KR200242615Y1

KR200242615Y1 - Device for Removing Photo Resist Layer On Wafer Edge

Info

Publication number: KR200242615Y1
Application number: KR2020010013069U
Authority: KR
Inventors: 엄경삼
Original assignee: 아남반도체 주식회사
Priority date: 2001-05-04
Filing date: 2001-05-04
Publication date: 2001-10-12

Abstract

본 고안의 목적은 신너 노즐에서 낙하된 신너로 인하여 웨이퍼에 도포된 감광막이 손상되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼에 도포된 감광막 제거장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a photosensitive film removing apparatus applied to a wafer that can prevent the photosensitive film applied to the wafer from being damaged by the thinner falling from the thinner nozzle.

이에 본 고안의 웨이퍼 테두리에 도포된 감광막 제거장치는 신너 노즐의 외측에 진공펌프에 의해 배기되는 배기라인을 설치하여 신너 노즐에서 낙하되지 않고 있던 신너와 제거된 감광막을 드레인시키는 장치이다.The photosensitive film removing device applied to the wafer edge of the present invention is an apparatus for draining the thinner and the removed photosensitive film which are not dropped from the thinner nozzle by installing an exhaust line exhausted by a vacuum pump on the outside of the thinner nozzle.

Description

Device for removing photo resist layer on wafer edge coated on wafer edge

본 고안은 반도체 제조장비에 관한 것으로서, 좀 더 상세하게는 리소그래피 공정에서 웨이퍼의 테두리에 잔류하는 감광막을 제거하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing equipment, and more particularly to an apparatus for removing a photosensitive film remaining on the edge of the wafer in the lithography process.

일반적으로 리소그래피 처리(Lithography Processing)는 기판의 세정 후 건조시키고, 기판의 표면에 포토 레지스트(Photo Resist)를 도포한 후 베이킹 처리하여 감광막을 형성시킨 다음, 감광막을 노광처리하여 회로 패턴을 형성하는 작업이다.In general, lithography processing involves cleaning and drying a substrate, applying a photoresist on the surface of the substrate, and baking the photoresist to form a photoresist, and then exposing the photoresist to form a circuit pattern. to be.

이러한 리소그래피 처리 공정에서 포토 레지스트를 도포하는 방법은 원심력을 이용하여 균일한 막을 형성하는 스핀코팅법과, 포트 레지스트를 뿌려서 막을 형성하는 스프레이법이 있다.The photoresist coating method in such a lithography process includes a spin coating method for forming a uniform film using centrifugal force, and a spray method for forming a film by spraying a port resist.

두 방법을 이용하여 포토 레지스트를 도포하면 균일한 막을 얻을 수 있는 반면에 웨이퍼의 회전이 정지되거나, 원심력이 작용하지 않게 된 후나, 시간 경과에 따라 표면장력의 영향으로 기판 가장자리부에서 레지스트가 부풀어 오른 듯이 두꺼워져 버린다. 또, 회전으로 뿌리쳐진 레지스트가 기판의 이면으로 튀어서 불필요한 곳에 레지스트가 부착되는 경우가 있다.Applying photoresist using both methods yields a uniform film, while resists swell at the edges of the substrate after wafer rotation stops, centrifugal forces are not applied, or over time, due to surface tension. It becomes thick as if. Moreover, the resist sprayed by rotation may splash to the back surface of a board | substrate, and a resist may adhere to an unnecessary place.

이러한 문제점을 방지하기 위해서 종래에는 도 1에 도시한 바와 같은 웨이퍼 테두리에 도포된 감광막을 제거하는 장치를 이용하여 테두리 감광막을 제거하고 있다.In order to prevent such a problem, the edge photoresist film is conventionally removed using an apparatus for removing the photoresist film applied to the edge of the wafer as shown in FIG. 1.

감광막(2)이 도포된 웨이퍼(W)를 스핀 척(4)에 고정시킨 후 회전시키면서 신너(thinner)를 웨이퍼(W)의 테두리에 분사하여 감광막을 제거하고 있다.The thinner is sprayed on the edge of the wafer W while the wafer W coated with the photosensitive film 2 is fixed to the spin chuck 4 and then rotated to remove the photosensitive film.

그러나 노즐(6)을 통해 분사되는 신너의 분사압이 일정하지 않을 경우 신너의 일부가 웨이퍼(W)의 테두리뿐만 아니라 웨이퍼 중심부의 감광막으로 튀어 도포된 감광막을 손상시키는 경우가 있다.However, when the injection pressure of the thinner sprayed through the nozzle 6 is not constant, a part of the thinner may damage not only the edge of the wafer W but also the photosensitive film splashed onto the photosensitive film at the center of the wafer.

그리고 신너 분사를 멈췄음에도 불구하고 신너 노즐의 끝단에서 버블(bubble) 현상이 발생하거나, 신너가 몇 방울씩 낙하되어 코터 컵에서 충돌하여 튀어서 웨이퍼의 감광막을 손상시키게 된다.And even though the thinner injection is stopped, a bubble phenomenon occurs at the end of the thinner nozzle, or the thinner falls by a few drops to collide with the coater cup to splash and damage the photosensitive film of the wafer.

이렇게 웨이퍼에 도포된 감광막이 손상된 상태에서 반도체 생산 공정이 진행되면 웨이퍼가 손상되거나 웨이퍼에서 불량이 난 부분을 체크해야 하는 불필요한 작업시간이 증대되는 문제점이 있다.Thus, when the semiconductor production process is performed in a state where the photoresist applied to the wafer is damaged, there is a problem in that unnecessary work time for checking a damaged part of the wafer or a defective part of the wafer is increased.

이와 같은 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위해 안출된 본 고안의 목적은신너 노즐에서 낙하된 신너로 인하여 웨이퍼에 도포된 감광막이 손상되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼에 도포된 감광막 제거장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention devised to solve the problems of the prior art is to provide a photoresist film removing device applied to a wafer that can prevent the photoresist film applied to the wafer from being damaged by the thinner dropped from the thinner nozzle. .

도 1은 종래 감광막 제거장치를 개략적으로 도시한 측면도이다.1 is a side view schematically showing a conventional photoresist removing device.

도 2는 본 고안에 따른 감광막 제거장치를 개략적으로 도시한 측면도이다.Figure 2 is a side view schematically showing a photosensitive film removing apparatus according to the present invention.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 고안의 웨이퍼 테두리에 도포된 감광막 제거장치는 신너 노즐의 외측에 진공펌프에 의해 배기되는 배기라인을 설치하여 신너 노즐에서 낙하되지 않고 있던 신너와 제거된 감광막을 드레인시키는 장치이다.The photosensitive film removing apparatus applied to the wafer edge of the present invention for achieving the above object is to install an exhaust line exhausted by a vacuum pump on the outer side of the thinner nozzle to drain the thinner and the removed photosensitive film that has not been dropped from the thinner nozzle Device.

이하 본 고안에 따른 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다. 도 2는 본 고안에 따른 감광막 제거장치를 개략적으로 도시한 측면도이다.Hereinafter, a preferred embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Figure 2 is a side view schematically showing a photosensitive film removing apparatus according to the present invention.

본 고안에 따른 감광막 제거장치는 스핀 척의 인접한 위치에 설치되어 웨이퍼의 테두리에 도포된 감광막을 제거하게 된다.The photoresist removal apparatus according to the present invention is installed at an adjacent position of the spin chuck to remove the photoresist applied to the edge of the wafer.

본 고안을 설명하기 앞서 감광막 도포장치를 잠시 설명하면, 스핀 척(4)의 상부에는 코터 컵(4a)이 설치되고, 코터 컵(4a)의 상면에 웨이퍼(W)가 안착된다. 그리고 스핀 척(4)의 인접한 위치에 웨이퍼(W)의 상면으로 포토 레지스트를 공급하는 주입구(8)가 배치된다.Prior to describing the present invention, the photosensitive film coating apparatus will be briefly described. A coater cup 4a is installed on the spin chuck 4, and the wafer W is seated on the top surface of the coater cup 4a. An injection hole 8 for supplying photoresist to the upper surface of the wafer W is disposed at an adjacent position of the spin chuck 4.

그리고 본 고안의 감광막 제거장치는 신너를 공급하는 신너 공급부(10)와, 배기부(20)로 이루어진다.And the photosensitive film removal apparatus of the present invention consists of a thinner supply unit 10 for supplying thinner, and the exhaust unit (20).

신너 공급부(10)는 스테핑 모터(12)에 의해 회전되는 공급 펌프(14)를 이용하여 신너 탱크(16)에 저장된 신너가 신너 노즐(18)을 통해 분사되도록 한다.The thinner supply unit 10 allows the thinner stored in the thinner tank 16 to be injected through the thinner nozzle 18 using the feed pump 14 rotated by the stepping motor 12.

본 고안의 특징에 따른 배기부(20)는 신너 노즐(18)의 외측에 연결되는 배기공(22)과, 배기공(22)에 연결되는 진공 펌프(24)로 이루어진다.Exhaust unit 20 according to a feature of the present invention consists of an exhaust hole 22 connected to the outside of the thinner nozzle 18, and a vacuum pump 24 connected to the exhaust hole (22).

이러한 배기부(22)는 신너 노즐(18)을 통해 신너가 분사될 때는 작동하지 않고 있다가 신너의 분사가 멈추는 시점에 작동한다.The exhaust part 22 does not operate when the thinner is injected through the thinner nozzle 18, but operates when the injection of the thinner stops.

즉, 진공 펌프(24)가 작동하여 신너 노즐(18)의 끝단에서 분사되지 않고 남아 있던 잔류 신너를 배기공(22)을 통해 드레인시키고, 또한 신너에 의해 제거된 감광막까지 함께 드레인시킨다.That is, the vacuum pump 24 is operated to drain the remaining thinner, which has not been injected at the end of the thinner nozzle 18, through the exhaust hole 22, and to drain the photosensitive film removed by the thinner together.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 고안에 따른 바람직한 실시예는 종래의 문제점을 실질적으로 해소하고 있다.As described above, the preferred embodiment of the present invention substantially solves the conventional problems.

즉, 신너 노즐에서 분사된 신너에 의해 웨이퍼에 도포된 감광막이 손상되는 것을 줄일 수 있게 되어 웨이퍼의 손실을 방지할 수 있다.That is, it is possible to reduce the damage of the photosensitive film applied to the wafer by the thinner injected from the thinner nozzle, thereby preventing the loss of the wafer.

또한 웨이퍼가 손상되었는지를 검사하는 시간을 줄일 수 있어 웨이퍼 제조에 따른 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, the time required to inspect wafers for damage can be shortened, improving the productivity of wafer fabrication.

Claims

In the device for applying a photoresist to the surface of the wafer by spin coating method and then dried to form a photosensitive film,

A thinner supply unit for spraying thinner stored in the thinner tank by using a feed pump rotated by a stepping motor to remove the photosensitive film on the wafer edge;

And an exhaust part including an exhaust hole connected to the outside of the thinner nozzle and a vacuum pump connected to the exhaust hole.

The method of claim 1,

And the exhaust portion is inoperative when the thinner is sprayed through the thinner nozzle, but operates when the spraying of the thinner is stopped.