KR200175409Y1 - Photoresist coating device - Google Patents
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Abstract
본 고안은 웨이퍼 표면에 공급된 포토레지스트를 가압수단에 의하여 발생된 일정한 압력으로 1차 분산시킨 뒤, 웨이퍼를 고속으로 회전시켜 분산된 포토레지스트를 더욱 균일하게 분산시켜 주는 포토레지스트 코팅장치를 제공한다.The present invention provides a photoresist coating apparatus which first disperses the photoresist supplied to the wafer surface at a constant pressure generated by the pressing means, and then rotates the wafer at a high speed to more uniformly disperse the dispersed photoresist. .
본 고안에서 이용된 가압수단은 코팅 챔버의 측면 커버 상부에 고정되는 원통형의 실린더와, 실린더 내부에서 상하 이송하는 피스톤으로 이루어지며, 피스톤은 실린더의 내경보다 약간 작은 직경을 갖는 원판형 부재를 이용한다.The pressing means used in the present invention is composed of a cylindrical cylinder fixed to the upper side cover of the coating chamber, and a piston for vertically conveying the inside of the cylinder, the piston uses a disk member having a diameter slightly smaller than the inner diameter of the cylinder.
본 고안에서는 가압수단과 함께 다수의 팬을 설치하여 풍압을 발생시킴으로서 그 효율을 향상시킬 수 있다.In the present invention, by installing a plurality of fans together with the pressurizing means to generate the wind pressure can improve the efficiency.
Description
본 고안은 포토레지스트 코팅장치에 관한 것으로서, 특히 포토레지스트 분사시 일정한 압력을 가함으로서 균일한 두께의 코팅 필름을 형성할 수 있는 포토레지스트 코팅장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photoresist coating apparatus, and more particularly, to a photoresist coating apparatus capable of forming a coating film having a uniform thickness by applying a constant pressure during photoresist injection.
반도체 제조공정중에서, 패턴 형성을 위한 리소그래피 공정에서는 웨이퍼 표면에 포토레지스트(photoresist) 필름을 형성하게 된다. 포토레지스트는 레진(resin)에 감광재를 첨가한 후 용매(solvent)로 용해한 고분자 용액으로서, 코팅 챔버(coating chamber)내에서 고속으로 회전하는 웨이퍼 표면에 3 내지 5 CC 정도 분사되어 코팅되어진다. 코팅과정을 거쳐 형성된 포토레지스트 필름의 두께는 포토레지스트의 점성, 농도 및 웨이퍼의 회전속도에 따라 좌우되며, 특히 웨이퍼의 회전속도는 포토레지스트 필름의 두께를 결정하는 주요인으로 작용하게 된다. 웨이퍼가 고속으로 회전함에 따라서 웨이퍼 중심으로 분사된 포토레지스트는 원심력으로 인하여 외곽부로 퍼져 나아가게 되며, 따라서 이론적으로 포토레지스트는 웨이퍼 전면에 걸쳐 균일하게 코팅 막을 형성하게 된다. 이와 같은 포토레지스트 코팅과정을 도 1을 통하여 설명하면 다음과 같다.In the semiconductor manufacturing process, a lithography process for forming a pattern forms a photoresist film on the wafer surface. The photoresist is a polymer solution in which a photoresist is added to a resin and then dissolved in a solvent. The photoresist is coated by spraying about 3 to 5 CC onto a wafer surface rotating at a high speed in a coating chamber. The thickness of the photoresist film formed through the coating process depends on the viscosity of the photoresist, the concentration, and the rotational speed of the wafer. In particular, the rotational speed of the wafer serves as a main factor in determining the thickness of the photoresist film. As the wafer rotates at high speed, the photoresist injected at the center of the wafer spreads outward due to the centrifugal force, so that the photoresist theoretically forms a coating film evenly over the entire surface of the wafer. This photoresist coating process will be described with reference to FIG. 1 as follows.
도 1은 일반적인 포토레지스트 코팅 장치의 정단면도로서, 상부가 개방된 코팅 챔버(10)의 내부에는 베이스(2)를 관통한 회전축(4)이 위치하며, 회전축(4) 상단에는 웨이퍼(6)가 놓여지는 디스크(5)가 고정되어 있다. 코팅 챔버(10)의 상부에는 포토레지스트(R)를 웨이퍼(6) 표면 중심부에 분사하기 위한 노즐(1)이 위치한다. 한편, 베이스(2)와 일체로 구성된 측면 커버(3)의 상부(3A)는 코팅 챔버(10)의 중심부를 향하여 절곡되어 지며, 이는 회전하는 웨이퍼(6) 표면으로 분사된 포토레지스트(R)가 원심력으로 인하여 외부로 분산되는 것을 방지하기 위함이다.1 is a front sectional view of a general photoresist coating apparatus, in which a rotating shaft 4 penetrating a base 2 is positioned inside a coating chamber 10 having an open upper portion, and a wafer 6 is placed on an upper upper rotating shaft 4. The disk 5 on which is placed is fixed. Above the coating chamber 10 is a nozzle 1 for injecting photoresist R into the center of the wafer 6 surface. On the other hand, the upper portion 3A of the side cover 3 integrally formed with the base 2 is bent toward the center of the coating chamber 10, which is a photoresist R sprayed onto the rotating wafer 6 surface. This is to prevent the dispersion to the outside due to the centrifugal force.
노즐(1)을 통하여 고속으로 회전하는 웨이퍼(6) 표면 중심부로 분사된 포토레지스트(R)는 상술한 바와 같이 웨이퍼(6)의 고속 회전으로 인하여 발생되는 원심력으로 인하여 외곽부로 퍼져 나아가게 되며, 따라서 이론적으로 포토레지스트(R)는 웨이퍼(6) 전면에 걸쳐 균일하게 분산되어 포토레지스트 필름을 형성하게 된다. 그러나 웨이퍼(6)의 회전에 따라 회전하는 포토레지스트(R)에 함유된 용매가 회전시 휘발되기 때문에 필름의 두께는 더욱 얇아지게 된다. 또한, 웨이퍼(6)의 고속회전으로 인하여 원심력이 가장 크게 나타나는 웨이퍼(6) 가장자리(edge)를 향하여 여분의 포토레지스트가 밀리게 되며, 이렇게 밀리는 포토레지스트는 웨이퍼(6)의 표면장력으로 인해 가장자리에 쌓이게 된다 (이러한 현상을 "edge bead"라 칭함). 이러한 에지 비드를 제거한 후 80 내지 100℃의 온도로 경화(baking)시킴으로서 포토레지스트 코팅공정은 완료된다.The photoresist R injected to the center of the surface of the wafer 6 rotating at high speed through the nozzle 1 spreads to the outer portion due to the centrifugal force generated by the high speed rotation of the wafer 6 as described above. In theory, the photoresist R is uniformly dispersed throughout the wafer 6 to form a photoresist film. However, since the solvent contained in the rotating photoresist (R) in accordance with the rotation of the wafer 6 is volatilized during rotation, the thickness of the film becomes thinner. In addition, due to the high-speed rotation of the wafer 6, the extra photoresist is pushed toward the edge of the wafer 6, which exhibits the greatest centrifugal force, and the pushed photoresist is edged due to the surface tension of the wafer 6. This phenomenon is called "edge bead". After removing the edge beads, the photoresist coating process is completed by baking at a temperature of 80 to 100 ° C.
이러한 포토레지스트 코팅 장치를 이용한 포토레지스트의 코팅 공정에서는 웨이퍼의 회전속도가 클수록 코팅되는 포토레지스트 필름의 두께는 보다 얇아지게 되나, 포토레지스트의 점성에는 한계가 있으며, 이를 무시하고 웨이퍼의 회전속도를 증가시킬 수는 없는 실정이다. 따라서 얇은 두께의 포토레지스트 필름을 형성하는데는 제약이 뒤따른다. 또한 상술한 바와 같은 포토레지스트의 코팅공정은 웨이퍼의 회전으로 인하여 발생되는 원심력만을 이용함으로서 웨이퍼 전면에 균일한 두께의 포토레지스트 필름을 형성하기에는 어려움이 뒤따른다. 즉, 동일 웨이퍼 표면일지라도 그 중심부와 가장자리간의 원심력의 크기가 서로 다르게 나타나게 되며, 따라서 가장자리에 보다 두꺼운 포토레지스트 필름이 형성된다.In the photoresist coating process using the photoresist coating apparatus, as the wafer rotation speed increases, the thickness of the coated photoresist film becomes thinner, but the viscosity of the photoresist is limited. I can not make it. Therefore, there are constraints to forming a thin photoresist film. In addition, the coating process of the photoresist as described above is difficult to form a photoresist film of uniform thickness on the entire surface of the wafer by using only the centrifugal force generated by the rotation of the wafer. That is, even on the same wafer surface, the centrifugal force between the center and the edges is different from each other, so that a thicker photoresist film is formed on the edges.
본 고안은 포토레지스트 코팅공정중에서 발생하는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 분사된 포토레지스트를 일차적으로 압력을 이용하여 분산시킨 후 고속 회전시킴으로서 균일한 두께의 포토레지스트 필름을 형성할 수 있는 포토레지스트 코팅장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above-mentioned problems occurring during the photoresist coating process, a photoresist capable of forming a photoresist film having a uniform thickness by dispersing the sprayed photoresist first using a pressure and then rotating at high speed The purpose is to provide a coating apparatus.
상술한 목적을 실현하기 위한 본 고안은 포토레지스트 코팅 챔버를 구성하는 측면 커버 상에 내부 공간을 밀폐시키는 가압수단을 장착하여 웨이퍼 표면에 공급된 포토레지스트를 일정한 압력으로 1차 분산시키는 것을 그 요지로 한다. 본 고안에 이용된 가압수단은 코팅 챔버의 측면 커버 상부에 고정되는 원통형의 실린더와, 실린더 내부에서 상하 이송하는 피스톤으로 이루어지며, 피스톤은 실린더의 내경 보다 약간 작은 직경을 갖는 원판형 부재를 이용한다. 또한 본 고안에서는 가압수단에 일정한 크기의 풍압을 발생시키는 팬을 장착함으로서 그 효율을 향상시킬수 있다.The present invention for realizing the above object is to equip the side cover constituting the photoresist coating chamber with a pressurizing means for sealing the internal space, and to first disperse the photoresist supplied to the wafer surface at a constant pressure. do. The pressurizing means used in the present invention consists of a cylindrical cylinder fixed to the upper side cover of the coating chamber, and a piston for vertically conveying the inside of the cylinder, the piston uses a disk-shaped member having a diameter slightly smaller than the inner diameter of the cylinder. In addition, the present invention can improve the efficiency by mounting a fan for generating a predetermined size of the wind pressure in the pressing means.
도 1은 일반적인 포토레지스트 코팅장치의 정단면도.1 is a front sectional view of a general photoresist coating apparatus.
도 2는 본 고안의 제 1 실시예의 정단면도.Figure 2 is a front sectional view of a first embodiment of the present invention.
도 3은 본 고안의 제 2 실시예의 정단면도.3 is a front sectional view of a second embodiment of the present invention;
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
20 및 40 : 코팅 챔버 21 및 41 : 베이스20 and 40: coating chambers 21 and 41: base
22 및 42 : 측면 커버 26 및 46 : 웨이퍼22 and 42: side cover 26 and 46: wafer
25 및 45 : 노즐 30 및 50 : 가압수단25 and 45 nozzles 30 and 50 pressurizing means
31 및 51 : 실린더 32 및 52 : 피스톤31 and 51: cylinders 32 and 52: piston
60 : 팬60: fan
이하, 본 고안의 실시예를 첨부한 도면을 참고하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings an embodiment of the present invention will be described in detail.
도 2는 본 고안의 제 1 실시예의 정단면도로서, 본 실시예의 가장 큰 특징은 일반적인 포토레지스트 코팅장치 상부에 가압수단을 구성함으로서 웨이퍼 표면에 일정한 압력이 작용하게 한 점이다.2 is a front sectional view of the first embodiment of the present invention, the biggest feature of this embodiment is that the pressure is applied to the surface of the wafer by forming a pressing means on top of a general photoresist coating apparatus.
상부가 개방된 코팅 챔버(20)의 내부에는 베이스(21)를 관통한 회전축(23)이 위치하며, 회전축(23) 상단에는 웨이퍼(26)가 놓여지는 디스크(24)가 고정되어 있다. 베이스(21)와 일체로 구성된 측면 커버(22)의 상부(22A)는 코팅 챔버(20)의 중심부를 향하여 절곡되어 지며, 이 측면 커버(22)의 상부(22A)에 가압수단(30)이 구성되어 있다.A rotating shaft 23 penetrating the base 21 is positioned inside the coating chamber 20 having an upper portion, and a disk 24 on which the wafer 26 is placed is fixed to the upper rotating shaft 23. The upper portion 22A of the side cover 22 integrally formed with the base 21 is bent toward the center of the coating chamber 20, and the pressing means 30 is attached to the upper portion 22A of the side cover 22. Consists of.
가압수단(30)은 코팅 챔버(20)의 측면 커버(22) 상부(22A)에 고정되는 원통형의 실린더(31)와, 실린더(31) 내부에서 상하 이송하는 피스톤(32)으로 이루어진다. 피스톤(32)은 실린더(31)의 내경 보다 약간 작은 직경을 갖는 원판형 부재로서, 실린더(31) 내벽을 따라 상하 이동이 가능하게 된다. 피스톤(32) 상부에는 이송수단(도시되지 않음)과 연결된 지지대(33)가 고정되어 있으며, 그 중앙부에는 웨이퍼(26) 표면으로 포토레지스트(R)를 분사하기 위한 노즐(25)이 장착되어 있다. 이 노즐(25)은 피스톤(32)과 독립적으로 구성되기 때문에 피스톤(32)의 상하 이송시 그 위치에는 변함이 없다. 여기서 실린더(31) 및 피스톤(32)에 의하여 코팅 챔버(20)의 내부공간은 외부로부터 밀폐된 상태이다.The pressurizing means 30 consists of a cylindrical cylinder 31 fixed to the upper side 22A of the side cover 22 of the coating chamber 20, and a piston 32 for vertically conveying the inside of the cylinder 31. The piston 32 is a disk-shaped member having a diameter slightly smaller than the inner diameter of the cylinder 31, and can be moved up and down along the inner wall of the cylinder 31. A support 33 connected to a conveying means (not shown) is fixed to the upper portion of the piston 32, and a nozzle 25 for spraying the photoresist R onto the surface of the wafer 26 is mounted at the center thereof. . Since the nozzle 25 is configured independently of the piston 32, its position does not change when the piston 32 is vertically conveyed. Here, the inner space of the coating chamber 20 is sealed from the outside by the cylinder 31 and the piston 32.
이상과 같이 구성된 본 고안의 제 1 실시예의 작동 및 그 기능을 설명한다.The operation and function of the first embodiment of the present invention configured as described above will be described.
먼저, 저속으로 회전하는 웨이퍼(26) 표면에 노즐(25)을 통하여 포토레지스트(R)를 분사함과 동시에 구동부를 작동시켜 피스톤(32)을 웨이퍼(26)를 향하여 하향 이송시킨다. 이때 하향 이송되는 피스톤(32)에 의하여 밀폐된 코팅 챔버(20)의 공간 내에는 일정한 압력이 작용하게 되며, 따라서 이 압력은 웨이퍼(26) 표면에 공급된 포토레지스트(R)를 가압하게 되어 포토레지스트(R)를 1차로 균일하게 분산시키는 결과를 얻게 된다. 이후, 웨이퍼(26)를 보다 고속으로 회전시키게 되면 1차로 균일하게 분산된 포토레지스트(R)는 원심력에 의하여 더욱 균일하게 분산됨과 아울러 그 두께는 보다 얇아지게 된다.First, the photoresist R is injected through the nozzle 25 onto the surface of the wafer 26 rotating at a low speed, and at the same time, the driving unit is operated to transfer the piston 32 downward toward the wafer 26. At this time, a constant pressure acts in the space of the coating chamber 20 sealed by the piston 32 which is downwardly transported, and thus the pressure pressurizes the photoresist R supplied to the wafer 26 surface. The result is that the resist R is first uniformly dispersed. Subsequently, when the wafer 26 is rotated at a higher speed, the first uniformly dispersed photoresist R is more uniformly dispersed by centrifugal force and the thickness thereof becomes thinner.
도 3은 본 고안의 제 2 실시예의 정단면도로서, 본 실시예의 가장 큰 특징은 챔버의 상부에 가압수단 뿐만 아니라 팬을 설치한 점이다. 가압수단 하부에 팬을 설치하였으며, 이를 위하여 가압수단을 회전 및 수직 이송이 가능하도록 설치하였다. 이를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Figure 3 is a front sectional view of a second embodiment of the present invention, the biggest feature of this embodiment is that the fan as well as the pressurizing means is installed on the top of the chamber. A fan was installed under the pressurizing means, and for this purpose, the pressurizing means was installed to enable rotation and vertical transfer. This will be described in more detail as follows.
상부가 개방된 코팅 챔버(20)의 내부에는 베이스(41)를 관통한 회전축(43)이 위치하며, 회전축(43) 상단에는 웨이퍼(46)가 놓여지는 디스크(44)가 고정되어 있다. 베이스(41)와 일체로 구성된 측면 커버(42)의 상부(42A)는 코팅 챔버(40)의 중심부를 향하여 절곡되며, 이 측면 커버(42)의 상부(42A)에 가압수단(50) 및 팬(60)이 구성되어 있다.A rotating shaft 43 penetrating the base 41 is positioned inside the coating chamber 20 having an open top, and a disk 44 on which the wafer 46 is placed is fixed to the upper rotating shaft 43. The upper portion 42A of the side cover 42 integrally formed with the base 41 is bent toward the center of the coating chamber 40, and the pressing means 50 and the fan are mounted on the upper portion 42A of the side cover 42. 60 is comprised.
가압수단(50)은 코팅 챔버(40)의 측면 커버(42) 상부(42A)에 고정되는 원통형의 실린더(51)와, 실린더(51) 내부에서 상하이송 및 회전하는 피스톤(52)으로 이루어진다. 상기 피스톤(52)은 실린더(51)의 내경보다 약간 작은 직경을 갖는 원판형 부재로서, 그 상부에는 상하 이송 및 회전수단(도시되지 않음)과 연결된 지지대(53)가 고정되어 있다. 피스톤(52)의 중앙부에는 웨이퍼(46) 표면으로 포토레지스트(R)를 분사하기 위한 노즐(45)이 장착되어 있다. 이 노즐(25)은 피스톤(52)의 상하 이송시 피스톤(52)과 함께 상하 이송되도록 설치되나, 피스톤(52)의 회전에 대해서는 독립적으로 설치된다. 한편, 피스톤(52)의 하부면에는 다수의 팬(60: fan)이 고정되어 있으며, 따라서 피스톤(52)의 회전에 따라 회전하는 팬(60)에 의하여 일정한 크기의 풍압(風力)이 웨이퍼(46)에 작용하게 됨은 물론이다.The pressurizing means 50 consists of a cylindrical cylinder 51 fixed to the upper side 42A of the side cover 42 of the coating chamber 40, and a piston 52 which is moved and rotated inside the cylinder 51. The piston 52 is a disc-shaped member having a diameter slightly smaller than the inner diameter of the cylinder 51, and the support 53 is connected to the upper and lower conveying and rotating means (not shown). At the center of the piston 52, a nozzle 45 for injecting the photoresist R onto the surface of the wafer 46 is mounted. The nozzle 25 is installed to be vertically conveyed together with the piston 52 at the time of vertically conveying the piston 52, but is independently provided for the rotation of the piston 52. On the other hand, a plurality of fans 60 are fixed to the lower surface of the piston 52, so that the wind pressure of a certain size is caused by the fan 60 rotating according to the rotation of the piston 52. 46, of course.
이상과 같이 구성된 본 고안의 제 2 실시예의 작동 및 그 기능을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation and function of the second embodiment of the present invention configured as described above are as follows.
먼저, 저속으로 회전하는 웨이퍼(46) 표면에 노즐(45)을 통하여 포토레지스트(R)를 분사하게 되며, 이와 동시에 구동부를 작동시켜 피스톤(52)을 웨이퍼(46)를 향하여 하향 이송시킨다. 따라서, 밀폐된 코팅 챔버(40)의 내부 공간내에는 하향 이송되는 피스톤(52)으로 인하여 압력이 증가되며, 이 압력은 웨이퍼(46) 표면에 공급된 포토레지스트(R)를 가압하게 되어 포토레지스트(R)를 1차로 균일하게 분산시키는 결과를 얻게 된다. 또한 이와 동시에 피스톤(52)을 회전시킴으로서 피스톤(52) 하부에 장착된 팬(60) 역시 일정한 속도로 회전하게 되며, 팬(60)의 회전에 의하여 발생되는 풍력은 포토레지스트(R)의 분산을 촉진하여 보다 균일한 포토레지스트 코팅막을 형성할 수 있음은 물론이다.First, the photoresist R is sprayed onto the surface of the wafer 46 rotating at a low speed through the nozzle 45. At the same time, the driving unit is operated to transfer the piston 52 downward toward the wafer 46. Accordingly, the pressure is increased due to the piston 52 which is conveyed downward in the inner space of the sealed coating chamber 40, which pressurizes the photoresist R supplied to the surface of the wafer 46, thereby causing the photoresist to be pressed. A result of uniformly dispersing (R) first is obtained. At the same time, by rotating the piston 52, the fan 60 mounted on the lower part of the piston 52 also rotates at a constant speed, and the wind generated by the rotation of the fan 60 prevents the dispersion of the photoresist R. Of course, it can be promoted to form a more uniform photoresist coating film.
이후, 웨이퍼(46)를 고속으로 회전시키게 되면 1차로 균일하게 분산된 포토레지스트(R)는 원심력에 의하여 더욱 균일하게 분산됨과 아울러 그 두께는 보다 얇아지게 된다. 웨이퍼(46)가 기존과 같은 회전 속도로 회전할지라도 피스톤(52)의 하강 압력 및 회전하는 팬(35)의 강한 풍압 때문에 포토레지스트(R)의 두께는 보다 얇아지게 된다.Subsequently, when the wafer 46 is rotated at a high speed, the first uniformly dispersed photoresist R is more uniformly dispersed by the centrifugal force and the thickness thereof becomes thinner. Even if the wafer 46 rotates at the same rotational speed as previously, the thickness of the photoresist R becomes thinner due to the downward pressure of the piston 52 and the strong wind pressure of the rotating fan 35.
한편, 상술한 바와같이 피스톤 하부에 팬이 고정될수 있으며, 이와는 달리 피스톤 하부면을 팬의 형상이 나타나도록 구성함으로서 별도의 피스톤에 별도의 팬을 고정시키지 않을 수도 있음은 물론이다On the other hand, as described above, the fan may be fixed to the lower part of the piston, and alternatively, by configuring the lower surface of the piston so that the shape of the fan may not be fixed to a separate fan of a separate piston.
이상과 같은 본 고안은 웨이퍼 표면에 공급된 포토레지스트를 하향이송되는 피스톤을 이용하여 일정한 압력으로 1차 분산시킨 뒤, 웨이퍼를 고속으로 회전시켜 분산된 포토레지스트를 더욱 균일하게 분산시킬 수 있으며, 따라서 웨이퍼 전면에 균일한 두께의 포토레지스트 필름을 형성할 수 있다.As described above, the present invention may first disperse the photoresist supplied to the wafer surface at a constant pressure by using a downwardly moving piston, and then rotate the wafer at a high speed to more uniformly disperse the dispersed photoresist. It is possible to form a photoresist film of uniform thickness on the entire surface of the wafer.
이와는 달리 피스톤 하부에 팬을 고정하여 피스톤의 회전에 의한 팬의 회전시 발생하는 풍압을 포토레지스트에 가함으로서 얇고 균일한 두께를 갖는 포토레지스트 필름 형성에 큰 효과가 있음은 물론이다.On the contrary, the fan is fixed to the lower part of the piston to apply a wind pressure generated when the fan is rotated by the rotation of the piston to the photoresist, thereby having a great effect in forming a thin and uniform photoresist film.
이상의 설명에서는 포토레지스트를 분사, 코팅시키는 장치를 예를 들어 설명하였지만, 포토레지스트와 유사한 조건, 즉 점도를 갖는 다른 공정용액을 코팅하는 장치에 적용할 수도 있음은 물론이다.In the above description, the apparatus for spraying and coating the photoresist has been described as an example, but it can be applied to the apparatus for coating another process solution having similar conditions to the photoresist, that is, viscosity.
Claims (3)
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