KR20020071643A - 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 4마스크로 박막트랜지스터 어레이 기판을 형성하는 경우 ITO 식각용액에 의해 게이트 금속이 손상받는 것을 방지하기 위해 ITO 대신 PEDOT를 사용하여 화소전극 및 패드부의 연결도전막을 형성하는 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 액티브 및 패드영역의 제 1 기판 상에 각각 형성된 게이트 배선 및 게이트 패드와, 상기 게이트 배선과 교차하는 방향으로 형성된 데이터 배선 및 데이터 패드와, 상기 게이트 배선으로부터 연장된 게이트 전극과, 상기 데이터 배선으로부터 소스/드레인 전극과, 상기 드레인 전극과 연결되어 화소영역에 형성된 유기 화소전극과, 상기 게이트 패드 및 데이터 패드와 연결된 유기 연결도전막과, 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

액정표시소자 및 그 제조방법{Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating The Same}
본 발명은 액정표시소자(LCD ; Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로, 특히 4마스크로 박막트랜지스터 어레이 기판을 형성하는 경우 ITO 대신 유기 폴리머 물질인 PEDOT를 사용하여 화소전극 및 연결도전막을 형성하는 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 계속해서 주목받고 있는 평판표시소자 중 하나인 액정표시소자는 액체의 유동성과 결정의 광학적 성질을 겸비하는 액정에 전계를 가하여 광학적 이방성을 변화시키는 소자로서, 종래 음극선관(Cathod Ray Tube)에 비해 소비전력이 낮고 부피가 작으며 대형화 및 고정세가 가능하여 널리 사용하고 있다.
상기 액정표시소자는 제 1 기판과, 상기 제 1 기판에 대향 합착된 제 2 기판과, 상기 제 1 ,제 2 기판 사이에 형성된 액정층으로 구성되는데, 제 1 ,제 2 기판에 각각 형성된 화소전극, 공통전극 사이에 형성되는 전계에 의해 액정 방향자를 구동하는 방식을 기본으로 동작한다.
이러한 액정표시소자는 동작 수행을 위해 기판에 구동소자 또는 배선 등의 여러 패턴들을 형성하는데, 패턴을 형성하기 위해 사용되는 기술 중 일반적인 것이 포토리소그래피(photolithography) 방법이다.
상기 방법은 패턴이 형성될 기판에 자외선으로 감광하는 재료인 포토 레지스트를 코팅하고, 마스크에 형성된 패턴을 포토 레지스트 위에 노광하여 현상, 식각한 후 포토 레지스트를 제거하는 일련의 복잡한 과정으로 이루어진다.
따라서, 포토리소그래피의 공정수를 줄이기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 그로부터 "저마스크 기술"이 등장하였다.
종전, 하나의 박막트랜지스터 기판을 형성하기 위해서는 통상, 5∼7번의 마스크를 사용하는 5∼7마스크 기술이 일반적이었는데, 최근 4마스크 기술 수준에까지 이르게 되었다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 4마스크 기술에 의한 액정표시소자 및 그 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 1a 내지 1d는 종래 기술에 의한 액정표시소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정평면도 및 그 단면도이고, 도 2a 내지 2d는 종래 기술에 의한 화소전극 및 연결도전막의 형성방법을 설명하기 위한 제조 공정단면도이다.
4마스크 기술에 의한 액정표시소자는 박막트랜지스터 기판이라 불리는 제 1 기판과, 컬러필터 기판으로 불리는 제 2 기판과, 상기 두 기판 사이에 형성된 액정층으로 구성되는데, 이 중 제 1 기판 상에는 교차 형성되어 단위 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 부위에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소전극이 있고, 제 2 기판 상에는 빛샘 방지를 위해 형성된 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스 사이에 형성된 R,G,B의 컬러필터층과, 상기 컬러필터층 상부에 형성된 일체형의 공통전극이 있다.
제조방법을 통해 좀 더 자세히 살펴보면, 먼저 도 1a에서와 같이 제 1 기판(10) 상에 금속을 증착하고, 제 1 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정으로 패터닝하여 복수개의 게이트 배선(11)과, 상기 게이트 배선에서 분기된 게이트 전극(11a)과, 게이트 패드를 형성한다.
다음, 도 1b에서와 같이 상기 게이트 배선(11)을 포함한 전면에 게이트 절연막(12)과, 반도체층(13)과, 오믹콘택층(14)을 차례로 적층하고, 상기 오믹콘택층(14) 상에 금속을 스퍼터링 방법으로 증착한 뒤, 제 2 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정으로 상기 금속을 패터닝하여 상기 게이트 배선(11)과 교차하는 데이터 배선(15)과, 상기 데이터 배선(15)으로부터 분기되어 상기 게이트 전극(11a) 상부에 위치하는 소스/드레인 전극(15a,15b)과, 데이터 패드부에 위치하는 데이터 패드를 형성한다.
이 때, 상기 데이터 배선, 소스/드레인 전극(15a,15b) 및 데이터 패드를 식각할 때 상기 오믹콘택층(14)도 오버 식각되어 동시에 패터닝된다.
이어, 도 1c에서와 같이 상기 데이터 배선(15)을 포함한 전면에 실리콘 질화막 또는 BCB(Benzocyclobutene) 등을 소정 두께로 도포하여 보호막(16)을 형성한 후, 제 3 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정으로 상기 보호막(16)과, 반도체층(13)과, 게이트 절연막(12)을 일괄 패터닝한다.
이 때, 상기 드레인 전극(15b)을 에칭 스토퍼로 하여 드레인 전극이 일부 노출되는 제 1 콘택홀(18a)과, 패드부 영역의 게이트 패드(11b) 또는 데이터 패드의소정 부위가 노출되는 제 2 콘택홀(18b)을 동시에 형성한다.(도 2a참고)
마지막으로, 도 1d에서와 같이 상기 제 1 ,제 2 콘택홀(18a,18b)을 통하여 하부 금속층과 접속하도록 전면에 ITO물질을 증착한 후, 제 4 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정으로 화소전극(19a) 및 패드부 영역의 연결도전막(19b)을 동시에 형성한다.
상기 화소전극(19a) 및 연결도전막(19b)을 형성하는 과정을 구체적으로 살피면, 도2a에서와 같이 보호막(16)을 포함한 전면에 투명한 도전물질인 ITO(Indium Tin Oxide)(19)를 스퍼터링(sputtering) 방법으로 증착하고, 그 위에 포토 레지스트(20)를 적층한다.
이어서, 도 2b에서와 같이 상기 포토 레지스트(20) 상부에 패턴을 가지는 제 4 마스크(21)를 씌워 UV를 조사하여 노광하고, 노광된 포토 레지스트(20)를 선택적으로 제거함으로써 도 2c에서와 같이, 포토 레지스트 패턴(20)을 형성한다.
계속하여, 상기 포토 레지스트 패턴(20)을 마스크로 하여 ITO를 FeCl3계 또는 HNO3+HCl계 식각용액을 사용하여 식각함으로써 도 2d에서와 같이 드레인 전극(15b)과 접속하는 화소전극(19a) 및 게이트 패드(11b)와 데이터 패드 상의 연결도전막(19b)을 형성한다.
이와 같이 4마스크 기술은 게이트 절연막(12), 반도체층(13), 보호막(16)을 일괄 건식식각함으로써 2개의 마스크를 저감하고, 소스/드레인 전극 마스크로 오믹콘택층을 패터닝함으로써 1개의 마스크를 더 저감하여 생산성을 크게 향상시킨다.
하지만, 상기 4마스크 기술시 금속층인 게이트 배선(11)이 불가피하게 노출되는데, 노출된 게이트 배선은 ITO 또는 ITO 식각용액과의 접촉시 크게 손상된다.
특히, 이와 같은 현상은 알루미늄을 배선재료로 사용할 경우 더욱 심해지는데, ITO와 알루미늄이 접촉하게 되면 ITO와 알루미늄과의 접촉 부분에서 상기 ITO내의 산소에 의해 알루미늄이 산화되는 현상이 발생하여 그 결과, 콘택 부분의 전기 저항값이 증가한다.
또한, 화학적으로 안정한 크롬을 배선재료로 사용할 경우에도 절연막과 반도체층의 건식식각시 크롬 표면이 미세하게 변화하게 됨으로써 ITO식각 용액에 의해 손상받게 된다.
한편, 도시하지는 않았지만, 제 2 기판 상에는 광차단을 위한 블랙 매트릭스를 형성하고, 상기 블랙 매트릭스 사이에 R,G,B셀을 순차적으로 배열하여 컬러필터층을 형성한 뒤, 상기 컬러필터층을 포함한 전면에 ITO를 증착하여 일체형의 공통전극을 형성한다.
마지막으로, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 대향되도록 합착하고, 두 기판 사이에 액정을 봉입함으로써 소정의 액정표시소자를 완성한다.
그러나, 상기와 같은 종래의 액정표시소자 및 그 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 금속으로 형성된 배선은 ITO 또는 ITO식각용액과 접할 경우 크게 손상받게 되는데, 4마스크 기술에서는 게이트 배선이 불가피하게 노출되므로 ITO 또는 ITO식각용액에 의해 크게 손상받는다.
또한, 화학적 안정성이 우수한 크롬(Cr)으로 배선을 형성할 경우에도 그 표면이 절연막의 건식식각시 손상을 받아 결국 그 손상 부위에 ITO식각용액이 침투된다.
따라서, 4마스크 기술에서 ITO를 사용할 경우 금속 배선이 손상받게 됨으로써 소자의 신뢰성이 현저히 떨어진다.
둘째, ITO로 화소전극 형성시 고가의 진공장비와 고온이 요구되므로 공정의 적용에 한계가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 4마스크로 박막트랜지스터 어레이 기판을 형성하는 경우 ITO 에천트에 게이트 금속이 손상받는 것을 방지하기 위해 ITO 대신 PEDOT를 사용하여 화소전극 및 연결도전막을 형성하는 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1a 내지 1d는 종래 기술에 의한 액정표시소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정평면도 및 그 단면도.
도 2a 내지 2d는 종래 기술에 의한 화소전극 및 연결도전막의 형성방법을 설명하기 위한 제조 공정단면도.
도 3a 내지 3d는 본 발명에 의한 액정표시소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정평면도 및 그 단면도.
도 4a 내지 4b는 본 발명에 의한 화소전극 및 연결도전막의 형성방법을 설명하기 위한 제조 공정단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명
110 : 제 1 기판 111 : 게이트 배선
111a : 게이트 전극 111b : 게이트 패드
112 : 게이트 절연막 113 : 반도체층
114 : 오믹콘택층 115 : 데이터 배선
115a :소스 전극 116b : 드레인 전극
118a,118b : 제 1 ,제 2 콘택홀
119 : PEDOT 119a : 유기 화소전극
119b : 유기 연결도전막 121 : 마스크
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시소자는 액티브 및 패드영역의 제 1 기판 상에 각각 형성된 게이트 배선 및 게이트 패드와, 상기 게이트 배선과 교차하는 방향으로 형성된 데이터 배선 및 데이터 패드와, 상기 게이트 배선으로부터 연장된 게이트 전극과, 상기 데이터 배선으로부터 소스/드레인 전극과, 상기 드레인 전극과 연결되어 화소영역에 형성된 유기 화소전극과, 상기 게이트 패드 및 데이터 패드와 연결된 유기 연결도전막과, 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 그 제조방법은 제 1 기판 상에 게이트 배선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 게이트 절연막 및 반도체층을 적층하는 단계와, 상기 반도체층 상에 데이터 배선, 소스/드레인 전극, 데이터 패드를 형성하는 단계와, 상기 데이터 배선을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막, 반도체층, 게이트 절연막을 일괄 패터닝하는 단계와, 상기 드레인 전극에 연결되는 유기 화소전극 및 상기 게이트 패드 및 데이터 패드에 연결되는 유기 연결도전막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명은 박막트랜지스터 기판의 화소전극을 ITO 대신 유기 폴리머계 물질인 PEDOT(Polyethylene-dioxythiophene)를 사용하여 전면에 일체형으로 형성함으로써 4마스크 기술에서 불가피하게 노출되는 게이트 배선이 보호되어 액정층과의 직접적인 접촉이 방지된다.
그리고, 기존의 ITO와는 달리 PEDOT는 알루미늄과 구리 등의 금속표면에 손상을 주지 않으므로 공정이 안정화되고 게이트 배선용 물질의 선택 폭이 넓어진다.
따라서, 소자의 신뢰성이 향상된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 액정표시소자 및 그 제조방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 3d는 본 발명에 의한 액정표시소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정평면도 및 그 단면도이고, 도 4a 내지 4b는 본 발명에 의한 화소전극 및 연결도전막의 형성방법을 설명하기 위한 제조 공정단면도이다.
본 발명에 의한 액정표시소자는 4마스크 기술이 적용되는 제 1 기판과, 상기 제 1 기판에 대향되는 제 2 기판과, 상기 제 1 ,제 2 기판 사이에 형성된 액정층으로 구성되는데, 상기 제 1 기판 상에는 일렬로 형성된 게이트 배선과, 상기 게이트 배선으로부터 분기되어 형성된 게이트 전극 및 게이트 패드와, 상기 게이트 배선에 대해 교차 형성된 데이터 배선과, 상기 데이터 배선으로부터 분기되어 형성된 소스/드레인 전극 및 데이터 패드와, 상기 데이터 배선, 소스/드레인 전극, 데이터 패드의 하층에 동일 패턴으로 형성된 게이트 절연막과 반도체층의 적층막과, 상기 데이터 배선, 소스/드레인 전극 및 데이터 패드의 상층에서 상기 반도체층과 동일 패턴으로 형성된 보호막과, 상기 드레인 전극, 게이트 패드, 데이터 패드의 소정 부위가 노출되도록 보호막이 일부 제거되어 형성된 제 1 ,제 2 ,제 3 콘택홀과, 상기 보호막 및 노출된 게이트 배선을 포함한 전면에 형성되어 상기 제 1 콘택홀을 통해 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 유기 화소전극과, 상기 제 2 ,제 3 콘택홀을 통해 상기 게이트 패드 및 데이터 패드와 전기적으로 연결되는 연결도전막이 있다.
이 때, 상기 유기 화소전극과 유기 연결도전막은 종래의 ITO 물질이 아니라, 유기 폴리머계 물질인 PEDOT를 재료로 하여 형성되는 것을 특징으로 하는데, 상온에서의 코팅 기술 또는 스크린 프린팅 기술로써 도포한 후 단위 화소영역과 패드부 영역의 일정 부위에 대해서만 노광시켜 도전성을 가지게 한다.
한편, 제 2 기판 상에는 제 1 기판의 배선 및 박막트랜지스터로부터 새어 나오는 빛을 차단하기 위해 소정 위치에 형성된 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스 사이에 형성된 R,G,B의 컬러필터층과, 상기 컬러필터층 상부에서 상기 화소전극에 대향되도록 형성된 공통전극이 있다.
4마스크 기술을 적용하여 유기 화소전극 및 연결도전막을 형성하는 액정표시소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 3a에서와 같이 제 1 기판(110) 상에 제 1 금속층과 제 1 포토 레지스트를 차례로 증착하고 제 1 마스크를 이용한 제 1 포토리소그래피 공정으로 제 1 포토 레지스트 패턴을 형성한 뒤, 상기 제 1 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 제 1 금속층을 습식 식각해서 게이트 배선(111), 게이트 전극(111a) 및 게이트 패드를 형성한다.
다음, 도 3b에서와 같이 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 게이트 절연막(112), 반도체층(113), 오믹콘택층(114), 저저항의 제 2 금속층을 차례로 증착하고, 그 위에 제 2 포토 레지스트를 형성하여 제 2 마스크를 이용한 제 2 포토리소그래피 공정으로 제 2 포토 레지스트 패턴을 형성한다.
여기서, 게이트 절연막(112)은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOx)을 재료로 하고, 반도체층(113)을 아몰퍼스실리콘(Amorphous Silicon:a-Si)을 재료로 하며, 오믹콘택층(114)은 아몰퍼스실리콘에 불순물이 n+a-Si을 재료로 한다. 또한, 배선 재료로로서는 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 크롬/몰리브덴(Cr/Mo), 크롬/알루미늄(Cr/Al) 등의 저저항이 우수한 금속으로 한다.
계속하여, 상기 제 2 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 제 2 금속층을 습식 식각해서 데이터 배선(115), 소스/드레인 전극(115a,115b) 및 데이터 패드를 형성한다.
이 때, 오버식각되어 오믹콘택층(114)도 동시에 식각되므로 하나의 마스크로 데이터 배선(115), 소스/드레인 전극(115a,115b), 데이터 패드 및 오믹콘택층(114)을 한꺼번에 패터닝하는 것이 된다.
따라서, 데이터 배선, 소스/드레인 전극 및 데이터 패드 하부에는 언제나 오믹콘택층이 존재하게 된다.
이어, 도 3c에서와 같이 상기 데이터 배선(115)을 포함한 전면에 실리콘 질화막, BCB(Benzocyclobutene) 또는 아크릴 수지 등을 소정 두께로 도포하여 보호막(116)을 형성하고, 그 위에 제 3 포토 레지스트를 형성하여 제 3 마스크를 이용한 제 3 포토리소그래피 공정으로 제 3 포토 레지스트 패턴을 형성한다.
그 뒤, 상기 제 3 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 보호막(116)과, 상기 반도체층(113)과, 상기 게이트 절연막(112)을 일괄적으로 건식식각하고, 그와 동시에 하부의 드레인 전극(115b)과 게이트 패드를 에칭 스토퍼로 하여 드레인 전극(115b)과 게이트 패드(118b)의 일부가 각각 노출되는 제 1 ,제 2 콘택홀(118a, 118b)을 형성한다.
단, 데이터 패드의 일부가 노출되는 콘택홀은 데이터 패드 상의 보호막만을 제거함으로써 가능하다.
따라서, 상기 게이트 절연막(112)과, 반도체층(113)과, 보호막(116)은 언제나 하나의 동일한 패턴으로 형성된다.
이 때, 상기 게이트 절연막(112)과, 반도체층(113)과, 보호막(116)은 두 배선의 교차 지점에 형성하여 게이트 배선과 데이터 배선이 서로 접속되지 않게 하고 또한, 게이트 전극과 소스/드레인 전극 사이에 게이트 절연막 및 반도체층이 형성하여 박막트랜지스터를 완성한다.
도 3c에서와 같이, 보호막(116)이 데이터 배선(115)을 완전히 덮도록 게이트 절연막(112)과, 반도체층(113)과, 보호막(116)을 일괄 식각할 수도 있다.
다만, 게이트 배선(111)은 항상 노출되게 되는데, 본 발명에서는 도 3d에서와 같이, 노출된 게이트 배선(111)에 손상을 주지 않는 PEDOT를 재료로 화소전극을 형성함으로써 게이트 배선의 노출과 관련된 문제를 해결한다.
즉, 도 4a에서와 같이, 보호막(116)을 포함한 전면에 PEDOT(119)를 코팅한 후, 화소전극 및 연결도전막이 형성될 영역의 PEDOT가 노출되도록 제 4 마스크(121)를 씌운 뒤 UV를 조사하여 노광된 영역의 PEDOT에 한해서만 활성화시켜 도전성을 띠게 한다.
이로써, 도 4b에서와 같이 노광에 의해 활성화된 영역(A)은 유기 화소전극(119a) 및 유기 연결도전막(119b)이 되고, 비활성화된 영역(B)은 노출된 게이트 배선의 보호수단이 된다.
상기 방법 외에, 화소영역내의 소정 부위에 스크린 프리팅법으로 PEDOT를 프린팅하고 노광하여 유기 공통전극을 형성하는 방법과, 코팅법으로 전면에 PEDOT를 형성한 후, KMnO4+NaOH의 식각용액을 이용한 포토리소그래피 공정으로 PEDOT를 패터닝하는 방법 등이 있다.
이와 같이 공통전극을 형성할 때, PEDOT를 사용하게 되면 특별한 장비없이도 상온에서 공정 가능하게 되므로, 진공 장비 내에서 스퍼터링 방법으로 ITO를 증착하는 종래 기술에 견주어 볼 때, 공정이 간소화해지고 장치비용이 줄어들어 공정 단가가 낮아지며, 종래와 같은 4마스크 기술이라도 기존의 포토리소그래피 공정 대신, 노광 공정만으로 같은 효과를 낼 수 있으므로 그에 따른 생산성이 향상된다.
그리고, 저저항성이 우수한 알루미늄 또는 구리를 재료로 한 배선이 노출되어도 유기 화소전극 형성시에는 손상받지 않으므로 재료의 선택 폭이 넓어진다.
마지막으로, 상기 제 1 기판의 전면에 스페이서를 골고루 산포하고, 블랙 매트릭스, 컬러필터층 및 공통전극이 형성된 제 2 기판의 가장자리에 씨일 패턴을 형성하여 두 기판을 대향합착한 뒤, 두 기판 사이에 액정을 주입하고 봉함으로써 액정표시소자를 완성한다.
상기와 같은 본 발명의 액정표시소자 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, PEDOT를 사용하여 화소전극을 형성하게 되면, 저저항성이 우수한 알루미늄 또는 구리를 재료로 한 게이트 배선이 노출되어도 손상받지 않으므로 배선 재료의 선택 폭이 넓어진다.
둘째, 전면에 PEDOT를 코팅하여 화소전극을 형성할 경우 기존에 노출되었던 게이트 배선을 덮게 되어 액정층으로의 금속 확산현상을 방지하게 된다
따라서, 게이트 배선의 보호는 물론, 액정층의 불순물 유입도 방지한다.
셋째, PEDOT를 사용하게 되면 특별한 장비없이도 상온에서 공정 가능하게 되므로, 진공 장비 내에서 스퍼터링 방법으로 ITO를 증착하는 종래 기술에 견주어 볼 때, 공정이 간소화해지고 장치비용이 줄어들어 공정 단가가 낮아지
넷째, 종래와 같은 4마스크 기술이라도 제 4 마스크 공정에 있어서, 기존의 포토리소그래피 공정 대신 노광 공정만으로 화소전극 및 연결도전막을 형성할 수 있으므로 그에 따른 생산성이 향상된다.

Claims (18)

  1. 액티브 및 패드영역의 제 1 기판 상에 각각 형성된 게이트 배선 및 게이트 패드;
    상기 게이트 배선과 교차하는 방향으로 형성된 데이터 배선 및 데이터 패드;
    상기 게이트 배선으로부터 연장된 게이트 전극;
    상기 데이터 배선으로부터 소스/드레인 전극;
    상기 드레인 전극과 연결되어 화소영역에 형성된 유기 화소전극;
    상기 게이트 패드 및 데이터 패드와 연결된 유기 연결도전막;
    상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 유기 화소전극 및 유기 연결도전막은 유기 폴리머인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 유기 폴리머는 PEDOT(Polyethylenedioxythiophene)인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 유기 폴리머는 상기 제 1 기판 상의 전면에 걸쳐 형성되며 상기 화소영역 및 패드영역에만 선택적으로 도전성을 갖는 것을 특징으로하는 액정표시소자.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 유기 폴리머는 도전성을 갖고 상기 화소영역 및 패드영역에만 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극과 소스/드레인 전극 사이에 게이트 절연막과 반도체층이 차례로 적층된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 게이트 절연막과 반도체층의 절단면은 서로 일치하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극과 상기 반도체층 사이에 오믹콘택층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극 상부에 상기 반도체층과 동일한 절단면을 갖는 보호막이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  10. 제 1 기판 상에 게이트 배선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선을 포함한 전면에 게이트 절연막 및 반도체층을 적층하는 단계;
    상기 반도체층 상에 데이터 배선, 소스/드레인 전극, 데이터 패드를 형성하는 단계;
    상기 데이터 배선을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 보호막, 반도체층, 게이트 절연막을 일괄 패터닝하는 단계;
    상기 드레인 전극에 연결되는 유기 화소전극 및 상기 게이트 패드 및 데이터 패드에 연결되는 유기 연결도전막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 유기 화소전극과 유기 연결도전막을 형성하는 단계는,
    상기 드레인 전극이 노출되도록 보호막을 패터닝하는 단계와,
    상기 노출된 드레인 전극에 연결되도록 전면에 유기 폴리머를 형성하는 단계와,
    상기 화소영역 및 패드영역에 상응하는 유기 폴리머에 도전성을 부여하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 유기 폴리머에 도전성을 부여하는 단계는,
    상기 전면에 형성된 유기 폴리머의 상부에 상기 화소영역 및 패드영역에 상응하는 유기 폴리머가 노출되도록 마스크를 형성하는 단계와,
    상기 마스크를 이용하여 유기 폴리머를 노광하는 단계로 이루어지는 것을 포함함을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 유기 화소전극과 유기 연결도전막을 형성하는 단계는,
    상기 드레인 전극이 노출되도록 보호막을 패터닝하는 단계와,
    상기 화소영역 및 패드영역에만 도전성을 갖는 유기 폴리머를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  14. 제 10 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극과 상기 반도체층 사이에 오믹콘택층을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  15. 제 11 항 및 제 13 항에 있어서, 상기 유기 폴리머는 코팅법 또는 스크린 프린팅법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  16. 제 10 항에 있어서, 상기 보호막, 반도체층 및 게이트 절연막을 일괄 패터닝할 때, 상기 패드영역의 게이트 패드 및 데이터 패드를 노출시키는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  17. 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 기판에 대향하도록 제 2 기판을 합착한 후,그 사이에 액정을 봉입하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 제 2 기판 상에 블랙 매트릭스, 컬러필터층 및 공통전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
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