KR20030007970A

KR20030007970A - 기판상에 차단 구조의 형성 방법 및 이로부터 얻어지는 물품

Info

Publication number: KR20030007970A
Application number: KR1020027017112A
Authority: KR
Inventors: 폴 알. 앤더슨; 챨스 제이. 바나트; 란달 제이. 커처; 질 엠. 와이즈
Original assignee: 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Priority date: 2000-06-16
Filing date: 2001-06-15
Publication date: 2003-01-23
Also published as: WO2001099149A2; WO2001099149A3; EP1290711A2; US20030068471A1; JP2003535810A; JP4004402B2; US7201954B2; TWI304015B; CN1255842C; EP1290711A4; US6544090B1; AU2001269868A1; KR100540958B1; CN1446368A

Abstract

본 발명은 발포 유리층을 화학적으로 에칭하여 상기 발포 유리층내에 하나 이상의 캐비티 패턴을 제공하는 방법에 관한 것이다. 이러한 방법은 유리층을 수용하기에 적합한 하나 이상의 주표면을 갖는 기판을 이용한다. 이러한 방법에서는 유리 페이스트 조성물의 하나 이상의 층이 기판의 주표면상에 적용된다. 이어서 기판과 유리 페이스트 조성물은 기판의 주표면에 결합된 발포 유리층을 얻기에 충분한 온도까지 가열된다. 발포 유리층의 적어도 일부분은 화학적으로 에칭되어 발포 유리층내에 하나 이상의 캐비티 패턴을 얻게된다. 발포 유리층의 화학적 에칭에 의해 이방성 에칭율이 얻어진다.

Description

기판상에 차단 구조의 형성 방법 및 이로부터 얻어지는 물품 {Method for Forming Barrier Structures on a Substrate and the Resulting Article}

유리층은 다양한 기술을 사용하여, 다양한 기판에 피복된 다음 패턴화되어 유리내에 기능적인 또는 심미적인 패턴을 종종 제공한다. 패턴화된 유리층의 한 예로는 플라즈마 표시판상의 차단 립으로서 채널화된 유리 물질의 사용에 있다.

플라즈마 표시판은 텔레비젼과 모니터와 같은 장치를 위한 비디오 표시판으로서 종종 이용된다. 플라즈마 표시판의 구조는 봉합부에 의하여 판간에 밀봉하여 채워진 화학적으로 안정한 기체에 의해 서로 마주보는 내부 표면을 갖는 시트형 전방부와 후방부 유리 기판을 일반적으로 포함한다. 봉합부는 판의 외주에 있는 기판들 사이에 위치한다. 유전체층에 의하여 피복되어 신장된 전극은 양 기판상에 제공되며, 전방 유리 기판상의 전극은 후방 유리 기판상의 전극에 가로지르면서 연장되어 있다. 이러한 전극들은 플라즈마 표시판의 전기적 드라이버에 의해 선택적으로 에너지화될 수 있는 기체 방전 셀 또는 픽셀을 제한한다.

이러한 판에는 발광을 증진시키기 위하여 인이 일반적으로 제공됨으로써, 효율적으로 판을 에너지화한다. 또한 인은 1차적 색상을 각각 방사하기 위한 적어도 3개의 서브픽셀을 갖는 픽셀 또는 기체 방전셀에 배열되어 전색조 플라즈마표시를 제공할 수 있게 한다.

플라즈마 표시판을 위한 후방 유리 기판의 통상적인 구조는 연장된 기체배출 캐비티 또는 홈통(trough), 및 서로로부터 홈통을 분리하는 상응하는 차단 립을 갖는다. 공간적으로 분리된 홈통은 분리된 픽셀의 컬럼을 형성한다.

이로써 각각의 픽셀 컬럼은 홈통의 어느 측면상에 있는 컬럼으로부터 분리된다. 픽셀의 컬럼의 분리는 양호한 색상 분리와 픽셀 선명도를 제공한다. 채널보다 더욱 복잡한 캐비티 패턴을 사용한 다른 기하학적 구조, 예를 들면 와플 패턴, 다이아몬드 패턴, 계란바구니 또는 벌집 패턴 등도 사용되어진다. 이러한 다양한 패턴 모두를 총괄하여 이후부터는 캐비티 패턴으로 언급될 것이다; 모든 것이 캐비티의 측면 또는 주위(이후에는 차단 립(barrier rib)으로 언급할 것이다)를 일반적으로 따라서 몇가지 벽구조를 포함한다.

이러한 유리층내에 기체 방전 캐비티 패턴 및 차단 립 구조를 형성하는데 이용되는 여러가지 방법이 있다. 차단 립은 몇가지 형태의 직접인쇄 또는 압출공정이거나, 완전한 층의 주입형성 또는 전사공정에 의하여 일반적으로 형성된 다음, 층의 일부분을 제거하여 립구조를 형성한다. 후자의 경우에, 캐비티 패턴을 형성하기 위한 층의 일부분의 제거는 만일 완전한 층이 감광성 성분을 함유하고 있으면 원하지 않은 물질의 현상을 포함하는 여러개의 과정중 하나에 의하여 수행된다.

스크린 인쇄기술에 의한 직접 인쇄의 경우에, 전극사이에 유전체 페이스트를 인쇄하여 차단 립구조를 형성한다. 이러한 페이스트는 스크린 패턴을 사용하여 전극사이에 인쇄된다. 하나 이상의 유리 조성물 및 1회 이상의 화염처리 주기가 원하는 높이로 차단 립을 설치하므로써, 원하는 깊이의 캐비티 패턴을 형성하는데 사용될 수 있다. 이러한 방법은 다중인쇄과정에서 패턴의 정렬로 인하여 품질문제를 발생시킬 수 있다. 또한 이러한 인쇄기술은 큰 영역에 적용하는데는 어려움이 있으며, 해상도의 한계점을 야기시킬 수 있다.

기체 방전 차단 립을 형성하는 다른 접근방법은 예비화염처리된 프릿(frit) 표면(여기서, 제거될 영역이 노출된다)상에 레지스트 층을 사진평판기술에 의하여 형성하는 것이다. 제거될 영역은 이후에 샌드블래스팅되어 유리 프릿을 연마적으로 제거한 다음 차단 구조를 제공한다. 전형적으로, 초기 유전체층은 유리차단물질의 적용전에 전극패턴상에 적용된다. 초기유전체층은 차단 립 화염(또는 소결)처리 온도보다 더 높은 온도에서 경화되고 적용되어 샌드블래스팅동안에 전극을 보호한다. 유리차단층은 스크린인쇄와 같은 적당한 공정에 의하여 적용되어 부분적으로 화염처리된 다음 이후의 공정에 필요한 강도를 제공한다. 이어서 레지스트 마스크를 형성하여 부분적으로 화염처리된 차단물질의 해당영역을 보호하고 노출시킨다. 이러한 층은 이후에 샌드블래스팅되어 차단 구조를 형성한다. 이어서, 샌드블래스팅에 의하여 형성된 차단 립은 고온에서 화염처리되어 차단 립을 포함하는 유리입자를 소결시킨다. 샌드블래스팅은 불결하고 고가의 비용이 요구된다.

또한 차단 립구조는 샌드블래스팅방법에서 이용하는 것과 유사한 포토레지스트 마스크를 형성하는 통상적인 사진평판기술을 사용하여 유리질의(vitreous) 유리층을 화학적으로 에칭하여 유리층내에 형성시킬 수도 있다. 이어서 노출영역을 에칭하여 캐비티 패턴과 차단 립을 형성한다. 통상적인 에칭방법의 한계점중의 하나는 효과적인 등방성 에칭성질인데, 이는 수평적 에칭율(etch rate)이 수직적 에칭율과 동일하다는 것이다. 이는 높은 해상도에서 깊은 캐비티 패턴을 형성하는 가능성을 제한한다.

본 발명의 이점은 유리차단층의 효과적인 이방성 에칭을 이용하여 유리차단층내에 깊은 캐비티 패턴을 형성하는 방법을 제공하는 것이다. 또한 본 발명의 이점은 기판에 역효과를 주지않거나 전극을 보호하기 위한 개별적인 유전체층을 필요로 하는 차단 립을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명은 유리층내에 캐비티 패턴(움푹하게 파내어진 일련의 공간)의 형성방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 기판에 적용된 발포 유리층을 화학적으로 에칭하여 상기 발포 유리층내에 캐비티 패턴을 형성하는 과정을 포함하는 방법에 과한 것이다. 보다 더 상세하게는, 본 발명은 발포 유리층의 이방성 에칭에 기인하여 유리층내에 캐비티 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 화학적 에칭 방법을 이용하여 발포 유리층내에 형성된 캐비티 패턴을 갖는 물품에 관한 것이다.

본 발명의 상술한 이점뿐만 아니라 다른 이점은 하기의 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명하는 하기의 상세한 설명부분으로부터 당업계의 숙련가에게는 명백해질 것이다.

도 1은 본 발명의 방법에 따른 물품의 부분 정면도이다;

도 2는 본 발명의 방법의 단계를 보여주는 공정흐름도이다;

도 3은 종래기술에 따른 정제된 유리층의 부분 투시도이다;

도 4는 본 발명의 방법에 따른 발포 유리층의 부분 투시도이다;

도 5A - C는 도 2에서 보여준 방법과 다른 단계에서 형성된 구조물의 부분 단면도이다;

도 5D는 도 5C에서 보여준 구조물의 변형물이다;

도 6은 이방성 에칭을 예시하고 있는 개략적인 정면도이다.

본 발명은 발포 유리층을 화학적으로 에칭하는 방법뿐만 아니라, 이러한 방법을 사용하여 형성된 물품에 관한 것이다. 발포 유리층은 이방성으로 에칭된다는 사실을 밝혀내었다. 본 발명의 목적을 위하여, 이방성 에칭은 에칭율이 수평방향에서보다 수직방향에서가 더 높아야 한다는 것을 가리킨다. 바람직하게는, 수직방향에서의 에칭율은 수평방향에서의 에칭율보다 약 2배이상이어야 한다. 수평방향과 수직방향에서의 에칭율의 차이는 유리질의, 또는 정제된 유리층에서 일반적으로 기대되어지는 것보다 더 깊은 발포 유리층내에 캐비티 패턴을 야기시킨다.

플라즈마 표시판뿐만아니라, 다른 평판 표시판, 예를 들면 전계방출표시 (FED)장치는 서브-픽셀 셀구조의 일부로서 유리 기판의 표면상에 립패턴을 이용한다. 패턴화 구조의 측벽은 차단 립으로서 작용한다. 다수의 상응하는 캐비티 패턴은 차단 립에 의하여 서로 분리되는 서브-픽셀의 분리 컬럼 및/또는 배열(row)을 형성하는데 이용된다. 본 발명은 플라즈마 표시판에서 차단 립을 형성하는 개선 방법을 제공한다.

본 발명에 따르면, 발포 유리층에 결합될 수 있는 어떤 기판도 본 발명의 방법에 사용하기에 적합할 수 있다. 기판은 발포 유리층의 형성에 사용되는 유리 페이스트 조성물의 화염온도를 견디어낼 수 있어야만 한다. 적합한 기판은, 예를 들면 유리, 금속, 중합체 또는 세라믹으로부터 선택된 물질이다. 본 발명의 방법의 중요한 용도는 유리 기판을 사용하여 플라즈마 표시판을 형성하는 것이다. 통상적인 부유 유리제조법에 의하여 제조된 유리 기판은 본 발명의 목적을 위하여 적합한 유리 기판의 한 예이다.

이러한 기판은 발포 유리층의 조성물과 혼화성이 있어야만 한다. 이러한 기판의 열팽창계수는, 화염처리후 발포 유리층의 냉각동안에 부적절한 응력의 발현을 피하기 위하여 발포 유리층의 열팽창계수와 적당하게 조화되어야만 하며, 이러한 응력은 약간의 시간경과후 발포 유리와 기판간에, 또는 이들내부에서 균열이나 부서짐을 발생시킬 수 있다. 또한, 기판의 연화점은 발포 유리 물질의 연화점보다 높아야만 한다. 발포 유리층의 형성은 승온에서 일어난다. 따라서, 기판은 변형됨이 없이 이 온도를 견디어낼 수 있어야만 한다.

플라즈마 표시판로서 본 발명의 방법의 사용은 기판의 표면상에 결합된 전극의 사용을 포함한다. 플라즈마 표시판을 제조하는 당업계의 숙련가에 의하여 이용되는 통상적인 전극은 본 발명의 방법도 적합하게 사용할 수 있다. 이러한 전극은 전도성 물질, 예를 들면 은, 금, 구리, 알루미늄 또는 다른 전도성 금속이나 금속합금의 단일층으로 구성될 수 있다.

대안으로서, 전도성 금속물질은 크롬, 구리, 및 크롬의 배합물과 같은 다중구조이거나, 누적된 층들로서 적용될 수 있다. 전극은 통상적인 적용기술을 사용하여 기판상에 일반적으로 적용된다. 예를 들면, 전극은 스크린인쇄, 스프터링, 물리적 화학적 증착 및 연관된 패턴 공정에 의하여 적용될 수 있다. 이러한 전극은 기판의 한 쪽 모서리 또는 양쪽 모서리까지 확장될 수 있는 라인 페턴이거나 영역 코팅에 의하여 일반적으로 적용된다. 각각의 전극은 패턴화된 발포 유리층내에서 원하는 캐비티 위치에 대응할 수 있다. 전극은 차단 립 패턴에 접하는 캐비티 또는 채널영역에 중심을 두는 것이 바람직하다. 적용분야에 따라, 전부이거나 일부분의 전극은 캐비티 또는 채널의 중심에 있거나 중심외에 있을 수 있으며, 전부이거나 일부분의 전극은 마무리된 캐비티 또는 채널의 한 측면 또는 양 측면까지 확장될 수 있다는 것을 이해하여야만 할 것이다.

발포 유리층은 별문제로 하고, 임의적으로, 유전체층은 기판 및 기판상에 결합된 특정한 전극상에 적용될 수 있다. 유전체층은 샌드블래스팅에 의하여 캐비티 패턴의 형성동안에 전극의 분해를 예방하기 위하여 전극용 보호차단층으로서 종종 적용되어 왔다. 본 발명의 캐비티 패턴 형성법은 전극에 역효과를 주지말아야 할 것이다. 그러나, 임의적인 유전체층은 장치의 조작을 고려하여 사용될 수 있다. 통상적인 유전체 물질이 본 목적을 위하여 이용될 수 있다. 그러나, 선택되는 유전체물질은 화학적 에칭액에 손상되지 말아야 한다. 유전체층은 당업계의 숙련가에 의하여 일반적으로 인식되고 있는 통상적인 적용법에 의하여 적용될 수 있다. 기판과 발포 유리의 연화점사이의 연화점을 가지면서 발포 유리 에칭제에 상당하게 불활성인, 확장계수의 요구조건에 부합하는 특정한 유리조성물이 사용될 수 있다.

본 발명의 발포 유리는 기판상에 한 층으로서 제공된다. 발포 유리층은 우선 페이스트 조성물로서 적용된 다음 승온에서, 전형적으로는 플라즈마 표시판을 위한 온도에서, 500 내지 560℃의 범위에서 가열하여 발포 유리층을 형성한다. 이러한 온도범위는 정제된 유리층을 화염시키는데 선행기술에서 전형적으로 사용되는 580 내지 600℃의 미만의 온도이다.

본 발명의 목적을 위하여, 발포 유리는 일부의 체적에서 밀봉셀 버블을 포함하는 유리이다. 발포 유리내에 존재하는 버블의 수준 또는 양은 이방성 에칭율을 제공하기에 충분한 양이다.

페이스트 조성물의 물질은 일반적으로 유리입자(프릿) 및 결합제계를 포함한다. 이러한 프릿 및 결합제계는 페이스트를 형성하는 부형제내에 포함된다. 유리질의 유리의 제조에 적합한 어떤 유리조성물도 본 발명의 방법에 사용하기에 적당하다. 플라즈마 표시판상에 유리질의 유리층을 형성하는데 통상적으로 이용되는 유리조성물은 약 74중량%의 PbO, 약 13중량%의 SiO₂, 및 약 13중량%의 B₂O₃를 포함한다. 또한 이와 동일한 조성물이 본 발명의 발포 유리층을 형성하는데 사용될 수 있다.

만족한 것으로 입증되는 다른 프릿은 약 80.5중량%의 PbO, 6중량%의 SiO₂,12중량%의 B₂O₃, 0.9 중량%의 Na₂O, 및 0.6중량%의 Al₂O₃를 포함하는 유리조성물을 함유하는 프릿이다. 사용될 수 있는 제3의 프릿은 약 73.4중량%의 PbO, 15.5중량%의 SiO₂, 9.6중량%의 B₂O₃, 0.9 중량%의 Na₂O, 및 0.6중량%의 Al₂O₃를 포함하는 유리조성물이다.

프릿과 혼합될 수 있는 매질, 및 이후에 설명할 다른 성분은 약 10.0중량%의 에틸셀루로스 N-22 (미국 델라웨어주 윌밍톤시 소재의 Hercules, Incorporated 제조)와 약 90.0중량%의 테르핀올(혼합된 이성체들), 또는 8.0중량%의 에틸셀루로스 N-22와 약 92.0중량%의 2,2,4-트리메틸-1,3-펜타디올 모노이소부디레이트를 포함하는 조성물일 수 있다. 매질은 용매를 약 100℃로 가열하고, 에틸셀루로스를 가한다음, 중합체가 완전히 용해될 때까지 교반한 후, 실온까지 냉각하여 제조된 다음, 밀폐용기에 저장된다.

다른 프릿과 매질은, 적용분야에 따라, 사용될 수 있음을 알 수 있게될 것이다. 예를 들면, 15중량%의 아크릴 에스테르 수지(B67; Rohm and Haas 제품) 및 85중량%의 텍사놀이라는 상표명을 갖는 부형제(Eastman Chemical 제품)을 포함하는 매질이 만족스럽다. 사용가능한 다른 매질은 75중량%의 소나무유와 10중량%의 글리콜 에테르 및 14중량%의 아크릴 수지 결합제와 1중량%미만의 계면활성제를 포함하는 2액형 부형제로 구성된다.

결합제는 유리입자를 함께, 유리의 가열전에, 기판상에 일반적으로 유지된다. 결합제 조성물의 상당한 부분이 유리입자의 가열동안에 소실된다.

본 발명은 페이스트가 유리 프릿을 연화시키기에 충분한 온도에서 가열될 것을 요구한다. 통상적인 유리층 형성공정에서, 가공단계의 순서는 우선 유리입자를 연화시키는 것이다. 이어서 포획된 공기와 열분해된 생성물로부터 얻어진 모든 버블을 제거하여, 용융된 유리를 정제한다. 정제과정은 유리의 점성과 관련하여 시간과 온도조건에 의하여 직접 영향을 받는다. 전제단계의 완결시에, 용융된 유리는 상당한 수준의 표면을 형성한 다음, 냉각되고 어닐링되어 마무리된 유리층을 형성한다.

본 발명의 방법은 유리용융물을 완전하게 정제하지 못하며 에칭과정에 이로운 영향을 주기 위하여 유리층내에 존재하는 밀봉된 셀버블의 충분한 양을 내보낸다. 발포 유리층은 충분한 양의 버블을 갖기 때문에 이방성 에칭율을 제공한다. 바람직하게는, 발포 유리층은 약 10 내지 약 60부피%의 버블을 함유한다. 더욱 바람직하게는, 발포 유리층은 약 20 내지 약 50부피%의 버블을 함유한다. 밀봉된 셀버블의 부피%는 기판의 고정영역에 적용되고 완전한 정제층을 형성될 때까지 화염처리한 소정 페이스트 조성물의 고정중량과, 동일한 형태의 기판의 동일영역에 적용되어 원하는 발포수준까지 부분적으로 화염처리된 동일한 조성물의 동일중량간의 두께차이에 의하여 결정될 수 있다. 예를 들면, 만일 완전하게 정제된 층의 두께가 100마이크론이며, 부분적으로 화염처리된 층의 두께는 120마이크론이면, 두께의 변화율은 20마이크론이거나, 20/100 = 20%이다. 두께의 변화율은 부분적으로 화염처리된(발포된) 유리층내의 버블의 형성에 실질적으로 기인하기 때문에, 20%의 두께의 변화율은 17(20/120) 부피%의 버블의 결과이다.

페이스트에서 사용된 유리의 입자크기와 입자크기분포는 발포형성시 중요한 것으로 밝혀졌다. 2개의 다른 분쇄물의 IX2435 유리 (Ferro Corporation of Cleveland, Ohio로부터 얻어짐)의 발포형성특성을 조사하기 위한 실험을 행하였고, 이에 대해서는 하기에서 기술한다. 여기서 D₁₀, D₅₀, D₉₀은 측정된 시료의 10, 50, 및 90 부피%가 인용값 이하의 입자크기를 갖는다는 것을 의미하며, 다시 말해, 하기의 첫번째의 경우에, 표준 분쇄시료의 10%가 3.4μ이하의 입자크기인 반면에, 90%가 35.3μ이하인 것을 의미한다는 것을 주지하여야만 한다.

표준분쇄(Std) 입자크기(one lot #2371) D₁₀- 3.4μ

D₅₀- 14.8μ

D₉₀- 35.3μ

SRRG분쇄 입자크기(one lot #3179) D₁₀- 0.5μ

D₅₀- 2.3μ

D₉₀- 5.2μ

상기 2개의 분쇄물에 대한 입자크기 분포데이터는 페로사(Ferro Corp.)로부터 얻어졌다.

페이스트는 페로 C-218 부형제/결합제계를 사용하여 각각의 이들 유리 분쇄분말로부터 제조되었다. 이러한 물질은 약 20%의 n-부틸 메타크릴레이트, 약 15미만의 습윤제 및 나머지의 소나무유이다. 일부분은 이들 페이스트와 함께 인쇄되고3시간의 총 주기시간(부하 대 미부하)이 되도록 설정된 21 영역 비티유 레흐르(BTU lehr)내에서 일련의 피크 평단영역온도가 500 내지 560℃(영역 10 - 12)가 되게 화염처리한다. 또한 이러한 화염주기는 결합제를 연소제거하기 위한 400℃에서 2개의 평단영역(5 & 6)을 갖는다. 다음의 표는 이러한 실험으로부터 얻어진 자료와 결과를 보여준다.

2개의 Ix 2435 유리 프릿 입자크기에 대한 온도함수로서의 발포특성

분쇄물(Mfg.ID)	구분번호	화염처리된중량(gms)	화염 평단영역(℃)	발포(두께,μ)	완전하게화염처리된 것(두께,μ;계산치)	발포율(%)
SRRG	2104	14.4	500	121.0	107.0	13.1
	2314	14.3	510	141.0	106.5	32.4
	2110	14.5	520	158.0	107.5	47.0
	2106	14.4	530	197.0	107.0	84.1
	2310	14.3	540	219.0	106.5	105.6
	2278	14.2	550	177.0	106.0	67.0
	2276	14.2	560	158.0	106.0	49.1
Std	2280	14.4	500	114.0	111.0	2.7
	2308	14.4	510	117.0	111.0	5.4
	2284	14.5	520	124.0	112.0	10.7
	2288	14.5	530	119.0	112.0	6.3
	2294	14.8	540	124.0	114.0	8.8
	2286	14.1	550	124.0	109.0	13.8
	2303	15.1	560	141.0	116.0	21.6

발포형성율은 피크평단영역 온도의 함수로서, 다른 말로 하면 3시간의 부하 대 미부하 BTU 주기과 동일하게 2개의 분쇄입자 크기에 대하여 보여준다. 분명하게, 분말(SRRG) 입자크기가 작을수록, 본 실험에서 평가하는 온도범위에서 최고의 일정한 발포작용을 보여주었다.

페이스트에서 이용되는 유리 프릿의 입자크기 및 입자크기 분포는 얻어진 발포 유리층에서의 버블의 양과 크기에 영향을 줄 수 있다. 유리차단층을 제공하는 당업계의 숙련가는 선택된 유리조성물에 대한 입자크기와 입자분포를 결정하여 바람직한 수준의 발포를 갖는 발포 유리 차단층을 얻을 수 있다. 일반적으로, 입자크기가 작을수록, 더 큰 입자크기를 갖는 것보다 더 양호한 발포결과를 제공하는 경향이 있다. 발포 유리층내에 더 작은 크기의 버블이 바람직하다. 더 작은 버블은 캐비티 패턴의 노출 측벽에 큰 공극을 형성하므로써 차단 립의 특성에 역효과를 주지 않는다.

본 발명의 방법은 발포 유리층을 화학적으로 에칭하여 발포 유리층에 하나 이상의 차단 립 패턴을 형성하는 과정을 포함한다. 분무되는 에칭제의 직접적인 힘의 작용하에, 발포 유리층은 이방성으로 에칭되며, 이는 수직방향에서의 에칭율이 수평방향에서보다 더 크다는 것을 의미한다. 발포 유리층표면에 실질적으로 향하는 분무 에칭제 용액과 결합하는 발포 유리층내의 버블의 존재는 수직방향의 에칭율과 수평방향의 에칭율간의 차이를 제공한다. 본 발명의 목적을 위하여, 캐비티 패턴은 홈통, 채널, 또는 와플패턴, 다이아몬드패턴, 계란바구니 또는 벌꿀패턴 등과 같은 다른 패턴으로 한정하며, 이는 발포 유리층의 외표면과 측벽으로부터 발포 유리까지 확장되어 에칭될 때 캐비티 또는 중공을 형성한다. 형성되는 캐비티 패턴은 최상부층인 보호 포토레지스트 패턴, 에칭액, 발포 유리층의 조성물, 및 에칭액을 적용할 때 이용되는 적용기술에 의존하여 다양한 단영역형태와 크기를 가질 수 있다.

바람직한 태양으로서, 발포 유리층내의 캐비티 패턴의 형성방법은 발포 유리층을 수용하기에 적합한 하나 이상의 주표면에 기판을 제공하는 과정을 포함한다.이어서 하나 이상의 유리 페이스트 조성물을 기판의 표면상에 적용시킨다. 그런 다음, 기판과 건조된 유리 페이스트층을 기판에 결합된 발포 유리층을 얻기 위한 충분한 온도까지 가열한다. 도 1은 기판(12) 및 유리 페이스트 조성물의 가열로부터 얻어진 발포 유리층(14)을 포함하는 물품(10)을 나타낸다. 이어서 발포 유리층(14)는 화학적으로 에칭되어 발포 유리층(14)내에 하나 이상의 캐비티 패턴 또는 채널(미도시됨)을 형성한다.

가장 바람직한 태양으로서, 본 발명의 방법의 실행은 플라즈마 표시판에서 사용하기 위한 유리 기판상의 캐비티 패턴 또는 채널의 형성과 관련된다. 도 2는 플라즈마 표시판의 차단 립을 형성하는 방법을 예시한다. 처음 단계(20)에서, 유리 기판에 기판의 표면에 결합되는 전극을 제공한다. 이러한 전극과 기판은 유전체층으로 임의적으로 피복되어질 수 있으며(단계 21)), 이어서 단계(22)에서 경화된다.

단계(23)에서, 유리 페이스트 차단층은 전극 및 기판상에 적용되고, 존재한다면, 유전체층에 적용된다. 이어서 유리 페이스트를 승온으로 가열하고, 또는 경화한 다음 발포 유리층을 형성한다(단계 24).

그런 다음 포토레지스트를 적용한 후(단계 25), 노출하고 현상시켜(단계 26) 원하는 기체 방전캐비티 및 상응하는 차단 립에 대한 패턴을 제공한다. 이어서, 에칭액을 발포 유리상에 적용(단계 27)하여 원하는 캐비티 패턴을 형성한다. 이어서 포토레지스트를 벗겨낸다(단계 28). 최종적으로, 인을 차단 립간의 캐비티 패턴의 표면상 및 전극상에 피복시킨다(단계 29).

본 발명의 방법은 기판의 표면상에, 그리고 기판상에 위치한 전극상에 유리페이스트의 적용을 필요로 한다. 유리 페이스트 조성물은 통상적인 적용방법에 의하여 적용될 수 있다. 예를 들면, 페이스트는 유리 페이스트 조성물을 기판상에 인쇄하거나, 전사하거나, 분사시켜 적용할 수 있다. 인쇄과정은 유리 페이스트의 층을 기판상에 적용하는 당업계의 숙련가에 의하여 현재 이용되는 절차와 유사하다. 본 발명의 방법은 캐비티 패턴과 차단 립을 형성하는 다중층의 중요한 정렬을 필요로 하지 않는다. 따라서, 유리 페이스트 조성물의 인쇄는 본 발명에서 더 용이하다. 유리 페이스트를 인쇄할 수 있는 상업적 인쇄기는 본 발명의 방법에 사용하는데 적합하다. 티엠인쇄기( Model 1025 from American Thieme Corp. of Teningen, Germany)는 유리 페이스트 조성물을 인쇄하는데 사용될 수 있는 인쇄기의 예이다.

유리 페이스트 조성물을 적용하기 위한 추가적인 수단은 표준 전사기술을 포함할 수 있다. 예를 들면, 페이스트는 테이프 적층 매질상에 적용된 후 기판상에 전사될 수 있다. 대안으로서, 유리 페이스트는 롤러피복될 수 있거나 기판상에 유사하게 전사되거나 분사될 수 있다. 적용기술은 유리 페이스트의 특정분야 및 조성물에 의존하여 변할 것이다. 당업계의 숙련가는 유리 페이스트 조성물에 대한 적당한 적용기술을 결정할 수 있다.

기판상에 적용된 페이스트의 양과 두께는 공정조건과 원하는 최종 물품성질에 부합하도록 선택된다. 인쇄 두께와 두께의 균일도는 최종 발포 유리 차단높이 및 차단 균일도를 결정하는데 중요한 인자이다. 페이스트는 VGA 해상 42" 대각선 플라즈마 표시판에 대하여 약 120 내지 180μ의 건조두께로서 일반적으로 적용된다. 이러한 범위내의 두께는 유리내의 발포수준에 따라 약 100 내지 160μ의 범위내에서 발포 유리층을 얻을 수 있도록 할 것이다.

페이스트 조성물은, 기판상에 적용된 후, 건조되어 대부분의 부형제를 증발시킨다. 남아있는 결합제 조성물은 유리입자와 함께 그리고 기판상에 결합된다. 결합강도는 유리 페이스트의 후속 층의 인쇄를 허용하면서 유리입자의 화염처리전에 피복된 기판의 손질을 허용하기에 충분하여야만 한다. 당업계의 숙련가는 유리 페이스트 조성물내의 부형제를 충분하게 제거할 수 있는 건조인자와 온도를 결정할 수 있다. 바람직한 태양으로서, 콘베어 건조기는 약 90℃의 온도에서 사용된다.

발포 유리층은 승온에서 화염주기동안에 형성된다. 이러한 과정은 일반적으로 레흐르(lehr)에서 일어난다. 레흐르는 가열된 일부분이 벨트, 체인, 롤러 또는 보행빔상에 위치하여 오븐의 조절된 가열과 냉각영역을 통과하여 수행되어질 수 있는 관통형 오븐으로 정의된다.

발포 유리층을 형성하는데 이용되는 온도는 특정 물품에 관련된 수개의 인자에 좌우될 것이다. 예를 들면, 레흐르의 온도는 페이스트 조성물내에 사용된 유리 프릿의 형태, 기판의 크기, 유리 페이스트내의 결합제 조성물, 또는 유리 페이스트조성물의 두께에 좌우될 수 있다. 당업계의 숙련가는 발포 유리층을 얻는데 필요한 적당한 온도를 설정하는 것을 결정할 수 있을 것이다.

완전하게 유리를 정체하지 않고 유리조성물내에 버블의 형성을 일어나게 하는 시간동안 물품에 레흐르조건을 가한다. 발포작용은 발포 유리층에 대한 원하는 두께를 얻기 위하여 조절될 수 있다. 바람직한 태양으로서, 발포 유리층은 10 내지 60부피%의 버블을 함유한다. 목표하는 층높이는 적용되는 페이스트의 두께과 유리층내의 발포수준을 조절하여 얻어질 수 있다. 발포수준은 피크 레흐르 온도를 조정하여 조절될 수 있다. 부분적으로 화염처리된 부분의 경우에, 낮은 피크온도는 버블 크기과 유리층내에서 발생하는 정제수준을 일반적으로 감소시키며, 이로써 유리내의 버블의 원하는 양을 달성하게 된다.

대부분의 적용분야에서, 발포 유리층내에 특정한 배열의 캐비티를 제공하는 것이 바람직하다. 통상적인 사진평판기술이 발포층내의 특정한 패턴 및 배열을 한정하여 발포 유리의 특정한 영역의 화학적 에칭을 방지하는데 적합할 수 있다. 이러한 목적을 위하여, 액체이거나 필름형태인 포토레지스트가 발포 유리층상에 배치용으로 적합할 수 있다. 액체이거나 필름형태인 포토레지스트는 발포 유리층의 노출표면상에 적용된다. 이어서 포토레지스트는 표준장치에 의한 통상적인 과정에 의하여 노출되어 현상된다. 레지스트는 에칭제를 견디어낼 수 있는 날카로운 패턴을 형성하는 것이 중요하다.

캐비티 및 상응하는 차단 립은 패턴화된 발포층을 단순 에칭제 물질로 에칭하여 형성된다. 일반적으로, 에칭제는 질산과 같은 묽은 산이다. 그러나, 발포 유리층을 에칭할 수 있는 어떤 에칭제 용액도 본 발명에 사용하는데 적합할 수 있다. 에칭조건은, 한정하지 않지만, 에칭제의 농도, 에칭제의 온도, 에칭제 분무영역을 통과하는 입자의 속도, 분무 압력, 및 에칭제 분무에 대한 에칭 표면의 배향의 조정에 의하여 일반적으로 조절된다. 바람직한 조작인자는 수중에서 약 0.4 - 약 2.0 % 범위의 묽은 질산의 에칭제 농도, 및 약 50℃이하의 에칭제 온도를 포함한다.

발포 유리층의 화학적 에칭은 이방성 에칭율을 야기시킨다. 발포 유리층내의버블은 수평방향보다 수직방향에서의 에칭이 더 빠르게 진행될 수 있게 직접 분무된 에칭제와 결합된다. 이러한 수직 에칭율과 수평에칭율간의 차이는 개선된 높이대 너비 차단 립의 비를 제공한다. 이러한 효과는 인을 캐비티내로 적용하여 플라즈마방전의 발광을 높이는 플라즈마 표시판에서 특히 바람직하다. 또한, 발포 유리는 유리내의 버블에 기인하여 표면거칠기를 본래적으로 발생시킨다. 표면거칠기는 차단 립구조의 측벽과 인의 결합 능력을 증진시킨다.

도 3과 4는 종래기술에서 인식되고 있는 정제된 유리층, 및 본 발명에 따른 발포 유리층의 사용에 따라 얻어지는 채널 캐비티의 차이를 나타낸다. 도 3에서, 정제된 유리로부터 제조된 통상적인 유리층(30)은 채널(32)과 차단 립(34)을 포함한다. 채널(32)은 정제 유리층(30)의 등방성 에칭의 결과이며 실질적으로 반원통형 및 반원형의 단영역을 갖게 된다.

도 4는 본 발명의 방법에 따라 제조된 발포 유리층(40)을 예시한다. 이러한 발포 유리층(40)은 채널(42)와 차단 립(44)을 포함한다. 발포 유리층의 화학적 에칭을 통한 채널(42)의 형성은 종래 에칭방법에 의하여 형성된 것보다 더욱 직사각형에 가깝고, 이러한 형태를 유지하면서 더욱 깊어질 수 있는 채널(42)을 야기시킨다.

본 발명의 방법은 유리층내에 차단 립 패턴이거나 캐비티 패턴을 갖는 것이 바람직한 특정의 적용분야에서 적합할 수 있다. 바람직하게는, 본 발명의 방법은 플라즈마 표시판에서 사용하기 위하여 캐비티 패턴화 기판에 상응하는 차단 립구조를 제공하는데 사용된다.

도 5A 내지 5C는 플라즈마 표시판을 위한 물품(50)을 제조하기 위하여 사용되는 본 발명의 방법을 예시한다. 도 5A는 유리 기판(52)과 함께 유리 기판(52)의 표면상에 침착된 전극(54)을 포함한다. 발포 유리층(56)은 유리 기판(52)과 전극(54)상에 침착된다. 도 5B는 발포 유리층(56)상에 적용된 포토레지스트(58)를 갖는 물품(50)을 보여준다. 도 5C는 발포 유리층(56)의 에칭후 물품(50)을 보여준다. 에칭과정은 채널(62)내에 전극(54)의 노출을 야기시킨다. 차단 립(60)은 포토레지스트 (58)의 사용을 통하여 형성된다. 차단 립(60)은 채널(62)로부터 분리된다. 도 5D는 전극(54)을 덮어서 유리 기판상에 적용된 임의적 유전체층(62)의 사용을 예시한다.

도 6은 본 발명에 따른 발포차단 립의 이방성 에칭을 예시한다. 분무에칭의 방향은 레지스트 층에 실질적으로 수직이면서 하부에 발포 유리층이 있다. 2.2의 이방성 에칭인자를 예시한다. 비록 진정한 이방성은 상당하게 더 크지만, 발포 유리층에 수직하는 방향으로 에칭된 거리는 발포 유리층의 두께에 의하여 제한된다. 따라서, 만일 발포층의 두께가 더욱 커지면, 이 방향에서의 에칭된 거리는 130μ보다 커질 것이지만, 측방향에서의 거리는 59μ에서 변하지 않고 남아있게 될 것이다. 따라서, 실질적인 이방성은 2.2의 효과적인 이방성보다 더 증가될 수 있다.

다음의 비한정적인 실시예는 본 발명을 추가로 예시한다. 이러한 실시예에서 사용된 특정의 물질과 양은, 다른 조건과 상세한 설명에서와 같이, 기술분야에서 넓게 해석되어야하며 본 발명을 어떤 방법으로라도 부당하게 제한하거나 구속하려는 의도로 이해하지 말아야 할 것이다.

본 발명은 발포 유리층을 화학적으로 에칭하여 상기 발포 유리층내에 하나 이상의 캐비티 패턴을 제공하는 방법에 관한 것이다. 발포층의 에칭은 이방성 에칭율에 의해서 야기된다. 이방성 에칭율은 수직방향으로의 에칭이 수평방향이거나 측방향으로의 에칭율보다 더 큰 비율로 일어나는 것을 가르킨다.

발포 유리층내에 캐비티 패턴을 형성하는 방법은 유리층을 수용하기에 적합한 하나 이상의 주표면을 기판에 제공하는 과정을 포함한다. 이어서, 유리 페이스트 조성물의 하나 이상의 층을 상기 기판의 주표면상에 적용한다. 이어서, 기판과 유리 페이스트 조성물을 적어도 1회의 화염주기내에서 기판의 주표면에 결합된 발포 유리층을 얻기에 충분한 온도까지 가열한다. 발포 유리층의 적어도 일부분을 화학적으로 에칭하여 발포 유리층내에 적어도 하나의 립패턴을 얻는다.

바람직한 태양으로서, 기판은 유리 기판이며, 발포 유리층은 에칭되어 플라즈마 표시판내에 기체배출 홈통을 제한하는 차단 립을 제공한다. 에칭된 캐비티 패턴은 단순히 곧은 채널 또는 와플패턴, 다이아몬드 패턴, 계란바구니 또는 벌집 패턴과 같은 더욱 복잡한 기하학적 패턴일 수 있다. 캐비티 패턴은 다양한 가능성이 있는 단면 프로파일 또는 형상, 예컨대 개질된 I-빔 또는 사다리꼴을 갖는 차단 립 구조에 의하여 서로 제한되어 분리된다. 전극들은 우선적으로 유리 기판상에 침착된 다음, 균일한 유리유전체를 적용하는데, 이러한 유전체는 발포 차단유리 페이스트 조성물의 적용전에 화염처리된다. 발포 유리층의 형성후, 채널은 포토레지스트에 의하여 제한된 패턴내에 발포 유리층내로 에칭된다. 채널은 전극의 위치에 상응하는 위치에서 발포 유리층내에 에칭된다.

얻어지는 물품은 바람직한 태양에서 플라즈마 표시판내의 후방기판으로서 사용하기에 적합하지만, 특정한 플라즈마 표시디자인의 전방기판으로서 사용될 수도 있다. 이어서 인을 채널내로 위치하여 전극이 활성화될 때 기체 방전으로부터 발광을 증진시킨다. 만일 모노크롬표시를 원할 경우에는 인은 불필요할 것이다.

<실시예 1>

다음은 색상 AC 기체 방전 표시판의 후방기판상에 차단 립구조를 형성하는데 사용되는 본 발명의 실시예이다. 립구조는 인을 위치시키는 인접한 립들간에 곧은 채널을 형성하는 직선의 형태일 수 있으며, 또한 이들은 다른 색상의 인을 분리하는데 사용됨에도 불구하고, 더욱 복잡한 형태일 수 있다.

시판되는 소다석회-규산염 부유 유리(두께 3mm; American Float Glass, Inc.제품)가 기판유리로서 사용되었다.

이러한 부유 유리 기판의 표면상에, 유리 페이스트를 0.054 gms/cm²의 건조중량의 균일한 두께가 되도록 적용한다. 이러한 페이스트는 약 2.8 - 3.8 m²/gm의 표영역을 갖는 유리 프릿으로 구성되면서, 74중량%의 PbO, 13중량%의 SiO₂, 및 13중량%의 B₂O₃, 및 1 부의 에틸셀루로스 N-22 ( Hercules, Incorporated, of Wilmington, Delaware에서 제조)와 9 부의 테르핀올(혼합된 이성체들)과 계면활성제( Soya Lecithin)로 구성된 매질을 함유하는 부형제/결합제계의 조성물이다. 유리 프릿은 페이스트내에 23.5중량%의 매질, 및 약 1.5중량%의 소야 렉시틴과 함께 약 75중량%로서 존재한다. 이러한 페이스트의 점도는 약 145 파스칼-초이다.

이러한 페이스트는 테임(Theime) 스크린 인쇄기와 105메쉬의 스크린을 사용하여 스크린인쇄에 의하여 기판에 적용된다. 인쇄와 건조 주기의 횟수는 원하는 두께에 도달할 때까지 필요하다. 이어서 건조된 페이스트 층을 갖는 기판은 3시간의 총주기내에서 520℃의 피크온도까지 레흐르에서 화염처리되어 발포 유리를 형성한다. 얻어진 발포두께는 최종 차단 립의 높이일 것이다.

이어서 기판유리상의 발포 유리층은 건조필름 레지스트재료 (Riston CM106 ; E. I. DuPont de Nemours & Co., Photopolymer & Electronic Materials, Research Triangle Park, NC에 의해 제조됨)를 사용하는 사진평판공정을 사용하여 패턴화시킨다. 이러한 재료는 발포 유리표면에 적층된 후 발포 유리표면상에 원하는 패턴의 네거티브 상을 나타내는 포토툴(phototool)을 사용하여 노출된다. 그런 다음 레지스트는 1중량%의 K₂CO₃용액으로 분무되어 에칭되어 없어지는 영역내에서 패턴을 현상하고 발포 유리를 노출시킨다. 이러한 발포는 분무 에칭기(Atotech Corp.에서 제조)를 사용하여 0.5%의 질산수용액에 노출시켜 에칭된다. 에칭후, 레지스트는 3중량%의 수산화칼륨(KOH)의 수용액을 사용하여 표면으로부터 벗겨낸다.

얻어진 발포두께는 약 130μ이었다. 립너비, 이 경우에 직선받침대는 약 75μ이었고, 립은 360μ이었다. 효과적인 2.2의 에칭 이방성이 관찰되었다.

<실시예 2>

본 실시예도, 페이스트를 75중량% 대신에 68.5중량%의 유리 프릿(실시예 1에서 사용한 것과 동일함)를 함유하도록 제형된 것만 제외하고는, 실시예 1과 유사하다. 부형제/결합제는, 추가적인 6.5중량%의 테르핀올을 사용하여 페이스트점도를 약 55 파스칼-초로 한 것만 제외하고는 실시예 1과 유사하다.

이러한 페이스트 제형물의 사용은 기판상에 동일한 건조중량의 페이스트를 달성하기 위하여 더 많은 인쇄와 건조 반복이 요구된다. 이러한 페이스트로 얻어진 발포결과는 실시예 1에서 얻어진 결과와 유사하다.

<실시예 3>

계면활성제로서 소야 렉시틴대신에 트리데실 포스페이트를 사용하여 페이스트를 제형화한 것만 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 발포 유리층을 형성한다. 이러한 페이스트로부터 형성된 발포에서는 발포 또는 에칭 특성에서 외형적인 변화가 나타나지 않았다.

<실시예 4>

유리 프릿 조성물이 80.5중량%의 PbO, 6중량%의 SiO₂, 12중량%의 B₂O₃, 및 1.5 중량%의 ZnO이면서, 실시예 1의 프릿에서와 동일한 표면적을 갖는 것을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 발포 유리층을 형성한다. 이러한 프릿 조성물 페이스트의 발포는 많은 커다란 버블의 발생을 야기시키지만, 대략적으로 적당한 두께를 갖는다.

<실시예 5>

유리 프릿 조성물이 73.4중량%의 PbO, 15.5중량%의 SiO₂, 9.6중량%의 B₂O₃, 0.9 중량%의 Na₂O, 및 0.6중량%의 Al₂O₃를 포함하는 조성물이면서 실시예 1의 프릿에서와 동일한 표면적을 갖는 것을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 발포 유리층을 형성한다. 이러한 프릿 조성물 페이스트의 발포는 많은 커다란 버블의 발생을야기시키지만, 대략적으로 적당한 두께를 갖는다.

<실시예 6>

페이스트를 제형화하는데 사용된 15.7중량%의 제2 매질 성분대신에, 원래의 매질의 일부분, 즉 8부의 에틸 셀룰로스 및 92부의 2,2,4-트리메틸-1,3-펜타디올 모노이소브티레이트로 구성된 것을 사용한 것을 제외하고 실시예 1에서와 동일한 발포 유리층을 형성한다. 얻어진 발포는 버블크기에서 더욱 작아지면서, 에칭특성에서 약간의 변화가 있었다.

Claims

적어도 일부분의 발포 유리층을 화학적으로 에칭하여 상기 발포 유리층내에 하나 이상의 캐비티 패턴을 형성하는 것을 포함하는, 기판상의 발포 유리층내에 캐비티 패턴의 형성 방법.
적어도 일부분의 발포 유리층을 화학적으로 에칭하여 차단 립에 의하여 분리된 다수의 캐비티를 형성하는 것을 포함하는, 기판상의 발포 유리층내에 캐비티 패턴의 형성 방법.
제 2항에 있어서, 다수의 캐비티에 의하여 분리된 차단 립의 단면 프로파일이 I-빔과 유사한 방법.
제 2항에 있어서, 차단 립의 단면 프로파일이 사다리꼴인 방법.
제 1항에 있어서, 상기 발포 유리층이 이방성으로 에칭되는 방법.
제 1항에 있어서, 상기 발포 유리층이 기판에 결합되는 방법.
제 6항에 있어서, 상기 기판이 유리, 금속, 중합체 또는 세라믹으로부터 선택된 물질인 방법.
제 6항에 있어서, 상기 기판과 상기 발포 유리층의 열팽창계수가 상기 발포 유리층의 냉각 동안에 상기 기판과 발포 유리층간의 부적절한 응력의 발현을 피하도록 하는 값인 방법.
제 1항에 있어서, 상기 발포 유리층의 버블량이 약 10 내지 약 60부피%의 범위인 방법.
기판에 발포 유리층을 수용하기에 적합한 하나 이상의 주표면을 제공하고;

상기 기판의 주표면상에 유리 페이스트 조성물의 하나 이상의 층을 적용하고;

상기 기판과 상기 유리 페이스트 조성물을, 유리 페이스트 층을 상기 기판과 결합된 발포 유리층으로 전환하기에 충분한 온도로 가열하고; 그리고

상기 발포 유리층의 적어도 일부분을 이방성으로 화학적 에칭하여 상기 발포 유리층내에서 적어도 하나의 캐비티 패턴을 얻는 것을 포함하는, 발포 유리층내에 캐비티 패턴의 형성 방법.
제 10항에 있어서, 상기 페이스트 조성물이 유리 입자, 결합제, 부형제, 및 계면활성제를 함유하는 방법.
제 11항에 있어서, 상기 유리 입자의 연화점이 상기 기판의 연화점보다 낮은 방법.
제 10항에 있어서, 상기 기판이 유리, 금속, 중합체 또는 세라믹으로부터 선택된 물질인 방법.
제 10항에 있어서, 화학적 에칭시에 상기 발포 유리층이 이방성으로 에칭되는 방법.
제 10항에 있어서, 상기 유리 페이스트가 상기 페이스트를 상기 기판상에 인쇄하거나, 전사하거나, 또는 분사하여 적용되는 방법.
제 10항에 있어서, 상기 발포 유리층을 화학적으로 에칭하기전에 상기 발포 유리 층을 포토레지스트에 의하여 패턴화하는 것을 추가로 포함하는 방법.
제 10항에 있어서, 상기 유리 페이스트 조성물의 하나 이상의 층을 적용하기전에, 상기 기판이 이 기판상에 적용된 하나 이상의 전극을 포함하는 방법.
제 10항에 있어서, 상기 유리 페이스트 조성물의 하나 이상의 층을 적용하기전에 유전체층이 상기 기판과 결합되는 방법.
제 9항에 있어서, 상기 유리 페이스트 조성물의 하나 이상의 층을 적용하기전에, 상기 기판이 이 기판상에 공급된 하나 이상의 전극, 및 상기 전극 위에 상기 기판과 결합된 유전체층을 포함하는 것인 방법.
제 10항에 있어서, 상기 기판과 상기 발포 유리층의 열팽창계수가 상기 발포 유리층의 냉각 동안에 상기 기판과 발포 유리층간의 부적절한 응력의 발현을 피하도록 하는 값인 방법.
기판; 및

상기 기판에 결합된 발포 유리층을 포함하고,

상기 발포 유리층이 상기 층내에 하나 이상의 캐비티 패턴을 갖는 물품.
제 21항에 있어서, 상기 발포 유리층내의 차단 립에 의하여 분리된 배열을 갖는 물품.
제 21항에 있어서, 상기 발포 유리층내의 차단 립에 의하여 분리된 다수의 캐비티 패턴을 갖는 물품.
제 21항에 있어서, 상기 기판이 유리, 금속, 중합체 또는 세라믹으로부터 선택된 물질인 물품.
제 21항에 있어서, 상기 기판과 상기 발포 유리층의 열팽창계수가 상기 발포 유리층의 냉각 동안에 상기 기판과 발포 유리층간의 부적절한 응력의 발현을 피하도록 하는 값인 물품.
제 21항에 있어서, 상기 기판이 상기 발포 유리층과 상기 기판사이에서 상기 기판상에 적용된 하나 이상의 전극을 포함하는 것인 물품.
제 21항에 있어서, 상기 유전체층이 상기 기판과 상기 발포 유리층사이에서 상기 기판에 결합되어 있는 것인 물품.
제 21항에 있어서, 상기 기판이 상기 기판상에 적용된 하나 이상의 전극 및 상기 기판과 상기 발포 유리층간에 결합된 유전체층을 포함하는 것인 물품.
유리 기판과 상기 기판의 주표면상에 적용된 발포 유리층을 포함하고, 상기 발포 유리층이 하나 이상의 캐비티 패턴을 가지고, 상기 캐비티 패턴이 하나 이상의 인을 함유하는 것인 플라즈마 표시판.
제 27항에 있어서, 하나 또는 다수의 캐비티 패턴을 갖는 발포 유리층을 갖는 상기 기판이 상기 판의 후방 기판인 플라즈마 표시판.
제 27항에 있어서, 하나 또는 다수의 캐비티 패턴을 갖는 발포 유리층을 갖는 상기 기판이 상기 판의 전방 기판인 플라즈마 표시판.
제 27항에 있어서, 상기 유리 기판이 상기 기판과 상기 발포 유리층 사이에서 상기 기판에 결합된 하나 이상의 전극을 포함하는 것인 플라즈마 표시판.
제 27항에 있어서, 유전체층이 상기 기판과 상기 발포 유리층 사이에서 결합되어 있고, 상기 유전체층이 상기 유리 기판상에 있는 하나 이상의 전극상에 위치하는 것인 플라즈마 표시판.
제 27항에 있어서, 상기 발포 유리층이 차단 립에 의하여 분리된 배열이거나 다수의 캐비티 패턴을 갖는 것인 플라즈마 표시판.
유리 기판과 상기 기판의 주표면상에 적용된 발포 유리층을 포함하고, 상기 발포 유리층이 하나 이상의 캐비티 패턴을 가지며, 상기 캐비티 패턴이 하나 이상의 인을 포함하는 것인 전계방출표시장치(FED).