KR100283034B1 - Method of forming photoresist - Google Patents
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Abstract
웨이퍼의 상부에 실험예 방지용 포토레지스트를 코팅하기 위하여 포토레지스트를 저장하는 포토레지스트용 저장 탱크, 포토레지스트용 저장 탱크와 연결되어 있으며 포토레지스트를 분사하기 위한 펌프 및 펌프와 연결되어 있으며 포토레지스트가 분사되는 노즐을 포함하는 코팅 장비에 있어서, 웨이퍼는 200~500회의 범위로 회전시키고, 노즐을 통하여 6~9cc의 범위로 포토레지스트를 분사하고, 펌프의 펌핑 시간은 4~6sec의 범위로 하여 포토레지스트를 분사한다.Storage tank for photoresist, photoresist storage tank, pump for spraying photoresist In the coating equipment comprising a nozzle, the wafer is rotated in the range of 200 to 500 times, the photoresist is injected in the range of 6 ~ 9cc through the nozzle, the pumping time of the pump is in the range of 4 ~ 6sec Spray it.
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조 공정중 포토레지스트를 형성하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 노광시 도전막의 반사를 줄이기 위해 패턴용 포토레지스트와 도전막 사이에 반사 방지용 포토레지스트를 형성하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a photoresist during the manufacturing process of a semiconductor device, and more particularly to a method of forming an antireflection photoresist between a patterned photoresist and a conductive film in order to reduce the reflection of the conductive film during exposure. will be.
일반적으로 반도체 소자의 전극 형성 및 소자와 소자간의 연결선, 패드 연결을 위한 도전층은, 웨이퍼 상부에 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금 등의 금속 또는 불순물을 가지는 다결정 규소로 이루어진 도전막을 증착한 다음, 포토레지스트를 도포한 후, 포토리소그래피(photolithography) 공정으로 패터닝(patterning)하여 형성한다. 이때, 포토리소그래피 공정은 마스크를 이용한 노광 단계 및 현상 단계 및 식각 단계 등으로 이루어지는데, 노광 단계에서는 도전막에 의한 난반사로 인하여 포토레지스트 패턴이 마스크의 패턴과 다르게 형성되는 불량이 발생할 수 있다. 이러한 불량을 최소화하기 위하여 도전막과 포토레지스트 사이에 2,000~2500Å 정도의 두께로 난반사 방지용 포토레지스트를 추가로 형성하는 방법이 적용되고 있다.In general, a conductive layer for forming electrodes of a semiconductor device, connecting lines between a device and a device, and a pad connection is formed by depositing a conductive film made of polycrystalline silicon having a metal or an impurity such as aluminum (Al) or an aluminum alloy on a wafer. After applying the resist, it is formed by patterning (patterning) by a photolithography process. In this case, the photolithography process includes an exposure step, a development step, and an etching step using a mask. In the exposure step, a defect may occur in which the photoresist pattern is formed differently from the mask pattern due to the diffuse reflection of the conductive film. In order to minimize such defects, a method of additionally forming an antireflective photoresist having a thickness of about 2,000 to 2500 kPa between the conductive film and the photoresist has been applied.
그러나, 이러한 난반사 방지용 포토레지스트를 도포하는 과정에서 발생하는 미세한 기포로 인하여 식각 단계에서 위이퍼가 손상되는 문제점이 발생한다. 이에 대하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.However, in the process of applying such anti-reflective photoresist There is a problem that the wiper is damaged in the etching step due to the fine bubbles. This will be described in detail below.
도 1은 종래에서 난반사 방지용 포토레지스트로 인하여 웨이퍼가 손상되는 과정을 상세하게 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing in detail the process of damaging the wafer due to the conventional anti-reflective photoresist.
도 1에서 보는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 상부에 차례로 게이트용 다결정 규소층(2), 난반사 방지용 포토레지스트(3) 및 패턴용 포토레지스트(4)가 형성되어 있으며, 패턴용 포토레지스트(4)는 현상된 상태이다.As shown in FIG. 1, a gate polycrystalline silicon layer 2, a diffuse reflection prevention photoresist 3, and a pattern photoresist 4 are sequentially formed on the wafer 1, and the pattern photoresist 4 is formed. ) Is developed.
여기서, 패턴용 포토레지스트(4)는 식각 마스크로 사용되며, 패턴용 포토레지스트(4)로 가리지 않는 부분은 식각 공정을 통하여 제거한다. 도 1에서 점선으로 표시한 부분은 난반사 방지용 포토레지스트(3)와 다결정 규소층(2)이 제거되는 부분이다. 그러나, a와 같이, 난반사 방지용 포토레지스트(3)에 기포가 형성되는 경우에는, 난반사 방지용 포토레지스트(3)를 식각할 때, 다결정 규소층(2)이 식각되며, 다결정 규소층(2)을 식각하는 경우에는 웨이퍼(1)가 식각되어, 웨이퍼(1)가 손상되게 된다.Here, the patterned photoresist 4 is used as an etching mask, and portions not covered by the patterned photoresist 4 are removed through an etching process. In FIG. 1, the part shown with the dotted line is the part from which the anti-reflective photoresist 3 and the polycrystalline silicon layer 2 are removed. However, when bubbles are formed in the antireflective photoresist 3 as in a, when the antireflective photoresist 3 is etched, the polycrystalline silicon layer 2 is etched, and the polycrystalline silicon layer 2 is etched. In the case of etching, the wafer 1 is etched and the wafer 1 is damaged.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 그 목적은 미세한 기포를 최소화할 수 있는 난반사 방지용 포토레지스트를 형성하는 공정 조건을 제공하는 하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, the object of which is to provide a process condition for forming a diffuse reflection prevention photoresist that can minimize the fine bubbles.
도 1은 종래에서 난반사 방지용 포토레지스트로 인하여 웨이퍼가 손상되는 과정을 상세하게 도시한 단면도이고,1 is a cross-sectional view showing in detail the process of damaging the wafer due to the conventional anti-reflective photoresist,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 코팅(coating) 장비의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이고,Figure 2 is a schematic diagram showing the configuration of a photoresist coating (coating) equipment according to an embodiment of the present invention,
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실험예 1에 따른 난반사 방지용 포토레지스트에서 발생하는 기포의 수와 노즐을 통하여 분사되는 포토레지스트 량의 관계를 도시한 도표 및 그래프이고,3A and 3B are diagrams and graphs showing the relationship between the number of bubbles generated in the antireflective photoresist according to Experimental Example 1 of the present invention and the amount of photoresist injected through the nozzle;
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실험예 2에 따른 난반사 방지용 포토레지스트에서 발생하는 기포의 수와 포토레지스트 분사시 펌핑 시간의 관계를 도시한 도표 및 그래프이고,4A and 4B are diagrams and graphs showing a relationship between the number of bubbles generated in the antireflective photoresist and the pumping time during photoresist injection according to Experimental Example 2 of the present invention;
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실험예 3에 따른 난반사 방지용 포토레지스트에서 발생하는 기포의 수와 웨이퍼의 회전수의 관계를 도시한 도표 및 그래프이고,5A and 5B are diagrams and graphs showing the relationship between the number of bubbles generated in the antireflective photoresist according to Experimental Example 3 of the present invention and the rotational speed of the wafer;
도 6은 본 발명의 실험예 4에 따른 난반사 방지용 포토레지스트에서 발생하는 기포의 수와 노즐을 통하여 분사되는 포토레지스트 량의 관계를 도시한 도표이고,6 is a diagram showing the relationship between the number of bubbles generated in the antireflective photoresist according to Experimental Example 4 of the present invention and the amount of photoresist injected through the nozzle,
도 7은 본 발명의 실험예 5에 따른 난반사 방지용 포토레지스트에서 발생하 는 기포의 수와 포토레지스트 분사시 펌핑 시간의 관계를 도시한 도표이고,7 is generated in the anti-reflective photoresist according to Experimental Example 5 of the present invention Is a chart showing the relationship between the number of bubbles and the pumping time during the photoresist injection,
도 8은 본 발명의 실험예 6에 따른 난반사 방지용 포토레지스트에서 발생하는 기포의 수와 웨이퍼의 회전수의 관계를 도시한 도표이다.8 is a chart showing the relationship between the number of bubbles generated in the antireflective photoresist according to Experimental Example 6 of the present invention and the rotational speed of the wafer.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 발명에서는 포토레지스트를 형성하기 위한 코팅 장비인 코터(coater)에서 노즐을 포함하는 디스펜서(dispenser)로 포토레지스트를 6~9cc 정도 분사하고 펌핑은 4~6sec 동안 실시하며, 포토레지스트가 도포되는 동안 웨이퍼는 200~500회 정도의 범위에서 회전시킨다.In order to achieve the above object, in the present invention, a photoresist is sprayed by a dispenser including a nozzle in a coater, which is a coating equipment for forming a photoresist, about 6 to 9 cc, and pumping is performed for 4 to 6 sec. The wafer is rotated in the range of about 200 to 500 times while the photoresist is applied.
그러면, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다.Then, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention.
우선, 본 발명의 실시예에 따른 난반사 방지용 포토레지스트를 형성하기 위한 코팅 장비인 코터의 구조에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.First, the structure of the coater, which is a coating equipment for forming a diffuse reflection prevention photoresist according to an embodiment of the present invention will be described in detail.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 코팅(coating) 장비의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.Figure 2 is a schematic diagram showing the configuration of a photoresist coating (coating) equipment according to an embodiment of the present invention.
도 2에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 코팅 장비는, 포토레지스트를 저장하고 있는 포토레지스트용 저장 탱크(10)가 있으며, 탱크(10)에는 탱크(10)로부터 공급되는 포토레지스트를 펌핑(pumping)하기 위한 펌프(20)가 연결되어 있다. 이때, 탱크(10)와 펌프(20) 사이에는 공급되는 포토레지스트의 량을 확인하기 위한 버퍼 탱크(30)가 연결되어 있다. 또한, 펌프(30)는 노즐(nozzle, 50)을 통하여 분사되는 포토레지스트의 량을 조절하기 위한 분사 제어부(40)와 연결되어 있으며, 탱크(30)와 분사 제어부(40) 사이에는 포토레지스트에 잔류하는 불순물이나 기포를 제거하기 위한 필터(60)가 연결되어 있다. 또한, 버퍼 탱크(30)와 필터(60)는 공압 유지 및 폐액을 처리하기 위한 밸브(valve, 70)과 연결되어 있으며, 펌프(20)와 분사 제어부(40)는 각각의 부위에 필요에 따라 공기를 공급하는 공기 공급부(80)와 연결되어 있다.As shown in Figure 2, the photoresist coating equipment according to an embodiment of the present invention, there is a storage tank for photoresist 10 for storing the photoresist, the tank 10 is a photo supplied from the tank 10 A pump 20 is connected for pumping the resist. At this time, a buffer tank 30 for checking the amount of photoresist supplied is connected between the tank 10 and the pump 20. In addition, the pump 30 is connected to an injection control unit 40 for controlling the amount of photoresist injected through the nozzle 50, and between the tank 30 and the injection control unit 40 is connected to the photoresist. A filter 60 for removing residual impurities or bubbles is connected. In addition, the buffer tank 30 and the filter 60 are connected to a valve 70 for maintaining the pneumatic pressure and treating the waste liquid, and the pump 20 and the injection control unit 40 are required at each site. It is connected with the air supply part 80 which supplies air.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 코팅 장비에서는 포토레지스트용 저장 탱크(10)를 통하여 펌프(20)에 포토레지스트가 공급되며, 펌프(20)의 펌핑이 진행되는 동안에 노즐(50)을 통하여 포토레지스트가 분사되어 웨이퍼의 상부에 도포된다. 이때, 웨이퍼는 회전하게 되며, 회전에 의한 원심력을 통하여 포토레지스트는 웨이퍼의 상부에 균일한 두께로 코팅된다.In the coating equipment according to the embodiment of the present invention, the photoresist is supplied to the pump 20 through the storage tank 10 for the photoresist, and the photoresist through the nozzle 50 while the pump 20 is pumped. Is sprayed and applied to the top of the wafer. At this time, the wafer is rotated, and the photoresist is coated with a uniform thickness on top of the wafer through centrifugal force by the rotation.
여기서, 난반사용 포토레지스트(3, 도 1참조)를 형성할 때, 포토레지스트에서 발생하는 미세한 기포의 수를 결정하는 요인을 상세히 알아보기 위한 실험을 실시하였다. 이러한 실험을 통하여 미세한 기포의 수를 결정하는 변수로는 노즐(50)을 통하여 분사되는 포토레지스트의 량, 포토레지스트 분사시 펌핑하는 시간, 웨이퍼의 회전수 등이 있다는 것을 실험예 1 내지 3을 통하여 알아내었다.Here, when forming the diffused photoresist 3 (refer to FIG. 1), an experiment was conducted to investigate in detail the factors that determine the number of fine bubbles generated in the photoresist. Experimental examples 1 to 3 show that the variables for determining the number of fine bubbles through these experiments include the amount of photoresist sprayed through the nozzle 50, the pumping time during photoresist spraying, and the rotation speed of the wafer. Figured out.
실험예 1Experimental Example 1
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실험예 1에 따른 난반사 방지용 포토레지스트에서 발생하는 기포의 수와 노즐을 통하여 분사되는 포토레지스트 량의 관계를 도시한 도표 및 그래프이다.3A and 3B are diagrams and graphs showing the relationship between the number of bubbles generated in the antireflective photoresist according to Experimental Example 1 of the present invention and the amount of photoresist injected through the nozzle.
실험예 1에서는 펌핑 시간과 포토레지스트를 도포하는 동안의 웨이퍼 회전수를 각각 2.5sec 및 1000회로 공정 조건을 설정하고 노즐(50)을 통하여 분사되는 포토레지스트의 량만을 5~7cc의 범위에서 변화시켰다.In Experimental Example 1, the wafer rotation rate during the application of the pumping time and the photoresist was set at 2.5 sec and 1000 circuits, respectively, and only the amount of photoresist injected through the nozzle 50 was changed in the range of 5 to 7 cc. .
도 3a 및 도 3b에서 보는 바와 같이, 포토레지스트의 량을 5cc에서 6cc 및 7cc로 증가시키는 경우에 기포의 수는 약 10,002개에서 9,876 및 9,666개 정도로 감소하였다.As shown in FIGS. 3A and 3B, the number of bubbles decreased from about 10,002 to 9,876 and 9,666 when the amount of photoresist was increased from 5cc to 6cc and 7cc.
이러한 실험예 1을 통하여 포토레지스트의 량을 증가시키면 발생하는 기포의 수가 감소한다는 것을 알 수 있었으며, 포토레지스트의 량은 약 7cc로 공정 조건을 설정하는 것이 가장 적합하다는 것을 알 수 있었다.Experimental Example 1 shows that increasing the amount of the photoresist is reduced the number of bubbles generated, it was found that it is most suitable to set the process conditions to about 7cc the amount of photoresist.
실험예 2Experimental Example 2
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실험예 2에 따른 난반사 방지용 포토레지스트에서 발생하는 기포의 수와 포토레지스트 분사시 펌핑 시간의 관계를 도시한 도표 및 그래프이다.4A and 4B are diagrams and graphs showing a relationship between the number of bubbles generated in the antireflective photoresist and the pumping time during photoresist injection according to Experimental Example 2 of the present invention.
실험예 2에서는 포토레지스트의 분사량과 웨이퍼의 회전수를 각각 5cc 및 1000회로 공정 조건을 설정하고 포토레지스트 분사시 펌핑 시간을 2.5~4.5sec의 범위에서 변화시켰다.In Experimental Example 2, 5cc and 1000 circuit process conditions were set for the injection amount of the photoresist and the rotational speed of the wafer, respectively, and the pumping time during the photoresist injection was changed in the range of 2.5 to 4.5 sec.
도 4a 및 도 4b에서 보는 바와 같이, 펌핑 시간을 2.5sec, 3.0sec, 4.0sec 및 4.5sec로 증가시킨 결과 기포의 수는 약 10,201개에서 9,805, 9,678 및 4.980개 정도로 감소하였다. 특히, 4.5sec인 경우에 기포의 수가 급격하게 감소함을 알 수 있다.As shown in FIGS. 4A and 4B, the pumping time was increased to 2.5 sec, 3.0 sec, 4.0 sec and 4.5 sec, resulting in a decrease in the number of bubbles from about 10,201 to 9,805, 9,678 and 4.980. In particular, it can be seen that the number of bubbles is rapidly reduced in the case of 4.5sec.
이러한 실험예 2를 통하여 펌핑 시간을 증가시키면 발생하는 기포의 수가 감소한다는 것을 알 수 있었으며, 펌핑 시간은 4.5sec인 것이 기포의 수를 최소화하는 데 가장 적합하다는 것을 알 수 있다.Experimental Example 2 shows that increasing the pumping time is reduced the number of bubbles generated, it can be seen that the pumping time is 4.5sec is most suitable for minimizing the number of bubbles.
실험예 3Experimental Example 3
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실험예 3에 따른 난반사 방지용 포토레지스트에서 발생하는 기포의 수와 웨이퍼의 회전수의 관계를 도시한 도표 및 그래프이다.5A and 5B are diagrams and graphs showing the relationship between the number of bubbles generated in the antireflective photoresist according to Experimental Example 3 of the present invention and the rotational speed of the wafer.
실험예 3에서는 펌핑 시간과 분사되는 포토레지스트의 량을 각각 2.5sec 및 5cc로 고정하고 웨이퍼의 회전수를 1,000~300회 사이의 범위에서 변화시켰다.In Experiment 3, the pumping time and the amount of sprayed photoresist were fixed at 2.5 sec and 5 cc, respectively, and the rotation speed of the wafer was changed in the range of 1,000 to 300 times.
도 5a 및 도 5b에서 보는 바와 같이, 웨이퍼의 회전수가 1,000회, 800회, 500회, 400회, 370회인 경우에 발생하는 기포의 수는 각각 10,003개, 8,800개, 3,472개, 1,986개 및 453개로 감소함을 알 수 있다. 그러나, 웨이퍼의 회전수를 370회 이하인 350회 및 300회로 각각 감소시키는 경우에는 기포의 수가 다시 1,678개 및 2,349개로 다시 증가하는 것으로 나타났다.As shown in FIGS. 5A and 5B, the number of bubbles generated when the number of rotations of the wafer is 1,000, 800, 500, 400, 370 is 10,003, 8,800, 3,472, 1,986 and 453, respectively. It can be seen that the dog decreases. However, when the number of rotations of the wafer is reduced to 350 times and 300 times, which are 370 or less, the number of bubbles is again increased to 1,678 and 2,349.
이러한 실험예 3을 통하여 웨이퍼의 회전수가 기포의 수를 변화시키는 가장 중요한 요인이라는 것을 알 수 있었으며, 370회 회전수가 기포의 수를 줄이는 데 가장 적합하다는 것을 알 수 있다.Experimental Example 3 shows that the rotational speed of the wafer is the most important factor for changing the number of bubbles, and it can be seen that 370 rotational speeds are most suitable for reducing the number of bubbles.
또한, 실험예 1 내지 실험예 3을 통하여 얻은 최적으로 조건으로 웨이퍼의 상부에 난반사 방지용 포토레지스트를 형성한 결과 기포의 수는 7개 정도로 현격하게 감소하였다.In addition, as a result of forming the anti-reflective photoresist on the wafer under the optimum conditions obtained through Experimental Examples 1 to 3, the number of bubbles was significantly reduced to about seven.
다음은, 최적의 조건을 적용하여 기포가 발생하는 수의 변화를 측정하였다.Next, the change of the number which bubble generate | occur | produced was measured by applying the optimal conditions.
실험예 4Experimental Example 4
도 6은 본 발명의 실험예 4에 따른 난반사 방지용 포토레지스트에서 발생하는 기포의 수와 노즐을 통하여 분사되는 포토레지스트 량의 관계를 도시한 도표이다.6 is a chart showing the relationship between the number of bubbles generated in the antireflection prevention photoresist according to Experimental Example 4 of the present invention and the amount of photoresist injected through the nozzle.
실험예 4에서는 펌핑 시간과 웨이퍼의 회전수는 실험예 1 내지 실험예 3에서 얻은 최적의 조건으로 고정하고, 노즐(50)을 통하여 분사되는 포토레지스트의 량만을 5~9cc의 범위에서 변화시켰다.In Experimental Example 4, the pumping time and the rotation speed of the wafer were fixed at the optimum conditions obtained in Experimental Examples 1 to 3, and only the amount of photoresist injected through the nozzle 50 was changed in the range of 5 to 9 cc.
도 6에서 보는 바와 같이, 포토레지스트의 량을 6~9cc 정도의 범위에서 변화시킨 결과 포토레지스트 내에서 발생하는 기포의 수는 8~38개의 범위에서 100 이하로 양호하게 측정되었다.As shown in FIG. 6, the number of bubbles generated in the photoresist was well measured to be 100 or less in the range of 8 to 38 as a result of changing the amount of photoresist in the range of about 6 to 9 cc.
이러한 실험예 4를 통하여 포토레지스트의 량을 포토레지스트의 량은 6~9cc의 범위에서 변화시키는 것이 적합한 것으로 나타났다.Through Experimental Example 4, it was found that it is appropriate to change the amount of photoresist in the range of 6 to 9 cc.
실험예 5Experimental Example 5
도 7은 본 발명의 실험예 5에 따른 난반사 방지용 포토레지스트에서 발생하는 기포의 수와 포토레지스트 분사시 펌핑 시간의 관계를 도시한 도표이다.FIG. 7 is a chart showing the relationship between the number of bubbles generated in the antireflective photoresist according to Experimental Example 5 of the present invention and the pumping time during photoresist injection.
실험예 5에서는 포토레지스트의 분사량과 웨이퍼의 회전수를 실험예 1내지 실험예 3에서 얻은 최적으로 조건으로 고정하고 포토레지스트 분사시 펌핑 시간을 2.5~6.5sec의 범위에서 변화시켰다.In Experimental Example 5, the injection amount of the photoresist and the rotational speed of the wafer were fixed at the optimum conditions obtained in Experimental Example 1 to Experimental Example 3, and the pumping time during the photoresist ejection was changed in the range of 2.5 to 6.5 sec.
도 7에서 보는 바와 같이, 펌핑 시간을 4~6sec의 범위에서 변화시킨 결과 8~48개의 범위에서 100개 이하로 양호하게 측정되었다.As shown in FIG. 7, the pumping time was varied in the range of 4 to 6 sec, and was well measured to 100 or less in the range of 8 to 48.
이러한 실험예 5를 통하여 펌핑 시간은 4~6sec 범위에서 변화시키는 것이 적합한 것으로 나타났다.Through Experimental Example 5, the pumping time was found to be suitable to change in the range 4 ~ 6sec.
실험예 6Experimental Example 6
도 8은 본 발명의 실험예 6에 따른 난반사 방지용 포토레지스트에서 발생하는 기포의 수와 웨이퍼의 회전수의 관계를 도시한 도표이다.8 is a chart showing the relationship between the number of bubbles generated in the antireflective photoresist according to Experimental Example 6 of the present invention and the rotational speed of the wafer.
실험예 6에서는 펌핑 시간과 분사되는 포토레지스트의 량을 실험예 1 내지 실험예 3에서 얻은 최적의 조건으로 고정하고 웨이퍼의 회전수를 200~1,00회 사이의 범위에서 변화시켰다.In Experimental Example 6, the pumping time and the amount of photoresist injected were fixed at the optimum conditions obtained in Experimental Examples 1 to 3, and the rotation speed of the wafer was changed in the range between 200 and 1,000 times.
도 8에서 보는 바와 같이, 웨이퍼의 회전수를 200~500회 범위에서 변화시키는 경우에 기포의 수는 8~48개의 범위에서 100개 이하로 양호가게 측정되었다.As shown in FIG. 8, when the rotation speed of the wafer was changed in the range of 200 to 500 times, the number of bubbles was satisfactorily measured to 100 or less in the range of 8 to 48.
이러한 실험예 6을 통하여 웨이퍼의 회전수는 200~500회의 범위에서 변화시키는 것이 적합한 것으로 나타났다.Through Experimental Example 6, it was found that the rotational speed of the wafer was appropriately changed in the range of 200 to 500 times.
이와 같이 본 발명에서는 웨이퍼의 회전수를 200~500회의 범위에서, 포토레지스트의 분사량을 6~9cc 정도의 범위에서, 펌핑 시간을 4~6sec 정도의 범위에서 코터의 공정 조건을 설정하여 웨이퍼의 상부에 난반사 방지용 포토레지스트를 코팅하는 것이 바람직하다. 이렇게 공정 조건을 설정함으로써 난반사 방지용 포토레지스트에서 발생하는 기포의 수를 최소화할 수 있으며, 이를 통하여 식각 공정에서 발생하는 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다.As described above, in the present invention, the process conditions of the coater are set in the range of 200 to 500 revolutions of the wafer, the injection amount of the photoresist in the range of about 6 to 9 cc, and the pumping time in the range of about 4 to 6 sec. It is preferable to coat the antireflective photoresist on the film. By setting the process conditions in this way it is possible to minimize the number of bubbles generated in the anti-reflective photoresist, thereby preventing damage to the wafer generated in the etching process.
Claims (1)
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| KR1019990006527A KR100283034B1 (en) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | Method of forming photoresist |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019990006527A KR100283034B1 (en) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | Method of forming photoresist |
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Family
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Family Applications (1)
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1999
- 1999-02-26 KR KR1019990006527A patent/KR100283034B1/en not_active IP Right Cessation
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| KR20000056831A (en) | 2000-09-15 |
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