KR20020028369A - 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법 및 그방법으로 제조된 전도체 - Google Patents

백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법 및 그방법으로 제조된 전도체 Download PDF

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/04—Alloys based on a platinum group metal

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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

본 발명은 전기적 성질인 전기 비저항을 극대화시킴은 물론, 기계적 성질인 강도 및 가공성을 향상시키고 비중을 낮추며, 원적외선의 방출 및 항균과 변색이 방지되는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법 및 그 방법으로 제조된 전도체에 관한 것으로서, 이는 백금(Pt) 90∼99.5wt%를 로에 투입하고, 그 로를 백금의 용융점 온도인 1773℃의 70∼90%의 온도 즉, 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 상기 백금을 교반 가능한 상태로 만드는 단계; 상기 교반 가능한 상태가 된 로내의 백금 속에 SiO273.41wt%, Al2O314.56wt%, Fe2O31.13wt%, K2O 4.13wt%, Na2O 2.48wt%, CaO 2.28wt%, MgO 0.72wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.29wt%로 조성된 심성화강암 A분말 0.5∼10wt%를 가스와 함께 공급하며 백금을 교반시키는 단계; 상기 심성화강암 분말의 공급이 완료되면 그 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 골고루 이루어지도록 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 온도를 그 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높은 1800℃∼1805℃의 온도로 가열하여 계속적으로 교반하는 단계; 상기 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높게 가열하며 계속적인 교반으로 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 완료되면 이를 몰드에 투입하여 전도체를 만드는 단계;로 이루어져서 된 것이다.

Description

백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법 및 그 방법으로 제조된 전도체{Conductor of manufacturing method using platinum and ceramic compound matter and the Conductor thereof}
본 발명은 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 및 그 전도체 제조방법에관한 것으로서, 더욱 상세하게는 백금(Pt) 90∼99.5wt%에, 세라믹 복합체인 SiO273.41wt%, Al2O314.56wt%, Fe2O31.13wt%, K2O 4.13wt%, Na2O 2.48wt%, CaO 2.28wt%, MgO 0.72wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.29wt%의 조성물(이하 "심성화강암 A분말"이라 함), SiO273.53wt%, Al2O312.52wt%, Fe2O34.76wt%, K2O 3.78wt%, Na2O 2.07wt%, CaO 1.56wt%, MgO 0.51wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.27wt%의 조성물(이하 "심성화강암 B분말" 이라 함), SiO254.42wt%, Al2O39.16wt%, Fe2O31.87wt%, K2O 4.18wt%, Na2O 3.74wt%, CaO 4.17wt%, MgO 14.19wt%와 기타 미량 성분 8.27wt%의 조성물(이하 "심성화강암 C분말" 이라 함), SiO279.89wt%, Al2O314.92wt%, Fe2O30.31wt%, K2O 1.24wt%, Na2O 0.64wt%, CaO 1.89wt%, MgO 0.17wt%와 기타 미량 성분 0.94wt%의 조성물(이하 "심성화강암 D분말"이라 함), SiO279.76wt%, Al2O39.87wt%, Fe2O30.21wt%, K2O 3.79wt%, Na2O 2.81wt%, CaO 1.59wt%, MgO 0.86wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.11wt%의 조성물(이하 "심성화강암 E분말"이라 함), 중 어느 하나의 심성화강암 분말 0.5∼10wt%가 골고루 혼합 분포된 전도체를 제조하여 제공하고자 하는 것이다.
일반적으로 전도체는 대부분이 수지 종류의 것으로서 그 사용처가 제한적이었고 제조방법 또한 복잡하고 난해하여 대량생산에 어려움이 있는 바, 이와 같은 상기 수지 종류로 된 전도체는 냉동/냉장 및 각종 가전제품의 내/외장재로 많이 사용되고 있으며 상기 수지는 그 특성상 전도성이 떨어져 정밀도를 요하는 전기/전자 분야에서는 사용되기 어려운 문제점이 있다.
따라서 상기의 문제점을 해소하고자 전기 전도도가 좋은 백금속을 분말화하고 또 수지재를 분말화하여 그 들을 상호 믹싱한 다음 그 믹싱된 혼합물을 패널형태로 만들어 전도성 수지를 만들어 제공하고 있다.
그러나 상기의 방법으로 제조되는 전도성 수지는 전도성을 갖는 금속재와 수지재를 믹싱하는 과정에서 그 재료의 특성상 믹싱이 원활하게 이루어지지 않고 또 믹싱된 재료를 패널형태로 만드는 과정에서 상기 전도성을 갖는 금속재와 수지재의 비중 차이에 의해 금속재와 수지재가 균일하게 분포되지 못하고 불 균일하게 분포되는 문제점이 있었다.
따라서 근래에는 상기와 같은 문제점을 해소하고자 수지내부에 전도성이 좋은 동(Cu)이나 알루미늄(Al)재의 와이어를 배열하여 합침 시킴과 동시에, 원적외선이 방출되는 황토 및 세라믹 등으로 제조된 원적외선 방출소재를 배열하여 환경 친화적인 전도성 수지를 제공함은 물론, 전도성 수지의 경량화와 균일한 전도성을 갖도록 하고 있으나 이 또한 정밀도를 요하는 부분에는 사용하지 못하는 문제점이 재기되고 있다.
그러므로 정밀도를 요하는 부분에 사용되는 전도체는 고가의 은이나 백금 또는 백금 등을 직접 가공하여 사용함으로 원가 상승의 문제점과 경제성이 떨어지는 문제점이 있다
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하고자 발명한 것으로서 백금을 로에 투입하여 용융하면서 가스와 함께 세라믹 복합체인 심성화강암 분말을 투입하여 교반함으로서 상기 심성화강암 분말이 백금 조직내에 침입되어 전기적 성질인 전기 비저항을 극대화시킴은 물론, 기계적 성질인 강도 및 가공성을 향상시키고 비중을 낮추며 원적외선의 방출 및 항균과 변색방지를 할 수 있는 전도체를 제조하는 방법과 그 방법으로 제조된 전도체를 제공함에 그 목적이 있는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법을 나타낸 공정도
도 2는 본 발명에 따른 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체를 제조하는 시스템을 나타낸 개략도
※도면의 주요부분에 대한 부호 설명※
10 : 콘트롤패널11 : 지지대12 : 스크류바
13 : 로14 : 라인15 : 교반수단
16 : 세라믹복합체 공급수단17 : 가스공급수단
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법에 대한 특징적인 기술적 구성을 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 먼저 백금(Pt) 90∼99.5wt%를 로에 투입하고, 그 로를 백금의 용융점 온도인 1773℃의 70∼90%의 온도인 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 백금을 교반 가능한 상태로 만드는 단계;
상기 교반 가능한 상태가 된 로내의 백금 속에 SiO273.41wt%, Al2O314.56wt%, Fe2O31.13wt%, K2O 4.13wt%, Na2O 2.48wt%, CaO 2.28wt%, MgO 0.72wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.29wt%로 조성된 심성화강암 A분말 0.5∼10wt%를 가스와 함께 공급하며 백금을 교반시키는 단계;
상기 심성화강암 분말의 공급이 완료되면 그 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 골고루 이루어지도록 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 온도를 그 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높은 1800℃∼1805℃의 온도로 가열하여 계속적으로 교반하는 단계;
상기 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높게 가열하며, 계속적인 교반으로 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 완료되면 이를 몰드에 투입하여 전도체를 만드는 단계;로 이루어져서 된 것이다.
그리고 상기 백금(Pt)이 투입된 로는 진공상태이고, 심성화강암 A분말의 입자 크기는 0.1μ이하이며, 로에 투입되는 가스는 불활성가스 이고, 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 속에 투입되는 심성화강암 분말과 가스는 로내의 저부에서 소정의 압으로 투입하여 백금이 교반되게 하여서 된 것이다.
또한 본 발명은 백금(Pt) 90∼99.5wt%를 로에 투입하고, 그 로를 백금의 용융점 온도의 70∼90%의 온도인 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 백금을 교반 가능한 상태로 만드는 단계;
상기 교반 가능한 상태가 된 로내의 백금 속에 SiO273.53wt%, Al2O312.52wt%, Fe2O34.76wt%, K2O 3.78wt%, Na2O 2.07wt%, CaO 1.56wt%, MgO 0.51wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.27wt%로 구성되는 심성화강암 B분말 0.5∼10wt%를 가스와 함께 공급하며 백금을 교반시키는 단계;
상기 심성화강암 분말의 공급이 완료되면 그 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 골고루 이루어지도록 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 온도를 그 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높은 1800℃∼1805℃의 온도로 가열하여 계속적으로 교반하는 단계;
상기 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높게 가열하며, 계속적인 교반으로 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 완료되면 이를 몰드에 투입하여 전도체를 만드는 단계;로 이루어져서 된 것이다.
그리고 상기 백금(Pt)이 투입된 로는 진공상태이고, 심성화강암 B분말의 입자 크기는 0.1μ이하이며, 로에 투입되는 가스는 불활성가스 이고, 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 속에 투입되는 심성화강암 분말과 가스는 로내의 저부에서 소정의 압으로 투입하여 백금이 교반되게 하여서 된 것이다.
또한 본 발명은 백금(Pt) 90∼99.5wt%를 로에 투입하고, 그 로를 백금의 용융점 온도의 70∼90%의 온도인 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 백금을 교반 가능한 상태로 만드는 단계;
상기 교반 가능한 상태가 된 로내의 백금 속에 SiO254.42wt%, Al2O39.16wt%, Fe2O31.87wt%, K2O 4.18wt%, Na2O 3.74wt%, CaO 4.17wt%, MgO 14.19wt%와 기타 미량 성분 8.27wt%로 구성되는 심성화강암 C분말 0.5∼10wt%를 가스와 함께 공급하며 백금을 교반시키는 단계;
상기 심성화강암 분말의 공급이 완료되면 그 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 골고루 이루어지도록 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 온도를 그 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높은 1800℃∼1805℃의 온도로 가열하여 계속적으로 교반하는 단계;
상기 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높게 가열하며, 계속적인 교반으로 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 완료되면 이를 몰드에 투입하여 전도체를 만드는 단계;로 이루어져서 된 것이다.
그리고 상기 백금(Pt)이 투입된 로는 진공상태이고, 심성화강암 C분말의 입자 크기는 0.1μ이하이며, 로에 투입되는 가스는 불활성가스 이고, 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 속에 투입되는 심성화강암 분말과 가스는 로내의 저부에서 소정의 압으로 투입하여 백금이 교반되게 하여서 된 것이다.
또한 본 발명은 백금(Pt) 90∼99.5wt%를 로에 투입하고, 그 로를 백금의 용융점 온도의 70∼90%의 온도인 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 백금을 교반 가능한 상태로 만드는 단계;
상기 교반 가능한 상태가 된 로내의 백금 속에 SiO279.89wt%, Al2O314.92wt%, Fe2O30.31wt%, K2O 1.24wt%, Na2O 0.64wt%, CaO 1.89wt%, MgO 0.17wt%와 기타 미량 성분 0.94wt%로 구성되는 심성화강암 D분말 0.5∼10wt%를 가스와 함께 공급하며 백금을 교반시키는 단계;
상기 심성화강암 분말의 공급이 완료되면 그 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 골고루 이루어지도록 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 온도를 그 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높은 1800℃∼1805℃의 온도로 가열하여 계속적으로 교반하는 단계;
상기 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높게 가열하며, 계속적인 교반으로 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 완료되면 이를 몰드에 투입하여 전도체를 만드는 단계;로 이루어져서 된 것이다.
그리고 상기 백금(Pt)이 투입된 로는 진공상태이고, 심성화강암 D분말의 입자 크기는 0.1μ이하이며, 로에 투입되는 가스는 불활성가스 이고, 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 속에 투입되는 심성화강암 분말과 가스는 로내의 저부에서 소정의 압으로 투입하여 백금이 교반되게 하여서 된 것이다.
또한 본 발명은 백금(Pt) 90∼99.5wt%를 로에 투입하고, 그 로를 백금의 용융점 온도의 70∼90%의 온도인 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 백금을 교반 가능한 상태로 만드는 단계;
상기 교반 가능한 상태가 된 로내의 백금 속에 SiO279.76wt%, Al2O39.87wt%, Fe2O30.21wt%, K2O 3.79wt%, Na2O 2.81wt%, CaO 1.59wt%, MgO 0.86wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.11wt%로 조성된 심성화강암 E분말 0.5∼10wt%를 가스와 함께 공급하며 백금을 교반시키는 단계;
상기 심성화강암 분말의 공급이 완료되면 그 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 골고루 이루어지도록 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 온도를 그 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높은 1800℃∼1805℃의 온도로 가열하여 계속적으로 교반하는 단계;
상기 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높게 가열하며, 계속적인 교반으로심성화강암 분말과 백금의 혼합이 완료되면 이를 몰드에 투입하여 전도체를 만드는 단계;로 이루어져서 된 것이다.
그리고 상기 백금(Pt)이 투입된 로는 진공상태이고, 심성화강암 E분말의 입자 크기는 0.1μ이하이며, 로에 투입되는 가스는 불활성가스이고, 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 속에 투입되는 심성화강암 분말과 가스는 로내의 저부에서 소정의 압으로 투입하여 백금이 교반되게 하여서 된 것이다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체에 대한 특징적인 기술적 구성을 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 백금(Pt) 90∼99.5wt%에, SiO273.41wt%, Al2O314.56wt%, Fe2O31.13wt%, K2O 4.13wt%, Na2O 2.48wt%, CaO 2.28wt%, MgO 0.72wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.29wt%로 구성되는 심성화강암 A분말;
SiO273.53wt%, Al2O312.52wt%, Fe2O34.76wt%, K2O 3.78wt%, Na2O 2.07wt%, CaO 1.56wt%, MgO 0.51wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.27wt%로 구성되는 심성화강암 B분말;
SiO254.42wt%, Al2O39.16wt%, Fe2O31.87wt%, K2O 4.18wt%, Na2O 3.74wt%, CaO 4.17wt%, MgO 14.19wt%와 기타 미량 성분 8.27wt%로 구성되는 심성화강암 C분말;
SiO279.89wt%, Al2O314.92wt%, Fe2O30.31wt%, K2O 1.24wt%, Na2O 0.64wt%,CaO 1.89wt%, MgO 0.17wt%와 기타 미량 성분 0.94wt%로 구성되는 심성화강암 D분말;
SiO279.76wt%, Al2O39.87wt%, Fe2O30.21wt%, K2O 3.79wt%, Na2O 2.81wt%, CaO 1.59wt%, MgO 0.86wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.11wt%로 구성되는 심성화강암 E분말; 중 어느 하나의 심성화강암 분말 0.5∼10wt%가 골고루 혼합 분포된 것이다.
그리고 상기 백금(Pt) 90∼99.5wt%에 심성화강암 분말 0.5∼10wt%가 혼합 분포된 전도체는 괴 상태이고, 상기 백금(Pt) 90∼99.5wt%에 심성화강암 분말 0.5∼10wt%가 혼합 분포된 전도체는 사용용도에 맞는 크기 및 형태로 가공하여서 된 것이다.
이와 같은 특징을 갖는 본 발명의 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법 및 그 방법으로 제조된 전도체를 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법을 나타낸 공정도이고, 도 2는 본 발명에 따른 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체를 제조하는 시스템을 나타낸 개략도로서,
본 발명은 먼저 도 2에 나타낸 바와 같이 가스공급수단(17)에는 불활성가스인 아르곤 가스가 구비되고, 세라믹복합체 공급수단(16)에는 0.1μ이하의 입자크기를 갖는 SiO273.41wt%, Al2O314.56wt%, Fe2O31.13wt%, K2O 4.13wt%, Na2O 2.48wt%,CaO 2.28wt%, MgO 0.72wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.29wt%로 구성되는 심성화강암 A분말;
0.1μ이하의 입자크기를 갖는 SiO273.53wt%, Al2O312.52wt%, Fe2O34.76wt%, K2O 3.78wt%, Na2O 2.07wt%, CaO 1.56wt%, MgO 0.51wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.27wt%로 구성되는 심성화강암 B분말;
0.1μ이하의 입자크기를 갖는 SiO254.42wt%, Al2O39.16wt%, Fe2O31.87wt%, K2O 4.18wt%, Na2O 3.74wt%, CaO 4.17wt%, MgO 14.19wt%와 기타 미량 성분 8.27wt%로 구성되는 심성화강암 C분말;
0.1μ이하의 입자크기를 갖는 SiO279.89wt%, Al2O314.92wt%, Fe2O30.31wt%, K2O 1.24wt%, Na2O 0.64wt%, CaO 1.89wt%, MgO 0.17wt%와 기타 미량 성분 0.94wt%로 구성되는 심성화강암 D분말;
0.1μ이하의 입자크기를 갖는 SiO279.76wt%, Al2O39.87wt%, Fe2O30.21wt%, K2O 3.79wt%, Na2O 2.81wt%, CaO 1.59wt%, MgO 0.86wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.11wt%로 구성되는 심성화강암 E분말; 중 어느 하나의 심성화강암 분말을 충입한다.
상기와 같이 가스공급수단(17)의 아르곤 가스 구비 및 세라믹복합체 공급수단(16)의 삼성화강암 분말의 충입 작업이 완료되면, 로(13)에 백금을 90∼99.5wt%투입하고 그 백금이 투입된 로(13)를 백금의 용융점인 1773℃의 70∼90% 온도인1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 백금을 교반 가능한 상태가 되도록 용융시킨다.
이와 같이하여 백금의 용융 작업이 완료되면 상기 가스공급수단(17)과 세라믹복합체 공급수단(16)을 가동시켜 아르곤 가스와 심성화강암 분말을 공급라인을 통해 백금이 교반 가능한 상태로 용융된 로(13)의 내부에 공급한다. 이때 상기 아르곤 가스와 심성화강암 분말의 공급은 로(13)의 내부 즉, 용융된 백금의 저부에서 공급되도록 한다.
그 이유는 상기 이르곤 가스가 용융된 백금의 저부에서 공급되어 상부로 치솟으면서 상기 용융된 백금을 교반시켜 그 교반력에 의해 심성화강암 분말이 백금과 믹싱되게 하기 위해서이다.
그리고 상기 심성화강암 분말의 입자크기를 0.1μ이하가 되게 한 이유는 상기 백금과 심성화강암 분말간에 믹싱이 원활하게 이루어짐은 물론, 백금의 조직내에 심성화강암 분말이 침입할 수 있도록 하기 위해서 이다.
이때 상기 백금 90∼99.5wt%에 심성화강암 분말 0.5∼10wt%를 투입하는데, 그 이유는 그 이상을 투입하게 되면 로내 믹싱작업의 특성상 백금과 심성화강암 분말의 혼합작업이 정상적으로 이루어지지 않는 문제점이 있고, 그 이하를 투입하게 되면 심성화강암 분말의 사용량이 극 미량이기 때문에 본 발명에서 목적하는 전도체의 특성을 발휘할 수 없는 문제점이 있다.
또 로(13)내에 투입된 백금을 용융함에 있어 그 백금의 용융점인 1773℃의 70∼90%의 온도인 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 백금을 교반 가능한 상태가 되도록 용융시키는 이유는 백금을 1773℃로 완전 용융시켜 장시간 작업을 하게 되면 백금이 기화될 염려가 있음은 물론, 백금과 심성화강암 분말과의 비중 차이에 의해 상기 백금과 심성화강암 분말의 믹싱이 완전하게 이루어지지 않는 문제점이 있기 때문에, 백금을 그 백금의 용융점인 1773℃의 70∼90%의 온도인 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 교반 가능한 상태가 되도록 용융시킨다.
이상과 같이하여 백금과 심성화강암 분말이 로(13)내에서의 1차 믹싱 작업이 완료되면, 그 다음에는 상기 심성화강암 분말이 믹싱된 백금을 용융점 온도보다 30℃정도 더 높은 1090℃∼1095℃의 온도로 가열하여 완전 용융시킨 다음, 교반수단(15)을 이용하여 교반함으로서 상기 백금과 심성화강암 분말과의 믹싱 작업을 최종완료 한다.
그리고 상기 최종 완료된 용융물을 몰드에 공급하여 괴 상태의 전도체를 만들고, 그 괴 상태로 만들어진 전도체는 사용용도에 맞게 가공하여 사용하면 된다.
상기 로(13)내에서의 1차 믹싱 작업이 완료된 용융물을 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 더 높게 가열하여 완전 용융시킨 다음, 교반수단(15)을 이용하여 교반하는 이유는 상기 백금을 완전 용융시켜야 교반수단(15)이 원활하게 작동되어 교반을 원활하게 할 수 있는 것이며, 그에 따라 백금과 심성화강암 분말과의 믹싱도 고르게 이루어진다.
상기 로(13)는 진공상태를 유지한 상태에서 용융작업을 실시함이 바람직하다. 그 이유는 용융물이 대기 중의 공기와 접촉되는 것을 방지하기 위함이다.
이하 본 발명을 실시예를 들어 설명하면 다음과 같다.
(실시예 1)
본 발명의 실시예 1은 백금 90∼99.5wt%를 로에 투입하고, 그 로를 백금의 용융점온도의 70∼90%의 온도인 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 상기 백금을 교반 가능한 상태로 만든 다음, 아르곤 가스와 함께 SiO273.41wt%, Al2O314.56wt%, Fe2O31.13wt%, K2O 4.13wt%, Na2O 2.48wt%, CaO 2.28wt%, MgO 0.72wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.29wt%로 구성되는 심성화강암 A분말 0.5∼10wt%를 공급하여 상기 백금과 심성화강암 분말을 믹싱하고, 그 믹싱된 용융물을 다시 백금의 용융점 온도보다 30℃ 정도 높은 1800℃∼1805℃의 온도로 가열하며 교반한 후, 이를 몰드에 공급하여 전도체를 만든 다음, 전기저항을 기술표준원에 의뢰하여 측정해 본 결과 하기 표 1과 같은 결과가 나왔으며, 항균성을 한국건자재시험연구원(KICM)에 의뢰하여 측정해 본 결과 하기 표2와 같은 시험결과가 나왔다.
그리고 전도도와 강도 및 가공성 그리고 원적외선방출등을 측정해 본 결과 매우 우수한 특성을 나타내었다.
Bio-platinum 두께 비저항
1회 0.199mm 6.131805E-07㎝.Ω
2회 0.199mm 6.103634E-07㎝.Ω
평균 0.199mm 6.117719E-07㎝.Ω
시험항목 시료구분 초기 농도(CFU/mL) 24시간후농도(CFU/mL) 세균감소율(%)
대장균에 의한항균시험 Blank 172 435 -
합성백금(Bio-platinum) 172 1 99.8
녹농균에 의한항균시험 Blank 162 434 -
합성백금(Bio-platinum) 162 1 99.8
(주) 1) Blank : 시료를 넣지 않은 상태에서 측정한 것임.
2) CFU : Colony Forming Unit.
3) 배지상의 균수는 희석배수를 곱하여 산출한 것임.
4) 합성백금(Bio-platinum)은 백금과 세라믹 복합체임.
1) 시험방법 : KICM-FIR-1003
2) 사용균주
Escherichia coli ATCC 25922
Pseudomonas aeruginosa ATCC 15442
(실시예 2)
본 발명의 실시예 2는 백금 90∼99.5wt%를 로에 투입하고, 그 로를 백금의 용융점온도의 70∼90%의 온도인 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 상기 백금을 교반 가능한 상태로 만든 다음, 아르곤 가스와 함께 SiO273.53wt%, Al2O312.52wt%, Fe2O34.76wt%, K2O 3.78wt%, Na2O 2.07wt%, CaO 1.56wt%, MgO 0.51wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.27wt%로 구성되는 심성화강암 B분말,
SiO254.42wt%, Al2O39.16wt%, Fe2O31.87wt%, K2O 4.18wt%, Na2O 3.74wt%, CaO 4.17wt%, MgO 14.19wt%와 기타 미량 성분 8.27wt%로 구성되는 심성화강암 C분말 중 어느 하나의 심성화강암 분말 0.5∼10wt%를 공급하여 상기 백금과 심성화강암 분말을 믹싱하고, 그 믹싱된 용융물을 다시 상기 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높은 1800℃∼1805℃의 온도로 가열하며 교반한 후, 이를 몰드에 공급하여 전도체를 만든 다음, 전기저항을 측정해 본 결과 상기 표 1과 거의 유사한 결과가 나왔고, 항균성은 표2와 거의 유사한 결과가 나왔으며, 전기 전도도와 강도 및 가공성 그리고 원적외선방출등을 측정해본 결과 우수한 특성을 나타내었다.
이상과 같은 본 발명은 백금 90∼99.5wt%를 로에 투입하고, 용융하면서 아르곤 가스와 함께 심성화강암 A.B.C.D.E분말 중 어느 하나를 0.5∼10wt%를 공급하여 교반함으로서 상기 심성화강암 분말이 용융 백금중에 침입되어 전기적 성질인 전기 비저항을 극대화시킴은 물론, 기계적 성질인 강도 및 가공성을 향상시키고 비중을 낮추며 원적외선이 방출 및 항균과 변색이 방지되는 전도체를 제공하는 특유의 효과가 있다.

Claims (18)

  1. 백금(Pt) 90∼99.5wt%를 로에 투입하고, 그 로를 백금의 용융점 온도인 1773℃의 70∼90%의 온도인 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 백금을 교반 가능한 상태로 만드는 단계;
    상기 교반 가능한 상태가 된 로내의 백금 속에 SiO279.76wt%, Al2O39.87wt%, Fe2O30.21wt%, K2O 3.79wt%, Na2O 2.81wt%, CaO 1.59wt%, MgO 0.86wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.11wt%로 조성된 심성화강암 A분말 0.5∼10wt%를 가스와 함께 공급하며 백금을 교반시키는 단계;
    상기 심성화강암 분말의 공급이 완료되면 그 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 골고루 이루어지도록 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 온도를 그 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높은 1800℃∼1805℃의 온도로 가열하여 계속적으로 교반하는 단계;
    상기 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높게 가열하며 계속적인 교반으로 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 완료되면 그를 몰드에 투입하여 전도체를 만드는 단계;로 이루어져서 됨을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 백금(Pt)이 투입된 로는 진공상태이고, 심성화강암 A분말의 입자 크기는 0.1μ이하이며, 로에 투입되는 가스는 불활성가스임을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 속에 투입되는 심성화강암 분말과 가스는 로내의 저부에서 소정의 압으로 투입하여 백금이 교반되게 함을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법.
  4. 백금(Pt) 90∼99.5wt%를 로에 투입하고, 그 로를 백금의 용융점 온도인 1773℃의 온도인 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 상기 백금을 교반 가능한 상태로 만드는 단계;
    상기 교반 가능한 상태가 된 로내의 백금 속에 SiO273.41wt%, Al2O314.56wt%, Fe2O31.13wt%, K2O 4.13wt%, Na2O 2.48wt%, CaO 2.28wt%, MgO 0.72wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.29wt%로 조성된 심성화강암 B분말 0.5∼10wt%를 가스와 함께 공급하며 백금을 교반시키는 단계;
    상기 심성화강암 분말의 공급이 완료되면 그 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 골고루 이루어지도록 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 온도를 그 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높은 1800℃∼1805℃의 온도로 가열하여 계속적으로 교반하는 단계;
    상기 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높게 가열하며 계속적인 교반으로 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 완료되면 그를 몰드에 투입하여 전도체를 만드는 단계;로 이루어져서 됨을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 백금(Pt)이 투입된 로는 진공상태이고, 심성화강암 B분말의 입자 크기는 0.1μ이하이며, 로에 투입되는 가스는 불활성가스임을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 속에 투입되는 심성화강암 분말과 가스는 로내의 저부에서 소정의 압으로 투입하여 백금이 교반되게 함을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법.
  7. 백금(Pt) 90∼99.5wt%를 로에 투입하고, 그 로를 백금의 용융점 온도의 70∼90%의 온도인 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 백금을 교반 가능한 상태로 만드는 단계;
    상기 교반 가능한 상태가 된 로내의 백금 속에 SiO273.53wt%, Al2O312.52wt%, Fe2O34.76wt%, K2O 3.78wt%, Na2O 2.07wt%, CaO 1.56wt%, MgO 0.51wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.27wt%로 구성되는 심성화강암 C분말 0.5∼10wt%를 가스와 함께 공급하며 백금을 교반시키는 단계;
    상기 심성화강암 분말의 공급이 완료되면 그 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 골고루 이루어지도록 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 온도를 그 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높은 1800℃∼1805℃의 온도로 가열하여 계속적으로 교반하는 단계;
    상기 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높게 가열하며 계속적인 교반으로 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 완료되면 그를 몰드에 투입하여 전도체를 만드는 단계;로 이루어져서 됨을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 백금(Pt)이 투입된 로는 진공상태이고, 심성화강암 C분말의 입자 크기는 0.1μ이하이며, 로에 투입되는 가스는 불활성가스임을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 속에 투입되는 심성화강암 분말과 가스는 로내의 저부에서 소정의 압으로 투입하여 백금이 교반되게 함을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법.
  10. 백금(Pt) 90∼99.5wt%를 로에 투입하고, 그 로를 백금의 용융점 온도의 70∼90%의 온도인 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 백금을 교반 가능한 상태로 만드는 단계;
    상기 교반 가능한 상태가 된 로내의 백금 속에 SiO254.42wt%, Al2O39.16wt%, Fe2O31.87wt%, K2O 4.18wt%, Na2O 3.74wt%, CaO 4.17wt%, MgO 14.19wt%와 기타 미량 성분 8.27wt%로 구성되는 심성화강암 D분말 0.5∼10wt%를 가스와 함께 공급하며 백금을 교반시키는 단계;
    상기 심성화강암 분말의 공급이 완료되면 그 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 골고루 이루어지도록 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 온도를 그 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높은 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 계속적으로 교반하는 단계;
    상기 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높게 가열하며 계속적인 교반으로 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 완료되면 그를 몰드에 투입하여 전도체를 만드는 단계;로 이루어져서 됨을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 백금(Pt)이 투입된 로는 진공상태이고, 심성화강암 D분말의 입자 크기는 0.1μ이하이며, 로에 투입되는 가스는 불활성가스임을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법.
  12. 제 10항에 있어서, 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 속에 투입되는 심성화강암 분말과 가스는 로내의 저부에서 소정의 압으로 투입하여 백금이 교반되게함을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법.
  13. 백금(Pt) 90∼99.5wt%를 로에 투입하고, 그 로를 백금의 용융점 온도의 70∼90%의 온도인 1241℃∼1596℃의 온도로 가열하여 백금을 교반 가능한 상태로 만드는 단계;
    상기 교반 가능한 상태가 된 로내의 백금 속에 SiO279.89wt%, Al2O314.92wt%, Fe2O30.31wt%, K2O 1.24wt%, Na2O 0.64wt%, CaO 1.89wt%, MgO 0.17wt%와 기타 미량 성분 0.94wt%로 구성되는 심성화강암 E분말 0.5∼10wt%를 가스와 함께 공급하며 백금을 교반시키는 단계;
    상기 심성화강암 분말의 공급이 완료되면 그 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 골고루 이루어지도록 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 온도를 그 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높은 1800℃∼1805℃의 온도로 가열하여 계속적으로 교반하는 단계;
    상기 백금의 용융점 온도보다 30℃정도 높게 가열하며 계속적인 교반으로 심성화강암 분말과 백금의 혼합이 완료되면 그를 몰드에 투입하여 전도체를 만드는 단계;로 이루어져서 됨을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 백금(Pt)이 투입된 로는 진공상태이고, 심성화강암E분말의 입자 크기는 0.1μ이하이며, 로에 투입되는 가스는 불활성가스임을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 교반 가능한 상태의 로내 백금 속에 투입되는 심성화강암 분말과 가스는 로내의 저부에서 소정의 압으로 투입하여 백금이 교반되게 함을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체 제조방법.
  16. 백금(Pt) 90∼99.5wt%에, SiO279.76wt%, Al2O39.87wt%, Fe2O30.21wt%, K2O 3.79wt%, Na2O 2.81wt%, CaO 1.59wt%, MgO 0.86wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.11wt%로 구성되는 심성화강암 A분말;
    SiO273.41wt%, Al2O314.56wt%, Fe2O31.13wt%, K2O 4.13wt%, Na2O 2.48wt%, CaO 2.28wt%, MgO 0.72wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.29wt%로 구성되는 심성화강암 B분말;
    SiO273.53wt%, Al2O312.52wt%, Fe2O34.76wt%, K2O 3.78wt%, Na2O 2.07wt%, CaO 1.56wt%, MgO 0.51wt%와 게르마늄 0.5∼2ppm을 함유하는 기타 미량 성분 1.27wt%로 구성되는 심성화강암 C분말;
    SiO254.42wt%, Al2O39.16wt%, Fe2O31.87wt%, K2O 4.18wt%, Na2O 3.74wt%, CaO 4.17wt%, MgO 14.19wt%와 기타 미량 성분 8.27wt%로 구성되는 심성화강암 D분말;
    SiO279.89wt%, Al2O314.92wt%, Fe2O30.31wt%, K2O 1.24wt%, Na2O 0.64wt%, CaO 1.89wt%, MgO 0.17wt%와 기타 미량 성분 0.94wt%로 구성되는 심성화강암 E분말; 중 어느 하나의 심성화강암 분말 0.5∼10wt%가 골고루 혼합 분포된 것을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 백금(Pt) 90∼99.5wt%에 심성화강암 분말 0.5∼10wt%가 혼합 분포된 전도체는 괴 상태임을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체.
  18. 제 16항 또는 제 17항에 있어서, 상기 백금(Pt) 90∼99.5wt%에 심성화강암 분말 0.5∼10wt%가 혼합 분포된 전도체는 사용용도에 맞는 크기 및 형태로 가공된 것임을 특징으로 하는 백금과 세라믹 복합체를 이용한 전도체.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS59166643A (ja) * 1983-03-11 1984-09-20 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk ガラス溶解用白金及びその製造方法
JPS61291939A (ja) * 1985-06-17 1986-12-22 Nippon Denso Co Ltd 非酸化物セラミックヒータ用金属ロー材
JPH0734162A (ja) * 1993-07-14 1995-02-03 Nagahori:Kk 硬質高純度白金合金

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59166643A (ja) * 1983-03-11 1984-09-20 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk ガラス溶解用白金及びその製造方法
JPS61291939A (ja) * 1985-06-17 1986-12-22 Nippon Denso Co Ltd 非酸化物セラミックヒータ用金属ロー材
JPH0734162A (ja) * 1993-07-14 1995-02-03 Nagahori:Kk 硬質高純度白金合金

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