KR20020066976A

KR20020066976A - 웨이퍼 열처리 장치 및 웨이퍼 열처리 방법

Info

Publication number: KR20020066976A
Application number: KR1020020006924A
Authority: KR
Inventors: 가와세요시마사
Original assignee: 가부시끼가이샤 한도따이 센단 테크놀로지스
Priority date: 2001-02-13
Filing date: 2002-02-07
Publication date: 2002-08-21
Also published as: KR100788081B1; JP3404023B2; JP2002246326A; US6769908B2; US20020148135A1

Abstract

본 발명의 과제는 비교적 간이한 설비로, 램프 히터로의 공급 전력을 크게 하는 일 없이, 단시간에 원하는 웨이퍼의 열처리를 가능하게 하는 웨이퍼 열처리 장치 및 웨이퍼 열처리 방법을 제공하는 것이다.

주위를 벽재로 둘러싼 폐쇄 공간(2) 내의 소정 위치로 반송된 웨이퍼(1)를 고온 처리한 후에 냉각하는 웨이퍼 열처리 장치로서, 벽재(2c)에 기체가 밀폐된 중공부(3)를 설치하고, 중공부(3)에 중공부(3)의 내압을 조정하는 압력 조정부(6 내지 10)를 연결한 것이다.

Description

웨이퍼 열처리 장치 및 웨이퍼 열처리 방법 {HEAT TREATING DEVICE AND METHOD FOR WAFER}

본 발명은 웨이퍼 열처리 장치 및 웨이퍼 열처리 방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 상에 산화막 또는 산질화막을 형성하거나 또는 어닐 처리를 실시하는 매엽식 램프 가열 방식의 웨이퍼 열처리 장치 및 웨이퍼 열처리 방법에 관한 것이다.

도3은 종래의 웨이퍼 열처리 장치로서의 매엽식 웨이퍼 열처리 장치를 도시한 개략도이다. 도3에 있어서, 부호 1은 웨이퍼, 부호 2는 웨이퍼(1)를 고온 처리하기 위한 처리실, 부호 2a는 처리실(2) 내에 기체를 주입하기 위한 주입구, 부호 2b는 처리실(2) 밖으로 기체를 배출하기 위한 배출구, 부호 2c는 처리실(2) 내의 분위기를 외부와 격절하는 벽재, 부호 4는 램프 히터(5)로부터의 램프광을 반사하는 반사판, 부호 5는 램프 히터를 도시한다.

그리고, 이와 같이 구성된 종래의 웨이퍼 열처리 장치에 있어서는 이하와 같은 공정으로 웨이퍼(1)의 고온 처리가 행해지게 된다. 즉, 우선 도시하지 않은 반송 로봇에 의해, 웨이퍼(1)는 벽재(2c)의 일부에 설치된 도시하지 않은 반출입구로부터 처리실(2) 내로 반송된다. 다음에, 반출입구에 설치된 도시하지 않은 셔터를 폐쇄하여, 처리실(2) 내를 밀폐 상태로 한다. 그리고, 주입구(2a)로부터처리실(2) 내에 질소 등의 불활성 가스 또는 산소 등의 산화성 가스를 주입하는 동시에, 배출구(2b)로부터 처리실(2) 내의 공기를 외부로 배출함으로써, 가스 치환을 행한다.

그 후, 복수의 램프 히터(5)를 점등하여 거기서부터 직접 조사되는 램프광과, 그 램프광이 반사판(4)에 의해 반사된 후의 반사광을 석영 등으로 이루어지는 벽재(2c)에 투과시킨다. 그리고, 벽재(2c)를 투과한 투과광의 에너지에 의해, 웨이퍼(1)는 가열되게 된다. 그 후, 이 상태를 일정 시간 보유 지지한다. 이러한 가열과 보온에 의한 고온 처리를 일정 시간 행함으로써, 웨이퍼 내의 불순물 확산을 하거나, 웨이퍼 표면의 성막을 제어하게 된다.

이러한 일정 시간의 고온 처리가 종료된 후, 램프 히터(5)로의 전력 공급을 정지하여 웨이퍼(1)를 냉각한다. 즉, 웨이퍼(1)로부터의 열은 그 주위의 분위기를 통해, 처리실(2)의 외부로 흩어져, 그에 수반하여 웨이퍼(1)의 온도도 저하된다. 그리고, 그 온도가 수 100 ℃에 달한 곳에서, 웨이퍼(1)는 반송 로봇에 의해 반출입구로부터 처리실(2) 밖으로 반송된다.

최근, 반도체 소자의 미세화에 수반하여 그 접합 깊이에 대한 요구가 점점 심해지고 있다. 이 접합 깊이에 대한 요구를 만족시키기 위해서는, 우선 저에너지 주입에 의한 얕은 영역으로의 불순물의 첨가가 필요해진다. 또한, 불순물을 활성화할 때의 열이력을 최소로 하여 불순물 확산을 제어하는 것이 필요해진다. 따라서, 웨이퍼 열처리 장치에 의한 고온 처리 공정(가열 공정과 보온 고정임) 개시로부터 냉각 공정 종료까지 요하는 시간을 단축하는 것은, 반도체 장치의 품질상 매우 중요한 과제로 되어 있다.

또한, 최근의 반도체 소자의 고수요화라는 관점에서도 웨이퍼 열처리 장치에 의한 고온 처리 공정 개시로부터 냉각 공정 종료까지 요하는 시간을 단축하는 것은 반도체 장치의 생산성 향상으로 이어져, 매우 중요한 과제가 되고 있다.

그런데, 상기 종래의 기술에 있어서 상술한 고온 처리 공정 개시로부터 냉각 공정 종료까지 요하는 시간을 단축하는 것은 여러 가지의 제약이 있었다.

즉, 가열 공정에 요하는 시간에 대해 말하면 각각의 램프 히터로의 공급 전력을 크게 하거나, 램프 히터의 개수를 증가시킴으로써, 처리실에 공급되는 단위 시간당의 에너지는 증가하므로, 이론상 그 시간은 단축되게 된다. 그러나, 램프 히터로의 공급 전력의 증대는 운전 비용의 면에서, 저생산성을 초래하므로, 이 이상의 전력을 소비하는 것은 타당하지 않다. 또한, 보온 공정에 필요로 하는 시간은 열처리 수법의 시간 설정을 짧게 함으로서, 단축 가능하다.

또한, 냉각 공정에 요하는 시간에 대해 말하면 고온 상태로 되어 있는 처리실 내의 열을 적극적으로 외부로 방출하는 것이 가능하면 좋지만, 웨이퍼 주위의 분위기, 처리실 벽재 및 램프 하우징이 일정한 온도에 달하고 있으므로, 열방출의 효율이 나쁘다.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해소하기 위해 이루어진 것으로, 비교적 간이한 설비로 단시간에 원하는 웨이퍼의 열처리를 가능하게 하는 웨이퍼 열처리 장치 및 웨이퍼 열처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

도1은 본 발명의 실시 형태를 도시한 웨이퍼 열처리 장치의 개략도.

도2는 본 발명의 실시 형태에 도시한 웨이퍼 열처리 장치에 있어서의 (A) 중공부 압력과 시간과의 관계를 도시한 선도와, (B) 웨이퍼 온도와 시간과의 관계를 도시한 선도와, (C) 램프 히터 소비 전력과 시간과의 관계를 도시한 선도.

도3은 종래의 웨이퍼 열처리 장치를 도시한 개략도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 웨이퍼

2 : 처리실

2a : 주입구

2b : 배출구

2c : 벽재

3 : 중공부

4 : 반사판

5 : 램프 히터

6, 7 : 밸브

S : 진공 펌프

9 : 가스 공급부

10 : 관

본 발명의 청구항 1에 기재된 발명에 관한 웨이퍼 열처리 장치는, 주위를 벽재로 둘러싼 폐쇄 공간 내의 소정 위치로 반송된 웨이퍼를 고온 처리한 후에 냉각하는 웨이퍼 열처리 장치로서, 상기 벽재에 기체가 밀폐된 중공부를 설치하고, 상기 중공부에 상기 중공부의 내압을 조정하는 압력 조정부를 연결한 것이다.

또한, 청구항 2에 기재된 발명에 관한 웨이퍼 열처리 장치는 상기 청구항 1에 기재된 발명에 있어서, 상기 압력 조정부를 상기 웨이퍼의 고온 처리 전에 상기 중공부의 내압을 소정 압력까지 감압 가능하게 형성한 것이다.

또한, 청구항 3에 기재된 발명에 관한 웨이퍼 열처리 장치는 상기 청구항 1또는 청구항 2에 기재된 발명에 있어서, 상기 압력 조정부를 상기 웨이퍼의 고온 처리 후에 상기 중공부의 내압을 단시간에 소정 압력까지 가압 가능하게 형성한 것이다.

또한, 청구항 4에 기재된 발명에 관한 웨이퍼 열처리 장치는 상기 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 상기 중공부 내의 기체를 헬륨 또는 질소 또는 산소로 한 것이다.

또한, 본 발명의 청구항 5에 기재된 발명에 관한 웨이퍼 열처리 방법은 중공부를 갖는 벽재에 의해 주위를 둘러싼 폐쇄 공간 내의 소정 위치로 반송된 웨이퍼를 고온 처리하는 공정과, 상기 고온 처리 공정 후에 상기 폐쇄 공간 내에서 상기 웨이퍼를 소정 온도까지 냉각하는 공정과, 상기 벽재에 설치된 상기 중공부의 내압을 조정하는 공정을 구비한 것이다.

또한, 청구항 6에 기재된 발명에 관한 웨이퍼 열처리 방법은 상기 청구항 5에 기재된 발명에 있어서, 상기 압력 조정 공정에 상기 고온 처리 공정 전에 상기 중공부의 내압을 소정 압력까지 감압하는 공정을 구비한 것이다.

또한, 청구항 7에 기재된 발명에 관한 웨이퍼 열처리 방법은 상기 청구항 5또는 청구항 6에 기재된 발명에 있어서, 상기 압력 조정 공정에 상기 고온 처리 공정 후에 단시간에 상기 중공부의 내압을 소정 압력까지 가압하는 공정을 구비한 것이다.

또한, 청구항 8에 기재된 발명에 관한 웨이퍼 열처리 장치는 상기 청구항 5 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 상기 중공부 내의 기체를 헬륨 또는 질소 또는 산소로 한 것이다.

<실시 형태>

이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 의거하여 상세하게 설명한다. 도1은 본 발명의 실시 형태를 도시한 웨이퍼 열처리 장치의 개략도이다. 도1에 있어서, 부호 1은 웨이퍼, 부호 2는 주위를 벽재(2c)로 둘러싼 폐쇄 공간으로서의 처리실, 부호 2a는 주입구, 부호 2b는 배출구, 부호 2c는 벽재, 부호 3은 벽재(2c)에 설치된 중공부, 부호 4는 반사판, 부호 5는 램프 히터, 부호 6, 7은 밸브, 부호 8은 압력 조정부로서의 진공 펌프, 부호 9는 압력 조정부로서의 가스 공급부, 부호 10은 관을 표시한다.

여기서, 중공부(3)는 그곳에 기체를 밀폐할 수 있도록 형성되어 있다. 또한, 진공 펌프(8)는 관(10)에 의해 벽재(2c)의 중공부(3)와 연결되어 있다. 그리고, 밸브(7)를 개방함으로써 중공부(3)의 기체를 외부로 배출하여 중공부(3)의 내압을 감압할 수 있다.

또한, 가스 공급부(9)도 관(10)에 의해 중공부(3)와 연결되어 있다. 그리고, 밸브(6)를 순간적으로 개방함으로써 가스 공급부(9) 내에 있는 기체를 중공부(3) 내로 단시간에 이송하여, 중공부(3)의 내압을 가압할 수 있다.

그리고, 이와 같이 구성된 웨이퍼 열처리 장치에 있어서는 이하와 같은 공정에 의해 웨이퍼(1)의 고온 처리가 행해지게 된다. 즉, 우선 도시하지 않은 반송 로봇에 의해 웨이퍼(1)는 벽재(2c)의 일부에 설치된 도시하지 않은 반출입구로부터 처리실(2) 내로 반송된다. 다음에, 반출입구에 설치된 도시하지 않은 셔터를 폐쇄하여, 처리실(2) 내를 밀폐 상태로 한다. 그리고, 주입구(2a)로부터 처리실(2) 내로 질소 등의 불활성 가스를 주입하는 동시에, 배출구(2b)로부터 처리실(2) 내의 초기 가스 또는 잔류 가스를 외부로 배출함으로써, 가스 치환을 행한다.

한편, 이 가스 치환의 공정과 거의 동시에 상술한 밸브(7)을 개방함으로써, 벽재(2c)에 설치된 중공부(3)의 내압을 진공 펌프(8)에 의해 감압한다. 이 때, 감압 후의 중공부(3) 내의 압력은 진공에 가까운 상태가 바람직하다. 또한, 이 중공부(3)의 감압 공정은 후술하는 바와 같이 처리실(2) 내를 가스 치환하는 것과 동등한 시간을 걸쳐서 행해진다. 이에 의해, 중공부(3) 내에 있어서 온도 저하가 생기지 않도록 하고 있다. 즉, 폐쇄 공간에 있어서의 기체의 압력을 급격히 저하시키면, 그 기체의 온도도 저하된다. 그 경우, 벽재(2c)로의 열전도에 의해 처리실(2)의 온도도 동시에 저하되어 버리게 되므로, 웨이퍼(1)의 고온 처리에 영향을 끼치지 않도록 천천히 감압하는 것으로 한 것이다.

그 후, 복수의 램프 히터(5) 점등하여 그곳으로부터 직접 조사되는 램프광과, 그 램프광이 반사판(4)에 의해 반사된 후의 반사광을 벽재(2c)에 투과시킨다. 그리고, 벽재(2c)를 투과한 투과광의 에너지에 의해 웨이퍼(1)는 가열되게 된다.

여기서, 중공부(3) 내는 상술한 바와 같이 진공 펌프(8)에 의해 감압 상태로 유지되어 있으므로, 벽재(2c)의 열전도율은 낮아진다. 따라서, 열이 외부로 방출되기 어려운 상태, 즉 단열 벽재에 둘러싸여 보온성이 높은 상태가 된다. 이에 의해, 후술하는 바와 같이 램프 히터(5)의 소비 전력이 작더라도, 웨이퍼(1)를 고온으로 유지할 수 있다.

또, 처리실(2) 내에서 받는 램프광에 의한 열은 소위 방사열이므로, 중공부(3)의 내압 변화에 대한 처리실(2)의 수열량에 대해서는 거의 변화가 없다.

이러한 일정 시간의 고온 처리가 종료한 후, 램프 히터(5)로의 전력 공급을 정지한다. 그 때, 상술한 밸브(6)를 순간적으로 개방하여 가스 공급부(9) 내의 기체를 중공부(3) 내로 이송한다. 이에 의해, 중공부(3)로 이송되는 기체는 급격히 팽창하게 되어, 소위 단열 팽창의 효과에 의해 기체 자체의 온도는 저하한다. 그리고, 저온화한 중공부(3)를 향해 고온 상태에 있는 램프 하우징부 및 웨이퍼(1)로부터의 방사열이 흡수되므로, 처리실(2) 내의 온도는 단시간에 저하하게 된다.

여기서, 가스 공급부(9)로부터 중공부(3)로 이송되는 기체는 처리실(2) 내로 기체 누설 등의 문제점이 발생한 경우의 웨이퍼(1)로의 영향을 고려하여 처리실(2) 내의 가스 치환 공정에 있어서 사용되는 불활성 가스와 동일해, 예를 들어 질소 등의 불활성 가스나 혹은 산소로 하는 것이 바람직하다. 특히, 열전도율이 큰 헬륨을 사용한 경우에는, 상술한 효과에다가 웨이퍼(1)의 냉각에 대해서도 유리하게 작용하게 된다.

그리고, 마지막으로 웨이퍼(1)의 온도가 소정 온도까지 저하한 곳에서, 웨이퍼(1)는 반송 로봇에 의해 반출입구로부터 처리실(2) 밖으로 반송된다.

다음에, 상술한 실시 형태에 나타낸 웨이퍼 열처리 장치에 있어서 전공정에 있어서의 중공부 압력, 웨이퍼 온도, 램프 히터 소비 전력의 각각의 변동에 대해 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.

도2의 (A)는 도1에 있어서의 중공부(3) 내의 압력과, 시간과의 관계를 도시한 선도이다. 도면의 종축에 있어서, PO는 진공 펌프(8)에 의해 중공부(3) 내의 압력을 감압하기 전의 초기 압력, P1은 감압한 후의 진공 상태에 가까운 압력을 도시한다. 또한, 도면의 횡축에 있어서 SO 내지 S1은 웨이퍼(1)를 처리실(2) 내로 반입한 후의 가스 치환 공정에 요하는 시간, S1 내지 S3은 가스 치환을 종료하고 나서 웨이퍼(1)의 고온 처리 공정에 요하는 시간, S3 내지 S4는 고온 처리를 종료하고 나서 웨이퍼(1)를 처리실(2) 밖으로 반출하기까지의 웨이퍼(1)의 냉각 공정에 요하는 시간을 도시한다.

도2의 (A)에 도시한 바와 같이, SO 내지 S1의 비교적 긴 시간으로, 중공부(3)의 압력을 PO 내지 P1로 서서히 감압하여 가게 된다. 그리고, S1 내지 S3의 시간에서는 중공부(3)의 압력을 P1로 유지하면서, 웨이퍼(1)의 고온 처리를 하게 된다. 또한, S3 직후의 단시간에 중공부(3)의 압력을 P1 내지 PO으로 가압하게 된다.

한편, 도2의 (B)는 도1에 있어서의 웨이퍼(1)의 온도와, 시간과의 관계를 도시한 선도이다. 도면의 종축에 있어서, TO는 고온 처리 전의 웨이퍼(1)의 초기 온도, T1은 고온 처리 후의 웨이퍼(1)의 온도(프로그램된 온도), T2는 본 실시 형태에 의한 냉각 후의 웨이퍼(1)의 온도, T3은 상기 종래 기술에 의한 냉각 후의 웨이퍼(1)의 온도를 도시한다. 또한, 도면의 횡축에 있어서 S1 내지 S2는 고온 처리 공정에 있어서 웨이퍼(1)의 온도를 T0 내지 T1까지 가열하는 데 필요로 하는 시간(가열 공정에 필요한 시간), S2 내지 S3은 고온 처리 공정에 있어서 웨이퍼(1)의 온도를 T1로 보온하는 데 필요한 시간(보온 공정에 필요한 시간)을 도시한다. 또한, 도면에 있어서 실선으로 나타내는 곡선(L1)은 냉각 공정에 있어서, 본 실시 형태에 있어서의 웨이퍼 온도와 시간과의 관계를 나타낸다. 이에 대해, 파선으로 나타낸 곡선(L2)은 냉각 공정에있어서, 상기 종래 기술에 있어서의 웨이퍼 온도와 시간과의 관계를 나타낸 것이다.

여기서, 본 실시 형태에 있어서는 고온 처리 공정 후에 단시간에 중공부(3) 내의 압력을 가압하고 있으므로, 상술한 단열 팽창의 효과에 의해 도면의 실선(L1)과 파선(L2)으로부터 명백한 바와 같이, 처리실(2) 내의 온도를 단시간에 저하시킬 수 있다. 즉, 본 실시 형태에 있어서는 냉각 공정에 필요한 시간을 단축할 수 있다.

한편, 도2의 (C)는 램프 히터(5)의 단위 시간당의 소비 전력과, 시간과의 관계를 도시한 선도이다. 도면의 종축에 있어서, W0는 고온 처리 공정 전의 램프히터(5)의 소비 전력, W1은 고온 처리 공정에 있어서의 웨이퍼(1)의 급속한 가열시에 필요한 램프 히터(5)의 소비 전력, W2는 본 실시 형태에 의한 고온 처리 공정의 보온시에 필요한 소비 전력, W3은 상기 종래 기술에 의한 고온 처리 공정의 보온시에 필요한 소비 전력을 나타낸다. 또한, 도면에 있어서 실선(L3)은 본 실시 형태에 의한 시간(S2 내지 S3)에 있어서의 램프 히터 소비 전력과 시간과의 관계를 나타낸 직선이며, 파선(L4)은 상기 종래 기술에 의한 시간(S2 내지 S3)에 있어서의 램프 히터 소비 전력과 시간과의 관계를 나타낸 직선이다.

여기서, 본 실시 형태에 있어서는 고온 처리 공정 전에 중공부(3)의 압력을 거의 진공 상태로 감압하고 있으므로, 처리실(2) 내는 상술한 바와 같이 단열된 상태가 되고, 도면의 실선(L3)과 파선(L4)으로부터 명백한 바와 같이, 특히 웨이퍼(1) 내의 온도를 일정한 고온 상태로 보온하기 위한 램프 히터(5)의 소비 전력을 저감할 수 있다. 즉, 도면의 사선으로 둘러싼 부분이 본 실시 형태에 의해 저감된 램프 히터(5)의 소비 전력의 총계가 된다. 이와 같이, 본 실시 형태에 있어서는 보온 공정에 있어서 종래 기술과 동일 보온 온도를 달성하고 있음에도 불구하고, 램프 히터 소비 전력을 저감할 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태와 같이 구성된 웨이퍼 열처리 장치에 있어서는 고온 처리 공정 전의 감압 공정에 의해 램프 히터(5)의 소비 전력을 저감할 수 있고, 또한 고온 처리 종료 후의 감압 공정에 의해 냉각 공정에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.

또, 본 발명이 상기 실시 형태에 한정되지 않고 본 발명의 기술 사상의 범위내에 있어서, 실시 형태는 적절하게 변경될 수 있는 것은 명백하다. 또한, 상기 구성 부재의 수, 위치, 형상 등은 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 본 발명을 실시한 다음 적절한 수, 위치, 형상 등으로 할 수 있다.

본 발명은 이상과 같이 구성되어 있으므로, 청구항 1 내지 청구항 2, 청구항 5 내지 청구항 6에 대응한 효과로서는 이하와 같아진다. 즉, 처리실의 벽재에 중공부를 설치하여, 고온 처리 공정 전에 그 내압을 감함으로써, 열처리에 의한 웨이퍼의 품질을 유지하면서, 열처리에 관계되는 램프 히터로의 공급 전력을 저감할 수 있다. 이에 의해, 비교적 간단한 설비로 처리 비용이 저렴한 웨이퍼 열처리 장치 및 웨이퍼 열처리 방법을 제공할 수 있다.

또한, 청구항 1, 청구항 3, 청구항 5, 청구항 7에 대응한 효과로서는 이하와 같아진다. 즉, 처리실 벽재에 중공부를 설치하여, 고온 처리 공정 후에 그 내압을 순간적으로 감압함으로써, 웨이퍼의 냉각 공정에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다. 이에 의해, 비교적 간단한 설비로 반도체 소자의 미세화에 대응한 웨이퍼의 열처리 품질을 갖고, 생산 효율이 높은 웨이퍼 열처리 장치 및 웨이퍼 열처리 방법을 제공할 수 있다.

또한, 청구항 4, 청구항 8에 대응한 특유의 효과로서는 벽재의 중공부 내로 공급되고, 또는 중공부 밖으로 배출되는 기체를 고온 처리 공정으로부터 웨이퍼 반출까지의 동안에 일반적으로 사용되는 불활성 가스나 혹은 산소로 했으므로, 처리실 내로 기체 누설 등의 문제점이 발생된 경우라도, 웨이퍼의 열처리에 대한 품질에 영향이 적은 웨이퍼 열처리 장치 및 웨이퍼 열처리 방법을 제공할 수 있다. 특히, 그 불활성 가스를 헬륨으로 한 경우에는 열전도율이 비교적 크기 때문에, 웨이퍼의 냉각 공정에 필요로 하는 시간을 더욱 단축할 수 있다.

Claims

주위를 벽재로 둘러싼 폐쇄 공간 내의 소정 위치로 반송된 웨이퍼를 고온 처리한 후에 냉각하는 웨이퍼 열처리 장치로서,

상기 벽재는 기체가 밀폐된 중공부를 갖고,

상기 중공부는 상기 중공부의 내압을 조정하는 압력 조정부가 연결된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 압력 조정부는 상기 웨이퍼의 고온 처리 전에 상기 중공부의 내압을 소정 압력까지 감압 가능하게 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 압력 조정부는 상기 웨이퍼의 고온 처리 후에 상기 중공부의 내압을 단시간에 소정 압력까지 가압 가능하게 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열처리 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중공부 내의 기체는 헬륨 또는 질소 또는 산소인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열처리 장치.
중공부를 갖는 벽재에 의해서 주위를 둘러싼 폐쇄 공간 내의 소정 위치로 반송된 웨이퍼를 고온 처리하는 공정과,

상기 고온 처리 공정 후에 상기 폐쇄 공간 내에서 상기 웨이퍼를 소정 온도까지 냉각하는 공정과,

상기 벽재에 설치된 상기 중공부의 내압을 조정하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열처리 방법.
제5항에 있어서, 상기 압력 조정 공정은 상기 고온 처리 공정 전에 상기 중공부의 내압을 소정 압력까지 감압하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열처리 방법.
제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 압력 조정 공정은 상기 고온 처리 공정 후에 단시간에 상기 중공부의 내압을 소정 압력까지 가압하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열처리 방법.
제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중공부 내의 기체는 헬륨 또는 질소 또는 산소인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열처리 방법.