KR200145870Y1 - 집적 회로에서의 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로 - Google Patents

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Abstract

본 고안은 집적회로에서의 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로에 관한 것으로서, 이를 위하여, 제1패드(P1)와 제2패드(P2) 사이에 병렬 연결되어 제1,2패드(P1,P2) 사이의 과전압에 의거하여 용융 개방되는 메탈 휴즈(M1)와; 상기 메탈 휴즈(M1)에 직렬로 연결되며, 상기 제2패드(P2)와 접지 패드(PG)사이의 과전압에 의거하여 용융 단락되는 트랜지스터 휴즈(Q1); 상기 메탈 휴즈(M1)와 병렬로 연결된 제1수동소자(R1)와; 상기 트랜지스터 휴즈(Q1)와 병렬로 연결된 제2수동소자(R2)를 포함하여, 상기 메탈 휴즈(M1) 및 트랜지스터 휴즈(Q1)의 용융 개방/단락에 따라 상기 제1수동소자(R1) 및 제2수동소자(R2)에 의한 상기 제1패드(P1)와 접지 패드(PG)간 임피던스 값을 증감할 수 있는 것이다.

Description

집적회로에서의 임피던스 가변을 위한 휴지 회로
제1도는 종래의 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로도.
제2도는 본 고안에 따른 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10,2 : 제1,2휴즈회로부 R,R1,R2,R3,R3 : 저항
Q1,Q2 : 트랜지스터 P1,P2,P3,PG : 패드
본 고안은 집적회로에서의 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로에 관한 것으로서, 특히 개방/단락 휴즈 회로를 이용하여 저항값, 커패시턴스, 인덕턴스 등을 초기치 보다 증감할 수 있도록 한 집적회로에서의 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정에서 집적 소자의 값의 분포를 필요한 특성값에 맞도록 증감시키는 것이 필요하며, 이를 위하여, 휴즈회로를 부가하여 휴즈를 선택적으로 개방/단락시킴으로써, 집적 소자의 값 예를 들면, 저항, 커패시터, 인덕터의 값을 원하는 특성값에 일치시킬 수 있는 것이다.
제1도는 종래의 전형적인 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로도로서, 저항(R1,R2)에 직렬로 각각 연결된 휴즈용 트랜지스터(Q1, Q2)의 개방/단락을 선택적으로 제어하여 출력 전압(Vo)을 제어한다.
동 도면에 있어서, 전압 분배용 저항(R)을 거쳐서 전압 분배용 저항(R,R1,R2)이병렬로 연결되어 소정 전원(Vcc)을 분압하여 출력 전압(Vo)를 제어하는데, 출력 전압(Vo)은 패드(P1,P2)와 그라운드 패드(PG) 사이에 과전압을 선택적으로 인가하여 전압 분배용 저항(R1,R2)에 각각 연결된 휴즈용 트랜지스터(Q1,Q2)를 용융 단락시켜서 제어한다.
보다 상세히 설명하면, 먼저 초기 상태에서 휴즈용 트랜지스터(Q1,Q2)는 개방되어 출력 전압(Vo)은 Vcc/2가 되며, 휴즈용 트랜지스터(Q1)가 패드(P1)에 인가된 과전압에 의거하여 용융 단락되면 출력 전압(Vo)은 Vcc(R//R1)/(R+(R//R1))로 감소되며, 휴즈용 트랜지스터(Q2)가 용융 단락되면 출력 전압(Vo)은 Vcc(R//R2)/(R+(R//R2))로 감소되며, 휴즈용 트랜지스터(Q1,Q2)가 모두 용융 단락되면 출력 전압(Vo)은 Vcc(R//R1//R2)/(R+(R//R1//R2))로 감소되어 수동 소자인 저항값을 감소 제어할 수 있는 것이다.
그러나, 상술한 바와 같이 종래의 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로에서는 그 임피던스를 본 고안의 바람직한 실시예에서는 저항값을 감소하는 방향으로만 제어가 가능하며, 증가시키는 방향으로는 제어할 수 없는 문제점이 있었다.
따라서, 본 고안의 목적은, 직접 회로에서 휴즈 회로의 개방/단락을 이용하여 수동 소자의 임피던스를 증가/감소할 수 있도록 한 집적회로에서의 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로를 제공하는데 있다.
본 고안에 따른 집적회로에서의 임피던스 가변을 위한 휴즈회로는, 제1패드와 제2패드 사이에 병렬 연결되어 제1,2패드사이의 과전압에 의거하여 용융 개방되는 메탈 휴즈와; 상기 메탈 휴즈에 직렬로 연결되며, 상기 제2패드와 접지 패드(PG) 사이의 과전압에 의거하여 용융 단락되는 트랜지스터 휴즈와; 상기 메탈 휴즈와 병렬로 연결된 제1수동소자와; 상기 트랜지스터 휴즈와 병렬로 연결된 제2수동 소자를 포함하여; 상기 메탈 휴즈 및 트랜지스터 휴즈의 개방/단락에 따라 상기 제1수동소자 및 제2수동소자에 의한 제1패드와 접지 패드간 임피던스 값을 변경시킬 수 있도록 구성한다.
또한, 집적회로에서의 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로는 병렬로 다수개 연결하여 임피던스 값을 미세하게 변경할 수 있는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
제2도는 본 고안에 따른 집적회로에서의 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로로서, 제1패드(P1)와 제2패드(P2) 사이에 연결되며 단락 상태에서 과전압에 의거하여 용융 개방되는 메탈 휴즈(M1)와, 메탈 휴즈(M1)와 병렬로 연결된 제1수동소자(R1)와, 제2패드(P2)에 이미터가 접지 패드(PG)에 베이스와 컬렉터가 연결되며 개방 상태에서 과전압에 의거하여 용융 단락되는 휴즈용 NPN형 트랜지스터(Q1)와, 휴즈용 트랜지스터(Q1)에 병렬로 연결된 제2수동소자(R2)를 포함하여 구성하며, 이러한 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로(10)는 병렬로 다수개(20,...) 연결하여 임피던스를 보다 미세하게 조정이 가능하다.
즉, 제1패드(P1), 제2패드(P2), 제3패드(P3) 및 접지 패드(PG)에 선택적으로 과전류 또는 과전력을 인가하여 메탈 휴즈(M1,M2, ...) 및 트랜지스터 휴즈(Q1,Q2,...)를 선택적으로 용융 개방/단락시켜서 제1패드(P1)와 접지패드(PG) 사이의 저항값을 가감 제어할 수 있는 것이다.
한편, 본 고안의 바람직한 실시예에서는 수동소자로 저항을 이용하여 저항값을 특성에 맞도록 가변하였으나, 커패시터나 인덕터도 상술한 구성으로 커패시턴스 및 인덕턴스를 가변할 수 있으며, 저항, 커패시터 및 인덕터를 조합하여 그 임피던스를 제어할 수도 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 고안에 따르면, 집적 회로에서 그 특성에 맞도록 임피던스를 휴즈 회로를 이용하여 가감하여 조정할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 제1패드(P1)와 제2패드(P2) 사이에 병렬 연결되어 제1,2패드(P1,P2) 사이의 과전압에 의거하여 용융 개방되는 메탈 휴즈(M1)와; 상기 메탈 휴즈(M1)에 직렬로 연결되며, 상기 제2패드(P2)와 접지 패드(PG) 사이의 과전압에 의거하여 용융 단락되는 트랜지스터 휴즈(Q1)와; 상기 메탈 휴즈(M1)와 병렬로 연결된 제1수동소자(R1)와; 상기 트랜지스터 휴즈(Q1)와 병렬로 연결된 제2수동소자(R2)를 포함하여; 상기 메탈 휴즈(M1) 및 트랜지스터 휴즈(Q1)의 용융 개방/단락에 따라 상기 제1수동소자(R1) 및 제2수동소자(R2)에 의한 상기 제1패드(P1)와 접지패드(PG)간 임피던스 값을 변경시키기 위한 집적회로에서의 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 집적회로에서의 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로는, 병렬로 다수개 연결하여 임피던스 값을 보다 미세하게 변경할 수 있는 것을 특징으로 하는 집적회로에서의 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수동소자(R1,R2)는 저항, 커패시터, 인덕터중에 하나이거나 상기 저항, 커패시터, 인덕터를 조합하여 구성하는 것을 특징으로 하는 집적회로에서의 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로.
KR2019960014584U 1996-05-31 1996-05-31 집적 회로에서의 임피던스 가변을 위한 휴즈 회로 KR200145870Y1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2021101236A1 (ko) * 2019-11-19 2021-05-27 주식회사 만도 필터 장치 및 조향 제어 장치
WO2024197781A1 (en) * 2023-03-31 2024-10-03 Intel Corporation Tachometer apparatus and method to track and report processor usage

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