KR20030001335A - 비수계 내식막 박리액 관리장치 및 비수계 내식막 박리액관리방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (6)
- 내식막 박리설비에서 사용되는 비수계 내식막 박리액을 조정조 내에서 관리하는 비수계 내식막 박리액 관리장치로서,조정조 내의 비수계 내식막 박리액에 유래하는 약화 성분의 농도를 측정하는 약화 성분 농도 측정수단,비수계 내식막 박리 원액, 비수계 내식막 박리 재생액 및 미리 조합된 비수계 내식막 박리 신액(新液) 중의 적어도 어느 하나를 조정조에 공급하는 액 공급수단 및측정된 약화 성분의 농도에 기초하여 조정조로 공급되는 액량을 제어하는 액 공급량 제어수단을 구비함을 특징으로 하는 비수계 내식막 박리액 관리장치.
- 제1항에 있어서, 약화 성분농도 측정수단이 조정조 내의 비수계 내식막 박리액의 구성 성분 및/또는 당해 구성 성분의 분해 생성물과 산소 또는 이산화탄소를 함유하여 이루어진 기체 중의 산소 및/또는 이산화탄소와의 반응에 의해 생기거나 잠재적으로 생길 수 있는 가능성이 있는 화학종 또는 화학 성분의 농도를 측정하는 것임을 특징으로 하는 비수계 내식막 박리액 관리장치.
- 제1항에 있어서, 약화 성분농도 측정수단이 조정조 내의 비수계 내식막 박리액의 점도를 측정하는 점도계 및 전기전도율을 측정하는 전기전도율계 중의 적어도어느 하나를 구비하는 것을 특징으로 하는 비수계 내식막 박리액 관리장치.
- 내식막 박리설비에서 사용되는 비수계 내식막 박리액을 조정조 내에서 관리하는 비수계 내식막 박리액 관리방법으로서,조정조 내의 비수계 내식막 박리액에 유래하는 약화 성분의 농도를 측정하는 약화 성분 농도 측정단계,비수계 내식막 박리 원액, 비수계 내식막 박리 재생액 및 미리 조합된 비수계 내식막 박리 신액 중의 적어도 어느 하나를 조정조에 공급하는 액 공급단계 및측정된 약화 성분의 농도에 기초하여 조정조로 공급되는 액량을 제어하는 액 공급량 제어단계를 구비함을 특징으로 하는 비수계 내식막 박리액 관리방법.
- 제4항에 있어서, 약화 성분농도 측정 단계에서는 조정조 내의 비수계 내식막 박리액의 구성 성분 및/또는 당해 구성 성분의 분해 생성물과 산소 또는 이산화탄소를 함유하여 이루어진 기체 중의 산소 및/또는 이산화탄소와의 반응에 의해 생기거나 잠재적으로 생길 수 있는 가능성이 있는 화학종 또는 화학 성분의 농도를 측정하는 것을 특징으로 하는 비수계 내식막 박리액 관리방법.
- 제4항에 있어서, 약화 성분농도 측정 단계에서는 조정조 내의 비수계 내식막 박리액의 점도 및 전기전도율 중의 적어도 어느 하나를 측정하는 것을 특징으로 하는 비수계 내식막 박리액 관리방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001191697A JP3914721B2 (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | 非水系レジスト剥離液管理装置及び非水系レジスト剥離液管理方法 |
JPJP-P-2001-00191697 | 2001-06-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030001335A true KR20030001335A (ko) | 2003-01-06 |
KR100489469B1 KR100489469B1 (ko) | 2005-05-16 |
Family
ID=19030281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2002-0035425A KR100489469B1 (ko) | 2001-06-25 | 2002-06-24 | 비수계 내식막 박리액 관리장치 및 비수계 내식막 박리액관리방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020197079A1 (ko) |
JP (1) | JP3914721B2 (ko) |
KR (1) | KR100489469B1 (ko) |
CN (1) | CN1230719C (ko) |
TW (1) | TWI224243B (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5344510B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2013-11-20 | 国立大学法人東北大学 | 酸化方法 |
CN103308654B (zh) * | 2013-06-13 | 2016-08-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于测试光阻剥离液中水分含量的方法 |
CN107526193B (zh) * | 2017-07-26 | 2021-03-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 光阻浓度的控制装置及控制方法 |
KR102456864B1 (ko) * | 2020-08-18 | 2022-10-21 | (주) 엔지온 | 반도체 칩 디라미네이션 장치 |
US20220076967A1 (en) * | 2020-09-10 | 2022-03-10 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Wet etching control system, wet etching machine and wet etching control method |
CN113003745A (zh) * | 2021-02-24 | 2021-06-22 | 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 | 一种废有机碱的纯化再生方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4365516A (en) * | 1978-01-06 | 1982-12-28 | Rockwell International Corporation | Ultrasonic couplant gel compositions and method for employing same |
US5264010A (en) * | 1992-04-27 | 1993-11-23 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces |
TW256929B (ko) * | 1993-12-29 | 1995-09-11 | Hirama Rika Kenkyusho Kk | |
JP3093975B2 (ja) * | 1996-07-02 | 2000-10-03 | 株式会社平間理化研究所 | レジスト剥離液管理装置 |
JP3126690B2 (ja) * | 1997-10-27 | 2001-01-22 | 株式会社平間理化研究所 | レジスト剥離液管理装置 |
KR100306649B1 (ko) * | 1997-12-03 | 2001-11-14 | 주식회사 동진쎄미켐 | 레지스트박리액,이를이용한레지스트박리방법,레지스트박리액재생장치,및레지스트박리액관리장치 |
FR2781809B1 (fr) * | 1998-07-31 | 2002-06-07 | Commissariat Energie Atomique | Composition de degraissage et procedes utilisant cette composition |
US6455751B1 (en) * | 1999-03-03 | 2002-09-24 | The Regents Of The University Of California | Oxidizer gels for detoxification of chemical and biological agents |
FR2827530B1 (fr) * | 2001-07-17 | 2004-05-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede de traitement d'une surface par un gel de traitement, et gel de traitement |
-
2001
- 2001-06-25 JP JP2001191697A patent/JP3914721B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-06-13 TW TW091112936A patent/TWI224243B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-06-21 US US10/177,220 patent/US20020197079A1/en not_active Abandoned
- 2002-06-24 KR KR10-2002-0035425A patent/KR100489469B1/ko active IP Right Grant
- 2002-06-25 CN CNB021437432A patent/CN1230719C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1403877A (zh) | 2003-03-19 |
US20020197079A1 (en) | 2002-12-26 |
TWI224243B (en) | 2004-11-21 |
JP3914721B2 (ja) | 2007-05-16 |
KR100489469B1 (ko) | 2005-05-16 |
JP2003005386A (ja) | 2003-01-08 |
CN1230719C (zh) | 2005-12-07 |
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A201 | Request for examination | ||
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