KR20020019460A

KR20020019460A - 금속표면의 방식처리 또는 후처리 방법

Info

Publication number: KR20020019460A
Application number: KR1020017015940A
Authority: KR
Inventors: 브로워쟌빌램; 바스티안마르코; 쿠엘호르스트하이케; 쿠움피터
Original assignee: 사또미 유따까; 니혼 파커라이징 가부시키가이샤
Priority date: 1999-07-15
Filing date: 2000-07-06
Publication date: 2002-03-12
Also published as: WO2001006035A1; DE19933189A1; AU6562100A; EP1208247A1; JP2003505590A

Abstract

강철, 아연도금강 또는 합금-아연도금강 혹은 알루미늄 또는 그 합금의 광택가공 표면 또는 인산염 처리된 표면의 방식(防蝕) 처리방법 혹은 후처리 방법에 있어서, 금속표면을, 붕소, 실리콘, 티탄 및/또는 지르코늄의 착플루오르화물 0.05 ∼ 10 g/l와, 1종 이상의 인산염 처리 촉진제, 바람직하게는 m-니트로벤젠 술포네이트 이온, N-메틸모르폴린 N-산화물 및 히드록실아민으로부터 선택되는 1종 이상의 인산염 처리 촉진제를 함유하는 수용액과 접촉시키는 방식처리 방법 혹은 후처리 방법을 제공한다.

Description

금속표면의 방식처리 또는 후처리 방법 {METHOD FOR THE ANTICORROSIVE TREATMENT OR POST-TREATMENT OF METAL SURFACES}

광택가공 혹은 인산염 처리된 금속표면을 착플루오르화물(complex fluoride)의 용액을 사용하여 방식처리 혹은 후처리하는 것에 대해서는 종래부터 공지되어 있다. 예컨대, EP-B-713 540에서는 필수성분으로서 (가) 티탄, 지르코늄, 하프늄,실리콘, 알루미늄 및 붕소 등의 원소의 플루오로금속 음이온과, (나) 예컨대, 구리 등의 금속으로부터 선택되는 양이온과, (다) 인함유 무기 옥소음이온 및/또는 포스포네이트 이온, 및 (라) 수용성 혹은 물분산성 폴리머를 함유하는 금속표면용의 처리 수용액을 개시하고 있다.

WO 97/02369에는 (가) 인산이온과, (나) 티탄 이온 혹은 티탄 화합물과, (다) 플루오르화 이온 혹은 플루오르 함유 화합물과, (라) 촉진제를 함유하는 알루미늄 표면 처리용의 수용액이 개시되어 있다. 여기서는 상기 성분 (나)와 (다)에서 티탄의 플루오르화 착물이 생기는 것으로 생각하고 있다. 아질산염, 질산염, 텅스텐산염, 몰리브덴산염, 과망간산염 및 수용성 유기 과산화물 중에서 선택되는 산화제를 촉진제로서 들고 있다.

본 발명은 강철, 아연도금강 혹은 합금-아연도금강의 표면 혹은 알루미늄 또는 그 합금의 표면의 방식(防蝕) 처리방법에 관한 것이다. 이 방법을 래커(lacquer) 처리 전에 단독의 방식처리법으로서 사용할 수 있고, 또한 예컨대, 철 인산염 처리 대신에 사용할 수 있다. 그러나 이 방법은 비(非)층형성 혹은 층형성 인산염 처리 금속표면의 후처리에 적합하기도 하며, 특히 예비 인산염 처리된 재료로부터 제조된 차량 몸체부 등의 구조부재의 방식용 후처리에 적합하다. 인산염층은 이러한 구조부재의 절단된 가장자리 혹은 마모된 곳에서 상실되거나 손상된다. 이들 부분은 방식보호 능력이 저하된다. 한편, 이러한 구조부재에 대한 본 발명에 의한 후처리는 존재하고 있는 인산염층의 방식효과를 보강하며, 다른 한편으로는 상실되거나 손상된 인산염층이 있는 부분을 방식층으로써 코우팅한다는 것을 의미한다. 이어서 구조부재를 래커처리해도 좋다.

본 발명은, 강철, 아연도금강 또는 합금-아연도금강 혹은 알루미늄 또는 그 합금의 광택가공 표면 또는 인산염 처리 표면의 방식(防蝕) 처리방법 혹은 후처리 방법에 있어서, 금속표면을 아래의 각 성분을 함유하는 수용액과 접촉시키는 방식처리 방법 혹은 후처리 방법을 제공하는 것이다.

(가) 붕소, 실리콘, 티탄 및/또는 지르코늄의 착플루오르화물 0.05 ∼ 10 g/l, 및

(나) 아래의 것들 중에서 선택되는 1종 이상의 인산염 처리 촉진제:

m-니트로벤젠 술포네이트 이온 0.05 ∼ 2 g/l,

유리(遊離) 형태 혹은 결합형태의 히드록실아민 0.1 ∼ 10 g/l,

m-니트로벤조에이트 이온 0.05 ∼ 2 g/l,

p-니트로페놀 0.05 ∼ 2 g/l,

유리(遊離) 형태 혹은 결합형태의 과산화 수소 1 ∼ 70 mg/l,

유기 N-산화물 0.05 ∼ 10 g/l,

니트로구아니딘 0.1 ∼ 3 g/l,

아질산 이온 1 ∼ 500 mg/l,

염소산 이온 0.5 ∼ 5 g/l.

따라서 한가지 실시형태에 있어서 본 발명의 방법은 장시간의 수송 및/또는 저장후에 혹은 즉시에 래커처리를 하는 광택가공 금속표면의 방식방법으로서 사용할 수 있다. 이 방법에 의해, 철 인산염 처리법에 비하여 방식(防蝕)에 대해 실시가 간단하고 효과가 우수한, 종래의 비(非) 층형성 철 인산염 처리의 대체법이 제공된다. 한편, 본 발명의 방법은 비(非) 층형성 및, 특히 층형성 인산염 처리 금속표면의 후처리에 적합하다. 따라서 본 발명의 방법은 아직까지도 널리 이용되고 있는 크롬(VI) 함유 용액을 사용하는 후처리의 대체법이다. 헥사플루오로티타네이트 혹은 헥사플루오로지르코네이트의 용액을 사용하는 인산염 처리 금속표면의 공지의 후처리법에 비하여 본 발명의 후처리법은 방식(防蝕)의 개선을 달성할 수 있다. 특히 이 방법은 예비 인산염 처리된 재료로부터 제조된 차량의 몸체부 등의 구조부재의 후처리에 접합하다. 상실되거나 손상된 인산염층을 가진 부위를 충분히 방식처리한 후에 래커처리를 한다.

본 발명의 방법을 사용한 인산아연 층의 후처리에 의해 니켈을 전혀 함유하지 않거나 거의 함유하지 않는 인산아연 처리 용액을 사용할 수가 있다. 이러한 타입의 인산염 처리계는 니켈 함유 인산염 처리계에 비하여 재료에 대한 래커의 밀착성 및 방식성에 있어서 단점을 가지고 있다. 이들 단점은 본 발명의 방법을 사용하는 후처리에 의해 보상된다. 따라서 본 발명의 후처리법을 병용하여 니켈 무함유 혹은 저함량의 니켈 인산염 처리법을 사용할 수 있다. 이것은 유출액 처리에 관한 니켈 무함유 인산아연 처리법의 장점을 뜻하는 것이므로, 니켈 무함유법의 단점을 수용해야만 하는 일도 없이 슬러지 처리를 이용해도 좋다.

바람직하게는 티탄 및/또는 지르코늄의 착플루오르화물을 함유하는 용액을 사용한다. 금속의 스트립(strip) 처리법을 "무세척법"으로서 사용할 경우, 착플루오르화물의 농도는 1000 ∼ 10000 mg/l의 범위이어야 한다. 구조부재를 장시간 처리하여 세정할 경우에는 착플루오르화물의 농도는 100 ∼ 1000 mg/l, 특히 150 ∼ 500 mg/l의 범위인 것이 바람직하다.

인산염 처리 촉진제 (나)는 층형성 인산염 처리법, 특히 인산아연 처리법의 성분으로서 공지되어 있다. 이들은 소요의 미세한 결정질의 밀폐된 인산염층의 형성을 촉진하는 성질을 가지고 있다. 본 발명의 방법에 있어서, 성분 (나)로서 m-니트로벤젠 술포네이트 이온 50 ∼ 1000 mg/l, 유기 N-산화물, 바람직하게는 N-메틸모르폴린 N-산화물 1 ∼ 10 g/l, 혹은 유리형태 혹은 결합형태의 히드록실아민 0.5 ∼ 10 g/l, 바람직하게는 0.8 ∼ 5 g/l을 사용해도 좋다. 즉, 히드록실아민을 그대로 사용하거나, 혹은 염으로서, 특히 황산염 혹은 인산염으로 하여 사용하거나, 혹은 히드록실아민 유리 화합물 형태로 사용해도 좋다. 히드록실아민을 그대로 사용하거나, 혹은 황산염으로 하여 사용하는 것이 바람직하다. 유리 히드록실아민과 히드록실암모늄 이온 간의 산-염기 평형을 처리액의 pH값에 따라 조정한다.

용액중에 구리이온을 0.1 ∼ 50 mg/l, 바람직하게는 1 ∼ 10 mg/l 함유하면 본 발명의 처리에 의해 발휘되는 방식효과를 증가시킬 수 있다. 이들을, 예컨대, 질산염, 황산염 혹은 아세트산염의 형태로 용액중에 도입해도 좋다.

인산이온 0.2 ∼ 2 g/l을 추가로 사용하면 더욱 효과가 좋다. 예컨대, 이러한 타입의 첨가제는 철 함유 표면의 처리도중에 용액속으로 인산철로서 도입되는 철(III) 이온이 침전함으로 해서 추가적인 처리를 방해하지 않는다는 효과를 나타낸다.

특히 철 혹은 알루미늄 함유 표면을 처리할 경우, 플루오르화 이온 50 ∼ 2000 mg/l, 바람직하게는 100 ∼ 1000 mg/l을 추가로 사용하면 착화효과(complexing effect)로 인해 금속에 대해 효과를 나타낸다.

처리액은 기타의 금속이온, 특히 인산아연 처리후에 사용되는 인산아연 처리액 혹은 후처리 용액의 성분들로 알려진 것들을 함유해도 좋다. 바람직한 금속이온은 Zn(II), Mn(II), Ce(III), Ca(II), Ni(II), Ag(I) 및 Pd(II)이다. 이들 각각의 농도는 바람직하게는 0.3 ∼ 3 g/l이다.

본 발명의 방법에서의 처리액의 pH를 바람직하게는 2 ∼ 5.5, 특히 3.5 ∼ 5의 범위내로 조정한다. 필요에 따라 pH를 유리산 (가)를 사용함으로써 소요의 범위로 저하하거나, 혹은 용액이 너무 산성이면 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 금속 탄산염 혹은 암모니아를 첨가함으로써 소요의 범위로 상승시킬 수 있다.

30 ∼ 95℃, 특히 40 ∼ 85℃의 처리액의 온도를 사용하는 것이 바람직하다. 처리지속 시간, 즉 표면의 1차 접촉과 처리액 사이의 시간간격 및 이 처리액의 건조공정 또는 세정의 개시는 적용방법에 따라 달라진다. 스트립 표면과 처리액을 로울러로써 접촉시키거나, 분무 혹은 침지에 의해 접촉시킨 다음에 스퀴징하여 액을 제거하는 무세척 스트립 처리의 경우에 있어서, 처리시간은 2초 내지 10초인 것이 바람직하다. 이어서 처리액을 세척하지 않고 건조 오븐중에서 건조한다. 부품을 처리할 경우에서는 처리액과 금속표면과의 접촉시간은 1분 내지 5분이 바람직하다. 이 경우에 있어서 금속표면을 처리액으로 분무하거나 피처리 부품을 처리액중에 침지해도 좋다. 이어서 부품을 물로 세척하는 것이 일반적인데, 완전 탈이온수로 세척하는 것이 바람직하다.

한가지 실시형태에 있어서 본 발명은 강철, 아연도금강 또는 합금-아연도금강 혹은 알루미늄 또는 그 합금으로부터 선택되는 예비 인산염 처리된 재료로부터 제조된 구조부재의 방식(防蝕) 후처리 방법에 있어서, 구조부재를 아래의 각 성분을 함유하는 수용액과 접촉시키는 방식 후처리 방법을 제공하는 것이다.

m-니트로벤젠 술포네이트 이온 0.05 ∼ 2 g/l,

유리(遊離) 형태 혹은 결합형태의 히드록실아민 0.1 ∼ 10 g/l,

m-니트로벤조에이트 이온 0.05 ∼ 2 g/l,

p-니트로페놀 0.05 ∼ 2 g/l,

유리(遊離) 형태 혹은 결합형태의 과산화 수소 1 ∼ 70 mg/l,

유기 N-산화물 0.05 ∼ 10 g/l,

니트로구아니딘 0.1 ∼ 3 g/l,

아질산 이온 1 ∼ 500 mg/l,

염소산 이온 0.5 ∼ 5 g/l.

상기한 설명은 각 부재의 한가지 처리예를 나타낸 본 발명의 방법의 바람직한 실시형태에도 적용된다. 이 실시형태는, 예컨대, 차량 및 가전제품의 조립시에 예비 인산염 처리된 재료가 점점 많이 사용되고 있는 사정을 고려한 것이다. 이들 재료는 각 구조부재 제조업자들에게는 스트립 형태로 공급되고 있다. 제조업자들은 이 스트립을 몇조각으로 절단한 후에, 예컨대, 용접 혹은 크림핑(crimping)에 의해 성형 및 조립하여 소요의 구조부재를 제조하고 있다. 예비 인산염 처리된 재료로부터 제조된 각종 차량의 몸체부를 다시 인산염 처리하는 한편으로는 예비 인산염 처리된 재료로부터 제조된 각종 가전제품들을 조립후에는 다시 인산염 처리하지 않고 세정하는 것으로 족하다. 자동차 산업에 있어서도 예비 인산염 처리된 재료로부터 조립된 차량의 몸체부가 임의의 세정단계와 래커처리 전의 1단계 후처리만을 하여 소요의 방식효과를 얻고자 할 경우에는 경비가 소요되는 인산염 처리 시설을 필요로 하지 않는다. 지금까지는 절단 가장자리 혹은 마모부분에 손상된 인산염층이 존재하거나 인산염층이 없기 때문에 이것은 불가능하였다. 몸체부를 아연도금 강판으로부터 제조하지 않은 경우에는 이들 부위에서 적어도 부적절한 방식효과가 나타난다.

본 발명의 이러한 실시형태에 있어서 본 발명의 방법은, 이미 존재하고 있는 인산염층의 방식효과가 보강되고, 또한 인산염층이 상실되어 있거나 손상되어 있는 부위에서 적절한 방식층을 형성하게 되는 효과를 발휘한다.

본 발명의 방법을 사용하여, 광택가공되고 세정된 금속판을 방식처리하고, 이 처리후에 래커처리를 한 다음에 방식시험을 하였다. 냉간 압연강(CRS) 및 전기 아연도금강(EG)을 기재로 사용하였다.

아래의 순서를 이용하였다.

1. Ridoline 1250 i (알칼리성의 규산염 및 인산염 무함유 세정제)에 의한 세정(조건: 2%, 60℃, 5분)

2. 완전 탈이온수에 의한 세척

3. 표 1에 준한 방식처리. 탄산 나트륨을 사용하여 처리액의 pH를 4.2로 조정.

4. 완전 탈이온수에 의한 세척

5. 건조: 압축공기 취입, 55℃의 건조실에 보존

6. 납 무함유의 캐소드 전착 래커 Cathogard CG 310(BASF)를 사용한 래커처리

각 금속판에 대해 VDA 621-415에 준하여 가변 환경시험을 10회 실시하였다. 스크라이브(scribe)에서의 크리페이지(creepage) [하프 스크라이브 폭(half scribewidth)] 결과를 mm로 하여 표 1에 나타내었다. 더욱이 VDA 621-427에 준하여 투석충격 시험도 실시하였다. 래커 밀착성을 K값(1: 가장 양호한 값, 10: 가장 불량한 값)으로 하여 표 1에 나타내었다. 비교를 위해 종래의 철 인산염 처리법(Duridine7760, Henkel KGaA)으로 처리한 금속판에 대해서도 시험하였다.

[표 1] 처리 파라메터 및 부식결과

실시예No.	H₂MF₆ ⁽¹⁾M=,(ppm)	Cu(ppm)	촉진제⁽²⁾,(ppm)	기재	시간(분)	온도(℃)	크리페이지(U/2, mm)	K값
비교예 1⁽³⁾				CRS			〉10	10
비교예 2	Zr, 100	0	없음	CRS	4	55	4.8	9
실시예 1	Zr, 100	0	HAS, 2000	CRS	4	55	3.5	9
실시예 2	Zr, 100	0	HAS, 4000	CRS	4	55	2.9	9
비교예 3	Zr, 100	1	없음	CRS	4	55	4.4	10
실시예 3	Zr, 100	1	HAS, 2000	CRS	4	55	3.6	8
실시예 4	Zr, 100	1	HAS, 4000	CRS	4	55	2.3	7
비교예 4	Zr, 100	5	없음	CRS	4	55	3.7	9
실시예 5	Zr, 100	5	HAS, 2000	CRS	4	55	2.7	8
실시예 6	Zr, 100	5	HAS, 4000	CRS	4	55	2.4	7
비교예 5	Zr, 100	10	없음	CRS	4	55	4	10
실시예 7	Zr, 100	10	HAS, 500	CRS	4	55	3.9	9
실시예 8	Zr, 100	10	HAS, 2000	CRS	4	55	2.9	8
실시예 9	Zr, 100	10	HAS, 4000	CRS	4	55	2.4	7
비교예 6⁽³⁾				EG			3.0	8
비교예 7	Zr, 100	0	없음	EG	4	55	3.0	8
실시예 10	Zr, 100	0	HAS, 500	EG	4	55	2.6	7
실시예 11	Zr, 100	0	HAS, 2000	EG	4	55	2.5	7
실시예 12	Zr, 100	0	HAS, 4000	EG	4	55	2.4	8
비교예 8	Ti, 292	0	없음	CRS	1.5	55	6.3	10
비교예 9	Ti, 292	5	없음	CRS	1.5	55	5.7	10
실시예 13	Ti, 292	5	HAS, 500	CRS	1.5	55	5.0	10
실시예 14	Ti, 292	5	Ludigol, 400	CRS	1.5	55	3.2	9
실시예 15	Ti, 292	5	MOON, 1370	CRS	1.5	55	3.5	10
실시예 16	Ti, 292	5	HAS, 2000	CRS	1.5	55	5.0	10
비교예 10	Ti, 292	0	없음	EG	1.5	55	3.4	7
비교예 11	Ti, 292	5	없음	EG	1.5	55	3.1	7
실시예 17	Ti, 292	0	HAS, 2000	EG	1.5	55	2.9	7
실시예 18	Ti, 292	5	HAS, 2000	EG	1.5	55	2.6	7
실시예 19	Ti, 292	5	Ludigol, 400	EG	1.5	55	2.9	7

(1) M = Ti 혹은 Zr, 처리액중에서의 Ti 혹은 Zr의 농도는 ppm.

(2) HAS = 히드록실암모늄 술페이트, Ludigol = m-니트로벤젠 술포네이트,

MOON = N-메틸모르폴린 N-산화물

(3) 비교예 1, 비교예 6: 철 인산염 처리에 의한 표준처리(Durodine

7760, Henkel KGaA)

처리시간 4분 및 처리액의 온도 40℃, 55℃ 및 65℃에서 추가로 시험한 결과, 처리액의 온도가 높을수록 크리페이지는 작아졌다. K값에 대한 영향은 전혀 없었다.

처리시간 0.5분, 2분, 4분, 5분 및 처리액의 온도 55℃에서의 시험결과, 처리시간이 길수록 크리페이지는 감소하였다. 또한, K값에 대한 영향은 전혀 검출되지 않았다.

또 다른 추가적인 시험에서는 냉간 압연강(CRS)으로 된 금속판을 종래의 공업적인 방법으로 세정하고, 활성화하여 니켈 무함유 인산아연 처리액을 사용하여 인산염 처리한 다음에 후비활성화(post-passivation)한 후에 앞서 설명한 바와 같은 캐소드 전착 래커처리를 하였다. 각 금속판에 대해 상기한 바와 마찬가지의 부식시험을 하였다.

인산염 처리를, 아래의 조성을 가진 온도 40℃의 인산염 처리액을 사용하여 4분간 침지법으로 실시하였다.

Zn 1.3 g/l

Mn 0.8 g/l

H₂PO₄ ^-13.8 g/l

SiF₆ ^2-0.7 g/l

히드록실아민 1.1 g/l

유리산 1.1 포인트(pH 3.6으로 적정)

총 산 24.0 포인트(pH 8.2로 적정)

그 다음의 세척공정은 상이한 온도에서 처리액을 사용하여 4분간 침지함으로써 실시하였다. 추가로 시험한 결과, 처리시간 1분 내지 3분의 처리에서는 4분에서의 결과보다 훨씬 양호한 값을 얻었다.

후처리는 Zr 농도가 100 ppm되도록 헥사플루오로지르코네이트를 함유한 용액을 사용하여 실시하였다. 촉진제(히드록실아민) 및 구리의 각 농도는 표 2에 나와있다. 또한 표 2에는 부식시험 결과도 나와있다.

[표 2] 인산염 처리후의 후비활성화

실시예 No.	히드록실암모늄술페이트	Cu(ppm)	온도(℃)	크리페이지(U/2, mm)	K값
비교예 12	없음	0	55	1.7	7
실시예 20	500	0	55	1.0	6
실시예 21	500	50	55	0.9	5
실시예 22	500	0	70	0.9	5
실시예 23	500	50	70	0.8	5

Claims

강철, 아연도금강 또는 합금-아연도금강 혹은 알루미늄 또는 그 합금의 광택가공 표면 또는 인산염 처리 표면의 방식(防蝕) 처리방법 혹은 후처리 방법에 있어서, 금속표면을 아래의 각 성분을 함유하는 수용액과 접촉시키는 방식처리 방법 혹은 후처리 방법.

(가) 붕소, 실리콘, 티탄 및/또는 지르코늄의 착플루오르화물 0.05 ∼ 10 g/l, 및

(나) 아래의 것들 중에서 선택되는 1종 이상의 인산염 처리 촉진제:

m-니트로벤젠 술포네이트 이온 0.05 ∼ 2 g/l,

유리형태 혹은 결합형태의 히드록실아민 0.1 ∼ 10 g/l,

m-니트로벤조에이트 이온 0.05 ∼ 2 g/l,

p-니트로페놀 0.05 ∼ 2 g/l,

유리형태 혹은 결합형태의 과산화 수소 1 ∼ 70 mg/l,

유기 N-산화물 0.05 ∼ 10 g/l,

니트로구아니딘 0.1 ∼ 3 g/l,

아질산 이온 1 ∼ 500 mg/l,

염소산 이온 0.5 ∼ 5 g/l.
제1항에 있어서, 상기 용액은 상기 (나)에서의 m-니트로벤젠 술포네이트 이온을 0.05 ∼ 1 g/l 함유하는 방법.
제1항에 있어서, 상기 용액은 상기 (나)에서의 유기 N-산화물, 바람직하게는 N-메틸모르폴린 N-산화물을 1 ∼ 10 g/l 함유하는 방법.
제1항에 있어서, 상기 용액은 상기 (나)에서의 유리형태 혹은 결합형태의 히드록실아민을 0.5 ∼ 10 g/l, 바람직하게는 0.8 ∼ 5 g/l 함유하는 방법.
제1항 내지 제4항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 용액은 또한 구리이온을 0.1 ∼ 50 mg/l, 바람직하게는 1 ∼ 10 mg/l 함유하는 방법.
제1항 내지 제5항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 용액은 또한 인산이온을 0.2 ∼ 2 g/l 함유하는 방법.
제1항 내지 제6항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 용액은 또한 플루오르화 이온을 50 ∼ 2000 mg/l, 바람직하게는 100 ∼ 1000 mg/l 함유하는 방법.
제1항 내지 제7항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 용액은 또한 Zn(II), Mn(II), Ce(III), Ni(II), Ag(I) 및 Pd(II)로부터 선택되는 금속 양이온을 함유하는 방법.
제1항 내지 제8항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 용액의 pH가 2 내지 5.5, 바람직하게는 3.5 내지 5인 방법.
제1항 내지 제9항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 용액의 온도범위가 30 내지 95℃, 바람직하게는 40 내지 85℃인 방법.
제1항 내지 제10항중의 어느 한 항에 있어서, 무세척 스트립 금속 처리로서 사용할 경우에는 금속표면을 2초 내지 10초 동안 접촉시키거나, 혹은 각 부재의 처리에 사용할 경우에는 금속표면을 1분 내지 5분 동안 접촉시키는 방법.
강철, 아연도금강 또는 합금-아연도금강 혹은 알루미늄 또는 그 합금으로부터 선택되는 예비 인산염 처리된 재료로부터 제조된 구조부재의 방식(防蝕) 후처리 방법에 있어서, 구조부재를 아래의 각 성분을 함유하는 수용액과 접촉시키는 방식 후처리 방법.

(가) 붕소, 실리콘, 티탄 및/또는 지르코늄의 착플루오르화물 0.05 ∼ 10 g/l, 및

(나) 아래의 것들 중에서 선택되는 1종 이상의 인산염 처리 촉진제:

m-니트로벤젠 술포네이트 이온 0.05 ∼ 2 g/l,

유리형태 혹은 결합형태의 히드록실아민 0.1 ∼ 10 g/l,

m-니트로벤조에이트 이온 0.05 ∼ 2 g/l,

p-니트로페놀 0.05 ∼ 2 g/l,

유리형태 혹은 결합형태의 과산화 수소 1 ∼ 70 mg/l,

유기 N-산화물 0.05 ∼ 10 g/l,

니트로구아니딘 0.1 ∼ 3 g/l,

아질산 이온 1 ∼ 500 mg/l,

염소산 이온 0.5 ∼ 5 g/l.