KR20020031522A - 반도체 소자의 캐패시터 구조 - Google Patents
반도체 소자의 캐패시터 구조 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020031522A KR20020031522A KR1020000062019A KR20000062019A KR20020031522A KR 20020031522 A KR20020031522 A KR 20020031522A KR 1020000062019 A KR1020000062019 A KR 1020000062019A KR 20000062019 A KR20000062019 A KR 20000062019A KR 20020031522 A KR20020031522 A KR 20020031522A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- capacitor
- semiconductor device
- capacitors
- semiconductor substrate
- capacitor structure
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/86—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having horizontal extensions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 캐패시터 구조에 관한 것으로, 다수의 캐패시터를 갖는 반도체 소자에서, 이웃하는 캐패시터를 교호적으로 일부가 중첩되도록 상부 및 하부에 배치시키므로써, 제한된 면적하에서 캐패시터의 정전 용량을 극대화 시킬 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 구조에 관하여 기술된다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 캐패시터 구조에 관한 것으로, 특히 다수의 캐패시터를 갖는 반도체 소자에서, 이웃하는 캐패시터를 교호적으로 일부가 중첩되도록 상부 및 하부에 배치시키므로써, 제한된 면적하에서 캐패시터의 정전 용량을 극대화 시킬 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 구조에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자가 고집적화 및 소형화되어 감에 따라 반도체 소자의 구성 요소 각각이 차지하는 면적은 줄어들고 있다. 반도체 소자의 크기가 줄어들더라도 반도체 소자의 구동에 필요한 최소한의 캐패시터의 정전 용량은 확보되어야 한다. 예를 들어, 소자가 구동되기에 필요로하는 정전 용량은 256메가 기준으로 30페럿 정도이다.
도 1은 종래 반도체 소자의 캐패시터 구조를 설명하기 위한 소자의 단면도이다. 소자 분리막, 접합부, 워드 라인, 비트 라인 등과 같이 반도체 소자를 형성하기 위한 여러 요소가 형성된 반도체 기판(11)이 제공되고, 여러 요소들을 전기적 및 외부로 부터 보호하기 위하여 절연막(12)이 형성된다. 이러한 상태에서 다수의 캐패시터(13a, 13b, 13c 및 13d)를 형성하게 되는데, 이들 캐패시터(13a, 13b, 13c 및 13d)는 모두 같은 레벨(level)에 위치되어 있다.
이와 같이 다수의 캐패시터가 서로 이웃하여 같은 레벨에 위치된 구조는 반도체 소자가 고집적화 및 소형화를 실현하는데 한계가 있게된다. 즉, 하나의 캐패시터가 차지하는 면적은 한정되어 있고, 반도체 소자의 크기가 줄어들더라도 반도체 소자의 구동에 필요한 최소한의 캐패시터의 정전 용량을 확보하여야 하는데, 기존의 캐패시터 구조에서는 정전 용량 확보에 필요한 커플링 비를 증가시키기에는 한계가 있게된다. 커플링 비를 증가시키기 위하여, 캐패시터의 높이를 높이는 방안이 있는데, 식각 공정의 한계와 캐패시터의 모서리 부분이 부러져 오염 요인으로 작용할 우려가 있어 이 방안 또한 한계가 있게된다.
따라서, 본 발명은 다수의 캐패시터를 갖는 반도체 소자에서, 이웃하는 캐패시터를 교호적으로 일부가 중첩되도록 상부 및 하부에 배치시키므로써, 제한된 면적에서 캐패시터의 정전 용량을 극대화 시킬 수 있고, 소자의 신뢰성 및 수율을 향상시킬 수 있으며, 소자의 고집적화 및 소형화를 실현시킬 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 구조를 제공하는데 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 캐패시터 구조는 다수의 캐패시터를 갖는 반도체 소자에서, 이웃하는 캐패시터를 교호적으로 일부가 중첩되도록 상부 및 하부에 배치된 것을 특징으로 한다.
도 1은 종래 반도체 소자의 캐패시터 구조를 설명하기 위한 소자의 단면도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 캐패시터 구조를 설명하기 위한 소자의 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11, 21: 반도체 기판12, 22: 절연막
13a, 13b, 13c, 13d, 23a, 23b, 23c, 23d: 캐패시터
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 캐패시터 구조를 설명하기 위한 소자의 단면도이다. 소자 분리막, 접합부, 워드 라인, 비트 라인 등과 같이 반도체 소자를 형성하기 위한 여러 요소가 형성된 반도체 기판(21)이 제공되고, 여러 요소들을 전기적 및 외부로 부터 보호하기 위하여 절연막(22)이 형성된다. 이러한 상태에서 다수의 캐패시터(23a, 23b, 23c 및 23d)를 형성하는데, 먼저 제 1 및 제 3 캐패시터(23a, 및 23c)를 먼저 형성하고, 그 다음에 제 2 및 제 4 캐패시터(23b 및 23d)를 형성한다. 즉, 홀수 번째 캐패시터들(23a, 및 23c)을 먼저형성하고, 이들 사이에 위치하는 짝수 번째 캐패시터들(23b 및 23d)을 후에 형성하며, 이들 홀수 번째 캐패시터(23a, 및 23c)와 짝수 번째 캐패시터(23b 및 23d)는 절연막(22)에 의해 분리되며, 기존과는 달리 다른 레벨(level)에 위치된다.
상기한 본 발명의 캐패시터 구조는 이웃하는 캐패시터를 교호적으로 일부가 중첩되도록 상부 및 하부에 배치되기 때문에 기존의 캐패시터 구조와 비교할 때, 중첩되는 부분 만큼 커플링 비를 증가시킬 수 있어 반도체 소자의 크기가 줄어들더라도 반도체 소자의 구동에 필요한 최소한의 캐패시터의 정전 용량을 확보할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 다수의 캐패시터를 갖는 반도체 소자에서, 이웃하는 캐패시터를 교호적으로 일부가 중첩되도록 상부 및 하부에 배치시키므로써, 제한된 면적에서 캐패시터의 정전 용량을 극대화 시킬 수 있고, 소자의 신뢰성 및 수율을 향상시킬 수 있으며, 소자의 고집적화 및 소형화를 실현시킬 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 구조를 제공하는데 목적이 있다.
Claims (1)
- 다수의 캐패시터를 갖는 반도체 소자에서, 이웃하는 캐패시터를 교호적으로 일부가 중첩되도록 상부 및 하부에 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 구조.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000062019A KR20020031522A (ko) | 2000-10-20 | 2000-10-20 | 반도체 소자의 캐패시터 구조 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000062019A KR20020031522A (ko) | 2000-10-20 | 2000-10-20 | 반도체 소자의 캐패시터 구조 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020031522A true KR20020031522A (ko) | 2002-05-02 |
Family
ID=19694659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000062019A KR20020031522A (ko) | 2000-10-20 | 2000-10-20 | 반도체 소자의 캐패시터 구조 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20020031522A (ko) |
-
2000
- 2000-10-20 KR KR1020000062019A patent/KR20020031522A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4805600B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US8274112B2 (en) | Semiconductor memory device having pillar structures | |
| KR101138577B1 (ko) | 반도체 구조, 커패시터 형성 방법, 및 ｄｒａｍ 어레이 형성 방법 | |
| CN101506964B (zh) | 半导体装置、组合件和构造以及形成半导体装置、组合件和构造的方法 | |
| US8847353B2 (en) | Semiconductor device and data processing system using the same | |
| CN101465385B (zh) | 电容结构 | |
| US20190181063A1 (en) | Semiconductor wafer with test key structure | |
| KR20160035407A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| US6429475B1 (en) | Cell capacitors, memory cells, memory arrays, and method of fabrication | |
| US11804452B2 (en) | Pic structure having barrier surrounding opening for optical element to prevent stress damage | |
| KR100712517B1 (ko) | 에어 갭 구조를 갖는 반도체 소자의 인터포저 | |
| JP2004241762A (ja) | 半導体装置 | |
| US10062640B2 (en) | Semiconductor devices including sealing regions and decoupling capacitor regions | |
| US7479698B2 (en) | Bonding pad structure disposed in semiconductor device and related method | |
| US5903030A (en) | Semiconductor device provided with an ESD protection circuit | |
| CN101241911A (zh) | 整合于显示面板的栅极驱动电路及其制作方法 | |
| KR20020031522A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 구조 | |
| JP2006229186A (ja) | 半導体集積回路およびその製造方法 | |
| KR100359591B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| US9202785B2 (en) | Three dimensional integrated circuit capacitor having vias | |
| CN101752337A (zh) | 半导体集成电路器件及显示装置 | |
| KR100641983B1 (ko) | 이중 다마신 구조를 갖는 금속-절연체-금속 커패시터 및그 제조 방법 | |
| US6653655B2 (en) | Integrated semiconductor device including high-voltage interconnections passing through low-voltage regions | |
| JP7454683B2 (ja) | 半導体構造 | |
| TWI741543B (zh) | 記憶體結構 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |