KR20020077005A - 표시 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

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Abstract

전기 광학 소자를 이용한 액티브 매트릭스 표시 장치에서, 저전력이며 고화질인 표시를 얻기 위해서, 유기 EL 소자를 이용한 액티브 매트릭스 표시 장치의 화소 회로에, 주사 펄스에 동기하여 신호 배선의 신호 전압을 샘플링하는 샘플링 회로와, 기준 전압, 비교기 회로를 구비한다. 화소 회로 내에서 샘플링한 신호 전압과 기준 전압을 비교하여, 전압 관계가 반전할 때 까지의 기간을 가지고 EL 소자가 발광하는 표시 시간을 제어함으로써, 1 프레임 시간 내에서의 발광 시간을 제어한다.

Description

표시 장치 및 그 구동 방법{DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF}
본 발명은 시간 듀티를 가변하여, 계조 표시(gradation display)가 가능한 유기 EL 표시 장치, 및 액정, FED 등의 2치 표시가 가능한 표시 장치와 그 구동 방식에 관한 것이다.
액티브 매트릭스(active matrix) 방식의 유기 EL 표시 장치는 고효율, 고휘도, 고시야각의 특징을 갖는 자발광 표시 장치로서, 실용화가 진행되고 있다. 계조 구동을 실현하기 위해 화소 내에 아날로그 메모리 및 전압-전류 변환 회로를 탑재하고, 아날로그 메모리의 전압에 대응하여 유기 EL 소자 구동 전류를 제어한다.그러나, 트랜지스터의 특성의 오차가 크기 때문에, 발광 휘도의 오차가 커져, 표시 휘도가 불균일하게 되어, 화질 향상이 곤란하다. 한편, 디지털 표시 구동 방식에서 EL 소자는 화소의 스위치 트랜지스터에 의해 점등 또는 비점등 상태 중 어느 하나의 상태가 되게 제어한다.
이 기술은 JP-A-08-241048에 상세하게 기술되어, 1 TFT 및 1개의 용량으로 이루어지는 디지털 메모리를 내장하고, 이 메모리의 출력에 따라서 유기 EL의 점등/비점등을 제어하는 화소 구성이 나타나 있다. 이 방식에 의해, 화소의 점등시의 휘도 균일성은 크게 개선된다.
이 화소를 구동하기 위해서는, 1 프레임 시간 중에 복수의 서브필드 기간으로 분할하고, 1화소분의 주사후에 일정한 표시 기간을 설치하고, 각 화소의 점등/비점등을 제어하고, 이를 반복함으로써 각 화소의 계조 표시를 실현하고 있다. 이를 위해, 매트릭스가 대형화될 때에는, 배선 저항 및 배선 용량으로 이루어지는 배선 지연이 대폭 증대하며, 필요로 하는 서브필드 마다의 주사 시간이 증대하기 때문에, 표시 시간이 부족하게 된다. 표시 휘도를 높이기 위해서는, EL에 의해 발광 효율이 낮은 대전류의 동작점을 이용하지 않으면 안되고, 패널의 소비 전력의 증대로 이어지는 염려가 생긴다. 또, 대형화하고자 하면 배선 지연이 현저히 증대하고, 프레임 시간이 길어지게 되어, 깜박거림 등이 생겨 동화상 표시의 특성이 저하하게 된다.
상기 종래 기술에서는, 표시 휘도의 오차를 없애기 위해서 화소의 유기 EL소자를 2치 구동했다. 또, 계조 구동을 얻기 위해 1 프레임 시간을 복수의 서브프레임 기간으로 분할하고, 각 서브필드 기간 마다 모든 화소를 주사하고, 각 계조의 비트 구성의 2치 표시 데이터를 화소에 기입하여, 표시 기간에 계조마다에 소정의 휘도, 시간 점등시키고 있다.
그러나, 화질을 향상시키기 위해서 계조수를 증대하고자 하면 서브필드수가 증가하고, 화소의 주사 주파수가 향상한다. 예를 들면 640×480 화소의 표시 장치를 프레임 주파수 60㎐에서 비트(bit) 계조하고, 수평 블랭킹(blanking) 기간을 20%, 1서브필드 기간 중의 1/2 기간을 표시 시간으로서 표시하고자 하면, 주사 주파수는 60×480×1.2×8×2=552㎑가 되고, 1수평 주사 기간은 1.8μsec가 된다. 이것은 종래의 아날로그 구동의 주사 주파수가 36.4㎑로서, 실제로 16배의 고속 동작이 필요하다.
이 때문에, 화소부의 배선 저항, 용량에 의한 배선 지연을 아날로그 화소에 비해 대폭으로 저저항화, 저용량화할 필요가 있고, 배선막 두께나 배선층간 절연막을 두껍게 할 필요가 있다. 이점은, 수율을 저하시키는 요인이 됨과 동시에 프로세스가 복잡하게 되어 비용이 증대한다. 또, 화질을 향상시키고자 하여 고정밀화, 계조수를 증대하게 되고, 대형화하고자 하면, 더욱 주사 주파수의 증대를 초래하게 되어 고화질화, 대형화가 곤란하게 된다. 또, 주사 주파수의 증대는 회로 소비 전력의 증대의 원인이 되고, 또 신호 처리 회로의 고속화가 필요하게 되기 때문에 패널의 발열량이 증대하는 원인이 된다.
본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점을 감안하여, 고정밀의 계조 표시가 가능하며, 또 전력 손실을 저감할 수 있는 표시 장치와 그 구동 방법을 제공하는 데에 있다.
상기 목적을 달성하는 본 발명은, 화소의 표시 휘도를 균일하게 하기 위해 각 화소에서 점등/비점등을 제어하는 것으로 하여, 표시 시간을 유효하게 이용하기 위해, 종래 기술에서의 서브필드의 조합에 의한 계조 표시만이 아니라, 필드 시간에서의 점등 시간의 비율을 화소마다 제어함으로써 계조 제어를 실현한다.
이를 위해, 화소에는 표시 휘도에 대응한 아날로그의 신호 전압을 샘플링하기 위해, 트랜지스터 및 용량으로 이루어진 신호 샘플링 회로와, 샘플링한 신호 전압을 시간 경과에 따라 변화시키기 위해 시정수 회로 또는 정전류 회로를 설치하고, 샘플링한 신호 전압을 연속적으로 변화시켜, 비교의 기준으로 하여 기준 전압과의 고저 관계를 비교하기 위한 전압 비교 회로를 화소에 설치한다.
또, 제2 수단으로서, 상기 수단에 부가하여, 기준 전압을 샘플링하기 위한 기준 전압 샘플링 회로를 설치하고, 기준 전압을 시간 경과에 따라 변화시키기 위해 시정수 회로 또는 정전류 회로를 설치하고, 샘플링한 기준 전압을 연속적으로 변화시켜, 신호 샘플링 전압과의 전압의 고저 관계를 비교하기 위한 전압 비교 회로를 화소에 설치한다.
또, 제3 수단으로서, 화소에는 표시 휘도에 대응한 아날로그의 신호 전압을 샘플링하기 위해, 트랜지스터 및 용량으로 이루어진 신호 샘플링 회로와, 기준 전압을 샘플링하기 위한 기준 전압 샘플링 회로를 설치하고, 기준 전압을 샘플링한 기준 전압 콘덴서를 기준 전압과 전압 비교 회로 사이에 접속함으로써, 샘플링한시점에서의 기준 전압으로부터의 차전압과 신호 샘플링 전압을 비교하도록 접속한 화소 회로를 이용한다.
이상의 수단에 의해 점등 시간의 비율을 제어하기 위해, 구동 방식을 이하와 같이 제어한다.
제1 수단에서는, 선순차 주사 구동에 의해 주사 배선마다 선택한 화소에서 신호 전압을 샘플링하고, 선택 기간 종료 후에의 신호 전압은 시정수계 회로에 의해 시간 경과에 따라 신호를 샘플링한 용량의 단자간 전압이 저하한다. 전압 비교 회로에서는 신호 전압과 기준 전압이 비교되고, 고저 관계가 반전하면 출력 단자인 제어 전압이 변화한다. 제어 전압에 의해 EL 구동 회로는 주회로가 개폐하여, 화소의 유기 EL 소자는 주회로가 폐쇄되어 있는 기간 만큼 점등한다.
제2 수단에서는, 선순차 주사(line sequential scan) 구동에 의해 주사 배선마다 선택한 화소에서 신호 전압 및 기준 전압을 샘플링하고, 선택 기간 종료 후의 샘플링한 기준 전압은 시정수 회로에 의해 시간 경과에 따라 샘플링한 용량의 단자간 전압이 저하한다. 전압 비교 회로에서는 신호 전압과 기준 전압이 비교되어, 고저 관계가 반전하면 출력 단자인 제어 전압이 변화한다. 제어 전압에 의해 EL 구동 회로는 주회로가 개폐되어, 화소의 유기 EL 소자는 주회로가 폐쇄되어 있는 기간 만큼 점등한다.
제3 수단에서는, 선순차 주사 구동에 의해 주사 배선마다 선택한 화소에서 신호 전압 및 기준 전압을 샘플링하고, 선택 기간 종료후의 샘플링한 기준 전압은 샘플링한 단자간 전압을 기준 전압 배선과 전압 비교 회로의 입력 단자 사이에 삽입한다. 이 때 전압 비교 회로에 대해 극성이 반전하도록 접속되어 있기 때문에 선택 기간 종료 직후의 전압 비교 회로의 기준 전압 입력 단자 전압인 상대 기준 전압은 거의 0이 되어 있다. 그 후는 기준 전압 배선의 전압 변화에 따라 입력에서 전압이 상대적으로 변화한다. 전압 비교 회로에서는 신호 전압과 상대 기준 전압이 비교되어, 고저 관계가 반전하면 출력 단자인 제어 전압이 변화한다. 제어 전압에 의해 EL 구동 회로는 주회로가 폐쇄되어, 화소의 유기 EL 소자는 주회로가 폐쇄되어 있는 기간만 점등한다.
본 발명에 의하면, 유기 EL을 이용하여, 비교기 회로가 내장된 화소 구성으로 함으로써, 화소마다 발광 시간을 제어할 수 있기 때문에 화소 회로를 구성하는 트랜지스터의 극성이 변동해도 휘도의 오차가 적고, 고정밀도의 계조 표시가 가능하여 양호한 표시를 제공할 수 있다. 또, 화소에서의 소비 전력은 OLED의 점등/비점등 상태에 의존하기 때문에, 트랜지스터에서의 드레인 전력 손실을 저감할 수 있고, 고효율의 표시가 실현 가능하여, 저전력의 표시 장치를 제공할 수 있다.
또, 비교기를 이용한 회로 구성으로서, 화소 내에 시정수 회로를 이용함으로써 회로 구성을 간략하게 하여 구성할 수 있다. 이 때문에 화소의 부품 개수가 적어지고, 고정밀의 표시가 가능하게 된다. 또, 외부로부터 삼각파를 인가하여, 화소에 보유하는 전압과 비교하는 방식에 의해 발광 시간을 제어하는 구성에서는, 정밀도 양호하게 발광 시간 제어가 가능하여, 다계조화(multi-level gradation)에 유리하게 된다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 의한 화소부 회로의 구성도.
도 2는 실시예 1의 화소부의 구동 파형도.
도 3은 실시예 2에 의한 시정수 회로를 갖는 화소부 회로의 구성도.
도 4는 실시예 2의 화소부의 구동 파형도.
도 5는 실시예 3에 의한 방전용 TFT를 갖는 화소부 회로의 구성도.
도 6은 TFT의 정전류 특성도.
도 7은 실시예 4에 의한 기준 전압 방전 회로를 갖는 화소부 회로의 구성도.
도 8은 실시예 3의 화소부의 구동 파형도.
도 9는 실시예 5에 의한 1 TFT 비교기 회로를 갖는 화소부 회로의 구성도.
도 10은 실시예 6에 의한 2 TFT 비교기 회로를 갖는 화소부 회로의 구성도.
도 11은 실시예 6의 화소부의 구동 파형도.
도 12는 인가 전압과 발광 시간의 관계를 나타내는 특성도.
도 13은 실시예 7에 의한 영상 신호와 발광 시간의 관계를 나타내는 특성도.
도 14는 실시예 7에 의한 표시 장치를 나타내는 구성도.
<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>
1 : 신호 샘플링 회로
2 : 신호 샘플링 TFT
3 : 신호 전압 샘플링 커패시터
4 : 비교기
5 : OLED 드라이버 트랜지스터
6 : OLED
7 : 신호 배선
8 : 주사 배선
9 : 기준 전압 배선
10 : 공통 배선
11 : OLED 전원 배선
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
<제1 실시예>
도 1은 실시예 1에 의한 표시 장치의 화소 회로의 기본 구성을 나타낸다. 화소 회로에는, 신호 전압 샘플링 커패시터(3)와, 신호 샘플링 TFT(2)로 구성되고, 신호 전압을 샘플링하는 신호 샘플링 회로(1), 비교기(4), 기준 전압 배선(9), OLED 구동 회로인 OLED 전원 배선(11), OLED 드라이버 트랜지스터(5), OLED(6), 도시하지 않은 OLED 공통 전극(12), 및 샘플링 동작을 제어하는 주사 배선(8), 영상 신호를 공급하는 신호 배선(7), 그라운드 전위를 공급하는 공통 배선(10)으로 구성된다. 표시 장치는 이 화소 회로를 매트릭스 형상으로 배치하여 구성된다.
도 2는 본 화소의 구동 파형을 나타낸다. 주사 배선(8)에 인가하는 주사 전압은 주사 배선마다 위에서 순차 아래 방향으로 선택 상태가 되면, 샘플링 회로(1)에서는 신호 배선(7)을 거쳐 공급하는 신호 전압을 샘플링 커패시터(3)에 접속하여, 메모리 전압으로 충전한다. 메모리 전압은 다음에 주사 전압이 선택 상태가 될 때 까지 그 전압을 유지한다. 1화소분의 주사 기간이 종료한 후에, 표시 기간을 취하여, 기준 전압 배선(9)에는 도시한 바와 같은 짤린 파형을 인가한다. 비교기(4)에서는 입력 단자의 어느 전압이 커지는가에 따라 출력 단자 전압이 변화한다. 본 회로에서는 입력 단자에는 샘플링 회로(1)의 메모리 전압이 인가되고, 다른 쪽에는 기준 전압 배선이 접속되어 있다. 메모리 전압은 전압에 따라 1 프레임 기간 내는 일정한 전압을 유지하고, 기준 전압은 표시 기간 중에 변화하기 때문에, 신호 전압 범위를 기준 전압 범위 내에서 변화시킴으로써, 표시 기간 내의 임의의타이밍에서 기준 전압과 메모리 전압의 고저 관계가 반전한다.
이에 의해 표시 기간 내의 임의의 시간 만큼만 비교기의 출력 펄스를 발생시키는 일이 생긴다. 비교기의 출력에는 OLED 구동 회로(5)가 접속되어 있고, 비교기의 출력 전압이 높은 기간은 OLED 드라이버 트랜지스터가 도통하고, OLED 드라이버 트랜지스터에 의해 OLED는 점등하기 때문에 표시 기간 중에 임의의 시간만 OLED가 발광하도록 제어할 수 있어, 계조 표시를 행할 수 있다. 이 방식에 의하면 회로 구성은 간단하고, 모든 화소 구동 회로의 제어에 TFT를 이용하여 구성하면, 글래스 기판 상에 표시 장치를 내장할 수 있다. 또, Si 웨이퍼 상에 본 회로를 형성하면, 글래스 기판 상에 형성하는 TFT에 비해 미세 가공이 가능하기 때문에, 발광형인 소형, 고정밀 펄스를 실현할 수 있는 이점이 있다.
<제2 실시예>
다음에, 도 3을 이용하여 제2 실시예를 설명한다. 본 실시예는 화소 내의 신호 전압 샘플링 회로에 시정수 회로를 설치하고, 메모리 전압 파형을 시간 경과에 따라 변화시킴으로써 발광 시간을 제어하여, 계조 제어를 실현한 것이다. 시정수 부착 신호 샘플링 회로(20)는 신호 샘플링 커패시터(3)와, 시정수 저항(21)으로 구성되고, 시정수 저항(21)은 신호 전압 샘플링 커패시터(3)와 병렬로 접속되어 있다.
도 4에 구동 파형을 나타낸다. 회로의 시정수는 프레임 시간인 16m초 정도로서, 화소 내부에 이용하는 용량은 SiO2게이트 절면막이 100㎚이면, 0.345Ff/㎛2이기 때문에, 200㎛각의 에어리어(area)에서는 13pF, 저항으로 1.3G Ohm(옴) 정도의 고저항이 필요하기 때문에, Si을 이용한 저항이 적합하다.
이 화소 회로 방식에는, 시정수 회로가 내장되어 있기 때문에 샘플링한 메모리 전압이 선택 기간 종료 후에 방전하기 때문에, 메모리 전압은 지수적으로 저하하고, 기준 전압 이하가 되면 비교기 출력이 반전하기 때문에 OLED는 주사시에 점등하고, 임의의 시간이 경과하면 소등된다.
따라서, 각 화소에서 신호 전압에 따른 발광 시간 제어가 가능하다. 표시 기간은 각 주사선 마다 주사 펄스 인가와 동시에 발광하고, 주사의 타이밍을 기준으로 하여 1 프레임 시간 내의 임의의 발광 시간 제어가 가능하다. 이 점은 실시예 1과 크게 다르게, 프레임 시간 모두를 발광 시간으로 채울 수가 있다.
이에 반하여, 실시예 1에서는 프레임 기간 중에 각 화소에 신호 전압을 기입하는 선택 시간과, 발광 표시하기 위한 표시 기간으로 분할되어 있다. 표시 휘도는 시간 평균 휘도가 되기 때문에 동일한 명도를 얻기 위해서는, 선택 시간과 발광시간의 비율 만큼만 고휘도로 발광시킬 필요가 있다. 그만큼, OLED 소자에는 많은 전류를 인가할 필요가 있다.
이와 같이, 제2 실시예에 의해, 저전력화, 장수명화가 가능하게 된다. 또, 지금 까지의 설명에서는 주사 전압이 인가될 때 발광을 개시하기 때문에, 완전히 「흑」 데이터를 표시할 때에는 신호 전압은 기준 전압보다 낮게 설정함으로써 완전히 발광하지 않도록 구동할 수 있어, 콘트라스트비를 높게 할 수가 있다. 또, 가장 휘도를 높게 표시할 때에는 신호 전압을 높게 하고, 1 프레임 기간 경과한 후에도 메모리 전압을 기준 전압 이상이 되도록 신호 전압을 설정함으로써, 화소는 항상 점등하기 때문에 휘도가 높아진다.
또한, CRT로 미소 면적부에서 고휘도를 표시할 때에 얻어지는, 소위 피크 휘도 표시에 대응하여 특정 부분의 휘도를 높이기 때문에, 영상에 고저를 표시할 수가 있다. 또, OLED 전원 배선은 주사선 마다 분할하여 구동하고 있기 때문에, 프레임 기간의 일부분만의 OLED 구동 전압을 높게 설정하는 것에 의해서도 피크 휘도를 표시할 수 있다. 이 경우는 특히, OLED 구동 전압으로서 각 주사선 마다 타이밍을 변경시켜 전압을 변화하는 파형을 인가함으로써 실현할 수 있다.
<제3 실시예>
다음에, 도 5를 이용하여 제3 실시예를 설명한다. 제2 실시예에 비해, 메모리 전압을 방전하기 위한 방전용 트랜지스터(32)와, 방전 제어 전압(33)이 가해지고 있다. 화소 선택 기간 종료 후에 방전 제어 전압을 인가함으로써, 방전용 트랜지스터를 거쳐 신호 전압을 메모리 커패시터에 충전한 전하가 방전하여, 메모리 전압을 변화시킨다.
또, 도 6에 나타낸 바와 같이, 트랜지스터의 드레인 전압은 비포화 영역에서, 드레인 전압에 의존하지 않고 정전류 특성을 나타내기 때문에, 선형성이 높은 전압-시간 변환이 가능하게 된다. 비교기와의 접속시에는, 신호 전압이 기준 전압보다 높은 경우 OLED가 점등하도록 접속되는 것이 좋다. 또, 방전용과 트랜지스터를 TFT로 구성하는 경우는, 트랜지스터를 직렬로 접속하거나, 게이트 폭 보다 게이트 길이가 긴 트랜지스터로 함으로써 오프시의 전류를 내리기 때문에, 프레임 시간만큼 긴 방전 시정수를 얻을 수가 있다.
<제4 실시예>
다음에 도 7을 이용하여 제4 실시예를 설명한다. 본 실시예의 특징은 기준 전압에 시정수 회로를 접속하고, 주사 펄스에 의해 용량을 방전함으로써 시간 변화 파형을 발생시키고, 샘플링한 신호 전압과 순차 전압을 비교함으로써 발광 시간을 제어하는 데에 있다. 이를 위해, 기준 전압 배선(11) 및 그라운드 배선(10) 사이에 저항(51)과 커패시터(52)로 이루어진 시정수 회로(50)를 설치하고, 커패시터에 병렬로 방전용 트랜지스터(53)를 설치하고, 게이트를 주사 배선(8)에 접속한다.
도 8에 구동 파형을 나타낸다. 시정수 회로(50)의 콘덴서의 전압인 비교 입력 전압은 주사 펄스가 인가되면 그라운드 전위로 리세트되고, 비교기의 출력이 리세트된다. 펄스가 종료하는 동시에, 저항을 거쳐 기준 전압이 인가되기 때문에 전압이 상승한다. 이 전압과 신호 전압이 비교기에 접속되어 있고, 비교 전압이 메모리 전압인 Vm을 초과한 시점에서 비교기의 출력이 변화한다.
OLED는 비교기의 출력이 리세트되어 있는 기간만 발광하도록 제어되기 때문에, 도면과 같이 주사 펄스 인가와 동시에 발광하고, 프레임 시간 내의 임의의 시간에 소등할 수 있다. 또, 주사 기간에 발광을 정지시키기 위해서는, OLED 전원 전압을 최저 주사 선택 기간 보다 길고, 발광 임계치 이하로 내림으로써 불필요한 발광을 억제할 수 있다.
<제5 실시예>
제5 실시예를 도 9에 나타낸다. 본 실시예의 특징은 유지 기간 중의 메모리전압을 변화시키기 위해서, 신호 전압 메모리 용량에 병렬로 시정수 회로를 접속하고, 하나의 트랜지스터로 이루어진 비교기 회로(80)를 이용한 것이다.
본 실시예에서는 비교기 트랜지스터(83)의 게이트 전극과 소스 전극을 입력 단자로 이용하기 때문에, 각각 메모리 전압과 기준 전압 배선에 접속한다. 드레인 단자로부터는 부하 저항(81)을 거쳐 OLED 전원 배선(11)에 접속한다. 비교기 트랜지스터는 게이트 전압이 드레인 전압보다 높아지면 온 상태가 되고, 출력 단자(82)는 기준 전압이 된다. 또, 게이트 전압이 소스 전압보다 낮은 경우에는 오프 상태가 되기 때문에 출력 단자는 OLED 전원 전압이 되어, 비교기 기능을 갖는다. 이 실시예의 접속에서는 메모리 전압이 기준 전압보다 높은 경우 비교기 출력은 기준 전위가 되고, OLED 드라이버 트랜지스터가 온 상태가 되어 점등한다.
이 회로에서는 메모리 전압의 입력 단자로서 고임피던스의 트랜지스터의 게이트 단자를 이용함으로써, 고임피던스의 샘플링 회로의 출력을 전압 변동 없이 공급할 수 있는 이점이 있다. 또, 드레인 단자에는 저항이 접속되어 있기 때문에 OLED 전원 전압이 변화하여도, 임계 특성에 미치는 영향이 적다. 게다가, 게이트 단자와 메모리 전압 사이에 MOS 다이오드를 직렬로 접속함으로써, 트랜지스터의 임계치 전압을 보정할 수 있기 때문에 비교기의 정밀도가 향상한다. 이것은 비교기의 도통은 트랜지스터의 VGS에 의해 제어되고, VGS>Vth인 임계치 Vth 이상의 전압에 의해, 트랜지스터의 도통이 제어되기 때문으로, MOS 다이오드를 삽입함으로써 게이트 단자에는 Vth 상당의 전압을 바이어스하여 인가할 수 있다.
또, 드레인 단자에 접속한 저항은 부하 저항으로, 저항치가 높으면 비교기의감도가 높다. 이것은 회로의 진폭도가 부하 저항에 의존하고 있고, 고저항이 되는 만큼 게이트와 소스의 전위차에 의한 드레인 전류의 변화를 큰 전압치로서 공급하기 때문이다. 저항을 구성하기 위해서는 금속박막이나 Si를 이용할 수 있지만, 불순물 농도가 낮은 Si막이 적합하다.
더욱이는, 저항만이 아니라 다이오드를 접속함으로써 동일한 효과를 얻을 수 있다. 다이오드를 구성하기 위해서는 트랜지스터의 다이오드와 게이트를 접속한 소자나, i층을 거쳐 p형 n형 반도체를 접속한 pin 다이오드가 좋다. 이들의 소자는 TFT 프로세스로 형성할 수 있으며, 전압 전류 특성이 비선형제를 갖고 있고, 이 저항치는 10M 옴 이상으로 높아(도핑한 실리콘 박막은 겨우 수 k옴), 감도가 높은 비교기를 형성할 수 있다.
<제6 실시예>
다음에, 도 10을 이용하여 실시예 6을 설명한다. 본 실시예의 특징은 비교기 회로(79)로서 인버터 회로를 기본 구성으로 하여 이용하고 있고, 트랜지스터 특성 등의 오차에 기인하는 입출력 특성의 오차를 보상할 목적으로, 입출력 단자간을 단락하는 초기화 수단, 즉 리세트 구성을 설치하고 있는 점이다. 또 하나의 특징은 인버터가 리세트된 상태의 출력 전압과 동일한 입력 전압을 비교기의 임계치 전압으로 기억시키는 리세트 전압 샘플링 회로(80)를 갖는 점에 있다.
비교기 회로(79)는 한 쌍의 CMOS 트랜지스터로 이루어지는 인버터 회로(75)와, 인버터 회로의 입력 단자와 출력 단자를 접속하는 초기 설정 트랜지스터(74)로 구성된다. 인버터 회로(75)의 리세트 상태에서, 동일한 전압 관계에 있는 입출력전압을 샘플링하는 리세트 전압 샘플링 회로(80)는 인버터의 입력 전압을 샘플링하기 위해서, 레퍼런스 전압 유지 용량(71)과 인버터 입력 단자와 레퍼런스 전압 유지 용량 사이에 주회로를 접속한 리세트 트랜지스터(72)와, 레퍼런스 기준 유지 용량(71)과, 신호 전압 샘플링 커패시터(3)의 일단에 접속되어 있는 직렬 제어 트랜지스터(73)로 구성된다.
신호 전압 메모리 회로는, 신호 전압 샘플링 커패시터(3)의 일단에 주회로를 접속한 입력 스위치 트랜지스터(77)와, 신호 전압 샘플링 커패시터(3)의 타단과 1 공통 배선(10)의 사이에 접속한 공통 스위치 트랜지스터(76)가 접속되어 있다.
초기 설정 트랜지스터(74), 리세트 트랜지스터(72), 입력 스위치 트랜지스터(77), 공통 스위치 트랜지스터(76), 직렬 제어 트랜지스터(73)의 게이트 단자는 공통으로 주사 배선(8)에 접속되어 있고, 입력 스위치 트랜지스터(77)는 p형 트랜지스터이고 다른 트랜지스터는 n형 구성으로 되어 있다.
또한, 비교기의 출력 단자는 p형의 OLED 드라이버 트랜지스터(5)에 접속되어, OLED(6)를 구동하고 있다. 인버터의 전원은 인버터 전원 배선(70)에 접속되어 있는 OLED 구동 전원과 분리하여 비교기를 구동하고 있어, 비교기의 임계치가 안정된다.
이 회로의 동작에 대해서, 도 11의 화소 구동 파형을 이용하여 설명한다. 주사선에 선택 펄스가 인가되면 초기 설정 트랜지스터(74)가 도통 상태가 되어 인버터(75)의 입력 단자와 출력 단자 사이를 단락한다. 그러면, 회로의 입출력 특성 곡선 상에서, 입력 전압=출력 전압을 나타내는 교점의 전압치인 리세트 전압에서안정적이다. 여기에서는, Vref로 나타내고 있다. 이 초기화 전압은 온 상태의 리세트 트랜지스터(72)를 거쳐 레퍼런스 전압 유지 용량(71)을 충전하기 때문에, 레퍼런스 전압 유지 용량의 트랜지스터값의 전극 전압도 도면에 도시한대로 Vref로 충전된다. 또 신호 전압 샘플링 회로에서는 공통 스위치 트랜지스터(76)가 온 상태이기 때문에, 도면중에서 Vsig로 나타낸 신호 전압이 신호 전압 샘플링 용량으로 기입되어 유지된다.
다음에 화소의 선택 시간이 종료하면 초기 설정 트랜지스터(74), 리세트 트랜지스터(72), 입력 스위치 트랜지스터(77), 공통 스위치 트랜지스터(76)는 오프 상태가 되어, 직렬 제어 트랜지스터(74)가 도통된다. 그 결과, 레퍼런스 전압 유지 용량(71)과, 신호 전압 샘플링 콘덴서(3)가 직렬 접속이 되고, 각각의 용량에 충전되어 전압이 가산되어 비교기의 입력 단자에 접속된다. 이 때, 비교기의 입력 전압은 도면에 나타낸 바와 같이 Vref+Vsig의 값을 나타낸다. 입력 전압은 인버터의 임계 전압을 초과한 값이 되기 때문에 비교기의 출력은 「L」 레벨이 된다. 이 때 OLED 드라이버 트랜지스터가 도통하여, EL 소자가 점등한다.
신호 전압은 시정수 저항(21)에 의해 방전하기 때문에, 다음에 전압이 공통 전압을 향하여 저하한다. 그 결과, 전압이 저하하여 리세트 전압인 도면 내의 Vref의 값보다 낮아지면, 인버터 출력은 반전하기 때문에 「L」에서 「H」 상태로 변화하여 OLED를 소등한다. 점등에서 소등 까지의 시간은 Vsig의 값에 의해 제어할 수 있기 때문에 계조 표시가 가능하다.
이 방식에 의하면, 트랜지스터의 임계치가 화소마다 변화하여도, 화소마다적정한 리세트 전압을 발생시키기 때문에, 비교기 회로의 임계치가 항상 일정한 값이 된다. 또, 온도가 변화하거나, 경시 변화(secular change)에 의해 소자 특성이 변화하여도, 항상 최적의 리세트 전압을 얻을 수가 있는 이점이 있다. 이상에 의해, 항상 화면 전역에서 올바른 계조 표시가 얻어진다.
<실시예 7>
이상 설명한 화소 회로를 이용하여 표시 장치를 구성할 때에는, 영상 신호에 비례하여 발광 시간을 제어할 필요가 있다. 텔레비젼 등에 이용되는 아날로그 영상 신호에는, CRT의 형광체에 맞춘 감마 함수가 곱해져 있다. 또, 본 발명의 화소 회로에서는 CR 등의 시정수 회로를 사용하고 있으므로, 인가 전압과 발광 시간은 비례하지 않는다. 이 때문에, 영상 신호를 단순히 증폭, 시프트하는 것만으로는, 도 12에 나타낸 바와 같이 비례 관계에 있는 신호 전압 Vsig1, Vsig2, Vsig3를 입력해도, 발광 시간은 비례하지 않는다. 여기에서, 비선형의 관계에 있는 영상 신호 변환 회로를 거쳐, 입력된 영상 신호를 변환 신호 전압으로 변환하여, 상기 각 실시예에서 설명한 화소 회로에 인가한다.
구체적인 신호 처리를 설명한다. 신호 전압을 Vsig, 비교기의 임계 전압을 Vref로 하면, 용량 C, 저항 R에 의한 시정수 회로를 포함하는 화소의 샘플링 회로의 용량의 시간 t후의 전압 Vmem은 수학식 1과 같이 된다.
이 Vmem이 Vref가 될 때 까지의 시간 tse1은 수학식 2에 대해 푸는 것으로얻어진다.
즉, 화소 내에서의 메모리 전압의 시간 함수에 대한 역함수에 대응하는 비선형 변환에 의해 얻어진다. Vsig와 t가 비례 관계가 되도록 Vsig를 변환한다. 이에 의해, 도 13에 나타낸 바와 같이, 영상 신호와 발광 시간 t가 비례하여, 정확한 계조 표시가 얻어진다. 이 변환은 비선형 회로에 의해 대응하는 것이 가능하다. 상세하게는, 수학식 2의 대수를 취한 수학식 3으로부터 얻어진다.
따라서, 입력 신호 전압 Vsig에 미리 지수 함수를 걸어, Vdrv=exp(Vsig)이도록 변환하면, 수학식 3의 t가 Vsig에 비례하는 함수가 된다. 또, Vref를 0V로 하면, 더욱 오차를 적게 할 수 있다.
도 14에, 이상과 같이 신호 처리하는 회로를 조립한 영상 신호 변환 회로(122)를 포함하는 표시 장치의 구성을 나타낸다. 화소 표시부(26)에는 주사선에 접속한 시프트 레지스터 회로(125), 신호 배선에 접속한 샘플 홀드 회로(124), 시리얼-패러랠(serial-parallel) 신호 변환에 필요한 시프트 레지스터 회로(123)가 도시한 바와 같이 배치되어 있다. 영상 신호 변환 회로(122)는 외부로부터 입력되는 영상 신호(128)를 처리하여, 샘플 홀드 회로(124)를 거쳐, 상술한 화소 표시부에 인가된다. 또, 이들 펄스는 전원 회로에 의해 필요한 전원을 얻을 수 있다.
이에 의하면, 개별의 화소의 트랜지스터 특성에 오차가 생겨도, 화소 회로에서 동일한 신호 전압에 대해 동일하게 발광 특성을 얻을 수가 있다. 또, 새로이 부가된 영상 신호 변환 회로에 의해, 표시 장치에 입력된 영상 신호에 비례한 표시가 얻어지기 때문에, 전체적으로 균일하고 정확한 계조 표시를 얻을 수 있다.

Claims (25)

  1. 복수의 주사 배선과, 서로 교차하는 복수의 신호 배선에 의해 둘러싸인 화소와, 기준 전압 배선에 의해 상기 화소에 기준 전압이 인가된 표시 장치에 있어서,
    상기 화소에는 샘플링 회로와 전압 비교 회로와 전기 광학 소자 구동 회로가 배치되어 있고,
    상기 샘플링 회로는 상기 신호 배선의 신호 전압을 샘플링 전압으로서 취하는 샘플링 동작이 상기 주사 배선의 전압에 의해 제어되고 있고,
    상기 전압 비교 회로는, 상기 기준 전압과 상기 샘플링 전압을 비교하여, 양자의 전압의 고저 상태에 의해 제어 출력이 변화하고,
    상기 전기 광학 소자 구동 회로는 그 제어 전압에 의해 전기 광학 소자의 점등 및 비점등 상태를 2치 제어하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광학 소자로서, 유기 일렉트로루미네슨스 소자를 이용하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 표시 장치에 있어서,
    복수의 주사 배선과, 서로 교차하는 복수의 신호 배선에 의해 둘러싸인 화소에는, 샘플링 회로, 전기 비교 회로, 기준 전기 배선 및 유기 EL 구동 회로가 배치되어 있고,
    상기 샘플링 회로는, 상기 신호 배선의 신호 전압을 샘플링 전압으로서 취하는 샘플링 동작이 주사 배선의 전압에 의해 제어되고 있고,
    상기 전압 비교 회로는 기준 전압과 상기 샘플링 전압을 비교하여, 상기 샘플링 전압 또는 상기 기준 전압이 시간 경과에 따라 변화함으로써 양자의 전압의 고저 상태가 반전하면, 제어 출력이 변화하고,
    상기 유기 EL 구동 회로는 제어 전압에 의해 유기 EL 소자의 점등 및 비점등 상태를 2치 제어하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전압 비교 회로로서 차동 입력 회로를 이용하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서, 능동 소자로서 박막 트랜지스터를 이용하고, 상기 전압 비교 회로의 복수의 입력부에는 상기 샘플링 전압과 상기 기준 전압 중 적어도 하나의 입력 단자가 상기 샘플링 전압과 상기 기준 전압에 전압차를 발생시키는 전압 보정 회로를 거쳐 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 전압 보정 회로는 용량과 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 표시 장치에 있어서,
    복수의 주사 배선과, 상호 교차하는 복수의 신호 배선에 의해 둘러싸인 화소에는, 샘플링 회로, 전압 비교 회로, 기준 전압 배선 및 유기 EL 구동 회로가 배치되어 있고,
    상기 샘플링 회로는 상기 신호 배선의 신호 전압을 샘플링 전압으로서 취하는 샘플링 동작이 주사 배선의 전압에 의해 제어되고 있고,
    상기 샘플링 전압이 시간 경과에 따라 기준 전압에 가까워지도록 변화시키는 샘플링 전압 처리 회로를 포함하고,
    상기 전압 비교 회로는 상기 기준 전압과 상기 샘플링 전압을 비교하여, 양자의 전압의 고저 상태가 반전하면 제어 출력이 변화하고,
    상기 유기 EL 구동 회로는 제어 전압에 의해 유기 EL 소자의 점등 및 비점등 상태를 2치 제어하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 샘플링 회로는 적어도 하나의 샘플링 트랜지스터 및 하나의 샘플링 용량을 포함하고 있고,
    상기 샘플링 트랜지스터는 상기 주사 배선, 상기 신호 배선 및 상기 샘플링 용량에 접속되어 있고,
    상기 샘플링 전압 처리 회로는 샘플링 용량을 포함하는 하나 이상의 용량과 하나 이상의 저항을 포함하고, 상기 샘플링 용량에 보유된 전하량을 시간 경과에 따라 변화시키는 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 샘플링 회로는 적어도 하나의 샘플링 트랜지스터 및 하나의 샘플링 용량을 포함하고 있고,
    상기 샘플링 트랜지스터는 상기 주사 배선, 상기 신호 배선 및 샘플링 용량에 접속되어 있고,
    상기 샘플링 전압 처리 회로는 샘플링 용량을 포함하는 하나 이상의 용량과 저항 및 트랜지스터를 포함하는 전류 제어 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 복수의 주사 배선과, 상호 교차하는 복수의 신호 배선에 의해 둘러싸인 화소에는, 샘플링 회로, 전압 비교 회로, 기준 전압 배선 및 유기 EL 구동 회로가 배치된 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
    상기 샘플링 회로는, 상기 신호 배선의 신호 전압을 샘플링 전압으로서 취하는 샘플링 동작이 주사 배선의 전압에 의해 제어되고 있고,
    상기 전압 비교 회로는 기준 전압과 상기 샘플링 전압을 비교하여, 양자의 전압의 고저 상태가 반전하면 제어 출력이 변화되고,
    상기 유기 EL 구동 회로는 그 제어 전압에 의해 유기 EL 소자의 점등 및 비점등 상태를 2치 제어하고,
    또한 상기 기준 전압은 주기 마다 시간 경과에 따라 변화하고, 샘플링 전압과 전압의 고저가 주기내에서 반전하도록 설정되어 있고, 주기 시작 부터 반전시 까지 또는 반전시부터 다음 주기까지의 기간, 상기 유기 EL 소자를 점등시킴으로써 주기중의 점등 시간을 제어하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 구동 방법.
  11. 표시 장치에 있어서,
    복수의 주사 배선과, 상호 교차하는 복수의 신호 배선에 의해 둘러싸인 화소에는, 신호 샘플링 회로, 기준 전압 샘플링 회로, 전압 비교 회로, 기준 전압 배선 및 유기 EL 구동 회로가 배치되어 있고,
    상기 신호 샘플링 회로는 상기 신호 배선의 신호 전압을 신호 샘플링 전압으로서 취하는 신호 샘플링 동작이 상기 주사 배선의 전압에 의해 제어되고 있고,
    상기 기준 전압 샘플링 회로는 상기 기준 전압 배선의 기준치를 기준 샘플링 전압으로서 샘플링하고, 기준 전압 처리 회로를 거쳐 화소 기준 전압으로 변환하여 전압 비교 회로에 접속되어 있고,
    상기 전압 비교 회로는 상기 기준 샘플링 전압과 상기 화소 기준 전압을 비교하여 양자의 전압의 고저 상태가 반전하면, 제어 출력이 변화하고,
    상기 유기 EL 구동 회로는 제어 전압에 의해 유기 EL 소자의 점등 및 비점등 상태를 2치 제어하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 기준 전압 처리 회로는 기준 전압의 극성을 반전하여, 상기 기준 전압과의 합 전압을 연산하는 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 기준 전압 처리 회로는 용량과 트랜지스터를 포함하는 샘플링 회로를 포함하고, 상기 트랜지스터의 주회로에는 상기 기준 전압 배선과, 기준 전압 샘플링 용량이 접속되고, 기준 전압을 샘플링한 후, 상기 기준 전압 배선과 상기 전압 비교 회로의 입력부에 직렬로 삽입함으로써, 이들의 합 전압을 연산하는 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 복수의 주사 배선과, 상호 교차하는 복수의 신호 배선에 의해 둘러싸인 화소에는, 신호 샘플링 회로, 전압 비교 회로, 기준 전압 샘플링 회로, 전압 비교 회로, 기준 전압 배선 및 유기 EL 구동 회로가 배치되어 있고,
    상기 신호 샘플링 회로는 상기 신호 배선의 신호 전압을 신호 샘플링 전압으로서 취하는 신호 샘플링 동작이 상기 주사 배선의 전압에 의해 제어되고 있고,
    상기 기준 전압 샘플링 회로는 상기 기준 전압 배선의 기준치를 기준 전압으로서 샘플링하고, 기준 전압 처리 회로를 거쳐 화소 기준 전압으로 변환하여 상기 전압 비교 회로에 접속되어 있고,
    상기 기준 전압 처리 회로는 기준 샘플링 전압을 상기 신호 샘플링 전압과 전압의 고저가 반전하도록 시간 경과에 따라 변화시키는 기능을 갖고 있고,
    상기 전압 비교 회로는 기준 샘플링 전압과 상기 화소 기준 전압을 비교하여 양자의 전압의 고저 상태가 반전하면, 제어 출력이 변화하고,
    상기 유기 EL 구동 회로는 제어 전압에 의해 유기 EL 소자의 점등 및 비점등 상태를 2치 제어하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 기준 전압 처리 회로는 기준 전압 샘플링 용량을 포함하는 하나 이상의 용량과, 하나 이상의 저항을 포함하고 상기 기준 전압 샘플링 용량에 보유된 전하량을 시간 경과에 따라 변화시키는 회로, 또는 샘플링 용량을 포함하는 하나 이상의 용량, 저항 및 트랜지스터를 포함하는 전류 제어 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 복수의 주사 배선과, 상호 교차하는 복수의 신호 배선에 의해 둘러싸인 화소에는, 샘플링 회로, 전압 비교 회로, 기준 전압 배선 및 유기 EL 구동 회로가 배치된 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
    상기 표시 장치에 제11항에 기재된 표시 장치를 이용하고,
    상기 화소 기준 전압은 주기 마다 시간 경과에 따라 변화하고, 신호 샘플링 전압과 전압의 고저가 주기내에서 반전하도록 설정되어 있고, 주기는 시작부터 반전시까지, 또는 반전시부터 다음 주기까지의 기간동안, 상기 유기 EL 소자를 점등시키고, 주기 중의 점등 시간을 제어함으로써 표시 휘도를 제어하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 구동 방법.
  17. 복수의 주사 배선과, 상호 교차하는 복수의 신호 배선에 의해 둘러싸인 화소에는, 샘플링 회로, 전압 비교 회로, 기준 전압 배선 및 유기 EL 구동 회로가 배치된 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
    상기 표시 장치에 제3항에 기재된 표시 장치를 이용하고,
    상기 샘플링 전압은 시간 경과에 따라 변화하고, 상기 샘플링 전압과 상기 신호 샘플링 전압의 고저가 반전하도록 설정되어 있고,
    상기 주사 배선에 의해 주기적으로 샘플링이 반복함으로써, 주기는 시작부터 반전시 까지, 또는 반전시부터 다음 주기 까지의 기간동안, 상기 유기 EL 소자를 점등시켜, 주기 중의 점등 시간을 제어함으로써 표시 휘도를 제어하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 구동 방법.
  18. 제1항에 있어서, 상기 전압 비교 회로는 인버터 회로와, 상기 인버터 회로의 출력과 입력 단자를 단락시키는 초기화 수단과, 상기 단락시의 출력 전압을 유지하여, 상기 샘플링 전압과 중첩시키는 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제1항에 있어서, 상기 전압 비교 회로는 반전 증폭 회로와, 상기 반전 증폭 회로의 출력과 입력 단자를 단락시키는 초기화 수단과, 상기 단락시의 출력 전압을 유지하여, 상기 샘플링 전압과 중첩시키는 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제1항에 있어서, 상기 전압 비교 회로는 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하고, 입력 단자로서 게이트 단자 및 소스 단자를 이용하고, 한 쪽의 단자에 상기 샘플링 전압 또는 신호 샘플링 전압을 접속하고, 다른 쪽에 상기 기준 전압 또는 상기 화소 기준 전압을 접속하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  21. 제1항에 있어서, 상기 전압 비교 회로는 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하고, 입력 단자로서 게이트 단자 및 소스 단자를 이용하고, 상기 게이트 단자에는 상기 신호 샘플링 전압을 접속하고, 상기 소스 단자에는 상기 기준 전압 또는 상기 화소 기준 전압을 접속하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 전압 비교 회로로서 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 증폭 회로를 이용하고, 게이트 단자에는 상기 신호 샘플링 전압을 접속하고, 소스 단자에는 상기 기준 전압 또는 상기 화소 기준 전압을 접속하고, 드레인에는 부하로서 저항 또는 다이오드를 접속하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  23. 제20항에 있어서, 상기 전압 비교 회로의 복수의 입력 단자는, 그 한 쪽에 상기 샘플링 전압 또는 상기 신호 샘플링 전압, 다른 쪽에 상기 기준 전압 또는 상기 화소 기준 전압을 접속할 때에, 적어도 한 쪽의 입력 단자에는 용량을 거쳐 접속하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  24. 표시 장치에 있어서,
    복수의 주사 배선과, 상호 교차하는 복수의 신호 배선에 의해 둘러싸인 화소에는, 샘플링 회로, 전압 비교 회로, 기준 전압 배선 및 유기 EL 구동 회로가 배치되어 있고,
    상기 샘플링 회로는 상기 신호 배선의 신호 전압을 샘플링 전압으로 취하는 샘플링 동작이 상기 주사 배선의 전압에 의해 제어되고 있고, 상기 샘플링 전압이 시간 경과에 따라 기준 전압에 근접하게 되도록 변화시키는 샘플링 전압 처리 회로를 포함하고,
    상기 전압 비교 회로는 상기 기준 전압과 상기 샘플링 전압을 비교하여, 양자의 전압의 고저 상태가 반전하면 제어 출력이 변화하고,
    상기 유기 EL 구동 회로는 제어 전압에 의해 유기 EL 소자의 점등 및 비점등 상태를 2치 제어하고,
    상기 화소를 다수 배열한 표시 영역의 외부에, 상기 주사 배선을 구동하기 위해 순차 시프트하는 펄스를 발생하는 펄스 구동 회로가 접속되고,
    상기 신호 배선에는 외부로부터 입력된 영상 신호를 상기 샘플링 전압 처리 회로의 시간 함수의 역함수가 되는 전압으로 변환하는 비선형 변환 기능을 갖는 영상 신호 변환 회로에 의해 변환하여 입력하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 영상 신호 변환 회로는 상기 신호 전압을 지수 함수에 대응하는 전압으로 변환하는 비선형 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
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