KR200177246Y1 - 고전류 이온주입장치 - Google Patents
고전류 이온주입장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR200177246Y1 KR200177246Y1 KR2019940019692U KR19940019692U KR200177246Y1 KR 200177246 Y1 KR200177246 Y1 KR 200177246Y1 KR 2019940019692 U KR2019940019692 U KR 2019940019692U KR 19940019692 U KR19940019692 U KR 19940019692U KR 200177246 Y1 KR200177246 Y1 KR 200177246Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pure water
- temperature
- cooling
- equipment
- control unit
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 고안은 고전류 이온주입장치에 관한 것으로, 순수가 순환하지 않으면 장비사용을 중단시키기 위한 순환조절스위치와, 순수를 순화시키기 위한 순환펌프와, 상기 순수의 온도와 셋팅된 온도를 비교하여 순수를 가열 또는 냉각시키기도록 제어신호를 발생하는 온도제어부와, 상기 온도제어부의 제어신호에 의해 실제로 순수를 가열 또는 냉각시키기 위한 냉각 코일 및 히터와, 일정시간동안 계속하여 상기 온도제어부로부터 냉각제어신호가 발생되면 이를 검지하여 상기 순수량 조절스위치를 통해 장비사용을 중단시키기 위한 타이머 릴레이를 포함하여 구성되며, 순수의 순환여부 뿐만 아니라 온도에 의해서도 장비사용을 조절함으로써 디스크이 냉각에 대한 신뢰도를 증가시켜 안정된 상태에서 이온주입이 가능하므로 프로세스상에서의 웨이퍼의 결함을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Description
제1도는 종래의 기술에 의한 고전류 이온주입장치의 구성도.
제2도는 본 고안에 의한 고전류 이온주입장치의 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 프로세스 디스크 2 : 순환조절스위치
3 : 순환펌프 4 : 순수
4' : 냉각코일 4" : 히터
5 : 바이패스밸브 6 : 실러모터
7 : 열교환기 8 : 냉각 릴레이
9 : 가열릴레이 10 : 온도제어부
10' : 증폭기 10" : 비교기
11 : 타이머 릴레이
본 고안은 고전류 이온주입장치에 관한 것으로, 특히 이온 주입시 프로세스 디스크(proces disk)의 냉각온도를 일정하게 유지시켜 일정한 상태에서 이온주입을 하기 위한 고전류 이온주입장치에 관한 것이다.
종래의 고전류 이온주입장치는, 제1도에 도시한 바와 같이 크게 메인 시스템(A)과 실러시스템(chiller system)(B)으로 구성되며, 상기 실러 시스템(B)의 순환펌프(3)에 파워가 인가되면 이 순환펌프(3)에 의해 실러 시스템(B) 내부에 있던 순수(D.I water)(4)가 메인 시스템(A)내의 프로세스 디스크(process disk)(1)로 계속적으로 순환되어 온도를 조절하도록 되어 있으며, 상기 실러 시스템 상단에는 순환조절스위치(2)를 설치하여 물이 순환되지 않을때와 순환펌프(3)의 오동작으로 인해 흐르지 않을 경우 메인 P/D DI(Power/Distribution Device Interface board)에 이를 알리어 장비사용을 중단하도록 하고 있다.
그리고 상기 실러시스템 내부에서의 순수(4)의 온도제어는 순수가 있는 용기의 내부에 설치된 막대 써모 커플러(thermo coupler)에서 온도를 읽어 원하는 셋팅온도에 따라 온도제어기(10)를 통해 가열/냉각이 반전되도록 하고 있는데, 즉 상기 막대 서모 커플러의 신호를 증폭기(10')를 통해 비교기(10")에 입력되면 상기 순수의 온도를 셋팅온도와 비교한다.
이때 상기 순수의 온도가 셋팅온도 이상이 되면 릴레이(10"')가 냉각측으로 붙어 냉각 릴레이(8)를 동작시키고, 이에따라 실러 모터(6)를 구동시킴으로써 냉각 코일(4')을 통해 순수의 온도를 셋팅온도로 낮추며, 역으로 순수의 온도가 셋팅온도 이하이면 릴레이(10"')가 가열측으로 붙어 가열 릴레이(9)를 동작시켜 히터(4")를 통해 순수의 온도를 셋팅온도로 높인다.
그러나 상기와 같은 종래의 고전류 이온주입장치의 경우, 순수의 순환여부에 의해서만 장비사용을 중단시킬뿐, 실러 모터가 오동작하여 순수의 온도가 셋팅온도 이상으로 올라가는 경우에는 장비사용을 중단시키지 않고 그대로 사용하기 때문에 고온에서의 프로세스 진행시 웨이퍼에 온도로 인한 치명적인 결함을 주게되는 문제점이 있다.
따라서 본 고안의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 상기 실러 시스템 내부에 온도상승시 장비사용을 중단하도록 하는 타이머 릴레이를 설치함으로써 냉각온도를 일정하게 유지할 수 있는 고전류 이온주입장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안의 고전류 이온주입장치는, 순수가 순환하지 않으면 장비사용을 중단시키기 위한 순환조절스위치와, 순수를 순화시키기 위한 순환펌프와, 상기 순수의 온도와 셋팅된 온도를 비교하여 순수를 가열 또는 냉각시키기도록 제어신호를 발생하는 온도제어부와, 상기 온도제어부의 제어신호에 의해 실제로 순수를 가열 또는 냉각시키기 위한 냉각 코일 및 히터와, 일정시간동안 계속하여 상기 온도제어부로부터 냉각제어신호가 발생되며 이를 검지하여 상기 순수량 조절스위치의 신호라인을 오픈시켜 장비사용 중단을 알리기 위한 타이머 릴레이를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는다.
이하 첨부도면을 참조하여 본 고안을 좀 더 상세하게 설명하고자 한다.
본 고안의 고전류 이온주입장치는, 제1도의 고전류 이온주입장치와 거의 동일하므로 편의상 모든 부분을 도시하지는 않았으나 종래와 동일하게 순수(4)를 메인 시스템(A)측과 실러시스템(B) 양측으로 순환되어 프로세스 디스크(1)의 온도를 일정하게 유지하도록 하기 위한 순환펌프(3)와, 순수(4)가 순환하지 않으면 장비 메인 P/D DI(Power/Distribution Device Interface board)에 이를 전달하여 장비사용을 중단시키는 순환조절스위치(2)와, 막대 서모 커플러로 순수(4)의 온도를 측정한 후 측정온도와 저항갑세 의해 셋팅된 온도를 비교하여 그 결과에 따라 냉각릴레이(8)나 가열릴레이(9)를 접속시켜 순수를 가열 또는 냉각시키기도록 하는 온도제어부(10)와, 실제로 순수를 가열 또는 냉각시키기 위한 냉각코일(4') 및 히터(4")를 포함하여 구성되며, 추가로 타이머 릴레이(11)를 연결하여 상기 온도제어부(10)로부터 냉각릴레이(8)를 접속시키기 위한 신호를 일정시간동안 계속 발생되면 이를 검지하여 상기 순환조절스위치(2)의 신호라인을 오픈시킴으로써 장비에 에러를 유발시켜 장비사용을 중단하도록 한다.
이때 상기 타이머 릴레이(11)는 시간을 1분에서 60분 사이에서 셋팅할 수 있도록 하며, 예를들어 셋팅시간을 10분으로 하고, 상기 셋팅온도를 15℃로 하는 경우, 정상적인 운행시에는 상기 실러 모터(6)가 5sec∼10sec 간격으로 온/오프되어 냉각과 가열이 계속반전하면서 셋팅온도를 유지하는 한편, 순수의 온도가 높아 상기 온도제어부(10)로부터 냉각을 위한 신호발생이 계속됨에도 불구하고 상기 실러모터(6)가 오동작하여 순수를 냉각시키지 않으면 상기 타이머 릴레이(11)에서 상기 냉각을 위한 신호발생이 셋팅된 시간인 10분이상 지속시 사기 순환조절스위치(2)의 신호라인을 오픈시켜 장비 메인 P/D DI에 장비사용의 중단을 알린다.
이상에서와 같이 본 고안에 의하면, 순수의 순환여부 뿐만 아니라 온도에 의해서도 장비사용을 조절함으로써 디스크의 냉각에 대한 신뢰도를 증가시켜 안정된 상태에서 이온주입이 가능하므로 프로세스상에서의 웨이퍼의 결함을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 순수가 순환하지 않으면 장비사용을 중단시키기 위한 순환조절스위치와, 순수를 순화시키기 위한 순환펌프와, 상기 순수의 온도와 셋팅된 온도를 비교하여 순수를 가열 또는 냉각시키기도록 제어신호를 발생하는 온도제어부와, 상기 온도제어부의 제어신호에 의해 실제로 순수를 가열 또는 냉각시키기 위한 냉각 코일 및 히터와, 일정시간동안 계속하여 상기 온도제어부로부터 냉각제어신호가 발생되면 이를 검지하여 상기 순수량 조절스위치를 통해 장비사용을 중단시키기 위한 타이머 릴레이를 포함하여 구성된을 것을 특징으로 하는 고전류 이온주입장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019940019692U KR200177246Y1 (ko) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | 고전류 이온주입장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019940019692U KR200177246Y1 (ko) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | 고전류 이온주입장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960009257U KR960009257U (ko) | 1996-03-16 |
KR200177246Y1 true KR200177246Y1 (ko) | 2000-04-15 |
Family
ID=19390103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2019940019692U KR200177246Y1 (ko) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | 고전류 이온주입장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR200177246Y1 (ko) |
-
1994
- 1994-08-03 KR KR2019940019692U patent/KR200177246Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR960009257U (ko) | 1996-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5123478A (en) | Cooling apparatus for electronic equipment with fail-safe condensation protection | |
JPH0827109B2 (ja) | 液体冷却装置 | |
CN102692938A (zh) | 冷却装置的运转方法以及检查装置 | |
US20080231304A1 (en) | Apparatus and method for controlling temperature in a chuck system | |
JPH033130B2 (ko) | ||
KR200177246Y1 (ko) | 고전류 이온주입장치 | |
JP3298026B2 (ja) | 冷温水ポンプの運転装置 | |
JP2904242B2 (ja) | 床暖房装置を組み合わせたセントラルヒーティングシステムにおける運転制御方法 | |
KR960002565B1 (ko) | 2중 효용 흡수 냉동기 | |
KR950004476B1 (ko) | 식기세척기의 세척수온 제어방법 | |
JPH0322688Y2 (ko) | ||
JPH0413623B2 (ko) | ||
JP3586163B2 (ja) | 電動射出成形機の制御方法 | |
JP3321538B2 (ja) | 空気調和機の運転制御装置 | |
JPH032841Y2 (ko) | ||
JPH0777357A (ja) | 貯湯式電気温水器 | |
JP2814641B2 (ja) | 給湯機 | |
JP2823997B2 (ja) | クロマトグラフ用温度制御装置 | |
KR100574831B1 (ko) | Pid제어기에 의한 반도체 장비용 온도 제어 방법 및이를 이용한 장치 | |
JP2928584B2 (ja) | インターナルポンプ用電源冷却装置 | |
JPS588941A (ja) | ヒ−トポンプ式給湯機の制御装置 | |
JP2571087B2 (ja) | 過昇防止回路 | |
KR20010027126A (ko) | 이온주입장치 | |
JPH03190191A (ja) | オンラインリペア制御機構 | |
KR200159400Y1 (ko) | 항온수 순환 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
REGI | Registration of establishment | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20041220 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |