KR20020011625A - Hot plate apparatus with vacuum buffer chamber - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조공정중, 배선 재료의 어닐링공정에 이용되는 핫플레이트 장치에 관한 것으로, 특히 어닐링공정이 진행되는 챔버가 대기중에 노출되어 오염되는 것을 방지하고 공정시간을 단축시켜 수율을 향상시키도록 한 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫 플레이트 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hot plate apparatus used in an annealing process of wiring materials during a semiconductor manufacturing process. In particular, the chamber in which the annealing process is performed is exposed to the atmosphere to prevent contamination and to shorten the process time to improve the yield. A hot plate apparatus having a vacuum buffer chamber.
일반적으로 반도체 제조공정에서 사용되는 배선 재료로 사용되는 금속박막은 어닐링(annealing)공정을 통하여, 배선의 비저항을 낮추고, 입자성장(grain growth)을 유도하여 전기적 이동(electromigration) 현상에 대한 내성을 향상시킨다.In general, a metal thin film used as a wiring material used in a semiconductor manufacturing process, through an annealing process, lowers the resistivity of the wiring and induces grain growth to improve resistance to electromigration. Let's do it.
이러한 어닐링공정을 수행하기 위한 종래의 핫플레이트(Hot plate) 장치를 도 1 및 도 2a 내지 도 2b에 간략하게 나타내었다.A conventional hot plate apparatus for performing such an annealing process is briefly shown in FIGS. 1 and 2A to 2B.
먼저, 도 1은 일반적인 핫플레이트 장치의 구성을 나타내는 개략도로서, 중앙에 웨이퍼 카세트(10)로부터 핫플레이트 챔버로 웨이퍼를 반입, 반출하는 이송수단으로서의 로봇암(robot arm)(20)이 구비되고, 상기 로봇암을 중심으로 네 개의 핫플레이트 챔버(30)가 배치된다. 상기 각각의 핫플레이트 챔버내에는 웨이퍼에 소정의 열을 공급하기 위한 핫플레이트(40)가 1개씩 구비되어 있다. 도 2a 내지 도 2b는 종래의 핫플레이트 챔버에 웨이퍼가 장입되는 일 실시예를 나타낸 것으로, 먼저 상기 핫플레이트 챔버의 개략적인 구성을 살펴보면, 웨이퍼(W)에 소정의 열을 공급하기 위한 핫플레이트(40)와, 어닐링공정시에 공정 가스를 균일하게 공급하기 위한 샤워헤드(shower head)(31)가 구비된 상부판(32), 그리고 상기 로봇암(20)에의해 이송된 웨이퍼를 핫플레이트위에 안착시키기 위한 리프트 핀(33), 웨이퍼를 상기 핫플레이트의 소정 위치에 안착시키는 가이드 핀(34) 및 공정 가스를 배출하기 위한 진공 배기구(35)로 구성된다.First, FIG. 1 is a schematic view showing the configuration of a general hot plate apparatus, and a robot arm 20 as a transfer means for carrying in and taking out a wafer from a wafer cassette 10 to a hot plate chamber is provided at the center thereof. Four hot plate chambers 30 are arranged around the robot arm. Each hot plate chamber is provided with one hot plate 40 for supplying predetermined heat to the wafer. 2A to 2B illustrate an embodiment in which a wafer is loaded in a conventional hot plate chamber. First, referring to a schematic configuration of the hot plate chamber, a hot plate for supplying predetermined heat to the wafer W ( 40, a top plate 32 having a shower head 31 for uniformly supplying process gas during the annealing process, and a wafer transferred by the robot arm 20 on a hot plate. A lift pin 33 for seating, a guide pin 34 for seating the wafer at a predetermined position of the hot plate, and a vacuum exhaust port 35 for discharging the process gas.
여기서, 도 2a에서와 같이, 웨이퍼를 챔버에 장입하기 위해서는 챔버 외부의 상부판 리프트장치(도시하지 않음)를 통하여 상기 상부판(32)을 들어 올린 후, 상기 로봇암이 웨이퍼(W)를 챔퍼내로 장입한다. 이때 상기 리프트 핀(33)이 상승하여 로봇암에 의해 이송된 웨이퍼를 떠 받치게 되며, 도 2b와 같이, 상기 로봇암이 빠져 나간 후 리프트 핀(33)이 하강하여 웨이퍼를 핫플레이트위에 안착시키게 된다. 또한 상기 가이드 핀(34)는 웨이퍼가 핫플레이트의 일정한 위치에 놓일 수 있도록 안내한다.Here, as shown in Fig. 2a, in order to load the wafer into the chamber, the robot arm chamfers the wafer W after lifting the upper plate 32 through an upper plate lift device (not shown) outside the chamber. Charge into me. At this time, the lift pin 33 is raised to support the wafer transferred by the robot arm, and as shown in FIG. 2B, the lift pin 33 is lowered to seat the wafer on the hot plate after the robot arm is pulled out. do. The guide pin 34 also guides the wafer to a certain position on the hotplate.
그러나, 위에서 언급된 종래구조의 핫플레이트 장치는 웨이퍼가 챔버에 장입될 때 챔버가 대기에 노출되기 때문에, 대기 중에 분포하는 산소 또는 수증기 입자등에 의해 챔버 내부가 오염되어 어닐링공정시 배선 재료가 산화되는 문제점이 있었다. 이러한 산소 또는 수증기 입자에 의해 배선 재료가 산화되는 것을 방지하기위해서는 장시간 동안 비활성 가스를 퍼지(purge)가스로 하여 상기 챔버내를 정화시켜 주어야 한다. 또한, 어닐링공정 후 고온의 웨이퍼가 대기에 노출될 경우 배선 재료가 산화되기 때문에 핫플레이트와 웨이퍼가 상온에 도달할 때까지 상기 챔버내를 진공 상태로 형성한 후 장시간 냉각하여야 한다. 따라서 상기 어닐링공정이외에 별도의 정화공정과 냉각공정이 필요하게 되어 전체 공정 시간이 매우 길어져 수율(yield)이 저하되는 문제점을 초래한다.However, in the above-described hot plate apparatus of the conventional structure, since the chamber is exposed to the atmosphere when the wafer is charged into the chamber, the inside of the chamber is contaminated by oxygen or water vapor particles distributed in the atmosphere, and the wiring material is oxidized during the annealing process. There was a problem. In order to prevent the wiring material from being oxidized by such oxygen or water vapor particles, it is necessary to purify the inside of the chamber by using an inert gas as a purge gas for a long time. In addition, since the wiring material is oxidized when a high temperature wafer is exposed to the atmosphere after the annealing process, the inside of the chamber must be vacuumed and cooled for a long time until the hot plate and the wafer reach room temperature. Therefore, in addition to the annealing process, a separate purification process and a cooling process are required, and thus the overall process time becomes very long, leading to a problem in that yield is lowered.
본 발명은 앞서 설명한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제공된 것으로, 웨이퍼 이송중에 상기 핫플레이트 챔버가 대기에 노출되는 것을 방지하여 어닐링공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 핫플레이트 장치를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention is provided to solve the problems of the prior art as described above, to provide a hot plate device that can improve the reliability of the annealing process by preventing the hot plate chamber from being exposed to the atmosphere during wafer transfer. There is this.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은, 소정의 웨이퍼에 대한 어닐링 공정과 동시에 소정의 어닐링 처리된 웨이퍼를 냉각시킬 수 있도록 함으로써 전체 공정시간을 단축시켜 수율을 향상시킬 수 있는 핫플레이트 장치를 제공함에 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a hot plate apparatus which can improve the yield by shortening the overall processing time by allowing the predetermined annealing process to cool down the predetermined annealing process. .
또 다른 본 발명의 목적은, 여러장의 웨이퍼를 동시에 처리할 수 있도록 함으로써, 수율 향상을 극대화시킨 핫플레이트 장치를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a hot plate apparatus that maximizes yield improvement by allowing multiple wafers to be processed simultaneously.
도 1은 종래의 핫플레이트 장치의 구성을 나타낸 개략도,1 is a schematic view showing the configuration of a conventional hot plate apparatus;
도 2a 내지 도 2b는 종래의 핫플레이트 챔버에 웨이퍼가 장입되는 일실시예를 나타낸 단면도,2A to 2B are cross-sectional views illustrating an embodiment in which a wafer is loaded into a conventional hot plate chamber;
도3은 본 발명에 따른 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치의 개략적인 구성을 나타낸 투시 사시도,3 is a perspective view showing a schematic configuration of a hot plate apparatus having a vacuum buffer chamber according to the present invention;
도4는 본 발명에 따른 핫플레이트 장치를 위에서 본 평면도,4 is a plan view from above of a hotplate device according to the present invention;
도5는 본 발명에 따른 핫플레이트 장치의 진공 버퍼 챔버를 나타낸 단면도,5 is a cross-sectional view showing a vacuum buffer chamber of the hot plate device according to the present invention;
도6는 본 발명에 따른 핫플레이트 장치의 핫플레이트 챔버를 나타낸 단면도.Figure 6 is a cross-sectional view showing a hot plate chamber of the hot plate device according to the present invention.
♠도면의 주요부분에 대한 부호의 설명♠♠ Explanation of symbols on the main parts of the drawings.
100 : 핫플레이트 챔버 110 : 핫플레이트100: hot plate chamber 110: hot plate
120 : 게이트 밸브 200 : 진공 버퍼 챔버120: gate valve 200: vacuum buffer chamber
210,220,230,240 : 핸들러 250 : 게이트 도어210,220,230,240: Handler 250: Gate Door
300 : 로봇암300: robot arm
앞서 설명한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따르면, 어닐링공정이 진행되는 핫플레이트 챔버, 진공상태에서 상기 핫플레이트 챔버로 웨이퍼를 이동시키고, 소정의 어닐링 처리된 웨이퍼를 냉각시키기 위한 진공 버퍼 챔버, 및 대기상태에서 상기 진공 버퍼 챔버로 웨이퍼를 이동시키기 위한 이동수단을 포함하여 이루어진 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치가 제공된다.According to the present invention for achieving the object as described above, a hot plate chamber in which an annealing process is performed, a vacuum buffer chamber for moving a wafer to the hot plate chamber in a vacuum state, and cooling a predetermined annealed wafer, And a moving means for moving the wafer to the vacuum buffer chamber in the standby state.
바람직하게는, 상기 핫플레이트 챔버와 상기 진공 버퍼 챔버사이에 개폐 가능토록 설치되어, 상기 핫플레이트 챔버를 대기로부터 차단하고 웨이퍼의 이동통로를 제공하는 게이트 밸브를 더 포함하여 이루어진다.Preferably, the apparatus further comprises a gate valve installed between the hot plate chamber and the vacuum buffer chamber to be opened and closed to shut off the hot plate chamber from the atmosphere and provide a wafer passage.
더욱 바람직하게는, 상기 진공 버퍼 챔버의 일측에 개폐 가능토록 설치되어,상기 진공 버퍼 챔버를 대기로부터 차단하고 웨이퍼의 이동통로를 제공하는 게이트 도어를 더 포함하여 이루어진다.More preferably, it is provided to be opened and closed on one side of the vacuum buffer chamber, and further comprises a gate door to block the vacuum buffer chamber from the atmosphere and provide a movement passage of the wafer.
또한, 상기 핫플레이트 챔버는 웨이퍼가 안착되고, 상기 웨이퍼에 열을 공급하기 위한 하나 이상의 핫 플레이트 및 상기 웨이퍼에 공정가스를 균일하게 분사시키기 위해 다수의 관통홀이 형성된 하나 이상의 샤워헤드를 포함하는 것이 바람직하다.The hot plate chamber may include one or more hot plates on which a wafer is seated, one or more hot plates for supplying heat to the wafer, and one or more shower heads having a plurality of through holes formed therein to uniformly inject process gases into the wafer. desirable.
바람직하게는, 상기 핫플레이트 챔버의 저면에 설치되어, 공정가스를 균일하게 배기하기 위해 다수의 배기홀이 형성된 하나 이상의 진공배플을 더 포함하여 이루어진다.Preferably, the apparatus may further include one or more vacuum baffles installed on the bottom of the hot plate chamber and having a plurality of exhaust holes to uniformly exhaust the process gas.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 진공 버퍼 챔버는 웨이퍼를 상기 핫플레이트 챔버로, 또는 상기 핫플레이트 챔버에서 상기 진공 버퍼 챔버로 이송시키기 위한 하나 이상의 이송수단을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.According to the present invention, the vacuum buffer chamber preferably comprises at least one transfer means for transferring a wafer to the hot plate chamber or from the hot plate chamber to the vacuum buffer chamber.
더욱 바람직하게는, 상기 진공 버퍼 챔버는 챔버내를 진공상태로 형성하기 위한 진공 배기계와, 챔버내를 대기압상태로 형성하기 위해 비활성 가스를 공급하는 가스 공급계 및 소정의 어닐링처리된 웨이퍼를 냉각시키기 위한 냉각 수단을 더 포함하여 이루어진다.More preferably, the vacuum buffer chamber includes a vacuum exhaust system for forming the chamber in a vacuum state, a gas supply system for supplying an inert gas for forming the chamber in an atmospheric pressure state, and cooling the predetermined annealed wafer. It further comprises a cooling means for.
이하, 본 발명에 따른 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조로 하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a hot plate apparatus having a vacuum buffer chamber according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 의한 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치는 배선 재료로 사용되는 금속 박막을 어닐링 처리할 때 사용되는 반도체 장치로서, 상기 핫플레이트챔버가 대기에 노출되는 것을 방지하고, 소정의 어닐링 처리된 웨이퍼의 냉각이 소정의 어닐링 공정과 동시에 이루어 질 수 있도록 구현한 것으로서, 본 발명에 따른 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치의 개략적인 구성은 도 3에 도시된 바와 같다.The hot plate device having the vacuum buffer chamber according to the present invention is a semiconductor device used for annealing a metal thin film used as a wiring material, and prevents the hot plate chamber from being exposed to the atmosphere and is subjected to a predetermined annealing treatment. As the cooling of the wafer is implemented to be performed simultaneously with a predetermined annealing process, a schematic configuration of a hot plate device having a vacuum buffer chamber according to the present invention is illustrated in FIG. 3.
앞서 설명된 바와 같이, 도 3은 본 발명에 따른 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치의 개략적인 구성을 나타내는 투시 사시도로서, 크게는 어닐링 공정이 진행되는 핫플레이트 챔버(100)와, 진공상태에서 상기 핫플레이트 챔버(100)로 웨이퍼를 반입,반출시키고 마찬가지로 진공상태에서 소정의 어닐링 처리된 웨이퍼를 냉각시키기 위한 진공 버퍼 챔버(200), 및 대기상태에서 상기 진공 버퍼 챔버로 웨이퍼를 반입,반출시키기 위한 이동수단인 로봇암(300)으로 구성된다.As described above, Figure 3 is a perspective perspective view showing a schematic configuration of a hot plate device having a vacuum buffer chamber according to the present invention, largely the hot plate chamber 100 in which the annealing process is performed, and in a vacuum state Loading and unloading wafers into the hot plate chamber 100 and the vacuum buffer chamber 200 for cooling a predetermined annealed wafer in a vacuum state, and loading and unloading wafers into the vacuum buffer chamber in an atmospheric state. It consists of a robot arm 300 which is a moving means for.
한편, 상기 핫플레이트 챔버(100)에는 웨이퍼를 가열하기 위한 핫플레이트(110)가 구비되며, 상기 핫플레이트 챔버(100)와 상기 진공 버퍼 챔버(200)사이에는 게이트 밸브(120)가 구비되어, 어닐링공정 및 냉각공정시에는 상기 밸브가 폐쇄되고, 웨이퍼가 이송할 때에는 개방된다. 또한, 상기 게이트 밸브(120)가 구비된 진공 버퍼 챔버의 반대측에는 게이트 도어(250)가 구비되어 마찬가지로 로봇암(300)에 의해 웨이퍼가 이동하는 통로를 제공할 뿐만 아니라, 상기 진공 버퍼 챔버(200)를 대기로 부터 차단시키는 역할을 한다.On the other hand, the hot plate chamber 100 is provided with a hot plate 110 for heating the wafer, a gate valve 120 is provided between the hot plate chamber 100 and the vacuum buffer chamber 200, The valve is closed during the annealing process and the cooling process, and opens when the wafer is transferred. In addition, a gate door 250 is provided on the opposite side of the vacuum buffer chamber in which the gate valve 120 is provided to provide a passage through which the wafer moves by the robot arm 300, as well as the vacuum buffer chamber 200. ) From the atmosphere.
또한, 상기 진공 버퍼 챔버(200)내에는 진공 상태에서 웨이퍼를 상기 진공 버퍼 챔버에서 핫플레이트 챔버로, 또는 핫플레이트 챔버에서 진공 버퍼 챔버로 이송시키기 위한 이송수단으로써 한개 이상의 핸들러가 구비된다. 또한, 상기 진공버퍼 챔버안을 진공상태로 만들기 위한 진공 배기계(도시 안됨)가 구비되며, 상기 진공 버퍼 챔버안을 대기압상태로 만들기 위해 비활성가스를 주입하기 위한 가스 공급계(도시 안됨)가 별도로 구비된다.In addition, the vacuum buffer chamber 200 is provided with at least one handler as a transfer means for transferring the wafer from the vacuum buffer chamber to the hot plate chamber or from the hot plate chamber to the vacuum buffer chamber in a vacuum state. In addition, a vacuum exhaust system (not shown) is provided to make the vacuum buffer chamber into a vacuum state, and a gas supply system (not shown) for injecting inert gas is provided separately to bring the vacuum buffer chamber into an atmospheric pressure state.
본 발명의 바람직한 일실시예에서는 도3, 4에 나타나 있듯이 상기 이송수단으로서 네개의 핸들러가 구비되어 있다, 상기 네개의 핸들러(210,220,230,240)는 진공 버퍼 챔버내의 좌,우측의 상,하부에 각각 두개씩 위치된다. 상기 좌,우측 상부의 핸들러(210,220)는 웨이퍼를 핫플레이 챔버로 이송시키기 위한 것이고, 좌,우측 하부의 핸들러(230,240)는 웨이퍼를 핫플레이트 챔버로부터 진공 버퍼 챔버로 이송시키기 위한 것이지만, 서로의 역할을 반대로 할 수도 있다. 상기와 같이 네개의 핸들러를 구비하는 것은 본 발명의 목적에서도 설명한 바와 같이, 한번의 어닐링공정시 여러장의 웨이퍼를 진행시켜 수율의 향상을 꾀하기 위함이다.In the preferred embodiment of the present invention, as shown in Figures 3 and 4, four handlers are provided as the transfer means, and the four handlers 210, 220, 230, and 240 are positioned at the upper and lower sides of the left and right sides of the vacuum buffer chamber, respectively. do. The left and right upper handlers 210 and 220 are used to transfer wafers to a hot play chamber, and the left and right lower handlers 230 and 240 are used to transfer wafers from a hot plate chamber to a vacuum buffer chamber. You can also reverse it. As described above, the four handlers are provided to improve the yield by advancing several wafers in one annealing process as described in the object of the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 핫플레이트 장치를 위에서 본 평면도로서, 각 부호의 설명은 도 3의 설명과 같다.Figure 4 is a plan view of the hot plate device according to the present invention from above, and the description of each reference is the same as the description of FIG.
도 5는 본 발명에 따른 핫플레이트 장치의 진공 버퍼 챔버를 나타내는 것으로, 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view of a vacuum buffer chamber of a hot plate apparatus according to the present invention.
네개의 핸들러는 각각 그 높이를 달리하여 설치되며, 좌측 상부의 핸들러(210)와 우측 상부의 핸들러(220)는 제 1구동축(260)을 축으로 하여 제 1구동수단(270)에 의해 시계 또는 반시계방향으로 선회하게 되며, 좌측 하부의 핸들러(230)와 우측 하부의 핸들러(240)는 제 2구동축(280)을 축으로 하여 제 2구동수단(290)에 의해 시계 또는 반시계방향으로 선회하게 된다.Each of the four handlers is installed at different heights, and the handler 210 on the upper left side and the handler 220 on the upper right side have a clock or the first driven means 270 around the first drive shaft 260. The counter-clockwise turning, the lower left handler 230 and the lower right handler 240 is rotated clockwise or counterclockwise by the second drive means 290 around the second drive shaft 280. Done.
한편, 도 6은 본 발명에 따른 핫플레이트 장치의 핫플레이트 챔버를 나타내는 상세 단면도이다. 먼저, 핫플레이트 챔버내에 공정가스를 고르게 분사하기 위하여 샤워헤드(150)가 설치된 상부판(130)이 구비된다. 상기 상부판(130) 상단의 중앙에는 핫플레이트 챔버 외부에 설치된 가스공급계(도시 안됨)를 통하여 공정가스가 유입되어 상기 공정가스를 챔버내로 주입하는 가스주입구(131) 및 상기 주입된 공정가스를 샤워헤드(150)로 유도하는 가스 주입 유도구(132)가 형성되어 있으며, 상기 상부판(150) 저면에는 상기 공정가스를 웨이퍼에 균일하게 분사하기 위해 다수의 관통홀(151)이 형성된 샤워헤드(150)가 탈착가능토록 설치되어 있다.On the other hand, Figure 6 is a detailed cross-sectional view showing a hot plate chamber of the hot plate device according to the present invention. First, the top plate 130 is provided with a shower head 150 in order to evenly spray the process gas in the hot plate chamber. In the center of the upper end of the upper plate 130, a gas inlet 131 for injecting the process gas into the chamber through a gas supply system (not shown) installed outside the hot plate chamber and the injected process gas A gas injection inlet 132 leading to the shower head 150 is formed, and a shower head having a plurality of through holes 151 formed on the bottom surface of the upper plate 150 to uniformly inject the process gas onto the wafer. 150 is installed to be removable.
또한, 상기 샤워헤드(150)와 상부판(15)저면 사이에는 소정거리를 두고 버퍼부(140)가 형성되어 공정가스를 일정한 유속으로 분포하게 한다.In addition, a buffer 140 is formed at a predetermined distance between the shower head 150 and the bottom of the upper plate 15 to distribute the process gas at a constant flow rate.
그리고, 핫플레이트 챔버의 내부에는 웨이퍼에 소정의 열을 공급하는 핫플레이트(110)가 구비되고, 핫플레이트 하단에는 핸들러에 의해 이송된 웨이퍼를 상기 핫플레이트에 안착시키기 위한 리프트 핀(111)이 설치되며, 상기 리프트 핀은 핫플레이트 챔버 외부의 하단에 설치된 공기실린더(113) 및 주름관(114)에 의해 상하운동을 하게된다. 또한, 상기 핫플레이트 가장자리에는 웨이퍼를 소정위치에 안착시키기 위한 가이드 핀(112)이 형성되어 있다.In addition, a hot plate 110 is provided inside the hot plate chamber to supply a predetermined heat to the wafer, and a lift pin 111 is installed at the bottom of the hot plate to seat the wafer transferred by the handler on the hot plate. The lift pin is vertically moved by the air cylinder 113 and the corrugated pipe 114 installed at the lower end of the outside of the hot plate chamber. In addition, a guide pin 112 is formed at the edge of the hot plate for seating the wafer at a predetermined position.
챔버 일측의 하단에는, 상기 챔버내에 분사된 공정가스를 균일하게 배기하기 위하여 다수의 배기홀(160)이 형성된 진공 배플(baffle)(161)이 구비되며, 이 진공배플(161)은 진공 배기구(170)와 연결된다. 배기되는 공정가스는 핫플레이트 챔버 외부에 설치된 진공 배기계(도시 안됨)에 의해 외부로 배출되게 된다.At the lower end of one side of the chamber, a vacuum baffle 161 having a plurality of exhaust holes 160 is formed to uniformly exhaust the process gas injected into the chamber, and the vacuum baffle 161 is provided with a vacuum exhaust port ( 170). Process gas to be exhausted is discharged to the outside by a vacuum exhaust system (not shown) installed outside the hot plate chamber.
도 6의 핫플레이트 챔버의 구성은 본 발명의 목적에서 설명된 바와 같이, 다수의, 여기서는 2개, 웨이퍼를 동시에 처리하여 수율을 향상시키도록 핫플레이트와 샤워헤드 및 진공 배플을 각각 두 개씩 구비한 예를 보여주고 있다.The configuration of the hot plate chamber of FIG. 6 includes a plurality of hot plates, two shower heads, and two vacuum baffles, respectively, as described in the object of the present invention, to improve yields by simultaneously processing a plurality of wafers. An example is shown.
이하, 상기와 같이 구성된 본 발명의 핫플레이트 장치의 동작을 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation of the hot plate apparatus of the present invention configured as described above will be described in detail.
도 3을 참고하면, 핫플레이트 챔버 외부의 로봇암(300)은 소정의 어닐링공정 처리가 요구되는 웨이퍼 두장을 상기 진공 버퍼 챔버(200)의 게이트 도어(250)를 향하도록 위치시킨다. 이때, 진공 버퍼 챔버(200)는 별도의 가스 공급계(도시 안됨)에서 공급된 비활성 가스에 의해 챔버내부가 대기압으로 압력이 상승하게 되며, 완전히 대기압상태가 되면 상기 게이트 도어(250)가 개방된다. 이어서, 상기 로봇암(300)은 두장의 웨이퍼를 게이트 도어(250)를 통해 진공 버퍼 챔버내의 좌,우 상부의 핸들러(210,220)에 각각 장입시키며, 장입이 완료되면 상기 게이트 도어(250)는 폐쇄되어 진공 버퍼 챔버는 대기와 차단되게 되며 별도로 구비된 진공 배기계(도시 안됨)에 의해 진공상태를 유지하게 된다.Referring to FIG. 3, the robot arm 300 outside the hot plate chamber places two wafers that require a predetermined annealing process to face the gate door 250 of the vacuum buffer chamber 200. At this time, the vacuum buffer chamber 200 increases the pressure inside the chamber to atmospheric pressure by the inert gas supplied from a separate gas supply system (not shown), and the gate door 250 is opened when the vacuum buffer chamber 200 is completely at atmospheric pressure. . Subsequently, the robot arm 300 loads two wafers into the handlers 210 and 220 at the upper left and right sides of the vacuum buffer chamber through the gate door 250, and when the loading is completed, the gate door 250 is closed. Thus, the vacuum buffer chamber is blocked from the atmosphere and maintained in a vacuum state by a vacuum exhaust system (not shown) provided separately.
상기 진공 버퍼 챔버(200)가 소정의 진공상태에 도달하면, 게이트 밸브(120)이 개방되고, 상기 좌,우 상부의 핸들러(210,220)가 상기 게이트 밸브를 통해 핫플레이트 챔버(100)내부로 이동하게 된다. 이때, 도 6에서 설명된 바와 같이, 핫플레이트(110) 하부에 설치된 리프트 핀(111)이 상승하여 웨이퍼를 들어 올리고, 상기 좌,우 상부의 핸들러가 빠져나가면 리프트 핀이 하강하여 웨이퍼를 핫플레이트(110)에 안착시킨다. 그리고, 웨이퍼가 핫플레이트에 안착되고 상기 핸들러가 다시 진공 버퍼 챔버로 이동되면, 상기 게이트 밸브(120)가 폐쇄되고 어닐링 공정이 진행된다.When the vacuum buffer chamber 200 reaches a predetermined vacuum state, the gate valve 120 is opened, and the left and right upper handlers 210 and 220 move inside the hot plate chamber 100 through the gate valve. Done. At this time, as illustrated in FIG. 6, the lift pins 111 installed below the hot plate 110 are raised to lift the wafer, and when the handlers at the upper left and right sides exit, the lift pins are lowered to hotplate the wafer. Seated at (110). When the wafer is seated on the hot plate and the handler is moved back to the vacuum buffer chamber, the gate valve 120 is closed and the annealing process is performed.
한편, 상기 어닐링 공정이 진행되는 동안, 상기 진공 버퍼 챔버는 위에서 설명된 바와 같이 동작하여 다시 챔버내를 대기압상태로 만든 후, 새로운 웨이퍼 두장을 로봇암에 의해 상기 진공 버퍼 챔버내의 좌,우 상부 핸들러(210,220)에 안착시킨 후, 다시 진공상태를 형성한다.On the other hand, during the annealing process, the vacuum buffer chamber operates as described above to bring the chamber back to atmospheric pressure, and then two new wafers are moved by the robot arm to the left and right upper handlers. After being seated at 210 and 220, a vacuum state is formed again.
이어서, 핫플레이트 챔버(100)에서 어닐링공정이 완료되면, 게이트 밸브(120)가 개방되고, 진공 버퍼 챔버내의 좌,우 하부의 핸들러(230,240)가 어닐링공정에 의해 공정완료된 웨이퍼를 순차적으로 상기 진공 버퍼 챔버로 이동시킨다. 그런 후, 좌,우 상부의 핸들러(210,220)에서 대기중이던 새로운 웨이퍼 두장을 다시 공정진행을 위해 핫플레이트 챔버(100)안으로 이동된다. 이동이 끝나면 게이트 밸브(120)는 다시 폐쇄된다.Subsequently, when the annealing process is completed in the hot plate chamber 100, the gate valve 120 is opened and the left and right handlers 230 and 240 in the vacuum buffer chamber sequentially vacuum the wafers which have been processed by the annealing process. Move to the buffer chamber. Then, two new wafers that are waiting in the left and right upper handlers 210 and 220 are moved back into the hot plate chamber 100 for process progress. After the movement, the gate valve 120 is closed again.
그리고, 어닐링공정이 완료되어 진공 버퍼 챔버(200)로 이동된 웨이퍼는 진공상태에서 상온으로 온도가 감소할 때까지 상기 진공 버퍼 챔버내의 좌,우 하부 핸들러(230,240)위에서 냉각되게 된다. 또는 별도의 냉각장치(도시 안됨)에 의해 냉각될 수도 있다.The wafer transferred to the vacuum buffer chamber 200 after the annealing process is completed is cooled on the left and right lower handlers 230 and 240 in the vacuum buffer chamber until the temperature decreases from room temperature to room temperature. Or it may be cooled by a separate cooling device (not shown).
상기 진공 버퍼 챔버(200)내에서의 냉각공정은 핫플레이트 챔버(100)내에서의 일어나는 어닐링공정과 동시에 일어나므로, 종래에 비해 공정시간이 단축되는 효과가 있다. 상기 냉각공정이 완료되면, 게이트 도어(250)가 개방되어 로봇암(300)에 의해 웨이퍼를 반출하게 된다.Since the cooling process in the vacuum buffer chamber 200 occurs at the same time as the annealing process occurring in the hot plate chamber 100, the process time is shortened as compared with the prior art. When the cooling process is completed, the gate door 250 is opened to carry out the wafer by the robot arm 300.
상기 설명된 바와 같이, 본 발명에 따른 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치를 이용하여 상기 어닐링공정이 완료될때까지 상기 동작을 반복,수행하게 된다.As described above, the operation is repeated and performed until the annealing process is completed using a hot plate apparatus having a vacuum buffer chamber according to the present invention.
앞서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 핫플레이트 장치는 진공 버퍼 챔버를 구비하며, 진공 상태에서 웨이퍼를 상기 진공 버퍼 챔버에서 핫플레이트 챔버로, 또는 핫플레이트 챔버에서 진공 버퍼 챔버로 이송하는 이송수단을 제공함에 의해, 웨이퍼 이송중에 상기 핫플레이트 챔버가 대기에 노출되는 것을 방지함으로써, 웨이퍼가 오염물질로부터 오염되는 것을 방지하여 어닐링공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다는 효과가 있다.As described in detail above, the hot plate apparatus of the present invention includes a vacuum buffer chamber, and provides a transfer means for transferring a wafer from the vacuum buffer chamber to the hot plate chamber or from the hot plate chamber to the vacuum buffer chamber in a vacuum state. This prevents the hot plate chamber from being exposed to the atmosphere during wafer transfer, thereby preventing the wafer from being contaminated from contaminants and improving the reliability of the annealing process.
그리고, 본 발명의 핫플레이트 장치는, 소정의 웨이퍼에 대한 어닐링 공정과 동시에 소정의 어닐링 처리된 웨이퍼를 상기 진공 버퍼 챔버에서 냉각시킬 수 있도록 함으로써 전체 공정시간을 단축시켜 수율을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다.In addition, the hot plate apparatus of the present invention has the advantage of improving the yield by shortening the overall processing time by allowing a predetermined annealing process to cool a predetermined annealed wafer in the vacuum buffer chamber. have.
또한, 동시에 두 장의 웨이퍼를 처리할 수 있도록 각각의 핫플레이트 챔버에 핫플레이트와 샤워헤드 및 진공 배플을 각각 두 개씩 구비하며, 소정의 어닐링공정을 위하여 진공 버퍼 챔버에서 핫플레이트 챔버로 이송될 두 장의 웨이퍼와, 소정의 어닐링공정 처리된 웨이퍼를 핫플레이트 챔버에서 진공 버퍼 챔버로 이송하여 냉각될 두 장의 웨이퍼를 동시에 처리할 수 있도록 상기 진공 버퍼 챔버내에 네 개의 웨이퍼 핸들러를 구비함으로써, 수율 향상을 극대화시키는 효과가 있다.In addition, two hot plates, two shower heads, and two vacuum baffles are provided in each hot plate chamber to simultaneously process two wafers, and two sheets to be transferred from the vacuum buffer chamber to the hot plate chamber for a predetermined annealing process. Four wafer handlers are provided in the vacuum buffer chamber to simultaneously transfer the wafers and the predetermined annealing wafers from the hot plate chamber to the vacuum buffer chamber, thereby maximizing yield improvement. It works.
이상에서 본 발명의 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만, 이는 본 발명의 가장 양호한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자이면 누구나 본 발명의 기술사상의 범주를 이탈하지 않는 범위내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.Although the technical idea of the hot plate apparatus having the vacuum buffer chamber of the present invention has been described above with the accompanying drawings, this is illustrative of the best embodiment of the present invention and is not intended to limit the present invention. In addition, it is obvious that any person skilled in the art can make various modifications and imitations without departing from the scope of the technical idea of the present invention.
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| JPH1116893A (en) * | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device and method therefor |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080000422A1 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Ips Ltd. | Apparatus for semiconductor processing |
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