 유체의 소정의 양은 처리 탱크(4)로 유입된다. 유체는 처리 탱크내의 함수율에 영향을 미치며 따라서 함수율의 제어에 포함된다. 처리 탱크내에서의 함수율의 제어에 대해, 처리 탱크의 바닥부에 모이는 세정 유체의 제어된 양이 세정 공정후 입구/출구 개구(20)를 경유하여 회수되는 것이 바람직하다.
이미 상술된 바와 같이, 세척 공정은 세척 공정동안 짧은 시간 간격에 영향을 미친다. 세척 공정동안 기판 표면의 유체층 두께의 정밀한 제어가 가능하지 않거나 어렵게만 가능하므로 이러한 시간 간격은 세척 공정 사이의 간격보다 상당히 짧다. 따라서, 유체 층 두께는 세척 공정을 방지하는 유체 층 두께가 기판상에 신속히 형성될 수 있다.
전체 공정동안, 탱크와 성분의 온도는 탱크의 공정 분위기, 특히 함수율을 제어하도록 가열 장치(12)에 의하여 제어된다.
제거되어지는 오염물의 양 뿐만 아니라 오염물의 합성물의 양의 함수인 소정의 공정 시간후, 오존 가스/스팀 혼합물은 회수 장치를 경유하여 처리 탱크(4)로부터 회수된다. 선택적으로, 또는 부가하여, 처리 탱크(4)로부터 오존 가스/스팀 혼합물을 완전히 치환시키도록 처리 탱크(4)는 불활성 가스 예를 들면 질소가 추가되는 도시되지 않은 확산기를 통하여 유동된다. 부가적인 확산기 대신, 질소는 또한 오존 가스 확산기(16)를 경유하여 유입될 수도 있어, 확산기(16)는 그때 질소 공급원에 연결되어야 한다.
오존 가스/스팀 혼합물이 처리 탱크(4)로부터 완전히 제거된 후, 커버(24)가 상승되어 탈이온수와 같은 세정 유체가 최종 세척을 수행하여 세척 공정을 종결하도록 입구(20)를 경유하여 처리 탱크(4)내로 아래로부터 유입된다. 물은 오버플로우(14)로 유동하여 오버플로우로부터 회수된다.
마지막으로, 물은 회수되어 웨이퍼가 건조되어, 물의 표면 장력이 감소되는 유체가 물의 회수동안 물 표면에 인가되는, 마란고니 효과(Marangoni effect)에 따라 물의 회수 동안 건조 공정이 수행된다.
전술된 바와 같이, 불활성 가스가 유입됨으로써 처리 탱크로부터 오존/가스 스팀 혼합물의 치환 대신, 또한 탈이온수 또는 또 다른 유체의 유입에 의해 처리 탱크(4)로부터 오존 가스/스팀 혼합물을 치환하는 것이 가능하다. 오존 가스/스팀 혼합물이 치환되는 경우, 예를 들면, 물의 세척을 위한 탈이온수로, 이러한 경우 초기에 커버(24)는 세척되지 않으며, 그렇지 않으면 오존 가스/스팀 혼합물은 분위기로 누출된다. 커버(24)는 오존 가스/스팀 혼합물이 탈이온수로 완전히 치환될 때만 상승된다. 물은 후속적으로 다시 회수되어 건조된다.
도 2는 반도체 웨이퍼(102)를 위한 세척 장치(100)의 선택적인 일 실시예를 보여준다. 세척 장치(100)는 다시 웨이퍼 수용기(106)를 가지는 처리 탱크(104)가 제공된다. 처리 탱크(104)의 하부로 테이퍼지는 부분에서, 확산기(108)는 처리 탱크(104)로 통합되는 스팀 발생기(110)와 소통된다. 기판(102)의 이동 영역을 넘어 측방향으로 배치된 처리 탱크(104)의 영역에서, 처리 탱크(104)와 기판(102)을 가열하기 위한 가열 장치(112)가 제공된다. 처리 탱크(104)는 다시 오버플로우(114)가 제공된다. 처리 탱크(104)의 상부 영역에 배치된 것은 라인(117)을 경유하여 오존 발생기(118)로 연결된 오존을 유입하기 위한 확산기(116)이다. 확산기(116)는 처리 탱크(104)의 측방향 영역, 특히 가열 장치(112)에 대향되는 측부에 배치된다.
확산기(108)상에 제공된 것은 탈이온수와 같은 세정 유체용 유입/출구 개구(120)이다. 개구(120)는 탈이온수용 공급원과 적절한 방식으로 연결된다. 커버(124)는 처리 탱크(104)를 폐쇄하며 분위기에 대해 처리 탱크를 밀봉한다.
상기 장치(100)의 작동은 제 1 실시예의 장치(1)와 필수적으로 동일하다. 장치 1과 100 사이의 주요 차이는 부재의 배치, 특히 처리 탱크(104)의 스팀 발생기의 통합에 있다.
도 3은 반도체 웨이퍼(202)용 세척 장치(200)의 또 다른 실시예를 보여준다. 세척 장치(200)는 외부 탱크(205)와 내부 탱크(206)로 이루어지는 처리 탱크(204)를 가진다. 외부 탱크(205)는 가열 장치(208)를 경유하여 가열될 수 있는 유체(207)로 적어도 부분적으로 채워질 수 있다. 내부 탱크(206)는 유체(207)의 내부 탱크(206)의 부동(floating)을 방지하도록 외부 탱크내에 적절한 방식으로 고정된다.
내부 탱크(206)는 정사각형 또는 직사각형 형상을 가지는 상부와, 포인트로 하방으로 테이퍼지는 하부를 가진다. 처리 탱크(206)에 제공된 것은 기판(202)을 수용하기 위한 비도시된 홀딩 장치이다. 직사각형 부분의 하부 영역의 탱크(206)에 제공된 것은 비도시된 입구/출구 개구가 제공되는 팬 또는 홈통부(210)이다. 홈통부 아래 제공된 것은 오존과 같은 반응성 가스의 처리 탱크(206)내로의 유입을 위한 확산기(212)이다. 확산기(212)는 다시 고리형 확산기이며, 이 확산기는 오존의 균일한 유입을 가능하게 하는 소정의 적절한 형상을 가질 수 있다. 포인트로 테이퍼지는 하부의 영역에 제공된 것은 비도시된 유체 입구/출구 개구이다.
처리 탱크(206)는 제 1의 가동 커버(214)에 의하여 폐쇄된다. 커버(214)에 제공된 것은 각각 스팀 공급원 및 유체 공급원에 적절한 방식으로 연결되는 스팀 확산기(216) 뿐만 아니라 유체 스프레이 장치(218)이다.
외부 및 내부 처리 탱크를 폐쇄하기 위해 다른 커버(220)가 제공된다. 회수 라인(224)은 커버(214)를 통하여 연장되며 내부 처리 탱크(206)로 연장된다. 회수 라인(224)은 비도시된 회수 장치와 적절한 방식으로 연결된다.
장치(200)의 작동은 제 1 실시예의 장치(1)의 작동과 필수적으로 동일하다.
도 4는 반도체 웨이퍼(302)용 세척 장치(300)의 다른 실시예를 보여준다. 세척 장치(300)는 정사각형 또는 직사각형 단면 형상을 가지는 필수적으로 폐쇄된 처리 탱크(304)에 제공된다. 처리 탱크(304)는 커버(308)에 의해 폐쇄될 수 있는 입구/출구 개구(306)를 구비한 하부, 측방향 영역에 제공된다. 커버(308)는 분위기로부터 처리 탱크(304)의 내부 챔버(310)를 밀봉시키도록 제 위치에 있다. 개구(306)의 영역에 제공된 것은 반도체 웨이퍼가 배치되어 처리 탱크(304)로부터 제거될 수 있도록 경유하는 비도시된 압력식 전달 또는 이송 메카니즘이다. 이송 메카니즘은 공급 및 제거 동안 처리 탱크내의 압력을 다양하게 하기 위한 필요성을 제거한다. 이러한 타입의 이송 메카니즘은 공개되어 있으며 따라서 본 명세서에서 상세하게 설명하지 않는다.
처리 탱크(304)의 하부 영역에 제공된 것은 반도체 웨이퍼(302)에 대한 수평 지지면(314)을 가지는 회전가능한 웨이퍼 리시버(312)이다. 웨이퍼의 확실한 수용을 보장하도록, 리시버에는 지지면에 대해 반도체 웨이퍼를 확실하게 취출하도록 부분 압력이 인가될 수 있는 지지면에 개구가 제공된다.
각각의 제어 밸브(320, 322)를 가지는 라인(316 및 318)은 처리 탱크(304)에 연결된다. 라인(316, 318)을 경유하여, 가압 스팀 또는 가압 오존이 처리탱크(304)로 유입된다. 처리 탱크(304)의 상부 영역에 제공된 것은 미세하게 분배된 이슬의 형태인 세정 유체(rinsing fluid)가 처리 탱크(304)로 경유하여 유입되는 세정 장치(rinsing device; 324)이다. 처리 탱크(304)의 베이스에 제공된 것은 제어 밸브(328)를 가지는 배출 라인(326)이다.
장치(300)의 작동 동안, 제 1 반도체 웨이퍼(302)는 개구(306)를 경유하여 처리 탱크(304)로 배치되어 리시버(312)에 수용 및 고정되며 리시버(312)에 비도시된 가열 장치를 경유하여 가열된다. 후속적으로, 라인(316과 318)을 경유하여, 압력하에 있는 스팀 또는 오존은 탱크(304)내로 유입된다. 이와 같이 하여, 소정의 양의 스팀 및 오존은 탱크 부피의 함수로서 유입되어, 소정의 과압 및 소정의 함수율이 탱크(304)에서 달성된다. 웨이퍼 뿐만 아니라 처리 탱크(304)의 벽의 스팀의 농축을 방지하도록, 웨이퍼 및 탱크는 스팀 온도 이상의 온도로 가열된다.
처리 탱크(304)내의 압력이 측정되어 고정 레벨로 유지된다. 라인(326)을 경유하여, 탱크(304)에 형성된 오존 가스/스팀 혼합물의 일 부분이 취출된다.
상기 공정 동안, 스프레이 장치(324)는 기판을 세정하도록 소정의 시간 간격에서 작동된다. 웨이퍼의 세정 동안, 소정의 유체의 세정 유체는 처리 탱크(4)내로 유입되며, 각각의 세정 공정후 유입된 양에 대응하는 세정 유체의 대응 양이 라인(326)을 경유하여 배출된다. 상기 공정 동안, 웨이퍼는 웨이퍼의 상향된 표면상에 유체가 모이는 것을 방지하도록 리시버(312)를 경유하여 회전된다.
도 5는 본 발명의 장치의 다른 실시예를 보여줌으로써, 문제가 되는 정도로 도 5에서 동일한 도면부호가 도 4와 같이 사용된다. 도 5의 장치(300)는 반도체웨이퍼(302)의 처리에 대한 처리 탱크(304)를 가진다. 입구/출구 이송 수단(330)은 처리 탱크(304)의 상부벽에 제공된다. 탱크(304)의 내부 챔버(310)에 제공된 것은 지지면(314)을 가지는 웨이퍼 리시버(312)이다. 도 4의 실시예와 대비하여, 웨이퍼 리시버(312)는 탱크(304)의 측벽에 제공되고 필수적으로 수직 지지면(314)을 가진다. 반도체 웨이퍼(302)는 지지면(314)에 도시되지 않은 진공 개구를 경유하여 리시버(312)에 수직 배향으로 유지된다. 적절한 밸브(320, 322)를 가지는 라인(316, 318)은 스팀 및 오존의 유입을 위해 처리 탱크(304)의 상부 영역에 다시 제공되고, 세정 장치(324)가 또한 처리 탱크의 상부 영역에 제공된다. 처리 탱크(304)의 베이스에 설치된 것은 밸브(328)를 가지는 배출 라인(326)이다.
스팀 및 오존의 유입에 대해 입구 라인(316, 318)에 부가하여, 밸브(337)를 가지는 다른 입구 라인(336)이 제공된다. 유입 라인(336)은 아세트산의 유입용으로 작용하며, 이는 반도체 웨이퍼(2)로부터 제거되어지는 오염물과 오존 가스/스팀 혼합물의 반응을 촉진시킨다.
도 5의 장치의 작동은 도 4의 장치(300)의 작동과 필수적으로 동일하여, 세척 효과의 촉진을 위해 아세트산이 세척동안 처리 탱크(304)로 부가적으로 유입된다. 반도체 웨이퍼(302)가 수직 배향으로 배치되는 사실 때문에, 세척 공정동안 또는 세척 공정후 유체의 회전 및 원심력에 의한 배출이 필요하지 않으며, 이는 유체가 웨이퍼(302)로부터 용이하게 유출되기 때문이다.
도 6은 반도체 웨이퍼(402)의 세척을 위한 본 발명의 장치(400)의 다른 실시예를 보여준다. 장치(400)는 외부 처리 탱크에 수용되고 유지되는 내부 처리탱크(404)를 가진다. 내부 처리 탱크(404)는 커버(408)를 가지는 반면, 외부 처리 탱크(406)는 커버(410)를 가진다. 커버(408 및 410)는 각각의 처리 탱크에 접근을 제공하도록 처리 탱크(404 및 406)에 대해 가동된다. 커버(408)는 또한 커버(410)상의 적절한 가이드 레일(412)을 따라 커버(410)에 대해 가동된다. 선택적으로, 커버는 또한 적절한 피봇 포인트에 대해 서로에 대해 기울어질 수 있다.
내부 처리 탱크(404)는 비도시된 입구 라인을 경유하여 오존 가스 및 스팀과 제어된 방식으로 채워질 수 있다. 더욱이, 내부 처리 탱크(404)는 커버(408)에 설치되는 적절한 라인(414)을 경유하여 공기 또는 질소와 같은 다른 가스로 채워질 수 있다. 라인(414)에 제공된 것은 처리 탱크(404)의 압력이 공급 라인(417)의 압력 아래로 강하될 때 개방되는 각각의 과압 밸브(416)이다. 공급 라인(417)의 압력은 필수적으로 분위기 압력이 되어, 과압 밸브는 부압(underpressure)이 처리 탱크(404)에 증진되는 것을 방지한다.
내부 처리 탱크(404)는 도 6에 개략적으로 도시된 바와 같이 비도시된 입구/출구 시스템을 경유하여 탈이온수와 같은 유체로 채워질 수 있다.
더욱이 커버(408)에 배치된 것은 통상적인 배출 라인(422)이 처리 탱크(404)의 압력 아래로 강하될 때 개방되는 각각의 과압 밸브(421)가 배치된 배출 라인(420)이다. 라인(420)은 펌프(424)와 같은 회수 장치와 연결된다. 유출 라인(420)에서 커버(408)와 펌프(424) 사이에 배치된 것은 처리 탱크(404)로부터 회수된 오존을 산소로 변환하도록 산화 망간 촉매기와 같은 오존 촉매기(426)이다.
커버(408, 410)의 개방과 함께, 도 6의 장치(400)의 작동동안, 반도체 웨이퍼(402)는 내부 처리 탱크(404)로 1차적으로 로딩되며 처리 탱크에서 반도체 웨이퍼는 비도시된 홀딩 장치에 수용된다. 후속적으로, 커버(408 및 410)가 폐쇄되어, 커버(408)가 내부 처리 탱크(404)를 페쇄하여 필수적으로 밀봉하며, 외부 탱크(410)는 외부 처리 탱크(406)를 반드시 폐쇄하여 밀봉하여야 하는 것은 아니다. 외부 처리 탱크(406)에 제공된 것은 외부 처리 탱크(406)에 배치된 가스를 취출하고 가스가 내부 또는 외부 처리 탱크로부터 작동 환경으로 누출되는 것을 방지하도록 연속적으로 작동되는 비도시된 회수 장치이다.
내부 처리 탱크(404)는 웨이퍼를 공정 온도로 또는 이에 거의 근접하게 되도록 고온수로 충전된다. 웨이퍼는 후속적으로 배출된다. 웨이퍼는 물론 소정의 다른 방식으로 공정 온도로 된다. 물의 유입은 또한 처리 탱크의 폐쇄 전에 수행된다.
두개의 처리 탱크(404, 406)가 폐쇄되고 웨이퍼가 공정 온도가 된 후, 제 1 스팀이 상술된 바와 같이 소정의 함수율으로 제어되는 내부 처리 탱크(404)로 유입된다. 후속적으로, 오존이 내부 처리 탱크(404)로 유입된다. 펌프(424)에 의하여, 처리 탱크(404)에서 지금 발견되는 소정의 양의 오존 가스/스팀 혼합물이 취출되며, 혼합물에서 오존을 변환하도록 촉매기(426)를 통하여 이송되어 혼합물이 무해하게 한다. 펌프(424)에 의하여 더 이상의 오존 가스/스팀 혼합물이 미리 유입된 것이 아닌 처리 탱크로부터 회수되며 미세한 부압은 처리 탱크(404)에서 초래된다. 이러한 부압 효과는 과압 밸브(416)의 개구를 작동시키며 과압 밸브를 경유하여 분위기 공기 또는 질소가 그때 처리 탱크의 부압의 촉진을 방지하도록 처리 탱크내로 유입된다.
오존 가스/스팀 처리후, 스팀 뿐만 아니라 오존의 공급이 중단된다. 처리 탱크(404)는 처리 탱크(404)로부터 오존 가스/스팀 혼합물을 치환하도록 물로 채워진다. 이와 같이 하여, 오존 가스/스팀 혼합물은 라인(420/422)을 경유하여 내부 처리 탱크(404)로부터 회수된다. 오존 가스/스팀 혼합물이 치환된 후, 제 1 내부 커버(408)가 상승되어, 내부 처리 탱크(404)에 배치된 물은 외부 처리 탱크(406)내로 오버플로우될 수 있다. 외부 처리 탱크로부터 물은 적절한 방식으로 회수된다.
내부 커버(408)의 개방 동안, 내부 처리 탱크(404)에 여전히 있을 수 있는 나머지 오존 가스는 외부 처리 탱크(406)로 누출될 수 있으며, 외부 처리 탱크로부터 나머지 오존 가스는 연속적으로 작동하는 회수 시스템을 경유하여 회수된다. 외부 커버(410)가 후속적으로 상승된다. 처리 탱크(404)에 있는 물이 회수되고, 웨이퍼는 전술된 마란고니 공정(Marangoni process)에 따라 건조된다. 처리된 웨이퍼(402)는 처리 탱크로부터 후속적으로 제거되며 새로운, 처리되지 않은 웨이퍼가 유입된다.
전술된 공정 순서 동안, 펌프(424)에 의하여 펌핑된 유체의 양이 각각의 ㅅ공정 상태로 조절된다. 오존 가스/스팀 처리 동안, 오존 가스/스팀의 양이 처리 탱크(404)를 통한 연속적인 유동을 유지할 수 있도록 비도시된 라인을 경유하여 유입하는 펌프에 의하여 펌핑 아웃된다. 물로 처리 탱크(404)를 채우는 동안, 동일한 방식으로 동일한 유체 양이 라인(420) 또는 통상적인 배출 라인(422) 또는 촉매기에 있는 처리 탱크(404)의 국부적인 증가를 피하도록 처리 탱크(404)내로 유입되는 물의 양일 때 펌프(424)에 의하여 펌핑 아웃된다. 비록 도 6에 도시된 실시예에서 과압 밸브를 가지는 공급 라인(417)이 제공되며, 과압 밸브를 경유하여 공기 또는 질소와 같은 가스가 처리 탱크내의 압력이 분위기 압력 아래로 하강하는 경우 처리 탱크내로 유입되며, 상기 라인이 절대적으로 필요하지 않다. 처리 탱크(404)에서 부압이 초래되는 것을 방지하기 위해, 펌프(424)는 또한 적절한 방식으로 제어될 수 있다. 펌프의 펌프 부피의 제어 동안, 촉매기에서의 압력 손실 및 촉매기의 최대 유동 부피가 고려되어야 한다.
비록, 이것은 도 6에 상세하게 설명되지 않았지만, 예를 들면 도 3의 실시예와 같이 내부 처리 탱크(404)에 오존 가스/스팀 처리 동안 반도체 웨이퍼를 세정하도록 세정 장치가 제공되는 것이 가능하다. 전체적으로, 다양한 실시예의 각각의 부재는 가능한 경우 서로 조합될 수 있다.
본 발명은 이러한 특별한 실시예에 제한됨이 없이 바람직한 실시예에 의해 전술되었다. 예를 들면, 제 1 및 제 2 실시예의 커버는 또한 오버플로우를 덮기 위하여 오버 플로우상으로 연장될 수 있어 분위기에 대해 처리 탱크를 밀봉한다. 이러한 경우, 오존 처리 후 물로 세정하는 동안 커버가 상승되는 것이 필요하지 않으며, 회수 장치는 또한 오버플로우에 연결될 수도 있다. 처리 탱크의 가열 장치를 배치하는 대신, 이러한 경우, 커버는 기판의 유입 및 제거에 방해되지 않고 더 많은 영역을 덮을 수 있다. 도 4 및 도 5의 처리 탱크로, 또한 스팀 및 오존의 유입전에, 웨이퍼로부터 제거되는 오염물의 부분적인 완화 또는 연화를 위한 플라즈마의 발생을 가능하게 하도록 과압을 발생시키는 것이 가능하다.

Claims (50)

  1. 기판, 특히 반도체 웨이퍼를 세척하는 장치로서,
    하나 이상의 기판의 수용을 위한 처리 탱크와,
    상기 처리 탱크의 폐쇄를 위한 커버와,
    반응성 가스의 제어가능한 유입을 위한 제 1 유입 장치와,
    상기 반응성 가스와 상기 기판으로부터 제거되어질 수 있는 퇴적 또는 코팅물 사이의 반응을 촉진시키는 하나 이상의 습기 함유 유체의 제어가능한 유입을 위한 제 2 유입 장치와, 그리고
    상기 처리 탱크에 있는 함수율의 제어를 위한 제어 장치를 포함하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 유입 장치는 상기 유입된 가스의 양의 제어를 위한 밸브를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 유입 장치는 오존 발생기를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 유입 장치는 상기 유입된 유체의 양의 제어를 위한 하나 이상의 밸브를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 유입 장치는 증기 발생기, 특히 스팀 발생기를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 증기의 함수율 및/또는 온도가 제어가능한 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 유입 장치는 하나 이상의 유체 입구 노즐을 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유체 입구 노즐은 상기 기판위에 배치되어 기판을 향하여 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 탱크 및/또는 상기 탱크 내용물의 가열을 위한 가열 장치를 특징으로 하는 장치.
  10. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 제어가능한 회수 장치를 특징으로 하는 장치.
  11. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 제어가능한 유체 출구를 특징으로 하는 장치.
  12. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 반응을 강화하거나 가속화하는 추가 유체의 제어가능한 유입을 위한 제 3 유입 장치를 특징으로 하는 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 유체는 습윤제 또는 아세트산인 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 추가 가스, 특히 불활성 가스의 상기 처리 탱크로의 제어가능한 유입을 위한 추가 가스 유입 장치를 특징으로 하는 장치.
  15. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 탱크에서 함수율의 측정을 위한 장치를 특징으로 하는 장치.
  16. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 탱크는 압력 기밀하며, 상기 장치는 압력 제어 장치를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 커버는 상기 처리 탱크를 밀봉하는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 기판의 수용을 위해 상기처리 탱크를 둘러싸고 다른 커버에 의하여 밀봉되는 다른 외부 탱크를 특징으로 하는 장치.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 처리 탱크의 커버는 서로에 대해 가동되는 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서, 상기 외부 처리 탱크로부터의 가스의 회수를 위한 회수 장치를 특징으로 하는 장치.
  21. 제 18 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 외부 처리 탱크는 내부 상기 처리 탱크를 가열하도록 가열된 유체로 적어도 부분적으로 채워지는 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 하나 이상의 기판의 수용을 위한 처리 탱크에서 기판, 특히 반도체 웨이퍼의 기판을 세척하는 방법으로서,
    상기 탱크로 기판을 유입하는 단계와,
    상기 처리 탱크를 밀폐하는 단계와,
    반응성 가스와 하나 이상의 습기 함유 유체를 유입하는 단계로서, 상기 하나 이상의 습기 함유 유체는 상기 기판으로부터 제거되어질 수 있는 퇴적 또는 코팅물과 반응성 가스 사이의 반응을 촉진시키는 단계와,
    상기 처리 탱크에 있는 함수율을 제어하는 단계를 포함하는 방법.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 유입된 반응성 가스 및/또는 유체의 양을 제어하는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제 22 항 또는 제 23 항에 있어서, 상기 반응성 가스는 오존인 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제 22 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유체는 증기, 특히 스팀인 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 유입된 증기의 습기 및/또는 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제 25 항 또는 제 26 항에 있어서, 상기 처리 탱크내의 공정 분위기를 상기 증기의 응축을 상기 기판상에서 필수적으로 발생되지 않는 방식으로 제어하는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제 25 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 증기를 상기 오존에 앞서 유입하는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제 22 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 탱크내에 배치되는 반응성 가스 및 유체의 혼합물의 일 부분 이상을 회수하는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제 29 항에 있어서, 상기 회수된 혼합물의 양을 제어하는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제 29 항 또는 제 30 항에 있어서, 단위 시간당 철회된 상기 혼합물의 양은 단위 시간당 유입된 오존 가스/스팀 혼합물의 양에 대응하는 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제 22 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서, 유체는 액체, 특히 물인 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제 32 항에 있어서, 상기 액체의 일 부분 이상을 회수하는 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제 32 항 또는 제 33 항에 있어서, 상기 회수된 액체의 양을 제어하는 것을 특징으로 하는 방법.
  35. 제 32 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 액체를 상기 기판상에 뿌리는 것을 특징으로 하는 방법.
  36. 제 35 항에 있어서, 상기 액체를 짧은 시간 간격 동안 상기 기판상에 뿌리는 것을 특징으로 하는 방법.
  37. 제 35 항에 있어서, 상기 시간 간격은 상기 시간 간격 사이의 간격보다 상당히 짧은 것을 특징으로 하는 방법.
  38. 제 22 항 내지 제 37 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 탱크 및/또는 탱크 내용물의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 방법.
  39. 제 22 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서, 함수량을 상기 유입된 반응성 가스의 양, 유입된 유체의 양 및/또는 온도에 의해 제어하는 것을 특징으로 하는 방법.
  40. 제 22 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 탱크의 함수율을 측정하고 이런 측정 결과에 의해 조절하는 것을 특징으로 하는 방법.
  41. 제 22 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응을 강화하거나 가속화하는 추가 유체, 특히 습윤제 또는 아세트산의 유입을 특징으로 하는 방법.
  42. 제 22 항 내지 제 41 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판의 온도를 상기 증기의 온도를 또는 그 이상으로 유지하는 것을 특징으로 하는 방법.
  43. 제 22 항 내지 제 42 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응성 가스를 세척후 회수하는 것을 특징으로 하는 방법.
  44. 제 22 항 내지 제 43 항 중 어느 한 항에 있어서, 세척후 반응성 가스와 치환되는 추가 가스, 특히 불활성 가스를 상기 처리 탱크내로 유입하는 것을 특징으로 하는 방법.
  45. 제 22 항 내지 제 44 항 중 어느 한 항에 있어서, 세척 후 처리 유체를 상기 처리 탱크내로 유입하는 것을 특징으로 하는 방법.
  46. 제 22 항 내지 제 52 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 퇴적 또는 코팅물은 포토 래커인 것을 특징으로 하는 방법.
  47. 제 22 항 내지 제 46 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 탱크내의 압력을 과압으로 제어하는 것을 특징으로 하는 방법.
  48. 제 22 항 내지 제 46 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세척 후, 상기 반응성 가스와 치환되는 유체를 상기 처리 탱크내로 유입하는 것을 특징으로 하는 방법.
  49. 제 48 항에 있어서, 상기 유체의 유입된 양에 대응하는 가스의 양을 상기 처리 탱크로부터 회수하는 것을 특징으로 하는 방법.
  50. 제 22 항 내지 제 49 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 탱크를 상기 반응성 가스의 치환후 개방하면서 상기 처리 탱크를 둘러싸는 외부 처리 탱크를 폐쇄하며, 상기 외부 처리 탱크로부터 가스를 회수하며, 상기 추가 처리 탱크를 상기 내부 처리 탱크의 개방 후 소정의 시간 기간 후 개방하는 것을 특징으로 하는 방법.
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