KR200156139Y1 - 반도체 웨이퍼 검사장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼 검사장치 Download PDF

Info

Publication number
KR200156139Y1
KR200156139Y1 KR2019960020987U KR19960020987U KR200156139Y1 KR 200156139 Y1 KR200156139 Y1 KR 200156139Y1 KR 2019960020987 U KR2019960020987 U KR 2019960020987U KR 19960020987 U KR19960020987 U KR 19960020987U KR 200156139 Y1 KR200156139 Y1 KR 200156139Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
inspection
semiconductor wafer
alternative
inspection apparatus
Prior art date
Application number
KR2019960020987U
Other languages
English (en)
Other versions
KR980009703U (ko
Inventor
이상중
Original Assignee
구본준
엘지반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구본준, 엘지반도체주식회사 filed Critical 구본준
Priority to KR2019960020987U priority Critical patent/KR200156139Y1/ko
Publication of KR980009703U publication Critical patent/KR980009703U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200156139Y1 publication Critical patent/KR200156139Y1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8803—Visual inspection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • G02B21/0004—Microscopes specially adapted for specific applications
    • G02B21/0016—Technical microscopes, e.g. for inspection or measuring in industrial production processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • G02B21/0004—Microscopes specially adapted for specific applications
    • G02B21/0088—Inverse microscopes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • G02B21/18—Arrangements with more than one light path, e.g. for comparing two specimens
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼 검사장치에 관한 것으로, 종래에는 웨이퍼를 검사하기 위하여 육안검사 후 뒤집는 동작을 필수적으로 수행하여야 하므로 검사시간을 절감하는데 한계가 있는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 웨이퍼 검사장치는 투광기의 주변에 하부검사수단을 설치하고, 상부대안/대물렌즈의 하부에 하부대안/대물렌즈를 설치하여, 웨이퍼의 뒤집는 동작을 하지 않고 상,하면의 육안검사 및 현미경검사를 실시할 수 있도록 함으로서 시간의 절감에 따른 생산성이 형상되는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 검사장치
제1도는 종래 반도체 웨이퍼 검사장치의 구성 및 검사동작을 설명하기 위한 것으로,
(a)도는 육안검사동작.
(b)도는 현미경검사동작.
제2도는 종래 반도체 웨이퍼 검사장치의 동작을 설명하기 위한 플로우차트.
제3도는 본 고안 반도체 웨이퍼 검사장치의 구성을 보인 계통도.
제4도는 본 고안 반도체 웨이퍼 검사장치의 동작을 설명하기 위한 플로우차트.
제5도는 제3도의 다른 실시예를 보인 개략구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
W : 웨이퍼 10 : 투광기
12,17,30 : 시시디 카메라 13 : 상부대안/대물렌즈
16 : 반사경 18 : 하부대안/대물렌즈
31 : 케이블
본 고안은 반도체 웨이퍼 검사장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼를 뒤집지 않고 상,하면을 검사할 수 있도록 하여 시간의 절감에 따른 생산성을 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 검사장치에 관한 것이다.
제1도는 종래 반도체 웨이퍼 검사장치의 구성 및 검사동작을 설명하기 위한 것으로, (a)도는 육안검사동작이고, (b)도는 현미경검사동작이며, 제2도는 종래 반도체 웨이퍼 검사동작을 설명하기 위한 플로우차트이다.
도시된 바와 같이 종래 반도체 웨이퍼 검사장치는 웨이퍼(W)의 앞면을 비추기 위한 투광기(ILLUMINATOR)(1)와, 시시디 카메라(CCD CAMERA)(3)가 부착된 상부대안/대물렌즈(4)와, 그 상부대안/대물렌즈(4)에 케이블(CABLE)(2)로 연결되는 모니터(MONITOR)(5)로 구성되어있다.
도면중 미설명부호 6은 벨트(BELT)이고, 7은 인풋 캐리어(INPUT CARRIER)이며, 8은 아웃풋 캐리어(OUTPUT CARRIER)이고, 9은 덕타일 암(DUCTILE ARM)이다.
상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼 검사장치를 이용하여 웨이퍼를 검사하는 동작을 제1(a), (b)도와 제2도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 웨이퍼(W)가 수납되어 있는 인풋 캐리어(7)를 장비의 상면에 올려놓고, 웨이퍼(2)가 검사장비의 안쪽으로 이동하도록 한다. 그런 다음, 장비가 웨이퍼(W)의 플랫 존(FLAT ZONE)을 찾는 동작을 하고, 검사를 위하여 상부대안/대물렌즈(4)의 하부에 위치하고 있는 척(CHUCK)에 웨이퍼(W)를 올려 놓는다. 그런 다음, 투광기(1)를 이용하여 이물질 또는 이상유,무를 육안검사한다. 그런 다음 모니터(5)를 통하여 현미경검사를 실시한다.
상기와 같이 웨이퍼(W)의 앞면 검사를 마친 후에는 덕타일 암(9)를 이용하여 웨이퍼(W)를 뒤집어서 웨이퍼(W)의 뒷면 투광기 검사를 실시한다. 그런 다음, 검사가 끝난 웨이퍼(W)를 아웃풋 캐리어(8)에 수납하여 검사를 완료한다.
그러나, 상기와 같은 종래 반도체 웨이퍼 검사장치는 웨이퍼(W)의 뒷면을 검사하기 위하여 뒤집는 동작을 필수적으로 수행하여야 하고, 그로 인하여 시간의 절감에 따른 생산성을 향상시키는데 한계가 있는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 웨이퍼를 뒤집지 않고 앞면과 뒷면을 검사할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 검사장치를 제공함에 있다.
상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여, 투광기를 이용하여 웨이퍼의 육안검사를 하고, 시시디 카메라가 구비된 상부대안/대물렌즈를 이용하여 웨이퍼의 현미경검사를 실시할 수 있도록 구성되어 있는 반도체 웨이퍼 검사장치에 있어서, 상기 웨이퍼의 상,하측에 투광기가 위치되고 주변에 웨이퍼의 하면을 확인할 수 있도록 일정각도로 배치되는 수개의 반사경이 구비되는 육안검사부가 일측에 설치되고, 타측에는 상기 상부대안/대물렌즈의 하부에 웨이퍼의 하면을 현미경검사 하기 위한 시시디 카메라가 구비되는 하부대안/대물렌즈가 설치되어 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 검사장치가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 웨이퍼 검사장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
제3도는 본 고안 반도체 웨이퍼 검사장치의 구성을 보인 계통도이고, 제4도는 본 고안 반도체 웨이퍼 검사장치의 동작을 설명하기 위한 플로우차트이다.
도시된 바와 같이, 본 고안 반도체 웨이퍼 검사장치는 웨이퍼(W)의 앞면을 비추기 위한 투광기(10)와, 시시디 카메라(12)가 부착된 상부대안/대물렌즈(13)와, 그 상부대안/대물렌즈(13)에 케이블(14)로 연결되는 모니터(15)로 구성되어 있다.
그리고, 상기 투광기(10)의 근접한 거리에 웨이퍼(W)의 하면을 비추기 위한 반사경(16)이 설치되고, 상기 상부대안/대물렌즈(13)의 하부에는 웨이퍼(W)의 하면을 현미경 검사하기 위한 시시디 카메라(17)가 구비된 하부대안/대물렌즈(18)가 설치된다.
또한, 상기 시시디 카메라(17)는 상기 모니터(15)에 케이블(19)이 연결되어, 상기 상부대안/대물렌즈(18)와 하부대안/대물렌즈(18)를 모니터(15)로 동시에 검사할 수 있도록 구성된다.
도면중 미설명부호 20은 인풋 캐리어이고, 21은 아웃풋 캐리어이다.
상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 웨이퍼 검사장치를 이용하여 웨이퍼를 검사하는 동작을 제3도와 제4도를 참고하여 설명하면 다음과 같다.
웨이퍼 인풋 인덱스(미도시)에 웨이퍼(W)가 수납된 인풋 캐리어(20)를 올려놓고, 웨이퍼(W)가 장비의 안쪽으로 이동하도록 한다. 그런 다음 장비가 웨이퍼(W)의 플랫 존을 찾는 동작을 하여 정열하고, 웨이퍼(W)검사를 위하여 상부대안/대물렌즈(13)의 하부에 위치한 척(미도시)위에 웨이퍼(W)를 올려 놓는다.
그런 다음, 투광기(10)를 이용하여 전면을 육안검사하고, 반사경(16)을 이용하여 웨이퍼(W)의 하면을 육안검사한다.
이와 같이, 육안검사가 끝나면 상부대안/대물렌즈(13)와 하부대안/대물렌즈(18)에 연결된 모니터(15)를 통하여 웨이퍼(W) 상,하면의 현미경검사를 실시한다. 그런 다음, 검사가 완료된 웨이퍼(W)는 아웃풋 캐리어(21)로 이동하여 모든 검사동작을 완료하는 것이다.
제5도는 제3도의 다른 실시예를 보인 개략구성도로서, 상기 투광기(10)의 하부에 시시디 카메라(30)를 설치하고, 그 시시디 카메라(30)와 상기 모니터(15)를 케이블(31)로 연결하여 웨이퍼(W)의 하면을 검사할 수도 있다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 고안 반도체 웨이퍼 검사장치는 투광기의 주변에 하부검사수단을 설치하고, 상부대안/대물렌즈의 하부에 하부대안/대물렌즈를 설치하여, 웨이퍼의 뒤집는 동작을 하지 않고 상,하면의 육안검사 및 현미경검사를 실시할 수 있도록 함으로서 시간의 절감에 따른 생산성이 향상되는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 투광기를 이용하여 웨이퍼의 육안검사를 하고, 시시디 카메라가 구비된 상부대안/대물렌즈를 이용하여 웨이퍼의 현미경검사를 실시할 수 있도록 구성되어 있는 반도체 웨이퍼 검사장치에 있어서, 상기 웨이퍼의 상,하측에 투광기가 위치되고 주변에 웨이퍼의 하면을 확인할 수 있도록 일정각도로 배치되는 수개의 반사경이 구비되는 육안검사부가 일측에 설치되고, 타측에는 상기 상부대안/대물렌즈의 하부에 웨이퍼의 하면을 현미경검사 하기 위한 시시디 카메라가 구비되는 하부대안/대물렌즈가 설치되어서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 검사장치.
KR2019960020987U 1996-07-16 1996-07-16 반도체 웨이퍼 검사장치 KR200156139Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019960020987U KR200156139Y1 (ko) 1996-07-16 1996-07-16 반도체 웨이퍼 검사장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019960020987U KR200156139Y1 (ko) 1996-07-16 1996-07-16 반도체 웨이퍼 검사장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR980009703U KR980009703U (ko) 1998-04-30
KR200156139Y1 true KR200156139Y1 (ko) 1999-10-01

Family

ID=19461573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019960020987U KR200156139Y1 (ko) 1996-07-16 1996-07-16 반도체 웨이퍼 검사장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200156139Y1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101222714B1 (ko) 2011-11-07 2013-01-15 삼성전기주식회사 목시 검사 지그 및 이를 이용한 목시 검사 시스템

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101222714B1 (ko) 2011-11-07 2013-01-15 삼성전기주식회사 목시 검사 지그 및 이를 이용한 목시 검사 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
KR980009703U (ko) 1998-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100654218B1 (ko) 액정패널의 외관 검사장치
US6822734B1 (en) Apparatus and method for fabricating flat workpieces
JPH05126748A (ja) 光学検査装置
KR19990064058A (ko) 투과성 구조에서 3차원내 결함위치결정방법.
US20100039640A1 (en) Illumination method and device for determining the presence of defects on the surface of a container collar
KR20070084560A (ko) 유리 시트의 표면 및 바디 결함을 식별하기 위한 검사시스템 및 방법
KR950016899A (ko) 용기의 투명부분 특히 병의 아가리부분의 광학검사를 위한 프로세스와 장치
KR20040044071A (ko) 표시용 기판의 검사방법 및 장치
KR20150034419A (ko) 비전검사장치
JP7274312B2 (ja) 自動光学検査のための光学系
TW202032112A (zh) 缺陷檢測裝置
KR200156139Y1 (ko) 반도체 웨이퍼 검사장치
JPS6321855B2 (ko)
JPS62127652A (ja) 半導体ウエハの表面欠陥検査装置
JPS61102505A (ja) 照明装置
JPH0472554A (ja) 透明容器検査装置
US20240011919A1 (en) Inspection apparatus and inspection method
KR100400455B1 (ko) 검사기판 조명장치
CN211785186U (zh) 一种多面向光学检测装置
CN213749564U (zh) 一种自动光学检测系统
JPH11251362A (ja) テープキャリアパッケージの外観検査装置
KR100239699B1 (ko) 반도체 웨이퍼 검사장치
JPH08285782A (ja) マクロ画像検査装置
JPS5867039A (ja) 暗視野照明装置
JPH05232032A (ja) 外観検査用投光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090526

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee