KR20030008868A - 플라즈마를 사용하는 가공장치 - Google Patents
플라즈마를 사용하는 가공장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030008868A KR20030008868A KR1020010043869A KR20010043869A KR20030008868A KR 20030008868 A KR20030008868 A KR 20030008868A KR 1020010043869 A KR1020010043869 A KR 1020010043869A KR 20010043869 A KR20010043869 A KR 20010043869A KR 20030008868 A KR20030008868 A KR 20030008868A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plasma
- coils
- compressed air
- solenoid valve
- temperature
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
플라즈마를 형성할 때 임피던스 성분을 조절하기 위한 유도 기전력을 제공하는 정합부를 포함하는 플라즈마를 사용하는 가공 장치가 개시되어 있다. 플라즈마를 형성하기 위한 하부 전극 및 상부 전극이 설치되는 공정 챔버가 구비된다. 상기 공정 챔버의 일측에 설치되어 서로 다른 권선수를 갖는 두 개의 코일을 갖는 정합부는 상기 플라즈마를 형성할 때 상기 코일들에 의하여 형성되는 유도 기전력의 전압 및 전류로 임피던스 성분을 조절한다. 상기 정합부의 일측에 설치되는 온도 조절부는 상기 플라즈마를 형성할 때 코일의 온도를 일정하게 조절한다. 이에 따라 상기 코일의 발열로 인하여 상승하는 정합부의 온도를 일정 수준으로 유지할 수 있다.
Description
본 발명은 플라즈마를 사용하는 가공 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 형성할 때 임피던스(impedance) 성분을 조절하기 위한 유도 기전력을 제공하는 정합부(matching unit)를 포함하는 플라즈마를 사용하는 가공 장치에 관한 것이다.
근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 따라서 최근의 반도체 장치는 0.15㎛ 이하 디자인룰(design rule)의 고집적화를 요구한다. 때문에 상기 반도체 장치의 제조 기술은 플라즈마를 사용하여 반도체 기판을 가공하는 기술 등과 같은 미세 가공 기술로 발전되고 있다.
상기 플라즈마를 사용하는 가공 기술은 주로 미세 패턴을 형성하기 위한 식각 공정에 주로 적용한다. 하지만 상기 가공 장치의 구조는 그 대부분이 유사한 것으로서, 크게 기판의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)을 담당하는 로드락 챔버(load lock chamber)와, 기판 상에 형성한 막들의 식각을 담당하는 공정 챔버와, 상기 로드락 챔버 및 공정 챔버를 진공으로 형성하기 위한 진공 챔버 등을 포함한다. 또한 상기 플라즈마를 형성할 때 코일들을 사용하여 형성되는 유도 기전력의 전압 및 전류로 임피던스 성분을 조절하는 정합부를 포함한다.
상기 구성을 갖는 가공 장치에 대한 일 예는 이마푸쿠(Imafuku et al.) 등에게 허여된 미합중국 특허 제6,074,518호에 개시되어 있다.
상기 가공 장치를 계속적으로 사용할 경우 상기 정합부의 온도는 상승한다.이는 상기 정합부를 구성하는 코일이 저항체로서, 상기 코일에 전원을 제공할 경우 발열하기 때문이다. 이러한 코일의 발열은 상기 정합부의 기능을 저하시키는데, 특히 코일의 위치로 인한 정합 오류이다. 상기 정합 오류는 임피던스 성분을 변화시키기 때문에 플라즈마를 형성할 때 형성 효율 등을 저하시킨다. 또한 상기 코일의 빈번한 위치 변화는 상기 코일의 위치를 임의로 가변하는 모터로 구성되는 가변 부재의 위치를 변화시킨다. 이러한 가변 부재의 위치 변화는 상기 가변 부재의 잦은 고장의 원인으로 작용한다.
상기 코일의 발열을 억제하기 위한 방법으로 팬(fan)을 장착하여 공기를 공급하는 방법이 있으나, 상기 코일의 발열을 억제하는데는 한계가 있다.
따라서, 상기 정합부의 코일의 발열로 인하여 플라즈마를 사용하는 가공 장치의 운용 효율이 저하되고, 이러한 운용 효율의 저하는 반도체 장치의 제조에 따른 생산성을 저하시키는 문제점의 원인이 된다. 상기 정합부를 구성하는 부재들의 잦은 고장 또한 상기 가공 장치의 운용 효율을 저하시키는 원인이 된다.
본 발명의 목적은, 플라즈마를 형성할 때 코일의 발열로 인하여 상승하는 정합부의 온도를 일정 수준으로 유지하는 플라즈마를 사용하는 가공 장치를 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마를 사용하여 반도체 장치를 제조하기 위한 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시한 정합부를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마를 사용하여 반도체 장치를 제조하기 위한 가공 장치에 구비되는 정합부를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 기판 102 : 공정 챔버
104 : 상부 전극 106 : 하부 전극
108 : 정합부 110 : 온도 조절부
112 : 코일 114 : 압축 공기 분사부
114a : 분사 노즐 116a, 116b : 솔레노이드 밸브
118a, 118b : 제어부 120 : 배기구
122 : 온도 감지 센서
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 플라즈마를 형성하기 위한 하부 전극 및 상부 전극이 설치되고, 상기 플라즈마를 사용한 공정이 이루어지는 공정 챔버와 상기 공정 챔버의 일측에 설치되고, 서로 다른 권선수를 갖는 두 개의 코일을 갖고, 상기 플라즈마를 형성할 때 상기 코일들에 의하여 형성되는 유도 기전력의 전압 및 전류로 임피던스 성분을 조절하기 위한 정합 수단 및 상기 정합 수단의 일측에 설치되고, 상기 코일들의 온도를 일정하게 유지하기 위해 상기 플라즈마를 형성하기 위한 전력 공급 여부에 따라 상기 코일들에 압축 공기를 분사하는 온도 조절 수단을 포함하는 플라즈마를 사용하는 가공 장치를 제공한다.
상기 온도 조절 수단은 상기 코일들의 상부에 설치되어 상기 코일들에 압축 공기를 분사하는 압축 공기 분사부와 상기 압축 공기 분사부에 연결되고, 상기 압축 공기의 공급라인을 개폐하는 솔레노이드 밸브 및 상기 솔레노이드 밸브에 연결되고, 상기 플라즈마를 형성하기 위한 전력의 공급 여부에 따라 상기 솔레노이드 밸브의 개폐를 제어하는 제어부를 포함한다.
상기 압축 공기 분사부는 원통 형상을 갖는 본체와 상기 본체에 설치되어 상기 코일에 압축 공기를 분사하는 다수개의 분사 노즐을 포함하고, 상기 제어부는 상기 플라즈마를 형성하기 위한 전력의 공급 여부에 따라 제어 신호를 발생시키고, 상기 제어 신호를 전기적 신호로 변환하고, 상기 전기적 신호를 증폭하여 상기 솔레노이드 밸브로 공급한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따르면, 플라즈마를 형성하기 위한 하부 전극 및 상부 전극이 설치되고, 상기 플라즈마를 사용한 공정이 이루어지는 공정 챔버와 상기 공정 챔버의 일측에 설치되고, 서로 다른 권선수를 갖는 두 개의 코일을 갖고, 상기 플라즈마를 형성할 때 상기 코일들에 의하여 형성되는 유도 기전력의 전압 및 전류로 임피던스 성분을 조절하기 위한 정합 수단 및 상기 정합 수단의 일측에 설치되고, 상기 코일의 온도를 감지하고, 상기 온도 감지 신호에 따라 상기 코일의 온도를 일정하게 유지하기 위한 압축 공기를 상기 코일에 분사하는 온도 조절 수단을 포함하는 플라즈마를 사용하는 가공 장치를 제공한다.
상기 온도 조절 수단은 상기 코일들의 일측에 각각 설치되어 상기 코일들의 온도를 감지하는 온도 감지 센서와 상기 코일들의 상부에 설치되어 상기 코일들에 압축 공기를 분사하는 압축 공기 분사부와 상기 압축 공기 분사부에 연결되고, 상기 압축 공기의 공급라인을 개폐하는 솔레노이드 밸브 및 상기 온도 감지 센서와 상기 솔레노이드 밸브에 연결되고, 상기 온도 감지 센서가 감지한 코일들의 온도 감지 신호에 따라 상기 솔레노이드 밸브의 개폐를 제어하는 제어부를 포함한다.
상기 솔레노이드 밸브는 상기 제어부에서 발생된 제어 신호에 따라 개폐 정도를 조절할 수 있는 비례 제어 솔레노이드 밸브이고, 상기 제어부는 상기 온도 감지 신호에 따라 상기 밸브의 개폐 정도를 제어하는 제어 신호를 발생시키고, 상기 제어 신호를 전기적 신호로 변환하고, 상기 전기적 신호를 증폭하여 상기 솔레노이드 밸브로 공급한다.
따라서, 상기 압축 공기 분사부에서 분사된 압축 공기에 의해 상기 코일들을 식힐 수 있고, 이에 따라 상기 정합 수단의 온도를 일정 수준으로 유지할 수 있다. 때문에 상기 코일의 위치 변화를 최소화하고, 상기 위치 변화의 최소화를 통하여 상기 정합 수단을 효율적으로 운용할 수 있다. 따라서 플라즈마를 안정적으로 형성할 수 있을 뿐만 아니라 상기 정합 수단을 구성하는 부재들의 잦은 고장을 최소화할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 통해 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마를 사용하여 반도체 장치를 제조하기 위한 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 도시된 가공 장치는 플라즈마를 사용하여 기판 상에 형성한 막들을 패턴으로 형성하기 위한 식각 장치로서 먼저, 기판(100)상에 막들을 식각하여 패턴을 형성하는 공정이 이루어지는 공정 챔버(102)가 구비되어 있다. 상기 공정 챔버(102)에는 상기 플라즈마를 형성할 때 전원을 제공하는 상부 전극(104) 및 하부 전극(106)이 구비된다. 상기 하부 전극(104)은 기판(100)이 놓여지는 구성을 갖고, 상기 상부 전극(104)은 가스를 공정 챔버(102)내에 제공하는 배플(baffle, 도시되지 않음)을 포함하는 구성을 갖는다.
상기 공정 챔버(102)의 상측에는 정합부(108)가 구비되어 있다. 상기 정합부(108)에는 서로 다른 권선을 갖는 두 개의 코일들 및 상기 코일들의 위치를 임의로 가변하기 위한 모터 등과 같은 가변 부재(도시되지 않음)가 설치된다.
이에 따라 상기 상부 전극(104) 및 하부 전극(106)을 통하여 전원을 제공하고, 상기 배플을 통하여 식각 가스를 상기 공정 챔버(102)내에 제공하여 플라즈마를 형성한 다음 상기 플라즈마를 사용하여 상기 기판(100)상에 형성되어 있는 막들을 식각하여 패턴으로 형성한다. 상기 플라즈마를 형성할 때 상기 정합부(108)는 상기 상부 전극(104) 및 하부 전극(106)에 제공되는 전원의 임피던스 성분을 정합시킨다. 상기 정합은 먼저, 상기 가변 부재를 사용하여 상기 코일들의 위치를 변화시킨다. 이러한 코일의 위치 변화를 통하여 코일들의 자기장의 세기를 변화시켜 자기 유도를 형성하고, 상기 자기 유도에 의한 유도 기전력을 형성한다. 따라서 상기 유도 기전력에 의한 전압 및 전류의 세기를 임의로 증감시켜 임피던스 성분을 조절하여 상기 상부 전극(104) 및 하부 전극(106)에 제공되는 전원의 임피던스 성분을 정합시킨다. 이때 상기 정합부(108)의 코일에는 열이 발생한다. 이는 상기 코일이 저항체로서 발열하기 때문이다.
상기 코일의 발열 현상을 억제하기 위해 정합부(108)의 일측에는 온도 조절부(110)가 구비된다. 상기 온도 조절부(110)는 발열되는 정합부(108)를 냉각시키기 위해 압축 공기를 분사한다.
도 2는 도 1에 도시한 정합부를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 2를 참조하면, 서로 다른 권선을 갖는 두 개의 코일(112)을 구비하는 정합부(108)가 도시되어 있다. 여기에서 코일(112)들의 위치를 가변하기 위한 모터 등은 도시되지 않았다. 코일(112)들의 상부에는 각각 압축 공기를 분사하는 압축 공기 분사부(114)가 설치된다. 압축 공기 분사부(114)는 원통형의 본체에 코일들을 향하여 설치되는 다수개의 분사 노즐(114a)이 구비된다.
정합부(108)의 일측에는 압축 공기의 공급을 조절하는 솔레노이드 밸브(116a)가 설치되고, 압축 공기 분사부(114)의 본체와 연결된다. 솔레노이드 밸브(116a)의 압력단은 압축 공기 저장용기(도시되지 않음)에 연결되고, 솔레노이드 밸브(116a)의 조작단은 제어부(118a)와 연결된다.
제어부(118a)는 플라즈마를 발생시키기 위한 전력을 공급하는 전원 공급기(도시되지 않음)에 연결되고, 상기 전력의 공급 여부에 따라 솔레노이드 밸브(116a)를 개폐한다. 따라서, 상기 전력의 공급에 의해 코일(112)이 발열되면, 제어부(118a)는 솔레노이드 밸브(116a)를 개방하기 위한 전력을 솔레노이드 밸브(116a)로 공급하고, 솔레노이드 밸브(116a)의 개방에 의해 상기 압축 공기가 압축 공기 분사부(114)의 분사 노즐(114a)을 통해 코일(112)로 분사된다. 상기 압축 공기가 코일(112)을 냉각시킴에 따라 정합부(108)의 정합 오류를 최소화할 수 있다.
제어부(118a)는 상기 플라즈마를 형성하기 위한 전력의 공급 여부에 따른 제어 신호를 발생시키고, 상기 제어 신호를 전기적 신호로 변환하고, 상기 전기적 신호를 솔레노이드 밸브(116a)를 구동할 수 있는 정도로 증폭하여 솔레노이드 밸브(116a)로 공급한다.
상기와 같이 분사된 압축 공기는 정합부(108)의 일측에 구비되는 배기구(120)를 통해 배출된다.
상기와 같은 온도 조절 방법은 유사하게 변형되어 사용될 수 있다. 예를 들면, 반도체 기판의 가공 공정에 필요한 공정 가스의 공급 유무에 따라서 솔레노이드 밸브(116a)를 개폐할 수 있다. 즉, 상기 공정 가스가 공급됨과 동시에 상기 플라즈마를 형성하기 위한 전력이 공급되므로 이는 동일한 온도 제어 효과를 발생시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마를 사용하여 반도체 장치를 제조하기 위한 가공 장치에 구비되는 정합부를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하여 설명한 제1 실시예와 동일한 내용은 생략하기로 하고, 여기에서는 도 3을 참조하여 제1 실시예와 다른 사항만을 설명하기로 한다.
코일(112)들을 구비하는 정합부(108)와 솔레노이드 밸브(116b)가 도시되어 있다. 그리고, 코일(112)들의 일측에는 코일(112)들의 온도를 각각 측정하는 온도 감지 센서(122)가 설치되고, 온도 감지 센서(122)는 제어부(118b)와 연결된다.
플라즈마를 형성하기 위한 전력이 공급되면, 코일(112)들은 상기 전력에 의해 발열하고, 상기와 같은 온도 변화는 온도 감지 센서(122)에 의해 감지되어 전기적 신호로 변환되어 제어부(118b)로 전송된다.
제어부(118b)는 상기 전기적 온도 신호를 디지털 신호로 변환하고, 기 설정된 기준값들과 비교하여 제어 신호를 발생시킨다. 그리고, 상기 제어 신호는 다시 전기적 제어 신호로 변환되고, 솔레노이드 밸브(116b)를 구동할 수 있는 정도로 증폭되어 솔레노이드 밸브(116b)로 공급된다.
이때, 솔레노이드 밸브(116b)는 개폐 정도에 대한 비례 제어가 가능한 밸브로서 상기 제어 신호에 따라 압축 공기의 공급 유량을 제어한다.
따라서, 코일(112)에서 발생되는 고열은 온도 감지 센서(122)에 의해 감지되고, 제어부(118b)의 제어 신호에 따라 개폐 정도가 조절되는 솔레노이드 밸브(116b)와 압축 공기 분사부(114)의 분사 노즐(114a)을 통해 분사되는 압축 공기에 의해 냉각되고, 이에 따라, 코일(112)의 온도가 일정하게 조절된다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 상기 코일의 온도를 일정하게 유지함으로서 정합 오류를 최소화할 수 있다. 이에 따라, 상기 플라즈마를 형성할 때 임피던스 성분을 일정하게 유지할 수 있고, 상기 플라즈마를 안정적으로 형성할 수 있다. 이러한 플라즈마의 안정적인 형성은 공정 수행의 안정화를 꾀할 수 있음은 물론이고, 상기 플라즈마의 형성 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 상기 코일의 온도를 일정하게 유지함에 따른 상기 코일의 위치 변화의 최소화는 상기 코일과 연계되어 설치되는 부재들에 끼치는 영향을 최소화할 수 있다. 때문에 상기 부재들의 잦은 고장의 원인이 제거된다.
또한, 상기 정합부의 온도를 일정하게 유지함으로서, 상기 가공 장치의 운용 효율이 향상되는 효과를 기대할 수 있다. 이러한 운용 효율의 향상은 반도체 제조에 따른 생산성의 향상에 기여한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (8)
- 플라즈마를 형성하기 위한 하부 전극 및 상부 전극이 설치되고, 상기 플라즈마를 사용한 공정이 이루어지는 공정 챔버;상기 공정 챔버의 일측에 설치되고, 서로 다른 권선수를 갖는 두 개의 코일을 갖고, 상기 플라즈마를 형성할 때 상기 코일들에 의하여 형성되는 유도 기전력의 전압 및 전류로 임피던스 성분을 조절하기 위한 정합 수단; 및상기 정합 수단의 일측에 설치되고, 상기 코일들의 온도를 일정하게 유지하기 위해 상기 플라즈마를 형성하기 위한 전력 공급 여부에 따라 상기 코일들에 압축 공기를 분사하는 온도 조절 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 사용하는 가공 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 온도 조절 수단은 상기 코일들의 상부에 설치되어 상기 코일들에 압축 공기를 분사하는 압축 공기 분사부;상기 압축 공기 분사부에 연결되고, 상기 압축 공기의 공급라인을 개폐하는 솔레노이드 밸브; 및상기 솔레노이드 밸브에 연결되고, 상기 플라즈마를 형성하기 위한 전력의 공급 여부에 따라 상기 솔레노이드 밸브의 개폐를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 사용하는 가공 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 압축 공기 분사부는 원통 형상을 갖는 본체와 상기 본체에 설치되어 상기 코일에 압축 공기를 분사하는 다수개의 분사 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 사용하는 가공 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제어부는 상기 플라즈마를 형성하기 위한 전력의 공급 여부에 따라 제어 신호를 발생시키고, 상기 제어 신호를 전기적 신호로 변환하고, 상기 전기적 신호를 증폭하여 상기 솔레노이드 밸브로 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 사용하는 가공 장치.
- 플라즈마를 형성하기 위한 하부 전극 및 상부 전극이 설치되고, 상기 플라즈마를 사용한 공정이 이루어지는 공정 챔버;상기 공정 챔버의 일측에 설치되고, 서로 다른 권선수를 갖는 두 개의 코일을 갖고, 상기 플라즈마를 형성할 때 상기 코일들에 의하여 형성되는 유도 기전력의 전압 및 전류로 임피던스 성분을 조절하기 위한 정합 수단; 및상기 정합 수단의 일측에 설치되고, 상기 코일의 온도를 감지하고, 상기 온도 감지 신호에 따라 상기 코일의 온도를 일정하게 유지하기 위한 압축 공기를 상기 코일에 분사하는 온도 조절 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 사용하는 가공 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 온도 조절 수단은 상기 코일들의 일측에 각각 설치되어 상기 코일들의 온도를 감지하는 온도 감지 센서;상기 코일들의 상부에 설치되어 상기 코일들에 압축 공기를 분사하는 압축 공기 분사부;상기 압축 공기 분사부에 연결되고, 상기 압축 공기의 공급라인을 개폐하는 솔레노이드 밸브; 및상기 온도 감지 센서와 상기 솔레노이드 밸브에 연결되고, 상기 온도 감지 센서가 감지한 코일들의 온도 감지 신호에 따라 상기 솔레노이드 밸브의 개폐를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 사용하는 가공 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 솔레노이드 밸브는 상기 제어부에서 발생된 제어 신호에 따라 개폐 정도를 조절할 수 있는 비례 제어 솔레노이드 밸브인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 사용하는 가공 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 제어부는 상기 온도 감지 신호에 따라 상기 밸브의 개폐 정도를 제어하는 제어 신호를 발생시키고, 상기 제어 신호를 전기적 신호로 변환하고, 상기 전기적 신호를 증폭하여 상기 솔레노이드 밸브로 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 사용하는 가공 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010043869A KR100698876B1 (ko) | 2001-07-20 | 2001-07-20 | 플라즈마를 사용하는 가공장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010043869A KR100698876B1 (ko) | 2001-07-20 | 2001-07-20 | 플라즈마를 사용하는 가공장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030008868A true KR20030008868A (ko) | 2003-01-29 |
| KR100698876B1 KR100698876B1 (ko) | 2007-03-22 |
Family
ID=27715991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010043869A KR100698876B1 (ko) | 2001-07-20 | 2001-07-20 | 플라즈마를 사용하는 가공장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100698876B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100724209B1 (ko) * | 2005-05-20 | 2007-05-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 제조용 플라즈마 에칭장치 |
| CN116673273A (zh) * | 2023-08-03 | 2023-09-01 | 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司 | 一种氟化钙原料表面去杂方法及其装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09256160A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-09-30 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄによる堆積膜形成方法 |
| US6143084A (en) * | 1998-03-19 | 2000-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for generating plasma |
-
2001
- 2001-07-20 KR KR1020010043869A patent/KR100698876B1/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100724209B1 (ko) * | 2005-05-20 | 2007-05-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 제조용 플라즈마 에칭장치 |
| CN116673273A (zh) * | 2023-08-03 | 2023-09-01 | 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司 | 一种氟化钙原料表面去杂方法及其装置 |
| CN116673273B (zh) * | 2023-08-03 | 2023-10-27 | 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司 | 一种氟化钙原料表面去杂方法及其装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100698876B1 (ko) | 2007-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5892207A (en) | Heating and cooling apparatus for reaction chamber | |
| US11905596B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, and recording medium | |
| KR20040020912A (ko) | 플라즈마 프로세서 | |
| US11495435B2 (en) | Substrate processing apparatus, non-transitory computer-readable recording medium, method of manufacturing semiconductor device, and a substrate processing method | |
| US20050179333A1 (en) | Magnetic bearing device and pump device with the magnetic bearing device mounted thereto | |
| KR100407054B1 (ko) | 진공 처리 방법 및 장치 | |
| KR20230017296A (ko) | 플라즈마 에칭 시스템, 및 가열을 위하여 이용될 수 있는 패러데이 차폐 장치 | |
| US20040183509A1 (en) | Magnetic bearing device and turbo molecular pump with the magnetic bearing device mounted thereto | |
| KR100698876B1 (ko) | 플라즈마를 사용하는 가공장치 | |
| US20240170253A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device, and non-transitory computer-readable recording medium | |
| KR20200114826A (ko) | 매엽식 건식 식각 챔버 | |
| US20220301834A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| US20200312625A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US11264217B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP2014207221A (ja) | 電力供給装置、電力供給方法、及びそれを利用する基板処理装置 | |
| KR102580731B1 (ko) | 피가공물의 처리 방법 | |
| JP2000232098A (ja) | 試料温度制御方法及び真空処理装置 | |
| KR102134422B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| US20220328289A1 (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium | |
| KR100325294B1 (ko) | 웨이퍼 가공기의 웨이퍼 온도 제어장치 | |
| KR20020009187A (ko) | 플라즈마를 사용하는 반도체 제조 장치 | |
| KR20190050534A (ko) | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 | |
| KR102587632B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치에서의 기판 지지부의 온도 제어 방법 및 온도 제어 장치 | |
| JP2656658B2 (ja) | 試料温度制御方法及び真空処理装置 | |
| CN117438273A (zh) | 陈化方法以及等离子体处理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130228 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140228 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150302 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170228 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180228 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190228 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200228 Year of fee payment: 14 |