KR200242809Y1 - 탄탈 캐패시터의 화성 공정에서 사용하는 전극 구조 - Google Patents

Abstract

본 고안은 탄탈 전해 캐패시터의 화성 공정시 소자의 표면에 닿는 전극을 코일 스프링 형태로 제작하여 외부에서 압력이 인가될 때 전극 자체가 탄탈 소자를 지지하도록 하여 화성 공정 완료 후 전극과 소자를 이탈시킬 때 소자의 지지 기구에 의한 소자 표면에 형성되어 있는 유전체막의 손상을 방지할 수 있도록 한 전도성 고분자 탄탈 캐패시터의 화성 공정에서 사용하는 전극 구조에 관한 것으로서, 탄탈 전해 캐패시터의 탄탈 소자 표면에 유전체를 형성하기 위해 탄탈 소자에 리이드선을 연결하고 + 전극을 밀착시키는 구조에 있어서, 화성액(3)에 함침된 탄탈 소자(1)의 하부에 코일 스프링 형태로 형성된 + 전극(10)의 단부가 밀착되고, 화성액에 - 전극을 연결하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

탄탈 캐패시터의 화성 공정에서 사용하는 전극 구조{Electrode structure using tantal capacitor making method}

본 고안은 탄탈 전해 캐패시터에 관한 것으로서, 특히 탄탈 전해 캐패시터의 화성 공정시 소자의 표면에 닿는 전극을 코일 스프링 형태로 제작하여 외부에서 압력이 인가될 때 전극 자체가 탄탈 소자를 지지하도록 하여 화성 공정 완료 후 전극과 소자를 이탈시킬 때 소자의 지지 기구에 의한 소자 표면에 형성되어 있는 유전체막의 손상을 방지할 수 있도록 한 전도성 고분자 탄탈 캐패시터의 화성 공정에서 사용하는 전극 구조에 관한 것이다.

탄탈 전해 콘덴서는 다음과 같은 공정으로 제작된다. 즉, 탄탈 분말에 결합체 역할을 하는 용제를 혼합한 후, 용제를 건조 제거시킨 후 형태를 형성하고, 리드선을 삽입시키는 성형 과정, 성형된 소자를 진공 소결로에서 가열하여 바인더 제거와 소결을 하는 소결 과정, 상기 소결 과정이 끝난 소자를 화성액에 넣은 후, 직류 전압을 인가하여 탄탈 금속의 표면에 산화피막(Ta₂O₅)을 형성하는 화성 과정, 화성 과정에서 생성된 산화 피막(Ta₂O₅)에 이산화망간(MnO₂)층을 형성하는 소성 공정, 이산화망간(MnO₂)층이 형성된 탄탈 소자에 카본 도포, 은 페이스트 도포, 리드 용접을 하는 조립 공정, 탄탈 전해 콘덴서의 외부 형태를 만드는 외장 공정, 완성된 콘덴서의 시효 경화를 위한 에이징 공정, 절연관을 끼우거나 용량값 등을 표시하는 마킹 공정을 차례로 수행하여 완성하게 된다.

상기한 공정중 화성 공정을 수행할 때 소자를 화성액에 넣은 후, 전압을 인가하는 데 이때 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 소자(1)의 상부 중앙에는 리이드선(2)이 부착되고, 리이드선(2)을 중심으로 소자를 고정하는 소자 고정대가 양측에 부착되어 소자를 지지하게 된다.

도면에 도시되어 있는 상태에서 화성액(3)에 함침시켜 화성 공정을 수행한 후, 다음 공정을 수행하기 위해 소자를 고정하는 소자 고정대를 제거하게 되면, 소자 고정대와 접하고 있던 부위는 유전체 형성이 되어 있지 않고, 소자 고정대의 접합면의 유전체 형성 부위의 주변부가 손상되어 완성된 탄탈 전해 캐패시터의 효율이 저하되는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 화성 공정시 소자에 접하는 + 전극을 코일 스프링 형태로 형성하고 전극의 단부가 탄탈 소자에 밀착되도록 한 상태에서 화성 공정을 수행함으로서 화성 공정의 수행후 소자 고정 장치에 의한 소자 표면의 유전체 손상을 방지할 수 있도록 한 전도성 고분자 탄탈 캐패시터의 화성 공정에서 사용하는 전극 구조를 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1은 종래의 화성 공정시 탄탈 소자의 연결 상태를 설명하는 도면.

도 2는 본 고안에 의한 화성 공정시 탄탈 소자의 연결 상태를 설명하는 도면.

도 3은 본 고안에서 사용하는 + 전극의 일실시예의 형태를 나타내는 도면.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명 >

1 : 탄탈 소자 2 : 리드선

3 : 화성액 10 : + 전극

15 : 절연체

도 2는 본 고안에 의한 전도성 고분자 탄탈 캐패시터의 전극 구조의 구성을 나타내는 도면으로서, 화성액에 함침된 탄탈 소자의 하부에 코일 스프링 형태로 형성된 + 전극(10)의 단부가 밀착되고, 전해액에 - 전극을 연결하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

도면을 참조하여 본 고안을 설명하면 다음과 같다.

화성 공정을 수행할 때 상부에 리이드선(2)이 연결되어 있는 탄탈 소자(2)를 화성액에 함침시킨다.

화성로의 최하부에는 절연체(15)가 위치되고, 절연체(15)의 상부에는 코일 스프링 형태로 형성되어 있는 + 전극(10)이 돌출되어 있어, + 전극(10)의 단부는 화성액에 함침된 탄탈 소자(1)의 하부에 밀접하게 되어 탄탈 소자(1)는 도통 가능한 상태가 된다. 도 3은 본 고안에서 사용하는 + 전극의 일실시예의 형태를 나타내는 도면이다.

탄탈 소자(1)에 연결되어 있는 리드선(2)에 압력이 가해질 경우에도 스프링 형태의 + 전극(10)이 압축되면서 탄탈 소자(1)에 인가되는 압력을 흡수하면서 탄탈 소자(1)를 지지하므로, 탄탈 소자를 지지하기 위한 별도의 지지 기구가 필요치 않게 된다.

상기와 같이 구성된 본 고안에 의하면 화성 공정을 수행할 때 탄탈 소자에 접하는 + 전극이 코일 스프링 형태로 형성되어 있어, + 전극 자체가 탄탈 소자를 지지하기 때문에 화성 공정 완료시 탄탈 소자 표면의 유전체막 손상이 발생되지 않도록 한다.

Claims (1)

1. 탄탈 전해 캐패시터의 탄탈 소자 표면에 유전체를 형성하기 위해 탄탈 소자에 리이드선을 연결하고 + 전극을 밀착시키는 구조에 있어서, 화성액(3)에 함침된 탄탈 소자(1)의 하부에 코일 스프링 형태로 형성된 + 전극(10)의 단부가 밀착되고, 화성액에 - 전극을 연결하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 탄탈 캐패시터의 화성 공정에서 사용하는 전극 구조.