KR20020065691A - 액정 표시 장치의 패드 구조 - Google Patents
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Abstract
게이트선의 끝에 외부로부터 게이트 신호를 전달하는 게이트 패드가 형성되어 있고, 데이터선의 끝에 외부로부터 데이터 신호를 전달하는 데이터 패드가 그물망 구조로 형성되어 있다. 또한, 하나의 게이트 패드 또는 데이터 패드가 두 개 이상의 소패드가 모여서 이루어질 수도 있다. 이물질에 의해 각 패드 간에 단락이 발생하는 경우에는 레이저를 사용하여 이물질을 패드로부터 분리하고, 습기 및 전기적 충격에 의해 패드가 손상을 입었을 때에도 레이저를 사용하여 손상된 부분을 패드로부터 분리한다. 이때, 패드가 그물망 구조로 형성되어 있으면 이물질 또는 손상된 부분을 레이저로 자르기가 용이하며 패드로부터 완벽하게 분리할 수 있다. 한편, 각 배선마다 소패드를 다수로 형성하는 경우에는 오염 물질에 의해 다수의 소패드 중 어느 하나가 불량이면 불량인 부분을 레이저를 이용하여 제거하고 남은 소패드를 이용할 수 있다.
Description
본 발명은 액정 표시 장치의 패드 구조에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중의 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 유리 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져 있으며, 두 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시켜 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치의 한 기판에는 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터를 가지는 것이 일반적이며, 이러한 박막 트랜지스터 기판에는 박막 트랜지스터 외에도 게이트선과 외부로부터 신호를 인가받아 게이트선에 전달하는 게이트 패드 등을 포함하는 게이트 배선, 데이터선과 외부로부터 신호를 인가받아 데이터선으로 전달하는 데이터 패드 등을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다.
여기서, 게이트 패드 및 데이터 패드는 제조 공정 중에 발생하는 이물질에 의한 단락 또는 구동 시 습기에 의해 발생하는 패드의 손상 등에 의해 불량이 생길 수 있으며, 이로 인해 수율이 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 패드 불량을 방지하는 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,
도 2는 도 1에서 Ⅱ 부분을 확대하여 도시한 도면이고,
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판에서 패드를 도시한 도면이고,
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판에서 패드를 도시한 도면이고,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 패드에 이물질 또는 부식이 있을 때 불량을 제거하는 방법을 도시한 도면이다.
이러한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는 패드를 그물망 형태로 형성한다.
본 발명에 따르면, 절연 기판 위에 게이트선이 형성되어 있고, 게이트선의 끝에 연결되어 있으며 외부로부터 게이트 신호를 전달받아 게이트선에 전달하는 게이트 패드가 형성되어 있다. 게이트선과 절연되어 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선이 형성되어 있고, 데이터선의 끝에 연결되어 있으며 외부로부터 데이터 신호를 전달받아 데이터선에 전달하는 데이터 패드가 형성되어 있다. 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터가 형성되어 있고, 화소 영역에는 화소전극이 형성되어 있다. 여기서, 게이트 패드 및 데이터 패드의 적어도 일부가 그물망 형태를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 게이트 패드와 데이터 패드는 그물망 형태를 갖는 소패드가 다수로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 절연 기판 위에 게이트선이 형성되어 있고, 게이트선의 끝에 연결되어 있으며 외부로부터 게이트 신호를 전달받아 게이트선에 전달하는 게이트 패드가 형성되어 있다. 게이트선과 절연되어 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선이 형성되어 있고, 데이터선의 끝에 연결되어 있으며 외부로부터 데이터 신호를 전달받아 데이터선에 전달하는 데이터 패드가 형성되어 있다. 게이트선 및 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터가 형성되어 있고, 화소 영역에 화소 전극이 형성되어 있다. 여기서, 게이트 패드 및 데이터 패드는 각각 다수의 소패드로 이루어질 수 있다.
이러한 본 발명에서는 패드가 그물망 구조로 형성되어 있어 이물질 또는 습기 또는 전기적 충격에 의해 손상된 부분을 패드로부터 완벽하게 분리하여 패드 불량을 방지할 수 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 패드 구조에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.
먼저, 도 1을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이다.
도 1에서와 같이, 절연 기판(10) 위에 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(21), 게이트선(21)의 일부인 게이트 전극(22), 게이트선(21)의 끝에 연결되어 외부로부터 주사 신호를 인가받아 게이트선(21)으로 전달하는 게이트 패드(23)를 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있다.
게이트 배선(21, 22, 23)은 질화 규소(SiNX) 따위로 이루어진 게이트 절연막(도시하지 않음)으로 덮여 있다.
게이트 절연막 위에는 비정질 규소 따위의 반도체로 이루어진 반도체층(41)이 섬 모양으로 형성되어 있으며, 반도체층(41) 위에는 인(P)과 같은 n형 불순물이 도핑되어 있는 비정질 규소 따위의 반도체로 이루어진 저항성 접촉층(도시하지 않음)이 게이트 전극(22)을 중심으로 양쪽으로 분리, 형성되어 있다.
저항성 접촉층 위에는 세로 방향으로 뻗어 있는 데이터선(61), 데이터선(61)의 일부인 소스 전극(62), 게이트 전극(22)을 중심으로 소스 전극(62)과 마주하는 드레인 전극(63), 데이터선(61)에 연결되어 외부로부터 화상 신호를 인가받아 데이터선(61)에 전달하는 데이터 패드(64)를 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다.
여기서, 게이트 전극(22), 반도체층(41), 소스 전극(62) 및 드레인 전극(63)은 박막 트랜지스터를 이루고 있다.
데이터 배선(61, 62, 63, 64) 위에는 질화 규소 또는 유기 절연막으로 이루어진 보호막(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 보호막은 게이트 절연막과 함께 게이트 패드(23)를 드러내는 접촉 구멍(73)을 가지고 있을 뿐만 아니라, 데이터 패드(64)를 드러내는 접촉 구멍(74)과 드레인 전극(63)을 드러내는 접촉 구멍(72)을 가지고 있다.
보호막 위에는 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(80), 보조 게이트 패드(83) 및 보조 데이터 패드(84)가 형성되어 있다.
화소 전극(80)은 접촉 구멍(72)을 통하여 드레인 전극(63)과 연결되어 화상 신호를 전달받는다. 보조 게이트 패드(83)와 보조 데이터 패드(84)는 접촉 구멍(73, 74)을 통해 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)와 각각 연결되어 있으며, 이들은 패드(23, 64)와 외부 회로 장치와의 접착성을 보완하고 패드(23, 64)를 보호하는 역할을 한다.
여기서, 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)의 구조에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다.
도 2는 도 1에서 Ⅱ 부분을 확대하여 도시한 도면이다.
도 2에서와 같이, 데이터 패드(64)는 다수의 구멍(164)을 갖는 그물망 형태로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 여기서는 데이터 패드(64)를 도면으로 표시하였으나 게이트 패드(23)도 마찬가지로 그물망 형태로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 한편, 공정에 따라서 패드(23, 64)의 일부 또는 전부가 그물망 형태로 형성되어 있을 수 있다.
이와 같이 패드(23, 64)를 그물망 형태로 형성하였을 때는 패드에 이물질이나 손상된 부분이 있을 때 그 부분을 패드로부터 분리하기가 용이하며 완벽하게 분리할 수 있다. 이에 대하여는 이후 도 5를 참조하여 설명한다.
한편, 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)는 소패드가 두 개 이상 모여서 이루어질 수도 있으며, 이에 대하여 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 제2 및 제3 실시예로 설명한다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판에서 패드를 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판에서 패드를 도시한 도면이다. 여기서, 패드(23, 64)를 제외한 나머지 부분은 앞서 설명한 제1 실시예와 동일한 구조를 가지며, 도 3 및 도 4에서는 데이터 패드(64)의 구조만 도시하였으나 게이트 패드(23)도 마찬가지의 구조를 갖는다.
도 3에서와 같이, 데이터선(61)마다 연결되어 있는 데이터 패드는 소패드(641)가 두 개 이상 모여서 이루어지거나, 도 4에서와 같이 그물망 구조의 소패드(640)가 두 개 이상 모여서 이루어질 수 있다.
그러면, 그물망 구조를 갖는 패드에서 이물질이나 손상된 부분을 패드로부터 분리하는 방법에 대하여 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 패드에 이물질 또는 부식이 있을 때 불량을 제거하는 방법을 도시한 도면이다.
도 5에서와 같이, 이물질(C)이 패드(64)에 부착되면 각 패드(64) 간에 단락이 발생하게 되어 패드(64)에 손상이 오게 되고 패드(64) 불량이 발생하기 쉽다.이러한 경우에는 레이저를 사용하여 L 선을 따라 잘라 이물질(C)을 패드(64)로부터 분리한다. 또한, 습기 및 전기적 충격에 의해 패드(64)가 손상된 경우에도 동일한 방법으로 레이저를 사용하여 손상된 부분을 패드(64)로부터 분리한다. 이때, 패드(64)가 그물망 구조로 형성되어 있기 때문에 이물질 또는 손상된 부분을 레이저로 자르기가 용이하며 패드로부터 완벽하게 분리할 수 있다.
또한, 도 4에서와 같이, 각 배선마다 소패드(640)를 다수로 형성하여 하나의 패드로 하는 경우에는 오염 물질에 의해 다수의 소패드(640) 중 어느 하나가 불량이면 불량인 부분을 레이저를 이용하여 제거하고 남은 소패드(640)를 이용할 수 있다.
공정에 따라서 패드부의 일정 부분 또는 전체를 그물망 구조로 형성하여 종래 이물질 또는 습기에 의해 손상된 부분을 레이저를 이용하여 제거함으로써 패드 불량을 방지할 수 있다.
이와 같이 본 발명에서는 패드가 그물망 구조로 형성되어 있어 이물질 또는 습기 또는 전기적 충격에 의해 손상된 부분을 패드로부터 완벽하게 분리하여 패드 불량을 방지할 수 있다.
Claims (4)
- 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,상기 게이트선의 끝에 연결되어 있으며 외부로부터 게이트 신호를 전달받아 상기 게이트선에 전달하는 게이트 패드,상기 게이트선과 절연되어 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선,상기 데이터선의 끝에 연결되어 있으며 외부로부터 데이터 신호를 전달받아 상기 데이터선에 전달하는 데이터 패드,상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터,상기 화소 영역에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하며,상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드의 적어도 일부가 그물망 형태를 가지는 액정 표시 장치의 패드 구조.
- 제1항에서,상기 게이트 패드는 그물망 형태를 갖는 소패드가 다수로 이루어진 액정 표시 장치의 패드 구조.
- 제1항에서,상기 데이터 패드는 그물망 형태를 갖는 소패드가 다수로 이루어진 액정 표시 장치의 패드 구조.
- 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,상기 게이트선의 끝에 연결되어 있으며 외부로부터 게이트 신호를 전달받아 상기 게이트선에 전달하는 게이트 패드,상기 게이트선과 절연되어 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선,상기 데이터선의 끝에 연결되어 있으며 외부로부터 데이터 신호를 전달받아 상기 데이터선에 전달하는 데이터 패드,상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터,상기 화소 영역에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하며,상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드는 각각 다수의 소패드로 이루어진 액정 표시 장치의 패드 구조.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9854672B2 (en) | 2014-03-03 | 2017-12-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Printed circuit board and method of manufacturing a printed circuit board |
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A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120315 Year of fee payment: 6 |
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LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |