KR20020010993A - Non-burst mode sopport appatatus - Google Patents
Non-burst mode sopport appatatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020010993A KR20020010993A KR1020000044363A KR20000044363A KR20020010993A KR 20020010993 A KR20020010993 A KR 20020010993A KR 1020000044363 A KR1020000044363 A KR 1020000044363A KR 20000044363 A KR20000044363 A KR 20000044363A KR 20020010993 A KR20020010993 A KR 20020010993A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- data
- sdram
- burst mode
- bit
- burst
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
- G06F13/20—Handling requests for interconnection or transfer for access to input/output bus
- G06F13/28—Handling requests for interconnection or transfer for access to input/output bus using burst mode transfer, e.g. direct memory access DMA, cycle steal
Abstract
Description
본 발명은 논-버스트 모드 지원장치에 관한 것으로, 특히 에스디램과의 데이터 엑세스시 버스트 모드를 지원할 수 있도록 한 논-버스트 모드 지원장치에 관한 것이다.The present invention relates to a non-burst mode support apparatus, and more particularly, to a non-burst mode support apparatus capable of supporting a burst mode during data access with an SDRAM.
일반적으로, 논-버스트 모드지원 씨피유의 데이터는, 에스디램에서 지원하는버스트 모드 데이터 전송을 지원하지 못하는데, 이와같은 종래 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.In general, the data of the non-burst mode support CPI, does not support the burst mode data transmission supported by SDRAM, will be described in detail with reference to the accompanying drawings, such a conventional device.
도1은 종래 논-버스트 모드 지원장치의 구성을 보인 블록도로서, 이에 도시된 바와같이 싱글 데이터 엑세스 시간내에, 외부 에스디램(10)의 어드레스 영역에 8비트,16비트 또는 32 비트의 데이터를 소정 비트의 데이터버스를 통해 라이트하거나 리드하도록 제어하는 에스디램 콘트롤러(1)를 내장하여, 논-버스트 모드를 지원하는 씨피유(20)로 구성되며, 이와같이 구성된 본 발명의 동작을 설명한다.FIG. 1 is a block diagram showing the structure of a conventional non-burst mode supporting apparatus. As shown in FIG. 1, 8-bit, 16-bit, or 32-bit data is stored in an address area of an external SDRAM 10 in a single data access time. The operation of the present invention constituted by the CPI 20 that supports the non-burst mode by incorporating the SDRAM controller 1 for controlling to write or read through a data bus of a predetermined bit will be described.
먼저, 리드 엑세스일 경우, 에스디램 콘트롤러(1)가 리드 인에이블신호를 로우로 에스디램(10)에 인가할 때, 상기 에스디램 콘트롤러(1)가 각각의 어드레스를 변화시켜 에스디램(10)에 인가하면, 씨피유(20)는 데이터버스를 통해 상기 어드레스에 해당되는 데이터를 리드한다.First, in the case of read access, when the SDRAM controller 1 applies the read enable signal to the SDRAM 10 in a low state, the SDRAM controller 1 changes the respective addresses so that the SDRAM 10 may change. When applied to the CPI 20, the data corresponding to the address is read through the data bus.
반대로, 라이트 엑세스일 경우, 에스디램 콘트롤러(1)가 라이트 인에이블신호를 로우로 에스디램(10)에 인가할 때, 상기 에스디램 콘트롤러(1)가 각각의 어드레스를 변화시켜 에스디램(10)에 인가하면, 씨피유(20)는 데이터 버스를 통해 상기 어드레스의 영역에 소정 데이터를 라이트한다.On the contrary, in the case of write access, when the SDRAM controller 1 applies the write enable signal to the SDRAM 10 in a low state, the SDRAM controller 1 changes the respective addresses so that the SDRAM 10 may change. Upon application to the CPI 20, predetermined data is written to the area of the address via a data bus.
이때, 상기 에스디램(10) 대신 롬을 사용하여도 상기와 동일하게 동작한다.In this case, the ROM may be used in the same manner as in the case of using the ROM instead of the SDRAM 10.
만약, 디램의 엑세스일 경우, 리드 엑세스일 때, 카스신호(CAS)에 따라 칼럼어드레스에 맞게 데이터를 리드하고, 한편 라이트 엑세스일 때, 카스신호(CAS)에 따라 칼럼 어드레스에 해당되는 영역에 데이터를 라이트한다.If the DRAM access is read, the data is read according to the column address according to the cas signal CAS when the read access is performed. On the other hand, when the write access is performed, the data is read in the area corresponding to the column address according to the cas signal CAS. Light it.
그러나, 상기 종래기술에 따른 논-버스트 모드 지원장치는 에스디램과의 인터페이스를 수행할 경우, 에스디램에서 사용하는 버스트 모드를 지원하지 못하는 문제점이 있다.However, the non-burst mode support apparatus according to the related art does not support the burst mode used in the SDRAM when performing an interface with the SDRAM.
따라서, 상기와 같은 문제점을 감안하여 창안한 본 발명은 에스디램과의 데이터 엑세스시 버스트 모드를 지원하여 외부 메모리 엑세스 속도를 향상시킬 수 있도록 한 논-버스트 모드 지원장치를 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a non-burst mode support apparatus capable of improving an external memory access speed by supporting a burst mode when accessing data with an SDRAM.
도1은 종래 논-버스트 모드 지원장치의 구성을 보인 블록도.1 is a block diagram showing the configuration of a conventional non-burst mode support apparatus.
도2는 본 발명 논-버스트 모드 지원장치의 구성을 보인 블록도.Figure 2 is a block diagram showing the configuration of the non-burst mode support apparatus of the present invention.
도3은 도2에 있어서, 버스트 모드시의 데이터 라이트에 대한 내부 신호의 타이밍도.Fig. 3 is a timing diagram of an internal signal for data write in burst mode in Fig. 2;
도4는 도2에 있어서, 버스트 모드시의 데이터 리드에 대한 내부 신호의 타이밍도.Fig. 4 is a timing diagram of an internal signal for data read in burst mode in Fig. 2;
*****도면의 주요부분에 대한 부호의 설명********** Description of the symbols for the main parts of the drawings *****
100:에스디램 200:씨피유100: S-DRAM 200: CPI
11:버스트 데이터 버퍼 12:에스디램 콘트롤러11: Burst data buffer 12: SDRAM controller
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 싱글 데이터 엑세스 시간내에, 외부 에스디램의 어드레스 영역에 8비트,16비트 또는 32비트의 데이터를 데이터버스를 통해 라이트하거나 리드하도록 제어하는 에스디램 콘트롤러를 내장하여, 논-버스트 모드를 지원하는 씨피유로 이루어진 논-버스트 모드 지원장치에 있어서, 상기 데이터버스의 씨피유측에 접속 내장되어, 버스트 데이터 모드시, 상기 데이터버스의 크기 및 내부 데이터 크기에 따라, 외부 에스디램과 상기 에스디램 콘트롤러사이에서 데이터 버스를 통해 소정 비트의 데이터를 주고 받는 버스트 데이터 버퍼를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention incorporates an SDRAM controller for controlling 8-bit, 16-bit, or 32-bit data to be written or read through the data bus in an address area of an external SDRAM within a single data access time. In the non-burst mode supporting apparatus comprising CPI supporting the non-burst mode, the non-burst mode supporting apparatus is connected to the CPI side of the data bus and is externally connected in accordance with the size and internal data size of the data bus in burst data mode. And a burst data buffer between the SDRAM and the SDRAM controller to exchange data of a predetermined bit through a data bus.
이하, 본 발명에 의한 논-버스트 모드 지원장치의 작용 및 효과를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation and effects of the non-burst mode support apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도3은 본 발명 논-버스트 모드 지원장치의 구성을 보인 블록도로서, 이에 도시한 바와같이 일반적인 구성은 동일하며 다만, 데이터버스의 씨피유(200) 측에 접속 내장되어, 버스트 데이터 모드시, 상기 데이터버스의 크기 및 내부 데이터 크기에 따라, 외부 에스디램(100)과 에스디램 콘트롤러(12) 사이에서 데이터 버스를 통해 소정 비트의 데이터를 주고 받는 버스트 데이터 버퍼(11)를 포함한 구성이 다르며, 이와 같은 본 발명의 동작을 설명한다.Figure 3 is a block diagram showing the configuration of the non-burst mode support apparatus of the present invention, the general configuration is the same as shown here, but is built-in connected to the CPI 200 side of the data bus, in the burst data mode, According to the size of the data bus and the size of the internal data, the configuration including the burst data buffer 11 for exchanging predetermined bits of data through the data bus between the external SDRAM 100 and the SDRAM controller 12 is different, and The same operation of the present invention will be described.
먼저, 일반적인 데이터 엑세스 동작은 종래와 동일하므로 생략하고, 본 발명에 의한 버스트 모드시의 동작을 설명한다.First, since the general data access operation is the same as the conventional one, it is omitted, and the operation in the burst mode according to the present invention will be described.
우선, 8비트 데이터 버스를 사용하는 에스디램(100)과 데이터를 엑세스하는 경우, 데이터 엑세스 방식을 싱글 버스트 모드,2-랭스(Length) 버스트 모드, 4-랭스(Length) 버스트 모드를 사용할 수 있다.First, when accessing data with the SDRAM 100 using an 8-bit data bus, the data access method may use a single burst mode, a two-length burst mode, and a four-length burst mode. .
만약, 에스디램(100)에서 4-랭스(Length) 버스트 모드를 사용할 경우, 내부 데이터 크기를 32비트로 설정하면, 버스트 데이터 버퍼(11)는 에스디램 콘트롤러 (12)및 에스디램(100)과 데이터를 4개의 8비트 단위로 나누어 주고 받게 된다.When the 4-Length burst mode is used in the SDRAM 100, when the internal data size is set to 32 bits, the burst data buffer 11 may store data with the SDRAM controller 12 and the SDRAM 100. Is divided into four 8-bit units.
여기서, 도3은 에스디램(100)에서 4-랭스(Length) 버스트 모드를 사용하고, 내부 데이터 크기를 32비트로 설정하였을 경우에 대한 라이트시의 내부 신호 파형도이며, 도4는 에스디램(100)에서 4-랭스(Length) 버스트 모드를 사용하고, 내부 데이터 크기를 32 비트로 설정하였을 경우에 대한 데이터 리드시의 내부 신호파형도이다.Here, FIG. 3 is an internal signal waveform diagram at the time of writing when the 4-Length burst mode is used in the SDRAM 100 and the internal data size is set to 32 bits, and FIG. 4 is an SDRAM 100. ) Is the internal signal waveform at the time of data read when the 4-length burst mode is used and the internal data size is set to 32 bits.
그리고, 상기 에스디램(100)에서 2-랭스(Length) 버스트 모드를 사용하는 경우, 내부 데이터 크기를 16비트로 설정하면, 상기 버스트 데이터 버퍼(11)는 데이터를 2개의 8비트 단위로 나누어 주고 받게된다.In the case of using the 2-Length burst mode in the SDRAM 100, when the internal data size is set to 16 bits, the burst data buffer 11 divides data into two 8-bit units. do.
이때, 내부 데이터 크기를 8비트로 설정하면,에스디램(100)은 싱글 버스트 모드로 동작하게 된다.At this time, if the internal data size is set to 8 bits, the S-RAM 100 operates in the single burst mode.
한편, 상기 데이터 버스를 16비트로 사용하는 에스디램(100)과 데이터를 엑세스하는 경우, 데이터 엑세스 방식은 싱글 버스트 모드,2-랭스(Length) 버스트 모드로 사용할 수 있다.On the other hand, when accessing the data and the SDRAM 100 using the data bus 16 bits, the data access method may be used in a single burst mode, two-length (Length) burst mode.
만약, 에스디램(100)에서 2-랭스(Length) 버스트 모드를 사용할 경우, 내부 데이터 크기를 32비트로 설정하면, 버스트 데이터 버퍼(11)는 에스디램 콘트롤러 (12)및 에스디램(100)과 데이터를 2개의 16비트 단위로 나누어 주고 받게 된다.When using the 2-Length burst mode in the SDRAM 100, when the internal data size is set to 32 bits, the burst data buffer 11 may store data with the SDRAM controller 12 and the SDRAM 100. Is divided into two 16-bit units.
이때, 내부 데이터 크기를 16비트로 설정하면,에스디램(100)은 싱글 버스트 모드로 동작하게 된다.At this time, when the internal data size is set to 16 bits, the S-RAM 100 operates in the single burst mode.
따라서, 32비트 데이터 버스를 사용하는 에스디램(100)의 경우, 데이터 엑세스 방식은 싱글 버스트 모드로만 사용할 수 있는데, 내부 데이터 크기를 32비트로 설정하여 버스트 데이터 버퍼(11)가 에스디램 콘트롤러(12) 및 에스디램(100)과 데이터를 32비트 단위로 주고 받게 된다.Therefore, in the case of the SDRAM 100 using the 32-bit data bus, the data access method can be used only in the single burst mode. The burst data buffer 11 sets the internal data size to 32 bits so that the SDRAM controller 12 And exchange data with the SDRAM 100 in 32-bit units.
이상에서 상세히 설명한 바와같이 본 발명은 논-버스트 모드를 지원하는 씨피유에 버스트 데이터 버퍼를 내장하여, 메모리 엑세스를 수행시 버스트 모드를 지원함으로써 외부 메모리 엑세스 속도를 향상시키는 효과가 있다.As described in detail above, the present invention has an effect of improving an external memory access speed by embedding a burst data buffer in a CPI supporting a non-burst mode, and supporting a burst mode when performing a memory access.
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000044363A KR100338957B1 (en) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | Non-burst mode sopport appatatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000044363A KR100338957B1 (en) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | Non-burst mode sopport appatatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020010993A true KR20020010993A (en) | 2002-02-07 |
KR100338957B1 KR100338957B1 (en) | 2002-05-31 |
Family
ID=19681058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000044363A KR100338957B1 (en) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | Non-burst mode sopport appatatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100338957B1 (en) |
-
2000
- 2000-07-31 KR KR1020000044363A patent/KR100338957B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100338957B1 (en) | 2002-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4507186B2 (en) | DRAM that supports access to different burst lengths without changing the burst length setting in the mode register | |
US20090307446A1 (en) | Dynamically setting burst length of a double data rate memory device | |
EP1415304B1 (en) | Memory device having different burst order addressing for read and write operations | |
JP2002063069A (en) | Memory controller, data processing system, and semiconductor device | |
JP4034268B2 (en) | Method and apparatus for auxiliary command bus | |
JP2003216482A (en) | Burst access controller and control method | |
US20060059320A1 (en) | Memory control device | |
US7042800B2 (en) | Method and memory system in which operating mode is set using address signal | |
KR100338957B1 (en) | Non-burst mode sopport appatatus | |
KR970076214A (en) | Data interface method between microprocessor and memory | |
KR100298955B1 (en) | Data processing system | |
JP4606725B2 (en) | High speed memory access controller | |
US7103707B2 (en) | Access control unit and method for use with synchronous dynamic random access memory device | |
JP4220351B2 (en) | Integrated circuit and method capable of simultaneously executing data reading operation and writing operation | |
JP3719633B2 (en) | Memory device | |
KR100488103B1 (en) | Flexible Memory Address Mapping Circuit for CPU Max Processing | |
JP3600830B2 (en) | Processor | |
US5946703A (en) | Method for reading data in data reading and writing system | |
JP4772975B2 (en) | Semiconductor memory device | |
JP3563340B2 (en) | Memory controller | |
KR100445913B1 (en) | Page mode DRAM accelerator using buffer cache | |
JP2008112485A (en) | Synchronous memory circuit | |
JP2002049527A (en) | Method and device for memory control | |
JP2001175534A (en) | Memory control circuit | |
JPH08195080A (en) | Dram element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050422 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |