KR200163033Y1 - 박막트랜지스터 어레이 - Google Patents

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구본준, 론 위라하디락사
엘지.필립스 엘시디주식회사
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Abstract

본 고안은 액정표시소자용 박막트랜지스터 어레이에 관한 것이다.
본 고안은 복수개의 게이트전극 배선과 복수개의 드레인전극 배선이 교차하도록 형성되어 있고, 상기 두 전극 배선이 교차하는 부분에 박막트랜지스터가 형성되어 있고, 상기 게이트전극 배선의 끝부분이 이웃하는 게이트 전극 배선과 절연층을 사이에 두고 금속층이 겹쳐 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이를 제공한다.

Description

박막트랜지스터 어레이
제1도는 종래의 액정표시소자용 박막트랜지스터 단면구조도.
제2도는 종래의 액정표시소자용 박막트랜지스터 어레이 등가회로도.
제3도는 본 발명에 의한 액정표시소자용 박막트랜지스터 어레이 구성도.
제4도는 본 발명에 의한 액정표시소자용 박막트랜지스터 어레이의 부분적인 단면구조도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 게이트전극 배선 2 : 드레인전극 배선
3 : 소오스전극 4 : 게이트절연막
5 : 반도체층 6 : 투명도전막
7 : 이온이 도핑된 반도체층 8 : 액정용량
10 : 박막트랜지스터 20 : 유리기판
30 : 구동 IC
본 고안은 박막트랜지스터 어레이에 관한 것으로, 특히 게이트배선의 단락 또는 단선을 방지하는데 적당하도록 한 것이다.
박막트랜지스터를 이용한 액티브 매트릭스 액정표시장치는 박막트랜지스터가 어레이화된 기판과 투명도전막이 형성된 대향기판을 적당한 간격으로 합착하여 그 사이에 액정을 주입하고 박막트랜지스터 구동회로를 부착하여 만들어진다.
제1도는 박막트랜지스터의 단면구조를 나타낸 것으로, 유리기판(20) 위에 게이트전극(1)이 형성되고 그 전면에 게이트절연막(4)이 형성되며, 상기 게이트절연막(4) 상부에 반도체층(5) 및 불순물이 도핑된 반도체층(7)이 형성되고, 상기 불순물이 도핑된 반도체층(4) 상부에 소오스전극(3) 및 드레인 전극(2)이 형성되고 상기 소오스전극(3)에 투명전극(6)이 접속되어 있다.
제2도는 상기 종래의 액정표시소자 구동용 박막트랜지스터 어레이 등가회로도를 나타낸 것이다.
제2도는 액정표시소자의 등가회로도를 나타낸 것으로, 박막트랜지스터 어레이 기판에 있어서는 게이트라인(1)과 드레인전극라인(2)가 교차되고, 그 교차되는 부분에 박막트랜지스터(8)가 형성되어 있다.
제3도에서 참조부호 30은 구동 IC이다.
상술한 종래의 액정표시장치에 있어서는 박막트랜지스터 어레이의 게이트 배선이 제조공정 중 단락 또는 단선이 발생하면 수리가 불가능하여 불량이 된다.
따라서 박막트랜지스터 어레이의 대면적화, 고정세화를 위해서는 불량을 수리할 수 있는 방법이 필요하게 된다.
본 고안은 상술한 문제를 해결하기 위한 것으로, 제3도를 참조하여 본 고안에 의한 박막트랜지스터 어레이를 상세히 설명하면 다음과 같다.
투명유리기판 위에 박막트랜지스터 어레이가 매트릭스 구조로 배열되어 있으며, 게이트전극 배선(1)의 끝부분에 (b)와 같이 이웃한 두 게이트전극의 층 사이에 절연막이 삽입되어 있고, i번째 게이트전극과 i+1번째 게이트전극이 겹쳐져 있다.
따라서 전기적으로는 절연된 상태로 있게 된다.
(b)부분의 상세한 구조를 제4도에 나타내었다.
상기 절연층으로는 박막트랜지스터를 이루는 게이트절연막, 반도체막, 이온이 도핑된 반도체막, 층간절연막 등이 일부 또는 전체적으로 적층된 구조가 사용된다.
i번째 게이트전극의 배선이 공정 중에 단선 또는 단락되면(제3도 (a)), i+1 또는 i-1번째 게이트전극과 겹쳐져 있는 부분(제4도)을 레이저를 이용하여 용접하여 전기적으로 도통하게 하여 게이트신호가 인가되도록 한다.
액티브 매트릭스 액정표시장치의 스위칭소자로 사용되는 박막트랜지스터에 있어서 게이트전극 배선이 단선되었을 경우에는(제3도 (a)) 단선된 이후의 트랜지스터에는 신호가 인가되지 않기 때문에 구동이 되지 않게 된다.
따라서 단선이 된 게이트 윗단 또는 아랫단에 제3도 (b)와 같이 두 게이트전극 사이에 절연층이 삽입되어 있어 전기적으로는 절연되어 있는 부분을 레이저를 이용해 용접하여 전기적으로 통전되도록 한다.
따라서 게이트전극 배선이 단선된 이후의 배선은 단선된 게이트전극의 전단 또는 후단의 신호가 인가되어 정상적으로 동작하게 된다.
한편, 게이트전극 배선이 단락된 경우에는 단락된 주위의 좌, 우 게이트전극 배선을 단선시킨 후 상기 단선수리방법과 동일한 방법으로 정상동작시킨다.
박막트랜지스터를 이용한 액정표시장치는 점차 대형화, 고정세화되어 가는 추세이다.
따라서 배선의 선폭이 좁아지고 있으며, 이에 따라 배선의 단선 또는 단락에 의한 불량이 많이 발생하게 된다.
이상 상술한 바와 같이 본 고안은 이러한 게이트전극 배선의 단선 또는 단락이 생겨도 레이저를 이용하여 수리가 가능하도록 함으로써 박막트랜지스터가 고정세화, 대면적화되어도 공정수율의 향상을 도모한다.

Claims (2)

  1. 복수개의 게이트전극 배선과 복수개의 드레인전극 배선이 교차하도록 형성되어 있고, 상기 두 전극 배선이 교차하는 부분에 박막트랜지스터가 형성되어 있고, 상기 게이트전극 배선의 끝부분이 이웃하는 게이트전극 배선과 절연층을 사이에 두고 금속층이 겹쳐 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 게이트절연막, 반도체막, 이온이 도핑된 반도체막, 층간절연막 등이 일부 또는 전체적으로 적층된 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이
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