KR20020016918A - 미립자 광석의 선광 방법 - Google Patents

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KR20020016918A
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요한 치른가스트
요하네스 쉔크
콘스탄틴 밀리오니스
게로 테스머
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Abstract

본 발명은 가스를 사용하여 윈드 스크리닝되는 미립자 광석(2)을 준비하기 위한 방법에 관한 것이다. 두 부분(6, 8), 즉 조립부(6)와 제 1 미립부(8)가 형성되며, 조립부(6)는 배출되고 제 1 미립부(8)는 가스에 의해 수송되며, 그 후 가스로부터 떨어져 증착되고 적어도 대부분은 조립부(6)와 함께 처리된다. 제 1 미립부는 다시 가스를 사용하여 윈드 스크리닝되어 제 2 미립부(18)가 증착되고 조립부(6)와 함께 처리된다. 초미립부(19)는 가스와 함께 수송되고 그 후 가스로부터 떨어져 증착된다. 미립자 광석(2)의 연속적인 처리 단계에서, 초미립부(19)에 의해 야기되는 케이킹 형성과 접착이 제거될 수 있다.

Description

미립자 광석의 선광 방법 {METHOD FOR THE PREPARATION OF FINE GRAIN ORES}
예를 들어, 미립자 광석의 직접 환원을 위해 사용되는 것처럼 유동층 공정에서, 사이클론은 유동 가스와 함께 배출된 재료를 분리시키고 재순환시키는데 사용된다. 분리 성능, 즉 사이클론의 효율과 입도에 따른 분리는 사이클론 내에서의 케이킹 형성과 접착을 방지하기 때문에, 보다 많은 재료가 유동 가스와 함께 유동층 반응로로부터 배출된다. 미립자 광석, 예를 들어 철광석의 직접 환원의 경우에, 철광석은 케이킹 형성과 접착을 야기하는 미세한 광석 분진으로 적어도 일부분이 1차적으로 환원된다. 결과적으로 증가된 배출 재료는 손실로서 기록되나, 하방향 유동층 반응로 내에서 수행되는 다단계 공정의 경우에는 이러한 유동층 반응로의 분배기 베이스 내에 있는 구멍을 막는 문제점을 야기한다.
이러한 문제점을 야기하는 미세한 분진은 유동층이 유동층 공정에서 환원된는 재료의 기계적 접착을 통해 처음 형성되고 다음으로 장입 재료와 함께 유입됨으로써 형성된다. 특히 미세한 철광석을 사용할 때, 소위 접착의 발생과 미립자의 비율이 문제점을 야기한다. 한편, 이러한 재료는 케이킹과 접착의 형성에 관련되며, 그 다음 시스템으로부터 배출되어 손실된다.
미세한 철광석을 건조시키기 위한 최신 기술은 유동층 드라이어를 사용하여 장입 재료가 동시에 조립부와 미립부로 분리되는 것이다. 이러한 재료의 유동은 제어된 방식으로 장입 재료의 입도를 설정하는데 사용된다.
이러한 형태의 공정은 예를 들어 AT-B-400 578로부터 공지되어 있다. 상기 공지된 공정에서, 미세한 광석은 미세한 광석의 광석 입자 주위로 유동하는 고온의 건조 가스의 도움으로 건조되며, 고온의 건조 가스가 광석 입자의 주위를 유동한 후에, 건조 가스는 세정되고 비산된 광석 분진 입자는 제거된다. 광석 분진 입자는 수집되고 건조된 미세한 광석과 혼합된다. 건조는 유동층 공정에서 미세한 광석의 가스 분류와 동시에 발생하며, 건조 가스의 속도는 소정의 크기보다 작은 광석 분진 입자가 비산되는 정도로 설정된다. 건조 가스에 의해 비산된 광석 분진 입자는 분리되고 수집되어 측정된 양으로 건조된 미세한 광석으로 혼합된다. 유동층 직접 환원 공정에서 이러한 방식으로 처리된 광석을 사용할 때, 미세한 광석은 소정의 상황 하에서 적어도 일부분이 환원된 상태에서 유동층 반응로 내에서 케이킹 형성과 접착을 야기함으로써 문제점을 야기할 수도 있다.
미국 특허 출원 번호 제 3,917,480호에는 유동층 반응로 내에서 사용되는 입자 재료의 선광 방법이 개시되는데, 제 1 단계에서 재료의 20 내지 70%의 미립부는분리되고 잔류부는 유동층 내에 유입되며, 또다른 미립부는 유동층 내에서 분리되어 제 1 단계에서 얻어진 미립부와 혼합된다. 미립부는 펠레타이즈되어 유동층에 첨가된다. 상기 방법의 단점은 상당한 미립부가 유동층으로 유입되어 접착 및 케이킹 형성과 같은 전술한 문제점을 야기할 수 있다는 것이다.
독일 특허 출원 번호 제 197 11 629호에는 직접 환원을 위해 광범위한 입도 범위를 갖는 미세한 광석의 예비 처리를 위한 방법이 개시되며, 상기 방법에서 6.3㎜ 이하 바람직하게 3㎜이하의 입도에 속하는 미세한 광석이 공기 수송 작업 중에 고온의 공기 또는 배기 가스의 유동에 의해 건조되며, 적절하다면 습한 재료로 재순환되며, 6.3㎜ 또는 3㎜에서 약 0.04㎜ 부분은 건조된 미세한 광석으로부터 스크린되어 직접 환원을 위해 공급된다. 약 0.04㎜ 이하의 크기를 갖고 건조 공기 또는 배기 가스와 함께 드라이어의 하류에 연결된 사이클론으로부터 배출되는 미세한 광석 부분은 초미립부의 분리를 위해 다중사이클론 내로 통과된다. 분리된 미세한 광석은 펠레타이징 장치로 공급되어 물과 결합제가 공급되어 펠렛으로 형성되며, 이러한 펠렛은 최종적으로 전달 장치를 통해 드라이어로 첨가된다. 초미립부의 분리를 위해 제공된 다중사이클론은 매우 복잡한 장치이다.
본 발명은 미립자 광석의 선광 방법에 관한 것이며, 상기 미립자 광석은 가스에 의해 가스 분류되며 상기 가스 분류에 의해 두 부분, 즉 조립부와 제 1 미립부를 형성하며, 상기 조립부는 분리되고 제 1 미립부는 가스와 함께 비산되고 나서 가스로부터 분리되고 대부분은 조립부와 함께 처리를 위해 공급된다. 또한 본 발명은 상기 방법을 수행하는 장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 흐름도이다.
본 발명의 목적은 미립자 광석의 선광 방법과 상기 방법을 수행하기 위한 장치를 제공하고자 하는 것이며, 본 발명에 따라 광석이 유동층 반응로 내에서 연속적으로 사용될 때, 케이킹 형성 및 접착과 같은 전술한 문제점이 사이클론 및 유동층 반응로 내에서 발생되지 않는 방식으로 광석이 선광 처리된다. 본 발명에 따른방법은 특히 설비상의 주요 지출 없이 용이하게 수행될 수 있다.
본 발명에 따라, 이러한 목적은 도입부에서 설명된 형태의 방법에서 제 1 미립부는 가스에 의해 가스 분류되며, 제 2 미립부와 초미립부가 형성되고 제 2 미립부는 조립부와 함께 처리를 위해 공급되고 초미립부는 가스와 함께 비산되며, 그 후 가스로부터 분리된다는 사실에 의해 달성된다.
본 발명은 적어도 일부분이 환원된 상태에서 광석의 초미립부가 유동층 반응로 내에서 케이킹 형성 및 접착을 주로 야기한다는 사실을 기초로 한다. 또한, 상기 초미립부는 제 1 미립부에 접착되어, 1차로 가스 분류된 장입 재료로부터 분리된다. 환원 후에, 즉 적어도 일부분이 환원된 상태에서, 조립부와 함께 제 2 미립부의 처리 중에 전술한 AT-B-400 578로부터 공지된 것처럼 초미립부는 유동층 반응로 내에서 전술한 문제점을 야기한다. 본 발명에 따라, 이러한 문제점은 초미립부를 제 1 미립부로부터 분리시킴으로써 제거된다.
바람직하게, 가스로부터 분리된 초미립부는 결합제와 혼합되어, 입상화되고 처리를 위해 공급되거나 배출된다. 입상화처리 및 또다른 처리의 경우에, 초미립부는 유익하게도 또다른 처리에서 손실되지 않는다.
편의상, 초미립부로부터 형성된 입상은 조립부와 제 2 미립부로 또다른 처리를 받는다. 예를 들어, 또다른 처리는 광석 선광 아래의 직접 환원과 관련된다.
그러나, 본 발명의 또다른 실시예에 따라, 초미립부로부터 형성된 입상은 1차로 가스 분류된 미립자 광석과 혼합될 수 있다.
편의상, 비산된 초미립부로부터 제거된 가스는 또다른 세정 처리를 받고, 극초미립부는 분리되어, 초미립부와 함께 상기 극초미립부는 입상화되어 처리를 위해 공급되거나 배출된다. 결과적으로, 초미립부가 분리된 후 가스 내에 여전히 존재하는 분진 부분을 실질적으로 이용하는 것이 가능하다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 제 2 미립부의 적어도 일부분이 유사하게 초미립부 및/또는 극초미립부와 함께 입상화된다. 이러한 방식으로, 연속적인 공정에서 분진 형태의 광석의 케이킹 형성 및 접착과 관련된 문제점은 신뢰성 있게 제거된다.
본 발명에 따른 방법에서, 제 1 미립부는 1차로 가스 분류된 미립자 광석으로부터 분리되어 150㎛ 이하의 입자 크기를 가지며, 초미립부는 또다시 가스 분류에 의해 제 1 미립부로부터 분리되어 20㎛ 이하의 입자 크기를 갖는다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시예에 따라, 건조 가스가 적어도 1차로 가스 분류되어 사용된다. 이러한 경우에, 건조는 장입 재료의 가스 분류와 동시에 발생한다.
입상화를 위한 결합제는 유리하게 생석회 또는 벤토나이트이다.
바람직하게, 1차로 가스 분류되어 사용되고 제 1 미립부로부터 제거된 가스는 또다시 가스 분류를 위해 사용된다.
미립자 광석용 공급부, 가스 공급 라인, 조립부용 배출 라인 및 가스와 가스와 함께 비산된 제 1 미립부용 배출 라인에 제공된 제 1 가스 분류기와 제 1 가스 분류기에 연결되고 제 1 미립부를 가스로부터 분리시키는 제 1 가스 세정 장치를 갖는 본 발명에 따른 방법을 수행하는 장치는 제 1 가스 세정 장치로부터 인출되는제 1 미립부용 배출 라인이 가스 공급 라인, 제 2 미립부용 배출 라인 및 가스와 가스와 함께 비산된 초미립부용 배출 라인을 갖는 또다른 가스 분류기에 연결 라인을 가지며, 초미립부를 가스로부터 분리시키는 제 2 가스 세정 장치가 또다시 가스 분류기의 하류에 연결되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 제 2 가스 세정 장치로부터 인출되는 초미립부용 배출 라인은 입상화 장치로의 연결 라인, 입상화 장치 내로 개방된 결합제용 공급 라인을 갖는다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 입상화 장치는 미립자 광석을 제 1 가스 분류기로 공급하기 위한 공급부에 연결 라인을 갖는다.
유익하게도, 통상적인 배출 장치에는 조립부, 제 2 미립부 및 입상화되는 초미립부가 제공된다.
가스 세정 장치는 편의상 사이클론으로 설계된다.
바람직하게, 가스와 함께 비산된 극초미립부를 분리하기 위한 또다른 가스 세정 장치는 제 2 가스 세정 장치의 하류에 연결되며, 또다른 가스 세정 장치로부터 인출되는 극초미립부용 배출 라인은 입상화 장치에 연결 라인을 갖는다.
본 발명에 따른 장치의 또다른 바람직한 실시예에 따라, 또다른 가스 분류기로부터 인출되는 제 2 미립부용 배출 라인은 입상화 장치에 연결 라인을 갖는다.
편의상, 적어도 제 1 가스 분류기는 드라이어로 설계되며, 건조 가스용 공급 라인은 가스 분류기 내에 개방된다.
유리하게도, 제 1 가스 세정 장치로부터 인출되는 가스 배출 라인은 또다른가스 분류기로부터 배출되는 가스 공급 라인에 연결 라인을 갖는다.
본 발명은 실시예를 기초로 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명된다.
도 1은 유동층 유닛으로 설계된 가스 분류기(1)를 도시하며, 상기 가스 분류기(1) 내로 미립자 광석(2)이 공급 라인(3)을 통해 유입된다. 가스 분류기(1) 내에서 층(4)을 형성하는 미립자 광석(2)은 유동화되며 공급 라인(5)을 통해 공급된 가스에 의해 가스 분류된다. 상기 공정에서, 미립자 광석(2)은 배출 라인(7)을 통해 배출되는 조립부(6)와 상기 가스와 함께 비산된 제 1 미립부(8)로 분리된다.
도시된 실시예에서, 사용된 미립자 광석(2)은 0 내지 12㎜의 입도를 갖는다. 미립자 광석(2)은 가스 분류에 의해 0.15 내지 12㎜의 입도를 갖는 조립부(6)와 0 내지 0.15㎜의 입도를 갖는 제 1 미립부(8)로 분리된다. 사용된 가스는 건조 가스이며, 미립자 광석(2)은 가스 분류되고 건조된다.
배출 라인(7)을 통해 배출되는 조립부(6)는 컨베이어 벨트(9)로 설계된 배출 장치로 가며, 또다른 처리, 예를 들어 직접 환원을 위해 공급된다. 제 1 미립부(8)는 배출 라인(10)을 통해 가스와 함께 가스 분류기(1)로부터 배출되어 가스와 분리된다. 충돌 분리기(11)와 사이클론(12)이 이러한 목적을 위해 사용된다. 분리된 제 1 미립부(8)는 저장 호퍼(13)를 통과하여, 이로부터 라인(14)을 통해 유동층 유닛으로 유사하게 설계된 또다른 가스 분류기(15)로 통과된다. 또다른 가스분류기(15) 내에서, 제 1 미립부(8)는 층(16)을 형성한다. 사용되는 가스는 사이클론(12)에 의해 제 1 미립부(8)로부터 제거되어 공급 라인(17)을 통해 공급되는 가스이다.
또다른 가스 분류기(15) 내에서, 0 내지 0.15㎜의 입도를 갖는 제 1 미립부(8)는 20 내지 150㎛의 입도를 갖는 제 2 미립부(18)와 0 내지 20㎛의 입도를 갖는 초미립부(19)로 분리된다. 제 2 미립부(18)는 배출 라인(20)을 통해 또다른 가스 분류기(15)로부터 배출되어 컨베이어 벨트(9)로 제공되고 조립부(6)와 함께 또다른 처리를 위해 공급된다.
가스와 가스와 함께 비산된 초미립부(19)는 배출 라인(21)을 통해 또다른 가스 분류기(15)로부터 배출된다. 가스는 사이클론(22)에 의해 세정되며, 상기 사이크론(22) 내에서 초미립부(19)는 분리된다.
초미립부(19)는 사이클론(22)으로부터 저장 호퍼(23)를 통과하여, 입상화 장치(24)로 간다. 초미립부(19)를 입상화하기 위한 결합제(26)용 공급 라인(25)이 입상화 장치(24)로 개방되어 있다. 상기 실시예에서 사용된 결합제(26)는 생석회 또는 벤토나이트이다.
초미립부(19)는 0.5 내지 4㎜의 입도를 갖는 입상(27)을 형성하기 위해 입상화되며, 입상(27)은 유사하게 컨베이어 벨트(9)로 간다. 입상(27)은 또다른 처리를 위해 조립부(6)와 제 2 미립부(18)와 함께 공급된다.
그러나, 입상(27)은 라인(도시 않음)을 통해 제 1 가스 분류기(1)로 공급되어 미세 입상의 광석(2)과 함께 상기 분류기 내로 유입될 수 있다.
본 발명의 또다른 바람직한 실시예에 따라, 초미립부(19)는 입상화 장치(24)로 공급되지 않고, 오히려 도면에서 점선(28)으로 도시된 것처럼 배출되어, 예를 들어 매립지로 공급된다. 이러한 변화의 장점은 양적인 면에서 미세 입자의 광석(2)의 전체 장입량의 상대적으로 작은 비율을 차지하는 초미립부(19)의 입상화 단계는 불필요하며, 동시에 초미립부(19)가 연속적인 처리 단계에서 파괴, 특히 케이킹(caking) 형성 및 접착(adhesion)을 야기하는 것이 방지된다. 광석의 가격이 낮다면, 손실된 소량의 장입 재료는 그다지 중요하지 않다.
상기 실시예에서, 사이클론(22)에 의해 세정된 가스는 예를 들어 정전기적 필터인 또다른 가스 세정 장치(29)로 공급된다. 또다른 가스 세정 장치(29)에 의해, 사이클론(22) 내에서 세정 단계를 거쳐 비산된 극초미립부(30)는 가스로부터 분리되어 유사하게 입상화 장치(24)로 공급되어 초미립부(19)와 함께 입상화된다. 그러나, 극초미립부(30)도 도 1에서 점선(28)으로 도시된 것처럼 배출되어 매립될 수 있다.
제 2 가스 분류기(15)로부터 배출되지만 가스와 함께 비산되지 않은 제 2 미립부(18)는 도 1에서 점선으로 표시된 것처럼 점선(31)을 통해 입상화 장치(24)로 적어도 일부분이 공급되어, 초미립부(19) 및 극초미립부(30)와 함께 입상화되어 또다른 처리를 위해 공급된다.
본 발명은 다음의 실시예를 기초로 보다 상세히 설명된다.
장입 재료의 100%를 표시하는 0 내지 12㎜의 입도를 갖는 미립자 광석(2)은 제 1 가스 분류기(1)로 유입되어 0.15 내지 12㎜의 입도를 갖는 조립부(6)와 0 내지 0.15㎜의 입도를 갖는 제 1 미립부(8)로 분리된다. 조립부(6)는 장입물의 67% 이하이다.
장입물의 33%를 차지하는 제 1 미립부는 또다른 가스 분류기(15) 내로 유입되어 20 내지 150㎛의 입도를 갖는 제 2 미립부(18)와 0 내지 20㎛의 입도를 갖는 초미립부(19)로 분리된다. 제 2 미립부(18)는 사용된 미립자 광석(2)의 29%를 차지하며, 초미립부(19)는 장입 재료의 4%를 차지한다. 정전기적 필터는 초미립부(19)가 제거되는 가스로부터 1㎛ 이하의 입도를 갖는 극초미립부(30)를 분리시키는데 사용된다.
본 발명은 전술된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다. 당연히, 사용된 재료의 입도와 분리된 부분들의 입도 및 사용된 재료의 양적 비율에 관해 상당한 범위로 변화될 수 있다.

Claims (19)

  1. 미립자 광석(2)의 선광 방법으로서, 상기 미립자 광석(2)은 가스에 의해 1차로 가스 분류되어, 두 부분(6, 8), 즉 조립부(6)와 제 1 미립부(8)가 형성되며, 상기 조립부(6)는 분리되고 상기 제 1 미립부(8)는 상기 가스와 함께 비산되고 난 후에 상기 가스로부터 또다시 분리되어 대부분이 상기 조립부(6)와 함께 처리되도록 공급되는 미립자 광석(2)의 선광 방법에 있어서,
    상기 제 1 미립부(8)는 가스에 의해 또다시 가스 분류되어 제 2 미립부(18)와 초미립부(19)가 형성되며, 상기 제 2 미립부(18)는 상기 조립부(6)와 함께 처리되도록 공급되고 상기 초미립부(19)는 가스와 함께 비산되어 상기 가스로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 미립자 광석의 선광 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스로부터 분리되는 상기 초미립부(19)가 입상화되면서 결합제(26)와 혼합되어 처리되도록 공급되거나 배출되는 것을 특징으로 하는 미립자 광석의 선광 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 초미립부(19)로부터 형성된 입상(27)이 상기 조립부(6) 및 상기 제 2 미립부(18)와 함께 처리되는 것을 특징으로 하는 미립자 광석의 선광 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 초미립부(19)로부터 형성된 입상(27)이 1차로 가스 분류되는 미립자 광석(2)과 혼합되는 것을 특징으로 하는 미립자 광석의 선광 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비산된 초미립부(19)로부터 제거되는 가스가 또다른 세정 처리되어 극초미립부(30)가 분리되고 상기 초미립부(19)와 함께 입상화되어 처리되도록 공급되거나 배출되는 것을 특징으로 하는 미립자 광석의 선광 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 미립부(18)의 일부분 이상이 상기 초미립부(19) 및/또는 극초미립부(30)와 함께 입상화되는 것을 특징으로 하는 미립자 광석의 선광 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 미립부(8)는 1차로 가스 분류된 상기 미립자 광석(2)으로부터 분리되어 150㎛ 이하의 입자 크기를 가지며, 상기 초미립부(19)는 상기 또다른 가스 분류에 의해 상기 제 1 미립부(8)로부터 분리되어 20㎛ 이하의 입자 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 미립자 광석의 선광 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    건조 가스가 적어도 상기 1차 가스 분류에 사용되는 것을 특징으로 하는 미립자 광석의 선광 방법.
  9. 제 2 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    생석회 또는 벤토나이트가 상기 입상화를 위한 결합제(26)로서 사용되는 것을 특징으로 하는 미립자 광석의 선광 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 1차 가스 분류에 사용되고 상기 제 1 미립부(8)로부터 제거되는 가스가 또다른 가스 분류에 사용되는 것을 특징으로 하는 미립자 광석의 선광 방법.
  11. 미립자 광석(2)용 공급 라인(3), 가스 공급 라인(5), 조립부(6)용 배출 라인(7), 및 가스와 상기 가스와 함께 비산되는 제 1 미립부(8)용 배출 라인(10)이 제공되어 있는 제 1 가스 분류기(1), 및 상기 제 1 가스 분류기(1)의 하류에 연결되고 상기 제 1 미립부(8)를 상기 가스로부터 분리시키는 제 1 가스 세정 장치(11, 12)를 갖는 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 방법을 수행하는 장치에 있어서,
    상기 제 1 가스 세정 장치(11, 12)로부터 인출되는 상기 제 1 미립부(8)용 배출 라인(14)이 가스 공급 라인(17), 제 2 미립부(18)용 배출 라인(20), 및 가스와 상기 가스와 함께 비산되는 초미립부(19)용 배출 라인(21)을 갖는 또다른 가스 분류기(15)에 연결되며, 상기 초미립부(19)를 상기 가스로부터 분리시키는 제 2 가스 세정 장치(22)가 상기 또다른 가스 분류기(15)의 하류에 연결되는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 가스 세정 장치(22)로부터 인출되는 상기 초미립부(19)용 배출 라인이 입상화 장치(24)에 연결되며, 상기 입상화 장치(24) 내측으로 결합제(26)용 공급 라인(25)이 개방되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 입상화 장치(24)가 미립자 광석(2)을 상기 제 1 가스 분류기(1)에 공급하도록 상기 공급부(3)에 연결되는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 조립부(6), 상기 제 2 미립부(18), 및 입상화되는 상기 초미립부(18)의 운송을 위해 공통의 배출 장치(9)가 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 세정 장치가 사이클론(12, 22)으로 설계되는 것을 특징으로 하는장치.
  16. 제 11 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스와 함께 비산된 극초미립부(30)를 분리시키는 또다른 가스 세정 장치(29)가 상기 제 2 가스 세정 장치(22) 하류에 연결되며, 상기 또다른 가스 세정 장치(29)로부터 인출되는 상기 극초미립부(30)용 배출 라인이 입상화 장치(24)에 연결되는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제 11 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 또다른 가스 분류기(15)로부터 인출되는 상기 제 2 미립부(18)용 배출 라인(20)이 입상화 장치(24)에 연결되는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제 11 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 상기 제 1 가스 분류기(1)가 드라이어로 설계되고, 상기 가스 분류기(1) 내측으로 건조 가스용 공급 라인(5)이 개방되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제 11 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 세정 장치(11, 12)로부터 인출되는 가스 배출 라인이 상기 또다른 가스 분류기(15)로 향하는 상기 가스 공급 라인(17)에 연결되는 것을 특징으로 하는 장치.
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